CN117938102A - 一种声表面波滤波器制造方法 - Google Patents
一种声表面波滤波器制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117938102A CN117938102A CN202410112160.9A CN202410112160A CN117938102A CN 117938102 A CN117938102 A CN 117938102A CN 202410112160 A CN202410112160 A CN 202410112160A CN 117938102 A CN117938102 A CN 117938102A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- idt
- manufacturing
- photoresist
- frequency modulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 17
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- SEJUQQOPVAUETF-QHLBDZCJSA-N (2r,6r,11s)-3-(cyclopropylmethyl)-6-ethyl-8-hydroxy-11-methyl-3,4,5,6-tetrahydro-2,6-methano-3-benzazocin-1(2h)-one Chemical compound C([C@@]1([C@@H]([C@@H]2C(=O)C=3C1=CC(O)=CC=3)C)CC)CN2CC1CC1 SEJUQQOPVAUETF-QHLBDZCJSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/081—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by coating or depositing using masks, e.g. lift-off
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明属于滤波器领域，具体涉及一种声表面波滤波器制造方法；该方法包括：在衬底上进行IDT层制作；在IDT层上进行调频层制作；在调频层上进行电极加厚层镀膜；采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，得到制作好的声表面波滤波器；本发明减少一层光刻，提升了生产效率；且可减少掩膜版的使用，降低了成本，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于滤波器领域，具体涉及一种声表面波滤波器制造方法。
背景技术
现有技术中，制作三层工艺的声表面波滤波器，其流程包括1、叉指换能器(IDT)层制作：IDT光刻、IDT镀膜、IDT剥离；2、电极加厚层制作：电极加厚层光刻、电极加厚层镀膜、电极加厚层剥离；3、调频层制作：调频层镀膜、调频层光刻、调频层刻蚀。
现有制作过程需要进行三次光刻，每次光刻均需要消耗一张掩膜版，因此其制作过程不仅效率低且需要成本高；亟需提供一种制作方法以提高制作效率以及减少成本。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提出了一种声表面波滤波器制造方法，该方法包括：
S1：在衬底上进行IDT层制作；
S2：在IDT层上进行调频层制作；
S3：在调频层上进行电极加厚层镀膜；
S4：采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，得到制作好的声表面波滤波器。
优选的，在衬底上进行IDT层制作的方式包括剥离工艺和刻蚀工艺。
进一步的，采用剥离工艺进行IDT层制作的过程包括：
IDT光刻：在衬底上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出IDT胶图案；
IDT镀膜：采用电子束蒸镀方式在IDT光刻后的结构上沉积合适厚度的金属膜层；
IDT剥离：采用湿法剥离工艺将光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，剩余部分形成由金属组成的IDT图案。
进一步的，采用刻蚀工艺进行IDT层制作的过程包括：
IDT镀膜：采用电子束蒸镀方式在衬底上沉积合适厚度的金属膜层；
IDT光刻：在金属膜层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出IDT胶图案；
IDT刻蚀：采用干法刻蚀工艺将未被光刻胶覆盖区域的金属刻蚀干净，刻蚀完成后，通过光刻胶去除剂将残留的光刻胶去除。
优选的，在IDT层上进行调频层制作的过程包括：
调频层镀膜：采用CVD方式在IDT层上沉积合适厚度的介质层；
调频层光刻：在介质层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出调频层胶图案；
调频层刻蚀：采用湿法刻蚀或干法刻蚀将未被光刻胶保护的介质层材料刻蚀干净，刻蚀完成后不去胶。
优选的，在调频层上进行电极加厚层镀膜的过程包括：采用电子束蒸镀在调频层上沉积合适厚度的金属膜层。
优选的，剥离工艺采用的剥离液包括NMP和丙酮。
本发明的有益效果为：本发明减少一层光刻，提升了生产效率；且可减少掩膜的使用版降低了成本；对于三层光刻工艺产品，可提升33％的光刻效率，对于四层光刻工艺产品，可提升25％的光刻效率，具有良好的应用前景。
附图说明
图1为原工艺与本发明的工艺制作流程对比图；
图2为本发明中的图例；
图3为本发明中IDT层制作流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提出了一种声表面波滤波器制造方法，如图1、图2所示，所述方法包括：
