CN118619996A - 有机金属化合物、有机发光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

提供了由式1表示的有机金属化合物、包含所述由式1表示的有机金属化合物的有机发光装置、以及包括所述有机发光装置的电子设备。

Description

有机金属化合物、有机发光装置及电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2023年3月7日向韩国知识产权局提交的第10-2023-0030196号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过援引整体并入本文。

技术领域

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的有机发光装置以及包括所述有机发光装置的电子设备。

背景技术

在发光装置中成为一类(种类)的有机发光装置是自发射装置，其与本领域中的装置相比，具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的或适合的特性。

有机发光装置可以包括位于衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。激子可以从激发态跃迁(即，驰豫)至基态，因此产生光。

发明内容

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及有机金属化合物、高发光效率有机发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

根据一个或多于一个的实施方案，发光装置包括：

第一电极，

面对所述第一电极的第二电极，以及

位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及

由式1表示的有机金属化合物：

式1

其中，在式1中，

Ar₁可以是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团或者二价C₁-C₆₀杂环基团，Ar₂可以是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

M可以是铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)，

X₃₁和X₃₂可以各自独立地是N、P或C(R₃₁)，

X₄₁至X₄₃可以各自独立地是N、P或C(R₄₁)，

Y₂₁、Y₂₂和Y₃₁可以各自独立地是N或P，

L₃可以是*-C(R₃₂)(R₃₃)-*'、*-C(R₃₂)＝C(R₃₃)-*'、O或S，*和*'各自是与相邻原子的结合位点，

n3可以是0至3的整数，

L₄可以是O或S，

R₂₀、R₃₁、R₄₁、R₃₂和R₃₃可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₁₀杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Ge(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

R_10a可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团，或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，以及

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团，或者

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

根据一个或多于一个的实施方案，电子设备包括所述发光装置。

根据一个或多于一个的实施方案，电子装备包括所述发光装置。

根据一个或多于一个的实施方案，提供了由式1表示的有机金属化合物。

附图说明

包括附图以提供对以上和其它方面的进一步理解，本公开内容的某些实施方案的特征和优点并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图例示出示例性实施方案，并且连同结合附图的以下描述一起用于使本公开内容的原理更加明显。在附图中：

图1是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光装置的示意性横截面视图；

图2是示出了根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光设备的示意性横截面视图；

图3是示出了根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光设备的示意性横截面视图；

图4是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的包括发光装置的电子装备的示意性透视图；

图5是例示了根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的作为包括发光装置的电子装备的交通工具的外部的视图；

图6A是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的包括包含发光装置的电子装备的交通工具的内部的示意性视图；

图6B是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的包括包含发光装置的电子装备的交通工具的内部的示意性视图；以及

图6C是根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的包括包含发光装置的电子装备的交通工具的内部的示意性视图。

具体实施方式

现在将更详细地参考本公开内容的实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的附图标记通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，通过参考附图仅描述实施方案，以解释本描述的方面。

如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。诸如“......中的至少一个(种)”、“......中的一个(种)”和“选自”的表述当在一列要素之前时，修饰整列的要素并且不修饰该列的单个要素。例如，在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，所有的a、b和c，或其变体。

本文使用的术语出于描述实施方案的目的，并且不旨在限制本文描述的实施方案。除非另外定义，在常见词典中定义的所有化学名称、技术和科学术语以及术语应被解释为具有与相关技术的背景一致的含义，并且不应以理想或过于形式的含义来解释。应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件可以被称为第一元件。

如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的单数形式旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。

应进一步理解，术语“包含(comprise)”、“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“具有(has)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(include)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时，指明规定的特征、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。

如本文使用，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可以被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”是同义的。

术语“可以”应理解为是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”，其中的一些包括描述的元件，并且其中的一些排除该元件和/或包括替代元件。类似地，诸如“或”的替代措辞是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”，其各自包括相应列出项。

应理解，当元件被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或者在另一个元件“上”时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或者直接联接至其它元件，或者也可以存在一个或多于一个的介于中间的元件。当元件被称为“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。

为了便于描述，诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“底部”、“顶部”等的空间相对术语可以在本文用于描述一个元件或特征与另一个元件或特征如附图中例示的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，如果附图中的装置被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将定向在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方向上)，并且本文使用的空间相对描述语应被相应地解释。

除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应理解，在常用词典中定义的术语应被解释为具有与在相关领域的背景下的含义相符的含义，除非本文明确定义，并且不应以理想的或过于形式的含义来解释。

在本上下文下，“基本上由……组成”意指任何额外的组分将不会实质上影响半导体膜的化学、物理、光学或电学性质。

此外，在本说明书中，短语“在平面图上”或“平面图”意指从顶部观察目标部，并且短语“在横截面上”意指从侧面观察通过垂直切割目标部而形成的横截面。

本公开内容的方面提供了由式1表示的有机金属化合物：

式1

在式1中，Ar₁可以是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团或者二价C₁-C₆₀杂环基团。Ar₂可以是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₁可以是各自未取代的或被R_10a取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团或二价非芳香族稠合杂多环基团。R_10a与本文中描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₁可以由式2表示：

式2

式2中的X₁₁至X₁₆可以各自独立地是N、P、CH或C(R_10a)。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₁可以是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的亚萘基基团、亚喹啉基基团或者亚异喹啉基基团。R_10a与本文中描述的相同。*和*'各自是与相邻原子的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₁可以是由选自式2-1至式2-7中的任一个表示的基团：

在式2-1至式2-7中，a5可以是0至5的整数，并且a6可以是0至6的整数。*是与M的结合位点，并且*'是与相邻原子的结合位点。R_10a与本文中描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₂可以是C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团或单价非芳香族杂(例如，杂环)稠合多环基团。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₂可以是选自由式3-1至式3-6表示的基团中的任一种。

