CN118103769A - 经由参数调整来设计电致变色器件的光学和电学特性 - Google Patents

Abstract

本文所公开的各种实施方案涉及通过调整电致变色器件的特定参数来同时设计该电致变色器件的光学和电学特性的技术。可获得一个或多个模型，其表示这些光学和电学特性相对于器件的参数中的各个参数的相应关系。给定这些光学和/或电学特性的特定值，可调节这些参数中的至少一个参数以根据这些给定的特定值同时控制这些光学和电学特性。

Description

经由参数调整来设计电致变色器件的光学和电学特性

背景技术

电致变色器件包含响应于施加电流或电压而改变其光学特性的电致变色材料。因此，通过控制电流或电压，可调节电致变色器件的光学透射率、吸收率、反射率和/或发射率。鉴于上述光学和电学特性，电致变色器件可用于构建智能眼镜或反射镜。传统上，当设计电致变色器件时，电致变色器件的光学和电学特性的选择或设计是分开进行的。通常，首先完成光学特性的设计。在光学特性确定后，开始设计电致变色器件的电学特性。这会产生控制方面的挑战，因为电学特性难以随时间调节或演变，而电学特性继而控制使用中的电致变色器件的光学性能。因此，期望具有用于设计电致变色器件的更优化的方法。

附图说明

图1示出了根据一些实施方案的示例性电致变色系统。

图2示出了根据一些实施方案的示例性电致变色器件设计系统。

图3示出了根据一些实施方案的表示电致变色器件的漏电流(I)与控制电压(V)之间的示例性关系的示意性模型。

图4示出了根据一些实施方案的表示相对于电致变色器件的沉积温度，电致变色器件的着色效率与相对电荷之间的示例性关系的示意性模型。

图5示出了根据一些实施方案的表示相对于CE层的厚度，电致变色器件的电流与控制电压之间的关系的示意性模型。

图6示出了根据一些实施方案的表示相对于EC层厚度，电致变色器件的可见光透射水平或％T与控制电压之间的示例性关系的示意性模型。

图7示出了根据一些实施方案的表示相对于锂掺杂量，电致变色器件的电流与控制电压之间的关系的示意性模型。

图8A至图8G示出了根据一些实施方案的电致变色器件的示例性光学模拟结果。

图9示出了例示根据一些实施方案的通过调节一个或多个参数同时设计电致变色器件的光学和电学特性的方法的高水平流程图。

图10示出了例示根据一些实施方案的根据所接收的光学和电学特性调节电致变色器件的一个或多个参数的方法的高水平流程图。

图11示出了根据一些实施方案的可用于实施电致变色器件设计系统的示例性计算机系统的示意性框图。

虽然本文通过举例若干实施方案和例示性附图的方式来描述实施方案，但本领域的技术人员将认识到，实施方案不限于所描述的实施方案或附图。应当理解，附图及其具体实施方式并非旨在将实施方案限制于所公开的特定形式，而是相反，本发明旨在涵盖落入由所附权利要求限定的实质和范围内的所有修改、等同方案和替代方案。本文使用的标题仅用于组织目的，并不意味着用于限制说明书或权利要求书的范围。如贯穿本专利申请所使用的，词语“可以”以允许的意义(即，意味着具有可能性)而不是强制的意义(即，意味着必须)使用。词语“包括”表示开放式关系，因此意味着包括但不限于此。类似地，词语“具有”也表示开放式关系，因此意味着具有但不限于此。本文所使用的术语“第一”、“第二”、“第三”等用作对位于它们之后的名词的标记，并且不暗示任何类型的排序(例如，空间的、时间的、逻辑的，等等)，除非此类排序另有明确指示。

“基于”如本文所用，该术语用于描述影响确定的一个或多个因素。该术语不排除可能影响确定的附加因素。即，确定可以仅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考虑短语“基于B确定A”。虽然B可以是影响确定A的因素，但此类短语不排除A的确定也基于C。在其他情况下，A可以仅基于B来确定。

本公开的范围包括本文所公开的任何特征或特征的组合(明确地或隐含地)，或其任何概括，无论其是否缓解本文所解决的任何或所有问题。因此，在本专利申请(或要求其优先权的专利申请)的申请期间，可以对任何此类特征的组合提出新的权利要求。特别地，参考所附权利要求，来自从属权利要求的特征可以与独立权利要求的特征组合，并且来自各个独立权利要求的特征可以以任何适当的方式组合，而不仅仅是在所附权利要求中列举的特定组合中。

具体实施方式

本文所公开的各种实施方案涉及通过调整电致变色器件的特定参数来同时设计该电致变色器件的光学和电学特性的技术。在一些实施方案中，参数中的各个参数可影响电致变色器件的光学和电学特性两者。因此，通过调节特定参数中的一个或多个参数，可同时控制电致变色器件的光学和电学特性，可在各种特性之间进行权衡，并且可优化电致变色器件的性能。在一些实施方案中，参数可包括沉积温度、反电极(CE)层的厚度、电致变色电极(EC)层的厚度、CE层与EC层之间的厚度比率以及电致变色器件内的锂掺杂量。在一些实施方案中，设计电致变色器件可包括确认一个或多个模型，该一个或多个模型表示光学和电学特性相对于电致变色器件的参数中的各个参数的相应关系。在一些实施方案中，给定光学和电学特性的指定值，可控制一个或多个参数以根据该给定值同时调节电致变色器件的光学和电学特性。

在一些实施方案中，电致变色器件可包括沉积到透明基板(诸如由玻璃或塑料制成的窗或镜)的表面上的一系列薄膜。在一些实施方案中，电致变色器件可与控制模块(例如，容纳在控制面板中)耦合，该控制模块可进一步与电源(例如，电源插座或电池)耦合。在一些实施方案中，控制模块可接收来自附接到电致变色器件的传感器的反馈信号和指示可见光透射率％T的水平(或着色水平)的控制信号。在一些实施方案中，鉴于已设计好的电致变色器件的光学和电学特性，控制模块可基于反馈和控制信号调节施加到电致变色器件的输出电流或电压，以控制电致变色器件的透明度。

图1示出了根据一些实施方案的示例性电致变色系统。在该示例中，电致变色系统100可包括固定到基板110的电致变色器件105。例如，电致变色器件105可包括可沉积在基板110上的薄膜。电致变色器件105可包括与基板110接触的第一透明导体(TC)层124和第二TC层126。基板110可包含一种或多种光学透明材料，例如玻璃、塑料等。电致变色器件105还可包括与第一TC层124接触的反电极(CE)层128、与第二TC层126接触的电致变色电极(EC)层130以及“夹在”CE层128与EC层130之间的离子导体(IC)层132。电致变色系统100可包括电源140，该电源可向电致变色器件105提供经调节的电流或电压。可通过调节电致变色器件105的CE层128和/或EC层130中电荷(或锂离子)的密度来控制电致变色器件105的透明度。例如，当电源140向第一TC 124施加正电压时，锂离子可被驱动穿过IC层132并插入EC层130中。同时，电荷补偿电子可以从CE层128提取，流过外部电路并且被插入EC层130中。锂离子和相关联的电子从CE层128向EC层130的转移可导致电致变色器件105变暗，例如，电致变色器件105的可见光透射率或％T可降低。反转电压极性可导致锂离子和相关联的电荷返回到它们的原始层(CE层128)，并且因此，电致变色器件105可返回到更清晰或更透明的状态，例如，电致变色器件105的可见光透射率或％T可增加。

图2示出了根据一些实施方案的示例性电致变色器件设计系统。如图2所示，在一些实施方案中，电致变色器件设计系统210可包括处理单元220和存储单元225。例如，根据一些实施方案，电致变色器件设计系统210可使用可包括一个或多个处理器和相关存储器的一个或多个计算设备来实现。在一些实施方案中，电致变色器件设计系统210可包括接口215，以提供与用户205的交互功能。在一些实施方案中，接口215可以各种形式实现，例如图形用户界面、命令行接口、网站、应用编程接口(API)等，其可提供电致变色器件设计系统210与用户205之间的交互功能。在一些实施方案中，电致变色器件设计系统210可经由接口215接收输入，诸如指示电致变色器件(例如，图1中的电致变色器件105)的期望的光学和/或电学特性的信息，该输入可进一步由处理单元220获得。在一些实施方案中，光学特性可包括电致变色器件的透明度、对比度、着色效率和/或颜色的水平，而电学特性可指器件的对应的控制电压、电流和/或漏电流。在一些实施方案中，电致变色器件设计系统210的存储单元225可存储一个或多个模型，该一个或多个模型表示电致变色器件的期望的光学和/或电学特性相对于电致变色器件的一个或多个参数的相应关系。如下所述，在一些实施方案中，参数可包括电致变色器件的CE层的厚度、EC层的厚度、CE层与EC层之间的厚度比率、电致变色器件内移动锂离子的量和电致变色器件的沉积温度。响应于从用户205接收的输入，处理单元220可访问存储单元225并获得一个或多个模型，根据从用户205接收的输入和从存储单元215获得的模型确定电致变色器件的一个或多个参数的值，并相应地调节参数以将电致变色器件的光学和/或电学特性控制到期望值。在此调节过程期间，电致变色器件设计系统210可经由接口215向用户205提供输出，诸如指示调节状态、电致变色器件的电致变色器件光学和/或电学特性等的信息。

在一些实施方案中，不是提供指示电致变色器件的光学和/或电学特性的信息，而是用户205可通过接口205向电致变色器件设计系统210提供指示电致变色器件的一个或多个参数的值的输入。作为响应，处理单元220从存储单元225获得一个或多个模型，基于所接收的输入和所获得的模型确定电致变色器件的对应的光学和/或电学特性，并且向用户205提供指示所确定的光学和/或电学特性的输出。继而，用户205可经由接口215查看由电致变色器件设计系统210提供的输出，并且用电致变色器件的参数的不同值进行尝试，直到实现期望的光学和/或电学特性。

图3示出了根据一些实施方案的表示电致变色器件的漏电流(I)与控制电压(V)之间的示例性关系的示意性模型。在此示例中，X轴表示电致变色器件的控制电压的值，而Y轴表示漏电流的值。因此，根据以上描述，正电压对应于着色电压(例如，致使电致变色器件变得更暗的电压)，而负电压对应于清晰化电压(例如，致使电致变色器件变得更清晰的电压)。如图3所示，曲线300可被看作包括三个区域305、310和315，它们是沿着曲线300在一些转折点附近划分而成的。特别地，如图3所示，在该示例中，与区域305和315相比，区域310可具有最低的斜率。此外，在一些实施方案中，电致变色器件可针对漏电流和/或控制电压具有一定水平的滞后。滞后意味着电致变色器件在某个时间点的状态可能取决于其先前的历史，诸如当控制电压达到零时，对应的漏电流不会返回到零。在此示例中，电致变色器件可被设计成在两个示例性控制点中的任一者处实现1％T，如由点320和325所指示。在一些实施方案中，可能期望选择电致变色器件的光学和电学特性，使得电致变色器件可在控制点320处而不是325处达到1％T。这样，与控制点325相比，在控制点320处，电致变色器件可在更低的控制电压和漏电流下达到可见光透射率的期望水平(例如，1％T)。换句话说，在一些实施方案中，可优选地将电致变色器件的参数设计成使得其可提供光学和电学特性，以沿着具有较低或最低斜率的线性区域(例如，区域315)操作，从而实现更好的可控性。

图4示出了根据一些实施方案的例示沉积温度对不同EC层厚度的电致变色器件的着色特性的影响的示意图。在该示例中，X轴表示参数a*，其指示当a*从负值变为正值时颜色从绿色变为红色，而Y轴表示参数b*，其指示当b*从负值变为正值时颜色从蓝色变为黄色。颜色的变化可引起电致变色器件的清晰度或透明度的变化。例如，曲线405可指示当电致变色器件在某些电学和/或光学参数下从清晰(例如，对应于顶部区段)变为暗(例如，对应于底部区段)时的全操作范围。在一些实施方案中，可通过调节处理条件改变电致变色器件的相形态来调节着色效率。例如，在一些实施方案中，电致变色器件可包含一种或多种显色材料，例如氧化钨(WOx)、氧化镍(NiO)、氧化铱(IrOx)等。如果结晶WOx具有比无定形WOx更强的着色效率，则可通过提高沉积期间的温度来增加结晶WOx的分数。因此，对于所添加的每个电荷，在电致变色器件中可能存在较大的％T变化。优化着色效率可允许电致变色器件在漏电流开始之前达到期望的％T。在一些实施方案中，电致变色器件可在0％与50％相对电荷之间工作。曲线405表示使用一个沉积温度来掺杂锂离子的电致变色器件的曲线，曲线410表示使用另一沉积温度来掺杂锂离子的电致变色器件的曲线。在该示例中，与较高的沉积温度(如曲线410所示)相比，电致变色器件在较低的沉积温度(如曲线405所示)下可具有更高的平均着色效率。因此，通过提高温度，电致变色器件的工作曲线可向左移动，例如从曲线405移动到曲线410。因此，在一些实施方案中，可优选地提高沉积温度，以便提高电致变色器件的着色效率。

图5示出了根据一些实施方案的表示相对于CE层的厚度，电致变色器件的电流与控制电压之间的关系的示意性模型。在此示例中，X轴表示施加到电致变色器件的控制电压，而Y轴表示电致变色器件的漏电流。曲线505可表示具有75％ CE厚度的电致变色器件的漏电流与控制电压之间的关系，曲线510可表示针对100％ CE厚度的该关系，并且曲线515可表示对应于125％ CE厚度。如图5中所示，CE厚度的增加(例如，从75％增加到125％)可降低电致变色器件的电流并延迟漏电流的开始，例如，直到更高的电压才出现更陡的斜率区域。因此，在一些实施方案中，可优选地增加电致变色器件的CE层的厚度。

