CN118074510A - 电压转换模块 - Google Patents

Abstract

电压转换模块，包含引线框架、单一裸晶片及模封体。该引线框架具有多个电极，包含输入电压电极、输出电压电极、地端电极、及控制电极。该单一裸晶片仅设置于该引线框架，该单一裸晶片的多个接垫是对应地电连接于该引线框架的该多个电极。该单一裸晶片包含该多个接垫、降压控制模块、第一切换单元模块、第二切换单元模块、反馈单元模块、及多个绕线结构。

Description

电压转换模块

技术领域

本公开是关于一种电压转换模块，尤指一种包含单一裸晶片、引线框架、及模封体的电压转换模块。

背景技术

在电子装置中，直流电压常须被转换为所需的电压准位。降压控制器可被用于直流转直流的转换器，以将输入电压调降至预定电压准位。具有降压控制器的转换器其效率可相对较高，使此种转换器颇有助于转换电脑、或其他电子装置的主电源电压。然而，目前尚无解决方案，可将被动元件(例如，电感)和降压转换器整合在封装中，且同时保持足够可靠度。因此，本领域仍欠缺整合被动元件与降压转换器的解决方案。目前，多个电路单元未能被整合在裸晶片中，而必须使用外部的印刷电路板以耦接多个电路单元及电感。

发明内容

实施例提供一种电压转换模块，包含一引线框架、一单一裸晶片、及一模封体。该引线框架，包含多个电极，该多个电极包含一输入电压电极、一输出电压电极、一接地电极、及一控制电极。该单一裸晶片，仅设置于该引线框架，该单一裸晶片包含多个接垫、一降压控制模块、一第一切换单元模块、一第二切换单元模块、一反馈单元模块、及多个绕线路径。该多个接垫，对应地电连接于该引线框架的该多个电极，该多个接垫露出于该单一裸晶片的一表面，且该多个接垫包含一输入电压接垫、一输出电压接垫、一切换接垫、一接地接垫、及一控制接垫，其中该多个接垫是通过多个连接结构分别电连接于该引线框架的该多个电极。该降压控制模块，包含一第一端，用以接收一输入电压、一第二端，用以接收一反馈信号、一第三端，用以输出一第一控制信号、及一第四端，用以输出一第二控制信号，其中该第一控制信号及该第二控制信号是根据至少该反馈信号产生。该第一切换单元模块，包含一控制端，耦接于该降压控制模块的该第三端、一第一电源端，耦接于该降压控制模块的该第一端、及一第二电源端，耦接于该切换接垫，且用以根据该第一控制信号输出该输入电压至该切换接垫。该第二切换单元模块，包含一控制端，耦接于该降压控制模块的该第四端、一第二电源端，用以接收一参考电压、及一第一电源端，耦接于该切换接垫，且用以根据该第二控制信号输出该输入电压至该切换接垫。该反馈单元模块，包含一第一端，耦接于该输出电压接垫，且用以接收一输出电压、及一第二端，耦接于该降压控制模块的该第二端，且用以根据该输出电压输出该反馈信号。该多个绕线路径，用以耦接该降压控制模块、该第一切换单元模块、该第二切换单元模块、该反馈单元模块、及该多个接垫。

