CN118039523A - 工艺腔室及半导体设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种工艺腔室及半导体设备，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，上电极装置包括进气结构，进气结构的出气口周边设置有接地结构，接地结构包括接地部件和功能部件，接地部件的材质包括导电材质，接地部件与腔室壳体电导通；功能部件与接地部件连接，且至少暴露出部分面向下电极装置的表面，功能部件的材质包括硅的氧化物。本发明提供的工艺腔室及半导体设备，能够减少甚至避免接地结构上沉积物质，从而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体设备。
背景技术
在半导体工艺过程中，具有大量的沉积与刻蚀步骤，晶圆的边缘可能会有残留物质积累，影响产品良率，因此，在半导体工艺过程中，会采用晶边刻蚀工艺对晶圆的边缘进行刻蚀，去除积累在晶圆边缘的残留物质。现有的一种晶边刻蚀工艺，刻蚀气体由上电极的进气结构的边缘气道进入工艺腔室，并流向晶圆的边缘，刻蚀气体受工艺腔室内的射频影响电离形成等离子体对晶圆的边缘进行刻蚀。
但是，在现有的一种晶边刻蚀工艺中，上电极的进气结构的底部设置有上电极的接地结构，而晶边刻蚀工艺中产生的物质可能会沉积在接地结构的下表面，这样一方面随着晶边刻蚀工艺次数的增加，沉积在接地结构下表面的物质可能会堆积形成颗粒而掉落，造成晶圆缺陷，另一方面沉积在接地结构下表面的物质也会参与晶边刻蚀，消耗刻蚀气体形成的等离子体，影响等离子体稳定性，晶边刻蚀的稳定性，再一方面沉积在接地结构下表面的物质还会影响接地结构的接地性能，对射频回路造成影响，影响等离子体稳定性，从而影响产品良率，需要对接地结构进行维护，清除沉积在接地结构下表面的物质，而这又会影响设备使用效率及维护周期。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室及半导体设备，其能够减少甚至避免接地结构上沉积物质，从而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
为实现本发明的目的而提供一种工艺腔室，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，所述上电极装置包括进气结构，所述进气结构的出气口周边设置有接地结构，所述接地结构包括接地部件和功能部件，所述接地部件的材质包括导电材质，所述接地部件与所述腔室壳体电导通；
所述功能部件与所述接地部件连接，且至少暴露出部分面向所述下电极装置的表面，所述功能部件的材质包括硅的氧化物。
可选的，所述硅的氧化物包括二氧化硅。
可选的，所述接地部件和所述功能部件均呈环状，且所述接地部件环绕所述功能部件设置；所述接地结构还包括转接组件，所述接地部件和所述功能部件通过所述转接组件可拆卸的连接。
可选的，所述转接组件包括定位部件和连接部件，所述定位部件的一部分与所述接地部件的部分叠置，另一部分与所述功能部件的部分叠置，所述定位部件上设置有定位凸部，所述功能部件上设置有供所述定位凸部插入的定位凹部，所述定位部件与所述功能部件通过所述定位凸部和所述定位凹部定位，所述连接部件用于连接所述定位部件和所述接地部件叠置的部分。
可选的，所述定位部件的材质包括导电材质。
可选的，所述功能部件上设置有功能凸部，所述功能凸部设置在所述功能部件未与所述定位部件叠置的部分上，并自所述功能部件的与所述定位部件叠置的表面向所述下电极装置的方向凸出。
可选的，所述功能部件暴露的面向所述下电极装置的表面为环宽大于0mm且小于或等于20mm的环状。
可选的，所述接地部件和所述功能部件之间设置有呈环状的第一弹性件，所述第一弹性件用于使所述接地部件和所述功能部件之间具有间隙。
可选的，所述进气结构包括匀气结构，所述匀气结构中设置有中心匀气通道和边缘匀气通道，所述中心匀气通道的轴线与所述匀气结构的轴线同轴，所述边缘匀气通道环绕所述中心匀气通道设置，所述中心匀气通道和所述边缘匀气通道均用于向所述工艺腔室内通入气体，所述接地结构沿所述匀气结构的周向设置，并相对于所述边缘匀气通道的出气端靠近所述匀气结构的边缘。
可选的，所述功能部件与所述匀气结构的底部之间设置有呈环状的第二弹性件，所述第二弹性件用于使所述功能部件和所述匀气结构的底部之间具有间隙。
可选的，所述匀气结构的底部还设置有出气环作为所述进气结构的所述出气口，所述出气环呈环状，并沿所述匀气结构的周向设置，并相对于所述接地结构靠近所述匀气结构的中心，且与所述接地结构之间具有间隙，所述出气环与所述接地结构之间的间隙形成呈环状的出气通道，所述出气通道与所述边缘匀气通道连通。
可选的，所述出气环上设置有阻挡部，所述阻挡部设置在所述出气环的与所述接地结构相对的表面上，并朝靠近所述接地结构的方向凸出，且与所述接地结构之间具有间隙。
可选的，所述出气环与所述匀气结构的底部之间设置有呈环状的第三弹性件，所述第三弹性件用于使所述出气环和所述匀气结构的底部之间具有间隙。
本发明还提供一种半导体设备，包括如本发明提供的所述工艺腔室。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的工艺腔室，通过使接地结构包括接地部件和功能部件，由于接地部件的材质包括导电材质，因此，可以借助接地部件与腔室壳体电导通，以通过腔室壳体接地，由于功能部件的材质包括硅的氧化物，而硅的氧化物能够在晶边刻蚀工艺中反应生成反应物，且生成的反应物能够与晶边刻蚀工艺中刻蚀气体刻蚀晶圆边缘产生的物质反应，使晶边刻蚀工艺产生的物质反应生成气体，能够被工艺腔室的抽气结构抽出至工艺腔室外，从而能够减少晶边刻蚀工艺产生的物质沉积在接地结构上的量，继而能够减少甚至避免接地结构上沉积物质，能够减少甚至避免因接地结构上沉积物质而带来的问题，进而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
本发明提供的半导体设备，借助本发明提供的工艺腔室能够减少甚至避免接地结构上沉积物质，从而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的工艺腔室的接地结构的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的工艺腔室及半导体设备的结构示意图；
附图标记说明：
1-接地结构；11-接地部件；12-功能部件；121-功能凸部；131-定位部件；132-连接部件；133-定位凸部；141-第一弹性件；142-第二弹性件；143-第三弹性件；2-出气环；21-阻挡部；301-腔室本体；302-腔室盖；303-进气结构；304-匀气结构；305-介质窗；306-射频馈入部件；307-抽气结构；308-下电极接地环；309-内衬；310-导电环；311-底部绝缘环；312-中间绝缘环；313-顶部绝缘环；314-接口盘；315-机械卡盘；316-承载盘；317-中心进气通道；318-边缘进气通道；319-中心匀气通道；320-边缘匀气通道；321-出气通道；4-晶圆。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的接地结构及半导体设备进行详细描述。
如图1和图2所示，本发明实施例提供一种工艺腔室，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，上电极装置包括进气结构303，进气结构303的出气口周边设置有接地结构1，接地结构1包括接地部件11和功能部件12，接地部件11的材质包括导电材质，接地部件11与腔室壳体电导通；功能部件12与接地部件11连接，且至少暴露出部分面向下电极装置的表面，功能部件12的材质包括硅的氧化物。
本发明实施例提供的工艺腔室，通过使接地结构1包括接地部件11和功能部件12，由于接地部件11的材质包括导电材质，因此，可以借助接地部件11与腔室壳体电导通，以通过腔室壳体接地，由于功能部件12的材质包括硅的氧化物，而硅的氧化物能够在晶边刻蚀工艺中反应生成反应物，且生成的反应物能够与晶边刻蚀工艺中刻蚀气体刻蚀晶圆4边缘产生的物质反应，使晶边刻蚀工艺产生的物质反应生成气体，能够被工艺腔室的抽气结构307抽出至工艺腔室外(如图2中箭头所示)，从而能够减少晶边刻蚀工艺产生的物质沉积在接地结构1上的量，继而能够减少甚至避免接地结构1上沉积物质，能够减少甚至避免因接地结构1上沉积物质而带来的问题，进而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
