CN117917732A - 磁头及磁记录装置 - Google Patents

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CN117917732A
CN117917732A CN202310990375.6A CN202310990375A CN117917732A CN 117917732 A CN117917732 A CN 117917732A CN 202310990375 A CN202310990375 A CN 202310990375A CN 117917732 A CN117917732 A CN 117917732A
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pole
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成田直幸
前田知幸
高岸雅幸
永泽鹤美
长村燎
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Abstract

提供能提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、导电部、元件部、第1端子、第2端子、第3端子以及第4端子。所述导电部与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘。所述第1端子及所述第2端子与所述导电部电连接。所述元件部设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接，是导电性的。所述第3端子与所述第1磁极电连接。所述第4端子与所述第2磁极电连接。向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。

Description

磁头及磁记录装置
本申请以日本专利申请2022-168539(申请日2022年10月20日)为基础，根据该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式一般涉及磁头及磁记录装置。
背景技术
使用磁头，向HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁记录装置中，希望提高记录密度。
发明内容
本发明的实施方式提供能提高特性的磁头及磁记录装置。
用于解决课题的技术方案
根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、导电部、元件部、第1端子、第2端子、第3端子以及第4端子。所述导电部与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘。所述第1端子及所述第2端子与所述导电部电连接。所述元件部设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接，是导电性的。所述第3端子与所述第1磁极电连接。所述第4端子与所述第2磁极电连接。向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
根据上述构成的磁头，能够提供能提高特性的磁头及磁记录装置。
附图说明
图1是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图2是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性俯视图。
图3是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性俯视图。
图4是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性俯视图。
图5的(a)～图5的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图6的(a)～图6的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图7的(a)～图7的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图8的(a)～图8的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图9的(a)～图9的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图10的(a)～图10的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图11的(a)～图11的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图12的(a)～图12的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图13是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图14是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图15是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图16是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图17是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
图18的(a)及图18的(b)是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
标号说明
