CN118117278A - 一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，属于射频元件领域，包括耦合器外壳、位于耦合器内的混合介质体以及位于耦合器内的电路层，其中，所述电路层位于混合介质体内部；本发明采用低温共烧陶瓷工艺，将构成一个电容区单元、电感区单元、隔离区单元和耦合区单元分别内置于耦合器内的十个电路层，具有Q值高、体积小、高隔离度等优异性能。整个耦合器元件体积仅为1.0mm×0.5mm×0.4mm，可基于叠层技术加工为贴片组件，在极小的体积内实现高隔离度耦合器效果；耦合器尺寸小、剖面低，有利于减少周围射频器件的干扰，最大限度提高了加工工艺的容差程度。
Description
技术领域
本发明涉及耦合器技术领域，具体涉及一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器。
背景技术
当前微波系统都向高集成度、高性能、小尺寸的趋势发展，一个系统中往往会集成两个或多个信道。为了缩小系统体积和降低系统的总功耗，近年来，随着射频技术的日义成熟，手机等电子设备藉由耦合器技术，电子设备可预知天线端口发射功率数值，此时便需要耦合器元件作功率侦测。然而，由于手机等电子设备的功能越来越强大，电子器件和射频器件，电子设备的空间变得很有限，如何在有限的电子设备空间内保证高隔离度是重要课题。本发明提供一种小型化的高隔离度耦合器，通过提供更小型化的耦合器而能够在确保射频性能的同时而减少占用的空间。
发明内容
针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器解决了在有限的现有电子设备的空间中无法有效保证高隔离度的问题。
为了达到以上目的，本发明采用的技术方案为：
本方案提供一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，包括耦合器外壳、位于耦合器内的混合介质体以及位于耦合器内的电路层，其中，所述电路层位于混合介质体内部。
所述耦合器外壳包括均对称放置于耦合器外壳底部且与电路层的线路电连接的输入端口、输出端口、耦合端口、隔离端口、第一接地端口以及第二接地端口；
所述混合介质体包括依次从上至下布置的第一介质体、第二介质体、第三介质体以及第四介质体；所述电路层均位于第一介质体、第二介质体、第三介质体以及第四介质体内；
所述耦合器内的电路层包括位于第一介质体内部的第一电路层和第二电路层、位于第二介质体内部的第三电路层、第四电路层和第五电路层、位于第三介质体内部的第六电路层、位于第四介质体内部的第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层；所述第三电路层分别第一电路层、第二电路层、第四电路层和第七电路层连接，所述第四电路层与第五电路层和第六电路层连接，所述第六电路层与第十电路层连接，所述第七电路层与第八电路层和第九电路层连接，所述第八电路层与第九电路层连接；
所述第八电路层分别与输入端口和输出端口电连接，所述第九电路层分别与耦合端口和隔离端口电连接，所述第十电路层分别与第一接地端口和第二接地端口电连接。
本发明的有益效果：该耦合器包括十层电路并内置于两种不同的介质体中，耦合器体积仅为1.0mm×0.5mm×0.4mm，可基于叠层技术加工为贴片组件，在极小的体积内实现高隔离度耦合器效果。在确保其电性能不受影响的前提下，最大限度提高了加工工艺的容差程度，实现了较高的工艺稳定性和一致性，且易于与其他电路模块进行集成，适用性高。
进一步地，所述第一电路层包括第一电极板；所述第一电极板与第三电路层连接；
所述第二电路层包括第二电极板和第三电极板；所述第二电极板与第三电路层连接，所述第三电极板与第三电路层连接；
所述第三电路层包括第四电极板、第五电极板和第六电极板；所述第四电极板与第二电极板通过第二过孔连接，所述第四电极板与第四电路层连接，所述第四电极板与第七电路层连接，所述第五电极板与第一电极板通过第一过孔连接，所述第五电极板与第四电路层连接，所述第六电极板与第三电极板通过第三过孔连接，所述第六电极板与第四电路层连接，所述第六电极板与第七电路层连接；