该模封体用以封装该单一裸晶片及该引线框架。

附图说明

图1为实施例中，电压转换模块的示意图。

图2为实施例中，图1的单一裸晶片的示意图。

图3为另一实施例中，图2的单一裸晶片的示意图。

图4为实施例中，启动电压与切换接垫的电压的波形图。

图5为另一实施例中，图2的单一裸晶片的示意图

图6为实施例中，图2、图3及图5的反馈单元模块的示意图。

图7为实施例中，图3的单一裸晶片的布局示意图。

图8为另一实施例中，图5的单一裸晶片的布局示意图。

图9为实施例中，电压转换模块的剖面图。

图10为另一实施中，电压转换模块的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

100：电压转换模块

110：引线框架

120：单一裸晶片

122：降压控制模块

123：电压调节模块

124：第一切换单元模块

1242：第一开关模块

1244：第一驱动模块

125：自举单元模块

1252：二极管

1254，C1：电容

126：第二切换单元模块

1262：第二开关模块

1264：第二驱动模块

128：反馈单元模块

130：模封体

199：电感

423：第一电压调节模块

427：第二电压调节模块

755：绕线路径

805，815，812，825：电极

810，820：导电路径

910：第一引线

910，922：第一部分

914，924：第二部分

916，926：第三部分

920：第二引线

1254，C1：电容

EEN：致能电极

EFB：反馈电极

EGND：接地电极

EMODE：模式电极

EPG：电源良好电极

ESS：软开机电极

ESW：切换电极

EVIN：输入电压电极

EVOUT：输出电压电极

PEN：致能接垫

PFB：反馈接垫

PGND：接地接垫

PMODE：模式接垫

PPG：电源良好接垫

PSS：软开机接垫

PSW：切换接垫

PVIN：输入电压接垫

PVOUT：输出电压接垫

R1，R2：电阻

SFB：反馈信号

SPWM1：第一控制信号

SPWM2：第二控制信号

V1：第一电压

V2：第二电压

VGND：参考电压

VIN：输入电压

VOUT：输出电压

具体实施方式

图1为实施例中，电压转换模块100的示意图。电压转换模块100可包含引线框架(lead-frame)110、单一裸(硅)晶片(a unitary bare(silicon)die)120、及模封体(molding body)130。引线框架110可包含多个电极，包含输入电压电极EVIN、输出电压电极EVOUT、切换电极ESW、接地电极EGND、及至少一控制电极。举例来说，控制电极可包含致能电极EEN、模式电极EMODE、电源良好(power good)电极EPG、软开机(soft-start)电极ESS、及反馈电极EFB。根据实施例，引线框架110可包含切换电极ESW。根据另一实施例，切换电极ESW可非为引线框架110的一部分。

单一裸晶片120可仅设置于引线框架110，也就是说，整合单一裸晶片120的电路时，可只用单一引线框架，亦即引线框架110。单一裸晶片120可包含多个接垫(pads)，且单一裸晶片120的多个接垫可对应地分别电连接于引线框架110的多个电极。

单一裸晶片120的多个接垫可露出(exposed)于单一裸晶片120的表面，且单一裸晶片120的多个接垫可包含输入电压接垫PVIN、输出电压接垫PVOUT、切换接垫PSW、接地接垫PGND、及至少一控制接垫。举例来说，单一裸晶片120的控制接垫可包含致能接垫PEN、模式接垫PMODE、电源良好接垫PPG、软开机接垫PSS、及反馈接垫PFB。单一裸晶片120的多个接垫可通过连接结构分别电连接于引线框架110的多个电极，其中连接结构可包含导电接线(conductive wires)及/或焊点凸块(solder bumps)。

如图1所示，模封体130可用以封装(encapsulate)单一裸晶片120及引线框架110以固定及保护单一裸晶片120及引线框架110。

如图1所示，电感199可电连接于切换电极ESW及输出电压电极EVOUT，且电感199可设置于模封体130的外部。图1可为概念示意图，而非精确的结构图。如后文的图9的剖面图所示，切换电极ESW与输出电压电极EVOUT可设置于模封体130的下侧，且分别电连接于两个设置在模封体130的上侧的电极，以耦接于电感199。

单一裸晶片120的多个接垫可设置于单一裸晶片120的上侧，且单一裸晶片120的接垫可通过多个导电接线对应地电连接于引线框架110的多个电极。

在另一实施例中，单一裸晶片120的多个接垫可设置于单一裸晶片120的下侧，且单一裸晶片120的接垫可通过多个导电接线与对位(alignment)对应地电连接于引线框架110的多个电极。

模封体130可使用绝缘材料形成，在模封体130中，可仅包含单一裸晶片120、引线框架110、及连接于单一裸晶片120与引线框架110的间的导电路径。除此之外，模封体130之中可不另设置其他主动电子元件(例如，晶体管)及被动电子元件(例如，电容)。