S1：在衬底上进行IDT层制作。
如图3所示，在衬底上进行IDT层制作的方式包括剥离工艺和刻蚀工艺。采用剥离工艺进行IDT层制作的过程包括：
IDT光刻：在衬底上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出设计好的IDT胶图案。所用衬底为压电材料，包括但不仅限于如LT、LN及POI材料；所用光刻胶，根据设计及工艺路线的选择，可选用正性光刻胶或负性光刻胶。
IDT镀膜：在IDT光刻后的结构上沉积合适厚度的金属膜层。沉积方式包括但不仅限于电子束蒸镀方式，用于沉积金属膜层的金属材料包括但不仅限于Ti，Al，Cu或者其合金等。
IDT剥离：采用湿法剥离工艺将光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，剩余部分形成由金属组成的IDT图案。优选的，剥离工艺采用的剥离液主要包括NMP、丙酮。
采用刻蚀工艺进行IDT层制作的过程包括：
IDT镀膜：在衬底上沉积合适厚度的金属膜层：沉积方式包括但不仅限于电子束蒸镀方式，用于沉积金属膜层的金属材料包括但不仅限于Ti，Al，Cu或者其合金等。
IDT光刻：在金属膜层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出设计好的IDT胶图案。所用光刻胶，根据设计及工艺路线的选择，可选用正性光刻胶或负性光刻胶。
IDT刻蚀：采用干法刻蚀工艺将未被光刻胶覆盖区域的金属刻蚀干净，刻蚀完成后，通过光刻胶去除剂将残留的光刻胶去除。所用光刻胶去除剂包括NMP，酒精，丙酮，EKC等。
S2：在IDT层上进行调频层制作。
现有技术中，先进行电极加厚层制作再进行调频层制作，其电极加厚层制作包括电极加厚层光刻，电极加厚层镀膜及电极加厚层剥离，调频层制作包括调频层镀膜，调频层光刻，调频层刻蚀；其中，在调频层刻蚀中，刻蚀完成后，需要通过光刻胶去除剂将残留的光刻胶去除。本发明则先在IDT层上进行调频层制作，具体过程包括：
调频层镀膜：在IDT层上沉积合适厚度的介质层。沉积方式包括不仅限于CVD方式，介质层包括但不仅限于SiO2，SiN这两类材料。
调频层光刻：在介质层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出设计好的调频层胶图案。所用光刻胶，根据设计及工艺路线的选择，可选用正性光刻胶或负性光刻胶。
调频层刻蚀：采用湿法刻蚀或干法刻蚀将未被光刻胶保护的介质层材料刻蚀干净，刻蚀完成后不去胶。所用刻蚀方式包括湿法刻蚀及干法刻蚀。
S3：在调频层上进行电极加厚层镀膜。
在本发明的新工艺中，调频层制作结束后将进行电极加厚层镀膜，具体过程包括：在调频层上沉积合适厚度的金属膜层。沉积方式包括但不仅限于电子束蒸镀方式。
S4：采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，得到制作好的声表面波滤波器。
最后，采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，优选的，剥离工艺采用的剥离液主要包括NMP,丙酮等，剥离光刻胶及光刻胶上的金属后，得到制作好的声表面波滤波器。
综上所述，本发明在电极加厚层与调频层的制作上进行了改进，通过调频层镀膜——电极加厚层光刻——调频层刻蚀——电极加厚层镀膜——电极加厚层剥离的制作流程，电极加厚层与调频层共用一张掩膜版，减少一次光刻；因此，本发明通过减少光刻，提升了生产效率；且可减少掩膜的使用版降低了成本；对于三层光刻工艺产品，可提升33％的光刻效率，对于四层光刻工艺产品，可提升25％的光刻效率，具有良好的应用前景。
以上所举实施例，对本发明的目的、技术方案和优点进行了进一步的详细说明，所应理解的是，以上所举实施例仅为本发明的优选实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内对本发明所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，包括：
S1：在衬底上进行IDT层制作；
S2：在IDT层上进行调频层制作；
S3：在调频层上进行电极加厚层镀膜；
S4：采用湿法剥离工艺将镀膜后的器件存留的光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，得到制作好的声表面波滤波器。
2.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，在衬底上进行IDT层制作的方式包括剥离工艺和刻蚀工艺。
3.根据权利要求2所述的一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，采用剥离工艺进行IDT层制作的过程包括：
IDT光刻：在衬底上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出IDT胶图案；
IDT镀膜：采用电子束蒸镀方式在IDT光刻后的结构上沉积合适厚度的金属膜层；
IDT剥离：采用湿法剥离工艺将光刻胶及光刻胶上的金属去除干净，剩余部分形成由金属组成的IDT图案。
4.根据权利要求2所述的一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，采用刻蚀工艺进行IDT层制作的过程包括：
IDT镀膜：采用电子束蒸镀方式在衬底上沉积合适厚度的金属膜层；
IDT光刻：在金属膜层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出IDT胶图案；
IDT刻蚀：采用干法刻蚀工艺将未被光刻胶覆盖区域的金属刻蚀干净，刻蚀完成后，通过光刻胶去除剂将残留的光刻胶去除。
