CN117981216A - 高频电路 - Google Patents

Abstract

高频电路(1)具备：第一电路，包括高频输入端子(11)、高频输出端子(12)以及控制端子(14)；功率检测器(30)，与高频输出端子(12)连接；校正电路(80)，包括时钟端子(81)、使能端子(82)、输入端子(83)以及输出端子(84)；第一比较器(40)，连接在功率检测器(30)的输出与时钟端子(81)之间；以及第二比较器(50)，连接在功率检测器(30)的输出与使能端子(82)之间。输出端子(84)与控制端子(14)连接。第二比较器(50)的基准电压比第一比较器(40)的基准电压高。

Description

高频电路

技术领域

本发明涉及高频电路。

背景技术

在专利文献1中，公开一种放大器，其具备放大信号的晶体管、电压检测部、补偿判定电路、增益补偿电路。在专利文献1所公开的放大器中，电压检测部通过电压变换将流过晶体管的漏极端子的电流检测为电位差。补偿判定电路基于由电压检测部检测出的电位差来判定是否进行增益补偿。增益补偿电路在判定为进行增益补偿的情况下，执行与由电压检测部检测出的电位差对应的增益补偿。

专利文献1：日本专利第5267321号公报

然而，在上述现有的放大器中，存在无法补偿负荷变动等、无法充分地进行增益补偿的情况。在对高频信号进行处理的高频电路中，不仅是增益补偿，还要求性能的进一步提高。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供高性能的高频电路。

本发明的一方式的高频电路具备：第一电路，包括高频输入端子、高频输出端子以及控制端子；功率检测器，与高频输出端子连接；校正电路，包括时钟端子、使能端子、输入端子以及输出端子；第一比较器，连接在功率检测器的输出与时钟端子之间；以及第二比较器，连接在功率检测器的输出与使能端子之间。输出端子与控制端子连接。第二比较器的基准电压比第一比较器的基准电压高。

另外，本发明的另一方式的高频电路具备：第一电路，对高频信号进行处理；功率检测器，检测高频信号的功率；第一比较器，对表示功率检测器的检测结果的电压与第一基准电压进行比较；第二比较器，对表示功率检测器的检测结果的电压与比第一基准电压高的第二基准电压进行比较；以及校正电路，基于第一比较器的比较结果以及第二比较器的比较结果来进行第一电路的校正。

根据本发明，能够提供高性能的高频电路。

附图说明

图1是实施方式的通信装置的结构图。

图2是实施方式的高频电路的电路结构图。

图3是表示实施方式的高频电路进行处理的高频信号和两个基准电压的图。

图4A是用于对基准电压为一个的情况下的问题点进行说明的图。

图4B是用于对基准电压为一个的情况下的其他的问题点进行说明的图。

图5是变形例1的高频电路的电路结构图。

图6是变形例2的高频电路的电路结构图。

图7A是变形例3的高频电路的电路结构图。

图7B是变形例3的高频电路的另一个例子的电路结构图。

图8是变形例4的高频电路的电路结构图。

具体实施方式

以下，使用附图来详细地说明本发明的实施方式的高频电路。此外，以下说明的实施方式均表示本发明的一个具体例。因此，以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式、步骤、步骤的顺序等是一个例子，并不旨在限定本发明。因此，关于以下的实施方式中的构成要素中的、独立权利要求中未记载的构成要素，作为任意的结构要素来进行说明。

另外，各图是示意图，并非一定严格地图示。因此，例如，在各图中比例尺等未必一致。另外，在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略或者简化重复的说明。

另外，在本说明书中，“连接”不仅包括利用连接端子和/或布线导体直接连接的情况，还包括经由其他的电路元件而电连接的情况。另外，“连接在A与B之间”是指在A与B之间与A以及B双方连接。

另外，在本说明书中，“第一”、“第二”等序数词只要没有特别说明，就不意味着构成要素的数量或者顺序，而是以避免同种结构要素的混淆而进行区别的目的来使用。

另外，在本说明书中，“发送路径”是指由传输高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”是指由传输高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“发送接收路径”是指由传输高频发送信号以及高频接收信号双方的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

(实施方式)

[1通信装置5的结构]

首先，使用图1对实施方式的通信装置5的结构进行说明。图1是表示本实施方式的通信装置5的结构的图。

图1所示的通信装置5是在通信系统中使用的装置，例如是智能手机或者平板电脑等移动终端。如图1所示，通信装置5具备高频电路1、天线2、RFIC(Radio FrequencyIntegrated Circuit：射频集成电路)3、BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)4。

