CN117995639A - 下电极组件及半导体工艺设备 - Google Patents

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CN117995639A CN202211350291.8A CN202211350291A CN117995639A CN 117995639 A CN117995639 A CN 117995639A CN 202211350291 A CN202211350291 A CN 202211350291A CN 117995639 A CN117995639 A CN 117995639A
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Abstract

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种下电极组件及半导体工艺设备。该下电极组件包括晶圆承载件和环绕晶圆承载件的边缘设置的边缘调节件，边缘调节件包括绝缘本体和导电体，导电体设于绝缘本体，以用于使导电体分别与晶圆承载件和等离子体绝缘隔开，导电体包括多个导电段，至少两个导电段可产生的电场强度互不相同。本申请能够解决对进气喷嘴的加工精度和安装精度的要求高，且工艺耗时较长的问题。

Description

下电极组件及半导体工艺设备
技术领域
本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种下电极组件及半导体工艺设备。
背景技术
HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)是IC制造领域一类很重要的薄膜沉积工艺，其最主要的应用也是其最显著的优势就是间隙填充，如何设计可靠的腔室环境来实现可靠无孔的间隙填充就成为至关重要的因素，其中膜层均匀性指标尤为关键，很大程度上决定了最终工艺结果能否满足工艺要求。
在相关技术中，半导体工艺设备包括工艺腔室和设于工艺腔室侧面的进气喷嘴，由于工艺腔室结构本身的影响，会导致工艺腔室内的气流场分布不均匀，从而使得等离子体分布不均，进而导致晶圆上形成的膜层存在边缘不均匀或者偏心问题。基于此，相关技术通过调整进气喷嘴的孔径和长度，从而使工艺腔室内的气流场分布均匀，进而使等离子体分布均匀，如此便可使晶圆上形成的膜层分布均匀。该种方式不仅对进气喷嘴的加工精度和安装精度的要求高，而且在确定进气喷嘴的孔径和长度的过程中，调整其中一个进气喷嘴的位置后会影响其他进气喷嘴的气流场的分布，从而不易对工艺腔室内的气流场的分布进行控制，因此需要根据工艺结果对进气喷嘴的孔径和长度进行反复多次的调整，造成工艺耗时较长。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种下电极组件及半导体工艺设备，能够解决对进气喷嘴的加工精度和安装精度的要求高，且工艺耗时较长的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
第一方面，本申请公开了一种下电极组件，包括晶圆承载件和环绕晶圆承载件的边缘设置的边缘调节件，边缘调节件包括绝缘本体和导电体，导电体设于绝缘本体，以用于使导电体分别与晶圆承载件和等离子体绝缘隔开，
导电体包括多个导电段，至少两个导电段可产生的电场强度互不相同。
第二方面，本申请公开了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和上述的下电极组件，下电极组件设于所述工艺腔室内。
本申请实施例中，导电体与晶圆承载件绝缘设置，可防止导电体与晶圆承载件导通，以使导电体失效；在使用时，本申请实施例的下电极组件设置在半导体工艺设备的工艺腔室内，在进行工艺的过程中，工艺腔室内存在等离子体，在电源与导电体连通的情况下，电源馈入功率至导电体上，此时导电体可与其上方的等离子体之间产生容性耦合，也就是说，导电体上方存在电场，而电场和气流场共同作用，以决定等离子体的分布。因此本申请实施例可通过导电体产生的电场作用于因气流场的影响而分布不均匀的等离子体，从而使等离子体分布均匀，进而使晶圆上形成的膜层分布均匀；另外，本实施例至少有两个导电段，可分段地对等离子体进行调节，采用该种方式调节电场较为灵活，且可更有针对性地调节晶圆边缘的不同位置处的电场强度。由此可见，本申请实施例无需调整进气喷嘴的孔径和长度，因此对进气喷嘴的加工精度和安装精度的要求较低，且工艺耗时较短。
附图说明