5.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，在IDT层上进行调频层制作的过程包括：
调频层镀膜：采用CVD方式在IDT层上沉积合适厚度的介质层；
调频层光刻：在介质层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影制作出调频层胶图案；
调频层刻蚀：采用湿法刻蚀或干法刻蚀将未被光刻胶保护的介质层材料刻蚀干净，刻蚀完成后不去胶。
6.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，在调频层上进行电极加厚层镀膜的过程包括：采用电子束蒸镀在调频层上沉积合适厚度的金属膜层。
7.根据权利要求1所述的一种声表面波滤波器制造方法，其特征在于，剥离工艺采用的剥离液包括NMP和丙酮。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410112160.9A CN117938102A (zh) | 2024-01-26 | 2024-01-26 | 一种声表面波滤波器制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410112160.9A CN117938102A (zh) | 2024-01-26 | 2024-01-26 | 一种声表面波滤波器制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117938102A true CN117938102A (zh) | 2024-04-26 |
Family
ID=90750605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410112160.9A Pending CN117938102A (zh) | 2024-01-26 | 2024-01-26 | 一种声表面波滤波器制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117938102A (zh) |
-
2024
- 2024-01-26 CN CN202410112160.9A patent/CN117938102A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108923763B (zh) | 一种高频saw之idt铜工艺制造方法 | |
| CN108768334B (zh) | 一种tc-saw之idt铜工艺制造方法 | |
| CN112448687A (zh) | 一种tc-saw滤波器制造方法 | |
| CN111010126A (zh) | 一种分层式电极的声表面波滤波器结构及其制备方法 | |
| CN111146330A (zh) | 一种铜膜声表面波滤波器钝化层的制备方法 | |
| CN113675006A (zh) | 一种锰基氧化物微型超级电容器的制备方法 | |
| CN113890499A (zh) | 一种温度补偿滤波器的制备方法及温度补偿滤波器 | |
| CN117013984B (zh) | 一种键合晶圆及薄膜声表面波器件 | |
| CN117938102A (zh) | 一种声表面波滤波器制造方法 | |
| CN101676797B (zh) | 采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法 | |
| KR20050079691A (ko) | 표면 탄성파 소자의 제조방법 | |
| CN115542687A (zh) | 一种针对KrF光刻剥离工艺的双层胶剥离方法 | |
| JPH05283970A (ja) | 高周波帯弾性表面波素子 | |
| CN114640322B (zh) | 一种调控fbar滤波器中心频率的方法 | |
| JP2001053569A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| CN118554909B (zh) | 叉指换能器及其制备方法、声表面滤波器 | |
| TWI224892B (en) | Embedded surface acoustic wave (SAW) filter and the manufacturing method thereof | |
| CN115395912A (zh) | 声表面波滤波器及其制作方法 | |
| CN116525433A (zh) | 一种用于晶圆腐蚀工艺的金属掩膜制备方法 | |
| CN116192079A (zh) | 高频声表面波谐振器及制备方法 | |
| Nanayakkara et al. | A technique for modifying the aperture of an interdigital transducer finger pattern for a surface acoustic wave device | |
| CN117645270A (zh) | 一种基于铌酸锂单晶薄膜的振动传感器及制备方法 | |
| JPS5840848B2 (ja) | ダンセイヒヨウメンハスダレジヨウデンキヨクノセイゾウホウホウ | |
| JPH08191227A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| Lai et al. | Application of an alternating phase-shifting mask design method to near-field photolithography for fabricating more than 2 GHz SAW devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |