CN117912925A - 基板处理装置的供气结构体 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置的供气结构体，在具有与从气体供给源沿上下方向延伸的供应管道连通的上方通道；以及与连接到各工艺腔室的移送管道连通的分支通道的分配体的分支位置上，利用密封状态的旋转轴旋转调节板来设定旋转位置，并利用机械工具进行固定，即使存在气体管道的尺寸误差和连接部中的组装误差等，也能够均匀地控制从一个气体供给源向至少两个工艺腔室提供工艺气体时单位时间的供给量。

Description

基板处理装置的供气结构体

技术领域

本发明涉及基板处理装置的供气结构体，更具体地，涉及一种基板处理装置的供气结构体，其能够校正因向两个工艺腔室提供工艺气体的气体管道的流动阻力偏差导致工艺气体的单位时间的供给量偏差。

背景技术

通常，利用等离子体的基板处理装置可在基板的成膜、灰化、干式清洗等中广泛使用。例如，等离子体化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)装置用于显示器制造工序或者半导体制造工序中真空状态下利用气体的化学反应将绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等沉积到基板上。

图1是图示通常具有双腔室的基板处理装置的一例的纵截面图。如图1所示，基板处理装置9具有两个工艺腔室11、21，即工艺腔室单元9A和第二工艺腔室单元9B。

具体地，基板处理装置9包括：两个工艺腔室11、21，其具有与外部隔绝的内部空间11c、21c以维持沉积工艺中的真空状态；固定体30，其用于维持工艺腔室11、21之间的间隔；基板支撑台12、22，其可升降地设置于工艺腔室11、21的内部且可安置基板W；喷淋头1 3、23，其用于提供工艺气体，包括工艺腔室11、21内部中作为沉积材料的源气；气体供给源CC，其通过气体管道31-33向喷淋头13、23提供51工艺气体；抽送通道14、24，其用于将提供至工艺腔室11、21的气体向内部空间11c、21c的外部排出；排出通道40，其从抽送通道14、24延伸。

为了使基板支撑台12、22可上下移动的同时维持工艺腔室11、12内部空间的真空状态，备置有用于隔绝外部空气的波纹管。由此，在基板W搁置于基板支撑台12、22的状态下工艺腔室11、21内部将调至小于大气压的真空状态。

该状态下，如果气体供给源CC向喷淋头13、23提供工艺气体，则工艺气体将通过喷淋头13、23向工艺腔室11、21的内部提供。此时，RF电源供给部向基板上侧的上电极施加连续形态的电源，如果工艺腔室11、21的内部生成等离子体，则基板W的表面将形成预设厚度的膜。

通过喷淋头13、23提供至工艺腔室11、21的工艺气体在生成等离子体之后，将强制流入到用于施加吸入压的抽送通道14、24中。然后，通过抽送通道14、24的出口流入排出通道40的同时向外部排出53。

另外，大体上，两个工艺腔室单元中分别独立执行的基板处理工艺可以是相同的处理工艺，也可以是不同的处理工艺。例如，以在基板的表面沉积成膜的沉积工艺为例，基板W向两个工艺腔室11、21中提供，其中任意一个工艺腔室11中待执行处理工艺的基板W的沉积膜的厚度可与另一工艺腔室21中待执行处理工艺的基板W的沉积膜的厚度相同，也可具有相互不同的沉积膜厚度。

两个工艺腔室11、21中执行相同的处理工艺时，一个气体供给源CC向两个工艺腔室11、21提供工艺气体时，单位时间的供给量应调至相同。但是，一个气体供给源CC向两个工艺腔室11、21提供工艺气体时，即使设置有尺寸和直径相同的气体管道31-33，也因气体管道的组装偏差、尺寸误差等，导致虽然计划向分支管道32、33中提供等量的工艺气体，但实际上其中任意一个工艺腔室11与另一工艺腔室21中提供的工艺气体的单位时间的供给量不同，引发不同工艺腔室11、21中的基板处理工艺的处理结果产生差异的问题。

类似地，两个工艺腔室11、21中执行不同处理工艺时，一个气体供给源CC向两个工艺腔室11、21提供工艺气体时，需要准确地调节单位时间供给量的比例。但是，一个气体供给源CC向两个工艺腔室11、21提供工艺气体时，如果计划以预设比例向分支管道32、33分配并提供工艺气体，且缺乏调节它们比例的手段，则无法以预设的比例分配并提供工艺气体。因此，需要从不同的气体供给源CC接收所提供的工艺气体，则设备的制作成本上升，存在局限性。

所述结构和作用并非本申请的申请日之前公知的结构，而是用于对比说明本发明的技术。

发明内容

技术问题

为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于，提供一种基板处理装置的供气结构体，在双腔室的基板处理系统中，即使存在气体管道的流动阻力偏差，也能够准确均匀地控制从一个气体供给源向至少两个工艺腔室提供工艺气体时的单位时间的供给量。

进一步地，本发明的目的在于，实现一个气体供给源向两个工艺腔室以不同的比例提供工艺气体。

此外，本发明的目的在于，为了排除对用于生成等离子体而提供的RF电力产生电学影响的同时不受到RF电力的影响，在不用电的情况下，也能够控制从一个气体供给源向多个工艺腔室提供工艺气体时的单位时间的供给量。

此外，本发明的目的在于，能够维持工艺腔室和气体管道的真空，且完全阻断外部微粒流入工艺腔室的路径，同时控制从一个气体供给源向多个工艺腔室提供工艺气体时的单位时间的供给量。

此外，本发明的目的在于，能够维持工艺腔室和气体管道的真空状态的同时，能够旋转调节板，以调节向多个工艺腔室提供的工艺气体时的单位时间的供给量的比例。

此外，本发明的目的在于，将从一个供应管道向多个分配管道分配的工艺气体的比例维持在使用者设定的值。

技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种基板处理装置的供气结构体，该供气结构体用于从气体供给源向执行基板处理工艺的第一工艺腔室和第二工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括：气体供给源；分配体，其包括向上方延伸的上方通道、与所述上方通道连通的第一分支通道、与所述上方通道连通的第二分支通道；供应管道，其以与所述上方通道连通的形态连接所述分配体和所述气体供给源，用于从所述气体供给源向所述分配体移送工艺气体；第一移送管道，其以与所述第一分支通道连通的形态连接所述分配体和所述工艺腔室，用于从所述分配体向所述第一工艺腔室移送工艺气体；第二移送管道，其以与所述第二分支通道连通的形态连接所述分配体和所述工艺腔室，用于从所述分配体向所述第二工艺腔室移送工艺气体；调节单元，其在所述上方通道与所述第一分支通道和所述第二分支通道相交的位置上具有可通过旋转轴旋转的调节板，用于调节从所述上方通道流入的工艺气体流向所述第一分支通道和所述第二分支通道的分配比例。

本说明书和权利要求书中记载的‘气体’和‘工艺气体’是对源气、反应气、载气、调制气或者吹扫气的统称，是指为了统称处理室中所提供的各种气体而定义的。源气，为在基板上面成膜时的主要成膜材料，反应气，用于与源气进行反应，所述源气为成膜于基板上面的主材料；载气，用于向处理室提供特定气体；调制气或者吹扫气，用于在处理室内进行调制或者吹扫步骤期间使用。

发明效果

如上所述，本发明在具有与从气体供给源沿上下方向延伸的供应管道连通的上方通道；以及与连接到各工艺腔室的移送管道连通的分支通道的分配体的分支位置上，利用密封状态的旋转轴旋转调节板来设定旋转位置，并利用机械工具进行固定，即使存在气体管道的尺寸误差和连接部中的组装误差等，也能够从一个气体供给源向至少两个工艺腔室以均匀的方式或者以预设的比例提供工艺气体。

本发明能够同时以预设比例且可靠地从一个气体供给源向两个工艺腔室提供工艺气体。

此外，本发明在调节板的旋转轴操作及密封的结构中不使用电，能够完全排除因用于生成等离子体而提供的RF电力带来的不良影响而导致误操作的可能性，同时不会对为了生成等离子体而以准确地提供的RF电力的精度产生影响，在不对工艺腔室中的基板处理工艺的精确度产生影响的同时能够以预设的比例提供工艺气体的供给量。

此外，本发明利用磁力使调节板和旋转轴维持与外部隔绝的状态，防止在手动旋转与调节板形成一体的旋转轴的过程中外部气体流入，能够维持工艺腔室和气体管道的真空状态，使微粒无法流入气体管道内部，提高工艺腔室中的基板处理工艺的可靠性。

