CN117916039A - 具有空隙填充的3d（三维）打印 - Google Patents

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Abstract

本文公开了一种3D(三维)打印方法。所述方法包括：打印第一层；基于所述第一层的图像定位所述第一层中的第一非预期空隙；填充所述第一非预期空隙；以及在进行所述填充所述第一非预期空隙之后，在所述第一层上打印第二层。

Description

具有空隙填充的3D(三维)打印
【背景技术】
辐射检测器是一种测量辐射性质的装置。性质的示例可以包括辐射的强度、相位和偏振的空间分布。辐射可以是已经与物体相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是已经穿透物体的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射也可以是其它类型，例如α射线和β射线。成像系统可以包括一个或多个图像传感器，每个图像传感器可以具有一个或多个辐射检测器。
【发明内容】
本文公开了一种3D(三维)打印方法，所述方法包括：打印第一层；基于所述第一层的图像定位所述第一层中的第一非预期空隙；填充所述第一非预期空隙；以及在进行所述填充所述第一非预期空隙之后，在所述第一层上打印第二层。
在一方面，所述方法还包括：基于所述第二层的图像定位所述第二层中的第二非预期空隙；填充所述第二非预期空隙；以及在进行所述填充所述第二非预期空隙之后，在所述第二层上打印第三层。
在一方面，所述方法还包括生成所述第一层的图像，其中，所述第一层的图像是所述第一层的3D图像，并且其中，所述定位所述第一非预期空隙包括将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较。
在一方面，所述生成所述第一层的图像包括：拍摄所述第一层的M个2D(2维)图像，M为大于1的整数；以及使用计算机断层摄影由所述M个2D图像生成所述第一层的图像。
在一方面，所述拍摄所述第一层的M个2D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转辐射源和辐射检测器。
在一方面，所述拍摄所述第一层的M个2D图像还包括，对于所述M个2D图像中的每个2D图像：使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线锥形束；以及使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述锥形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的2D图像。
在一方面，所述方法还包括生成所述第一层的图像，其中，所述第一层的图像是所述第一层的2D图像，并且其中，所述定位所述第一非预期空隙包括将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较。
在一方面，所述生成所述第一层的图像包括：拍摄所述第一层的N个1D(1维)图像，N为大于1的整数；以及使用计算机断层摄影由所述N个1D图像生成所述第一层的图像。
在一方面，所述拍摄所述第一层的N个1D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转辐射源和辐射检测器。
在一方面，所述拍摄所述第一层的N个1D图像还包括，对于所述N个1D图像中的每个1D图像：使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线扇形束，其中所述扇形束平行于所述第二层；以及使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述扇形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的1D图像。
本文公开了一种3D打印设备，所述3D打印设备包括：3D打印机；以及成像系统，其中，所述3D打印机被配置为打印第一层，其中，所述成像系统被配置为基于所述第一层的图像定位所述第一层中的第一非预期空隙，其中，所述3D打印机被配置为填充所述第一非预期空隙，以及其中，所述3D打印机被配置为在所述3D打印机填充所述第一非预期空隙之后在所述第一层上打印第二层。
在一方面，所述成像系统被配置为基于所述第二层的图像定位所述第二层中的第二非预期空隙，其中，所述3D打印机被配置为填充所述第二非预期空隙，以及其中，所述3D打印机被配置为在所述3D打印机填充所述第二非预期空隙之后在所述第二层上打印第三层。
在一方面，所述成像系统被配置为生成所述第一层的图像，其中，所述第一层的图像是所述第一层的3D图像，并且其中，所述成像系统被配置为通过将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较来定位所述第一层中的所述第一非预期空隙。
在一方面，所述成像系统被配置为通过以下方式生成所述第一层的图像：拍摄所述第一层的M个2D图像，M为大于1的整数；以及使用计算机断层摄影由所述M个2D图像生成所述第一层的图像。
在一方面，所述拍摄所述第一层的M个2D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转所述成像系统的辐射源和辐射检测器。
在一方面，所述拍摄所述第一层的M个2D图像还包括，对于所述M个2D图像中的每个2D图像：使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线锥形束；以及使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述锥形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的2D图像。
在一方面，所述成像系统被配置为生成所述第一层的图像，其中，所述第一层的图像是所述第一层的2D图像，并且其中，所述成像系统被配置为通过将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较来定位所述第一层中的所述第一非预期空隙。
在一方面，所述成像系统被配置为通过以下方式生成所述第一层的图像：拍摄所述第一层的N个1D图像，N为大于1的整数；以及使用计算机断层摄影由所述N个1D图像生成所述第一层的图像。
在一方面，所述拍摄所述第一层的N个1D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转所述成像系统的辐射源和辐射检测器。
在一方面，所述拍摄所述第一层的N个1D图像还包括，对于所述N个1D图像中的每个1D图像：使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线扇形束，其中所述扇形束平行于所述第二层；以及使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述扇形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的1D图像。
【附图说明】
图1示意性地示出了根据实施例的辐射检测器。
图2示意性地示出了根据实施例的辐射检测器的简化剖视图。
图3示意性地示出了根据实施例的辐射检测器的详细剖视图。
图4示意性地示出了根据可替换实施例的辐射检测器的详细剖视图。
图5A至图5B示意性地示出了根据实施例的操作中的3D打印设备的透视图。
图6示出了概括3D打印设备的操作的流程图。
【具体实施方式】
辐射检测器
作为示例，图1示意性地示出了辐射检测器100。辐射检测器100可以包括像素150(也称为感测元件150)的阵列。该阵列可以是矩形阵列(如图1所示)、蜂窝阵列、六边形阵列或任何其它合适的阵列。图1的示例中的像素150的阵列具有4行7列；然而，通常，像素150的阵列可以具有任意数量的行和任意数量的列。
每个像素150可以被配置为检测从辐射源(未示出)入射在其上的辐射，并且可以被配置为测量辐射的特性(例如，粒子的能量、波长和频率)。辐射可以包括粒子，例如光子和亚原子粒子。每个像素150可以被配置为在一段时间内对入射在其上的能量落在多个能量区间中的辐射粒子的数量进行计数。所有像素150可以被配置为在同一段时间内对多个能量区间内的入射在其上的辐射粒子的数量进行计数。当入射辐射粒子具有相似能量时，像素150可以简单地被配置为在一段时间内对入射在其上的辐射粒子的数量进行计数，而不测量各个辐射粒子的能量。
每个像素150可以具有其自己的模数转换器(ADC)，其被配置为将表示入射辐射粒子的能量的模拟信号数字化为数字信号，或者将表示多个入射辐射粒子的总能量的模拟信号数字化成数字信号。像素150可以被配置为并行操作。例如，当一个像素150测量入射辐射粒子时，另一个像素150可以正在等待辐射粒子到达。像素150可以不必是可单独寻址的。
这里描述的辐射检测器100可以应用于例如X射线望远镜、X射线乳房照相、工业X射线特征检测、X射线显微镜或微射线照相、X射线铸造检查、X射线无损测试、X射线焊缝检查、X射线数字减影血管造影等。使用该辐射检测器100代替照相底板、照相胶片、光激励荧光板(PSP plate)、X射线图像增强器、闪烁体或其它半导体X射线检测器也可能是合适的。
图2示意性地示出了根据实施例的图1的辐射检测器100沿着线2-2的简化剖视图。具体地，辐射检测器100可以包括辐射吸收层110和用于处理或分析入射的辐射在辐射吸收层110中产生的电信号的电子器件层120(可以包括一个或多个ASIC或专用集成电路)。辐射检测器100可以包括或不包括闪烁体(未示出)。辐射吸收层110可以包含半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。该半导体材料可以对关注的辐射具有高质量衰减系数。
图3示意性地示出了作为示例的图1的辐射检测器100沿着线2-2的详细剖视图。具体地，辐射吸收层110可以包括由第一掺杂区111、第二掺杂区113的一个或多个离散区114形成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。第二掺杂区113可以通过可选的本征区112与第一掺杂区111分离。离散区114可以通过第一掺杂区111或本征区112彼此分离。第一掺杂区111和第二掺杂区113可以具有相反类型的掺杂(例如，区域111是p型，区域113是n型，或者，区域111是n型，区域113是p型)。在图3的示例中，第二掺杂区113的每个离散区114与第一掺杂区111和可选的本征区112形成二极管。即，在图3的示例中，辐射吸收层110具有多个二极管(更具体地，7个二极管对应于图1的阵列中一行的7个像素150，为了简单起见，图3中仅标记了其中的2个像素150)。多个二极管可以具有作为共用(公共)电极的电触点119A。第一掺杂区111也可以具有多个离散部分。