所述第四电路层包括第七电极板、第八电极板和第九电极板；所述第七电极板与第四电极板通过第四过孔连接，所述第七电极板与第五电路层连接，所述第八电极板与第五电极板通过第五过孔连接，所述第八电极板与第六电路层连接，所述第九电极板与第六电极板通过第七过孔连接，所述第九电极板与第五电路层连接；
所述第五电路层包括第十电极板；所述第十电极板与第七电极板通过第八过孔连接；
所述第六电路层包括第十一电极板；所述第十一电极板与第八电极板通过第九过孔连接，所述第十一电极板与第十电路层连接；
所述第七电路层包括第十二电极板和第十三电极板；所述第十二电极板与第四电极板通过第二过孔连接，所述第十二电极板与第八电路层连接，所述第十三电极板与第六电极板通过第六过孔连接，所述第十三电极板与第九电路层连接；
所述第八电路层包括第十四电极板和第十五电极板；所述第十四电极板与输出口端通过第十四过孔电连接，第十四电极板与输入口端通过第十五过孔电连接，所述第十五电极板与第十二电极板通过第十一过孔连接，所述第十五电极板与第九电路层连接；
所述第九电路层包括第十六电极板和第十七电极板；所述第十六电极板与第十五电极板通过第十三过孔连接，所述第十六电极板与隔离端口通过第十六过孔电连接，所述第十七电极板与第十三电极板通过第十二过孔连接，所述第十七电极板与耦合端口通过第十七过孔电连接；
所述第十电路层包括第十八电极板；所述第十八电极板与第十一电极板通过第十过孔连接，所述第十八电极板与第一接地端口通过第十八过孔电连接，所述第十八电极板与第二接地端口通过第十九过孔电连接。
上述进一步方案的有益效果是：本发明公开一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，经过低温共烧陶瓷技术制造，其中在电感组件分别内置于陶瓷体内的十个电路层，该耦合器的尺寸小、剖面低、隔离度高，有利于减少周围射频器件的干扰，具有Q值高、体积小、隔离度高等优异性能，进一步提升射频系统工作效率。
再进一步地，所述第一电路层和第二电路层构成电容区单元，所述第一电极板和第二电极板构成第一等效电容C1；所述第一电极板和第三电极板构成第二等效电容C2；
所述第三电路层、第四电路层和第五电路层构成电感区单元；所述第五电极板、第八电极板、第五过孔和第九过孔构成第一等效电感L1；所述第四电极板、第六电极板、第七电极板、第九电极板、第十电极板、第四过孔、第七过孔、第八过孔和第十过孔构成第二等效电感L2；
所述第六电路层构成隔离区单元；
所述第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层构成耦合区单元；所述第十二电极板、第十五电极板、第十六电极板、第十一过孔、第十三过孔和第十六过孔构成第三等效电感L3；所述第十三电极板、第十七电极板、第十一过孔、第十二过孔和第十七过孔构成第四等效电感L4；所述第十四电极板、第十四过孔和第十五过孔构成第五等效电感L5。
上述进一步方案的有益效果是：本发明耦合器的设计通过模块化、优化性能、集成电感、增强隔离和耦合效果等方式，减少周围射频器件的干扰，具有Q值高、体积小、隔离度高等优异性能，进一步提升射频系统工作效率。
附图说明
图1为本发明的耦合器内部结构示意图；
图2为本发明的耦合器的第一层电路示意图；
图3为本发明的耦合器的第二层电路示意图；
图4为本发明的耦合器的第三层电路示意图；
图5为本发明的耦合器的第四层电路示意图；
图6为本发明的耦合器的第五层电路示意图；
图7为本发明的耦合器的第六层电路示意图；
图8为本发明的耦合器的第七层电路示意图；
图9为本发明的耦合器的第八层电路示意图；
图10为本发明的耦合器的第九层电路示意图；
图11为本发明的耦合器的第十层电路示意图；
图12为本发明的耦合器的外形示意图；
图13为本发明的耦合器的等效原理图；
图14为本发明的耦合器的隔离度响应曲线图；
图15为本发明的耦合器的耦合度响应曲线图；