图6示出了根据一些实施方案的表示相对于EC层厚度，电致变色器件的可见光透射水平或％T与控制电压之间的示例性关系的示意性模型。在此示例中，X轴表示控制电压，而Y轴表示可见光透射水平或％T。曲线610可表示具有标准EC层厚度的电致变色器件的关系，曲线615可表示当EC层厚度增加25％(例如，1.25乘以标准EC层厚度)时的关系，并且曲线615可表示当EC层厚度减少50％(例如，0.5乘以标准厚度)时的关系。在一些实施方案中，标准EC层厚度可以是260纳米。如图6所示，在给定的EC层厚度下，如曲线610所示，提高电源电压可降低％T以使电致变色器件变暗，而降低电源电压可提高％T以使电致变色器件清晰或更透明。此外，如由点625、630和640在2％T或2％着色水平下的变化所指示，增加EC层厚度可降低达到给定着色水平所需的控制电压，而减小EC层厚度可具有相反效果。相对于％T-V关系增加或减小EC层厚度的效果可被建模，以用于设计诸如图2所示的电致变色器件。

图7示出了根据一些实施方案的表示电致变色器件的漏电流相对于锂掺杂量和CE层厚度(在若干电压下)之间的关系的示意性模型。在此示例中，X轴表示控制电压的值，而Y轴表示漏电流的值。曲线705可表示使用13kW掺杂锂离子并具有75％的CE层厚度(例如，CE厚度减小25％)的电致变色器件的控制电压与漏电流之间的关系，曲线710可表示使用15kW掺杂锂离子并具有75％的CE层厚度的电致变色器件的关系，曲线715可表示使用17kW掺杂锂离子并具有75％的CE层厚度的电致变色器件的关系，曲线720可表示使用23kW掺杂锂离子并具有125％的CE层厚度(例如，CE厚度增加25％)的电致变色器件的关系，曲线725可表示使用25kW掺杂锂离子并具有125％的CE层厚度的电致变色器件的关系，并且曲线730可表示使用27kW掺杂锂离子并具有125％的CE层厚度的电致变色器件的关系。功率值越高，意味着使用掺杂工艺添加到电致变色器件中的锂离子的量更大。如图7中所示，掺杂锂离子的量的增加(例如，如由从13kW提高至27kW的功率所指示)可降低电致变色器件的电流并延迟漏电流的开始。因此，在一些实施方案中，可优选地增加添加到电致变色器件中的锂离子的量。

在一些实施方案中，可调节电致变色器件的CE层与EC层之间的厚度比率，以控制电致变色器件的光学和电学特性。CE层与EC层之间的厚度比率可影响这两个层保持锂离子的容量比。这可以确定能够从一层移动到另一层的锂离子的量，并因此影响电化学器件在给定电源电压下的着色水平。

结合以上关于图1至图7的描述，在一些实施方案中，可以通过调节一个或多个特定参数来调整电致变色器件的光学和电学特性。在一些实施方案中，该参数可包括CE层的厚度、EC层的厚度、CE层与EC层之间的厚度比率、电致变色器件内移动锂离子的量和电致变色器件的沉积温度。图8A至图8G示出了根据一些实施方案的电致变色器件的示例性光学模拟结果。该结果是从集成到绝缘玻璃单元中的电致变色器件的光学模拟中提取的。出于例示的目的，在这些实施方案中，假定电致变色器件的EC层比CE层更厚。示例结果中的最佳设计可取决于目标光学特性，例如，清晰状态下的最大透射光量、暗状态下的最小透射光量、最大对比度(例如，清晰状态与暗状态下透射光量之间的比率)或者清晰或暗状态下的中性颜色。

调整电致变色器件内的锂离子的量：

在一些实施方案中，移动锂量会影响电致变色器件的对比度。在一些实施方案中，可通过控制在电致变色器件的生产期间施加的锂阴极功率来调节移动锂量。如图8A所示，因为在该示例中假设电致变色器件的EC层比CE层更厚，所以当锂阴极功率显示等于CE层的容量的锂离子量时，电致变色器件可实现最高对比度。这里，容量可广义地指CE层可包含的最大锂离子量。图8A中的最高对比度可对应于其中CE层充满锂离子而EC层在清晰状态(例如，对应于最高％清晰状态)下为空的配置，如图8B中所示。相反，当EC层充满锂离子时，电致变色器件可连续转变到较暗状态(例如，对应于较高％着色状态)，如图8C中所示。注意，因为在这些示例中，EC层比CE层厚，所以锂离子的量仍可保持低于EC层的容量，如图8C中所示。

在一些实施方案中，调节电致变色器件内移动锂离子的量还可改变电致变色器件在清晰和/或暗状态下的颜色，如以上图6至图7中所示。图8D至图8E分别示出了根据一些实施方案的示例性电致变色器件在清晰和暗状态下的颜色变化。这里，X轴表示参数a*的值，其指示当a*从负变为正时颜色从绿色变为红色，Y轴表示参数b*的值，其指示当b*从负变为正时颜色从蓝色变为黄色。如图8D所示，在清晰状态下(例如，在负电压下)，电致变色器件的颜色可从CE层和EC层都为空时的黄色变为CE层为满并且EC层正在填满时的蓝色。如图8E中所示，在暗状态下(例如，在正电压下)，电致变色器件的颜色可从CE层和EC层两者均为空时的黄色变为EC层正在充满锂离子(并且CE层保持为空)时的蓝色。