电子器件层120可以包括适合于处理或解释由入射在辐射吸收层110上的辐射产生的信号的电子系统121。电子系统121可以包括诸如滤波器网络、放大器、积分器和比较器之类的模拟电路，或者诸如微处理器和存储器之类的数字电路。电子系统121可以包括一个或多个ADC(模数转换器)。电子系统121可以包括由像素150共用的部件或专用于单个像素150的部件。例如，电子系统121可以包括专用于每个像素150的放大器和在所有像素150之间共用的微处理器。电子系统121可以通过通孔131电连接到像素150。通孔之间的空间可以使用填充材料130填充，这可以增加电子器件层120与辐射吸收层110的连接的机械稳定性。其它接合技术可以在不使用通孔131的情况下将电子系统121连接到像素150。
当来自辐射源(未示出)的辐射撞击包括二极管的辐射吸收层110时，辐射粒子可被吸收并通过多种机制产生一个或多个电荷载流子(例如，电子、空穴)。电荷载流子可以在电场下漂移到其中一个二极管的电极。该电场可以是外部电场。电触点119B可以包括多个离散部分，每个离散部分与离散区114电接触。术语“电触点”可以与单词“电极”互换使用。在一个实施例中，电荷载流子可以在这样的方向上漂移：使得由单个辐射粒子产生的电荷载流子基本上不被两个不同的离散区114共用(这里“基本上不被......共用”意指相比于这些电荷载流子的其他部分，这些电荷载流子中的小于2％，小于0.5％，小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流向一个不同的离散区114)。由入射在这些离散区114中的一个离散区114的占用空间(footprint)的周围的辐射粒子产生的电荷载流子基本上不与这些离散区114中的另一个离散区114共用。与离散区114相关联的像素150可以是该离散区114周围的区域，在该区域中，由入射到其中的辐射粒子产生的基本上全部(大于98％，大于99.5％，大于99.9％，或大于99.99％)的电荷载流子流向该离散区114。即，这些电荷载流子中的小于2％、小于1％、小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流出该像素150。
图4示意性地示出了根据可替换实施例的图1的辐射检测器100沿着线2-2的详细剖视图。更具体地，辐射吸收层110可以包含诸如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合之类的半导体材料的电阻器，但不包括二极管。该半导体材料可以对关注的辐射具有高质量衰减系数。在一个实施例中，图4的电子器件层120在结构和功能方面类似于图3的电子器件层120。
当辐射撞击包括电阻器而不包括二极管的辐射吸收层110时，它可以被吸收并通过多种机制产生一个或多个电荷载流子。辐射粒子可以产生10至100000个电荷载流子。电荷载流子可以在电场下漂移到电触点119A和119B。该电场可以是外部电场。电触点119B可以包括多个离散部分。在一个实施例中，电荷载流子可以在这样的方向上漂移：使得由单个辐射粒子产生的电荷载流子基本上不被电触点119B的两个不同的离散部分共用(这里“基本上不被......共用”意指相比于这些电荷载流子的其他部分，这些电荷载流子中的小于2％，小于0.5％，小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流向一个不同的离散部分)。由入射在电触点119B的这些离散部分中的一个离散部分的占用空间的周围的辐射粒子产生的电荷载流子基本上不与电触点119B的这些离散部分中的另一个离散部分共用。与电触点119B的一个离散部分相关联的像素150可以是该离散部分周围的区域，在该区域中，由入射到其中的辐射粒子产生的基本上全部(大于98％，大于99.5％，大于99.9％，或大于99.99％)的电荷载流子流向电触点119B的该离散部分。即，这些电荷载流子中的小于2％、小于0.5％、小于0.1％或小于0.01％的电荷载流子流出与电触点119B的该一个离散部分相关联的像素。
3D打印设备
图5A示意性地示出了根据实施例的3D(三维)打印设备500的透视图。具体地，在实施例中，3D打印设备500可以包括3D打印机510+520和成像系统100+530。
在实施例中，3D打印机510+520可以包括打印床510和热端520。打印床510可以用于支撑要打印的物体。热端520可用于释放打印材料，以形成要打印的物体。在一个实施例中，3D打印机510+520还可以包括诸如挤出机、灯丝、显示单元等的部件。然而，为简单起见，未示出这些部件。
在一个实施例中，成像系统100+530可以包括辐射检测器100和辐射源530。辐射源530可以被配置为产生用于在成像系统100+530中成像的辐射。在实施例中，由辐射源530产生的辐射可以是X射线。
3D打印设备的操作
打印第一层
假定物体540(例如，实心金字塔)将由3D打印设备500打印。在实施例中，3D打印机510+520可以逐层(即，一层接一层)打印物体540。假定3D打印机510+520刚刚打印完物体540的层542。为简单起见，在打印层542之前打印的物体540的各个层被示出为单个块(即，未单独示出)。
定位第一层中的非预期空隙
在实施例中，在3D打印机510+520打印层542之后，成像系统100+530可以生成物体540的层542的3D图像。
具体地，在实施例中，当3D打印设备500处于如图5A所示的第一布置时，辐射源530可以生成由箭头532a表示的朝向层542和辐射检测器100的辐射束(因此，以下称为辐射束532a)。使用已经穿过层542并与层542相互作用的辐射束532a的辐射，辐射检测器100可以拍摄物体540的层542的第一2D(二维)图像。在图5A所示的示例中，辐射束532a平行于层542。辐射束532a可以具有其他合适的布置。
在一个实施例中，在辐射检测器100拍摄层542的第一2D图像之后，辐射检测器100和辐射源530可以在层542周围且围绕垂直于层542的轴(未示出)旋转，使得3D打印设备500处于如图5B所示的第二布置。
在一个实施例中，当3D打印设备500处于如图5B所示的第二布置时，辐射源530可以生成由箭头532b表示的朝向层542和辐射检测器100的辐射束(因此，以下称为辐射束532b)。使用已经穿过层542并与层542相互作用的辐射束532b的辐射，辐射检测器100可以拍摄物体540的层542的第二2D图像。
在一个实施例中，在辐射检测器100拍摄层542的第二图像之后，辐射检测器100可以由层542的第一和第二2D图像生成层542的3D图像。在一个实施例中，辐射检测器100可以使用计算机断层摄影由层542的第一和第二2D图像生成层542的3D图像。
在一个实施例中，在辐射检测器100生成层542的3D图像之后，可以将层542的3D图像与层542的设计进行比较，从而定位层542中的任何非预期空隙。在实施例中，辐射检测器100可进行该比较。
填充第一层中的非预期空隙
参照图5A和图5B，假定通过上述比较在层542中定位了非预期空隙542v。在实施例中，3D打印机510+520可以通过将热端520移动到非预期空隙542v的位置处，然后使热端520释放足以填充非预期空隙542v的量的打印材料来填充非预期空隙542v。
在第一层上打印第二层
在填充了非预期空隙542v之后，3D打印机510+520可以在层542上打印下一层544。在实施例中，如果通过上述比较在层542中定位了多个非预期空隙(类似于非预期空隙542v)，则3D打印机510+520可以逐个填充这多个非预期空隙，然后在层542上打印下一层544。在实施例中，如果通过上述比较在层542中没有发现非预期空隙，则3D打印机510+520可以在层542上打印下一层544。
概述
总之，在打印当前层(例如，层542)之后，立即进行在当前层中定位非预期空隙的步骤(通过将当前层的图像与当前层的设计进行比较)。如果非预期空隙被定位在当前层中，则将该非预期空隙逐个填充，然后在当前层上打印下一层(如果有的话)。如果在当前层中没有发现非预期空隙，则在当前层上打印下一层(如果有的话)。
用于概括的流程图
图6示出了概括上述3D打印设备500的操作的流程图600。具体地，在步骤610中，打印第一层。例如，在上述实施例中，参照图5A和图5B，打印层542。
接下来，在步骤620中，基于第一层的图像定位第一层中的第一非预期空隙。例如，在上述实施例中，基于层542的3D图像来定位层542中的非预期空隙542v。
接下来，在步骤630中，填充第一非预期空隙。例如，在上述实施例中，填充非预期空隙542v。
接下来，在步骤640中，在进行所述填充所述第一非预期空隙之后，在第一层上打印第二层。例如，在上述实施例中，在填充非预期空隙542v之后，在层542上打印层544。
附加实施例
在上述实施例中，参照图5A和图5B，由层542的两个2D图像(即，第一和第二2D图像)生成层542的3D图像。通常，层542的多个2D图像(类似于第一和第二2D图像)可以由成像系统100+530拍摄。然后，可以使用计算机断层摄影由这多个2D图像生成层542的3D图像。
在实施例中，辐射束532a和532b可以是锥形束。或者，辐射束532a和532b可以是平行于层542和层544的扇形束。在实施例中，辐射扇形束532a和532b可以足够薄，使得得到的第一和第二2D图像实质上是1D(一维)图像(即，每个图像具有1×P个图像元素，其中P是大于1的整数)。结果，所生成的层542的3D图像实质上是层542的2D图像(即，具有1×Q×R个图像元素，其中Q和R是大于1的整数)。
尽管本文已经公开了各个方面和实施例，但其他方面和实施例对于本领域技术人员来说将是显而易见的。本文所公开的各个方面和实施例是出于说明的目的而不是限制性的，真正的范围和精神由所附权利要求指示。

Claims (20)

1.一种3D(三维)打印方法，包括：
打印第一层；
基于所述第一层的图像定位所述第一层中的第一非预期空隙；
填充所述第一非预期空隙；以及
在进行所述填充所述第一非预期空隙之后，在所述第一层上打印第二层。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
基于所述第二层的图像定位所述第二层中的第二非预期空隙；
填充所述第二非预期空隙；以及
在进行所述填充所述第二非预期空隙之后，在所述第二层上打印第三层。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括生成所述第一层的图像，
其中，所述第一层的图像是所述第一层的3D图像，并且
其中，所述定位所述第一非预期空隙包括将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述生成所述第一层的图像包括：
拍摄所述第一层的M个2D(2维)图像，M为大于1的整数；以及
使用计算机断层摄影由所述M个2D图像生成所述第一层的图像。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述拍摄所述第一层的M个2D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转辐射源和辐射检测器。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述拍摄所述第一层的M个2D图像还包括，对于所述M个2D图像中的每个2D图像：
