CN118027107A - 有机金属化合物以及发光装置、电子设备和电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及有机金属化合物以及发光装置、电子设备和电子装置。发光装置包括由式1表示的有机金属化合物，电子设备包括发光装置，并且有机金属化合物由下面的式1表示：式1其中式1的详细描述提供在本文中。

Description

有机金属化合物以及发光装置、电子设备和电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年11月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0151981号的优先权和权益，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及有机金属化合物以及包括其的发光装置、电子设备和电子装置。

背景技术

在发光装置中，自发射装置具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面卓越的或适当的特性。

在发光装置中，第一电极布置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

发明内容

根据一个或多个实施方式的方面涉及有机金属化合物以及包括其的发光装置、电子设备和电子装置。

另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，有机金属化合物由式1表示：

式1

其中，在式1中，

M可为铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、银(Ag)或铜(Cu)，

Y₁可为O或S，

X₁、X₃、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁至X₃₃和X₄₁至X₄₄可各自独立地为N或C，

X₅可为*-N(R₅₁)-*’、*-B(R₅₁)-*’、*-P(R₅₁)-*’、*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Si(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Ge(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-S-*’、*-Se-*’、*-O-*’、*-C(＝O)-*’、*-S(＝O)-*’、*-S(＝O)₂-*’、*-C(＝S)-*’、*-N＝*’、*＝N-*’、*-C(R₅₁)＝*’、*＝C(R₅₁)-*’、*-Si(R₅₁)＝*’、*＝Si(R₅₁)-*’、*-Ge(R₅₁)＝*’或*＝Ge(R₅₁)-*’，并且*和*’可各自指示与相邻的原子的键合位点，

b5可为0、1、2、3或4，i)当b5为0时，X₅可不存在，并且X₃₃和X₄₄可不彼此连接，并且ii)当b5为2或更大时，两个或更多个X₅可彼此相同或不同，

R₁至R₄、R₂₀、R₅₁和R₅₂可各自独立地为由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a4可各自独立地为1、2或3，

式2

其中，在式2中，

*”可指示与相邻的原子的键合位点，

T₁至T₃可各自与R_10a描述的相同，

c1可为选自0至3的整数，

c2和c3可各自独立地为选自0至5的整数；

选自a1个R₁、R₂₀、a2个R₂、a3个R₃和a4个R₄中的两个或更多个可任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R_10a可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

有机金属化合物可满足条件1和条件2中的至少一个：

条件1

在式1中，X₃₃和X₄₄各自为C，并且b5为1、2、3或4。

条件2

在式1中，R₁至R₄中的至少一个为由式2表示的基团。

附图说明

根据结合所附附图的以下描述，本公开的某些实施方式的上述及其他方面、特征以及功能将变得更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；

图2为根据实施方式的电子设备的示意性横截面图；

图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图；

图4为示意性阐释根据实施方式的包括发光装置的电子装置的透视图；

图5为阐释根据实施方式的作为包括发光装置的电子装置的车辆的外部的示意图；并且

图6A至图6C各自为阐释根据一个或多个实施方式的车辆的内部的示意图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施方式，其实施例阐释在所附附图中，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，仅通过参考附图描述下面的实施方式，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“选自a、b和c中的至少一个”、“选自由a、b和c组成的组中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”、“a至c中的至少一个”等指示仅a；仅b；仅c；a和b两者(例如，同时)；a和c两者(例如，同时)；b和c两者(例如，同时)；所有的a、b和c；或其变体。

在实施方式中，发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；布置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及由式1表示的有机金属化合物：

式1

其中，在式1中，M可为铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、银(Ag)或铜(Cu)。

在实施方式中，M可为铂(Pt)或钯(Pd)。

在式1中，Y₁可为O或S，例如，Y₁可为O。

式1中N和M之间的键可为配位键。

X₁、X₃、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁至X₃₃和X₄₁至X₄₄可各自独立地为N或C。

式1中的X₅可为*-N(R₅₁)-*’、*-B(R₅₁)-*’、*-P(R₅₁)-*’、*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Si(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Ge(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-S-*’、*-Se-*’、*-O-*’、*-C(＝O)-*’、*-S(＝O)-*’、*-S(＝O)₂-*’、*-C(＝S)-*’、*-N＝*’、*＝N-*’、*-C(R₅₁)＝*’、*＝C(R₅₁)-*’、*-Si(R₅₁)＝*’、*＝Si(R₅₁)-*’、*-Ge(R₅₁)＝*’或*＝Ge(R₅₁)-*’，并且*和*’可各自指示与相邻的原子的键合位点。

在实施方式中，X₅可为*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-C(R₅₁)＝*’或*＝C(R₅₁)-*’。

式1中的b5可为0、1、2、3或4，i)当b5为0时，X₅可不存在，并且X₃₃和X₄₄可不彼此连接，并且ii)当b5为2或更大时，两个或更多个X₅可彼此相同或不同。

在实施方式中，b5可为2。

式1中的R₁至R₄、R₂₀、R₅₁和R₅₂可各自独立地为由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。

式1中的a1至a4可各自独立地为1、2或3，

式2

在式2中，*”指示与相邻的原子的键合位点，并且T₁至T₃可与R_10a描述的相同。

在式2中，c1可为选自0至3的整数，并且c2和c3可各自独立地为选自0至5的整数。

在式1中，选自a1个R₁、R₂₀、a2个R₂、a3个R₃和a4个R₄中的两个或更多个可任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

R_10a可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

有机金属化合物可满足条件1和条件2中的至少一个：

条件1

在式1中，X₃₃和X₄₄各自为C，并且b5为1、2、3或4。

条件2

在式1中，R₁至R₄中的至少一个为由式2表示的基团。

在实施方式中，R₁和R₂中的至少一个可为由式2表示的基团。

在实施方式中，式1中由表示的基团可由式A1-1至式A1-6中的一个表示：

其中，在式A1-1至式A1-6中，

X₁和X₁₁至X₁₄可各自与在本文中描述的相同，

X₁₅至X₁₈可各自与X₁描述的相同，

Y₁₁可为O、S、N(R_11a)、C(R_11b)(R_11c)或Si(R_11b)(R_11c)，

R₁₁、R_11a、R_11b和R_11c可各自与R₁描述的相同，

a11可为选自0至5的整数，

*’指示与相邻的碳原子的键合位点，并且

*可为与M的键合位点。

在实施方式中，式1中的R₂₀可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，式1中的R₂₀可为未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基。

在实施方式中，式1中的R₂₀可由式R20-1至式R20-6中的一个表示：

其中，在式R20-1至式R20-6中，*指示与相邻的原子的键合位点。

在实施方式中，有机金属化合物可由式1A或式1B表示：

式1A

式1B

其中，在式1A和式1B中，

M、Y₁、X₁、X₃、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁、X₃₂、X₄₁至X₄₃、R₁至R₄、R₂₀、R₅₁和R₅₂可各自与在本文中描述的相同，

R₅₃和R₅₄可各自与R₅₁描述的相同，并且

a1至a4可各自独立地为1或2。

在实施方式中，有机金属化合物可由式1C至式1E中的一个表示：

式1C

式1D

式1E

其中，在式1C至式1E中，

M、Y₁、X₁、X₃、b5、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁至X₃₃、X₄₁至X₄₄、R₁至R₄和R₂₀可各自与在本文中描述的相同，

Ar₁和Ar₂可各自为由式2表示的基团，

a1至a4可各自独立地为1或2，并且

X₅可为*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-C(R₅₁)＝*’或*＝C(R₅₁)-*’。

由式1表示的有机金属化合物可为化合物1至化合物89中的一种：

由式1表示的有机金属化合物可包括苯并咪唑基。在一些实施方式中，由式1表示的有机金属化合物可满足条件1和条件2中的中的至少一个：

条件1

在式1中，X₃₃和X₄₄各自为C，并且b5为1、2、3或4。

条件2

在式1中，R₁至R₄中的至少一个为由式2表示的基团。

结果，改善了由式1表示的有机金属化合物的刚性，并且因此，可获得相对卓越的或适当的三重态金属-至-配体电荷转移(³MLCT)特性。所以，可通过利用由式1表示的有机金属化合物来实施具有高效率和长寿命的发光装置(例如，有机发光装置)。

在实施方式中，由式1表示的有机金属化合物的³MLCT值可等于或大于11％。

合成由式1表示的有机金属化合物的方法可通过参考在本文中描述的合成实施例和/或实施例容易被本领域普通技术人员理解。

至少一种由式1表示的有机金属化合物可用在发光装置(例如，有机发光装置)中。相应地，提供了发光装置，包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；布置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及由式1表示的有机金属化合物。

在一些实施方式中，

发光装置的第一电极可为阳极，

发光装置的第二电极可为阴极，

夹层可进一步包括：在第一电极和发射层之间的空穴传输区；以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子控制层或其任何组合。

在一些实施方式中，发光装置的夹层可包括由式1表示的有机金属化合物。

在一些实施方式中，发光装置的发射层可包括由式1表示的有机金属化合物。

在实施方式中，发射层可发射红光或红外光。例如，发射层可发射最大发射波长为约630nm至约700nm、约640nm至约690nm、约650nm至约680nm或约660nm至约670nm的红光。

在一些实施方式中，发光装置的发射层可包括掺杂剂和主体，并且由式1表示的有机金属化合物可包括在掺杂剂中。例如，由式1表示的有机金属化合物可充当掺杂剂。发射层可，例如，发射红光或红外光。红光可具有，例如，约630nm至约700nm的最大发射波长。

在一些实施方式中，发光装置的电子传输区可包括空穴阻挡层，并且空穴阻挡层可包括含氧化膦化合物、含硅化合物或其任何组合。在实施方式中，空穴阻挡层可直接接触发射层。

在实施方式中，发光装置可包括布置在第一电极外侧和/或第二电极外侧的封盖层。

在实施方式中，发光装置可进一步包括布置在第一电极外侧的第一封盖层和布置在第二电极外侧的第二封盖层中的至少一个，并且由式1表示的有机金属化合物可包括在第一封盖层和第二封盖层中的至少一个中。第一封盖层和/或第二封盖层的更多细节如在本文中描述的。

在实施方式中，发光装置可进一步包括：

布置在第一电极外侧并且包括由式1表示的有机金属化合物的第一封盖层；

布置在第二电极外侧并且包括由式1表示的有机金属化合物的第二封盖层；或者

第一封盖层和第二封盖层。

如在本文中使用的，措辞“(夹层和/或封盖层)包括由式1表示的有机金属化合物”可理解为“(夹层和/或封盖层)可包括一个种类的由式1表示的有机金属化合物或至少两个不同种类的各自由式1表示的有机金属化合物”。

例如，夹层和/或封盖层可仅包括化合物1作为由式1表示的有机金属化合物。就此而言，化合物1可存在于发光装置的发射层中。在一些实施方式中，夹层可包括化合物1和化合物2作为由式1表示的有机金属化合物。就此而言，化合物1和化合物2可存在于基本上同一层中(例如，化合物1和化合物2二者都可存在于发射层中)，或可存在于不同的层中(例如，化合物1可存在于发射层中，并且化合物2可存在于电子传输区中)。

如在本文中使用的，术语“夹层”指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有层。

另一方面提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可进一步包括：包括源电极和漏电极的薄膜晶体管，其中发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。有关电子设备的更多细节，可参考在本文中提供的相关描述。

图1的描述

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外布置在第一电极110下方和/或布置在第二电极150上。作为基板，可利用玻璃基板和/或塑料基板。在一些实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一些实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可布置在第一电极110上。夹层130可包括发射层。

夹层130可进一步包括布置在第一电极110和发射层之间的空穴传输区，以及布置在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。

在一些实施方式中，夹层130可包括：i)在第一电极110和第二电极150之间依次堆叠的两个或更多个发射单元，和ii)布置在两个或更多个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的两个或更多个发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区可具有多层结构，该多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，每种结构的各层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可各自与R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未取代的或被上述R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一些实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一些实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一些实施方式中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在一些实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任何一个。

在一些实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任何一个，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一些实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY217表示的基团中的任何一个。

在实施方式中，空穴传输区可包括化合物HT1至化合物HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺TPD、螺NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特性。

发射辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄漏至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于导电特性的改善的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为-3.5eV或更小。

在一些实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括(例如，可为)TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括(例如，可为)HAT-CN和由式221表示的化合物：

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在包括元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括(例如，可为)碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例可包括(例如，可为)硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的示例可包括(例如，可为)氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包括元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括(例如，可为)金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括(例如，可为)钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的示例可包括(例如，可为)碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的示例可包括(例如，可为)BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI2。

过渡金属卤化物的示例可包括(例如，可为)钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、亚铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、亚铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的示例可包括(例如，可为)锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的示例可包括(例如，可为)YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI3。

准金属卤化物的示例可包括(例如，可为)锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可包括(例如，可为)碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，可根据子像素将发射层图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一些实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一些实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。

在一些实施方式中，发射层可包括量子点。

在一些实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的或适当的发光特性。

主体

在一些实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21。

在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自与Q₁描述的相同。

例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在一些实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可各自与在本文中描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地与L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地与xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自与R₃₀₁描述的相同。

在一些实施方式中，主体可包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任何组合。例如，主体可包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任何组合。

在实施方式中，主体可包括：化合物H1至化合物H128中的一种；9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)；2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)；9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)；4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)；1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)；1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)；或其任何组合：

磷光掺杂剂

在一些实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2。

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-N(Q₄₁₁)-*’、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*’、

*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*’、*-C(Q₄₁₁)＝*’或*＝C＝*’，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自与Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自与Q₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中的M的键合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可为氮。

在一些实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，或两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自与T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。例如，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸盐基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任何组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。

在一些实施方式中，式501中的xd4可为2。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至化合物FD37中的一种；DPVBi；DPAVBi；或其任何组合：

延迟荧光材料

发射层可包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。

取决于发射层中包括的其他材料的类型或种类，发射层中包括的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂。

在一些实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于0eV并且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和/或ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼原子(B)的同时稠合的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的示例可包括化合物DF1至化合物DF14中的至少一种：

量子点

发射层可包括量子点。

如在本文中使用的，术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射一个或多个适当的发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺或与其类似的任何工艺来合成量子点。

湿化学工艺为包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然充当配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，以便可通过比气相沉积法，比如金属有机化学气相沉积工艺和/或分子束外延工艺具有低成本和容易的工艺控制或选择量子点颗粒晶体的生长。

量子点可包括一种或多种第II-VI族半导体化合物、一种或多种第III-V族半导体化合物、一种或多种第III-VI族半导体化合物、一种或多种第I-III-VI族半导体化合物、一种或多种第IV-VI族半导体化合物、一种或多种第IV族元素或化合物或其任何组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括(例如，可为)二元化合物，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或其任何组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb；或其任何组合。在一些实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例可包括(例如，可为)InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括(例如，可为)：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe；三元化合物，比如InGaS₃和/或InGaSe₃；或其任何组合。

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括(例如，可为)：三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；或其任何组合。

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括(例如，可为)：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe；或其任何组合。

第IV族元素或化合物可包括：单元素材料，比如Si和/或Ge；二元化合物，比如SiC和/或SiGe；或其任何组合。

多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包括的每种元素可以基本上均匀的浓度或以非基本上均匀的浓度存在于颗粒中。

在一些实施方式中，量子点可具有其中量子点中的每一种元素的浓度为基本上均匀的单一结构或核-壳双重结构。例如，在核-壳双重结构中，核中包括的材料与壳中包括的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当防止核的化学变性的保护层以保持半导体特性，和/或充当赋予量子点电泳特性的充电层。壳可为单个层或多个层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可包括(例如，可为)金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物，半导体化合物和其任何组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括(例如，可为)二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；和其任何组合。半导体化合物的示例可包括(例如，可为)，如在本文中描述的，第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；和其任何组合。例如，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，或者约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度和/或颜色再现性。在一些实施方式中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。

在一些实施方式中，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

因为可通过控制量子点的尺寸来调整能带隙，所以可从量子点发射层获得具有一个或多个适当的波长带的光。相应地，通过利用不同尺寸的量子点，可实施发射一个或多个适当的波长的光的发光装置。在一些实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可配置为通过组合一种或多种适当的颜色的光来发射白光。

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层以各自叙述的顺序依次堆叠。

在实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21，

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自与Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键彼此连接。

在其他实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的蒽基。

在其他实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自与L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自与xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自与R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至化合物ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其任何组合：

电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约 至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特性。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碱金属络合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和/或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子和/或Ba离子。与碱金属络合物的金属离子或与碱土金属络合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，含金属材料可包括Li络合物。Li络合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的一种或多种氧化物、一种或多种卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)和/或一种或多种碲化物或其任何组合。

含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O或K₂O；碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在一些实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例为LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属的金属离子、碱土金属的金属离子和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。在一些实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一些实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层和/或LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特性。

第二电极150

第二电极150可布置在具有如上述的结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极150的材料，可利用各自具有低功函的金属、合金、电导性化合物或其任何组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可布置在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可布置在第二电极150外侧。尤其，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150按照叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层按照叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层按照叙述的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外侧提取(例如，发射)，和/或在发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外侧提取(例如，发射)。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理来提高外部发射效率。相应地，提高了发光装置10的光提取效率，从而可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在589nm下)具有1.6或更大的折射率的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括一种或多种碳环化合物、一种或多种杂环化合物、一种或多种含胺基化合物、一种或多种卟啉衍生物、一种或多种酞菁衍生物、一种或多种萘酞菁衍生物、一种或多种碱金属络合物、一种或多种碱土金属络合物或其任何组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在一些实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在一些实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任何组合：

膜

由式1表示的有机金属化合物可包括在一个或多个适当的膜中。相应地，另一方面提供了包括由式1表示的稠环化合物的膜。膜可为，例如，光学构件(或光控制部件)(例如，滤色器、颜色转换构件、封盖层、光提取效率增强层、选择性光吸收层、偏振层或含量子点层等)，阻光构件(例如，光反射层和/或光吸收层等)，保护构件(例如，绝缘层和/或介电层等)。

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光装置发射的光行进的至少一个方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。关于发光装置的细节，可参考上面提供的相关描述。在一些实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如在本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可布置在多个子像素区域之间，以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和布置在多个滤色器区域之间的多个遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和布置在多个颜色转换区域之间的多个遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。尤其，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。有关量子点的细节，可参考在本文中提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。