式3-1至式3-6中的R₂₁、R₂₂和R₂₃可以各自独立地是各自未取代的或被氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C₁-C₁₀烷基基团、C₂-C₁₀烯基基团、C₂-C₁₀炔基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、C₃-C₆环烷基基团、C₁-C₆杂环烷基基团、C₃-C₆环烯基基团、C₂-C₆杂环烯基基团、C₆-C₁₀芳基基团、C₆-C₁₀芳氧基基团、C₆-C₁₀芳硫基基团、C₁-C₁₀杂芳基基团、C₁-C₁₀杂芳氧基基团、C₁-C₁₀杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Ge(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或其组合取代的C₁-C₂₀烷基基团或C₆-C₂₀芳基基团。

在式3-1至式3-6中，b3可以是0至3的整数，b2可以是0至2的整数，b4可以是0至4的整数，并且b5可以是0至5的整数。*是与相邻原子的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，Ar₂可以是由式3-1表示的基团。

式1中的M可以是铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)。

在一个或多于一个的实施方案中，M可以是铂(Pt)或钯(Pd)。

式1中的X₃₁和X₃₂可以各自独立地是N、P或C(R₃₁)。在一个或多于一个的实施方案中，X₃₁和X₃₂可以各自独立地是N或C(R₃₁)。

在一个或多于一个的实施方案中，可以排除(例如，不包括)其中X₃₁和X₃₂同时地(例如，同时)是N的情况。

式1中的X₄₁至X₄₃可以各自独立地是N、P或C(R₄₁)。在一个或多于一个的实施方案中，X₄₁至X₄₃可以各自独立地是N或C(R₄₁)。

在一个或多于一个的实施方案中，可以排除(例如，不包括)其中X₄₁至X₄₃的两个或多于两个是N的情况。

Y₂₁、Y₂₂和Y₃₁可以各自独立地是N或P。在一个或多于一个的实施方案中，Y₂₁、Y₂₂和Y₃₁可以各自是N。

在式1中，L₃可以是*-C(R₃₂)(R₃₃)-*'、*-C(R₃₂)＝C(R₃₃)-*'、O或S，并且n3可以是0至3的整数。*和*'各自是与相邻原子的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，式1中的*-(L₃)_n3-*'可以是选自由式4-1至式4-4表示的基团中的一种：

可以通过参考本文提供的R₃₂的描述来理解R_32a和R_32b，并且可以通过参考本文提供的R₃₃的描述来理解R_33a和R_33b。*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，当L₃是*-C(R₃₂)(R₃₃)-*'时，n3是2。

在一个或多于一个的实施方案中，当L₃是*-C(R₃₂)＝C(R₃₃)-*'、O或S时，n3可以是1。

式1中的L₄可以是O或S。

式1中的R₂₀、R₃₁、R₄₁、R₃₂和R₃₃可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₁₀杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Ge(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。

在一个或多于一个的实施方案中，R₂₀、R₃₁、R₄₁、R₃₂和R₃₃可以各自独立地选自氢、氘；以及各自未取代的或被R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、C₂-C₂₀烯基基团、C₂-C₂₀炔基基团、C₃-C₆环烷基基团、C₃-C₆环烯基基团和C₆-C₂₀芳基基团。

R_10a可以是氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)、或其组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；各自未取代的或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

在一个或多于一个的实施方案中，由式1表示的有机金属化合物可以是选自化合物1至化合物79中的任一种。

由式1表示的有机金属化合物满足以上描述的结构，使得三重态金属-配体电荷转移(³MLCT)的比率高，并且因此可以改善发光效率。因此，包含由式1表示的有机金属化合物的有机发光装置可以具有高发光效率。

在发光装置(例如，有机发光装置)中可以使用至少一种由式1表示的有机金属化合物。

根据一个方面，提供了有机发光装置，所述有机发光装置包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、设置在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层、以及如本说明书中描述的由式1表示的有机金属化合物。

在一个或多于一个的实施方案中，有机金属化合物可以包含在中间层中。在一个或多于一个的实施方案中，有机金属化合物可以包含在发射层中。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以进一步包含主体，并且主体的量可以大于有机金属化合物的量。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含掺杂剂和主体，并且由式1表示的有机金属化合物可以包括在掺杂剂中。例如，有机金属化合物可以用作掺杂剂。

在一个或多于一个的实施方案中，第一电极可以是阳极，并且第二电极可以是阴极。中间层可以进一步包括提供在第一电极与发射层之间的空穴传输区和提供在发射层与第二电极之间的电子传输区。空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、缓冲层或其任意组合。电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以旨在发射(例如，配置成发射)红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光。例如，发射层可以旨在发射(例如，配置成发射)红色光。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以旨在发射(例如，配置成发射)具有约580nm至约680nm的最大发射波长的光。

例如，由发射层发射的光的最大发射波长可以是约580nm至约660nm、约600nm至约680nm、或约600nm至约660nm。

在一个或多于一个的实施方案中，由式1表示的有机金属化合物具有通过密度泛函理论(DFT)方法评价的10或大于10的³MLCT(％)。³MLCT(％)是指三重态金属-配体电荷转移态(³MLCT)的存在比率(％)。³MLCT(％)可以通过密度泛函理论(DFT)方法来评价，并且可以通过参考评价例1来理解。

在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以包括位于第一电极外部和/或第二电极外部的覆盖层。

在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以进一步包括选自位于第一电极外部的第一覆盖层和位于第二电极外部的第二覆盖层中的至少一个，并且由式1表示的有机金属化合物可以包含在选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个中。关于第一覆盖层和/或第二覆盖层的更多细节如本说明书中描述。

在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以包括提供在第一电极外部并且包含由式1表示的有机金属化合物的第一覆盖层、提供在第二电极外部并且包含由式1表示的有机金属化合物的第二覆盖层、或者第一覆盖层和第二覆盖层。

如本文使用的措辞“(中间层和/或覆盖层)包含有机金属化合物”可以理解为“(中间层和/或覆盖层)可以包含一个种类的由式1表示的有机金属化合物或者各自由式1表示的两个不同种类的有机金属化合物”。

如本文使用的术语“中间层”是指在发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。

根据一个方面，提供了包括有机发光装置的电子设备。

根据一个方面，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。

根据一个方面，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。关于电子设备的更多细节，可以参考本文提供的相关描述。