图2为实施例中，图1的单一裸晶片120的示意图。单一裸晶片120可包含降压控制模块(buck controller block)122、第一切换单元模块124、第二切换单元模块126、反馈单元模块128、及多个绕线路径(routing structures)755。绕线路径755可为导电路径，且可如后文的图7及图8所示。

降压控制模块122可包含第一端、第二端、第三端、及第四端，其中第一端可用以接收输入电压VIN、第二端可用以接收反馈信号SFB、第三端可用以输出第一控制信号SPWM1、且第四端可用以输出第二控制信号SPWM2。第一控制信号SPWM1及第二控制信号SPWM2可根据至少反馈信号SFB产生。

降压控制模块122可另包含致能端、模式端、电源良好端、及软开机端，其中致能端可耦接于致能接垫PEN、模式端可耦接于模式接垫PMODE、电源良好端可耦接于电源良好接垫PPG、且软开机端可耦接于软开机接垫PSS。

上述的致能接垫PEN、模式接垫PMODE、电源良好接垫PPG、及软开机接垫PSS可为功能接垫。致能接垫PEN可用以致能及失能降压控制模块120。举例来说，当致能接垫PEN具有高电压，可致能降压控制模块120，而当致能接垫PEN具有低电压，可失能降压控制模块120。

模式接垫PMODE可用以控制降压控制模块120的多个操作模式，举例来说，当模式接垫PMODE具有高电压，降压控制模块120可操作于连续导通模式(continuous conductionmode，CCM)，而当模式接垫PMODE具有低电压，降压控制模块120可操作于不连续导通模式(discontinuous conduction mode，DCM)。

当输出电压VOUT达到预定电压准位(例如，所供应的高电压的90％)，电源良好接垫PPG可具有预定信号准位。举例来说，当输出电压VOUT达到预定电压准位，电源良好接垫PPG可具有高电压。

软开机接垫PSS可用以控制输出电压VOUT的波形，举例来说，软开机接垫PSS可用以通过电容，调整输出电压VOUT的波形与上升速度。

第一切换单元模块124可包含控制端、第一电源端、及第二电源端，其中控制端可耦接于降压控制模块122的第三端以接收第一控制信号SPWM1，第一电源端可耦接于降压控制模块122的第一端以接收输入电压VIN，且第二电源端可耦接于切换接垫PSW以根据第一控制信号SPWM1将输入电压VIN输出至切换接垫PSW。

第二切换单元模块126可包含控制端、第一电源端、及第二电源端，其中控制端可耦接于降压控制模块122的第四端以接收第二控制信号SPWM2，第二电源端可耦接于接地接垫PGND以接收参考电压VGND，且第一电源端可耦接于切换接垫PSW以根据第二控制信号SPWM2将接地电压VGND输出至切换接垫PSW。

本文中，输入电压VIN可为预定参考电压，例如高参考电压。参考电压VGND可为预定参考电压，例如地端电压、或低参考电压，例如，0伏特的电压或负电压。

反馈单元模块128可包含第一端、及第二端，其中第一端可耦接于该输出电压接垫PVOUT且用以接收输出电压VOUT，且第二端可耦接于降压控制模块122的第二端且用以根据输出电压VOUT输出反馈信号SFB。

如图2所示，单一裸晶片120的绕线结构可耦接于降压控制模块122、第一切换单元模块124、第二切换单元模块126、反馈单元模块128、及单一裸晶片120的多个接垫之间。

图3为另一实施例中，图2的单一裸晶片120的示意图。第一切换单元模块124可包含第一开关模块1242及第一驱动模块1244。第一开关模块1242可包含第一端、第二端、及控制端，其中第一端可耦接于第一切换单元模块124的第一电源端以接收输入电压VIN，且第二端可耦接于第一切换单元模块124的第二电源端与切换接垫PSW。