20：元件部；20a～20d：第1区域元件～第4区域元件；21～24：第1磁性层～第4磁性层；21P：第1磁极侧磁性层；21S：第1层叠体；30c：导电部；30i：绝缘构件；31、32：第1磁极、第2磁极；31f、32f：第1磁极面、第2磁极面；32a～32d：第1区域～第4区域；32af～32df：第1区域面～第4区域面；41～44：第1非磁性层～第4非磁性层；41I：非磁性中间层；41P：第1磁极侧非磁性层；60：记录部；60C：控制部；61、62：第1电路、第2电路；70：再现部；71：磁再现元件；72a、72b：第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件；80：磁记录介质；81：磁记录层；82：介质基板；83：磁化；85：介质移动方向；110、110a、110b、111a～111e、112a～112e、113a～113e、114a～114e、121a～121e、122a～122e、123a～123e、124a～124e、131a、131b：磁头；150：磁记录装置；154：悬架；155：臂；156：音圈马达；157：轴承部；158：磁头组件；159：头滑块；159A：空气流入侧；159B：空气流出侧；160：头堆叠组件；161：支承框；162：线圈；180：记录用介质盘；180M：主轴马达；181：记录介质；190：信号处理部；210：磁记录装置；AR、AR1：箭头；D1～D3：第1方向～第3方向；T1～T4：第1端子～第4端子；W1、W2：第1布线、第2布线；i1：第1电流；i2：元件电流；je：电子流
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的各实施方式进行说明。
附图是示意性的或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等，不一定与现实相同。即使是在表示同一部分的情况下，也存在根据附图而彼此的尺寸、比率不同地表示的情况。
在本申请说明书和各附图中，对于与关于已经出现的附图在先描述过的要素同样的要素，标注同一标号并适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
图2是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性俯视图。
图2是从图1的箭头AR1观察到的俯视图。图1是图2的A1-A2线剖视图。
实施方式涉及的磁头110包含于磁记录装置210。如图1所示，磁记录装置210例如可以包括磁头110、磁记录介质80以及控制部60C。在磁头110中，进行记录动作。在记录动作中，使用磁头110向磁记录介质80记录信息。在磁头110中，可以进行再现动作。
磁头110包括第1磁极31、第2磁极32、导电部30c以及元件部20。磁头110可以包括第1端子T1、第2端子T2、第3端子T3以及第4端子T4。
第2磁极32例如包括第1区域32a。第2磁极32可以包括第2区域32b等。
例如，第1磁极31及第2磁极32形成磁回路。第1磁极31例如是主磁极。第2磁极32的第1区域32a例如是尾随屏蔽件。第2区域32b例如是引导屏蔽件。
如图1所示，将从磁记录介质80向磁头110的方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将相对于Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。Z轴方向例如对应于高度方向。X轴方向例如对应于沿磁道方向。Y轴方向例如对应于跨磁道方向。沿着沿磁道方向，磁记录介质80与磁头110相对地移动。对磁记录介质80的所期望的位置施加从磁头110产生的记录磁场。磁记录介质80的所期望的位置的磁化控制成与记录磁场相应的方向。由此，向磁记录介质80记录信息。
如图1所示，第1磁极31包括第1磁极面31f。第1磁极面31f例如与磁记录介质80相对向。第1磁极面31f例如是ABS(Air Bearing Surface，空气支承面)。第1磁极面31f例如实质上沿着X-Y平面。
从第1磁极31向第1区域32a的第1方向D1沿着X轴方向。如图1所示，第1磁极31包括与第1区域32a相对向的面。第1区域32a包括与第1磁极31相对向的面。这些面也可以相对于Z轴方向倾斜。
导电部30c与第1磁极31及第2磁极32电绝缘。例如，在第1磁极31与导电部30c之间、以及第2磁极32与导电部30c之间设置有绝缘构件30i。在一个例子中，导电部30c可以是记录线圈。
第1端子T1及第2端子T2与导电部30c电连接。例如，第1端子T1与导电部30c的一部分(例如一端)电连接。第2端子T2与导电部30c的另一部分(例如另一端)电连接。能够向第1端子T1与第2端子T2之间供给第1电流i1。
在使用记录线圈作为导电部30c的情况下，第1电流i1可以是记录电流。在实施方式中，导电部30c可以与记录线圈分开设置。以下，对使用记录线圈作为导电部30c的情况的例子进行说明。
例如，向记录线圈供给与应记录的信息相应的记录电流。通过记录电流，从第1磁极31产生磁场(记录磁场)。通过记录磁场，向磁记录介质80记录信息。
如图2所示，元件部20是导电性的。如图1及图2所示，元件部20设置于第1磁极31与第2磁极32之间。元件部20与第1磁极31及第2磁极32电连接。
例如，元件部20包括第1区域元件20a。第1区域元件20a是导电性的。第1区域元件20a设置于第1磁极31与第1区域32a之间。第1区域元件20a与第1磁极31及第1区域32a电连接。
如图1所示，第3端子T3与第1磁极31电连接。第4端子T4与第2磁极32电连接。例如，第3端子T3通过第1布线W1而与第1磁极31电连接。第4端子T4通过第2布线W2而与第2磁极32电连接。
在实施方式中，可以设置第1状态。在第1状态下，向第1端子T1与第2端子T2之间供给第1电流i1。第1状态下的第1磁极31的温度(第1磁极温度)比第1状态下的第2磁极32的温度(第2磁极温度)高。例如，第1状态下的第1磁极31的温度(第1磁极温度)比第1状态下的第1区域32a的温度高。