根据另一个方面，提供了包括如描述的有机发光装置的电子装备。

在一个或多于一个的实施方案中，电子装备可以是平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、室内灯或户外灯和/或信号灯、平视显示器、全透明显示器或部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、便携式电话、平板个人计算机、平板电话、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器或增强现实显示器、交通工具、具有拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场屏幕或体育场屏幕、光疗装置或标志牌。电子装备的更多细节可以参考本文提供的描述。

图1的描述

图1是根据一个或多于一个的实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

在下文，将参考图1描述根据一个或多于一个的实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下或第二电极150上。作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的或适合的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。如本文使用的术语“高功函数材料”是指需要相对大量的能量以从其表面发射电子的物质(例如，金属或金属合金)。

第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合。

第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间层130

中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。

中间层130可以进一步包括位于第一电极110与发射层之间的空穴传输区和位于发射层与第二电极150之间的电子传输区。

除了一种或多于一种的适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)位于两个或多于两个的发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构。在一个或多于一个的实施方案中，每种结构的层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物和/或其任意组合：

式201

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，*和*'各自是与相邻原子的结合位点，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，以及

na1可以是1至4的整数。R_10a与本文中描述的相同。

例如，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：

在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可以各自如关于R_10a描述的，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被如以上描述的R_10a取代(例如，替代)。

在一个或多于一个的实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R₂₀₁可以是由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由选自式CY204至式CY207中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由选自式CY201至式CY217中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区可以包含选自化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种和/或其任意组合：

空穴传输区的厚度可以是约50埃至约例如，约 至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约 至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少从发射层至空穴传输区的电子泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5电子伏特(eV)或小于-3.5eV。

在一个或多于一个的实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

醌衍生物的实例是TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基基团的化合物的实例是HAT-CN和由式221表示的化合物。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，R_10a与本文中描述的相同，以及

选自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是：各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或者其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其任意组合。

金属的实例是碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例是硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的实例是氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的实例是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例是钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例是LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例是BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例是锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的实例可以是YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃等。

准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例是碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

[中间层130中的发射层]

当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。

发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含量子点。

在一些实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可以是约至约例如，约至约 当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的或适合的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

[主体]

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包含由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21。

在式301中，

Ar₃₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₃₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是1至5的整数，R_10a与本文中描述的相同，以及

Q₃₀₁至Q₃₀₃各自与本文关于Q₁描述的相同。

例如，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₃₀₁可以经由单键彼此连接。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可以是O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可以各自与本文描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与本文关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与本文关于xb1描述的相同，以及

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可以各自与本文关于R₃₀₁描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意组合。例如，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括：选自化合物H1至化合物H128；9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)；2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)；9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)；4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)；1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)；1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种；和/或其任意组合：

[磷光掺杂剂]

磷光掺杂剂可以是由式1表示的有机金属化合物。

在一个或多于一个的实施方案中，磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，*和*'各自是与相邻原子的结合位点，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自与本文关于Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自与本文关于Q₁描述的相同，R_10a与本文中描述的相同，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，选自L₄₀₁的两个或多于两个中的两个环A₄₀₁可以任选地经由T₄₀₂(其是连接基团)彼此键合，并且选自L₄₀₁的两个或多于两个中的两个环A₄₀₂可以任选地经由T₄₀₃(其是连接基团)彼此键合(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可以各自如本文关于T₄₀₁描述。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。例如，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰基丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷的基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。

磷光掺杂剂可以包括，例如，选自化合物PD1至化合物PD39中的一种和/或其任意组合：

[荧光掺杂剂]

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。

例如，荧光掺杂剂可以包含由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，R_10a与本文中描述的相同，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。

在一个或多于一个的实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：选自化合物FD1至化合物FD37；DPVBi；DPAVBi中的一种；和/或其任意组合：

[延迟荧光材料]

发射层可以包含延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。

根据包含在发射层中的其它材料的类型或种类，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。

在一个或多于一个的实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团和缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，以及ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(B)的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的实例可以包括选自化合物DF1至化合物DF14中的至少一种：

[量子点]

发射层可以包含量子点。

如本文使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射一种或多于一种的适合的发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可以是例如约1纳米(nm)至约10nm。

可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺和/或与其类似的任何工艺合成量子点。

湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位到量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长。因此，通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)控制量子点颗粒的生长比通过气体沉积方法更方便和经济。

量子点可以包括II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者其任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例可以是：二元化合物，例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或者其任意组合。

III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或者其任意组合。在一些实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以是InZnP、InGaZnP和InAlZnP。

III-VI族半导体化合物的实例可以是：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃或InTe；三元化合物，例如InGaS₃或InGaSe₃；以及其任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的实例可以是：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或者其任意组合。

IV-VI族半导体化合物的实例可以是：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、或SnPbTe；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或者其任意组合。

IV族元素或化合物可以包括：单一元素材料，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC或SiGe；或者其任意组合。

包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以基本上均匀的浓度或基本上非均匀的浓度存在于颗粒中。

在一些实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中量子点中的每种元素的浓度是基本上均匀的，或者核-壳双重结构。例如，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以充当防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心降低。

量子点的壳的实例可以是金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物和/或其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例可以是二元化合物，例如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO；三元化合物，例如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄；及其任意组合。半导体化合物的实例可以是如本文描述的II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；和/或其任意组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。在一些实施方案中，因为由量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善广视角。

在一些实施方案中，量子点可以是球形纳米颗粒、角锥形纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板的形式。

因为能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有一种或多于一种的适合的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射一种或多于一种的适合的波长的光的发光装置。在一个或多于一个的实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。在一些实施方案中，可以将量子点的尺寸配置成通过一种或多于一种的适合的颜色的光的组合来发射白色光。

[中间层130中的电子传输区]

电子传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层依次堆叠。

在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

例如，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自与本文关于Q₁描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，

可以满足选自以下条件中的至少一个：Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团；R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团；以及L₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在其它实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的蒽基团。R_10a与本文中描述的相同。