第一驱动模块1244可包含输入端及输出端，其中输入端可耦接于第一切换单元模块124的控制端以接收第一控制信号SPWM1，且输出端可耦接于第一开关模块1242的控制端。

第二切换单元模块126可包含第二开关模块1262及第二驱动模块1264。第二开关模块1262可包含第一端、第二端、及控制端，其中第一端可耦接于第二切换单元模块126的第一电源端与切换接垫PSW，且第二端可耦接于第二切换单元模块126的第二电源端以接收参考电压VGND。

第二驱动模块1264可包含输入端及输出端，其中输入端可耦接于第二切换单元模块126的控制端以接收第二控制信号SPWM2，且输出端可耦接于第二开关模块1262的控制端。

单一裸晶片120可另包含自举单元模块(bootstrap unit block)125，自举单元模块125可包含第一端、第二端、及第三端，其中第一端可耦接于降压控制模块122的第三端以接收第一控制信号SPWM1，第二端可耦接于第一切换单元模块124以输出启动电压(bootvoltage)VBOOT至第一驱动模块1244，且第三端可耦接于第一开关模块1242的第二端。

自举单元模块125可另包含二极管1252及电容1254。二极管1252可包含输入端及输出端，其中输入端可耦接于自举单元模块125的第一端，且输出端可耦接于自举单元模块125的第二端。电容1254可包含第一端及第二端，其中第一端可耦接于二极管1252的输出端，且第二端可耦接于自举单元模块125的第三端。二极管1252可为萧特基二极管(Schottky diode)。通过使用自举单元模块125，可不须使用连接于单一裸晶片120的外部电容。

自举单元模块125的第二端可用以输出启动电压VBOOT，且启动电压VBOOT可高于输入电压VIN。启动电压VBOOT实质上可等于切换接垫PSW的电压与电容1254的跨电压之和。

启动电压VBOOT的最大值可为二极管1252的崩溃电压(breakdown voltage)，其中二极管1252可为快速回应二极管(fast response diode)或萧特基二极管。图4为实施例中，启动电压VBOOT与切换接垫PSW的电压的波形图。如图3及图4所示，当第一切换单元模块124关闭(off)，且第二切换单元模块126开启(on)时，二极管1252可加速电容1254的充电，因此启动电压VBOOT与电容1254的跨电压可快速增加至第一电压V1，其中二极管1252的压降(voltage drop)可被忽略。当第一切换单元模块124开启，且第二切换单元模块126关闭时，二极管1252(例如，萧特基二极管)可防止电容1254通过二极管1252放电，因此启动电压VBOOT实质上可为输入电压VIN与第一电压V1之和，其可表示为VBOOT＝VIN+V1，其中二极管1252的压降、与开启的第一切换单元模块124的压降可被忽略。当第一控制信号SPWM1控制第一驱动模块1244而驱动及开启第一切换单元模块124时，第一开关模块1242的闸-源电压(gate-source voltage)可大于第一开关模块1242的门槛电压，其可表示为Vgs>Vth。

单一裸晶片120的接垫可不耦接于自举单元模块125的第二端，也就是说，自举单元模块125可提供启动电压VBOOT，且自举单元模块125可不耦接于单一裸晶片120外部的元件(例如，位于单一裸晶片120外部的电容)。

图3中，第一开关模块1242可包含N型晶体管，其可为金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)、双极接面晶体管(bipolarjunction transistor)、绝缘栅极双极晶体管(insulated gate bipolar transistor)、或场效晶体管(field-effect transistor)。第二开关模块1262可包含N型晶体管，其可为金属氧化物半导体场效晶体管、双极接面晶体管、绝缘栅极双极晶体管、或场效晶体管。

单一裸晶片120可另包含电压调节模块(voltage regulator block)123，用以产生第一电压V1。电压调节模块123可包含第一端及第二端，其中第一端可接收输入电压VIN，且第二端可输出第一电压V1。