例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有不同的最大发射波长。尤其，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可电连接至发光装置的第一电极或第二电极。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取(例如，发射)至外侧，并且同时(例如，同步)防止环境空气和水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外布置在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过利用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。

除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物识别信息收集器。

电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明装置、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和/或投影仪等。

电子装置

发光装置可包括在一个或多个适当的电子装置中。

例如，包括发光装置的电子装置可为选自下述中的至少一种：平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板手机电脑、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、具有拼接在一起的多个显示器的视频墙、电影院屏幕、体育场屏幕、光疗装置和招牌。

发光装置可在发光效率和/或长寿命方面具有卓越的或适当的效果，并且因此包括发光装置的电子装置可具有比如高亮度、高分辨率和/或低功率消耗的特性。

图2和图3的描述

图2为根据实施方式的电子设备的示意性横截面图。

图2的电子设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可布置在基板100上。缓冲层210可防止或减少通过基板100的杂质的渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可布置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅和/或多晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可布置在有源层220上，并且栅电极240可布置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可布置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可布置在栅电极240和源电极260之间，以使栅电极240与源电极260绝缘，并且可布置在栅电极240和漏电极270之间，以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可布置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可布置为接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可布置在钝化层280上。钝化层280可布置为暴露漏电极270的一部分，而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可布置为连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可布置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的某些区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺有机膜或聚丙烯酸有机膜。尽管未在图2中示出，但是夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，而以公共层的形式布置。

第二电极150可布置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可布置在封盖层170上。封装部分300可布置在发光装置上以避免发光装置遭受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合；或无机膜和有机膜的任何组合。

图3为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外布置在封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3的电子设备中包括的发光装置可为串联发光装置。

图4的描述

图4为根据实施方式的包括发光装置的电子装置1的示意性透视图。电子装置1可为显示移动图像和/或静止图像的装置，包括：便携式电子装置(比如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本计算机、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和/或超级移动个人计算机(UMPC))以及一个或多个适当的产品(比如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和/或物联网(IOT)装置)。电子装置1可为上面的这种产品或其一部分。在一些实施方式中，电子装置1可为可穿戴装置(比如智能手表、手表电话、眼镜型或种类的显示器和/或头戴式显示器(HMD))或可穿戴装置的一部分。然而，实施方式不限于此。例如，电子装置1可为在车辆的仪表面板和中控台或仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器、用于汽车的后座椅的娱乐显示器或放置在前座椅的背部的显示器、安装在车辆的前面或投影在前窗玻璃上的平视显示器(HUD)和/或计算机生成的全息图增强现实平视显示器(CGH AR HUD)。为了方便解释，图4阐释了其中电子装置1为智能电话的情况。

电子装置1可包括显示区域DA和在显示区域DA外侧的非显示区域NDA。显示装置可通过在显示区域DA中二维布置的多个像素的阵列来实施图像。

非显示区域NDA为不显示图像的区域，并且可在显示区域DA周围(例如，完全围绕显示区域DA)。在非显示区域NDA中，可布置用于为布置在显示区域DA中的显示元件提供电信号和/或电力的驱动器。在非显示区域NDA中，可布置可电连接电子元件和/或印刷电路板的焊盘。

在电子装置1中，在x轴方向上的长度和在y轴方向上的长度可彼此不同。例如，如图4中示出的，在x轴方向上的长度可比在y轴方向上的长度短。在一些实施方式中，在x轴方向上的长度可与在y轴方向上的长度相同。在一些实施方式中，在x轴方向上的长度可比在y轴方向上的长度长。

图5和图6A至图6C的描述

图5为阐释根据实施方式的作为包括发光装置的电子装置的车辆1000的外部的图。图6A至图6C各自为阐释根据一个或多个实施方式的作为包括发光装置的电子装置的车辆1000的内部的示意图。

参考图5、图6A、图6B和图6C，车辆1000可指用于将待运输的对象(比如人、物体和/或动物)从出发点移动至目的地的一个或多个适当的设备。车辆1000可包括在道路或轨道上行进的车辆、在海上和/或河上移动的船只和/或利用空气的作用在空中飞行的飞机等。

车辆1000可在道路和/或轨道上行进。车辆1000可根据至少一个车轮的旋转而在设定的或预定的方向上移动。例如，车辆1000可包括三轮车辆或四轮车辆、工程机器、两轮车辆、原动力装置、自行车和/或在轨道上行驶的火车。

车辆1000可包括具有内部和外部的车身，以及作为车身之外的其他部件，其中安装对于驱动所必要的机械设备的底盘。车身的外部可包括前面板、发动机盖、车顶面板、后面板、后备箱和/或提供在车门之间的边界处的支柱等。车辆1000的底盘可包括发电装置、电力传输装置、驱动装置、转向装置、刹车装置、悬架装置、传动装置、燃料装置、前后轮和/或左右轮等。

车辆1000可包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、仪表盘1400、中控台1500、乘客座椅仪表板1600和显示装置2。

侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可由布置在侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200之间的支柱分隔。

侧窗玻璃1100可安装在车辆1000的侧面上。在实施方式中，侧窗玻璃1100可安装在车辆1000的车门上。可提供多个侧窗玻璃1100并且可彼此面对。在实施方式中，侧窗玻璃1100可包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在实施方式中，第一侧窗玻璃1110可布置为邻近仪表盘1400。第二侧窗玻璃1120可布置为邻近乘客座椅仪表板1600。

在实施方式中，侧窗玻璃1100可在x轴方向上或在与x轴方向相反的方向上彼此间隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可在x轴方向上或在与x轴方向相反的方向上彼此间隔开。换句话说，连接侧窗玻璃1100的假想直线L可在x轴方向上或在与x轴方向相反的方向上延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120彼此连接的假想直线L可在x轴方向上或在与x轴方向相反的方向上延伸。

前窗玻璃1200可安装在车辆1000的前面。前窗玻璃1200可布置在面向彼此的侧窗玻璃1100之间。

侧视镜1300可提供车辆1000的后部的视图。侧视镜1300可安装在车辆1000的车身的外部上。在一个实施方式中，可提供多个侧视镜1300。多个侧视镜1300中的任何一个可布置在第一侧窗玻璃1110外侧。多个侧视镜1300中的另一个可布置在第二侧窗玻璃1120外侧。