调整CE层的厚度和/或EC层的厚度：

在一些实施方案中，给定电致变色器件内的锂离子的量，可调节CE层的厚度和/或EC层的厚度以改变电致变色器件转变中的对比度和颜色。例如，当锂离子的量和EC层的厚度固定时，图8F示出了当CE层的总容量与锂离子的量匹配时可达到最大对比度。如果CE层的厚度太小而不能容纳全部锂离子，则一些锂离子可能在清晰状态下移动到EC层，从而降低清晰状态下的透明度水平。相反，如果CE层的厚度太大，则锂离子的量可能低于CE层容量，并且CE层可能不会被清晰化至其最大值，从而使清晰状态变暗。当总锂离子的量和CE层的厚度固定为恒定值时，图8G示出对比度可随着EC层变厚而增加，如图8G所示。

图9示出了例示根据一些实施方案的通过调节一个或多个参数同时设计电致变色器件的光学和电学特性的方法的高水平流程图。在一些实施方案中，该方法可包括接收指示电致变色器件的期望的光学和/或电学特性的输入，如框905所示。如上所述，在一些实施方案中，可经由接口在电致变色器件设计系统处接收该输入(例如，如图2中所述)。如图3至图8中所示，光学特性可包括电致变色器件的透明度、对比度、着色效率和/或颜色的水平，而电学特性可指器件的对应的控制电压、电流和/或漏电流。在一些实施方案中，该参数可包括CE层的厚度、EC层的厚度、CE层与EC层之间的厚度比率、电致变色器件内移动锂离子的量和电致变色器件的沉积温度。

在一些实施方案中，可获得表示光学和/或电学特性相对于电致变色器件的一个或多个参数的关系的一个或多个模型，如框910所示。例如，如上所述，电致变色器件设计系统的处理单元可访问并获得存储在电致变色器件设计系统的存储单元或存储器中的模型。在一些实施方案中，可使用所获得的模型根据期望的光学和/或电学特性来调节电致变色器件的一个或多个参数，如框915所示。例如，在一些实施方案中，可增加电致变色器件的CE层的厚度，以同时降低电流和提高着色效率。如上所述，这可允许同时调节电致变色器件的光学和/或电学特性。

在一些实施方案中，特定参数的调节可以是交互过程。例如，在该过程期间，例如由用户或由电致变色器件设计系统可连续更新电致变色器件的光学和/或电学特性并确定它们是否达到所接收的输入中指示的期望值，如框920所示。在一些实施方案中，如果电致变色器件的光学和/或电学特性没有达到期望值，则可进一步访问一个或多个模型并且/或者可进一步调节一个或多个参数。否则，如果电致变色器件的光学和/或电学特性达到期望值，则可以例如经由电致变色器件设计系统的接口提供指示电致变色器件的参数的最终值的输出，如框925所示。

图10示出了例示根据一些实施方案的根据所接收的光学和电学特性调节电致变色器件的一个或多个参数的方法的高水平流程图。如图10所示，在一些实施方案中，可例如在电致变色器件设计系统处经由接口从用户接收指示电致变色器件的一个或多个参数的一个或多个值的输入(例如，如图2所示)，如框1005所示。作为响应，在一些实施方案中，可获得表示光学和/或电学特性相对于电致变色器件的参数的关系的一个或多个模型，如框1010所示。在一些实施方案中，使用所获得的模型，根据所接收的参数值，表示电致变色器件的光学和/或电学特性的一个或多个值，如框1015所示。在一些实施方案中，可例如经由电致变色器件设计系统的接口向用户提供指示电致变色器件的所确定的光学和/或电学特性的输出，如框1020所示。在一些实施方案中，例如由用户或由电致变色器件设计系统可确定电致变色器件的光学和/或电学特性是否达到所接收的输入中指示的期望值，如框1025所示。在一些实施方案中，如果电致变色器件的光学和/或电学特性没有达到期望值，则可进一步提供一个或多个参数的值。否则，如果电致变色器件的光学和/或电学特性达到期望值，则可例如经由电致变色器件设计系统的接口提供指示电致变色器件的光学和/或电学特性的最终值的输出，如框1030所示。

注意，图9至图10仅仅是出于例示目的而作为示例给出的，并且不应限制本公开的范围。在一些实施方案中，可改变图9至图10中的方法的框的顺序，并且可添加各种要素，将它们重新排序、组合、省略、修改等。可进行各种修改和改变，这对于受益于本公开的本领域技术人员来说将是显而易见的。本文中描述的各种实施方案是例示性的，而不是限制性的。许多变化、修改、添加和改进都是可能的。因此，可为本文中作为单个实例描述的部件提供多个实例。各种操作和部件之间的边界在某种程度上是任意的，并且在特定例示性配置的上下文中例示了特定操作。功能的其他分配是可预见的并且可落入所附权利要求的范围内。这些和其他变化、修改、添加和改进可落入如在所附权利要求中限定的实施方案的范围内。

图11示出了根据一些实施方案的可用于实现，例如，如本文参考图1至图10所述的电致变色器件设计系统的示例性计算机系统的示意性框图。计算机系统1100可被配置为执行上文所描述的实施方案中的任一者或全部。在不同的实施方案中，计算机系统1100可以是各种类型的设备中的任一者，包括但不限于个人计算机系统、台式计算机、膝上型电脑、笔记本电脑、平板电脑(tablet)、平板电脑(slate)、平板电脑(pad)或上网本、大型机计算机系统、手持计算机、工作站、网络计算机、相机、机顶盒、移动设备、增强现实(AR)和/或虚拟现实(VR)头戴式耳机、消费者设备、视频游戏控制台、手持式视频游戏设备、应用服务器、存储设备、电视机、视频记录设备、外围设备(诸如交换机、调制解调器、路由器)或者一般而言任何类型的计算或电子设备。

在例示的实施方案中，计算机系统1100包括一个或多个处理器1102，该一个或多个处理器经由输入/输出(I/O)接口1106耦合到系统存储器1104。计算机系统1100还包括耦合到I/O接口1106的一个或多个相机1108。计算机系统1100还包括耦合到I/O接口1106的网络接口1110，以及一个或多个输入/输出设备1112，诸如光标控制设备1114、键盘1116和显示器1118。在一些情况下，可以设想，可使用计算机系统1100的单个实例来实现实施方案，而在其他实施方案中，多个此类系统或组成计算机系统1100的多个节点可被配置为托管实施方案的不同部分或实例。例如，在一个实施方案中，一些元件可经由计算机系统1100的一个或多个节点来实现，这些节点与实现其他元件的那些节点不同。

在各种实施方案中，计算机系统1100可以是包括一个处理器1102的单处理器系统，也可以是包括若干处理器1102(例如，两个、四个、八个或其他适当数量)的多处理器系统。处理器1102可以是能够执行指令的任何合适的处理器。例如，在各种实施方案中，处理器1102可以是实现各种指令集架构(ISA)中的任何一种的通用或嵌入式处理器，这些ISA诸如x86、PowerPC、SPARC、或MIPS ISA、或任何其他合适的ISA。此外，在一些实施方案中，处理器1102中的一个或多个可包括附加类型的处理器，诸如图形处理单元(GPU)、专用集成电路(ASIC)等。在多处理器系统中，处理器1102中的每一个可通常(但不一定)实现相同的ISA。在一些实施方案中，计算机系统1100可被实现为片上系统(SoC)。例如，在一些实施方案中，处理器1102、存储器1104、I/O接口1106(例如，结构)等可在包括集成到单个芯片中的多个部件的单个SoC中实现。例如，SoC可包括集成到单个芯片中的多个CPU核、多核GPU、多核神经引擎、高速缓存、一个或多个存储器等。在一些实施方案中，SoC实施方案可实现精简指令集计算(RISC)架构或任何其他合适的架构。

系统存储器1104可被配置为存储可由处理器1102访问的程序指令1120。在各种实施方案中，系统存储器1104可使用任何合适的存储器技术来实现，诸如静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、非易失性/闪存型存储器或任何其他类型的存储器。另外，存储器1104的现有相机控制数据1122可包括上述信息或数据结构中的任一者。在一些实施方案中，程序指令1120和/或数据1122可被接收、发送或存储在不同类型的计算机可访问介质上或与系统存储器1104或计算机系统1100分开的类似介质上。在各种实施方案中，本文所述的功能中的一些或全部可经由此类计算机系统1100来实现。

在一个实施方案中，I/O接口1106可被配置为协调处理器1102、系统存储器1104与设备中的任何外围设备(包括网络接口1110或其他外围接口，诸如输入/输出设备1112)之间的I/O通信量。在一些实施方案中，I/O接口1106可以执行任何必要的协议、时序或其他数据转换，以将来自一个部件(例如，系统存储器1104)的数据信号转换成适于由另一部件(例如，处理器1102)使用的格式。在一些实施方案中，I/O接口1106可包括支持通过各种类型的外围总线(诸如外围部件互连(PCI)总线标准或通用串行总线(USB)标准的变型)附接的设备。在一些实施方案中，I/O接口1106的功能可以被分成两个或更多个单独的部件，例如，诸如北桥和南桥。另外，在一些实施方案中，I/O接口1106(诸如到系统存储器1104的接口)的一些或所有功能可以直接结合到处理器1102中。