如图3所示，反馈单元模块128可另包含第三端，耦接于地端接垫PGND以接收参考电压VGND。

图5为另一实施例中，图2的单一裸晶片120的示意图。图5的第一开关模块1242可包含P型晶体管，其可为金属氧化物半导体场效晶体管、双极接面晶体管、绝缘栅极双极晶体管、或场效晶体管。图5的第二开关模块1262可包含N型晶体管，其可为金属氧化物半导体场效晶体管、双极接面晶体管、绝缘栅极双极晶体管、或场效晶体管。

图5中，单一裸晶片120可包含第一电压调节模块423及第二电压调节模块427。电压调节模块423可用以产生第一电压V1。电压调节模块423可包含第一端、第二端、及第三端，其中第一端可用以接收输入电压VIN，第二端可用以输出第一电压V1，且第三端可用以接收参考电压VGND。第二电压调节模块427可用以产生第二电压V2。第二电压调节模块427可包含第一端、第二端、及第三端，其中第一端可用以接收输入电压VIN，第二端可用以输出第二电压V2，且第三端可用以接收参考电压VGND。

第一驱动模块1244可另包含第一电压端及第二电压端，其中第一电压端可用以接收输入电压VIN，且第二电压端可耦接于第二电压调节模块427的第二端以接收第二电压V2。第二驱动模块1264可另包含第一电压端及第二电压端，其中第一电压端可耦接于第一电压调整模块423的第二端以接收第一电压V1，且第二电压端可用以接收参考电压VGND。

在图3及图5中，当第一开关模块1242开启，且第二开关模块1262关闭时，电感199可储存电能，且流过外部负载元件的电流(或，流过电感199的电流)可增加，其中，外部负载元件可于外部耦接于输出电压电极EVOUT。当第一开关模块1242关闭，且第二开关模块1262开启时，储存在电感199的电能可释放，且流过外部负载元件的电流(或，流过电感199的电流)可减少。反馈信号SFB可用以侦测输出电压接垫PVOUT的电压，以使降压控制模块122控制第一控制信号SPWM1及第二控制信号SPWM2的占空比(duty cycle)及/或频率，以在脉冲宽度调制(pulse-width modulation，PWM)模式的操作中控制第一开关模块1242及第二开关模块1262。

图6为实施例中，图2、图3及图5的反馈单元模块128的示意图。反馈单元模块128可包含电阻R1、电阻R2及电容C1。电阻R1可包含第一端及第二端，其中第一端用以接收输出电压VOUT。电阻R2可包含第一端及第二端，其中第一端可耦接于电阻R1的第二端，且第二端可用以接收参考电压VGND。电容C1可包含第一端及第二端，其中第一端可耦接于电阻R1的第一端，且第二端可耦接于电阻R1的第二端以产生反馈信号SFB。

图7为实施例中，图3的单一裸晶片120的布局(layout)示意图。图8为另一实施例中，图5的单一裸晶片120的布局示意图。单一裸晶片120的布局图可根据需求而调整。如图7所示，不须设置额外的接垫以将自举单元模块125耦接于单一裸晶片120之外的外部装置。多个功能电路(例如，降压控制模块122、第一切换单元模块124、第二切换单元模块126、反馈单元模块128、自举单元模块125、及电压调整模块)可被整合于单一裸晶片120，且可通过单一裸晶片120的绕线结构755电连接多个功能电路。

图9为实施例中，电压转换模块100的剖面图。图9中，单一裸晶片120可设置于引线框架110，且模封体130可用以封装单一裸晶片120及引线框架110，其中切换电极ESW及输出电压电极EVOUT可设置于模封体130的下侧。输出电压电极EVOUT可电连接于电极805，且切换电极ESW可电连接于电极812。导电路径810可穿过模封体130的复合物层(compoundlayer)以将电极805电连接于电极815。导电路径820可穿过模封体130的复合物层以将电极812电连接于电极825。电极815及电极825可设置于模封体130的上侧。电感199可设置于模封体130的上侧，其中电感199的第一端可耦接于电极815，且电感199的第二端可耦接于电极825。由于电极815及电极825露出于模封体130的上侧，电感199可容易地耦接于电极815及电极825。使用此结构，根据实测，裂缝的发生率下降，故电压转换模块100的可靠度提高。图9中，导电路径810及导电路径820可使用金属柱而实现，例如可使用铜柱。