仪表盘1400可布置在方向盘的前面。仪表盘1400可包括转速表、速度表、冷却剂温度表、油量表、转向指示器、远光指示器、警告灯、座椅安全带警告灯、里程表、测速计、自动挡位选择器指示灯、车门打开警告灯、机油警告灯和/或低燃料警告灯。

中控台1500可包括控制面板，用于调节音频装置、空调装置和座椅的加热器的多个按钮设置在控制面板上。中控台1500可布置在仪表盘1400的一侧上。

乘客座椅仪表板1600可与仪表盘1400间隔开，中控台1500布置在乘客座椅仪表板1600和仪表盘1400之间。在实施方式中，仪表盘1400可布置为对应于驾驶员座椅，并且乘客座椅仪表板1600可设置为对应于乘客座椅。在实施方式中，仪表盘1400可邻近第一侧窗玻璃1110，并且乘客座椅仪表板1600可邻近第二侧窗玻璃1120。

在实施方式中，显示装置2可包括显示面板3，并且显示面板3可显示图像。显示装置2可布置在车辆1000内侧。在实施方式中，显示装置2可布置在面向彼此的侧窗玻璃1100之间。显示装置2可布置在仪表盘1400、中控台1500和乘客座椅仪表板1600中的至少一个上。

显示装置2可包括有机发光显示装置、无机电致发光(EL)显示装置和/或量子点显示装置等。下文，作为根据实施方式的显示装置2，将描述根据本公开的包括发光装置的有机发光显示装置显示器作为示例，但是在实施方式中可利用如上述的一个或多个适当的类型(种类)的显示装置。

参考图6A，显示装置2可布置在中控台1500上。在实施方式中，显示装置2可显示导航信息。在实施方式中，显示装置2可显示与音频设置、视频设置或车辆设置相关的信息。

参考图6B，显示装置2可布置在仪表盘1400上。当显示装置2布置在仪表盘1400上时，仪表盘1400可通过显示装置2显示驱动信息等。例如，可数字化实施仪表盘1400。仪表盘1400可将车辆信息和驱动信息数字化显示为图像。例如，可通过数字信号来显示转速表的指针和仪表以及一个或多个适当的警告灯图标。

参考图6C，显示装置2可布置在乘客座椅仪表板1600上。显示装置2可嵌入在乘客座椅仪表板1600中或布置在乘客座椅仪表板1600上。在实施方式中，布置在乘客座椅仪表板1600上的显示装置2可显示与仪表盘1400上显示的信息和/或中控台1500上显示的信息相关的图像。在一些实施方式中，布置在乘客座椅仪表板1600上的显示装置2可显示与在仪表盘1400上显示的信息和/或在中控台1500上显示的信息不同的信息。

制造方法

空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区中包括的各个层可通过利用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适当的方法形成在特定的区中。

当空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区包括的各个层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下进行，这取决于待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构。

术语的限定

如在本文中使用的，术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂环基”指除了1至60个碳原子之外具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基的成环原子的数量可为3至61。

如在本文中使用的，术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如在本文中使用的，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基。

例如，

C₃-C₆₀碳环基可为i)基团T1或ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基可为环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为i)基团T2，ii)其中两个或更多个基团T2彼此稠合的稠环基团或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，C₁-C₆₀杂环基可吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)基团T1，ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团，iii)基团T3，iv)其中两个或更多个基团T3彼此稠合的稠环基团或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)基团T4，ii)其中至少两个基团T4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团(例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，

基团T1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

基团T2可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

基团T3可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

基团T4可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的，术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”各自指与环状基团稠合的(例如，组合在一起的)单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团和/或四价基团等)。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易理解。

取决于上下文，例如，根据参考该术语利用的式的结构，二价基团可指或为多价基团(例如，三价基团、四价基团等，并且不仅仅是二价基团)。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括(例如，可为)C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括(例如，可为)C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其具体的示例可包括(例如，可为)甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚烷基”指与C₁-C₆₀烷基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间和/或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括(例如，可为)乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚烯基”指与C₂-C₆₀烯基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间和/或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚炔基”指与C₂-C₆₀炔基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，并且其示例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和的烃环基团，并且其示例可包括(例如，可为)环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指与C₃-C₁₀环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了1至10个碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子的单价环状基团，并且具体的示例可包括(例如，可为)1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指与C₁-C₁₀杂环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。

在本文中使用的术语C₃-C₁₀环烯基指在其环中具有3至10个碳原子并且具有至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其具体的示例可包括(例如，可为)环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指与C₃-C₁₀环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环状结构中除了1至10个碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子，并且具有至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指与C₁-C₁₀杂环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例可包括(例如，可为)苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、芴基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例可包括(例如，可为)吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性的(例如，当整体考虑时不为芳族的)单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括(例如，可为)茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”指与上述单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，除了1至60个碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中没有芳香性的(例如，当整体考虑时不为芳族的)单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括(例如，可为)吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与上述的单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳氧基”指由-OA₁₀₂表示的单价基团(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳硫基”指由-SA₁₀₃表示的单价基团(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如在本文中使用的，术语“C₇-C₆₀芳烷基”指由-A₁₀₄A₁₀₅表示的单价基团(其中A₁₀₄可为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅可为C₆-C₅₉芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”指由-A₁₀₆A₁₀₇表示的单价基团(其中A₁₀₆可为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇可为C₁-C₅₉杂芳基)。

如在本文中使用的，术语“R_10a”指：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基，

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合，

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基，或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

如在本文中使用的，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

如在本文中使用的，术语“杂原子”指碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的示例为O、S、N、P、Si、B、Ge、Se和其任何组合。

如在本文中使用的，术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。

如在本文中使用的，术语“Ph”指苯基，如在本文中使用的，术语“Me”指甲基，如在本文中使用的，术语“Et”指乙基，如在本文中使用的，术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如在本文中使用的，术语“OMe”指甲氧基。

如在本文中使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如在本文中使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如在本文中使用的*和*’，除非另外限定，否则各自指与对应的式或部分中的相邻的原子的键合位点。

在本说明书中，x轴、y轴和z轴不限于正交坐标系中的三个轴，并且可在广义上解释为包括这些轴。例如，x轴、y轴和z轴可指彼此正交的轴，或可指在彼此不正交的不同方向上的轴。

下文，将参考下述合成例和实施例更详细描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成例时使用的措辞“使用B代替A”指使用相同摩尔当量的B代替A。

实施例

合成例1：化合物P01(即，化合物1)的合成

(1)制备例1：中间体P01-1的合成

将2-溴-6-碘吡啶(10.0g，0.035mol)和(2,6-二溴苯基)硼酸(11.82g，1.2mol)添加至100mL的二噁烷中，并且添加100mL的K₂CO₃的2N水溶液并且溶解在其中。在从混合物溶液去除气体后，将混合物溶液在惰性气体气氛中搅拌1小时，向其添加Pd(PPh₃)₄(4g，0.004mol)，并且然后将混合物溶液在100℃的温度下反应8小时。将反应产物过滤并且然后用水和CH₂Cl₂进行萃取，并且将有机层用Na₂SO₄干燥以获得11.6g的中间体P01-1(产率：84％)。

(2)制备例2：中间体P01-2的合成

将中间体P01-1(10g，0.026mol)添加并且溶解在100mL的无水乙醚中，在-78℃的温度条件下向其缓慢添加n-BuLi(1.96g，0.031mol)，并且然后将混合物搅拌10分钟。随后，向其添加三异丙基硼酸酯(4.8g，0.026mol)，搅拌1小时，并且然后在室温下反应2小时。向其添加20mL的HCl以终止反应，并且然后利用己烷对反应产物进行萃取，并且用MgSO₄干燥有机层。将反应产物在减压下浓缩以获得7.6g的中间体P01-2(产率：83.5％)。

(3)制备例3：中间体P01-3的合成

将甲苯(120mL)、EtOH(40mL)和H₂O(4mL)添加至中间体P01-2(7.0g，0.02mol)、苯基硼酸(4.8g，0.039mol)和Na₂CO₃(10.4g，0.098mol)并且在室温下用氮气鼓泡的同时反应30分钟。向其添加Pd(PPh₃)₄(1.13g，0.001mol)并且在95℃的温度下反应24小时。利用乙酸乙酯对反应产物进行萃取并且用盐水和Na₂SO₄干燥。在减压下去除溶剂后，将利用乙醚和CH₂Cl₂通过柱色谱纯化反应产物以获得5.67g的中间体P01-3(产率：82.3％)。

(4)制备例4：中间体P01-4的合成

将中间体P01-3(5.5g，0.016mol)和4-溴-1H-苯并[d]咪唑(3.1g，0.016mol)添加至二甲醚(100mL)、H₂O(50mL)和EtOH(50mL)，并且向其添加Na₂CO₃(6.6g，0.063mol)。在室温下将混合物用氮气鼓泡10分钟后，向其添加Pd(PPh₃)₄(0.09g，0.001mol)并且将混合物在90℃的温度下反应18小时。将反应产物用甲醇冲洗后，在减压下从其去除溶剂，并且然后利用甲醇和CH₂Cl₂通过柱色谱纯化反应产物以获得5.12g的中间体P01-4(产率：77.2％)。

(5)制备例5：中间体P01-5的合成

在0℃的温度条件下将中间体P01-4(5.5g，0.016mol)添加至100mL的DMF，并且向其缓慢添加NaH(0.34g，0.014mol)。15分钟后，将溶解在50mL的DMF中的苯磺酰氯(3.13g，0.018mol)缓慢添加至反应产物，并且在室温下反应24小时。反应终止后，将利用二氯甲烷和水进行萃取并且用MgSO₄干燥的材料浓缩并且然后通过柱色谱纯化以获得5.6g的中间体P01-5(产率：84.2％)。

(6)制备例6：中间体P01-6的合成

在-5℃的温度条件下将中间体P01-5(5.5g，0.01mol)添加至50mL的无水己烷，并且在N₂气氛中向其缓慢添加n-BuLi(1.25g，0.02mol)。30分钟后，向其添加其中将二甲基-吡啶-2-基-胺(0.4g，0.003mol)添加至10mL的己烷的溶液，并且将混合物反应1小时，并且然后将温度调节至-78℃。将三丁基氯化锡(3.81g，0.012mol)添加至反应产物，并且在-78℃的温度条件下反应1小时，并且然后在0℃的温度条件下反应1小时。将反应产物在室温下反应16小时，并且向其缓慢添加水以终止反应，随后通过向其添加二乙醚进行萃取。用Na₂SO₄将水从萃取溶液中去除，并且在减压下将溶液浓缩以获得6.7g的中间体P01-6(产率：80.5％)。

(7)制备例7：中间体P01-7的合成

将苯并[h]喹啉-10-醇(10g，0.051mol)和K₂CO₃(10.51g，0.061mol)添加至100mL的DMF，向其添加苄基溴化物(21.24g，0.15mol)，并且然后在50℃的温度条件下反应1小时。将反应产物用乙酸乙酯和水冲洗，并且然后用MgSO₄干燥。通过柱色谱分离粗产物以获得10.9g的中间体P01-7(产率：74.6％)。

(8)制备例8：中间体P01-8的合成

将中间体P01-7(10g，0.035mol)和3-氯苯甲过氧酸(9.07g，0.053mol)添加至50mL的从其去除水的CH₂Cl₂，并且在氮气气氛中在4℃的温度条件下反应48小时。将反应产物用NaHCO₃溶液冲洗并且然后在减压下从其去除溶剂。随后，利用CH₂Cl₂/EtOH通过柱色谱纯化反应产物以获得7.6g的中间体P01-8(产率：72％)。

(9)制备例9：中间体P01-9的合成

利用过量的POCl₃，准备氮气气氛的-78℃的温度条件，向其添加中间体P01-8(7g，0.023mol)，将温度调节至室温，并且然后在回流的同时搅拌混合物。反应1小时后，温度降低并且在减压下从反应产物去除POCl₃。用乙酸乙酯和Na₂SO₄溶液冲洗反应产物，并且在减压下从其去除溶剂。将反应产物在乙醚中磨碎并且然后用乙醇和乙醚冲洗。随后，将反应产物过滤以获得6.08g的中间体P01-9(产率：81.8％)。

(10)制备例10：中间体P01-10的合成

在将中间体P01-9(6g，0.019mol)添加并且溶解在300mL的乙醇中后，向其添加1g的5wt％Pd/碳催化剂，并且在60℃的温度条件下在H₂气氛中反应4小时。用过滤器过滤出5wt％Pd/碳催化剂，并且将滤液置于减压下以从其去除溶剂，并且利用己烷和乙酸乙酯通过柱色谱纯化以获得3.3g的中间体P01-10(产率：75.9％)。

(11)制备例11：中间体P01-11的合成

将中间体P01-6(6g，0.007mol)、中间体P01-10(2g，0.008mol)和Pd(PPh)₄(0.8g，0.001mol)添加至30mL的甲苯，并且在100℃的温度条件下反应18小时。利用己烷对反应产物进行萃取，并且然后浓缩以获得4.0g的中间体P01-11(产率：74.9％)。

(12)制备例12：中间体P01-12的合成

在将中间体P01-11(4g，0.005mol)添加并且溶解在30mL的甲醇中后，向其添加NaOH(1M 15mL，0.004mol)。随后，将混合物在80℃的温度条件下反应1小时。在利用CH₂Cl₂和水对反应产物进行萃取后，将有机层用MgSO₄干燥，并且然后从其去除溶剂。然后，通过柱色谱纯化反应产物以获得2.8g的中间体P01-12(产率：85.9％)。

(13)制备例13：中间体P01-13的合成

在0℃的温度条件下将中间体P01-12(2.5g，0.006mol)添加至100mL的THF，并且然后向其缓慢添加NaH(0.12g，0.005mol)，并且反应30分钟。将碘苯(1.0g，0.01mol)放入反应产物中，并且在0℃的温度条件下反应3小时。向其添加NaHCO₃溶液以终止反应后，将用乙酸乙酯对反应产物进行萃取，并且用NaHCO₃溶液、水和盐水再次冲洗。将有机层浓缩并且重结晶以获得2.43g的中间体P01-13(产率：86.6％)。

(14)制备例14：化合物P01的合成

将30mL的CH₃COOH和10mL的H₂O添加至中间体P01-13(2.4g，0.003mol)和K₂PtCl₄(1.72g，0.004mol)，并且反应16小时。利用CH₂Cl₂和H₂O对反应产物进行萃取，并且通过柱色谱纯化以获得2.21g的化合物P01(产率：72％)。通过ESI-MS和¹H-NMR确认化合物P01。

ESI-MS：m/z＝888.23[M]⁺

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃):δppm,3.42(dd,J＝7.3,2.6,4H),6.85(m,2H),7.20(m,2H),7.56(m,15H),7.77(dd,J＝7.4,2.4,1H),7.92(m,5H),8.25(d,J＝7.4,2H),8.67(d,J＝7.6,1H),8.77(d,J＝7.6,1H)

评估例1

利用表1中描述的方法，测量合成例的化合物的T1(nm)(最大发射波长)、T1(eV)和³MLCT值(％)，并且测量相对于比较例1的效率比例，并且其结果示出在表2中。

表1

表2

从表2中发现，与比较例1至比较例4的有机金属化合物相比，实施例1至实施例7的有机金属化合物具有相对较高的T1(nm)值、低的T1(eV)值、卓越的或适当的³MLCT特性以及高的效率。

根据一个或多个实施方式，使用由式1表示的有机金属化合物可确保制造具有高效率的发光装置以及包括发光装置的高质量电子设备和电子装置。

当描述本发明构思的实施方式时，“可”的使用指“本发明构思的一个或多个实施方式”。

如在本文中利用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”、“一个(one)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。进一步，当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。

在本公开中，当颗粒为球形时，“直径”指示粒径或平均粒径，并且当颗粒为非球形时，“直径”指示长轴长度或平均长轴长度。可利用扫描电子显微镜或粒度分析器来测量颗粒的直径(或尺寸)。作为颗粒尺寸分析器，可利用，例如，HORIBA，LA-950激光器颗粒尺寸分析器。当利用粒度分析器测量颗粒的尺寸时，平均粒径(或尺寸)称为D50。D50指颗粒尺寸分布(例如，累积分布)中累积体积对应于50体积％的颗粒的平均直径(或尺寸)，并且指当在从最小颗粒尺寸至最大颗粒尺寸的顺序积累的分布曲线中，颗粒的总数量为100％时，从最小颗粒起对应于50％的颗粒尺寸的值。

如在本文中使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如在本文中使用的，考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，“约”或“近似”包括叙述的值并且意指在如由本领域普通技术人员为特定的值确定的可接受的偏差的范围内。例如，“约”可意指在叙述的值的一个或多个标准偏差以内，或在叙述的值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。

并且，在本文中阐述的任何数值范围旨在包括落入阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值并且等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。在本文中阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限和本说明书中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改本说明书，包括权利要求的权利，以明确地阐述落入在本文中明确地阐述的范围内的任何子范围。

在本文中描述的根据本发明的实施方式的电子设备和/或任何其他相关装置或组件可利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实施。例如，设备的各种组件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在分开的IC芯片上。进一步，设备的各种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上实施，或形成在一个基板上。进一步，设备的各种组件可为在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行、执行计算机程序指令并且与其他系统组件交互以用于进行在本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可在使用标准存储装置比如，例如，随机存取存储器(RAM)的计算装置中实施。计算机程序指令也可存储在其他非暂时性计算机可读介质比如，例如，CD-ROM或闪存驱动器等中。并且，本领域技术人员应认识到，在不背离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可组合或集成到单个计算装置中，或特定计算装置的功能可分布在一个或多个其他计算装置上。

应理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求和其等效方案限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的一种或多种适当的改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层；以及

由式1表示的有机金属化合物：

式1

其中，在式1中，

M为铂、钯、金、镍、银或铜，

Y₁为O或S，

X₁、X₃、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁至X₃₃和X₄₁至X₄₄各自独立地为N或C，

X₅为*-N(R₅₁)-*’、*-B(R₅₁)-*’、*-P(R₅₁)-*’、*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Si(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Ge(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-S-*’、*-Se-*’、*-O-*’、*-C(＝O)-*’、*-S(＝O)-*’、*-S(＝O)₂-*’、*-C(＝S)-*’、*-N＝*’、*＝N-*’、*-C(R₅₁)＝*’、*＝C(R₅₁)-*’、*-Si(R₅₁)＝*’、*＝Si(R₅₁)-*’、*-Ge(R₅₁)＝*’或*＝Ge(R₅₁)-*’，并且*和*’各自指示与相邻的原子的键合位点，

b5为0、1、2、3或4，i)当b5为0时，X₅不存在，并且X₃₃和X₄₄不彼此连接，并且ii)当b5为2或更大时，两个或更多个X₅彼此相同或不同，

R₁至R₄、R₂₀、R₅₁和R₅₂各自独立地为由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a4各自独立地为1、2或3，

式2

其中，在式2中，

*”指示与相邻的原子的键合位点，

c1为选自0至3的整数，

c2和c3各自独立地为选自0至5的整数，

选自a1个R₁、R₂₀、a2个R₂、a3个R₃和a4个R₄中的两个或更多个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

T₁至T₃和R_10a各自独立地为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基，并且

其中所述有机金属化合物满足条件1和条件2中的至少一个：

条件1

在式1中，X₃₃和X₄₄各自为C，并且b5为1、2、3或4；

条件2

在式1中，R₁至R₄中的至少一个为由式2表示的基团。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，

所述夹层进一步包括：在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区；以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且

所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子控制层或其任何组合。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括由式1表示的所述有机金属化合物。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射最大发射波长为750nm至880nm的光。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中由式1表示的所述有机金属化合物具有11％或更大的三重态金属-至-配体电荷转移值。

6.一种包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置的电子设备。

7.根据权利要求6所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

8.一种包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置的电子装置。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述电子装置选自下述中的至少一种：

平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板手机电脑、个人数字助理、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、具有拼接在一起的多个显示器的视频墙、电影院屏幕、体育场屏幕、光疗装置和招牌。

10.一种由式1表示的有机金属化合物：

式1

其中，在式1中，

M为铂、钯、金、镍、银或铜，

Y₁为O或S，

X₁、X₃、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁至X₃₃和X₄₁至X₄₄各自独立地为N或C，

X₅为*-N(R₅₁)-*’、*-B(R₅₁)-*’、*-P(R₅₁)-*’、*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Si(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-Ge(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-S-*’、*-Se-*’、*-O-*’、*-C(＝O)-*’、*-S(＝O)-*’、*-S(＝O)₂-*’、*-C(＝S)-*’、*-N＝*’、*＝N-*’、*-C(R₅₁)＝*’、*＝C(R₅₁)-*’、*-Si(R₅₁)＝*’、*＝Si(R₅₁)-*’、*-Ge(R₅₁)＝*’或*＝Ge(R₅₁)-*’，并且*和*’各自指示与相邻的原子的键合位点，

b5为0、1、2、3或4，i)当b5为0时，X₅不存在，并且X₃₃和X₄₄不彼此连接，并且ii)当b5为2或更大时，两个或更多个X₅彼此相同或不同，

R₁至R₄、R₂₀、R₅₁和R₅₂各自独立地为由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a4各自独立地为1、2或3，

式2

其中，在式2中，

*”指示与相邻的原子的键合位点，

c1为选自0至3的整数，

c2和c3各自独立地为选自0至5的整数，

选自a1个R₁、R₂₀、a2个R₂、a3个R₃和a4个R₄中的两个或更多个任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

T₁至T₃和R_10a各自独立地为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基，并且

其中所述有机金属化合物满足条件1和条件2中的至少一个：

条件1

在式1中，X₃₃和X₄₄各自为C，并且b5为1、2、3或4；

条件2

在式1中，R₁至R₄中的至少一个为由式2表示的基团。

11.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中M为铂或钯。

12.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中X₅为*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-C(R₅₁)＝*’或*＝C(R₅₁)-*’。

13.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中b5为2。

14.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中R₁和R₂中的至少一个为由式2表示的基团。

15.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中由表示的基团由式A1-1至式A1-6中的一个表示：

其中，在式A1-1至式A1-6中，

X₁和X₁₁至X₁₄各自与式1中限定的相同，

X₁₅至X₁₈各自独立地为N或C，

Y₁₁为O、S、N(R_11a)、C(R_11b)(R_11c)或Si(R_11b)(R_11c)，

R₁₁、R_11a、R_11b和R_11c各自与式1中的R₁限定的相同，

a11为选自0至5的整数，

*’指示与相邻的碳原子的键合位点，并且

*为与M的键合位点。

16.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中R₂₀由式R20-1至式R20-6中的一个表示：

其中，在式R20-1至式R20-6中，

*指示与相邻的原子的键合位点。

17.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中所述有机金属化合物由式1A或式1B表示：

式1A

式1B

其中，在式1A和式1B中，

M、Y₁、X₁、X₃、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁、X₃₂、X₄₁至X₄₃、R₁至R₄、R₂₀、R₅₁和R₅₂各自与式1中限定的相同，

R₅₃和R₅₄各自与式1中的R₅₁限定的相同，并且

a1至a4各自独立地为1或2。

18.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中所述有机金属化合物由式1C至式1E中的一个表示：

式1C

式1D

式1E

其中，在式1C至式1E中，

M、Y₁、X₁、X₃、b5、X₁₁至X₁₄、X₂₁至X₂₃、X₃₁至X₃₃、X₄₁至X₄₄、R₁至R₄和R₂₀各自与式1中限定的相同，

Ar₁和Ar₂各自为由式2表示的基团，

a1至a4各自独立地为1或2，并且

X₅为*-C(R₅₁)(R₅₂)-*’、*-C(R₅₁)＝*’或*＝C(R₅₁)-*’。

19.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中由式1表示的所述有机金属化合物具有11％或更大的三重态金属-至-配体电荷转移值。

20.根据权利要求10所述的有机金属化合物，其中由式1表示的所述有机金属化合物为化合物1至化合物89中的一种：