CN118018201A - 用于时间相位编码的芯片结构及qkd系统的发送端 - Google Patents

Abstract

本发明公开的用于时间相位编码的芯片结构及QKD系统的发送端，涉及量子通信技术领域，其中，用于时间相位编码的芯片结构包括包括激光器、第一等臂干涉仪和不等臂干涉仪，激光器用于制备并输出第一脉冲光；第一等臂干涉仪包括第一光纤耦合器、第一热光调制器、第一相位调制器及第二光纤耦合器，第一等臂干涉仪用于基于第一脉冲光，产生可用于时间编码的第二脉冲光，第二脉冲光包括多组具有第一固定相位差的两个脉冲光；不等臂干涉仪包括第二等臂干涉仪、第二相位调制器及第三光纤耦合器，不等臂干涉仪用于基于第一脉冲光，产生可用于相位编码的第三脉冲光，降低了控制的复杂度，提高了运行效率。

Description

用于时间相位编码的芯片结构及QKD系统的发送端

技术领域

本发明涉及量子通信技术领域，具体涉及一种用于时间相位编码的芯片结构及QKD系统的发送端。

背景技术

量子密钥分发(Quantum Key Distribution，简称QKD)系统是目前使用最为广泛的一种量子保密通信设备，能够在存在窃听的条件下安全协商密钥以保证通信的安全性。QKD系统基于光子携带的量子态信息来编码，其中，最为常见的编码方式有相位编码、偏振编码以及时间相位编码。当前的基于时间相位编码的QKD系统主要存在以下缺陷：

（1）既需要调制相位调制器驱动的电压幅度，又需要调制相位调制器的驱动电压延迟，系统的复杂度高、控制难度大、运行效率低；

（2）需要采用两个测试口监测不等臂干涉仪长臂及短臂输出的脉冲光强度，很难避免因两个测试口的光纤耦合产生的误差，准确率较低；

（3）采用MEMS可调光衰减器将编码后的脉冲光调制成单光子，由于MEMS可调光衰减器会随环境温度的变化导致性能的不稳定，需要在接收端对编码后的脉冲光的强度进行监测，系统的复杂度高、控制难度大、运行效率低。

发明内容

本发明实施例提供了一种用于时间相位编码的芯片结构及QKD系统的发送端，用以至少部分地解决现有技术存在的缺陷。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的用于时间相位编码的芯片结构及QKD系统的发送端采用以下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供的用于时间相位编码的芯片结构包括：

激光器，用于制备并输出第一脉冲光。

第一等臂干涉仪，包括第一光纤耦合器MMI1、第一热光调制器TOM1、第一相位调制器CDM1及第一光纤耦合器MMI2，其中，所述第一等臂干涉仪用于基于所述第一脉冲光，产生可用于时间编码的第二脉冲光，所述第二脉冲光包括多组具有第一固定相位差的两个脉冲光。

不等臂干涉仪，包括第二等臂干涉仪、第二相位调制器CDM2及第三光纤耦合器MMI3，其中，所述不等臂干涉仪用于基于所述第一脉冲光，产生可用于相位编码的第三脉冲光，所述第三脉冲光信号包括多组具有第二固定相位差的连续的两个脉冲光。

所述第一等臂干涉仪的输出端与所述不等臂干涉仪的输入端光连接。

所述激光器的输出端与所述第一等臂干涉仪的输入端光连接。

在一些示例中，所述第一光纤耦合器MMI1的第一输出端与所述第一热光调制器TOM1的输入端光连接，所述第一光纤耦合器MMI1的第二输出端与所述第一相位调制器CDM1的输入端光连接。所述第一热光调制器TOM1的输出端与所述第一光纤耦合器MMI2的第一输入端光连接，所述第一相位调制器CDM1的输出端与所述第一光纤耦合器MMI2的第二输入端光连接。

在一些示例中，所述第一光纤耦合器MMI2的第一输出端与所述不等臂干涉仪的长臂光连接，所述第一光纤耦合器MMI2的第一输出端与所述第二相位调制器CDM2的输入端光连接。所述第二相位调制器CDM2的输出端与所述第二热光调制器TOM2的输入端光连接。所述第二热光调制器TOM2的输出端与所述第三光纤耦合器MMI3的第一输入端光连接。所述不等臂干涉仪的长臂与所述第三光纤耦合器MMI3的第二输入端光连接。