使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线锥形束；以及
使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述锥形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的2D图像。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括生成所述第一层的图像，
其中，所述第一层的图像是所述第一层的2D图像，并且
其中，所述定位所述第一非预期空隙包括将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述生成所述第一层的图像包括：
拍摄所述第一层的N个1D(一维)图像，N为大于1的整数；以及
使用计算机断层摄影由所述N个1D图像生成所述第一层的图像。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述拍摄所述第一层的N个1D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转辐射源和辐射检测器。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述拍摄所述第一层的N个1D图像还包括，对于所述N个1D图像中的每个1D图像：
使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线扇形束，其中所述扇形束平行于所述第二层；以及
使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述扇形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的1D图像。
11.一种3D打印设备，包括：
3D打印机；以及
成像系统，
其中，所述3D打印机被配置为打印第一层，
其中，所述成像系统被配置为基于所述第一层的图像定位所述第一层中的第一非预期空隙，
其中，所述3D打印机被配置为填充所述第一非预期空隙，并且
其中，所述3D打印机被配置为在所述3D打印机填充所述第一非预期空隙之后在所述第一层上打印第二层。
12.根据权利要求11所述的3D打印设备，
其中，所述成像系统被配置为基于所述第二层的图像定位所述第二层中的第二非预期空隙，
其中，所述3D打印机被配置为填充所述第二非预期空隙，以及
其中，所述3D打印机被配置为在所述3D打印机填充所述第二非预期空隙之后在所述第二层上打印第三层。
13.根据权利要求11所述的3D打印设备，
其中，所述成像系统被配置为生成所述第一层的图像，
其中，所述第一层的图像是所述第一层的3D图像，并且
其中，所述成像系统被配置为通过将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较来定位所述第一层中的所述第一非预期空隙。
14.根据权利要求13所述的3D打印设备，其中，所述成像系统被配置为通过以下方式生成所述第一层的图像：
拍摄所述第一层的M个2D图像，M为大于1的整数；以及
使用计算机断层摄影由所述M个2D图像生成所述第一层的图像。
15.根据权利要求14所述的3D打印设备，其中，所述拍摄所述第一层的M个2D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转所述成像系统的辐射源和辐射检测器。
16.根据权利要求15所述的3D打印设备，其中，所述拍摄所述第一层的M个2D图像还包括，对于所述M个2D图像中的每个2D图像：
使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线锥形束；以及
使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述锥形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的2D图像。
17.根据权利要求11所述的3D打印设备，
其中，所述成像系统被配置为生成所述第一层的图像，
其中，所述第一层的图像是所述第一层的2D图像，并且
其中，所述成像系统被配置为通过将所述第一层的图像与所述第一层的设计进行比较来定位所述第一层中的所述第一非预期空隙。
18.根据权利要求17所述的3D打印设备，其中，所述成像系统被配置为通过以下方式生成所述第一层的图像：
拍摄所述第一层的N个1D图像，N为大于1的整数；以及
使用计算机断层摄影由所述N个1D图像生成所述第一层的图像。
19.根据权利要求18所述的3D打印设备，其中，所述拍摄所述第一层的N个1D图像包括在所述第一层周围且围绕垂直于所述第一层的轴旋转所述成像系统的辐射源和辐射检测器。
20.根据权利要求19所述的3D打印设备，其中，所述拍摄所述第一层的N个1D图像还包括，对于所述N个1D图像中的每个1D图像：
使用所述辐射源发送穿过所述第一层的X射线扇形束，其中所述扇形束平行于所述第二层；以及
使用已经穿过所述第一层并与所述第一层相互作用的所述扇形束的辐射，用所述辐射检测器拍摄所述第一层的1D图像。
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