此外，本发明通过销或者螺栓等物理手段对经手动调节的调节板的旋转角进行固定，避免受到外力或者误操作等干扰，可以预设的比例稳定地提供工艺气体。

附图说明

图1是通常基板处理装置结构的纵截面图。

图2是图1的′A′部分的放大图。

图3是根据本发明一实施例的基板处理装置的供气结构体的结构立体图。

图4是以图3的分配体为中心的截面放大图。

图5是图3的俯视图。

图6是沿着图3的切线X-X的截面图。

图7是图6的′B′部分的放大图。

图8是图3的调节单元和密封部件的组装立体图。

图9是图6的′C′部分的放大图。

图10是图8的密封部件的内部结构的截面图。

【附图标记的说明】

100：供气结构体 110：供应管道

120：分配体 130A：第一移送管道

130B：第二移送管道 130：移送管道

140：调节单元 141：调节板

145：旋转轴 150：密封部件

160：密封单元 P1：上方通道

P2：第一分支通道 P3：第二分支通道

SP：分支位置

具体实施方式

下面，参照附图对根据本发明一实施例的基板处理装置的供气结构体100进行详细说明。只是，在说明本发明的过程中，为了清楚地明说明本发明的主旨，将省略对公知的功能或者结构的详细说明。

根据本发明一实施例的具有供气结构体100的基板处理装置具有双腔室，用于在两个工艺腔室分别进行基板处理工艺，如图1所示，包括工艺腔室单元9A和第二工艺腔室单元9B，工艺腔室单元9A具有执行基板处理工艺的第一工艺腔室11；第二工艺腔室单元9B具有执行基板处理工艺的第二工艺腔室21。此外，工艺腔室单元9A与第二工艺腔室单元9B之间设置有排出通道40，用于从第一工艺腔室11和第二工艺腔室21排出基板处理工艺处理后的工艺气体。

如图3至图10所示，根据本发明一实施例的基板处理装置的供气结构体100，通过气体通道即从提供工艺气体的一个气体供给源CC至用于执行基板处理工艺的各工艺腔室11、21形成的气体通道，向第一工艺腔室11和第二工艺腔室21提供工艺气体。

具体地，供气结构体100包括：供应管道110，其为金属材料且从气体供给源CC朝上下方向延伸；分配体120，其用于连接供应管道110；移送管道130，其从分配体120的两侧分别向水平方向延伸；移送管道130：130A、130B，其与用于与各工艺腔室11、21的喷淋头13、23连通的流入口13a、23a连接；调节单元140，其布置于供应管道110与移送管道130相交的分配体120的内部通道中，将通过供应管道110流入的工艺气体根据调节板141的旋转角分配至各自的移送管道130A、130B；密封部件150，其以包住调节单元140的一部分的形态固定于调节单元140上且中间具有密封环；密封单元160，其用于使密封部件150内部与外部气体隔绝，以从外部对布置于分配体120的调节板141进行操作。

所述气体供给源CC包括工艺气体的保存或者工艺气体的生成，并向工艺腔室11、21提供工艺气体，工艺气体作为在执行基板处理工艺的工艺腔室11、21中用到的气体，包括源气、反应气、载气、调制气、吹扫气、清洁游离基等。例如，所述气体供给源CC可将基于RF电力的施加而形成的等离子体腔室中被激励的气体即清洁游离基(cleaning radical)作为工艺气体提供。

供应管道110形成有上下方向的供给流道110p且由耐久性优异的金属材料形成，且以垂直方向连接气体供给源CC和分配体120并从气体供给源CC向分配体120提供工艺气体。例如，供应管道110可由铝材料(例如，A16061)形成。供应管道110与分配体120之间具有夹具形态的紧固件114，从而夹设在供应管道110与分配体120之间的密封环116以密封状态容纳。

所述分配体120的上侧形成有与供应管道110连接的上侧连接部，两侧形成有分别与第一移送管道130A和第二移送管道130B连接的侧面连接部。分配体120形成有与供给流道110p连通的容纳空间120c。

分配体120的容纳空间120c中形成有：上方通道P1，其与上侧连接部上结合的供应管道110的供给流道110p连通且向上方延伸；第一分支通道P2，其以与侧面连接部之一结合的第一移送管道130A的第一移送流道130pA连通的方式延伸形成；第二分支通道P3，其以与侧面连接部中的另一个结合的第二移送管道130B的第二移送流道130pB连通的方式延伸形成。