在其它实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自与本文关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可以各自与本文关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自与本文关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。R_10a与本文中描述的相同。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包含：选自化合物ET1至化合物ET45；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)；4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)；Alq₃；BAlq；TAZ；NTAZ；TSPO1中的一种；和/或其任意组合：

电子传输区的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。

电子注入层可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，例如Li₂O、Cs₂O或K₂O；碱金属卤化物，例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)选自碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的至少一种，和ii)键合至金属离子(即，选择的金属离子)的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以包括以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约至约并且例如，约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

[第二电极150]

第二电极150可以位于具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。如本文使用的术语“低功函数材料”是指需要相对少或低的量的能量以从其表面发射电子的物质(例如，金属或金属合金)。

第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。

[覆盖层]

第一覆盖层可以位于第一电极110外部(以及，例如，在第一电极110上)和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部(以及，例如，在第二电极150上)。例如，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按规定的顺序依次堆叠的结构。

发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。

第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以增强或改善发光装置10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有1.6或大于1.6(在589nm处)的折射率的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。

在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。

例如，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含选自化合物HT28至化合物HT33中的一种、选自化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB和/或其任意组合：

[膜]

由式1表示的有机金属化合物可以包含在一种或多于一种的适合的膜中。根据一个或多于一个的实施方案，可以提供包含由式1表示的有机金属化合物的膜。膜可以是，例如，光学构件(或光控制构件或组件)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率增强层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、光吸收层等)、保护构件(例如，绝缘层、介电层等)。

[电子设备]

发光装置可以被包括在一种或多于一种的适合的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光行进的至少一个方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。关于发光装置的细节，可以参考以上提供的相关描述。在一个或多于一个的实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。

滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。特别地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含(例如，可以排除)量子点。关于量子点的细节，可以参考本文提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体。

例如，发光装置可以旨在发射(例如，配置成发射)第一光，第一区域可以旨在吸收(例如，配置成吸收)第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以旨在吸收(例如，配置成吸收)第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以旨在吸收(例如，配置成吸收)第一光以发射第三-第一颜色光。在这点上，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。在一个或多于一个的实施方案中，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且并行地(例如，同时地)防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的一个或多于一个的层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，一种或多于一种的适合的其它功能层可以额外地位于密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于一种或多于一种的适合的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一种或多于一种的适合的测量仪器、仪表(例如，用于交通工具、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。

[电子装备]

发光装置可以被包括在一种或多于一种的适合的电子装备中。

例如，包含发光装置的电子装备可以是平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告牌、用于室内或户外照明的灯和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可伸缩显示器、激光打印机、电话、移动电话、平板电脑、平板电话、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟或增强现实显示器、交通工具、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场或体育场屏幕、光疗装置和标志牌。

发光装置可以具有在发光效率和长使用寿命方面优异的或适合的效果，并且因此包括发光装置的电子装备可以具有诸如高亮度、高分辨率和低功耗的特点。

[图2和图3的描述]

图2是示出根据一个或多于一个的实施方案的发光设备的横截面视图。

图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。

TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以位于栅电极240与源电极260之间以及位于栅电极240与漏电极270之间以使彼此绝缘。

源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以定位成接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以位于钝化层280上。钝化层280可以定位成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以定位成连接至漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一个或多于一个的实施方案中，中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以定位成公共层的形式。

第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。

封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上以保护发光装置免于湿气和/或氧气的影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的任意组合。

图3示出了示出根据一个或多于一个的实施方案的发光设备的横截面视图。

图3的发光设备与图2的发光设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多于一个的实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。

[图4的描述]

图4是根据一个或多于一个的实施方案的包括发光装置的电子装备1的示意性透视图。电子装备1可以是作为显示移动图像或静止图像的装置设备的便携式电子装备，例如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航或超移动PC(UMPC)，以及一种或多于一种的适合的产品，例如电视、膝上型计算机、监视器、标志牌或物联网(IoT)装置。电子装备1可以是以上的此类产品或者其部件。在一些实施方案中，电子装备1可以是可穿戴装置，例如智能手表、手表电话、眼镜型或眼镜类显示器或头戴式显示器(HMD)，或者可穿戴装置的部件。然而，实施方案不限于此。例如，电子装备1可以是交通工具的仪器面板和中央面板上的中央信息显示器(CID)或仪表板、交通工具的代替侧视镜的室内镜显示器、用于交通工具后座的娱乐显示器或布置在前座的背面上的显示器、安装在交通工具的前面或投影在前窗玻璃上的平视显示器(HUD)或计算机生成的全息增强现实平视显示器(CGH AR HUD)。为了便于解释，图4例示出其中电子装备1是智能电话的情况。

电子装备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示装置可以通过二维地布置在显示区域DA中的多个像素的阵列来实现图像。

非显示区域NDA是不显示图像的区域，并且可以完全围绕显示区域DA。在非显示区域NDA中，可以布置用于向布置在显示区域DA中的显示装置提供电信号或电力的驱动器。在非显示区域NDA中，可以布置焊盘，所述焊盘是电子元件或印刷电路板可以电连接至其的区域。

在电子装备1中，x轴方向上的长度和y轴方向上的长度可以彼此不同。例如，如图4中显示，x轴方向上的长度可以比y轴方向上的长度更短。在一个或多于一个的实施方案中，x轴方向上的长度可以与y轴方向上的长度相同。在一个或多于一个的实施方案中，x轴方向上的长度可以比y轴方向上的长度更长。

[图5和图6A至图6C的描述]

图5是例示出作为根据一个或多于一个的实施方案的包括发光装置的电子装备的交通工具1000的外部的图。图6A至图6C各自是示意性地例示出根据一个或多于一个的适合的实施方案的交通工具1000的内部的视图。

参考图5、图6A、图6B和图6C，交通工具1000可以是指将诸如人、物体或动物的待运输个体对象从出发点移动到目的地的一种或多于一种的适合的设备。交通工具1000可以包括在道路或轨道上行驶的交通工具(例如，汽车)、在海上或河流上移动的船、以及利用空气的作用在空中飞行的飞机等。