图10为另一实施中，电压转换模块100的剖面图。电感199的第一端可耦接于切换电极ESW，且电感100的第二端可耦接于输出电压电极EVOUT。电压转换模块100可另包含第一引线(lead)910及第二引线920。第一引线910可被修整及塑型(trimmed and formed)以具有第一部分912、第二部分914、及第三部分916，其中第一部分912可电连接于切换电极ESW，第二部分914可电连接于电感199的第一端，且第三部分916可电连接于第一部分912及第二部分914。第一引线910的第三部分916可不平行于第一引线910的第一部分912及第二部分914。

第二引线920可被修整及塑型以具有第一部分922、第二部分924、及第三部分926，其中第一部分922可电连接于输出电压电极EVOUT、第二部分924可电连接于电感199的第二端，且第三部分926可电连接于第一部分922及第二部分924。第二引线920的第三部分926可不平行于第二引线920的第一部分922及第二部分924。

根据另一实施例，输出电压接垫PVOUT及输出电压电极EVOUT可如图9或图10所示。然而，切换接垫PSW可对应于单一裸晶片120的上侧，且切换电极ESW可对应于模封体130的上侧而非模封体130的下侧。举例来说，切换接垫PSW可露出于单一裸晶片120的上侧，且切换电极ESW可露出于模封体130的上侧而非模封体130的下侧。切换接垫PSW可通过导电路径电连接于切换电极ESW。电感199可置放或堆叠于模封体130的上侧。切换电极ESW可直接电性耦接于电感199，例如，通过焊接路径。在此实施例中，电连接于切换电极ESW的电极并不会露出于模封体130的下侧的焊接面。由于切换电极ESW不会设置于模封体130的下侧，电压转换模块100的底面积可缩小，且系统的电路板(例如，印刷电路板)的布局可简化。

综上所述，使用电压转换模块100，可更容易将电感199耦接于切换电极ESW及输出电压电极EVOUT，且根据实测，可靠度得到改善。此外，不须使用额外的接垫以将自举单元模块125耦接于单一裸晶片120之外的外部装置。因此，可解决本领域关于降压控制器(buckcontroller)及直流转直流转换器(DC-to-DC converter)的难题。根据实施例，多个电路单元可被整合于裸晶片(例如，单一裸晶片120)，因此可不使用外部的印刷电路板(PCB)以耦接电路单元该些电路单元及电感。在优选的实施例中，电感199可设置与堆叠(stacked)于模封体130之上，且电感199下侧的电极可直接电连接于模封体130上侧的电极。在优选的实施例中，可仅将输入电压电极EVIN、输出电压电极EVOUT、切换电极ESW、及接地电极EGND露出于电压转换模块100。因此之故，使用实施例提供的电压转换模块100可有效简化整体系统及相关电路板(例如，印刷电路板)上的布局，降低相关成本，且提高可靠度。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种电压转换模块，包含：

一引线框架，包含多个电极，该多个电极包含一输入电压电极、一输出电压电极、一接地电极、及一控制电极；

一单一裸晶片，仅设置于该引线框架，该单一裸晶片包含：

多个接垫，对应电连接于该引线框架的该多个电极，该多个接垫露出于该单一裸晶片的一表面，且该多个接垫包含一输入电压接垫、一输出电压接垫、一切换接垫、一接地接垫、及一控制接垫，其中该多个接垫是通过多个连接结构分别电连接于该引线框架的该多个电极；

一降压控制模块，包含一第一端，用以接收一输入电压、一第二端，用以接收一反馈信号、一第三端，用以输出一第一控制信号、及一第四端，用以输出一第二控制信号，其中该第一控制信号及该第二控制信号是根据至少该反馈信号产生；