例如，因向导电部30c供给的第1电流i1而产生的焦耳热，第1磁极31的温度上升。由此，第1状态下的第1磁极31的温度变为比第1状态下的第2磁极32(例如第1区域32a)的温度高。由于温度差，例如产生热电效应。由此，例如在第1磁极31与第2磁极32(第1区域32a)之间产生电位差。通过利用基于温度差的电位差，例如能够抑制功耗。例如，容易得到稳定的元件部20。
如后所述，向元件部20(例如，第1区域元件20a)供给元件电流i2。由此，从元件部20产生磁场。通过该磁场，例如适当地控制从第1磁极31产生的记录磁场的方向及大小中的至少任一方。由此，能够实现高效的记录动作。
或者，通过向元件部20供给元件电流i2，而从元件部20产生交变磁场。交变磁场例如是高频磁场。通过向磁记录介质80施加交变磁场，来辅助向磁记录介质80的记录。例如，能够实施MAMR(Microwave Assisted Magnetic Recording，微波辅助磁记录)。
在实施方式中，如上述那样，由于向导电部30c供给的第1电流i1而产生温度差。通过利用基于温度差的电位差，能够降低从外部供给的元件电流i2的电压。由此，能够抑制向元件部20供给的电力。例如，能够抑制元件部20的热劣化。例如，在元件部20中会容易得到稳定的特性。例如，能够得到长寿命的元件部20。例如，能够在维持高可靠性的同时增大元件电流i2。例如，能够得到高记录密度。根据实施方式，例如能够得到能提高特性的磁头。
在第1磁极31的温度比第2磁极32的温度高时，第1磁极31的电位容易比第2磁极32的电位高。认为这是基于元件部20、元件部20与第1磁极31之间的第1界面、以及元件部20与第2磁极32(例如第1区域32a)之间的第2界面处的热电效应。例如，元件部20中的塞贝克系数、第1界面处的塞贝克系数、以及第2界面处的塞贝克系数之和可以为正。
在实施方式中，上述的温度差能在向第1端子T1与第2端子T2之间供给第1电流i1的第1状态下得到。在该第1状态下，可以不向第3端子T3与第4端子T4之间供给电流(元件电流i2)。可以在元件电流i2不流过元件部20的第1状态下，产生温度差。
如上所述，在磁头110中，实施记录动作(第1动作)。在第1动作中，向第1端子T1与第2端子T2之间供给第1电流i1(例如记录电流)。在记录动作(第1动作)中，向第3端子T3与第4端子T4之间供给元件电流i2。由此，适当地控制记录磁场的方向及大小中的至少任一方。或者进行MAMR。
元件电流i2的方向例如是从第4端子T4向第3端子T3的方向。元件电流i2例如以从第2磁极32向第1磁极31的方向，流过元件部20(参照图2)。电子流je例如以从第1磁极31向第2磁极32的方向，流过元件部20(参照图2)。例如，元件电流i2例如以从第1区域32a向第1磁极31的方向，流过第1区域元件20a。电子流je例如以从第1磁极31向第1区域32a的方向，流过第1区域元件20a。
在第1动作(例如记录动作)中，从第1磁极31产生与第1电流i1相应的磁场(记录磁场)。从第1磁极31产生的磁场的方向根据第1电流i1的方向而变化。在第1动作中，将与第1电流i1的方向相应的信息记录于磁记录介质80。
在供给元件电流i2时，例如，第2磁极32的电位比第1磁极31的电位高。在第1磁极31的温度比第2磁极33的温度高的状态下，由于温度之差，例如第1磁极31的电位容易变得比第2磁极32的电位高。由此，能够减小元件电流i2流动时的、第2磁极32的电位与第1磁极31的电位之差的绝对值。例如，能够抑制向元件部20供给的电力。
在第1动作(例如记录动作)中，例如，通过元件电流i2流过第1磁极31及第2磁极32，促进了与第1电流i1相应的记录磁场的变化。例如，使第1电流i1变化了时的记录磁场的变化的偏差得以抑制。例如，第1电流i1的极性的变化的时刻与记录磁场的极性的变化的时刻之差的偏差得以抑制。例如，能够实施稳定的第1动作。例如，能够得到高写入能力。例如，能够得到高记录密度。
如图1所示，可以设置第1电路61和第2电路62。第1电路61能够将第1电流i1向第1端子T1与第2端子T2之间供给。第2电路62能够向第3端子T3及第4端子T4供给元件电流i2。第1电路61及第2电路62包含于控制部60C。第1电路61及第2电路62可以包含于磁记录装置210。
如图1所示，第1磁极31包括第1磁极面31f。第1磁极面31f与磁记录介质80相对向。第2磁极32包括第2磁极面32f。第2磁极面32f与磁记录介质80相对向。如图2所示，第1磁极面31f比第2磁极面32f小。例如，第1磁极31的体积比第2磁极32的体积小。第1磁极31的温度容易上升。例如，能够有效地得到基于温度差的电位差。
如图2所示，第1区域32a包括第1区域面32af。第1区域面32af与磁记录介质80相对向。如图2所示，第1磁极面31f可以比第1区域面32af小。
如图2所示，第2磁极32还可以包括第3区域32c。从第3区域32c向第1磁极31的第2方向D2与从第1磁极31向第1区域32a的第1方向D1交叉。第2方向D2例如是Y轴方向。Z轴方向例如沿着第3方向D3。第3方向D3与包括第1方向D1及第2方向D2的平面交叉。
如图2所示，第2磁极32还可以包括第4区域32d。从第3区域32c向第4区域32d的方向沿着第2方向D2。第1磁极31在第2方向D2上，处于第3区域32c与第4区域32d之间。第3区域32c及第4区域32d例如是侧屏蔽件。通过设置第3区域32c及第4区域32d，来控制从第1磁极31产生的记录磁场，高效地施加于磁记录介质80。
以下，对实施方式涉及的磁头的几个例子进行说明。以下，对与上述磁头110的构成同样的构成，省略说明。
图3是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性俯视图。
如图3所示，在实施方式涉及的磁头110a中，元件部20包括第2区域元件20b。如已经说明过的那样，第2磁极32还包括第2区域32b。第1磁极31处于第2区域32b与第1区域32a之间。第2区域元件20b是导电性的。第2区域元件20b设置于第2区域32b与第1磁极31之间。
在磁头110a中，在第1动作(例如记录动作)中，从第2区域32b向第1磁极31的方向的元件电流i2流向第2区域元件20b。