交通工具1000可以在道路或轨道上行驶。交通工具1000可以根据至少一个车轮的旋转在设定或预定方向上移动。例如，交通工具1000可以包括三轮或四轮交通工具、建筑机械、两轮交通工具、原动机装置、自行车和在轨道上行驶的火车。

交通工具1000可以包括具有内部和外部的主体，以及其中安装有作为除主体之外的其余部件的驾驶所必须的机械设备的底盘。交通工具主体的外部可以包括前板、阀盖、顶板、后板、行李箱和提供在门之间的边界处的填充件等。交通工具1000的底盘可以包括发电装置、动力传输装置、驱动装置、转向装置、制动装置、悬挂装置、传动装置、燃油装置、前后轮、左右轮等。

交通工具1000可以包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、集群件1400、中央面板1500、乘客座位仪表板1600和显示装置2。

侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可以由布置在侧窗玻璃1100与前窗玻璃1200之间的填充物分隔。

侧窗玻璃1100可以安装在交通工具1000的侧面上。在一个或多于一个的实施方案中，侧窗玻璃1100可以安装在交通工具1000的门上。多个侧窗玻璃1100可以提供并且可以彼此面对。在一个或多于一个的实施方案中，侧窗玻璃1100可以包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在一个或多于一个的实施方案中，第一侧窗玻璃1110可以被布置成与集群件1400相邻。第二侧窗玻璃1120可以被布置成与乘客座位仪表板1600相邻。

在一个或多于一个的实施方案中，侧窗玻璃1100可以在x轴方向或与x轴方向相反的方向上彼此间隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可以在x轴方向或与x轴方向相反的方向上彼此间隔开。换而言之，连接侧窗玻璃1100的虚拟直线L可以在x轴方向或与x轴方向相反的方向上延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120彼此连接的虚拟直线L可以在x轴方向或与x轴方向相反的方向上延伸。

前窗玻璃1200可以安装在交通工具1000的前面。前窗玻璃1200可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。

侧视镜1300可以提供交通工具1000的后视图。侧视镜1300可以安装在交通工具主体的外部。在一个实施方案中，可以提供多个侧视镜1300。多个侧视镜1300中的任一个可以布置在第一侧窗玻璃1110的外部。多个侧视镜1300中的另一个可以布置在第二侧窗玻璃1120的外部。

集群件1400可以布置在方向盘的前面。集群件1400可以包括转速计、速度计、冷却剂温度计、燃料计、转向指示器、远光指示器、警示灯、安全带警示灯、里程表、行程表、自动变速器选择杆指示灯、开门警示灯、机油警示灯和/或低燃料警示灯。

中央面板1500可以包括控制面板，在所述控制面板上提供有用于调节音频装置、空调装置和座位加热器的多个按钮。中央面板1500可以布置在集群件1400的一侧上。

乘客座位仪表板1600可以与集群件1400间隔开，在它们之间布置有中央面板1500。在一个或多于一个的实施方案中，集群件1400可以布置成对应于驾驶员座位，并且乘客座位仪表板1600可以提供成对应于乘客座位。在一个或多于一个的实施方案中，集群件1400可以与第一侧窗玻璃1110相邻，并且乘客座位仪表板1600可以与第二侧窗玻璃1120相邻。

在一个或多于一个的实施方案中，显示装置2可以包括显示面板3，并且显示面板3可以显示图像。显示装置2可以布置在交通工具1000的内部。在一个或多于一个的实施方案中，显示装置2可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。显示装置2可以布置在集群件1400、中央面板1500和乘客座位仪表板1600中的至少一个上。

显示装置2可以包括有机发光显示装置、无机电致发光(EL)显示装置、量子点显示装置等。在下文，作为根据一个或多于一个的实施方案的显示装置2，将包括根据本公开内容的发光装置的有机发光显示装置描述为实例，但在实施方案中可以使用如以上描述的一种或多于一种的适合的类型(种类)的显示装置。

参考图6A，显示装置2可以布置在中央面板1500上。在一个或多于一个的实施方案中，显示装置2可以显示导航信息。在一个或多于一个的实施方案中，显示装置2可以显示音频、视频或关于交通工具设置的信息。

参考图6B，显示装置2可以被布置在集群件1400上。当显示装置2布置在集群件1400上时，集群件1400可以通过显示装置2显示驾驶信息等。例如，可以数字地实现集群件1400。集群件1400可以将交通工具信息和驾驶信息显示为图像。例如，转速计的针和量规以及一种或多于一种的适合的警示灯图标可以通过数字信号显示。

参考图6C，显示装置2可以布置在乘客座位仪表板1600上。显示装置2可以嵌入在乘客座位仪表板1600中或者布置在乘客座位仪表板1600上。在一个或多于一个的实施方案中，布置在乘客座位仪表板1600上的显示装置2可以显示与显示在集群件1400上的信息和/或显示在中央面板1500上的信息相关的图像。在一个或多于一个的实施方案中，布置在乘客座位装置表板1600上的显示装置2可以显示与显示在集群件1400上的信息和/或显示在中央面板1500上的信息不同的信息。

[制造方法]

可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约0.01埃/秒(/秒)至约100/秒的沉积速度进行沉积。

[术语的定义]

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如，3个至30个、3个至20个、3个至15个、或3个至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团具有3个至61个成环原子(例如，3个至30个、3个至20个、3个至15个、或3个至10个成环原子)。

如本文使用的“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如，3个至30个、3个至20个、3个至15个、或3个至10个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)以及包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

例如，

C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1或者ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多于两个的基团T2彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合的稠合环状基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多于两个的基团T3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多于两个的基团T4彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、富π电子的C₃-C₆₀环状基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在一个或多于一个的实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。

取决于上下文，根据例如与使用的术语相关的式的结构，二价基团可以是指或是多价基团(例如，三价、四价等，并且不仅是二价)。

在一些实施方案中，单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其具体实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例是乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且具体实例是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团相同的结构的二价基团。

本文使用的术语C₃-C₁₀环烯基基团是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其具体实例是环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6个至30个、6个至20个、6个至15个、或6个至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6个至30个、6个至20个、6个至15个、或6个至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的实例是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如，8个至30个、8个至20个、8个至15个、或8个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如，1个至30个、1个至20个、1个至15个、或1个至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”表示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”表示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)。