其中，1-第一电极板，2-第二电极板，3-第三电极板，4-第四电极板，5-第五电极板，6-第六电极板，7-第七电极板，8-第八电极板，9-第九电极板，10-第十电极板，11-第十一电极板，12-第十二电极板，13-第十三电极板，14-第十四电极板，15-第十五电极板，16-第十六电极板，17-第十七电极板，18-第十八电极板，19-第一过孔，20-第二过孔，21-第三过孔，22-第四过孔，23-第五过孔，24-第六过孔，25-第七过孔，26-第八过孔，27-第九过孔，28-第十过孔，29-第十一过孔，30-第十二过孔，31-第十三过孔，32-第十四过孔，33-第十五过孔，34-第十六过孔，35-第十七过孔，36-第十八过孔，37-第十九过孔，38-第一介质体，39-第二介质体，40-第三介质体，41-第四介质体，42-输入端口，43-输出端口，44-耦合端口，45-隔离端口，46-第一接地端口，47-第二接地端口，48-标识。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本发明，但应该清楚，本发明不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
实施例
如图1至图15所示，本发明提供了一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，包括耦合器外壳、位于耦合器内的混合介质体以及位于耦合器内的电路层，其中，所述电路层位于混合介质体内部。
所述耦合器外壳包括均对称放置于耦合器外壳底部且与电路层的线路电连接的输入端口42、输出端口43、耦合端口44、隔离端口45、第一接地端口46以及第二接地端口47；
所述混合介质体包括依次从上至下布置的第一介质体38、第二介质体39、第三介质体40以及第四介质体41；所述电路层均位于第一介质体38、第二介质体39、第三介质体40以及第四介质体41内；
所述耦合器内的电路层包括位于第一介质体38内部的第一电路层和第二电路层、位于第二介质体39内部的第三电路层、第四电路层和第五电路层、位于第三介质体40内部的第六电路层、位于第四介质体41内部的第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层；所述第三电路层分别第一电路层、第二电路层、第四电路层和第七电路层连接，所述第四电路层与第五电路层和第六电路层连接，所述第六电路层与第十电路层连接，所述第七电路层与第八电路层和第九电路层连接，所述第八电路层与第九电路层连接；
所述第八电路层分别与输入端口42和输出端口43电连接，所述第九电路层分别与耦合端口44和隔离端口45电连接，所述第十电路层分别与第一接地端口46和第二接地端口47电连接；
如图1所示，位于耦合器内的混合介质体包括第一介质体38、第二介质体39、第三介质体40以及第四介质体41，耦合器内的电路层包括第一电路层、第二电路层、第三电路层、第四电路层、第五电路层、第六电路层、第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层；第一电路层和第二电路层置于第一介质体内部38；第三电路层、第四电路层和第五电路层置于第二介质体内部39；第六电路层置于第三介质体内部40；第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层置于第四介质体内部41；第一电路层和第二电路内设置有电容单元；第三电路层、第四电路层和第五电路层内设置有电感单元；第六电路层设置有隔离单元；第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层内设置有耦合单元；电容单元、电感单元、隔离单元和耦合单元构成高隔离度耦合器。
如图2所示，所述第一电路层包括第一电极板1；所述第一电极板1与第三电路层连接；
如图3所示，所述第二电路层包括第二电极板2和第三电极板3；所述第二电极板2与第三电路层连接，所述第三电极板3与第三电路层连接；
如图4所示，所述第三电路层包括第四电极板4、第五电极板5和第六电极板6；所述第四电极板4与第二电极板2通过第二过孔20连接，所述第四电极板4与第四电路层22连接，所述第四电极板4与第七电路层连接，所述第五电极板5与第一电极板1通过第一过孔19连接，所述第五电极板5与第四电路层连接，所述第六电极板6与第三电极板3通过第三过孔21连接，所述第六电极板6与第四电路层连接，所述第六电极板6与第七电路层连接；
如图5所示，所述第四电路层包括第七电极板7、第八电极板8和第九电极板9；所述第七电极板7与第四电极板4通过第四过孔22连接，所述第七电极板7与第五电路层连接，所述第八电极板8与第五电极板5通过第五过孔23连接，所述第八电极板8与第六电路层连接，所述第九电极板9与第六电极板6通过第七过孔25连接，所述第九电极板9与第五电路层连接；
如图6所示，所述第五电路层包括第十电极板10；所述第十电极板10与第七电极板7通过第八过孔26连接；
如图7所示，所述第六电路层包括第十一电极板11；所述第十一电极板11与第八电极板8通过第九过孔27连接，所述第十一电极板11与第十电路层连接；
如图8所示，所述第七电路层包括第十二电极板12和第十三电极板13；所述第十二电极板12与第四电极板4通过第二过孔20连接，所述第十二电极板12与第八电路层连接，所述第十三电极板13与第六电极板6通过第六过孔24连接，所述第十三电极板13与第九电路层连接；
如图9所示，所述第八电路层包括第十四电极板14和第十五电极板15；所述第十四电极板14与输出口端43通过第十四过孔32电连接，第十四电极板14与输入口端42通过第十五过孔15电连接，所述第十五电极板15与第十二电极板12通过第十一过孔29连接，所述第十五电极板15与第九电路层连接；
如图10所示，所述第九电路层包括第十六电极板16和第十七电极板17；所述第十六电极板16与第十五电极板15通过第十三过孔31连接，所述第十六电极板16与隔离端口45通过第十六过孔34电连接，所述第十七电极板17与第十三电极板13通过第十二过孔30连接，所述第十七电极板17与耦合端口44通过第十七过孔35电连接；
如图11所示，所述第十电路层包括第十八电极板18；所述第十八电极板18与第十一电极板11通过第十过孔28连接，所述第十八电极板18与第一接地端口46通过第十八过孔36电连接，所述第十八电极板18与第二接地端口47通过第十九过孔37电连接。
混合介质体由基于多层印制电路板工艺或者低温共烧陶瓷技术制造而成；高隔离度耦合器的材质为铜或者钯银，即使用高电导率的金属材料。
如图12所示，包括耦合器外壳；所述耦合器外壳底部设有输入端口42、输出端口43、耦合端口44、隔离端口45、第一接地端口46以及第二接地端口47。
第一电路层到耦合器外壳顶部的厚度为50μm；
第二电路层到第一电路层的厚度为15μm；
第三电路层到第二电路层的厚度为50μm；
第四电路层到第三电路层的厚度为15μm；
第五电路层到第四电路层的厚度为15μm；
第六电路层到第五电路层的厚度为30μm；
第七电路层到第六电路层的厚度为30μm；
第八电路层到第七电路层的厚度为15μm；
第九电路层到第八电路层的厚度为15μm；
第十电路层到第九电路层的厚度为50μm；
底部电路层到第十电路层的厚度为30μm；
其中，耦合器外壳顶部存在有标识48符号，用于辨识各端口的位置。
本实施例中，采用低温共烧陶瓷技术制成陶瓷介质体，其体积为1.0mm×0.5mm×0.4mm，将耦合器模块置于陶瓷介质体内，并在890℃±20℃的温度下烧结成型，可在三维电路基板上实现耦合器的小型化和高隔离度。均使用钯银作为内埋金属材料并置于十个电路层，有利于提高电路系统的品质因素，且在烧结过程中不会发生氧化，无需电镀保护。
高隔离度耦合器电路所使用的介质体材料的介电常数可以在很大范围内变动，等效组件的物理尺寸与材料的介电常数的平方根成反比，即介电常数越大，所需的组件尺寸越小，但同时带来的寄生参数影响也越大。为同时满足耦合器高隔离度和小体积的需求，可以在不同的电路层区域分别使用不同的介质体材料。在本实施例中，第二介质体39和第四介质体41所在区域为第一介质材料。由于该区域为电感层和耦合层，其微带线的寄生参数对电路品质因数的影响较大，因此该区域介质体材料选用较低的介电常数来最大限度降低电路图形引入的寄生参数，从而第一介质材料可采用介电常数为6.5、介电损耗正切角为0.004的介质材料。第一介质体30和第三介质体40所在区域为第二介质材料。由于该区域为电容层和隔离层，其寄生参数的引入可忽略不计，因此选用介电常数较高的介质体材料来压缩过孔区域的纵向空间，进一步缩减耦合器占用的体积，从而第二介质材料可采用介电常数为32、介电损耗正切角为0.006的介质材料。