在磁头110a中，第1磁极面31f比第2磁极面32f小。如图3所示，第2区域32b可以包括第2区域面32bf。第2区域面32bf与磁记录介质80相对向。第1磁极面31f可以比第2区域面32bf小。
图4是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性俯视图。
如图4所示，实施方式涉及的磁头110b包括第3区域元件20c。如已经说明过的那样，第2磁极32包括第3区域32c。从第3区域32c向第1磁极31的方向沿着第2方向D2。第3区域元件20c是导电性的。第3区域元件20c设置于第3区域32c与第1磁极31之间。
磁头110b可以包括第4区域元件20d。如已经说明过的那样，第2磁极32包括第4区域32d。从第3区域32c向第4区域32d的方向沿着第2方向D2。第1磁极31处于第3区域32c与第4区域32d之间。第4区域元件20d是导电性的。第4区域元件20d设置于第1磁极31与第4区域32d之间。
在磁头110b中，在第1动作(例如记录动作)中，从第3区域32c向第1磁极31的方向的元件电流i2流向第3区域元件20c。在第1动作(例如记录动作)中，从第4区域32d向第1磁极31的方向的元件电流i2流向第4区域元件20d。
在磁头110b中，第1磁极面31f比第2磁极面32f小。如图4所示，第3区域32c可以包括第3区域面32cf。第3区域面32cf与磁记录介质80相对向。第1磁极面31f可以比第3区域面32cf小。如图4所示，第4区域32d可以包括第4区域面32df。第4区域面32df与磁记录介质80相对向。第1磁极面31f可以比第4区域面32df小。
在磁头110a及磁头110b中，在第1状态下，第1磁极31的温度比第2磁极32的温度高。在不流过元件电流i2的第1状态下，第1磁极31的第1电位比第2磁极32的第2电位高。例如，能够抑制向元件部20供给的电力。例如，能够抑制元件部20的热劣化。例如，能够得到能提高特性的磁头。
以下，对元件部20的几个例子进行说明。
图5的(a)～图5的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图5的(a)所示，在实施方式涉及的磁头111a中，元件部20(例如第1区域元件20a)包括第1磁极侧非磁性层41P。第1磁极侧非磁性层41P与第1磁极31相接。第1磁极侧非磁性层41P包括从由Ru、Ta、Ir、Rh、Pd、Pt及W构成的组(第1元素组)中选择出的至少一种。
如图5的(b)所示，在实施方式涉及的磁头111b中，元件部20(例如第1区域元件20a)包括第1磁极侧非磁性层41P及第1层叠体21S。第1磁极侧非磁性层41P处于第1磁极31与第1层叠体21S之间。在该例子中，第1层叠体21S包括第1磁性层21和第1非磁性层41。第1磁性层21处于第1磁极侧非磁性层41P与第1非磁性层41之间。在该例子中，第1非磁性层41包括从由Cu、Au、Cr、V、Al及Ag构成的组(第2元素组)中选择出的至少一种。
如图5的(c)所示，在实施方式涉及的磁头111c中，第1层叠体21S还包括第2磁性层22和第2非磁性层42。第2磁性层22处于第1磁性层21与第2非磁性层42之间。第2非磁性层42可以包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
如图5的(d)所示，在实施方式涉及的磁头111d中，第1层叠体21S还包括第3磁性层23和第3非磁性层43。第3磁性层23处于第2磁性层22与第3非磁性层43之间。第3非磁性层43可以包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
如图5的(e)所示，在实施方式涉及的磁头111e中，第1层叠体21S还可以包括第4磁性层24和第4非磁性层44。第4磁性层24处于第3磁性层23与第4非磁性层44之间。第4非磁性层44可以包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
第1磁性层21、第2磁性层22、第3磁性层23以及第4磁性层24中的至少任一者包括从由Fe、Co及Ni构成的组中选择出的至少一种。
图6的(a)～图6的(e)、图7的(a)～图7的(e)、以及图8的(a)～图8的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图6的(a)、图7的(a)以及图8的(a)所示，在磁头112a、磁头113a以及磁头114a中，元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)可以包括上述的第1磁极侧非磁性层41P。
如图6的(b)、图7的(b)以及图8的(b)所示，在磁头112b、磁头113b以及磁头114b中，元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)可以包括第1磁极侧非磁性层41P和第1层叠体21S。第1层叠体21S包括第1磁性层21和第1非磁性层41。
如图6的(c)、图7的(c)以及图8的(c)所示，在磁头112c、磁头113c以及磁头114c中，在元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)中，第1层叠体21S还可以包括第2磁性层22和第2非磁性层42。
如图6的(d)、图7的(d)以及图8的(d)所示，在磁头112d、磁头113d以及磁头114d中，在元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)中，第1层叠体21S还可以包括第3磁性层23和第3非磁性层43。
如图6的(e)、图7的(e)以及图8的(e)所示，在磁头112e、磁头113e以及磁头114e中，在元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)中，第1层叠体21S还可以包括第4磁性层24和第4非磁性层44。
在磁头111a、磁头112a、磁头113a以及磁头114a中，记录磁场的方向及大小中的至少任一方被适当地控制。
在磁头111b、磁头112b、磁头113b以及磁头114b中，第1磁性层21的磁化相对于第1磁极31的磁化反转。记录磁场的方向及大小中的至少任一方被适当地控制。
在磁头111c、磁头112c、磁头113c、磁头114c、磁头111d、磁头112d、磁头113d、磁头114d、磁头111e、磁头112e、磁头113e以及磁头114e中的至少一者的一个例子中，从第1层叠体21S产生交变磁场。实施MAMR。在一个例子中，第1磁性层21的磁化和第2磁性层22的磁化中的至少一方相对于第1磁极31的磁化反转。记录磁场的方向及大小中的至少任一方被适当地控制。也可以实施MAMR、和记录磁场的方向及大小中的至少任一方的控制。
图9的(a)～图9的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图9的(a)所示，在实施方式涉及的磁头121a中，元件部20(例如第1区域元件20a)包括第1磁极侧磁性层21P和非磁性中间层41I。第1磁极侧磁性层21P设置于第1磁极31与非磁性中间层41I之间。非磁性中间层41I包括从由Cu、Au、Cr、V、Al及Ag构成的组(第2组)中选择出的至少一种。第1磁极侧磁性层21P包括从由Fe、Co及Ni构成的组中选择出的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的组(第3组)中选择出的至少一种。第1磁极侧磁性层21P例如具有负极化。例如，第1磁极侧磁性层21P与非磁性中间层41I相接。例如，第1磁极侧磁性层21P与第1磁极31相接。
如图9的(b)所示，在实施方式涉及的磁头121b中，元件部20(例如第1区域元件20a)还包括第1层叠体21S。非磁性中间层41I处于第1磁极侧磁性层21P与第1层叠体21S之间。第1层叠体21S包括第1磁性层21和第1非磁性层41。第1磁性层21处于非磁性中间层41I与第1非磁性层41之间。第1非磁性层41例如包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
如图9的(c)所示，在实施方式涉及的磁头121c中，第1层叠体21S还包括第2磁性层22和第2非磁性层42。第2磁性层22处于第1磁性层21与第2非磁性层42之间。第2非磁性层42可以包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
如图9的(d)所示，在实施方式涉及的磁头121d中，第1层叠体21S还包括第3磁性层23和第3非磁性层43。第3磁性层23处于第2磁性层22与第3非磁性层43之间。第3非磁性层43可以包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
如图9的(e)所示，在实施方式涉及的磁头121e中，第1层叠体21S还包括第4磁性层24和第4非磁性层44。第4磁性层24处于第3磁性层23与第4非磁性层44之间。第4非磁性层44可以包括从上述的第1元素组中选择出的至少一种、或者从上述的第2元素组中选择出的至少一种。
第1磁性层21、第2磁性层22、第3磁性层23以及第4磁性层24中的至少任一方包括从由Fe、Co及Ni构成的组中选择出的至少一种。
图10的(a)～图10的(e)、图11的(a)～图11的(e)以及图12的(a)～图12的(e)是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图10的(a)、图11的(a)以及图12的(a)所示，在磁头122a、磁头123a以及磁头124a中，元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)可以包括上述的第1磁极侧磁性层21P和非磁性中间层41I。
如图10的(b)、图11的(b)以及图12的(b)所示，在磁头122b、磁头123b以及磁头124b中，元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)可以包括第1磁极侧磁性层21P、非磁性中间层41I以及第1层叠体21S。第1层叠体21S包括第1磁性层21和第1非磁性层41。
如图10的(c)、图11的(c)以及图12的(c)所示，在磁头122c、磁头123c以及磁头124c中，在元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)中，第1层叠体21S还可以包括第2磁性层22和第2非磁性层42。
如图10的(d)、图11的(d)以及图12的(d)所示，在磁头122d、磁头123d以及磁头124d中，在元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)中，第1层叠体21S还可以包括第3磁性层23和第3非磁性层43。
如图10的(e)、图11的(e)以及图12的(e)所示，在磁头122e、磁头123e以及磁头124e中，在元件部20(例如，第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d)中，第1层叠体21S还可以包括第4磁性层24和第4非磁性层44。
在磁头121a、磁头122a、磁头123a以及磁头124a中，记录磁场的方向及大小中的至少任一方被适当地控制。
在磁头121b、磁头122b、磁头123b以及磁头124b中，第1磁性层21的磁化相对于第1磁极31的磁化反转。记录磁场的方向及大小中的至少任一方被适当地控制。
在磁头121c、磁头122c、磁头123c、磁头124c、磁头121d、磁头122d、磁头123d、磁头124d、磁头121e、磁头122e、磁头123e以及磁头124e中的至少一者中的一个例子中，从第1层叠体21S产生交变磁场。实施MAMR。在一个例子中，第1磁性层21的磁化和第2磁性层22的磁化中的至少一方相对于第1磁极31的磁化反转。记录磁场的方向及大小中的至少任一方被适当地控制。也可以实施MAMR、和记录磁场的方向及大小中的至少任一方的控制。
在实施方式中，可以设置有第1区域元件20a、第2区域元件20b、第3区域元件20c以及第4区域元件20d中的至少任一方。例如，也可以是第1区域32a为引导屏蔽件，第2区域32b为尾随屏蔽件。例如，也可以省略上述的第1区域元件20a和第2区域元件20b而设置第3区域元件20c。在该情况下，也可以将第3区域元件20c视为“第1区域元件”。
可以任意组合地应用图5的(a)～图5的(e)、图6的(a)～图6的(e)、图7的(a)～图7的(e)、图8的(a)～图8的(e)、图9的(a)～图9的(e)、图10的(a)～图10的(e)、图11的(a)～图11的(e)以及图12的(a)～图12的(e)所例示的构成。
图13是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图13所示，在实施方式涉及的磁头131a中，记录线圈(导电部30c)设置于第1磁极31、与第2磁极32的第1区域32a之间。记录线圈(导电部30c)可以不设置于第1磁极31与第2区域32b之间。
图14是例示第1实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。
如图14所示，在实施方式涉及的磁头131b中，第2磁极32的第2区域32b可以包括沿着Z轴方向的部分、和沿着X-Y平面扩展的部分。第2区域32b的面积容易扩大。第2区域32b可以包括沿着X-Y平面扩展的部分而不包括沿着Z轴方向的部分。
(第2实施方式)
在以下的实施方式中，应用关于第1实施方式已经说明过的磁头(磁头110等)及其变形。以下，对使用磁头110的情况的例子进行说明。
图15是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
如图15所示，实施方式涉及的磁头(例如，磁头110)与磁记录介质80一起使用。在该例子中，磁头110包括记录部60和再现部70。通过磁头110的记录部60，向磁记录介质80记录信息。通过再现部70，将记录于磁记录介质80的信息再现。
磁记录介质80例如包括介质基板82和设置在介质基板82上的磁记录层81。磁记录层81的磁化83由记录部60控制。
再现部70例如包括第1再现磁屏蔽件72a、第2再现磁屏蔽件72b、以及磁再现元件71。磁再现元件71设置于第1再现磁屏蔽件72a与第2再现磁屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与磁记录层81的磁化83相应的信号。
如图15所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头110相对地移动。通过磁头110，在任意的位置控制与磁记录层81的磁化83对应的信息。通过磁头110，在任意的位置将与磁记录层81的磁化83对应的信息再现。
图16是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图16例示了头滑块。
磁头110设置于头滑块159。头滑块159例如包括Al2O3/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质之上浮起或接触，一边相对于磁记录介质相对地运动。
头滑块159例如包括空气流入侧159A和空气流出侧159B。磁头110配置于头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质之上浮起或接触，一边相对于磁记录介质相对地运动。
图17是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。
如图17所示，实施方式涉及的磁记录装置150包括旋转致动器。记录用介质盘180与主轴马达180M连接。记录用介质盘180通过主轴马达180M而沿箭头AR的方向旋转。主轴马达180M响应于来自驱动装置控制部的控制信号。实施方式涉及的磁记录装置150也可以包括多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive，固态驱动器)。记录介质181例如使用闪速存储器等非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以是混合HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)。
头滑块159进行向记录用介质盘180记录的信息的记录及再现。头滑块159设置于薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置有实施方式涉及的磁头。
在记录用介质盘180旋转着的状态下，悬架154的按压压力与在头滑块159的介质相对向面(ABS)产生的上浮压力平衡。头滑块159的介质相对向面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的上浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触移动型。
悬架154连接于臂155(例如致动器臂)的一端。臂155例如包括绕线架部等。绕线架部保持驱动线圈。在臂155的另一端，设置有音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈和磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的绕线架部。磁回路包括永磁体和相对向磁轭。在永磁体与相对向磁轭之间，设置有驱动线圈。悬架154包括一端和另一端。磁头设置于悬架154的一端。臂155连接于悬架154的另一端。
臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置于轴承部157的上下2个部位。臂155能够通过音圈马达156而旋转及滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意的位置。
图18的(a)和图18的(b)是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