本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基基团”是指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基基团，并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基基团)，并且本文使用的术语C₂-C₆₀杂芳基烷基基团”是指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基基团，并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基基团)。

如本文使用的术语“R_10a”是指：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

本文使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或者C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子，并且杂原子的数量可以是1至10，例如1、2、3、4或5。杂原子的实例是O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任意组合。

本文使用的术语“过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

在本说明书中，x轴、y轴和z轴不局限于正交坐标系中的三个轴，并且可以以包括这些轴的广泛含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以是指彼此正交的那些，或者可以是指在彼此不正交的不同方向上的那些。

术语例如“基本上”、“约”和“近似地”用作相对的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到与该量的测量相关的限制和误差，它们可以包括规定值和由本领域普通技术人员确定的可接受的偏差范围。例如，“约”可以是指一个或多于一个的标准偏差，或者规定值的±30％、±20％、±10％、±5％。

本文公开的数值范围包括并且旨在公开相同数值精度的所有被归入的子范围。例如，“1.0至10.0”的范围包括具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如以2.4至7.6为例。申请人因此保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。

可以使用任何适合的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文描述的本公开内容的实施方案的发光装置和/或任何其它相关的装置或组件。例如，发光装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带式封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或多于一个的计算装置中的一个或多于一个的处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文描述的各种功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应认识，在不背离本公开内容的实施方案的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多于一个的其它计算装置分布。

在本公开内容中，当颗粒是球形的时，“直径”表示平均颗粒直径，并且当颗粒是非球形的时，“直径”表示长轴长度。颗粒的直径(或尺寸)可以通过颗粒尺寸分析、动态光散射、扫描电子显微镜和/或透射电子显微镜照相来测量。当使用颗粒尺寸分析仪测量颗粒的尺寸时，平均颗粒直径(或尺寸)可以被称为D50。本文使用的术语“D50”是指其累积体积对应于颗粒尺寸分布(例如，累积分布)中的50体积％的颗粒的平均直径(或尺寸)，并且是指在以最小颗粒尺寸至最大颗粒尺寸的顺序累积的分布曲线中当颗粒的总数量是100％时，对应于距最小颗粒50％的颗粒尺寸的值。可以用HORIBALA-950激光颗粒尺寸分析仪进行颗粒尺寸分析。

在下文，将参考以下合成例和实施例更详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用B代替A”是指使用等摩尔当量的B代替A。

实施例

合成例1(化合物37的合成)

制备例1：中间体37-1的合成

在0℃的温度下，将乙二胺(19.62g，0.326mol)添加至1-萘甲腈(10g，0.065mol)。然后将五硫酸磷(phosphorous pentasulfate)(0.29g，0.001mol)添加至其中，并且在100℃下将反应进行8小时。将反应物的温度降低至0℃并且将水添加至其中以终止反应。将沉淀物通过过滤器过滤，用水和二乙醚洗涤，并且干燥以获得10.3g的中间体37-1(产率：80.4％)。

制备例2：中间体37-2的合成

将100mL的N,N'-二甲基亚丙基脲添加至中间体37-1(10g，0.051mol)和二氧化锰(44.3g，0.51mol)中，并且在150℃的温度下进行反应。此后一小时，将温度冷却至室温，添加盐酸羟胺的水溶液，并且使用乙酸乙酯对其进行萃取。然后，将萃取的溶液用盐水溶液洗涤，通过MgSO₄去除水分，并且将溶剂蒸发。通过添加异丙醚的研磨来纯化粗产物，并且通过过滤去除沉淀。将滤液在减压下浓缩并且通过柱色谱法纯化以获得8.13g的中间体37-2(产率：82.1％)。

制备例3：中间体37-3的合成

在0℃的温度下，将中间体37-2(8g，0.041mol)添加至100mL的DMF，并且将NaH(1.19g，0.049mol)缓慢添加至其中。15分钟后，将溶解在100mL的DMF中的苯磺酰氯(10.91g，0.062mol)的溶液缓慢添加至反应物，并且在室温下将反应进行24小时。在反应完成后，通过使用二氯甲烷和水对其进行萃取过程。将萃取的溶液经MgSO₄干燥并且浓缩。通过柱色谱法纯化浓缩物以获得9.89g的中间体37-3(产率：71.8％)。

制备例4：中间体37-4的合成

在-5℃的温度下，将中间体37-3(10g，0.03mol)添加至100mL的无水己烷，并且在N₂气氛下，缓慢添加n-BuLi(3.83g，0.06mol)。30分钟后，添加20mL己烷中的二甲基-吡啶-2-基-胺(1.22g，0.01mol)的溶液并且反应1小时，随后放置在-78℃的温度下。将三丁基氯锡烷(11.68g，0.036mol)添加至反应物，并且在-78℃的温度下反应1小时，随后在0℃下进一步反应1小时。在室温条件下进一步反应18小时后，缓慢添加水以终止反应，并且通过使用二乙醚对其进行萃取过程。在用Na₂SO₄去除水后浓缩萃取的溶液以获得11.56g的中间体37-4(产率：60.6％)。

制备例5：中间体37-5的合成

在0℃下，将苯并[h]喹啉-10-醇(10g，0.051mol)溶解于300mL的CH₂Cl₂中，并且将3-氯过氧苯甲酸(10.61g，0.061mol)添加至其中，并且搅拌2小时。通过过滤去除未溶解的材料并且用CH₂Cl₂洗涤，并且在减压下浓缩滤液。将60mL的2％氨水添加至浓缩的材料中并且搅拌12小时。将沉淀物通过过滤器收集，用水洗涤，并且在减压下去除溶剂以获得7.6g的中间体37-5(产率：70.2％)。