高频电路1在天线2与RFIC3之间传输高频信号。高频电路1具有外部输入端子91、外部输出端子92。高频电路1具备对作为高频信号的一个例子的发送信号进行放大的功率放大器10。

外部输入端子91是用于从高频电路1的外部接受发送信号的端子。外部输入端子91在高频电路1的内部与功率放大器10连接，在高频电路1的外部与RFIC3连接。由此，经由外部输入端子91从RFIC3接受到的发送信号被供给到功率放大器10。

外部输出端子92在高频电路1的内部与功率放大器10连接，在高频电路1的外部与天线2连接。外部输出端子92也被称为天线连接端子。由功率放大器10放大后的发送信号经由外部输出端子92输出到天线2。

在本实施方式中，高频电路1传输发送信号，但也可以传输作为高频信号的一个例子的接收信号。即，高频电路1也可以包括传输发送信号的发送电路以及传输接收信号的接收电路。高频电路1也可以包括放大接收信号的低噪声放大器(LNA：Low NoiseAmplifier)、输出接收信号的高频输出端子、进行发送路径与接收路径的切换的开关、滤波器以及阻抗匹配电路等。

天线2与高频电路1的外部输出端子92连接，发送从高频电路1输出的高频信号。另外，天线2也可以从外部接收高频信号并输出到高频电路1。

RFIC3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一个例子。RFIC3与高频电路1的外部输入端子91连接。具体而言，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出到高频电路1的发送路径。另外，RFIC3也可以通过下变频等对经由高频电路1的接收路径输入的高频接收信号进行信号处理，将进行该信号处理而生成的接收信号输出到BBIC4。

BBIC4是使用与高频电路1传输的高频信号相比低频的中间频带进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC4处理的信号，例如是用于图像显示的图像信号和/或用于经由扬声器的通话的声音信号等。

此外，图1所表示的通信装置5的电路结构是例示，并不局限于此。例如，通信装置5也可以不具备天线2和/或BBIC4。另外，通信装置5也可以具备多个天线2。

[2高频电路1的电路结构]

接下来，使用图2对实施方式的高频电路1的电路结构进行说明。图2是本实施方式的高频电路1的电路结构图。

如图2所示，高频电路1具有功率放大器10、定向耦合器20、功率检测器30、第一比较器40、第二比较器50、定时生成电路60、RF检测电路70、校正电路80、外部输入端子91、外部输出端子92。

功率放大器10是对高频信号进行处理的第一电路的一个例子。具体而言，功率放大器10放大发送信号。

功率放大器10例如包括异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)等双极晶体管。或者，功率放大器10也可以包括MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等场效应晶体管(FET)。功率放大器10也可以具有多个晶体管的多级结构。

功率放大器10包括高频输入端子11、高频输出端子12、信号输出端子13、控制端子14。

高频输入端子11与外部输入端子91连接。高频输出端子12经由定向耦合器20与外部输出端子92连接。另外，高频输出端子12经由定向耦合器20与功率检测器30连接。

信号输出端子13与RF检测电路70连接。信号输出端子13根据RF检测电路70的检测对象，设置于功率放大器10的适当的部位。例如，信号输出端子13也可以是与高频输入端子11、高频输出端子12或者控制端子14相同的端子。

控制端子14与校正电路80的输出端子84连接。控制端子14是供用于控制功率放大器10的动作的控制信号(例如，用于增益补偿的校正信号)输入的端子。

功率放大器10对从高频输入端子11输入的发送信号进行放大，经由定向耦合器20的主线路21将放大后的发送信号输出到外部输出端子92。功率放大器10基于输入到控制端子14的控制信号，例如调整向晶体管供给的偏置和/或电源电压。

定向耦合器20具有主线路21以及副线路22。主线路21以及副线路22相互电磁耦合。主线路21的一端与功率放大器10的高频输出端子12连接。主线路21的另一端与外部输出端子92连接。主线路21传输由功率放大器10放大后的发送信号。

副线路22的一端与功率检测器30连接。副线路22的另一端经由电阻而接地。主线路21与副线路22电磁耦合，因此在副线路22中流过与在主线路21中传输的发送信号对应的耦合信号。耦合信号从副线路22的一端输出到功率检测器30。