网络接口1110可被配置为允许在计算机系统1100与附接到网络1124的其他设备(例如，运营商或代理设备)之间或在计算机系统1100的节点之间交换数据。在各种实施方案中，网络1124可包括一个或多个网络，包括但不限于局域网(LAN)(例如，以太网或公司网络)、广域网(WAN)(例如，因特网)、无线数据网络、一些其他电子数据网络或它们的一些组合。在各种实施方案中，网络接口1110可支持经由以下网络的通信：例如经由有线或无线通用数据网络，诸如任何合适类型的以太网；经由电信/电话网络，诸如模拟语音网络或数字光纤通信网络；经由存储区域网络，诸如光纤通道SAN，或经由任何其他合适类型的网络和/或协议。

在一些实施方案中，输入/输出设备1112可包括一个或多个显示终端、键盘、小键盘、触摸板、扫描设备、语音或光学识别设备、或适合于通过一个或多个计算机系统1100输入或访问数据的任何其他设备。多个输入/输出设备1112可存在于计算机系统1100中或者可分布在计算机系统1100的各个节点上。在一些实施方案中，类似的输入/输出设备可与计算机系统1100分离，并且可通过有线或无线连接(诸如通过网络接口1110)与计算机系统1100的一个或多个节点交互。

本领域技术人员将理解，计算机系统1100仅是例示性的，并不旨在限制实施方案的范围。特别地，计算机系统和设备可包括能够执行所指示的功能的硬件或软件的任何组合，包括计算机、网络设备、因特网设备、PDA、无线电话、寻呼机等。计算机系统1100还可连接到未例示的其他设备，或者可作为独立系统操作。另外，在一些实施方案中，可将由所例示的部件提供的功能组合在较少部件中或分布在附加部件中。类似地，在一些实施方案中，可以不提供所例示的部件中的一些部件的功能并且/或者可提供其他附加功能。

本领域技术人员还将理解，虽然各种项目被例示为在使用时被存储在存储器中或存储设备上，但是这些项目或它们的一些部分可出于存储器管理和数据完整性的目的而在存储器与其他存储设备之间转移。另选地，在其他实施方案中，软件部件中的一些或全部可在另一设备上的存储器中执行并经由计算机间通信与所例示的计算机系统通信。系统部件或数据结构中的一些或全部也可(例如，作为指令或结构化数据)被存储在计算机可访问介质或便携式制品上，以由适当的驱动器读取，上文描述了其各种示例。在一些实施方案中，存储在与计算机系统1100分离的计算机可访问介质上的指令可经由传输介质或通过通信介质(诸如网络和/或无线链路)传送的信号(诸如电信号、电磁信号或数字信号)传输到计算机系统1100。各种实施方案还可包括在计算机可访问介质上接收、发送或存储根据前述描述实现的指令和/或数据。一般而言，计算机可访问介质可包括非暂时性计算机可读存储介质或存储器介质诸如磁性或光学介质(例如，磁盘或DVD/CD-ROM)、易失性或非易失性介质诸如RAM(例如，SDRAM、DDR、RDRAM、SRAM等)、ROM等，在一些实施方案中，计算机可访问介质可包括传输介质或经由通信介质(诸如网络和/或无线链路)传送的信号，诸如电信号、电磁信号或数字信号。

在不同的实施方案中，本文所述的方法可在软件、硬件或它们的组合中实现。另外，可改变方法的框的顺序，并且可添加各种要素，将它们重新排序、组合、省略、修改等。可进行各种修改和改变，这对于受益于本公开的本领域技术人员来说将是显而易见的。本文中描述的各种实施方案是例示性的，而不是限制性的。许多变化、修改、添加和改进都是可能的。因此，可为本文中作为单个实例描述的部件提供多个实例。各种部件、操作和数据存储之间的边界在某种程度上是任意的，并且在特定例示性配置的上下文中例示了特定操作。功能的其他分配是可预见的并且可落入所附权利要求的范围内。最后，在示例性配置中作为分立部件呈现的结构和功能可作为组合的结构或部件来实现。这些和其他变化、修改、添加和改进可落入如在所附权利要求中限定的实施方案的范围内。

Claims (20)

1.一种方法，所述方法包括：

由电致变色器件设计系统接收指示电致变色器件的光学特性或电学特性中的至少一者的信息；

由所述电致变色器件设计系统获得一个或多个模型，所述一个或多个模型表示所述光学特性或所述电学特性相对于所述电致变色器件的一个或多个参数的相应关系；以及

由所述电致变色器件设计系统使用所述电致变色器件的所获得的模型，根据所接收的指示所述光学特性或所述电学特性中的所述至少一者的信息来调节所述电致变色器件的所述参数中的至少一个参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中调节所述电致变色器件的所述至少一个参数包括调节所述电致变色器件的反电极(CE)层的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中调节所述电致变色器件的所述至少一个参数包括调节所述电致变色器件的电致变色电极(EC)层的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中调节所述电致变色器件的所述至少一个参数包括调节所述电致变色器件的锂掺杂量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中调节所述电致变色器件的所述至少一个参数包括相对于所述电致变色器件的锂掺杂量调节EC层的厚度与CE层的厚度之间的比率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中调节所述电致变色器件的所述至少一个参数包括调节沉积温度以改变所述电致变色器件的相形态。