一第一切换单元模块，包含一控制端，耦接于该降压控制模块的该第三端、一第一电源端，耦接于该降压控制模块的该第一端、及一第二电源端，耦接于该切换接垫，且用以根据该第一控制信号输出该输入电压至该切换接垫；

一第二切换单元模块，包含一控制端，耦接于该降压控制模块的该第四端、一第二电源端，用以接收一参考电压、及一第一电源端，耦接于该切换接垫，且用以根据该第二控制信号输出该输入电压至该切换接垫；

一反馈单元模块，包含一第一端，耦接于该输出电压接垫，且用以接收一输出电压、及一第二端，耦接于该降压控制模块的该第二端，且用以根据该输出电压输出该反馈信号；及

多个绕线路径，用以耦接该降压控制模块、该第一切换单元模块、该第二切换单元模块、该反馈单元模块、及该多个接垫；及

一模封体，用以封装该单一裸晶片及该引线框架。

2.如权利要求1所述的电压转换模块，另包含：

一电感，包含一第一端，耦接于一切换电极、及一第二端，耦接于该输出电压电极；

其中该切换电极电连接于一第一电极及一第二电极，该第一电极位于该模封体的一下侧，且该第二电极位于该模封体的一上侧；及

该输出电压电极电连接于一第三电极及一第四电极，该第三电极位于该模封体的该下侧，且该第四电极位于该模封体的该上侧。

3.如权利要求1所述的电压转换模块，其中该第一切换单元模块另包含：

一第一开关模块，包含一第一端，耦接于该第一切换单元模块的该第一电源端、一第二端，耦接于该第一切换单元模块的该第二电源端、及一控制端；及

一第一驱动模块，包含一输入端，耦接于该第一切换单元模块的该控制端、及一输出端，耦接于该第一开关模块的该控制端。

4.如权利要求3所述的电压转换模块，其中该第二切换单元模块另包含：

一第二开关模块，包含一第一端，耦接于该第二切换单元模块的该第一电源端、一第二端，耦接于该第二切换单元模块的该第二电源端、及一控制端；及

一第二驱动模块，包含一输入端，耦接于该第二切换单元模块的该控制端、及一输出端，耦接于该第二开关模块的该控制端。

5.如权利要求4所述的电压转换模块，其中该单一裸晶片另包含：

一自举单元模块，包含一第一端，耦接于该降压控制模块的该第三端、一第二端，耦接于该第一切换单元模块、及一第三端，耦接于该第一开关模块的该第二端；

其中该单一裸晶片不具有电连接于该自举单元模块的接垫。

6.如权利要求5所述的电压转换模块，其中该第一开关模块包含一N型晶体管，且该N型晶体管为一金属氧化物半导体场效晶体管、一双极接面晶体管、一绝缘栅极双极晶体管、或一场效晶体管。

7.如权利要求5所述的电压转换模块，其中该自举单元模块另包含：

一二极管，包含一输入端，耦接于该自举单元模块的该第一端、及一输出端，耦接于该自举单元模块的该第二端；及

一电容，包含一第一端，耦接于该二极管的该输出端、及一第二端，耦接于该自举单元模块的该第三端。

8.如权利要求7所述的电压转换模块，其中该自举单元模块的该第二端用以输出一启动电压，该启动电压高于该输入电压，且该启动电压实质上等于该切换接垫的一电压及该电容的一电压之和。

9.如权利要求8所述的电压转换模块，另包含：

一电压调节模块，用以产生一第一电压，该电压调节模块包含一第一端，用以接收该输入电压、及一第二端，用以输出该第一电压；

其中：

该第一驱动模块另包含一第一电压端，耦接于该自举单元模块的该第二端，且用以接收该启动电压、及一第二电压端，耦接于该第一开关模块的该第二端；

该第二驱动模块另包含一第一电压端，耦接于该电压调节模块的该第二端，且用以接收该第一电压、及一第二电压端，用以接收该参考电压。

10.如权利要求4所述的电压转换模块，其中该第一开关模块包含一P型晶体管，且该P型晶体管为一金属氧化物半导体场效晶体管、一双极接面晶体管、一绝缘栅极双极晶体管、或一场效晶体管。

