CN118067161A

CN118067161A - 电子装置

Info

Publication number: CN118067161A
Application number: CN202211464798.6A
Authority: CN
Inventors: 陈嘉源; 蔡宗翰
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2022-11-22
Filing date: 2022-11-22
Publication date: 2024-05-24
Also published as: US20240169757A1

Abstract

一种电子装置包括一光源及一光学传感器。光源发射在一第一波长A中具有最大光强度的一光线。光学传感器在一第二波长B中具有最大响应值，且接收来自一对象的该光线的反射部分。从波长380纳米到第一波长A的光强度的积分值是I₁，从第一波长A到波长780纳米的光强度的积分值是I₂，且第一波长A、第二波长B、积分值I₁，以及积分值I₂满足下列算式：(B‑A)*(I₂‑I₁)>0。

Description

电子装置

技术领域

本发明是关于电子装置，特别是关于用于提升光源传感器的响应值的电子装置。

背景技术

在显示器与光学传感器整合的产品中，业界欲透过显示光源当作光学传感器的反应光源来减少制造成本。然而，过程中仍会遇到显示光源是反应在光学传感器响应值中较低波段的问题。在现有技术中，光学传感器的反应波段不会与显示光源重叠，因此光学传感器的光反应效果不佳。除此之外，显示光源也仍需符合色域需求。

发明内容

根据本公开一实施例的电子装置，包括一光源及一光学传感器。光源发射在一第一波长A中具有最大光强度的一光线。光学传感器在一第二波长B中具有最大响应值，且接收来自一对象的该光线的反射部分。从波长380纳米到第一波长A的光强度的积分值是I₁，从第一波长A到波长780纳米的光强度的积分值是I₂，且第一波长A、第二波长B、积分值I₁，以及积分值I₂满足下列算式：(B-A)*(I₂-I₁)>0。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1为本公开实施例的电子装置所包括光源及光学传感器的光谱响应图。

图2为本公开实施例的图1的光谱响应图的局部详细示意图。

图3为本公开实施例取得图1的光源的光谱响应曲线100的两侧50％最大光强度的波长点的示意图。

图4为本公开实施例计算图1的光源的光谱响应曲线100的拖尾处25％最大光强度的光强度积分的示意图。

图5为本公开实施例的基于互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor：CMOS)背板的电子装置的剖面结构示意图。

图6为本公开实施例的基于薄膜晶体管(Thin-Film Transistor：TFT)背板的电子装置的剖面结构示意图。

图7A为本公开实施例的电子装置的结构示意图。

图7B为本公开实施例的电子装置的结构示意图。

图7C为本公开实施例的电子装置的结构示意图。

图8A为本公开实施例的电子装置的结构示意图。

图8B为本公开实施例的电子装置的结构示意图。

图9为本公开实施例的生物识别传感装置的示意图。

图10为本公开实施例的近接传感装置的示意图。

图1-10中的附图标记说明如下：

100，102：光谱响应曲线

A：第一波长

B：第二波长

I₁，I₂：积分值

C：第三波长

D：第四波长

E：第五波长

F：第六波长

500：光源

502：光学传感器

504，CF：滤色层

506：CMOS背板

510：手指

SUB：硅基板

GI(SiOx)：绝缘层

ILD1，ILD2：层间介质层

MQW：多重量子井

P-GaN：P型氮化镓层

N-GaN：N型氮化镓层

512：焊锡

514：焊盘

BM：遮光层

G：栅极

D：漏极

S：源极

516：阳极

518：阴极

P：P极

N：N极

PN：PN型接面

600，LED：光源

602：光学传感器

604，CF：滤色层

606：TFT背板

TFT：薄膜晶体管

M1：栅极

SEMI：半导体层

SUB：基板

BUF1，BUF2：SiOx：缓冲层

GI：SiOx：绝缘层

ILD1：SiOx，ILD2：SiNx：层间介质层

PLN1，PLN2：平面化层

PIN：PIN接面

PDL：阻光层

RDL-1，RDL-2：线路重分布层

608：下电极

M1：栅极

700：光源

G LED：绿色发光组件

702：光学传感器

704：光源

706：光源

Y-G LED：黄绿色发光组件

CF：滤色层

800：光源

802：光源

QD：波长转换层

B LED：蓝光发光组件

CF1，CF2：滤光层

具体实施方式

现将详细地参考本公开的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

本公开通篇说明书与所附的申请专利范围中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域通常知识者应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包含」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」的意。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本公开。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

本公开中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上/上方，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本公开中，当某结构设置在其它结构「上」时，有可能是指某结构「直接」在其它结构上，或指某结构「间接」在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰组件，其本身并不意含及代表该(或这些)组件有任何之前的序数，也不代表某一组件与另一组件的顺序、或是制造方法上的顺序，这些序数的使用仅用来使具有某命名的组件得以和另一具有相同命名的组件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。

本公开中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上组件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上组件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的组件、或上述组件的组合，但不限于此。

在本公开中，厚度、长度与宽度的量测方式可以是采用光学显微镜量测而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面影像量测而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。另外，本公开中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本公开的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。

在本公开中，电子装置可包括显示设备、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示设备可为非自发光型显示设备或自发光型显示设备。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。电子组件可包括无源组件与有源组件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可作为本公开中的光源，发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot LED)，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示设备做为电子装置或拼接装置以说明本公开内容，但本公开不以此为限。

图1为本公开实施例的电子装置所包括光源及光学传感器的光谱响应图。在一些实施例中，本公开实施例的电子装置包括一光源及一光学传感器。如图1所示，光源发射在一第一波长A中具有最大光强度的一光线，进而产生一光谱响应曲线100。光学传感器在一第二波长B中具有最大响应值，进而产生一光谱响应曲线102。光学传感器接收来自一对象的光线的反射部分。在一些实施例中，光源所发射出的光线为从电子装置的出光侧所量测到的光线。第一波长A及光谱响应曲线100可透过光谱响应装置量测。在一些实施例中，第一波长A的范围介于500纳米至540纳米(500nm<＝第一波长<＝540nm)，但本公开不限于此。在图1的实施例中，第一波长A可例如为520纳米，但本公开不限于此。在一些实施例中，第二波长B的范围介于750纳米至1050纳米(750nm<＝第二波长<＝1050nm)，但本公开不限于此。在图1的实施例中，第二波长B可例如为852纳米，但本公开不限于此。

在一些实施例中，第二波长B及光谱响应曲线102可透过查表或是透过光谱响应装置量测。在一些实施例中，光学传感器包括一有机光电二极管，但本公开不限于此。为了得到光学传感器在图1中的光谱响应曲线102，本公开利用探针接触光学传感器(例如为有机光电二极管)的两端，然后给予光学传感器全波段的辐射光，因此可检测出光学传感器的在图1中的光谱响应曲线102。图2为本公开实施例的图1的光谱响应图的局部详细示意图。换句话说，图2针对图1中光源的光谱响应曲线100的部分进行放大。在图2的实施例中，本公开计算从波长380纳米到第一波长A的光强度为一积分值I₁。本公开更计算从第一波长A到波长780纳米的光强度的一积分值是I₂。

在图1及图2的实施例中，第二波长B是大于第一波长A，但本公开不限于此。在一些实施例中，第二波长B大于第一波长A(例如图1及图2的实施例)，则在光源的光谱响应曲线100及光学传感器的光谱响应曲线102的交会处，光学传感器的响应值随着波长的增加而增加，因此从波长380纳米到第一波长A的光强度的积分值I₁会小于从第一波长A到波长780纳米的光强度的积分值是I₂。亦即，光源的光谱响应曲线100的左半部积分会小于其右半部积分。相反地，在一些实施例中，第一波长A大于第二波长B(未图示)，则在光源的光谱响应曲线100及光学传感器的光谱响应曲线102的交会处，光学传感器的响应值随着波长的增加而减少，因此从波长380纳米到第一波长A的光强度的积分值I₁会大于从第一波长A到波长780纳米的光强度的积分值是I₂。亦即，光源的光谱响应曲线100的左半部积分会大于其右半部积分。

因此，不管是第二波长B大于第一波长A的情况下，或是第一波长A大于第二波长B的情况下，第一波长A、第二波长波B、积分值I₁，以及积分值I₂皆满足以下算式1：

(B-A)*(I₂-I₁)>0…算式1

举例来说，在第二波长B大于第一波长A的情况下，(B-A)为正值，且(I₂-I₁)也为正值，因此可满足算式1。在第一波长A大于第二波长B的情况下(B-A)为负值，且(I₂-I₁)也为负值，因此也可满足算式1。

在图2的实施例中，光源的光谱响应曲线100的总积分表示光源的总能量。从波长380纳米到第一波长A的光强度的积分值I₁为光源的光谱响应曲线100左半部的能量。从第一波长A到波长780纳米的光强度的积分值I₂为光源的光谱响应曲线100右半部的能量。在一些实施例中，光源的光谱响应曲线100左半部的能量约占光源总能量的43％。光源的光谱响应曲线100右半部的能量约占光源总能量的57％。

在先前技术中，由于光源的光谱响应曲线左半部的能量约占光源总能量的50％，且光源的光谱响应曲线右半部的能量也约占光源总能量的50％，亦即光学传感器能接收到光源总能量的50％的光线。在图2的实施例中，由于光源的光谱响应曲线100左半部的能量约占光源总能量的43％，且光源的光谱响应曲线100右半部的能量约占光源总能量的57％，使得光学传感器能接收到光源总能量的53.92％的光线。本公开图2的实施例有效增加了光学传感器的响应值。在一些实施例中，为了在改善光学传感器的响应值的同时又兼顾光源的色域需求，在图2的实施例中，积分值I₁及积分值I₂需满足以下算式2：

1<I₂/I₁<＝3.5…算式2

在一些实施例中，算式2是以光源为绿光作为示例，但不作为本公开的限制。

图3为本公开实施例取得图1的光源的光谱响应曲线100的两侧50％最大光强度的波长点的示意图。如图3所示，在光源的光谱响应曲线100中，本公开依据光强度的大小取得一第三波长C及一第四波长D。在图3的实施例中，第二波长B(图示于图1中)大于第一波长A。在一些实施例中，光线在第三波长C和第四波长D中具有最大光强度(即第一波长A)的50％的光强度。在图3的实施例中，第三波长C大于第四波长D，且第一波长A、第三波长C，以及第四波长D满足下列算式3：

C-A>A-D…算式3

举例来说，在一些实施例中，第三波长C为536纳米、第四波长D为507纳米，以及第一波长A为520纳米。第三波长C与第一波长A的差值为16纳米，且第一波长A与第四波长D的差值为13纳米，其有满足算式3。在一些实施例中，算式3的优点在于无需计算光源的光谱响应曲线100的积分值，本公开直接比较第三波长C与第一波长A的差值及第一波长A与第四波长D的差值之间的大小，即可得知光源的光谱响应曲线100右半部的能量是否大于光源的光谱响应曲线100右半部的能量。例如，由于第三波长C与第一波长A的差值大于第一波长A与第四波长D的差值，本公开可直接推测光源的光谱响应曲线100右半部的面积(即能量)会大于光源的光谱响应曲线100左半部的面积。举例来说，在图3的实施例中，第三波长C与第一波长A的差值为16纳米，第一波长A与第四波长D的差值为13纳米，因此光源的光谱响应曲线100右半部的面积(即能量)会大于光源的光谱响应曲线100左半部的面积。在图3的实施例中，由于光源的光谱响应曲线100左半部第一波长A与第四波长D之间的能量约占光源总能量的46％，且光源的光谱响应曲线100右半部第一波长A与第三波长C之间的能量约占光源总能量的54％，亦即光学传感器能接收到光源总能量的54％的光线。

图4为本公开实施例计算图1的光源的光谱响应曲线100的拖尾处的光强度积分的示意图。在图4的实施例中，拖尾处为光谱响应曲线100中小于等于最大光强度25％的区域。在图4的实施例中，在光源的光谱响应曲线100中，本公开依据光强度的大小取得一第五波长E及一第六波长F。在图4的实施例中，第二波长B(图示于图1中)大于第一波长A。在一些实施例中，光线在第五波长E和第六波长F中具有最大光强度(即第一波长A)的25％的光强度。在图4的实施例中，第五波长E大于第六波长F。在图4的实施例中，本公开计算从第五波长E到波长780纳米的光强度为一积分值I₃。本公开更计算从波长380纳米到第六波长F的光强度的一积分值是I₄。积分值I₃及积分值I₄满足下列算式4：

I₃>I₄…算式4

亦即，在图4的实施例中，光源的光谱响应曲线100的右半部拖尾处的积分值会大于其左半部拖尾处的积分值。在一些实施例中，积分值I₃及积分值I₄的比值，即I₃/I₄会介于1.5至4.1之间，但本公开不限于此。例如，在图4的实施例中积分值I₃及积分值I₄的比值为1.61。在图4的实施例中，光源的光谱响应曲线100左半部拖尾处的能量约占光源总拖尾处能量的38％，光源的光谱响应曲线100右半部拖尾处的能量约占光源总拖尾处能量的62％，但本公开不限于此。光源总拖尾处能量为光源的光谱响应曲线100中拖尾处的光强度积分。

在一些实施例中，本公开依据光强度的大小取得一第七波长G(未图示)及一第八波长(未图示)。光线在第七波长G和第六波长H中具有最大光强度(即第一波长A)的12.5％的光强度。第七波长G大于第八波长H。本公开计算从第七波长G到波长780纳米的光强度为一积分值I₅(未图示)。本公开更计算从波长380纳米到第八波长H的光强度的一积分值是I₆(未图示)。同理，在第二波长B(图示于图1中)大于第一波长A的情况下，光源的光谱响应曲线100的右半部拖尾处的积分值会大于其左半部拖尾处的积分值，亦即积分值I₅大于积分值I₆。在一些实施例中，积分值I₅及积分值I₆的比值，即I₅/I₆会介于1.5至4.5之间，但本公开不限于此。例如，积分值I₅及积分值I₆的比值为1.65。

同理，在一些实施例中，本公开依据光强度的大小取得第三波长C和第四波长D。第二波长B(图示于图1中)大于第一波长A。在一些实施例中，光线在第三波长C和第四波长D中具有最大光强度(即第一波长A)的50％的光强度。第三波长C大于第四波长D(如图3所示)。本公开计算从第三波长C到波长780纳米的光强度为一积分值I₇(未图示)。本公开更计算从波长380纳米到第四波长D的光强度的一积分值是I₈(未图示)。同理，在第二波长B(图示于图1中)大于第一波长A的情况下，光源的光谱响应曲线100的右半部拖尾处的积分值会大于其左半部拖尾处的积分值，亦即积分值I₇大于积分值I₈。在一些实施例中，积分值I₇及积分值I₈的比值，即I₇/I₈会介于1.5至3.5之间，但本公开不限于此。例如，积分值I₇及积分值I₈的比值为1.69。

换句话说，本公开可透过调整光源两侧最大光强度50％、25％、12.5％处至拖尾端点处的积分值差异，来提升光学传感器的响应值及减少对光源色域的影响。

图5为本公开实施例的基于互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor：CMOS)背板的电子装置的剖面结构示意图。如图5所示，电子装置包括一光源500、一光学传感器502，以及一滤色层(CF)504。在图5的实施例中，一手指510靠近电子装置的顶部，使得光源500所发出的光线可经由手指510的放射，光线的反射部分通过滤色层504的过滤，最后由光学传感器502所接收，再由光学传感器502检测光线的反射部分的光强度。在图5的实施例中，光源500是设置于光学传感器502与滤色层504之间，但本公开不限于此。

在一些实施例中，光源500包括一多重量子井(Multiple-Quantum Well：MQW)结构、一P型氮化镓层(P-GaN)，以及一N型氮化镓层(N-GaN)。光源500透过一焊锡512及焊盘514电性连接于一CMOS背板506中一晶体管的漏极(D)。在一些实施例中，光源500的多重量子井MQW用以发出光线。在一些实施例中，CMOS背板506包括一基板SUB、一绝缘层GI、一层间介质层ILD1，以及一层间介质层ILD2。在一些实施例中，基板SUB的材料可包括硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)，以及硅锗(SiGe)。在一些实施例中，光学传感器502是设置于CMOS背板506中的基板SUB。详细来说，光学传感器502的P极(P)、N极(N)及PN型接面(PN)是设置于CMOS背板506中的基板SUB。光学传感器502的P极(P)是电性连接至一阳极516，且光学传感器的N极(N)电性连接至一阴极518。

在一些实施例中，光学传感器502是透过掺杂制程所制造，但本公开不限于此。用于掺杂制程中的掺杂材料可例如为硼(B)、砷(As)等，但本公开不限于此。在一些实施例中，晶体管的漏极(D)及源极(S)是形成于基板SUB中，且晶体管的栅极(G)是形成于层间介质层ILD1中。在一些实施例中，绝缘层GI可例如包括氧化硅(SiOx)，但本公开不限于此。层间介质层ILD1及层间介质层ILD2可例如包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNx)，但本公开不限于此。

在一些实施例中，滤色层504是设置于光源500的N型氮化镓层(N-GaN)之上。在一些实施例中，滤色层504的四周环绕着一遮光层(BM)，用以遮蔽自手指510散射的光线，使得反射自手指510的光线的反射部分穿过滤色层504，最后由光学传感器502所接收。在一些实施例中，光源500的N型氮化镓层(N-GaN)的上方并没有遮光层(BM)，使得光源500所发射的光线得以传输至手指510。

图6为本公开实施例的基于薄膜晶体管(Thin-Film Transistor：TFT)背板的电子装置的剖面结构示意图。如图6所示，电子装置包括一光源(LED)600、一光学传感器602，以及一滤色层(CF)604。光学传感器602包括一PIN型接面(PIN)。在图6的实施例中，光源600发出光线，光线经手指(例如为图5的手指510)反射，光线的反射部分穿透滤色层604，并且由光学传感器602所接收。在图6的实施例中，光源600及滤色层604是设置于一TFT背板606之上。在一些实施例中，光学传感器602是设置于TFT背板606中。在一些实施例中，TFT背板606包括一基板(SUB)、一缓冲层(BUF1)、一缓冲层(BUF2:SiOx)、一绝缘层(GI(SiOx))、一层间介质层(ILD1:SiOx)、一层间介质层(ILD2:SiNx)、一平坦化层(PLN1)，以及一平坦化层(PLN2)。

在一些实施例中，光源600是透过线路重分布层RDL-2、线路重分布层RDL-1电性连接于TFT背板606中的一薄膜晶体管TFT。在一些实施例中，TFT背板606中的薄膜晶体管(TFT)包括栅极M1及一半导体层SEMI。在一些实施例中，半导体层SEMI可例如包括低温多晶硅(LTPS)、非晶硅，或金属氧化物，但本公开不限于此。半导体层SEMI用以形成晶体管的通道。栅极M1是设置于层间介质层(ILD1:SiOx)。层间介质层(ILD1:SiOx)可例如包括氧化硅。层间介质层(ILD2:SiNx)可例如包括氧化硅。半导体层SEMI是设置于绝缘层(GI:SiOx)。绝缘层(GI:SiOx)可例如包括氧化硅。在一些实施例中，光学传感器602包括一PIN型接面以及一下电极608。PIN型接面是设置于平坦化层(PLN1)及平坦化层(PLN2)之间。下电极608是设置于平坦化层(PLN1)。在图6的实施例中，光学传感器602是透过薄膜制程所制造，但本公开不限于此。在一些实施例中，一阻光层(PDL)设置环绕于光源600及滤色层604，用于遮蔽自手指(例如图5的手指510)散射的光线，使得反射自手指的光线的反射部分穿过滤色层604，最后由光学传感器602所接收。