在一些示例中，所述激光器、第一等臂干涉仪及不等臂干涉仪采用混合集成光波导工艺制作于铌酸锂薄膜上。

第二方面，本发明实施例提供的QKD系统的发送端包括第一sagnac干涉仪、第二sagnac干涉仪、第一方面公开的用于时间相位编码的芯片结构，其中，所述用于时间相位编码的芯片结构的输出端与所述第一sagnac干涉仪的输入端光连接，所述第一sagnac干涉仪的输出端与所述第二sagnac干涉仪的输入端光连接。

在一些示例中，所述第一sagnac干涉仪包括第三相位调制器CDM3及第四光纤耦合器MMI4。

在一些示例中，所述第二sagnac干涉仪包括第四相位调制器CDM4及第五光纤耦合器MMI5。

在一些示例中，所述第四光纤耦合器MMI4的第一输入端与所述第三光纤耦合器MMI3的第二输出端光连接，所述第四光纤耦合器MMI4的第一输出端及第二输出端分别与第三相位调制器CDM3光连接，所述第四光纤耦合器MMI4的第一输出端输出的脉冲光与第二输出端输出的脉冲光输入所述第三相位调制器CDM3的延时差为激光器的脉冲周期T。

在一些示例中，所述第四光纤耦合器MMI4第二输入端口与所述第五光纤耦合器MMI5的第一输入端口光连接，第五光纤耦合器MMI5的第一输出端及第二输出端分别与所述第四相位调制器CDM4光连接，所述第四相位调制器CDM4到所述第五光纤耦合器MMI5的第一输出端及第二输出端的光程的延时差为所述激光器的脉冲周期T。

在一些示例中，所述第一sagnac干涉仪、所述第二sagnac干涉仪及所述用于时间相位编码的芯片结构采用混合集成光波导工艺制作于铌酸锂薄膜上。

本发明实施例提供的用于时间相位编码的芯片结构及QKD系统的发送端具有以下有益效果：

（1）通过将第一等臂干涉仪的输出端与不等臂干涉仪的输入端光连接，仅需要调制第一相位调制器CDM1的驱动电压的幅度，即可得到可用于时间编码的第二脉冲光，无需调制第一相位调制器CDM1的驱动电压的延时，降低了控制的复杂度，提高了运行效率；

（2）通过一个测试端口即可探测不等臂干涉仪长臂和短臂的光强以维持不等臂干涉仪两个臂光强的平衡，在接收端产生干涉时的干涉效果较好，有利于提高成码率，无需采用两个测试口进行探测，避免了采用两个测试口探测时因光纤耦合带来的误差，提高了准确率；

（3）采用第二sagnac干涉仪将编码后的脉冲光的调制成单光子，避免了因采用MEMS可调光衰减器会随环境温度的变化导致性能的不稳定，导致需要在接收端在接收端再次监测编码后的脉冲光的强度，降低了QKD系统的复杂度及控制难度，有利于QKD系统的集成化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的用于时间相位编码的芯片结构的组成结构示意图；

图2为本发明实施例提供的QKD系统的发送端的组成结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1 如图1所示，本发明实施例提供的用于时间相位编码的芯片结构包括：激光器、等臂干涉仪及不等臂干涉仪，其中：

激光器，用于制备并输出第一脉冲光。

具体地，该激光器为增益开关型半导体激光器。该类激光器的体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长。

第一等臂干涉仪，包括第一光纤耦合器、第一热光调制器TOM1、第一相位调制器CDM1及第二光纤耦合器，其中，第一等臂干涉仪用于基于第一脉冲光，产生可用于时间编码的第二脉冲光，第二脉冲光包括多组具有第一固定相位差的两个脉冲光。

在一些示例中，第一光纤耦合器的第一输出端与第一热光调制器TOM1的输入端光连接，第一光纤耦合器的第二输出端与第一相位调制器CDM1的输入端光连接。第一热光调制器TOM1的输出端与第二光纤耦合器的第一输入端光连接，第一相位调制器CDM1的输出端与第二光纤耦合器的第二输入端光连接。

具体地，第一等臂干涉仪为Mach-Zehnder干涉仪，该类结构的干涉仪的脉冲光利用率高。第一相位调制器CDM1与第一热光调制器TOM1分别设置于等臂干涉仪的不同的两个臂上，第一相位调制器CDM1用于调节输入第一等臂干涉仪一个臂脉冲光的相位，第一热光调制器TOM1用于微调输入该等臂干涉仪另一个臂脉冲光的相位以补偿因环境变化引起的相位飘移，有利于降低误码率。

通过将第一等臂干涉仪的输出端与不等臂干涉仪的输入端光连接，仅需要调制第一相位调制器CDM1的驱动电压的幅度，即可得到可用于时间编码的第二脉冲光，无需调制第一相位调制器CDM1的驱动电压的延时，降低了控制的复杂度，运行效率高。

其中，如图1所示，通过第一相位调制器CDM1将第一等臂干涉仪两个臂输出的脉冲光的相位差调整为0或π。第一脉冲光经过第一光纤耦合器后，将激光器输出的脉冲光分为两个脉冲光，这两个脉冲光分别输入等臂干涉仪的上臂和下臂，当第一等臂干涉仪上臂和下臂输出的脉冲光的相位差为0时，由于第二光纤耦合器的特性，输入不等臂干涉仪短臂的脉冲光产生抵消。此时，第一等臂干涉仪输出的脉冲光仅输入不等臂干涉仪的长臂。反之，当第一等臂干涉仪上臂和下臂输出的脉冲光的相位差为π时，第一等臂干涉仪输出的脉冲光仅输入不等臂干涉仪的短臂。由于不等臂干涉仪的长臂和短臂输出的脉冲光具有延时差，所以第一等臂干涉仪输出的脉冲光可用于时间编码。具体地，将输入不等臂干涉仪长臂的脉冲光的时间编码设置为 Z0， 将输入不等臂干涉仪短臂的脉冲光的脉冲光的时间编码为 Z1。

不等臂干涉仪包括第二等臂干涉仪、第二相位调制器CDM2及第三光纤耦合器，其中，不等臂干涉仪用于基于第一脉冲光，产生可用于相位编码的第三脉冲光，第三脉冲光信号包括多组具有第二固定相位差的连续的两个脉冲光。

第三光纤耦合器的第一输出端为测试端口，通过一个测试端口即可探测不等臂干涉仪长臂和短臂的光强以维持不等臂干涉仪两个臂光强的平衡，在接收端产生干涉时的干涉效果较好，有利于提高成码率，无需采用两个测试口进行探测，避免了采用两个测试口探测时因光纤耦合带来的误差，准确率较高。

在一些示例中，第二光纤耦合器的第一输出端与不等臂干涉仪的长臂光连接，第二光纤耦合器的第一输出端与第二相位调制器CDM2的输入端光连接。第二相位调制器CDM2的输出端与第二热光调制器TOM2的输入端光连接。第二热光调制器TOM2的输出端与第三光纤耦合器的第一输入端光连接。不等臂干涉仪的长臂与第三光纤耦合器的第二输入端光连接。

具体地，第二等臂干涉仪、第二相位调制器CDM2设置于不等臂干涉仪的短臂上。其中，第二等臂干涉仪的一个臂上设置有第二热光调制器TOM2。利用该第二热光调制器TOM2调节不等臂干涉仪两个臂的臂长差以平衡该不等臂干涉仪两个臂输出的脉冲光的光强。当通过第一相位调制器CDM1将第一等臂干涉仪两个臂输出的脉冲光的相位差调整为π/2时，由于第二光纤耦合器的特性，第一等臂干涉仪输出的脉冲光同时输入不等臂干涉仪的两个臂。通过调节第二相位调制器CDM2两端的电压，使得不等臂干涉仪两个臂输出的脉冲光具有第二固定相位差。其中，在 X基矢下，第二固定相位差为0的连续两个脉冲光的相位编码为表示 X0，第二固定相位差为π的连续两个脉冲光的相位编码表示为 X1；在Y基矢下，第二固定相位差为0的连续两个脉冲光的相位编码为表示 Y0，第二固定相位差为π的连续两个脉冲光的相位编码表示为 Y1。

激光器的输出端与第一等臂干涉仪的输入端光连接。

在一些示例中，激光器、第一等臂干涉仪及不等臂干涉仪采用混合集成光波导工艺制作于铌酸锂薄膜上。

具体地，在光电集成芯片中，混合集成光波导工艺可以用于实现多种模块的集成。基于铌酸锂薄膜，将激光器、第一等臂干涉仪及不等臂干涉仪集成在同一芯片上，有利于实现高度集成和小型化的芯片结构。由于铌酸锂薄膜的介电常数高，传输损耗小。

实施例2 如图2所示，本发明实施例提供的QKD系统的发送端包括第一sagnac干涉仪、第二sagnac干涉仪及实施例1中公开的用于时间相位编码的芯片结构，其中，用于时间相位编码的芯片结构的输出端与第一sagnac干涉仪的输入端光连接，第一sagnac干涉仪的输出端与第二sagnac干涉仪的输入端光连接。