11.如权利要求4所述的电压转换模块，其中该第二开关模块包含一N型晶体管，且该N型晶体管为一金属氧化物半导体场效晶体管、一双极接面晶体管、一绝缘栅极双极晶体管、或一场效晶体管。

12.如权利要求4所述的电压转换模块，另包含：

一第一电压调节模块，用以产生一第一电压，该第一电压调节模块包含一第一端，用以接收该输入电压、一第二端，用以输出该第一电压、及一第三端，用以接收该参考电压；

一第二电压调节模块，用以产生一第二电压，该第二电压调节模块包含一第一端，用以接收该输入电压、一第二端，用以输出该第二电压、及一第三端，用以接收该参考电压；

其中该第一驱动模块另包含一第一电压端，用以接收该输入电压、及一第二电压端，耦接于该第二电压调节模块的该第二端；及

该第二驱动模块另包含一第一电压端，耦接于该第一电压调整模块的该第二端，且用以接收该第一电压、及一第二电压端，用以接收该参考电压。

13.如权利要求1所述的电压转换模块，其中：

该单一裸晶片另包含多个功能接垫，耦接于该降压控制模块；

该多个功能接垫包含一致能接垫、一模式接垫、一电源良好接垫、及一软开机接垫；

该致能接垫用以致能及失能该降压控制模块；

该模式接垫用以控制该降压控制模块的多个操作模式；

当该输出电压达到一预定电压准位，该电源良好接垫具有一预定信号准位；及

该软开机接垫用以控制该输出电压的一波形。

14.如权利要求1所述的电压转换模块，其中：

该单一裸晶片的该多个接垫设置于该单一裸晶片的一上侧；及

该单一裸晶片的该多个接垫是通过多个导电接线，对应地电连接于该引线框架的该多个电极。

15.如权利要求1所述的电压转换模块，其中：

该单一裸晶片的该多个接垫设置于该单一裸晶片的一下侧；及

该单一裸晶片的该多个接垫是通过多个导电接线，对应地电连接于该引线框架的该多个电极。

16.如权利要求1所述的电压转换模块，其中该模封体是以一绝缘材料形成。

17.如权利要求1所述的电压转换模块，其中在该模封体内，仅有该单一裸晶片、该引线框架及该多个连接结构。

18.如权利要求1所述的电压转换模块，其中：

该反馈单元模块另包含一第三端，用以接收该参考电压。

19.如权利要求1所述的电压转换模块，另包含：

一电感，包含一第一端，电连接于一切换电极、及一第二端，电连接于该输出电压电极；

一第一引线，被修整及塑型以具有一第一部分，电连接于该切换电极、一第二部分，电连接于该电感的该第一端、及一第三部分，电连接于该第一引线的该第一部分及该第二部分，其中该第一引线的该第三部分不平行于该第一引线的该第一部分及该第二部分；及

一第二引线，被修整及塑型以具有一第一部分，电连接于该输出电压电极、一第二部分，电连接于该电感的该第二端、及一第三部分，电连接于该第二引线的该第一部分及该第二部分，其中该第二引线的该第三部分不平行于该第二引线的该第一部分及该第二部分。

20.如权利要求1所述的电压转换模块，其中：

该单一裸晶片的该切换接垫对应于该单一裸晶片的一上侧；

一切换电极对应于该模封体的一上侧；

该切换接垫电性耦接于该切换电极；

该电压转换模块另包含一电感，置放于该模封体的该上侧；

该电压转换模块中，不包含电连接于该切换电极的电极露出于该模封体的一下侧的一焊接面；且

该电感包含一第一端及一第二端，于该模封体的该上侧，该电感的该第一端电连接于该切换电极、且该电感的该第二端电连接于该输出电压电极。