CN118055643A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。显示面板包括衬底以及依次层叠设置在所述衬底的第一导电层、沟道层、第二导电层以及第三导电层，所述第一导电层包括第一栅线、所述第二导电层包括第二栅线，所述沟道层包括第一沟道，所述第一栅线、所述第二栅线以及所述第一沟道交叠且同属于所述第二晶体管；所述第三导电层包括第一走线，所述第一走线的一端与所述第一复位电压端电连接，所述第一走线的另一端与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一走线包括与所述第一栅线交叠的交叠区域，所述交叠区域与所述第一沟道交叠。改善了显示面板显示黑色时亮度偏高的问题。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示面板具有色域广、对比度高、功耗低、可柔性化等优点，使得越来越多的显示装置采用OLED显示面板。OLED显示面板包括采用LTPS技术的显示面板和采用LTPO技术的显示面板。相关技术中，采用LTPO技术的显示面板在显示黑色时普遍存在亮度偏高的问题(即显示的黑色不够黑)。

发明内容

本公开的实施例提供一种显示面板和显示装置，改善了显示面板显示黑色时亮度偏高的问题。

为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种显示面板，包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管，所述驱动晶体管的第一极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第三节点电连接，所述驱动晶体管的栅极与第一节点电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点电连接，所述第一晶体管的第一极与第一复位电压端电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点电连接；

所述显示面板包括衬底以及依次层叠设置在所述衬底的第一导电层、沟道层、第二导电层以及第三导电层，所述第一导电层包括第一栅线、所述第二导电层包括第二栅线，所述沟道层包括第一沟道，所述第一栅线、所述第二栅线以及所述第一沟道交叠且同属于所述第二晶体管；

所述第三导电层包括第一走线，所述第一走线的一端与所述第一复位电压端电连接，所述第一走线的另一端与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一走线包括与所述第一栅线交叠的交叠区域，所述交叠区域与所述第一沟道交叠。

在一些实施方式中，所述交叠区域包括第一区域和第二区域，所述第二区域与所述第二栅线交叠，所述第一区域不与所述第二栅线交叠，所述第一沟道与所述第一区域交叠。

在一些实施方式中，所述第二栅线沿着第一方向延伸，所述第一走线沿着第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉，所述第一区域和所述第二区域沿着所述第二方向排布。

在一些实施方式中，所述第一区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域位于所述第二栅线的一侧，所述第二子区域位于所述第二栅线的相对另一侧，所述第一沟道与所述第一子区域和/或所述第二子区域交叠。

在一些实施方式中，所述第一子区域在所述衬底的正投影位于所述第一沟道在所述衬底的正投影范围内，和/或，所述第二子区域在所述衬底的正投影位于所述第一沟道在所述衬底的正投影范围内。

在一些实施方式中，所述沟道层还包括第一搭接结构和第二搭接结构，所述第一沟道的一端与所述第一搭接结构连接，所述第一沟道的另一端与所述第二搭接结构连接，所述第一搭接结构与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第二搭接结构与所述第二晶体管的第二极电连接，

所述第一子区域位于所述第一搭接结构和所述第二栅线之间，所述第二子区域位于所述第二搭接结构和所述第二栅线之间。

在一些实施方式中，所述沟道层还包括第二沟道，所述第二沟道的一端与所述第一沟道的一端连接，所述第二沟道的另一端与所述第一搭接结构连接，所述第二沟道沿着第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉，