特别地，第二sagnac干涉仪的输出端也可以与第一sagnac干涉仪的输入端光连接。

在一些示例中，第一sagnac干涉仪包括第三相位调制器CDM3及第四光纤耦合器，第二sagnac干涉仪包括第四相位调制器CDM4及第五光纤耦合器。

在一些示例中，第四光纤耦合器的第一输入端与第三光纤耦合器的第二输出端光连接，第四光纤耦合器的第一输出端及第二输出端分别与第三相位调制器CDM3光连接，第四光纤耦合器的第一输出端输出的脉冲光与第二输出端输出的脉冲光输入第三相位调制器CDM3的延时差为激光器的脉冲周期T。

具体地，第一sagnac干涉仪用于制备诱骗态及信号态的脉冲光，由于第四光纤耦合器的第一输出端及第二输出端分别与第三相位调制器CDM3光连接，第四光纤耦合器的第一输出端输出的脉冲光与第二输出端输出的脉冲光输入第三相位调制器CDM3的延时差为激光器的脉冲周期T，使得顺时针输入第三相位调制器CDM3的脉冲光及逆时针输入第三相位调制器CDM3的脉冲光中仅有一个方向的脉冲光被第三相位调制器CDM3调制，这两个方向的脉冲光在发生干涉时具有固定的相位差且由于这两个方向的脉冲光的光程一致，在接收端产生干涉时的稳定性较好，因而无需增加热光相位调制器CDM进行相位偏置补偿，更无需增加对诱骗态脉冲光进行调制的检测的测试口，降低了系统复杂度及控制难度，有利于集成化。通过控制第三相位调制器CDM3的脉冲驱动电压的大小及发送比例以控制诱骗态脉冲光信号态脉冲光的光强比。

在一些示例中，第四光纤耦合器第二输入端口与第五光纤耦合器的第一输入端口光连接，第五光纤耦合器的第一输出端及第二输出端分别与第四相位调制器CDM4光连接，第五光纤耦合器的第一输出端输出的脉冲光与第二输出端输出的脉冲光输入第四相位调制器CDM4的延时差为激光器的脉冲周期T。

具体地，第二sagnac干涉仪用于对编码后的脉冲光的光强进行调制，即将脉冲光的功率衰减至量子水平（即调制成单光子）以适配QKD系统的接收端，由于第五光纤耦合器的第一输出端及第二输出端分别与第四相位调制器CDM4光连接，第五光纤耦合器的第一输出端输出的脉冲光与第二输出端输出的脉冲光输入第四相位调制器CDM4的延时差为激光器的脉冲周期T，使得顺时针输入第四相位调制器CDM4的脉冲光及逆时针输入第四相位调制器CDM4的脉冲光中仅有一个方向的脉冲光被第四相位调制器CDM4调制，这两个方向的脉冲光在发生干涉时具有固定的相位差。通过在第四相位调制器CDM4上加载周期为T的脉冲驱动电压即可调节这两个方向的脉冲光的相位差，从而达到控制编码后的脉冲光的强度的目的，起到了对脉冲光光强进行衰减调节的作用，由于sagnac干涉仪具有稳定的特性，在使用过程中衰减调节的稳定性较好，避免了因采用MEMS可调光衰减器会随环境温度的变化导致性能的不稳定，导致需要在接收端在接收端再次监测编码后的脉冲光的强度，降低了QKD系统的复杂度及控制难度，有利于QKD系统的集成化。

在一些示例中，第一sagnac干涉仪、第二sagnac干涉仪及用于时间相位编码的芯片结构采用混合集成光波导工艺制作于铌酸锂薄膜上。

基于铌酸锂薄膜，将第一sagnac干涉仪、第二sagnac干涉仪集成在同一芯片上，有利于实现高度集成和小型化的QKD系统。

以上结合具体实施例描述了本发明公开的基本原理，但是，需要指出的是，在本发明公开中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本发明公开的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本发明公开为必须采用上述具体的细节来实现。

本说明书中各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本发明公开中涉及的器件、装置、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。诸如“包括”、“包含”、“具 有”等等的词语是开放性词汇，指“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“诸如但不限于”，且可与其互换使用。

可能以许多方式来实现本发明公开的方法和装置。例如，可通过软件、硬件、固件或者软件、硬件、固件的任何组合来实现本发明公开的方法和装置。用于所述方法的步骤的上述顺序仅是为了进行说明，本发明公开的方法的步骤不限于以上具体描述的顺序，除非以其它方式特别说明。此外，在一些实施例中，还可将本发明公开实施为记录在记录介质中的程序，这些程序包括用于实现根据本发明公开的方法的机器可读指令。因而，本发明公开还覆盖存储用于执行根据本发明公开的方法的程序的记录介质。

还需要指出的是，在本发明公开的装置、设备和方法中，各部件或各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本发明公开的等效方案。提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本发明公开。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本发明公开的范围。因此，本发明公开不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。