此外，与副线路22的另一端连接的电阻是终端电阻。通过该电阻，能够吸收消耗在副线路22中传输的信号的不必要的成分。除了电阻之外，还可以连接有电容器。电阻也可以是可变电阻，电容器也可以是可变电容器。

功率检测器30与功率放大器10的高频输出端子12连接。具体而言，功率检测器30经由定向耦合器20与高频输出端子12连接。功率检测器30检测高频信号的功率。在本实施方式中，功率检测器30通过检测从定向耦合器20的副线路22输出的耦合信号，来间接地检测从功率放大器10输出的发送信号的功率。功率检测器30输出表示功率的检测结果的电压信号。例如，电压信号的电压电平与高频信号的功率的大小对应。以下，将电压信号的电压电平记载为“检测电压”。

第一比较器40连接在功率检测器30的输出与校正电路80的时钟端子81之间。在本实施方式中，第一比较器40连接在功率检测器30的输出与定时生成电路60之间。第一比较器40对表示功率检测器30的检测结果的电压(即，检测电压)与基准电压REF1进行比较。基准电压REF1是第一基准电压的一个例子。

第一比较器40例如由具有非反相输入端子(+)、反相输入端子(-)以及输出端子的运算放大器实现。第一比较器40的非反相输入端子与功率检测器30的输出连接，从功率检测器30输入电压信号。第一比较器40的反相输入端子与基准电压源(未图示)连接，输入基准电压REF1。第一比较器40的输出端子与定时生成电路60连接。

第一比较器40比较检测电压与基准电压REF1，将表示比较结果的第一信号从输出端子输出到定时生成电路60。表示比较结果的第一信号例如是利用高电平以及低电平的2值表示检测电压比基准电压REF1高的情况和检测电压比基准电压REF1低的情况的信号。

第二比较器50连接在功率检测器30的输出与校正电路80的使能端子82之间。第二比较器50对表示功率检测器30的检测结果的电压(即，检测电压)与基准电压REF2进行比较。基准电压REF2是第二基准电压的一个例子，比基准电压REF1高。

第二比较器50例如由具有非反相输入端子(+)、反相输入端子(-)以及输出端子的运算放大器实现。第二比较器50的非反相输入端子与功率检测器30的输出连接，从功率检测器30输入电压信号。第二比较器50的反相输入端子与基准电压源(未图示)连接，输入基准电压REF2。第二比较器50的输出端子与使能端子82连接。

第二比较器50比较检测电压和基准电压REF2，将表示比较结果的第二信号从输出端子输出到校正电路80。表示比较结果的第二信号例如是利用高电平以及低电平的2值表示检测电压比基准电压REF2高的情况和检测电压比基准电压REF2低的情况的信号。

定时生成电路60连接在第一比较器40的输出与校正电路80的时钟端子81之间。定时生成电路60基于第一比较器40的比较结果，决定校正电路80进行校正的定时。这里，“定时”是不仅包括瞬间的时刻、还包括一定的长度的期间的概念。

定时生成电路60例如是时钟产生器。定时生成电路60在输入了表示检测电压比基准电压REF1高的第一信号的情况下，生成时钟信号并向校正电路80的时钟端子81供给。供给时钟信号的定时是进行校正的定时。

RF检测电路70是高频检测电路的一个例子，连接在功率放大器10与校正电路80的输入端子83之间。具体而言，RF检测电路70与功率放大器10的信号输出端子13连接。

RF检测电路70检测由功率放大器10放大之前或者之后的高频信号的电特性。电特性是高频信号的频率、功率、电压、电流、阻抗等。RF检测电路70也可以检测两个以上的电特性。RF检测电路70将高频信号的电特性的检测结果作为校正用信号而输出到校正电路80的输入端子83。

校正电路80基于第一比较器40的比较结果以及第二比较器50的比较结果来进行功率放大器10的校正。具体而言，校正电路80在由定时生成电路60决定的定时，基于第二比较器50的比较结果来进行校正。

如图2所示，校正电路80包括时钟端子81、使能端子82、输入端子83、输出端子84。

从定时生成电路60对时钟端子81供给时钟信号。正对时钟端子81供给时钟信号的定时是能够进行校正的定时。即，校正电路80在正被供给时钟信号的情况下，维持能够进行校正动作的状态。

对使能端子82供给表示第二比较器50的比较结果的信号。校正电路80基于输入到使能端子82的信号，决定是否进行校正。具体而言，在表示检测电压比基准电压REF2高的第二信号输入到使能端子82的情况下，校正电路80进行校正。

向输入端子83输入校正用信号。具体而言，表示RF检测电路70的检测结果的信号作为校正用信号输入到输入端子83。校正用信号例如是表示高频信号的频率、功率、电压、电流、阻抗等的信号。

校正电路80基于校正用信号来进行校正。具体而言，校正电路80基于校正用信号来决定用于校正的参数，从输出端子84输出控制信号(校正信号)以使得利用所决定的参数控制功率放大器10。控制信号被输入到功率放大器10的控制端子14。

在本实施方式中，校正电路80在正对时钟端子81供给时钟信号的期间，保持输入到使能端子82的第二比较器50的比较结果和输入到输入端子83的校正用信号的状态。因此，保持基于比较结果进行校正的情况，以及在决定了用于校正的参数之后保持这些决定的内容。即，抑制在高频信号的发送中停止校正的执行，或者抑制在校正处理的中途变更参数。

在功率放大器10中，基于所输入的控制信号进行动作。例如，控制信号是用于调整功率放大器10的增益的信号。增益的调整是通过调整对功率放大器10的放大晶体管的栅极或者基极供给的偏置而进行的。或者，增益的调整也可以是通过调整对功率放大器10的放大晶体管的漏极或者集电极供给的电源电压而进行的。

[3校正处理]

接着，使用图3对校正电路80进行的校正处理的具体例进行说明。图3是表示本实施方式的高频电路1进行处理的高频信号和两个基准电压REF1以及REF2的图。在图3中，横轴表示时间，纵轴表示电压。

图3所示的高频信号例如是从功率检测器30输出的电压信号。高频信号例如是依据Wi-Fi(注册商标)、LTE(Long TermEvolution：长期演进)或者5G(5thGeneration：第五代)等通信标准的信号。例如，高频信号是1GHz频带、2.4GHz频带或者5GHz频带的信号，但不限于此。

高频信号是使用表示规定的信息的调制信号对输送波进行调制后的信号。在本实施方式中，高频信号是发送信号。如图3所示，高频信号的信号电平(电压电平)在发送时高到一定以上，在该信号电平高的期间，信号电平根据调制信号而变动。

在本实施方式中，设定有基准电压REF1和比基准电压REF1高的基准电压REF2。首先，在高频信号的电压电平的上升、即高频信号的发送的开始时，检测电压超过基准电压REF1。第一比较器40输出表示检测电压超过基准电压REF1的第一信号。这样，第一比较器40能够通过与基准电压REF1的比较来检测高频信号的发送开始。

若输入第一信号，则定时生成电路60生成时钟信号并供给到时钟端子81。由此，校正电路80成为能够执行校正的状态。

并且，通过检测电压超过基准电压REF2，从而第二比较器50输出表示检测电压超过基准电压REF2的第二信号。通过第二信号输入至使能端子82，从而校正电路80基于从输入端子83输入的校正用信号进行校正。具体而言，校正电路80基于校正用信号决定用于校正的参数，将基于所决定的参数的控制信号(校正信号)从输出端子84输出到功率放大器10。由此，在功率放大器10中，进行增益补偿等必要的校正。

这样，在本实施方式的高频电路1中，设定有两个基准电压REF1以及REF2，基于与两个基准电压REF1以及REF2中的每一个的比较结果来进行校正。具体而言，高频电路1通过与较低的基准电压REF1的比较来判定高频信号的处理(发送)开始，通过与较高的基准电压REF2的比较来判定是否是校正对象的高频信号。通过这样的两个阶段的判定，能够在需要校正的高频信号的发送时适当地进行校正。

以下，将仅设定有一个基准电压的情况作为比较例来表示其问题点，并且对本实施方式的高频电路1的效果进行说明。

图4A以及图4B分别是用于对基准电压为一个情况下的问题点进行说明的图。在图4A以及图4B中，横轴表示时间，纵轴表示电压。

在图4A中，表示高频信号的变动较大，高频信号的检测电压低于基准电压REF的例子。在检测电压超过基准电压REF的情况下，进行高频信号的校正，与之相对，在检测电压低于基准电压REF的定时，不进行高频信号的校正。即，在高频信号的发送中切换校正功能的接通断开。

在调制信号的频率较低的情况下，存在开关的接通断开能够追随的情况。然而，随着调制信号的频率变高，开关的接通断开变得无法追随，无法在适当的定时进行校正。即，校正的实时性降低或者欠缺。

鉴于这一点，期望在高频信号的发送中不切换校正功能的接通断开。因此，假定降低基准电压REF。然而，在降低基准电压REF的情况下，如图4B所示，存在原本不需要校正的高频信号被校正的情况。

在高频电路1中，存在对多个通信频段的高频信号进行处理的情况，由功率放大器10放大的高频信号的电特性也是各种各样的。因此，例如，存在检测电压低，进行原本不需要校正的高频信号的校正的情况。

在本实施方式的高频电路1中，不是利用一个基准电压REF进行校正/不校正的判定，而是使用大小不同的两个基准电压REF1以及REF2按照两个阶段进行判定。由此，即使在调制信号的频率较高的情况下，也能够高精度地进行校正。例如，在由于负荷变动等规定的重要因素而产生增益的变动的情况下，能够高精度地进行增益补偿。

此外，在本实施方式中，定时生成电路60也可以具有使供给时钟信号的定时延迟的延迟功能。如图3所示，高频信号的电压电平从上升开始到上升结束为止需要规定的时间。若在上升结束前开始校正用的参数的决定，则存在不能决定适当的参数的情况。通过定时生成电路60使时钟信号的供给延迟，能够使校正电路80的动作开始延迟，能够决定适当的参数。由此，能够提高校正的精度。

[4效果等]

像以上那样，本实施方式的高频电路1具备：第一电路，包括高频输入端子11、高频输出端子12以及控制端子14；功率检测器30，与高频输出端子12连接；校正电路80，包括时钟端子81、使能端子82、输入端子83以及输出端子84；第一比较器40，连接在功率检测器30的输出与时钟端子81之间；以及第二比较器50，连接在功率检测器30的输出与使能端子82之间。输出端子84与控制端子14连接。第二比较器50的基准电压REF2比第一比较器40的基准电压REF1高。

由此，能够实现高性能的高频电路1。具体而言，高频电路1能够通过与较低的基准电压REF1的比较来判定高频信号的处理(发送)开始，通过与较高的基准电压REF2的比较来判定是否是校正对象的高频信号。通过这样的两个阶段的判定，高频电路1能够在需要校正的高频信号的处理时，例如适当地进行增益补偿等校正。

另外，例如，高频电路1还具备连接在第一比较器40的输出与时钟端子81之间的定时生成电路60。

由此，例如，能够调整校正电路80的处理的开始的定时。能够在适当的定时决定校正用的参数，因此能够提高校正的精度。

另外，例如，高频电路1还具备连接在第一电路与输入端子83之间的RF检测电路70。

由此，例如，能够进行基于高频信号的频率、电压、电流、阻抗等电特性的校正。

另外，例如，高频电路1还具备定向耦合器20。功率检测器30经由定向耦合器20与高频输出端子12连接。

由此，能够在抑制对在发送路径中传播的高频信号赋予的影响的同时，进行高频信号的功率检测。

另外，本实施方式的高频电路1具备：第一电路，对高频信号进行处理；功率检测器30，检测高频信号的功率；第一比较器40，对表示功率检测器30的检测结果的电压与基准电压REF1进行比较；第二比较器50，对表示功率检测器30的检测结果的电压与比基准电压REF1高的基准电压REF2进行比较；以及校正电路80，基于第一比较器40的比较结果以及第二比较器50的比较结果来进行第一电路的校正。

由此，能够实现高性能的高频电路1。具体而言，高频电路1能够通过与较低的基准电压REF1的比较来判定高频信号的处理(发送)开始，通过与较高的基准电压REF2的比较来判定是否是校正对象的高频信号。通过这样的两个阶段的判定，高频电路1能够在需要校正的高频信号的处理时，例如适当地进行增益补偿等校正。

另外，例如，高频电路1还具备定时生成电路60，该定时生成电路60基于第一比较器40的比较结果来决定进行校正的定时。校正电路80在由定时生成电路60决定的定时，基于第二比较器50的比较结果来进行校正。