图18的(a)例示出了磁记录装置150所包括的头堆叠组件160。头堆叠组件160包括磁头组件158(例如，头万向节组件：HGA)。图18的(b)例示出了磁头组件158。
如图18的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、磁头组件158、以及支承框161。磁头组件158从轴承部157延伸。支承框161从轴承部157延伸。支承框161延伸的方向与磁头组件158延伸的方向相反。支承框161支承音圈马达156的线圈162。
如图18的(b)所示，磁头组件158包括从轴承部157延伸出的臂155、和从臂155延伸出的悬架154。
在悬架154的前端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式涉及的磁头。
实施方式涉及的磁头组件158包括实施方式涉及的磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154、以及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。
悬架154例如可以包括信号的记录及再现用的布线(未图示)。悬架154例如可以包括用于调整上浮量的加热器用的布线(未图示)。悬架154例如可以包括用于振荡元件等的布线(未图示)。这些布线与设置于磁头的多个电极电连接。
在磁记录装置150中，设置有信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行针对磁记录介质的信号的记录及再现。信号处理部190的输入输出线例如连接于磁头组件158的电极焊盘，与磁头电连接。
实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部、以及信号处理部。可动部能够使得磁记录介质与磁头在分离或者接触的状态下相对地移动。位置控制部使磁头对位于磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行使用了磁头的、对于磁记录介质的信号的记录及再现。
例如，作为上述的磁记录介质，使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括磁头组件158。
实施方式也可以包括以下的技术方案。
(技术方案1)
一种磁头，具备：
第1磁极；
第2磁极；
导电部，其与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘；
第1端子及第2端子，其与所述导电部电连接；
导电性的元件部，其设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接；
第3端子，其与所述第1磁极电连接；以及
第4端子，其与所述第2磁极电连接，
向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度，比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
(技术方案2)
根据技术方案1所述的磁头，
在所述第1状态下，不向所述第3端子与所述第4端子之间供给电流。
(技术方案3)
根据技术方案1或2所述的磁头，
在第1动作中，向所述第1端子与所述第2端子之间供给所述第1电流，
在所述第1动作中，向所述第3端子与所述第4端子之间供给元件电流。
(技术方案4)
根据技术方案3所述的磁头，
所述元件电流的方向为从所述第4端子向所述第3端子的方向。
(技术方案5)
根据技术方案3所述的磁头，
在所述第1动作中，从所述第1磁极产生与所述第1电流相应的磁场。
(技术方案6)
根据技术方案5所述的磁头，
所述磁场的方向根据所述第1电流的方向而变化。
(技术方案7)
根据技术方案3～6中任一项所述的磁头，
在所述第1动作中，与所述第1电流的方向相应的信息记录于磁记录介质。
(技术方案8)
根据技术方案7所述的磁头，
所述第1磁极包括与所述磁记录介质相对向的第1磁极面，
所述第2磁极包括与所述磁记录介质相对向的第2磁极面，
所述第1磁极面比所述第2磁极面小。
(技术方案9)
根据技术方案1～8中任一项所述的磁头，
在所述第1状态下，所述第1磁极的第1电位比所述第2磁极的第2电位高。
(技术方案10)
一种磁头，具备：
第1磁极；
第2磁极；
导电部，其与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘；
第1端子及第2端子，其与所述导电部电连接；
导电性的元件部，其设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接；
第3端子，其与所述第1磁极电连接；以及
第4端子，其与所述第2磁极电连接，
向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1电位，比所述第1状态下的所述第2磁极的第2电位高，
在所述第1状态下，不向所述第3端子与所述第4端子之间供给电流。
(技术方案11)
根据技术方案1～10中任一项所述的磁头，
所述第2磁极包括第1区域，
所述元件部包括第1区域元件，
所述第1区域元件设置于所述第1磁极与所述第1区域之间。
(技术方案12)
根据技术方案11所述的磁头，
所述第2磁极还包括第2区域，
所述第1磁极处于所述第2区域与所述第1区域之间，
所述元件部还包括第2区域元件，
所述第2区域元件设置于所述第2区域与所述第1磁极之间。
(技术方案13)
根据技术方案11或12所述的磁头，
所述第2磁极还包括第3区域，
从所述第3区域向所述第1磁极的第2方向与从所述第1磁极向所述第1区域的第1方向交叉，
所述元件部还包括第3区域元件，
所述第3区域元件设置于所述第3区域与所述第1磁极之间。
(技术方案14)
根据技术方案13所述的磁头，
所述第2磁极还包括第4区域，
所述第1磁极在所述第2方向上，处于所述第3区域与所述第4区域之间，
所述元件部还包括第4区域元件，
所述第4区域元件设置于所述第1磁极与所述第4区域之间。
(技术方案15)
根据技术方案1～14中任一项所述的磁头，
所述元件部包括与所述第1磁极相接的第1磁极侧非磁性层，