图7A为本公开实施例的电子装置的结构示意图。如图7A所示，本公开的电子装置可包括一光源700及一光学传感器702。光学传感器702包括一PIN型接面(PIN)。在图7A的实施例中，光源700为一绿色发光组件(G LED)。光源700发射出绿光，绿光经过手指510的反射，绿光的反射部分由光源传感器702所接收。图7A中电子装置的配置是可以达到改善光源传感器702的响应值的技术功效。

图7B为本公开实施例的电子装置的结构示意图。如图7B所示，本公开的电子装置可包括光源704以及光学传感器702。在图7B的实施例中，光源704包括一绿色发光组件GLED以及一滤色层CF。滤色层CF是设置于绿色发光组件G LED之上。绿色发光组件G LED发射出绿光，绿光经过滤色层CF的过滤及手指510的反射，绿光的反射部分由光源传感器702所接收。图7B中电子装置的配置是可以达到改善光源传感器702的响应值的技术功效。

图7C为本公开实施例的电子装置的结构示意图。如图7C所示，本公开的电子装置可包括光源700、光学传感器702、一滤色层CF，以及一光源706。在一些实施例中，光源700为一绿色发光组件(G LED)。光源706为一黄绿色发光组件(Y-G LED)。在一些实施例中，光源700的光强度大于光源706的光强度，但本公开不限于此。滤色层CF是设置于光学传感器702之上。光源700发射出绿光，光源706发射出黄绿光，绿光和黄绿光混合成一混和光线。混和光线经由手指510的反射，混和光线的反射部分经过滤色层CF的过滤，最后由光学传感器702所接收。图7C中电子装置的配置是可以达到改善光源传感器702的响应值的技术功效。

图8A为本公开实施例的电子装置的结构示意图。如图8A所示，本公开的电子装置包括一光源800以及光学传感器702。在图8A的实施例中，光源800包括一蓝色发光组件BLED以及一波长转换层QD。波长转换层QD是设置于蓝色发光组件B LED之上，用以将蓝色发光组件B LED所发出的蓝光进行转色，产生一调整光线。波长转换层QD可例如为量子点，但本公开不限于此。调整光线经由手指510的反射，调整光线的反射部分由光学传感器702所接收。图8A中电子装置的配置是可以达到改善光源传感器702的响应值的技术功效。

图8B为本公开实施例的电子装置的结构示意图。如图8B所示，本公开的电子装置包括光源802、一滤色层CF2，以及一光学传感器702。在图8B的实施例中，光源802包括一蓝色发光组件B LED、波长转换层QD，以及滤色层CF1。波长转换层QD是设置于蓝色发光组件BLED之上，用以将蓝色发光组件B LED所发出的蓝光进行转色，产生一调整光线。调整光线经过滤色层CF1的过滤，手指510的反射，再经过滤色层CF2的过滤，最后由光学传感器702所接收。图8B中电子装置的配置是同样可以达到改善光源传感器702的响应值的技术功效。

图9为本公开实施例的生物识别传感装置的示意图。如图9所示，本公开的电子装置为一生物识别传感装置。生物传感装置包括多个排列成行的光源700，以及多个排列成行的光源传感器702。多个排列成行的光源700形成一光源数组。多个排列成行的光源传感器702形成一传感器数组。在图9的实施例中，光源数组及传感器数组彼此交替排列，但本公开不限于此。光源数组发射出光线，光线经由手指510的反射，光线的反射部分由传感器数组所接收。在一些实施例中，生物识别传感装置可例如为一指纹辨识传感器。换句话说，传感器数组依据所检测的光线的反射部分的光强度，用以辨识出指纹中的指纹峰和指纹谷。之后，本公开再将传感器数组出的指纹与一数据库中的生物信息进行匹配，最后可达到生物识别的目的。