制备例6：中间体37-6的合成

将中间体37-5(7g，0.033mol)溶解于250mL的甲苯中，并且将三氯氧磷(25.4g，0.166mol)添加至其中，并且在80℃的温度下搅拌2小时。将反应物冷却至室温，在减压下去除溶剂。将粗材料用EtOAc萃取并且依次使用NaHCO₃和NaCl水溶液洗涤。将洗涤的溶液用Na₂SO₄干燥，并且然后使其经受减压，以及将溶剂从其中去除以获得5.8g的中间体37-6(产率：76.2％)。

制备例7：中间体37-7的合成

将中间体37-4(10g,0.016mol)、中间体37-6(4.32g,0.019mol)和Pd(PPh₃)₄(1.81g,0.002mol)添加至70mL的甲苯，并且在100℃的温度下将反应进行18小时。将产物用己烷萃取并且浓缩以获得6.5g的中间体37-7(产率：79.3％)。

制备例8：中间体37-8的合成

将中间体37-7(6g,0.011mol)添加至并且溶解在50mL的甲醇中，并且然后将NaOH(1M 40mL,0.008mol)添加至其中，并且在80℃的温度下将反应进行1小时。将产物使用CH₂Cl₂和水萃取，并且然后将有机层使用MgSO₄干燥，通过从其中去除溶剂来浓缩。通过柱色谱法纯化浓缩物以获得3.34g的中间体37-8(产率：75.8％)。

制备例9：中间体37-9的合成

将50mL的CH₃COOH和15mL的H₂O添加至中间体37-8(3g，0.008mol)和K₂PtCl₄(3.86g,0.009mol)中，并且将反应进行16小时。将产物使用CH₂Cl₂和H₂O萃取，并且然后通过柱色谱法纯化以获得2.86g的中间体37-9(产率：63.6％)。

制备例10：化合物37的合成

在0℃的温度下，将中间体37-9(2.5g，0.004mol)添加至100mL的THF中，并且将NaH(0.12g，0.005mol)缓慢添加至其中，并且将反应进行30分钟。将2'-碘-(1,1',3',1”)三联苯(1.84g，0.005mol)添加至反应物，并且然后在0℃的温度下将反应进行3小时。然后，将NaHCO₃添加至其中以终止反应，并且通过使用乙酸乙酯对其进行萃取过程。将滤液再次用NaHCO₃、水和盐水洗涤。将有机层浓缩，并且然后重结晶以获得2.46g化合物37(产率：70.6％)。

ESI-MS:m/z＝808.18[M]⁺

¹H-NMR(500MHz,CDCl₃):δppm,6.54(dd,J＝7.6,2.8Hz,1H),7.28(m,8H),7.38～8.13(m,16H)8.58(dd,J＝7.4,2.6Hz,1H),9.33(s,1H)。

通过参考合成路径和原始材料，本领域技术人员可以容易地认识到除了合成例1中合成的化合物之外的化合物的合成方法。

评价例1：化合物的能量性质的评价

测量化合物D37、化合物D39、化合物D40、化合物D41、化合物D43、化合物D45、化合物D46、化合物D47、化合物D48、化合物D53至化合物D63、化合物D65、化合物D66、化合物D68至化合物D75、化合物D77和化合物D79以及比较化合物R01至比较化合物R07的最大发射波长(纳米(nm))、发光T1能级(电子伏特(eV))、HOMO能级(eV)、LUMO能级(eV)和³MLCT比率(％)值，并且结果示于表1中。

例如，通过使用循环伏安法(CV)(电解质：0.1M Bu₄NPF₆/溶剂：二甲基甲酰胺(DMF)/电极：3电极系统(工作电极：GC，参考电极：Ag/AgCl，辅助电极：Pt))，获得每种化合物的电势(V)-电流(A)图，并且然后，从图的氧化起始点，计算化合物的HOMO能级。例如，通过使用循环伏安法(CV)(电解质：0.1M Bu₄NPF₆/溶剂：二甲基甲酰胺(DMF)/电极：3电极系统(工作电极：GC，参考电极：Ag/AgCl，辅助电极：Pt))，获得每种化合物的电势(V)-电流(A)图，并且然后，从图的还原起始点，计算化合物的LUMO能级。通过使用高斯(Gaussian)程序的密度泛函理论(DFT)方法在B3LYP/6-311G(d,p)水平下计算结构优化后的³MLCT的比率(％)来获得3个三重态金属-配体电荷转移(³MLCT)(％)值。

表1

通过表1，可以确认，根据本公开内容的有机金属化合物应具有比比较化合物R01至比较化合物R05更高的³MLCT比率值。

实施例1

作为阳极，将具有15欧姆/平方厘米(Ω/cm²)(1,200埃)ITO形成在其上的玻璃衬底(康宁有限公司(Corning Inc.)的产品)切割成50毫米(mm)x 50mm x 0.7mm的尺寸，通过使用异丙醇和纯水各自超声5分钟，通过紫外线照射和将其暴露于臭氧30分钟进行清洁，并且然后固定在真空沉积设备上。

将HT3真空沉积在ITO阳极上以形成具有的厚度的空穴传输层，并且将HT40真空沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射辅助层。

将化合物H125、化合物H126和化合物37(第一发射体)以45:45:10的重量比真空沉积在发射辅助层上以形成具有的厚度的发射层。

将化合物ET37真空沉积在发射层上以形成具有的厚度的缓冲层，并且将化合物ET46和Liq以5:5的重量比真空沉积在缓冲层上以形成具有的厚度的电子传输层。随后，将Yb真空沉积在电子传输层上以形成具有的厚度的电子注入层，并且将Ag和Mg以5:5的重量比真空沉积在其上以形成具有的厚度的阴极。

实施例2至实施例15以及比较例1至比较例7

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，但使用表2中列出的化合物。

评价例2：有机发光装置的特性的评价

使用吉时利(Keithley)SMU 236或亮度计CS-2000测量根据实施例1至实施例15和比较例1至比较例7制造的有机发光装置的在1000坎德拉(candela)/平方米(cd/m²)下的发光效率(cd/A)、驱动电压(V)、最大发射波长(λ_max，nm)、半峰全宽(FWHM，nm)和颜色坐标(CIEx，CIEy)值。结果显示在表2中。