如图14和图15所示，本实施例的耦合器在700～3800MHz的工作频段隔离度为40dB以上，与耦合度范围为21～28dB，体现了该耦合器的传输特性的稳定程度。
综上所述，本发明包括十层电路并内置于两种不同的介质材料中，耦合器体积仅为1.0mm×0.5mm×0.4mm，可基于叠层技术加工为贴片组件，在极小的体积内实现高隔离度耦合器效果；耦合器尺寸小、剖面低，有利于减少周围射频器件的干扰，具有Q值高、体积小、隔离度高等优异性能，进一步提升射频系统工作效率。在确保其电性能不受影响的前提下，最大限度提高了加工工艺的容差程度，实现了较高的工艺稳定性和一致性，且易于与其他电路模块进行集成，适用性高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：包括耦合器外壳、位于耦合器内的混合介质体以及位于耦合器内的电路层，其中，所述电路层位于混合介质体内部。
2.根据权利要求1所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于，所述耦合器外壳包括均对称放置于耦合器外壳底部且与电路层的线路电连接的输入端口(42)、输出端口(43)、耦合端口(44)、隔离端口(45)、第一接地端口(46)以及第二接地端口(47)；
所述混合介质体包括依次从上至下布置的第一介质体(38)、第二介质体(39)、第三介质体(40)以及第四介质体(41)；所述电路层位于第一介质体(38)、第二介质体(39)、第三介质体(40)以及第四介质体(41)内；
所述耦合器内的电路层包括位于第一介质体(38)内部的第一电路层和第二电路层、位于第二介质体(39)内部的第三电路层、第四电路层和第五电路层、位于第三介质体(40)内部的第六电路层、位于第四介质体(41)内部的第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层；所述第三电路层分别第一电路层、第二电路层、第四电路层和第七电路层连接，所述第四电路层与第五电路层和第六电路层连接，所述第六电路层与第十电路层连接，所述第七电路层与第八电路层和第九电路层连接，所述第八电路层与第九电路层连接；
所述第八电路层分别与输入端口(42)和输出端口(43)电连接，所述第九电路层分别与耦合端口(44)和隔离端口(45)电连接，所述第十电路层分别与第一接地端口(46)和第二接地端口(47)电连接。
3.根据权利要求2所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第一电路层包括第一电极板(1)；所述第一电极板(1)与第三电路层连接；
所述第二电路层包括第二电极板(2)和第三电极板(3)；所述第二电极板(2)与第三电路层连接，所述第三电极板(3)与第三电路层连接。
4.根据权利要求3所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第三电路层包括第四电极板(4)、第五电极板(5)和第六电极板(6)；所述第四电极板(4)与第二电极板(2)通过第二过孔(20)连接，所述第四电极板(4)与第四电路层连接，所述第四电极板(4)与第七电路层连接，所述第五电极板(5)与第一电极板(1)通过第一过孔(19)连接，所述第五电极板(5)与第四电路层连接，所述第六电极板(6)与第三电极板(3)通过第三过孔(21)连接，所述第六电极板(6)与第四电路层连接，所述第六电极板(6)与第七电路层连接；
所述第四电路层包括第七电极板(7)、第八电极板(8)和第九电极板(9)；所述第七电极板(7)与第四电极板(4)连接，所述第七电极板(7)与第五电路层连接，所述第八电极板(8)与第五电极板(5)通过第五过孔(23)连接，所述第八电极板(8)与第六电路层连接，所述第九电极板(9)与第六电极板(6)连接，所述第九电极板(9)与第五电路层连接。
5.根据权利要求4所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第五电路层包括第十电极板(10)；所述第十电极板(10)与第七电极板(7)连接；
所述第六电路层包括第十一电极板(11)；所述第十一电极板(11)与第八电极板(8)连接，所述第十一电极板(11)与第十电路层连接。