在本发明一实施例中，导电材质可以包括金属。
可选的，金属可以包括铝。
在本发明一实施例中，硅的氧化物可以包括二氧化硅(SiO2)。
这是由于在晶边刻蚀工艺中，晶圆4的边缘需要刻蚀的待刻物可能包括碳掩膜，刻蚀气体可以包括碳氟气体，这样在晶边刻蚀工艺中会产生四氟化硅(SiF4)气体和含碳聚合物，四氟化硅气体能够被工艺腔室的抽气结构307抽出至工艺腔室外，而含碳聚合物可能会沉积在接地结构1上。而二氧化硅能够在刻蚀气体包括碳氟气体的晶边刻蚀工艺中反应生成氧气，氧气又能够与含碳聚合物反应，使碳聚合物反应生成一氧化碳(CO)和/或二氧化碳(CO2)，从而能够被工艺腔室的抽气结构307抽出至工艺腔室外，继而能够减少甚至避免接地结构1上沉积含碳聚合物，进而能够减少甚至避免接地结构1上沉积物质。
如图2所示，在实际应用中，刻蚀气体可以通过进气结构303通入至工艺腔室内，下电极装置可以包括射频馈入部件306，射频馈入部件306用于向工艺腔室内馈入射频，馈入至工艺腔室内的射频能够使刻蚀气体电离形成等离子体对晶圆4的边缘进行刻蚀，实现晶边刻蚀工艺，碳氟气体电离形成等离子体时的反应式可以为CF4+e(电子)→CF2+2F，而二氧化硅能够与碳氟气体形成的等离子体中的氟反应生成氧气，其反应式可以为SiO2+4F→SiF4+2O，可见，二氧化硅能够在刻蚀气体包括碳氟气体的晶边刻蚀工艺中反应生成氧气，氧气又能够与含碳聚合物反应，使碳聚合物反应生成一氧化碳(CO)和/或二氧化碳(CO2)，能够被工艺腔室的抽气结构307抽出至工艺腔室外。
可选的，本发明实施例提供的接地结构1可以作为上电极装置的接地结构。
可选的，功能材质可以包括石英。这是由于石英中包含有二氧化硅。
可选的，接地部件11的外表面可以设置有保护涂层。借助保护涂层能够对接地部件11进行保护，降低甚至避免等离子体对接地部件11造成的损伤，从而能够进一步延长设备维护周期，提高设备使用效率。
可选的，保护涂层的材质可以包括氧化钇。
可选的，保护涂层可以通过硬氧工艺制备在接地部件11的外表面。
如图2所示，在实际应用中，工艺腔室的抽气结构307可能会设置在工艺腔室的边缘，使得抽气结构307对于工艺腔室边缘的抽吸力会大于对于工艺腔室中心的抽吸力，导致靠近工艺腔室边缘的物质相对于靠近工艺腔室中心的物质更容易被抽出至工艺腔室外，造成接地结构1的靠近工艺腔室中心的部分更容易沉积有半导体工艺产生的物质。
因此，如图1所示，在本发明一实施例中，接地部件11和功能部件12可以均呈环状，且接地部件11环绕功能部件12设置；接地结构1可以还包括转接组件，接地部件11和功能部件12可以通过转接组件可拆卸的连接。
这样的设计是由于功能部件12会在半导体工艺中反应，因此，功能部件12会在半导体工艺中消耗，需要对功能部件12进行更换，通过使接地部件11和功能部件12可拆卸的连接，可以在需要更换功能部件12时，对功能部件12进行单独更换。
如图1所示，在本发明一实施例中，转接组件可以包括定位部件131和连接部件132，定位部件131的一部分与接地部件11的部分叠置，另一部分与功能部件12的部分叠置，定位部件131上设置有定位凸部133，功能部件12上设置有供定位凸部133插入的定位凹部，定位部件131与功能部件12通过定位凸部133和定位凹部定位，连接部件132用于连接定位部件131和接地部件11叠置的部分。
在实际应用中，通过将定位部件131的定位凸部133插入至功能部件12的定位凸部133中，可以使定位部件131的另一部分与功能部件12的部分叠置，从而能够使定位部件131的部分与功能部件12的部分相抵，并使功能部件12的未与定位部件131叠置的部分能够暴露在工艺腔室内，从而能够在半导体工艺中反应，通过将定位部件131的一部与接地部件11的部分叠置，从而能够使定位部件131的一部分与接地部件11的部分相抵，通过连接部件132对定位部件131和接地部件11叠置的部分进行连接，从而能够使接地部件11和功能部件12通过转接组件转接。
在实际应用中，当需要更换功能部件12时，通过取消连接部件132对定位部件131和接地部件11叠置的部分的连接，可以使定位部件131与功能部件12能够分离，从而能够将需要更换的功能部件12取走，将新的功能部件12再次安装，从而完成对功能部件12的更换。
可选的，定位部件131可以呈环状。
可选的，连接部件132的数量可以为多个，多个连接部件132可以沿呈环状的定位部件131的周向间隔设置。
如图1所示，可选的，连接部件132可以包括螺钉，定位部件131的与接地部件11叠置的一部分上设置有通孔，接地部件11的与定位部件131叠置的部分上设置有螺纹孔，螺钉用于穿过通孔与螺纹孔螺纹连接，从而连接定位部件131和接地部件11叠置的部分。
在本发明一实施例中，定位部件131的材质可以包括导电材质。这样能够使定位部件131也可以导电，从而能够增加接地结构1的导电面积，也就增加了接地结构1的接地面积，这样的设计是由于上电极装置和下电极装置均设置有接地结构，下电极装置的接地结构可以作为阳极，上电极装置的接地结构可以作为阴极，而阳极与阴极的面积的比例差会对等离子体的鞘层偏压的大小造成影响，而通过增加接地结构1的接地面积，当接地结构1作为上电极装置的接地结构时，能够使上电极装置的接地结构与下电极装置的接地结构的面积尽可能相等，从而能够降低对等离子体的鞘层偏压的大小的影响，进而能够进一步提高产品良率。
可选的，导电材质可以包括金属。
可选的，金属可以包括铝。这种材质能够容易通过例如螺钉等连接部件132进行固定。
可选的，定位部件131的外表面可以设置有保护涂层。借助保护涂层能够对定位部件131进行保护，降低甚至避免等离子体对定位部件131造成的损伤，从而能够进一步延长设备维护周期，提高设备使用效率。
可选的，保护涂层的材质可以包括氧化钇。
可选的，保护涂层可以通过硬氧工艺制备在定位部件131的外表面。
如图1所示，在本发明一实施例中，功能部件12上可以设置有功能凸部121，功能凸部121设置在功能部件12未与定位部件131叠置的部分上，并自功能部件12的与定位部件131叠置的表面向下电极装置的方向凸出。
借助功能凸部121可以使功能部件12的功能材质进一步的暴露在工艺腔室内，从而能够进一步减少甚至避免接地结构1上沉积物质，进而能够进一步提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
如图1所示，可选的，功能部件12暴露的面向下电极装置的表面可以与定位部件131的面向下电极装置的表面平齐。
在本发明一实施例中，功能部件12暴露的面向下电极装置的表面为环宽可以大于0mm且小于或等于20mm的环状。
这样在接地结构1所能占用的有限的空间内，能够使得功能部件12占用尽可能小的空间，从而使得定位部件131和接地部件11占用的空间能够得到增加，继而能够增加定位部件131和接地结构1的导电面积，也就增加了接地结构1的接地面积，进而能够经一部降低对等离子体的鞘层偏压的大小的影响，能够进一步提高产品良率。
如图1所示，在本发明一实施例中，接地部件11和功能部件12之间可以设置有呈环状的第一弹性件141，第一弹性件141用于使接地部件11和功能部件12之间具有间隙。
借助第一弹性件141使接地部件11和功能部件12之间具有间隙，可以避免石英材质的功能部件12与金属材质的接地部件11之间直接接触摩擦。
可选的，第一弹性件141可以包括弹性密封圈。
如图1和图2所示，在本发明一实施例中，进气结构303可以包括匀气结构304，匀气结构304中设置有中心匀气通道319和边缘匀气通道320，中心匀气通道319的轴线与匀气结构304的轴线同轴，边缘匀气通道320环绕中心匀气通道319设置，中心匀气通道319和边缘匀气通道320均用于向工艺腔室内通入气体，接地结构1沿匀气结构304的周向设置，并相对于边缘匀气通道320的出气端靠近匀气结构304的边缘。
在晶边刻蚀工艺的工艺腔室内，匀气结构304可以与腔室壳体电导通，这样接地结构1与匀气结构304电导通，就可以通过匀气结构304与腔室壳体电导通。在晶边刻蚀工艺中，匀气结构304可以通过边缘匀气通道320向晶圆4的边缘输送刻蚀气体，以通过刻蚀气体被激励后形成等离子体对晶圆4的边缘进行刻蚀，并且，可以通过中心匀气通道319向晶圆4中部无需被刻蚀的部分输送保护气体，以借助保护气体覆盖晶圆4中部无需被刻蚀的部分，避免晶圆4中部无需被刻蚀的部分受到刻蚀气体影响，被刻蚀气体刻蚀。接地结构1的呈环状的功能部件12可以沿匀气结构304的周向设置，并相对于边缘匀气通道320的出气端靠近匀气结构304边缘，呈环状的接地部件11可以沿匀气结构304的周向设置，并环绕功能部件12设置，即，相对于功能部件12靠近匀气结构304边缘。
可选的，保护气体可以包括氮气或惰性气体。
如图1所示，在本发明一实施例中，功能部件12与匀气结构304的底部之间设置有呈环状的第二弹性件142，第二弹性件142用于使功能部件12和匀气结构304的底部之间具有间隙。
借助第二弹性件142使功能部件12和匀气结构304的底部之间具有间隙，可以避免石英材质的功能部件12与金属材质的匀气结构304之间直接接触摩擦。
可选的，第二弹性件142可以包括弹性密封圈。
如图1所示，在本发明一实施例中，匀气结构304的底部可以还设置有出气环2作为进气结构303的出气口，出气环2呈环状，并沿匀气结构304的周向设置，并相对于接地结构1靠近匀气结构304的中心，且与接地结构1之间具有间隙，出气环2与接地结构1之间的间隙形成呈环状的出气通道321，出气通道321与边缘匀气通道320连通。
具体的，出气通道321可以由呈环状的出气环2与呈环状的功能部件12之间的间隙形成，由于出气通道321与边缘匀气通道320连通，因此，在实际应用中，经边缘匀气通道320输送的刻蚀气体会由边缘匀气通道320出气端进入出气通道321，再经出气通道321进入工艺腔室，输送向晶圆4的边缘，对晶圆4的边缘进行刻蚀。
如图1所示，在本发明一实施例中，出气环2上可以设置有阻挡部21，阻挡部21设置在出气环2的与接地结构1相对的表面上，并朝靠近接地结构1的方向凸出，且与接地结构1之间具有间隙。
借助阻挡部21可以阻挡工艺腔室内的等离子体向边缘匀气通道320内扩散，使阻挡部21与接地结构1之间具有间隙，可以避免阻挡部21对边缘匀气通道320输送的刻蚀气体造成干涉。
如图1所示，在本发明一实施例中，出气环2与匀气结构304的底部之间设置有呈环状的第三弹性件143，第三弹性件143用于使出气环2和匀气结构304的底部之间具有间隙。
借助第三弹性件143使出气环2和匀气结构304的底部之间具有间隙，可以避免石英材质的出气环2与金属材质的匀气结构304之间直接接触摩擦。
可选的，第三弹性件143可以包括弹性密封圈。
如图2所示，本发明实施例还提供一种半导体设备，包括本发明实施例提供的工艺腔室。
本发明实施例提供的半导体设备，借助本发明实施例提供的工艺腔室能够减少甚至避免接地结构1上沉积物质，从而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
可选的，本发明实施例提供的半导体设备可以进行晶边刻蚀工艺。
具体的，如图2所示，晶边刻蚀设备的工艺腔室可以还包括抽气结构307，晶边刻蚀设备的工艺腔室的腔室壳体可以包括腔室本体301和腔室盖302，上电极装置可以还包括介质窗305，下电极装置可以还包括承载组件、下电极装置的接地结构、下电极装置的隔离组件和射频馈入部件306，其中，下电极装置的接地结构可以包括下电极接地环308、内衬309和导电环310，下电极装置的隔离组件可以包括底部绝缘环311、中间绝缘环312和顶部绝缘环313，承载组件可以包括接口盘314、机械卡盘315和承载盘316。