表2

从表2可以确认，与比较例3的有机发光装置相比，实施例1至实施例15的有机发光装置具有优异的发光效率。比较例1、比较例2和比较例4至比较例7的发射波长范围是绿色区。例如，比较例1、比较例2和比较例4至比较例7的颜色特性完全不同于根据本公开内容的有机发光装置的那些。

可以通过设计四配位有机金属化合物使得四配位有机金属化合物具有高³MLCT比率来制造高发光效率有机发光装置和包括所述有机发光装置的高质量电子设备。

应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由所附权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的一种或多于一种的适合的改变。

Claims (20)

1.有机发光装置，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及

由式1表示的有机金属化合物：

式1

其中，在式1中，

Ar₁是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团或二价C₁-C₆₀杂环基团，Ar₂是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

M是铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，

X₃₁和X₃₂各自独立地是N、P或C(R₃₁)，

X₄₁至X₄₃各自独立地是N、P或C(R₄₁)，

Y₂₁、Y₂₂和Y₃₁各自独立地是N或P，

L₃是*-C(R₃₂)(R₃₃)-*'、*-C(R₃₂)＝C(R₃₃)-*'、O或S，*和*'各自是与相邻原子的结合位点，

n3是0至3的整数，

L₄是O或S，

R₂₀、R₃₁、R₄₁、R₃₂和R₃₃各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₁₀杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Ge(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

R_10a是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，以及

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；或者

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中

所述有机金属化合物包含在所述中间层中。

3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中

所述有机金属化合物包含在所述发射层中。

4.如权利要求3所述的有机发光装置，其中

所述发射层进一步包含主体，以及

所述主体的量大于所述有机金属化合物的量。

5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中

所述第一电极是阳极，

所述第二电极是阴极，

所述中间层进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，以及

其中

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、缓冲层或其组合，以及

所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。

6.电子设备，包括权利要求1至5中任一项所述的有机发光装置。

7.如权利要求6所述的电子设备，进一步包括

薄膜晶体管，其中

所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及

所述第一电极电连接至所述源电极和漏电极中的至少一个。

8.由式1表示的有机金属化合物：

式1

其中，在式1中，

Ar₁是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团或者二价C₁-C₆₀杂环基团，Ar₂是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

M是铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，

X₃₁和X₃₂各自独立地是N、P或C(R₃₁)，

X₄₁至X₄₃各自独立地是N、P或C(R₄₁)，

Y₂₁、Y₂₂和Y₃₁各自独立地是N或P，

L₃是*-C(R₃₂)(R₃₃)-*'、*-C(R₃₂)＝C(R₃₃)-*'、O或S，*和*'各自是与相邻原子的结合位点，

n3是0至3的整数，

L₄是O或S，

R₂₀、R₃₁、R₄₁、R₃₂和R₃₃各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₁₀杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₁₀杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Ge(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

R_10a是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，以及

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团；或者

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

9.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

Ar₁是各自未取代的或被R_10a取代的C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团或二价非芳香族稠合杂多环基团，R_10a与式1中描述的相同。

10.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

Ar₁可以是由式2表示的基团：

式2

X₁₁至X₁₆各自独立地是N、P、CH或C(R_10a)，以及

R_10a与式1中描述的相同，

*和*'各自是与相邻原子的结合位点。

11.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

Ar₁是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的亚萘基基团、亚喹啉基基团或亚异喹啉基基团，R_10a与式1中描述的相同。

12.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

Ar₁由选自式2-1至式2-7中的一个表示：

其中，在式2-1至式2-7中，

R_10a与式1中描述的相同，

a5是0至5的整数，

a6是0至6的整数，

*表示与式1中的M的结合位点，以及

*是与相邻原子的结合位点。

13.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

Ar₂由选自式3-1至式3-6中的一个表示：

其中，在式3-1至式3-6中，

R₂₁、R₂₂和R₂₃各自独立地是：

各自未取代的或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C₁-C₁₀烷基基团、C₂-C₁₀烯基基团、C₂-C₁₀炔基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、C₃-C₆环烷基基团、C₁-C₆杂环烷基基团、C₃-C₆环烯基基团、C₂-C₆杂环烯基基团、C₆-C₁₀芳基基团、C₆-C₁₀芳氧基基团、C₆-C₁₀芳硫基基团、C₁-C₁₀杂芳基基团、C₁-C₁₀杂芳氧基基团、C₁-C₁₀杂芳硫基基团、单价非芳香族稠合多环基团、单价非芳香族稠合杂多环基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Ge(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或其组合取代的C₁-C₂₀烷基基团或C₆-C₂₀芳基基团，

Q₁至Q₃与式1中描述的相同，

R_10a与式1中描述的相同，

b3是0至3的整数，

b2是0至2的整数，

b4是0至4的整数，

b5是0至5的整数，以及

*是与相邻原子的结合位点。

14.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

M是铂或钯。

15.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

Y₂₁、Y₂₂和Y₃₁是N。

16.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

式1中的*-(L₃)_n3-*'由选自式4-1至式4-4中的一个表示：

R_32a和R_32b如式1中关于R₃₂描述，

R_33a和R_33b如式1中关于R₃₃描述，以及

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

17.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

L₃是*-C(R₃₂)(R₃₃)-*'并且n3是2，

R₃₂和R₃₃各自与式1中描述的相同，以及

*和*'各自是与相邻原子的结合位点。

18.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

L₃是*-C(R₃₂)＝C(R₃₃)-*'、O或S，并且n3是1，

R₃₂和R₃₃各自与式1中描述的相同，以及

*和*'各自是与相邻原子的结合位点。

19.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

R₂₀、R₃₁、R₄₁、R₃₂和R₃₃各自独立地选自：

氢；氘；或者各自未取代的或被R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、C₂-C₂₀烯基基团、C₂-C₂₀炔基基团、C₃-C₆环烷基基团、C₃-C₆环烯基基团或C₆-C₂₀芳基基团，R_10a与式1中描述的相同。

20.如权利要求8所述的有机金属化合物，其中

所述有机金属化合物是选自化合物1至化合物79中的一种：