所述第1磁极侧非磁性层包括选自Ru、Ta、Ir、Rh、Pd、Pt及W中的至少一种。
(技术方案16)
根据技术方案15所述的磁头，
所述元件部还包括第1层叠体，
所述第1磁极侧非磁性层处于所述第1磁极与所述第1层叠体之间，
所述第1层叠体包括第1磁性层和第1非磁性层，
所述第1磁性层处于所述第1磁极侧非磁性层与所述第1非磁性层之间。
(技术方案17)
根据技术方案1～14中任一项所述的磁头，
所述元件部包括：
第1磁极侧磁性层；和
非磁性中间层，
所述第1磁极侧磁性层设置于所述第1磁极与所述非磁性中间层之间，
所述非磁性中间层包括选自Cu、Au、Cr、V、Al及Ag中的至少一种，
所述第1磁极侧磁性层包括：
选自Fe、Co及Ni中的至少一种；和
选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种。
(技术方案18)
根据技术方案17所述的磁头，
所述第1磁极侧磁性层与所述非磁性中间层相接。
(技术方案19)
根据技术方案17或18所述的磁头，
所述元件部还包括第1层叠体，
所述非磁性中间层处于所述第1磁极侧磁性层与所述第1层叠体之间，
所述第1层叠体包括第1磁性层和第1非磁性层，
所述第1磁性层处于所述非磁性中间层与所述第1非磁性层之间。
(技术方案20)
一种磁记录装置，具备：
构成3～6中任一项所述的磁头；
第1电路，其能够供给所述第1电流；以及
第2电路，其能够供给所述元件电流。
根据实施方式，能够提供能提高特性的磁头及磁记录装置。
在本申请说明书中，“垂直”及“平行”不仅是严格的垂直及严格的平行，还包括例如制造工序中的偏差等，只要实质上垂直及实质上平行即可。
以上，一边参照具体例，一边对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于这些具体例。例如，关于磁头及磁记录装置所包括的磁极、元件、导电部、磁性层、非磁性层、端子及控制部等各要素的具体的构成，只要通过本领域技术人员从公知的范围中适当选择而能同样地实施本发明并能够获得同样的效果，就包含于本发明的范围。
在技术上可行的范围内将各具体例的任意2个以上的要素进行组合而得到的方案，只要包含本发明的要旨，就也包含于本发明的范围中。
除此之外，以作为本发明的实施方式而在前面描述过的磁头及磁记录装置为基础，本领域技术人员适当变更设计而能够实施的所有的磁头及磁记录装置，只要包含本发明的要旨，就也属于本发明的范围。
除此之外，应该了解到：在本发明的思想范畴中，若是本领域技术人员，则能够想到各种变更例及修正例，关于这些变更例及修正例，也属于本发明的范围。
以上说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并非意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的要旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围、要旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其等同的范围。

Claims (10)

1.一种磁头，具备：
第1磁极；
第2磁极；
导电部，其与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘；
第1端子及第2端子，其与所述导电部电连接；
导电性的元件部，其设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接；
第3端子，其与所述第1磁极电连接；以及
第4端子，其与所述第2磁极电连接，
向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
2.根据权利要求1所述的磁头，
在所述第1状态下，不向所述第3端子与所述第4端子之间供给电流。
3.根据权利要求1所述的磁头，
在第1动作中，向所述第1端子与所述第2端子之间供给所述第1电流，
在所述第1动作中，向所述第3端子与所述第4端子之间供给元件电流。
4.根据权利要求3所述的磁头，
所述元件电流的方向为从所述第4端子向所述第3端子的方向。
5.根据权利要求3所述的磁头，
在所述第1动作中，从所述第1磁极产生与所述第1电流相应的磁场。
6.根据权利要求5所述的磁头，
所述磁场的方向根据所述第1电流的方向而变化。
7.一种磁头，具备：
第1磁极；
第2磁极；
导电部，其与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘；
第1端子及第2端子，其与所述导电部电连接；
导电性的元件部，其设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接；
第3端子，其与所述第1磁极电连接；以及
第4端子，其与所述第2磁极电连接，
向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1电位比所述第1状态下的所述第2磁极的第2电位高，
在所述第1状态下，不向所述第3端子与所述第4端子之间供给电流。
8.根据权利要求1所述的磁头，
所述元件部包括与所述第1磁极接触的第1磁极侧非磁性层，
所述第1磁极侧非磁性层包括选自Ru、Ta、Ir、Rh、Pd、Pt及W中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的磁头，
所述元件部包括：
第1磁极侧磁性层；和
非磁性中间层，
所述第1磁极侧磁性层设置于所述第1磁极与所述非磁性中间层之间，
所述非磁性中间层包括选自Cu、Au、Cr、V、Al及Ag中的至少一种，
所述第1磁极侧磁性层包括：
选自Fe、Co及Ni中的至少一种；和
选自Cr、V、Mn、Ti及Sc中的至少一种。
10.一种磁记录装置，具备：
权利要求3所述的磁头；
第1电路，其能够供给所述第1电流；以及
第2电路，其能够供给所述元件电流。
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