由此，例如，能够调整校正电路80的处理的开始的定时。能够在适当的定时决定校正用的参数，因此能够提高校正的精度。

另外，例如，校正电路80还基于高频信号的电特性的检测结果来进行校正。

由此，例如，能够进行基于高频信号的频率、电压、电流、阻抗等电特性的校正。

另外，例如，第一电路是功率放大器10。

由此，能够进行功率放大器10的增益补偿。例如，能够补偿由负荷变动或者其他的重要因素引起的增益变动。

另外，例如，功率放大器10包括场效应晶体管或者双极晶体管。

由此，能够通过调整对晶体管供给的偏置或者电源电压等，来进行增益补偿。

此外，在本实施方式中，说明了校正电路80进行配置于发送路径的功率放大器10的校正(增益补偿)的例子，但并不局限于此。例如，高频电路1也可以具备配置于接收路径的低噪声放大器。校正电路80也可以进行低噪声放大器的校正(增益补偿)。

[5变形例]

接着，对实施方式的变形例进行说明。在以下的说明中，以与实施方式的不同点为中心进行说明，省略或者简化共用点的说明。

[5.1变形例1]

首先，使用图5对变形例1的高频电路101进行说明。

图5是本变形例的高频电路101的电路结构图。如图5所示，高频电路101与实施方式的高频电路1相比，在取代功率放大器10而具备可变匹配电路110的方面不同。

可变匹配电路110是阻抗可变的匹配电路。可变匹配电路110例如与功率放大器10(参照图1)的输入或者输出连接。或者，在功率放大器10具有多个放大晶体管的多级结构的情况下，可变匹配电路110也可以配置于前级的放大晶体管与后级的放大晶体管之间。

另外，可变匹配电路110也可以与配置于高频电路101的发送路径的开关电路或者滤波器连接。另外，可变匹配电路110也可以与配置于高频电路101的接收路径的低噪声放大器、开关电路或者滤波器连接。

可变匹配电路110包括可变电感器和/或可变电容器。可变电感器例如包括一个以上的电感器和一个以上的开关。可变电容器例如包括一个以上的电容器和一个以上的开关。可变匹配电路110基于输入到控制端子14的控制信号(校正信号)来进行各开关的接通断开的切换。由此，可变匹配电路110能够根据校正信号来变更阻抗。

这样，在本变形例的高频电路101中，第一电路为可变匹配电路110。

由此，能够根据高频信号的频率变动、功率变动和/或阻抗变动等，来调整可变匹配电路110的阻抗。能够配合高频信号的电特性的变动来调整阻抗，因此能够减少功率的损耗，能够提高效率。

[5.2变形例2]

接下来，使用图6对变形例2的高频电路102进行说明。

图6是本变形例的高频电路102的电路结构图。如图6所示，高频电路102与实施方式的高频电路1相比，在不具备RF检测电路70的方面不同。

在本变形例中，校正电路80的输入端子83与功率检测器30的输出连接。即，对输入端子83输入功率检测器30的检测结果。

由此，校正电路80能够进行基于高频信号的检测电压的校正。可以不具备RF检测电路70，因此能够实现高频电路102的电路结构的简化以及高频电路1的小型化等。

[5.3变形例3]

接下来，使用图7A对变形例3的高频电路103A进行说明。

图7A是本变形例的高频电路103A的电路结构图。如图7A所示，高频电路103A与实施方式的高频电路1相比，在取代RF检测电路70而具备温度检测电路170的方面不同。

温度检测电路170检测功率放大器10的温度。例如，温度检测电路170设置于高频电路103A所具有的、安装有功率放大器10的基板。温度检测电路170与校正电路80的输入端子83连接，将检测结果输出到输入端子83。

校正电路80基于输入到输入端子83的温度的检测结果来进行校正。由此，能够补偿由温度变动引起的功率放大器10的增益变动。这样，能够基于高频信号的电特性以外的信息来进行校正。

在本变形例中，温度检测电路170是检测高频信号以外的信号的检测电路的一个例子。本变形例的高频电路103A所具备的检测电路不限于温度检测电路170。

图7B是本变形例的高频电路103B的电路结构图。如图7B所示，高频电路103B取代温度检测电路170而具备电源电压检测电路171。

电源电压检测电路171检测对高频电路103B供给的电源电路(未图示)的电压。例如，电源电压检测电路171检测对功率放大器10供给的电源电压。电源电压检测电路171与校正电路80的输入端子83连接，将检测结果输出到输入端子83。

校正电路80基于输入到输入端子83的电源电压的检测结果来进行校正。由此，能够补偿由电源电压的变动引起的功率放大器10的增益变动。这样，能够基于高频信号的电特性以外的信息来进行校正。

[5.4变形例4]

接下来，使用图8对变形例4的高频电路104进行说明。

图8是本变形例的高频电路104的电路结构图。如图8所示，高频电路104与实施方式的高频电路1相比，在不具备定时生成电路60的方面不同。在本变形例中，第一比较器40的输出与校正电路80的时钟端子81直接连接。

如上所述，定时生成电路60也作为用于对高频信号的上升时的电压检测的延迟进行插值的延迟电路发挥功能。因此，在电压检测的延迟不成为问题的情况下，也可以像本变形例的高频电路104那样，不设置定时生成电路60。

在本变形例中，向校正电路80的时钟端子81输入第一比较器40的比较结果。校正电路80在检测电压比基准电压REF1高的情况下成为能够进行校正的状态，在检测电压比基准电压REF2高的情况下进行校正即可。

此外，在变形例2～4中，示出了高频电路102～104分别具备功率放大器10的例子，但并不局限于此。高频电路102～104也可以与变形例1同样地具备可变匹配电路110。

(其他)

以上，基于上述的实施方式等对本发明的高频电路进行了说明，但本发明不限于上述的实施方式。

例如，基准电压REF1以及REF2中的至少一方也可以是可变的。例如，也可以基准电压REF2根据高频信号的电特性而可变。由此，能够进一步降低在高频信号的发送中途校正功能接通或者断开的可能性。

此外，对各实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得的方式、在不脱离本发明的主旨的范围内将各实施方式中的构成要素以及功能任意地组合而实现的方式也包括于本发明。

产业上的可利用性

本发明例如能够作为配置于多频带对应的前端部的高频电路等而广泛地利用于移动电话等通信设备。

附图标记说明：1、101、102、103A、103B、104…高频电路；2…天线；3…RFIC；4…BBIC；5…通信装置；10…功率放大器；11…高频输入端子；12…高频输出端子；13…信号输出端子；14…控制端子；20…定向耦合器；21…主线路；22…副线路；30…功率检测器；40…第一比较器；50…第二比较器；60…定时生成电路；70…RF检测电路；80…校正电路；81…时钟端子；82…使能端子；83…输入端子；84…输出端子；91…外部输入端子；92…外部输出端子；110…可变匹配电路；170…温度检测电路；171…电源电压检测电路。

Claims (12)

1.一种高频电路，其中，具备：

第一电路，包括高频输入端子、高频输出端子以及控制端子；

功率检测器，与所述高频输出端子连接；

校正电路，包括时钟端子、使能端子、输入端子以及输出端子；

第一比较器，连接在所述功率检测器的输出与所述时钟端子之间；以及

第二比较器，连接在所述功率检测器的输出与所述使能端子之间，

所述输出端子与所述控制端子连接，

所述第二比较器的基准电压比所述第一比较器的基准电压高。

2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

还具备定时生成电路，所述定时生成电路连接在所述第一比较器的输出与所述时钟端子之间。

3.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，

还具备高频检测电路，所述高频检测电路连接在所述第一电路与所述输入端子之间。

4.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，

所述输入端子与所述功率检测器的输出连接。

5.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，

还具备与所述输入端子连接的温度检测电路或者电源电压检测电路。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频电路，其中，

还具备定向耦合器，

所述功率检测器经由所述定向耦合器与所述高频输出端子连接。

7.一种高频电路，其中，具备：

第一电路，对高频信号进行处理；

功率检测器，检测所述高频信号的功率；

第一比较器，对表示所述功率检测器的检测结果的电压与第一基准电压进行比较；

第二比较器，对表示所述功率检测器的检测结果的电压与比所述第一基准电压高的第二基准电压进行比较；以及

校正电路，基于所述第一比较器的比较结果以及所述第二比较器的比较结果来进行所述第一电路的校正。

8.根据权利要求7所述的高频电路，其中，

还具备定时生成电路，所述定时生成电路基于所述第一比较器的比较结果来决定进行所述校正的定时，

所述校正电路在由所述定时生成电路决定的定时，基于所述第二比较器的比较结果来进行所述校正。

9.根据权利要求7或8所述的高频电路，其中，

所述校正电路还基于所述高频信号的电特性的检测结果来进行所述校正。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的高频电路，其中，

所述第一电路是功率放大器。

11.根据权利要求10所述的高频电路，其中，

所述功率放大器包括场效应晶体管或者双极晶体管。

12.根据权利要求1至9中任一项所述的高频电路，其中，

所述第一电路是可变匹配电路。