第一分支通道P2和第二分支通道P3分别与上方通道P1连通，第一分支通道P2和第二分支通道P3分别向第一工艺腔室11和第二工艺腔室12的喷淋头的中央部方向延伸。此时，根据本发明的一实施形态，如图7所示，第一分支通道P2和第三分支通道P3朝互相呈一条直线形态的水平方向延伸，该分支通道P2、P3与上方通道P1呈垂直形态。只是，本发明不限于附图所示的延伸方向，还包括将通过一个上方通道P1提供的工艺气体分配至多个分支通道P2、P3并移送的所有结构。

分配体120可由耐久性优异的各种金属材料形成，例如由铝材料(例如，A16061)形成。

所述移送管道130包括：第一移送管道130A，其用于连接分配体120的一侧面连接部与第一工艺腔室11；第二移送管道130B，其用于连接分配体120的另一侧面连接部与第二工艺腔室21。

各移送管道130A、130B与用于连接工艺腔室11、21的连接管道135连接，通过分配体120的各分支通道P2、P3接收工艺气体，通过连接管道135与工艺腔室11、21的流入口13a、23a连接并向喷淋头13、23提供工艺气体。

移送管道130可由基于温度变化热膨胀系数低的陶瓷系列的材料(例如，Al203)形成。由此，即使由热膨胀系数相对高的金属材料形成的供应管道110及分配体120和移送管道130基于温度变化的上下方向(z轴方向)上的膨胀位移变大，移送管道130基于温度变化的水平方向(x轴方向)上的膨胀位移保持较小，从而能够最小化供气结构体的管道101、110、120及130之间的连接部中产生扭曲变形。另外，连接管道135可由耐久性优异的各种金属材料形成，例如，可由铝材料(例如，A16061)形成。

如图9所示，在移送管道130：130A、130B和连接管道135的连接部上，移送管道130和连接管道135的流动截面相同且均匀地形成，同时，连接管道135上形成有移送管道130，并形成有以闭截面形态凸出的延伸部135x，移送管道130上形成有包住延伸部135x的包围部130x。此外，连接管道135的延伸部135x的外周面与移送管道130的包围部130x的内周面之间夹设有可弹性变形的密封环133。其中，密封环133由多列形成，优选地，所述密封环以大致具有矩形截面的第一密封环133a和具有圆形截面的第二密封环133b交替排列。

由此，如果固定螺栓139紧固在移送管道130的螺栓孔132中并与连接管道135连接，则移送管道130与连接管道135互相紧贴的同时，延伸部135x与包围部130x之间夹设的呈多列的密封环133互相紧贴，从而完全去除移送管道130与移送管道130之间的缝隙。换而言之，随着第一密封环133a和第二密封环133b以不同的截面形成，不同截面的密封环因压缩变形产生的形状差异由其它邻近的已经压缩变形的密封环的形状来填补，同时可完全去除延伸部135x与包围部130x之间的缝隙，从而可完全去除移送管道130与移送管道130之间任何能够泄露气体的缝隙。

如附图中所示，所述密封环133可设置于移送管道130与连接管道135之间，还可设置于移送管道130与分配体120之间。

如图4和图8所示，所述调节单元140由调节板141和旋转轴145构成，基于调节板141的旋转位置，可调节分配比例，并将流入分配体120上方通道P1的工艺气体按照上述比例分配到第一分支通道P2和第二分支通道P3，其中，调节板141可旋转140r地设置于分配体120的上方通道P1与分支通道P2、P3相交的位置上；旋转轴145与调节板141一体结合且用于调节调节板141的旋转角。为此，调节板141的宽度140d可设定为与上方通道P1和分支通道P2、P3的直径对应的尺寸。

参照图7具体说明如下，从一个气体供给源CC向第一工艺腔室11和第二工艺腔室21提供工艺气体的路径将经过供应管道110的供给流道110p、分配体120的上方流道P1、分配体120的各分支通道P2、P3、移送管道130的各移送流道130pA、130pB及连接管道135的内部流道135pA、135pB。

其中，制造分配体120、移送管道130及连接管道135时，各制造工序中不可避免地产生尺寸公差，同时它们之间相互连接时存在组装公差。由此，经由第一移送流道130pA与第一工艺腔室11连接的第一气体流道和经由第二移送流道130pB与第二工艺腔室21连接的第二气体流道中，互相产生不同的流动阻力。