图10为本公开实施例的近接传感装置的示意图。如图10所示，本公开的电子装置为一近接传感装置。在一些实施例中，近接传感装置用以检测是否有对象靠近。近接传感装置包括光源700及光学传感器702。光源700用以发射出光线。当有对象(例如为人脸)接近该近接传感装置时，光线经过对象的反射，光线的反射部分由光学传感器702的光学传感器所接收。在一些实施例中，近接传感装置可设置于一智能型手机中。当用户拿起手机观看手机的屏幕时，近接传感装置的光学传感器702检测到光线的反射部分，因此手机中的控制器可传送一致能信号给屏幕，使得屏幕开启。在一些实施例中，光学传感器702包括一硅半导体，但本公开不限于此。

为了因应光学传感器对于不同波长的光线的响应值不同，本公开将光源的出光频谱与光学传感器的响应值设计为正相关，用以提升电子装置的感测灵敏度。

虽然本公开的实施例如上述所描述，我们应该明白上述所呈现的只是范例，而不是限制。根据本实施例上述示范实施例的许多改变是可以在没有违反公开精神及范围下被执行。因此，本公开的广度及范围不该被上述所描述的实施例所限制。更确切地说，本公开的范围应该要以以下的申请专利范围及其相等物来定义。尽管上述公开已被一或多个相关的执行来图例说明及描绘，等效的变更及修改将被根据上述规格及附图且熟悉这领域的其他人所想到。此外，尽管本公开的一特别特征已被相关的多个执行之一所示范，上述特征可能由一或多个其他特征所结合，以致于可能有需求及有助于任何已知或特别的应用。

本说明书所使用的专业术语只是为了描述特别实施例的目的，并不打算用来作为本公开的限制。除非上下文有明确指出不同，如本处所使用的单数型，一、该及上述的意思是也包含多个型。再者，用词「包括」，「包含」，「(具、备)有」，「设有」，或其变化型不是被用来作为详细叙述，就是作为权利要求。而上述用词意思是包含，且在某种程度上意思是等同于用词「包括」。除非有不同的定义，所有本文所使用的用词(包含技术或科学用词)是可以被属于上述公开的领域的技术人员做一般地了解。我们应该更加了解到上述用词，如被定义在众所使用的字典内的用词，在相关技术的上下文中应该被解释为相同的意思。除非有明确地在本文中定义，上述用词并不会被解释成理想化或过度正式的意思。

Claims

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一光源，用以发射在一第一波长A具有最大光强度的一光线；以及

一光学传感器，在一第二波长B具有最大响应值，且用以接收来自一对象的该光线的一反射部分；

其中，该光线从波长380纳米到该第一波长A的光强度的一积分值是I₁，该光线从该第一波长A到波长780纳米的光强度的一积分值是I₂，且该第一波长A、该第二波长B、该积分值I₁，以及该积分值I₂满足下列算式：

(B-A)*(I₂-I₁)>0。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二波长B大于该第一波长A，且该积分值I₁及该积分值I₂满足下列算式：

1<I₂/I₁<＝3.5。

3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二波长B大于该第一波长A，该光线在一第三波长C和一第四波长D具有最大光强度的50％的光强度，该第三波长C大于该第四波长D，且该第一波长A、该第三波长C，以及该第四波长D满足下列算式：

C-A>A-D。

4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二波长B大于该第一波长A，该光线在一第五波长E和一第六波长F具有最大光强度的25％的光强度，该第五波长E大于该第六波长F，该光线从该第五波长E到波长780纳米的光强度的积分值是I₃，该光线从波长380纳米到该第六波长F的光强度的积分值是I₄，且积分值I₃及积分值I₄满足下列算式：

I₃>I₄。

5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该光源包括一蓝光发光组件及设置于该蓝光发光组件之上的一波长转换层。

6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，该光源更包括设置在该波长转换层之上的一滤色层。

7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该光源包括一绿光发光组件。

8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该光源更包括设置在该绿光发光组件之上的一滤色层。

9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括设置于该光学传感器之上的一滤色层。

10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一波长A的范围介于500纳米至540纳米。

11.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该光学传感器包括一硅半导体。

12.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该光学传感器包括一有机光电二极管。

13.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该电子装置为一生物识别传感装置或一近接传感装置。