腔室盖302盖设置在腔室本体301的顶部，进气结构303设置在腔室盖302的上方，进气结构303中设置有中心进气通道317和边缘进气通道318，边缘进气通道318环绕中心进气通道317设置，匀气结构304设置在腔室盖302的下方，匀气结构304的中心匀气通道319与进气结构303的中心进气通道317连通，匀气结构304的边缘匀气通道320与进气结构303的边缘进气通道318连通，介质窗305设置在匀气结构304的底部，接地结构1设置在匀气结构304的底部，并环绕介质窗305设置，且相对于边缘匀气通道320的出气端靠近匀气结构304的边缘，可以作为工艺腔室内的上电极装置的接地结构，出气环2设置在匀气结构304的底部，并环绕介质窗305设置，且相对于接地结构1靠近介质窗305，并与接地结构1之间具有间隙，抽气结构307设置在腔室本体301的底部，用于对腔室本体301进行抽气。
接口盘314设置在腔室本体301的底壁上，机械卡盘315设置在接口盘314上，承载盘316设置在机械卡盘315上，并与机械卡盘315之间电导通，承载盘316用于承载晶圆4，射频馈入部件306依次贯穿腔室本体301的底壁和接口盘314至机械卡盘315。底部绝缘环311设置在腔室本体301的底壁上，并环绕接口盘314设置，中间绝缘环312设置在底部绝缘环311上，并环绕机械卡盘315的部分设置，顶部绝缘环313设置在中间绝缘环312上，并环绕机械卡盘315的另一部分以承载盘316设置，底部绝缘环311、中间绝缘环312和顶部绝缘环313的材质均可以包括电介质材质。导电环310设置在腔室本体301的底壁上，并环绕底部绝缘环311的部分和中间绝缘环312的部分设置，内衬309设置在导电环310上，并环绕中间绝缘环312设置，且覆盖腔室本体301的部分内周壁，下电极接地环308设置在内衬309上，并环绕中间绝缘环312的部分和顶部绝缘环313的部分设置，下电极接地环308、内衬309、导电环310和腔室本体301电导通，从而使下电极接地环308通过内衬309、导电环310和腔室本体301接地，下电极隔离组件包括的底部绝缘环311、中间绝缘环312和顶部绝缘环313用于将射频馈入部件306馈入射频的区域与包括有下电极接地环308、内衬309和导电环310的下电极接地结构进行电性隔离。
可选的，介质窗305的材质可以包括陶瓷。
在晶边刻蚀工艺中，进气结构303通过中心进气通道317向匀气结构304的中心匀气通道319输送保护气体，通过边缘进气通道318向匀气结构304的边缘匀气通道320输送刻蚀气体，保护气体经中心匀气通道319被输送向腔室本体301内，并被输送向承载于承载盘316上的晶圆4的无需被刻蚀的部分，刻蚀气体经边缘匀气通道320被输送向腔室本体301内，并被输送向晶圆4的边缘，射频馈入部件306通过向机械卡盘315馈入射频，以向腔室本体301内馈入射频，从而激励刻蚀气体形成等离子体，形成等离子体的刻蚀气体能够对晶圆4的边缘进行刻蚀，实现晶边刻蚀工艺，由于接地结构1具有功能部件12，且由于功能部件12的材质包括硅的氧化物，而硅的氧化物能够在晶边刻蚀工艺中反应产生反应物，且生成的反应物能够与晶边刻蚀工艺产生的物质反应，使晶边刻蚀工艺产生的物质反应生成气体，从而能够被抽气结构307抽出至腔室本体301外，继而能够减少甚至避免接地结构1上沉积物质，进而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
综上所述，本发明实施例提供的工艺腔室及半导体设备，能够减少甚至避免接地结构1上沉积物质，从而能够提高产品良率，延长设备维护周期，提高设备使用效率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变形和改进，这些变形和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种工艺腔室，包括腔室壳体、设置于腔室壳体内的上电极装置和下电极装置，其特征在于，所述上电极装置包括进气结构，所述进气结构的出气口周边设置有接地结构，所述接地结构包括接地部件和功能部件，所述接地部件的材质包括导电材质，所述接地部件与所述腔室壳体电导通；
所述功能部件与所述接地部件连接，且至少暴露出部分面向所述下电极装置的表面，所述功能部件的材质包括硅的氧化物。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述硅的氧化物包括二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述接地部件和所述功能部件均呈环状，且所述接地部件环绕所述功能部件设置；所述接地结构还包括转接组件，所述接地部件和所述功能部件通过所述转接组件可拆卸的连接。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述转接组件包括定位部件和连接部件，所述定位部件的一部分与所述接地部件的部分叠置，另一部分与所述功能部件的部分叠置，所述定位部件上设置有定位凸部，所述功能部件上设置有供所述定位凸部插入的定位凹部，所述定位部件与所述功能部件通过所述定位凸部和所述定位凹部定位，所述连接部件用于连接所述定位部件和所述接地部件叠置的部分。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述定位部件的材质包括导电材质。
6.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述功能部件上设置有功能凸部，所述功能凸部设置在所述功能部件未与所述定位部件叠置的部分上，并自所述功能部件的与所述定位部件叠置的表面向所述下电极装置的方向凸出。
7.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述功能部件暴露的面向所述下电极装置的表面为环宽大于0mm且小于或等于20mm的环状。
8.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述接地部件和所述功能部件之间设置有呈环状的第一弹性件，所述第一弹性件用于使所述接地部件和所述功能部件之间具有间隙。
9.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气结构包括匀气结构，所述匀气结构中设置有中心匀气通道和边缘匀气通道，所述中心匀气通道的轴线与所述匀气结构的轴线同轴，所述边缘匀气通道环绕所述中心匀气通道设置，所述中心匀气通道和所述边缘匀气通道均用于向所述工艺腔室内通入气体，所述接地结构沿所述匀气结构的周向设置，并相对于所述边缘匀气通道的出气端靠近所述匀气结构的边缘。
10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，所述功能部件与所述匀气结构的底部之间设置有呈环状的第二弹性件，所述第二弹性件用于使所述功能部件和所述匀气结构的底部之间具有间隙。
11.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，所述匀气结构的底部还设置有出气环作为所述进气结构的所述出气口，所述出气环呈环状，并沿所述匀气结构的周向设置，并相对于所述接地结构靠近所述匀气结构的中心，且与所述接地结构之间具有间隙，所述出气环与所述接地结构之间的间隙形成呈环状的出气通道，所述出气通道与所述边缘匀气通道连通。
12.根据权利要求11所述的工艺腔室，其特征在于，所述出气环上设置有阻挡部，所述阻挡部设置在所述出气环的与所述接地结构相对的表面上，并朝靠近所述接地结构的方向凸出，且与所述接地结构之间具有间隙。
13.根据权利要求11所述的工艺腔室，其特征在于，所述出气环与所述匀气结构的底部之间设置有呈环状的第三弹性件，所述第三弹性件用于使所述出气环和所述匀气结构的底部之间具有间隙。
14.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1-13任意一项所述的工艺腔室。
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| CN202211355459.4A CN118039523A (zh) | 2022-11-01 | 2022-11-01 | 工艺腔室及半导体设备 |
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2022
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