所述第一子区域位于所述第二沟道和所述第二栅线之间。

在一些实施方式中，所述第一沟道的线宽大于或等于所述第二沟道的线宽。

在一些实施方式中，所述第一沟道的线宽大于或等于21微米，且小于或等于25微米。

在一些实施方式中，所述第一沟道和所述第一走线均沿着第二方向延伸。

在一些实施方式中，所述第一沟道的中心线在所述衬底的正投影位于所述第一走线在所述衬底的正投影范围内。

在一些实施方式中，所述沟道层为铟镓锌氧化物层。

另一方面，提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。

本公开实施例提供的显示面板和显示装置，第一走线包括与第一栅线交叠设置的交叠区域，第一沟道与交叠区域交叠设置。由于第一导电层位于沟道层的朝向衬底的一侧，第三导电层位于沟道层的远离衬底的一侧，即沟道层位于第一导电层和第三导电层之间。因此，当第一沟道与交叠区域交叠设置时，第一沟道的部分结构位于交叠区域与第一栅线之间，从而将交叠区域与第一栅线隔离开来，减小或消除交叠区域与第一栅线之间形成的寄生电容。例如，当第一沟道与交叠区域的所有区域交叠时，第一沟道将交叠区域与第一栅线完全隔离开来，消除了交叠区域与第一栅线之间的寄生电容；当第一沟道与交叠区域的部分区域交叠时，第一沟道将交叠区域的部分区域与第一栅线隔离开来，交叠区域与第一栅线之间的寄生电容减小。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示意性地示出了一种显示装置的正视结构；

图2示意性地示出了一种显示面板的原理图；

图3示意性地示出了一种子像素的电路原理图；

图4为相关技术中像素驱动电路的部分区域电路版图；

图5为本公开实施例提供的一种显示面板中部分区域的电路版图；

图6为第一导电层的部分区域版图；

图7为第一导电层和沟道层的部分区域版图；

图8为第二导电层、沟道层以及第一导电层的部分区域版图；

图9为第三导电层的部分区域版图；

图10为本公开实施例提供的另一种显示面板的部分区域电路版图。

具体实施方式

下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

在本公开的实施例中，采用“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本公开实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

在本公开的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，“至少一个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。

在本公开的实施例中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

图1示意性地示出了一种显示装置的正视结构。如图1所示，本公开的一些实施例提供一种显示装置100，该显示装置100可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图像的任何装置。例如，显示装置100可以为移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。图1中以该显示装置100是手机为例进行示意。

该显示装置100包括显示面板110。该显示面板110可以为液晶显示面板(LiquidCrystal Display，简称LCD)；该显示面板110也可以为电致发光显示面板或光致发光显示面板。在该显示面板110为电致发光显示面板的情况下，电致发光显示面板可以为有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示面板或量子点电致发光(QuantumDot Light Emitting Diode，简称QLED)显示面板。在该显示面板110为光致发光显示面板的情况下，光致发光显示装置可以为量子点光致发光显示面板。

本公开的一些实施例以显示面板110为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示面板为例进行说明。

图2示意性地示出了一种显示面板的原理图，如图2所示，显示面板110包括衬底111以及设置在衬底111一侧的多个子像素P、多条栅线GL以及多条数据线DL。

衬底111可以为刚性衬底，也可以为柔性衬底，可以根据实际需要选择设置。

示例性的，衬底111为刚性衬底。例如，该刚性衬底可以为玻璃衬底或PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。

示例性的，衬底111可以为柔性衬底。例如，该柔性衬底可以为PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、PEN(Polyethylenenaphthalate twoformic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底等。

显示面板110可以具有显示区AA以及与显示区AA连接的非显示区NA。其中，非显示区NA可以位于显示区AA的一侧、两侧或三侧，或者非显示区NA可以围绕显示区AA设置。多个子像素P、多条栅线GL以及多条数据线DL可以位于显示区AA内。

示例性地，多个子像素P可以呈阵列排布。例如，多个子像素P阵列排布后形成多个子像素行和多个子像素列，一个子像素行内的多个子像素P沿第一方向X排布，一个子像素列中的多个子像素P沿第二方向Y排布。

其中，第一方向X和第二方向Y相互交叉。第一方向X和第二方向Y之间的夹角可以根据实际需要选择设置。示例性的，第一方向X和第二方向Y之间的夹角可以为85°、88°、90°、92°或95°等。

图3示意性地示出了一种子像素的电路原理图。如图3所示，子像素P可以包括像素驱动电路和发光器件OLED，像素驱动电路与发光器件OLED电连接。例如，发光器件OLED包括阳极和阴极，发光器件OLED的阳极与像素驱动电路电连接，发光器件OLED的阴极与第二电压端VSS电连接。发光器件OLED可以在像素驱动电路的驱动下发光。

示例性地，同一子像素列中的多个像素驱动电路可以与同一条数据线DL电连接，同一子像素行中的多个像素驱动电路可以与同一条栅线GL电连接。其中，与同一子像素行中的多个像素驱动电路电连接的栅线的数量可以为一条，也可以为多条，可以根据像素驱动电路的结构设置。

衬底111的一侧还设有扫描驱动电路，扫描驱动电路包括多个级联的移位寄存器112，移位寄存器112包括输出端。扫描驱动电路工作时，多个级联的移位寄存器112通过输出端逐级输出控制信号。移位寄存器112的输出端可以与栅线电连接，以使移位寄存器112通过栅线向像素驱动电路提供控制信号。

示例性地，扫描驱动电路设置在非显示区NA内。当然，实际应用过程中，为了降低显示面板110的边框尺寸，扫描驱动电路的至少部分结构也可以设置在显示区AA内。

继续参考图3，像素驱动电路可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、驱动晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8以及存储电容Cst。第一晶体管T1的第一极与第一复位电压端Vinit1电连接，第一晶体管T1的第二极与第三节点N3电连接，第一晶体管T1的栅极与第二复位控制端Reset2电连接。第二晶体管T2的第一极与第三节点N3电连接，第二晶体管T2的第二极与第一节点N1电连接，第二晶体管T2的栅极与栅控制端Gate电连接。驱动晶体管T3的第一极与第二节点N2电连接，驱动晶体管T3的第二极与第三节点N3电连接，驱动晶体管T3的栅极与第一节点N1电连接。第四晶体管T4的第一极与数据端Data电连接，第四晶体管T4的第二极与第二节点N2电连接，第四晶体管T4的栅极与栅控制端Gate电连接。第五晶体管T5的第一极与第一电压端VDD电连接，第五晶体管T5的第二极与第二节点N2电连接，第五晶体管T5的栅极与发光控制端EM电连接。第六晶体管T6的第一极与第三节点N3电连接，第六晶体管T6的第二极与第四节点N4电连接，第六晶体管T6的栅极与发光控制端EM电连接。第七晶体管T7的第一极与第二复位电压端Vinit2电连接，第七晶体管T7的第二极与第四节点N4电连接，第七晶体管T7的栅极与第二复位控制端Reset2电连接。存储电容Cst的其中一个极板与第一节点N1电连接，存储电容Cst的另一个极板与第一电压端VDD电连接，存储电容Cst被配置为存储第一节点N1的电平。

其中，图3中以像素驱动电路为8T1C结构为例，实际应用时像素驱动电路还可以为4T1C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C、8T2C等其他结构，本公开的实施例对像素驱动电路的结构不作限定。其中，T表示为晶体管管，位于T前面的数字表示为晶体管的数量，C表示为电容，位于C前面的数字表示为电容的数量。

像素驱动电路可以采用低温多晶硅氧化物(Low temperature polysilicon andoxide，简称LTPO)技术。“LTP”是指低温多晶硅材料(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)，“O”是指氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)材料，像素驱动电路中既有LTPS晶体管也有IGZO晶体管，LTPS晶体管具有高迁移率和良好的稳定性，IGZO晶体管具有较大的禁带宽度、带隙间较低的缺陷态密度和对空穴输运的抑制，IGZO晶体管具有亚阈值摆幅陡峭、漏电流低的优势。例如，继续参考图3，像素驱动电路中的第一晶体管T1、驱动晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7以及第八晶体管T8可以为LTPS晶体管，第二晶体管T2可以为IGZO晶体管。

像素驱动电路还包括依次层叠设置在衬底111上的第一导电层、沟道层、第二导电层以及第三导电层。即，第一导电层位于沟道层的朝向衬底111的一侧，第二导电层位于沟道层的远离衬底111的一侧，第三导电层位于第二导电层的远离衬底111的一侧。实际应用时，第一导电层和沟道层之间、第二导电层与沟道层之间、以及第二导电层和第三导电层之间还设有绝缘层。

第一导电层、第二导电层以及第三导电层的材料可以为包括金属，例如铜、铝等。沟道层的材料可以包括N型半导体，例如沟道层为铟镓锌氧化物层。

图4为相关技术中像素驱动电路的部分区域电路版图。如图4所示，第一导电层包括第一栅线1，第二导电层包括第二栅线3，沟道层包括第一沟道2，第一栅线1、第二栅线3以及第一沟道2均属于第二晶体管T2。例如，第二晶体管T2为双栅结构，第一栅线1作为第二晶体管T2的底栅，第一栅线1与第一沟道2交叠设置，第二栅线3作为第二晶体管T2的顶栅，第二栅线3与第一沟道2也交叠设置。其中，第一栅线1与第一沟道2交叠设置是指，第一栅线1与第一沟道2在衬底111的正投影至少部分重叠。同理，第二栅线3与第一沟道2也交叠设置是指，第二栅线3与第一沟道2在衬底111的正投影至少部分重叠。