6.根据权利要求5所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第七电路层包括第十二电极板(12)和第十三电极板(13)；所述第十二电极板(12)与第四电极板(4)通过第二过孔(20)连接，所述第十二电极板(12)与第八电路层连接，所述第十三电极板(13)与第六电极板(6)通过第六过孔(24)连接，所述第十三电极板(13)与第九电路层连接；
所述第八电路层包括第十四电极板(14)和第十五电极板(15)；所述第十四电极板(14)与输出口端(43)通过第十四过孔(32)电连接，第十四电极板(14)与输入口端(42)通过第十五过孔(15)电连接，所述第十五电极板(15)与第十二电极板(12)通过第十一过孔(29)连接，所述第十五电极板(15)与第九电路层连接。
7.根据权利要求6所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第九电路层包括第十六电极板(16)和第十七电极板(17)；所述第十六电极板(16)与第十五电极板(15)通过第十三过孔(31)连接，所述第十六电极板(16)与隔离端口(45)通过第十六过孔(34)电连接，所述第十七电极板(17)与第十三电极板(13)通过第十二过孔(30)连接，所述第十七电极板(17)与耦合端口(44)通过第十七过孔(35)电连接；
所述第十电路层包括第十八电极板(18)；所述第十八电极板(18)与第十一电极板(11)通过第十过孔(28)连接，所述第十八电极板(18)与第一接地端口(46)通过第十八过孔(36)电连接，所述第十八电极板(18)与第二接地端口(47)通过第十九过孔(37)电连接。
8.根据权利要求7所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第一电路层和第二电路层构成电容区单元，所述第一电极板(1)和第二电极板(2)构成第一等效电容C1；所述第一电极板(1)和第三电极板(3)构成第二等效电容C2。
9.根据权利要求8所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第三电路层、第四电路层和第五电路层构成电感区单元；所述第五电极板(5)、第八电极板(8)、第五过孔(23)和第九过孔(27)构成第一等效电感L1；所述第四电极板(4)、第六电极板(6)、第七电极板(7)、第九电极板(9)、第十电极板(10)、第四过孔(22)、第七过孔(25)、第八过孔(26)和第十过孔(28)构成第二等效电感L2；
所述第六电路层构成隔离区单元。
10.根据权利要求9所述的基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器，其特征在于：所述第七电路层、第八电路层、第九电路层和第十电路层构成耦合区单元；所述第十二电极板(12)、第十五电极板(15)、第十六电极板(16)、第十一过孔(29)、第十三过孔(31)和第十六过孔(34)构成第三等效电感L3；所述第十三电极板(13)、第十七电极板(17)、第十一过孔(29)、第十二过孔(30)和第十七过孔(35)构成第四等效电感L4；所述第十四电极板(14)、第十四过孔(32)和第十五过孔(33)构成第五等效电感L5。
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| CN202410456954.7A CN118117278A (zh) | 2024-04-16 | 2024-04-16 | 一种基于叠层技术的混合介质小型化高隔离度耦合器 |
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Citations (5)
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-
2024
- 2024-04-16 CN CN202410456954.7A patent/CN118117278A/zh active Pending
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