为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本发明公开的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。

可以理解的是，上述方法及装置中的相关特征可以相互参考。另外，上述实施例中的“第一”、“第二”等是用于区分各实施例，而并不代表各实施例的优劣。

以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

需要说明的是，上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种用于时间相位编码的芯片结构，其特征在于，包括：

激光器，用于制备并输出第一脉冲光；

第一等臂干涉仪，包括第一光纤耦合器MMI1、第一热光调制器TOM1、第一相位调制器CDM1及第二光纤耦合器MMI2，其中，所述第一等臂干涉仪用于基于所述第一脉冲光，产生可用于时间编码的第二脉冲光，所述第二脉冲光包括多组具有第一固定相位差的两个脉冲光；

不等臂干涉仪，包括第二等臂干涉仪、第二相位调制器CDM2及第三光纤耦合器MMI3，其中，所述不等臂干涉仪用于基于所述第一脉冲光，产生可用于相位编码的第三脉冲光，所述第三脉冲光信号包括多组具有第二固定相位差的连续的两个脉冲光；

所述第一等臂干涉仪的输出端与所述不等臂干涉仪的输入端光连接；

所述激光器的输出端与所述第一等臂干涉仪的输入端光连接。

2.根据权利要求1所述的用于时间相位编码的芯片结构，其特征在于：

所述第一光纤耦合器MMI1的第一输出端与所述第一热光调制器TOM1的输入端光连接，所述第一光纤耦合器MMI1的第二输出端与所述第一相位调制器CDM1的输入端光连接；

所述第一热光调制器TOM1的输出端与所述第二光纤耦合器MMI2的第一输入端光连接，所述第一相位调制器CDM1的输出端与所述第二光纤耦合器MMI2的第二输入端光连接。

3.根据权利要求1所述的用于时间相位编码的芯片结构，其特征在于：

所述第二光纤耦合器MMI2的第一输出端与所述不等臂干涉仪的长臂光连接，所述第二光纤耦合器MMI2的第一输出端与所述第二相位调制器CDM2的输入端光连接；

所述第二相位调制器CDM2的输出端与所述第二热光调制器TOM2的输入端光连接；

所述第二热光调制器TOM2的输出端与所述第三光纤耦合器MMI3的第一输入端光连接；

所述不等臂干涉仪的长臂与所述第三光纤耦合器MMI3的第二输入端光连接。

4.根据权利要求3所述的用于时间相位编码的芯片结构，其特征在于：

所述激光器、第一等臂干涉仪及不等臂干涉仪采用混合集成光波导工艺制作于铌酸锂薄膜上。

5.一种QKD系统的发送端，其特征在于，包括第一sagnac干涉仪、第二sagnac干涉仪及权利要求1-4中任一项所述的用于时间相位编码的芯片结构，其中，所述用于时间相位编码的芯片结构的输出端与所述第一sagnac干涉仪的输入端光连接，所述第一sagnac干涉仪的输出端与所述第二sagnac干涉仪的输入端光连接。

6.根据权利要求5所述的QKD系统的发送端，其特征在于，所述第一sagnac干涉仪包括第三相位调制器CDM3及第四光纤耦合器MMI4。

7.根据权利要求5所述的QKD系统的发送端，其特征在于，所述第二sagnac干涉仪包括第四相位调制器CDM4及第五光纤耦合器MMI5。

8.根据权利要求6所述的QKD系统的发送端，其特征在于，所述第四光纤耦合器MMI4的第一输入端与所述第三光纤耦合器MMI3的第二输出端光连接，所述第四光纤耦合器MMI4的第一输出端及第二输出端分别与第三相位调制器CDM3光连接，所述第四光纤耦合器MMI4的第一输出端输出的脉冲光与第二输出端输出的脉冲光输入所述第三相位调制器CDM3的延时差为激光器的脉冲周期T。

9.根据权利要求7所述的QKD系统的发送端，其特征在于，所述第四光纤耦合器MMI4第二输入端口与所述第五光纤耦合器MMI5的第一输入端口光连接，第五光纤耦合器MMI5的第一输出端及第二输出端分别与所述第四相位调制器CDM4光连接，所述第四相位调制器CDM4到所述第五光纤耦合器MMI5的第一输出端及第二输出端的光程的延时差为所述激光器的脉冲周期T。

10.根据权利要求5所述的QKD系统的发送端，其特征在于，所述第一sagnac干涉仪、所述第二sagnac干涉仪及所述用于时间相位编码的芯片结构采用混合集成光波导工艺制作于铌酸锂薄膜上。