图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
图2为本申请实施例公开的下电极组件的结构示意图；
图3为本申请实施例公开的第一种导电体和馈电体的结构示意图；
图4为本申请实施例公开的第二种导电体和馈电体的结构示意图；
图5为本申请实施例公开的第三种导电体和馈电体的结构示意图；
图6为本申请实施例公开的第四种导电体的结构示意图；
图7为本申请实施例公开的第五种导电体的结构示意图。
附图标记说明：
100-工艺腔室、110-晶圆承载件、120-绝缘环、130-绝缘座、140-接线盘、150-下电极基座、160-支腿、170-腔室抽气通道、200-边缘调节件、210-导电体、211-第一段、212-第二段、213-第三段、214-第四段、215-第五段、216-第六段、220-馈电体、230-绝缘本体、300-调节件、410-第一电源、420-第二电源、430-第三电源、510-进气环、520-进气喷嘴、600-进气结构、710-第一射频线圈、720-第二射频线圈、810-绝缘层、820-加热层、830-冷却层、910-第一射频电源、920-第二射频电源。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的下电极组件和半导体工艺设备进行详细地说明。
如图1至图7所示，本申请实施例公开一种下电极组件，包括晶圆承载件110和环绕晶圆承载件110的边缘设置的边缘调节件200。可选地，晶圆承载件110可为吸附式承载台或者静电卡盘。
边缘调节件200包括绝缘本体230和导电体210，导电体210设于绝缘本体230，以用于使导电体210分别与晶圆承载件110和等离子体绝缘隔开。
导电体210包括多个导电段，至少两个导电段可产生的电场强度互不相同。可选地，导电体210可由金属等可导电的材料制备而成。本申请实施例中，绝缘本体230可将导电体210与晶圆承载件110和等离子体绝缘隔开，可防止导电体210与晶圆承载件110和等离子体导通，而使导电体210失效。
在使用时，本申请实施例的下电极组件设置在半导体工艺设备的工艺腔室100内，在进行工艺的过程中，工艺腔室100内存在等离子体，在电源与导电体210连通的情况下，电源馈入功率至导电体210上，此时导电体210可与其上方的等离子体之间产生容性耦合，也就是说，导电体210上方存在电场，而电场和气流场共同作用，以决定等离子体的分布。因此本申请实施例可通过多个导电段产生的电场作用于因气流场的影响而分布不均匀的等离子体，从而使等离子体分布均匀，进而使晶圆上形成的膜层分布均匀；另外，本实施例至少有两个导电段，可分段地对等离子体进行调节，采用该种方式调节电场较为灵活，且可更有针对性地调节晶圆边缘的不同位置处的电场强度。由此可见，本申请实施例无需调整进气喷嘴520的孔径和长度，因此对进气喷嘴520的加工精度和安装精度的要求较低；另外，由于无需调整进气喷嘴520，本申请无需考虑由于进气喷嘴520的改变对气流场造成的影响，如此可缩短工艺时间。
另外，需要说明的是，在进行沉积工艺中，晶圆的中心和边缘形成的膜层差异较大，因此本实施例将导电体210设置于晶圆承载件110的边缘，通过导电体210调节晶圆的边缘的膜层分布，可减小晶圆的中心和边缘的膜层差异，提高膜层分布的均匀性。
可选的实施例中，绝缘本体230和导电体210可以通过可拆卸的方式设置，此时可以更换不同的绝缘本体230和导电体210，从而进一步调节晶圆的膜层均匀性。
当晶圆设置在晶圆承载件110的顶面上时，导电体210的顶面可高于晶圆承载件110的顶面，但如此设置导电体210高于晶圆承载件110的部分会影响晶圆附近的气流场的分布，进而增大使用不同的导电体210以使等离子体分布均匀的难度。可选地，导电体210的顶面的高度大于晶圆承载件110的顶面的高度，且导电体210的顶面和晶圆承载件110的顶面之间的距离小于预设高度，该预设高度可理解为：当晶圆设置于晶圆承载件110的顶面后，导电体210的顶面不高于晶圆的顶面；或者，导电体210的顶面的高度小于晶圆承载件110的顶面的高度。导电体210的顶面的高度是指导电体210的顶面与地平面之间的距离，晶圆承载件110的顶面的高度是指晶圆支撑件的顶面与地平面之间的距离。本实施例的导电体210的顶面不高于晶圆的顶面，因此导电体210不会影响晶圆附近的气流场的分布，从而减小使用不同的导电体210以使等离子体分布均匀的难度。
可选地，导电体210可通过螺纹连接、卡接等方式设于晶圆承载件110上，但如此设置更换导电体210较为麻烦。在一种可选的实施例中，下电极组件还包括绝缘环120，绝缘环120包裹晶圆承载件110的外周面，绝缘环120的顶面设有第一凹槽，晶圆承载件110的顶面设有第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽共同形成安装槽，边缘调节件200设置于安装槽内。绝缘环120用于隔离射频，本实施例形成有安装槽，边缘调节件200可活动地设于安装槽内，且安装槽的开口位于绝缘环120和晶圆承载件110的顶面，因此更换边缘调节件200仅需要将设于安装槽内的导电体210取出后，更换为另一种边缘调节件200即可，如此可使得更换导电体210较为方便。
在一种可选的实施例中，至少两个导电段的耦合面的面积互不相同，导电段的耦合面为导电段朝向等离子体的一面；和/或，至少两个导电段与晶圆承载件110之间的竖直距离互不相同，也就是说，至少有两个导电段与等离子之间的竖直距离不同。导电段与等离子体之间的耦合形式为容性耦合，根据电容阻抗公式Z＝1/(jωC)，Z越小容性耦合作用越强，反之耦合作用越弱，耦合作用越强说明导电段与等离子体之间的电场强度越大；根据电容计算公式，C＝εS/d，这样，决定Z大小的参数有：ε介电常数，S两层的相对面积，d两层的距离，所以通过调节介电常数、面积和间距可以调节不同位置的不同的电场强度。其中ε为介电常数，在本实施例中为导电段与等离子体之间的绝缘介质的介电常数；S为极板相对面积，在本实施例中为导电段朝向等离子体的一面的面积；d为极板间距，在本实施例中为导电段与等离子体之间的竖直距离。因此本实施例通过使至少两个导电段的耦合面的面积不同或者使至少两个导电段与等离子体之间的竖直距离不同，来调节至少两个导电段与等离子体之间的电容，进而调节至少两个导电段与等离子体之间的电场强度。
由上述可知，导电段的耦合面的面积为导电段朝向等离子体的一面的面积，因此可通过调整该面的面积即可调节耦合面的面积。因此在一种可选的实施例中，至少两个导电段的长度互不相同，和/或，至少两个导电段的宽度互不相同，以使至少两个导电段的耦合面的面积互不相同。需要说明的是，导电段的长度为导电段在其延伸方向上的长度，导电段的宽度为其沿晶圆承载件110的径向上的宽度。
在一种可选的实施例中，如图3至图5所示，多个导电段沿晶圆承载件110的周向间隔设置，且每个导电段均沿晶圆承载件110的周向延伸。本实施例可分段地对等离子体进行调节，该种方式不仅调节范围大，且调节较为灵活。需要说明的是，本实施例的多个导电段为至少两段，具体可为3段、4段或者6段等。
除了上一实施例外，多个导电段还可以依次相连。在一种可选的实施例中，如图7所示，多个导电段包括依次套接的呈环形的第一段211、第二段212和第三段213，第一段211所在平面和第三段213所在平面平行，第一段211所在平面与晶圆承载件110之间的竖直距离为第一距离，第三段213所在平面与晶圆承载件110之间的竖直距离为第二距离，第一距离大于或小于第二距离，第三段213相较于第一段211靠近晶圆承载件110的边缘设置。需要说明的是，在第一距离大于第二距离的情况下，更靠近晶圆承载件110的第三段213低于第一段211，此时第三段213与等离子体之间的距离大于第一段211与等离子体之间的距离；在第一距离小于第二距离的情况下，更靠近晶圆承载件110的第三段213高于第一段211，此时第三段213与等离子体之间的距离小于第一段211与等离子体之间的距离。本实施例同样可调节晶圆边缘的不同位置处的电场强度，且由于本实施例的多个导电段依次套接，仅需将其中一个导电段与电源电连接即可实现多个导电段通电，因此可使接线简单，减少安装时间。
除了上一实施例外，本申请还提供了在多个导电段依次相连的情况下的另一种实施例，如图6所示，多个导电段包括依次连接的第四段214、第五段215和第六段216，第四段214和第六段216呈扇环形，第四段214所在平面和第六段216所在平面平行，第四段214所在平面与晶圆承载件110之间的竖直距离为第三距离，第六段216所在平面与晶圆承载件110之间的竖直距离为第四距离，第三距离大于或小于第四距离。本实施例的导电体210的正视图呈Z字形或者倒Z字形，其可使得多个导电段与等离子体之间的电场强度不同，调节较为灵活，且同样仅需将其中一个导电段与电源电连接即可实现多个导电段通电。本实施例的结构尤其适用于侧抽式的工艺腔室100，侧抽式的工艺腔室100的抽气通道170设置于工艺腔室100的侧壁，其可以与工艺腔室的传片口相对，或者抽气通道170的轴线方向与传片口的轴线方向呈90°。
导电体210包括多个间隔设置的导电段时，每个导电段均需接线至电源，从而实现电源馈入功率至导电段，如此将会造成接线工作复杂，增加安装时间。在一种可选的实施例中，边缘调节件200还包括呈环形且可导电的馈电体220，馈电体220与晶圆承载件110绝缘设置，且馈电体220与导电体210绝缘叠置，在馈电体220通电的情况下，馈电体220与导电体210之间产生容性耦合。本方案可与多个导电段沿晶圆承载件110的周向间隔设置的方案组合，也可与多个导电段包括依次套接的呈环形的第一段211、第二段212和第三段213组合，还可与多个导电段包括依次连接的第四段214、第五段215和第六段216组合。在本实施例与上述的第一种方案(即：多个导电段沿晶圆承载件110的周向间隔设置的方案)组合的情况下，由于馈电体220呈环形，馈电体220与导电体210相对，电源可与该馈电体220电连接，因此在导电体210包括多个间隔设置的导电段的情况下，馈电体220通电后，馈电体220通过容性耦合的方式使多个导电段均带电，进而使每个导电段均分别与其上方的等离子体产生容性耦合。因此本实施例仅需将馈电体220与电源接通即可，如此可使接线简单，减少安装时间。
在本实施例与后两种方案结合的情况下，若多个导电段安装后，由于其他部件的限制而不方便接线时，可设置馈电体220，并将馈电体220设于便于接线的位置处，而后将馈电体220和电源电连接，馈电体220通电后，馈电体220通过容性耦合的方式使多个导电段均带电，以克服多个导电段不方便接线的问题。
在一种可选的实施例中，对于多个间隔设置的导电段，也可以通过调节导电段和馈电体220之间的电容，实现导电段与等离子体之间的电场强度的调节。至少两个导电段与馈电体220之间的相对面积不同；和/或，至少两个导电段与馈电体220之间的竖直距离不同；和/或，至少两个导电段与馈电体220的绝缘介质的介电常数不同。导电段与馈电体220之间的耦合形式为容性耦合，根据电容阻抗公式Z＝1/(jωC)，Z越小容性耦合作用越强，反之耦合作用越弱，耦合作用越强说明导电段与馈电体220之间的电场强度越大；根据电容计算公式，C＝εS/d，这样，决定Z大小的参数有：ε介电常数，S两层的相对面积，d两层的距离，所以通过调节介电常数、面积和间距可以调节不同位置的不同的电场强度。其中ε为介电常数，在本实施例中为导电段与馈电体220之间的绝缘介质的介电常数；S为极板相对面积，在本实施例中为导电段与馈电体220之间的相对面积；d为极板间距，在本实施例中为导电段与馈电体220之间的竖直距离。因此本实施例使至少两个导电段与馈电体220之间的相对面积不同，和/或，使至少两个导电段与馈电体220之间的竖直距离不同，和/或，使至少两个导电段与馈电体220之间的绝缘介质的介电常数不同，来调节至少两个导电段与馈电体220之间的电容，从而使至少两个导电段与等离子体之间的电容不同，进而使至少两个导电段与等离子体之间的电场强度不同。
在一种可选的实施例中，导电体210嵌设于绝缘本体230中，导电体210通过绝缘本体230与晶圆承载件110和等离子体绝缘设置。绝缘本体230可将导电体210与晶圆承载件110和等离子体绝缘隔开，从而避免导电件与晶圆承载件110连通后失效。当然，导电体210还可通过其他方式设于绝缘本体230中，只要使导电体210分别与晶圆承载件110和等离子体绝缘隔开即可。
在一种可选的实施例中，边缘调节件200还包括绝缘件，绝缘件的侧面上沿竖直方向设有多个插槽，绝缘本体230和导电体210可分离地设于任意一个插槽中。本实施例可通过改变绝缘本体230和导电体210在插槽中的位置改变导电体210与等离子体之间的距离。进一步地，绝缘件的形状呈环形，每个插槽均为沿绝缘件周向延伸的环形槽，如此当导电件包括多个间隔设置的导电段时，可将各导电段均设在同一个环形槽中，如此可调节各导电段在环形槽中的位置；另外，还可将导电段设于不同高度的插槽中，如此可更加灵活地控制晶圆表面膜层的均匀性。
导电体210可与馈电参数恒定不变的电源连接。在一种可选的实施例中，晶圆承载件110和导电体210均与第一电源410电连接，第一电源410与导电体210之间的电路上设有调节件300，调节件300用于调节导电体210的馈电参数，该馈电参数可以包括馈电功率和馈电频率中的至少一者；可选地，调节件300可为可调电容或者可调电感。
或者，晶圆承载件110与第二电源420电连接，导电体210与第三电源430电连接，第三电源430的馈电参数可调。本实施例的第三电源430自身的馈电参数可调，可通过调节该馈电参数调节导电体210与等离子体之间的电场强度，从而实现对晶圆表面膜层均匀性的控制。需要说明的是，本实施例可与边缘调节件200还包括呈环形且可导电的馈电体220的方案组合，此时第一电源410或者第三电源430与馈电体220相连。
本申请实施例还公开了一种半导体工艺设备，其包括工艺腔室100和上述任一实施例的下电极组件，下电极组件设于工艺腔室100内。可选地，工艺腔室100内设有进气环510和进气喷嘴520，进气喷嘴520与进气环510相连通；工艺腔室100的顶部设有进气结构600和第一射频线圈710，第一射频线圈710与第一射频电源910电连接，第一射频线圈710用于维持工艺腔室100内的等离子体；工艺腔室100的顶部还设有绝缘层810，第一射频线圈710设于绝缘层810内，绝缘层810上叠设有加热层820，加热层820上叠设有冷却层830。工艺腔室100的顶部的外周绕设有第二射频线圈720，第二射频线圈720与第二射频电源920电连接，第二射频线圈720用于维持工艺腔室100内的等离子体。
进一步地，可以调节进气喷嘴520的结构参数(例如尺寸等)，从而对流场进行调节，以进一步改善晶圆上所形成的膜层的均匀性。此实施例中，由于边缘调节件200可以调节晶圆表面的电场强度，两种调节方式相结合，可以简化进气喷嘴520的调节，同时实现更高精度的调节。
在一种可选的实施例中，下电极组件还包括绝缘环120、绝缘座130和接线盘140，晶圆承载件110与绝缘座130叠置，绝缘环120包裹晶圆承载件110的外周面和绝缘座130的外周面，接线盘140为内部中空且顶部设有开口的筒状结构，晶圆承载件110、绝缘环120和绝缘座130均设于接线盘140内。本实施例的绝缘座130和绝缘环120共同作用，以使晶圆承载件110的底面及外周面与工艺腔室100内的等离子体绝缘隔开。另外，接线盘140可用于下电极各种接口(如He管路、Chiller管路等)的转接。接线盘140呈筒状结构，其包围晶圆承载件110、绝缘环120和绝缘座130，为晶圆承载件110提供阴极电极，产生射频偏压。另外，采用筒状结构的接线盘140便于将晶圆承载件110、绝缘环120和绝缘座130装配至接线盘140。
可选地，可采用悬臂式的支撑腿将下电极组件设于工艺腔室100内，但由于悬臂式结构的强度较低，因此往往需要增大支撑腿的尺寸，如此将增大支撑腿对气流场的阻挡面积，使得气流场分布不均。在一种可选的实施例中，半导体工艺设备还包括位于工艺腔室100内的下电极基座150，下电极组件设于下电极基座150，下电极基座150通过至少三个间隔设置的支腿160与工艺腔室100的内壁相连。本实施例的至少三个支腿160通过下电极基座150相连，这里的至少三个支腿160都不是悬臂式结构，其强度较高，且至少三个支腿160共同提供支撑作用，因此可减小上述的至少三个支腿160的尺寸，从而减小每个支腿160对气流场的阻挡面积，使得气流场分布均匀。
在一种可选的实施例中，工艺腔室100的底部设有用于与抽真空系统连通的腔室抽气通道170，腔室抽气通道170与晶圆承载件110的底面相对设置。通过该腔室抽吸通道170可对工艺腔室100进行抽真空处理。此实施例中，腔室抽气通道170与工艺腔室100内位于同一高度的等离子体之间的距离基本相等，因此可以进一步改善气流场的均匀性。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (14)

1.一种下电极组件，其特征在于，包括晶圆承载件(110)和环绕所述晶圆承载件(110)的边缘设置的边缘调节件(200)，所述边缘调节件(200)包括绝缘本体(230)和导电体(210)，所述导电体(210)设于所述绝缘本体(230)，以用于使所述导电体(210)分别与所述晶圆承载件(110)和等离子体绝缘隔开，
所述导电体(210)包括多个导电段，至少两个所述导电段可产生的电场强度互不相同。
2.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述下电极组件还包括绝缘环(120)，所述绝缘环(120)包裹所述晶圆承载件(110)的外周面，所述绝缘环(120)的顶面设有第一凹槽，所述晶圆承载件(110)的顶面设有第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽共同形成安装槽，所述边缘调节件(200)设置于所述安装槽内。
3.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，至少两个所述导电段的耦合面的面积互不相同；和/或，至少两个所述导电段与所述晶圆承载件(110)之间的竖直距离互不相同。
4.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，至少两个所述导电段的长度互不相同，和/或，至少两个所述导电段的宽度互不相同，以使至少两个所述导电段的耦合面的面积互不相同。
5.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，多个所述导电段沿所述晶圆承载件(110)的周向间隔设置，且每个所述导电段均沿所述晶圆承载件(110)的周向延伸。
6.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，多个所述导电段包括依次套接的呈环形的第一段(211)、第二段(212)和第三段(213)，所述第一段(211)所在平面和所述第三段(213)所在平面平行，所述第一段(211)所在平面与所述晶圆承载件(110)之间的竖直距离为第一距离，所述第三段(213)所在平面与所述晶圆承载件(110)之间的竖直距离为第二距离，所述第一距离大于或小于所述第二距离，所述第三段(213)相较于所述第一段(211)靠近所述晶圆承载件(110)的边缘设置。
7.根据权利要求3所述的下电极组件，其特征在于，多个所述导电段包括依次连接的第四段(214)、第五段(215)和第六段(216)，所述第四段(214)和所述第六段(216)呈扇环形，所述第四段(214)所在平面和所述第六段(216)所在平面平行，所述第四段(214)所在平面与所述晶圆承载件(110)之间的竖直距离为第三距离，所述第六段(216)所在平面与所述晶圆承载件(110)之间的竖直距离为第四距离，所述第三距离大于或小于所述第四距离。
8.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，多个所述导电段沿周向间隔设置，所述边缘调节件(200)还包括呈环形且可导电的馈电体(220)，所述馈电体(220)与所述晶圆承载件(110)绝缘设置，且所述馈电体(220)与所述导电体(210)绝缘叠置，
在所述馈电体(220)通电的情况下，所述馈电体(220)与所述导电体(210)之间产生容性耦合。
9.根据权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，至少两个所述导电段与所述馈电体(220)之间的相对面积不同；和/或，至少两个所述导电段与所述馈电体(220)之间的竖直距离不同；和/或，至少两个所述导电段与所述馈电体(220)的绝缘介质的介电常数不同。
10.根据权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述晶圆承载件(110)和所述导电体(210)均与第一电源(410)电连接，所述第一电源(410)与所述导电体(210)之间的电路上设有调节件(300)，所述调节件(300)用于调节所述导电体(210)的馈电参数；或者，
所述晶圆承载件(110)与第二电源(420)电连接，所述导电体(210)与第三电源(430)电连接，所述第三电源(430)的馈电参数可调。
11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室(100)和如权利要求1至10任一项所述的下电极组件，所述下电极组件设于所述工艺腔室(100)内。
12.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述下电极组件还包括绝缘环(120)、绝缘座(130)和接线盘(140)，所述晶圆承载件(110)与所述绝缘座(130)叠置，所述绝缘环(120)包裹所述晶圆承载件(110)的外周面和所述绝缘座(130)的外周面，
所述接线盘(140)为内部中空且顶部设有开口的筒状结构，所述晶圆承载件(110)、所述绝缘环(120)和所述绝缘座(130)均设于所述接线盘(140)内。
13.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括位于所述工艺腔室(100)内的下电极基座(150)，所述下电极组件设于所述下电极基座(150)，所述下电极基座(150)通过至少三个间隔设置的支腿(160)与所述工艺腔室(100)的内壁相连。
14.根据权利要求11所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室(100)的底部设有用于与抽真空系统连通的腔室抽气通道(170)，所述腔室抽气通道(170)与所述晶圆承载件(110)的底面相对设置。
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