7.根据权利要求6所述的方法，其中调节所述电致变色器件的所述相形态包括调节所述电致变色器件内的氧化钨(WOx)的晶相的分数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电致变色器件的所述光学特性包括相对于跨所述电致变色器件施加的指定电压或流过所述电致变色器件的指定漏电流中的至少一者的所述电致变色器件的透明度水平。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述电致变色器件的所述电学特性包括相对于所述电致变色器件的指定透明度水平的跨所述电致变色器件的电压或流过所述电致变色器件的漏电流中的至少一者的值。

10.一种系统，所述系统包括：

存储单元，所述存储单元被配置为存储一个或多个模型，所述一个或多个模型表示电致变色器件的光学特性或电学特性中的至少一者相对于所述电致变色器件的一个或多个参数的关系；和

处理单元，所述处理单元被配置为：

经由接口接收指示所述电致变色器件的期望的光学特性或期望的电学特性中的至少一者的输入；

从所述存储单元获得表示所述光学特性或所述电学特性相对于所述电致变色器件的所述参数的关系的所述模型中的至少一个模型；

使用所述电致变色器件的所获得的模型，根据所接收的输入来确定所述电致变色器件的所述参数中的至少一个参数的值；以及

经由所述接口提供指示所述电致变色器件的所述至少一个参数的所确定的值的输出。

11.根据权利要求10所述的系统，其中调节至少一个电致变色器件的所述一个或多个参数中的至少一个参数包括调节所述至少一个电致变色器件的反电极(CE)层的厚度。

12.根据权利要求10所述的系统，其中调节所述至少一个电致变色器件的所述一个或多个参数中的至少一个参数包括调节所述至少一个电致变色器件的电致变色电极(EC)层的厚度。

13.根据权利要求10所述的系统，其中调节所述至少一个电致变色器件的所述一个或多个参数中的至少一个参数包括调节所述至少一个电致变色器件的锂掺杂量。

14.根据权利要求10所述的系统，其中调节所述至少一个电致变色器件的所述一个或多个参数中的至少一个参数包括相对于所述至少一个电致变色器件的锂掺杂量调节EC层的厚度与CE层的厚度之间的比率。

15.根据权利要求10所述的系统，其中调节所述至少一个电致变色器件的所述一个或多个参数中的至少一个参数包括调节沉积温度以改变所述至少一个电致变色器件的相形态。

16.根据权利要求15所述的系统，其中改变所述至少一个电致变色器件的所述相形态包括调节所述至少一个电致变色器件内的氧化钨(WOx)的晶相的分数。

17.根据权利要求10所述的系统，其中所述至少一个电致变色器件的所述光学特性包括相对于跨所述至少一个电致变色器件施加的指定电压或流过所述至少一个电致变色器件的指定漏电流中的至少一者的所述至少一个电致变色器件的透明度水平。

18.根据权利要求10所述的系统，其中所述至少一个电致变色器件的所述电学特性包括相对于所述至少一个电致变色器件的指定透明度水平的跨所述电致变色器件的电压或流过所述至少一个电致变色器件的漏电流中的至少一者的值。

19.一种系统，所述系统包括：

至少一个处理；和

存储程序指令的存储器，所述程序指令能够由所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器：

经由接口接收指示与所述电致变色器件的所述参数中的至少一个参数相关联的值的输入；

获得一个或多个模型，所述一个或多个模型表示光学特性或电学特性中的至少一者相对于电致变色器件的一个或多个参数的关系；

使用所获得的模型，根据所接收的输入来确定表示所述电致变色器件的光学特性或电学特性中的至少一者的值；以及

经由所述接口提供指示所述电致变色器件的所述光学特性或电学特性中的所述至少一者的所确定的值的输出。

20.根据权利要求19所述的系统，其中调节所述至少一个电致变色器件的所述一个或多个参数包括调节以下中的至少一者：所述至少一个电致变色器件的反电极(CE)层的厚度、所述至少一个电致变色器件的电致变色电极(EC)层的厚度、所述至少一个电致变色器件的锂掺杂量、相对于所述至少一个电致变色器件的所述锂掺杂量的所述EC层的所述厚度与所述CE层的所述厚度的比率、或用于改变所述至少一个电致变色器件的相形态的沉积温度。