继续参考图4，第三导电层包括第一走线4，第一走线4的一端与第一复位电压端Vinit1电连接，第一走线4的另一端与第一晶体管T1的第一极电连接。第一走线4与第一栅线1存在交叠区域(图4中虚线椭圆区域)，使得第一走线4与第一栅线1之间形成寄生电容。像素驱动电路工作过程中，寄生电容会导致第二晶体管T2的栅极出现Kick Back现象，进而导致子像素P显示黑色时发光器件OLED的电压升高，出现显示黑色时亮度偏高的问题。同时，寄生电容还会导致驱动晶体管T3的敏感性(Sensitivity)恶化。

鉴于此，本公开实施例提供的显示面板中，通过优化第一沟道的走线减小或消除第一走线与第一栅线之间的寄生电容，从而改善显示黑色时亮度偏高的问题。

图5为本公开实施例提供的一种显示面板中部分区域的电路版图，图6为第一导电层的部分区域版图，图7为第一导电层和沟道层的部分区域版图，图8为第二导电层、沟道层以及第一导电层的部分区域版图，图9为第三导电层的部分区域版图。

如图5至图9所示，第一走线104包括与第一栅线101交叠的交叠区域10(图5中虚线矩形框内的区域)，交叠区域10是指第一走线104和第一栅线101在衬底111的正投影重叠的区域。当交叠区域10与第一栅线101之间不存在其他膜层结构时，交叠区域10与第一栅线101正对并形成寄生电容。

本公开实施例中第一沟道102a与交叠区域10交叠设置，从而减小或消除了第一走线104与第一栅线101之间形成的寄生电容。由于第一导电层位于沟道层的朝向衬底111的一侧，第三导电层位于沟道层的远离衬底111的一侧，即沟道层位于第一导电层和第三导电层之间。因此，当第一沟道102a与交叠区域10交叠设置时，第一沟道102a的部分结构位于交叠区域10与第一栅线101之间，从而将交叠区域10与第一栅线101隔离开来，减小或消除交叠区域10与第一栅线101之间形成的寄生电容。

示例性地，当第一沟道102a与交叠区域10的所有区域交叠时，第一沟道102a将交叠区域10与第一栅线101完全隔离开来，消除了交叠区域10与第一栅线101之间的寄生电容；当第一沟道102a与交叠区域10的部分区域交叠时，第一沟道102a将交叠区域10的部分区域与第一栅线101隔离开来，交叠区域10与第一栅线101之间的寄生电容减小。

示例性地，继续参考图9，第一走线的一端104a与所述第一复位电压端Vinit1电连接，第一走线的另一端104b与第一晶体管T1的第一极电连接。

继续参考图5，在一些实施方式中，交叠区域10包括第一区域11和第二区域12，第二区域12与第二栅线103交叠，第一区域11不与第二栅线103交叠，第一沟道102a与第一区域11交叠。即，第二区域12在衬底111的正投影位于第二栅线103在衬底111的正投影范围内，第一区域11在衬底111的正投影不在第二栅线103在衬底111的正投影范围内。第二导电层位于第三导电层和第一导电层之间，因此第二栅线103位于第一栅线101和第一走线104之间。由于第二栅线103与第二区域12交叠，使第二栅线103将第二区域12与第一栅线101隔离开来，第一栅线101与第二区域12之间不容易形成寄生电容。由于第二栅线103与第一区域11不交叠，使第一区域11与第一栅线101之间容易形成寄生电容。因此，第一沟道102a与第一区域11交叠设置，从而使第一沟道102a将第一区域11和第一栅线101隔离开来，减小或消除第一栅线101与第一区域11之间的寄生电容。

示例性地，当第一沟道102a与第一区域11的所有区域交叠时，第一沟道102a将第一区域11与第一栅线101完全隔离开来，消除了第一区域11与第一栅线101之间的寄生电容；当第一沟道102a与第一区域11的部分区域交叠时，第一沟道102a将第一区域11的部分区域与第一栅线101隔离开来，第一区域11与第一栅线101之间的寄生电容减小。

继续参考图5、图8以及图9，在一些实施方式中，第二栅线103沿着第一方向X延伸，第一走线104沿着第二方向Y延伸，第一区域11和第二区域12沿着第二方向Y排布。即，沿着第二方向Y，第一区域11位于第二栅线103的一侧或者两侧。

示例性地，第一栅线101和第二栅线103均沿着第一方向X延伸，沿着显示面板的俯视方向，第二栅线103覆盖第一栅线101的大部分区域，从而提高显示面板的透过率。第一栅线101中的仅小部分区域未被第二栅线103覆盖(图8中虚线框内的区域)，此区域未被第二栅线103覆盖，使得此区域与第一走线104之间容易形成寄生电容。因此，第一沟道102a与此区域交叠设置，从而隔离此区域与第一走线104。

继续参考图5、图8以及图9，在一些实施方式中，第一区域11包括第一子区域11a和第二子区域11b，第一子区域11a位于第二栅线103的一侧，第二子区域11b位于第二栅线103的相对另一侧，第一沟道102a与第一子区域11a交叠，或第一沟道102a与第二子区域11b交叠，或第一沟道102a同时与第一子区域11a和第二子区域11b交叠。第一沟道102a与第一区域11的交叠面积越大，第一走线104与第一栅线101之间的寄生电容越小。

示例性地，继续参考图8，第一栅线101包括未被第二栅线103覆盖的第一裸漏区域101a和第二裸漏区域101b。沿着第二方向Y，第一裸漏区域101a位于第二栅线103的一侧，第二裸漏区域101b位于第二栅线103的相对另一侧。第一子区域11a与第一裸漏区域101a交叠，第二子区域11b与第二裸漏区域101b交叠。

当第一沟道102a同时与第一子区域11a和第二子区域11b交叠时，可以使第一栅线101与第一走线104之间的寄生电容更小。

在一些实施方式中，第一子区域11a在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内；或第二子区域11b在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内；或第一子区域11a在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内，且第二子区域11b在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内。

当第一子区域11a在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内时，第一沟道102a将第一子区域11a和第一栅线101完全隔离开来，可以防止第一子区域11a与第一栅线101之间形成寄生电容。同理，当第二子区域11b在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内时，第一沟道102a将第二子区域11b和第一栅线101完全隔离开来，可以防止第二子区域11b与第一栅线101之间形成寄生电容。

继续参考图5和图7，在一些实施方式中，沟道层还包括第一搭接结构102c和第二搭接结构102d，第一沟道102a的一端与第一搭接结构102c连接，第一沟道102a的另一端与第二搭接结构102d连接，第一搭接结构102c与第二晶体管T2的第一极电连接，第二搭接结构102d与第二晶体管T2的第二极电连接。第一搭接结构102c和第二搭接结构102d的特征尺寸大于第一沟道102a的特征尺寸，从而方便与第一电极、第二电极的电连接。第一子区域11a位于第一搭接结构102c和第二栅线103之间，第二子区域11b位于第二搭接结构102d和第二栅线103之间。

进一步地，在一些实施方式中，沟道层还包括第二沟道102b，第二沟道102b的一端与第一沟道102a的一端连接，第二沟道102b的另一端与第一搭接结构102c连接，第二沟道102b沿着第一方向X延伸，第一子区域11a位于第二沟道102b和第二栅线103之间。

示例性地，第一沟道102a和第二沟道102b垂直设置，第一沟道102a和第二沟道102b同时作为第二晶体管T2的沟道。为了图形的精确，第一沟道102a和第二沟道102b的拐角处设有多个矩形镂空结构。

图10为本公开实施例提供的另一种显示面板的部分区域电路版图。如图10所示，第一沟道102a的线宽d1可以大于第二沟道102b的线宽d2。第一沟道102a位于交叠区域10和第一走线104之间，可以减小第一栅线101和交叠区域10之间的寄生电容。第一沟道102a与交叠区域10的交叠面积影响寄生电容的大小，第一沟道102a与交叠区域10的交叠面积越大，寄生电容越小。因此，可以增加第一沟道102a的线宽d1，使得第一沟道102a与交叠区域10的交叠面积更大，从而进一步减小寄生电容。

其中，线宽是指垂直于延伸方向的尺寸。例如，第一沟道102a沿着第二方向Y延伸时，第一沟道102a的线宽d1是指第一沟道102a沿着垂直于第二方向Y的尺寸。

当然，第一沟道102a的线宽d1也可以等于第一沟道102a的线宽d2。此时，第一沟道102a和第二沟道102b的线宽均增大。

在一些实施方式中，第一沟道102a的线宽d1大于或等于21微米，且小于或等于25微米。相关技术中第一沟道102a的线宽通常小于21微米，本公开实施例中的第一沟道102a的线宽d1大于或等于21微米，且小于或等于25微米，提高了第一沟道102a的线宽d1，使得第一沟道102a与交叠区域10的交叠面积增加，从而进一步减小了寄生电容。

继续参考图5，在一些实施方式中，第一沟道102a和第一走线104均沿着第二方向Y延伸。第一沟道102a和第一走线104均沿着第二方向Y延伸，使得第一沟道102a和第一走线104的交叠面积增加，从而增加了第一沟道102a与交叠区域10的交叠面积，进而减小寄生电容。并且，第一沟道102a和第一走线104的交叠面积增加时，在第一沟道102a和第一走线104的面积不变的情况增加了显示面板的透过区域，进而增加了显示面板的透过率。

在一些实施方式中，第一沟道102a的中心线在衬底111的正投影位于第一走线104在衬底111的正投影范围内，使得第一沟道102a和第一走线104的交叠面积增加，从而增加了第一沟道102a与交叠区域10的交叠面积，进而减小寄生电容。并且，第一沟道102a和第一走线104的交叠面积增加时，在第一沟道102a和第一走线104的面积不变的情况增加了显示面板的透过区域，进而增加了显示面板的透过率。

示例性地，交叠区域10在衬底111的正投影位于第一沟道102a在衬底111的正投影范围内。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管，所述驱动晶体管的第一极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第三节点电连接，所述驱动晶体管的栅极与第一节点电连接，所述第二晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点电连接，所述第一晶体管的第一极与第一复位电压端电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三节点电连接；

所述显示面板包括衬底以及依次层叠设置在所述衬底的第一导电层、沟道层、第二导电层以及第三导电层，所述第一导电层包括第一栅线、所述第二导电层包括第二栅线，所述沟道层包括第一沟道，所述第一栅线、所述第二栅线以及所述第一沟道交叠且同属于所述第二晶体管；

所述第三导电层包括第一走线，所述第一走线的一端与所述第一复位电压端电连接，所述第一走线的另一端与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一走线包括与所述第一栅线交叠的交叠区域，所述交叠区域与所述第一沟道交叠。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述交叠区域包括第一区域和第二区域，所述第二区域与所述第二栅线交叠，所述第一区域不与所述第二栅线交叠，所述第一沟道与所述第一区域交叠。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅线沿着第一方向延伸，所述第一走线沿着第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉，所述第一区域和所述第二区域沿着所述第二方向排布。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域位于所述第二栅线的一侧，所述第二子区域位于所述第二栅线的相对另一侧，所述第一沟道与所述第一子区域和/或所述第二子区域交叠。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一子区域在所述衬底的正投影位于所述第一沟道在所述衬底的正投影范围内，和/或，所述第二子区域在所述衬底的正投影位于所述第一沟道在所述衬底的正投影范围内。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述沟道层还包括第一搭接结构和第二搭接结构，所述第一沟道的一端与所述第一搭接结构连接，所述第一沟道的另一端与所述第二搭接结构连接，所述第一搭接结构与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第二搭接结构与所述第二晶体管的第二极电连接，

所述第一子区域位于所述第一搭接结构和所述第二栅线之间，所述第二子区域位于所述第二搭接结构和所述第二栅线之间。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述沟道层还包括第二沟道，所述第二沟道的一端与所述第一沟道的一端连接，所述第二沟道的另一端与所述第一搭接结构连接，所述第二沟道沿着第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉，

所述第一子区域位于所述第二沟道和所述第二栅线之间。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的线宽大于或等于所述第二沟道的线宽。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的线宽大于或等于21微米，且小于或等于25微米。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道和所述第一走线均沿着第二方向延伸。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的中心线在所述衬底的正投影位于所述第一走线在所述衬底的正投影范围内。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述沟道层为铟镓锌氧化物层。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至12中任一项所述的显示面板。