因此，如果不对调节板120的旋转角进行微调，则流入各工艺腔室11、21的工艺气体的单位时间的供给量之间存在相当于第一气体流道和第二气体流道的流动阻力的偏差大小的差异。这意味着，在各工艺腔室11、21中进行相同的沉积工艺时，因工艺气体的供给量偏差将会导致基板的膜厚度各不相同。

因此，假设第一气体流道的流动阻力大于第二气体流道的流动阻力3％左右，则在调节板141位于垂直竖立的旋转位置上，流入第一工艺腔室11的单位时间的工艺气体比流入第二工艺腔室21的单位时间的工艺气体少3％左右。因此，如果将调节板141的上端141a朝向流入第二工艺腔室21的气体流道即第二分支流道P3旋转120r1约2.7°左右，则流入第一工艺腔室11的单位时间的工艺气体和流入第二工艺腔室21的单位时间的工艺气体可调节均匀。

其中，如果在第一气体流道和第二气体流道设置流量计并直接测量它们气体流道的流动阻力偏差，则因设置的流量计导致对基板处理工艺产生不良影响，如果测量后拆除流量计则存在基板处理工艺中各气体流道的流动阻力与测量时的结果存在偏差的问题。因此，优选地，在将第一工艺腔室11和第二工艺腔室21的压力调至均匀的状态下，在指定的时间内由气体供给源CC提供工艺气体，并找出能够使各工艺腔室11、21的压力均匀地上升的调节板141的旋转角并进行设置。

为此，旋转轴145从调节板的板面中心延伸，并且旋转轴145的轴方向与上方通道P1垂直的方向延伸。当第一分支通道P2和第二分支通道P3布置为一条直线时，旋转轴145可布置为其轴方向与上方通道P1和第一分支通道P2及第二分支通道P3皆形成垂直。

如图8和图10所示，所述密封部件150以中空形态形成，且以内部容纳空间包住旋转轴141的形态形成，并与分配体120密封结合。此外，为了在密封部件150的内部支撑旋转轴145的顺畅旋转，密封部件150的内部空间的两端部设置有支撑旋转轴145旋转的轴承145b。

为此，结合于分配体120的密封部件150的一端形成有凸缘152和结合板152x，利用紧固螺栓(未图示)贯通结合板152x的贯通孔152并结合在分配体120的紧固槽中。此时，结合有分配体120的密封部件150的一面具有环状的凹入槽(图4的118)，可弹性变形的环状密封圈夹设于密封部件150与分配体120之间。由此，外部气体无法通过密封部件150与分配体120之间的缝隙渗透到分配体120的容纳空间120c。

如图4所示，旋转轴145的末端145e设置为从密封部件150的另一端的外侧露出。由此，可手动地对与调节板141形成一体的旋转轴145进行旋转。其中，对旋转轴145进行‘手动’旋转不限于基于操作者的拉力使旋转轴145旋转，根据需要还包括利用电机等驱动工具的结构，该结构为连接并设置电机并利用电机调节旋转轴145的旋转之后将其拆除。因此，如果‘手动’旋转旋转轴145，则基板处理工艺中驱使旋转轴旋转的驱动工具不必再安装在旋转轴上，从而旋转轴145的旋转角不再受RF电力带来的影响，通过将所述RF电力施加到工艺腔室中的电极以生成基板处理工艺使用的等离子体，同时，如果维持安装有驱动电机的状态则因施加到驱动电机的电流会导致对工艺腔室的电极中施加的RF电力产生影响，从而可避免匹配不准确的问题。

为此，旋转轴145的末端145e可具有用于手动旋转旋转轴145的形状145x。基于操作者的拉力的情形，如图8中示例，工具插入槽可形成为‘一字’或者‘十字’形，此外还可以具有用于拆装驱动电机的形态。

根据各工艺腔室11、21中执行的基板处理工艺可将旋转轴145的旋转角设定为不同。例如，如果各工艺腔室11、12中执行的基板处理工艺相同，则将从气体供给源CC向各工艺腔室11、12提供的工艺气体的单位时间的供给量设定为相同。因此，为了校正从分配体120的各分支通道P2、P3到各工艺腔室11、21的流动阻力的偏差，将调节板141的旋转角调至使第一工艺腔室11和第二工艺腔室21提供有等量的工艺气体。

作为另一示例，如果各工艺腔室11、12中执行的基板处理工艺不同但供给气体相同，则考虑到各工艺腔室11、12中执行的基板处理工艺中需要的工艺气体的供给量，从气体供给源CC向各工艺腔室11、12提供工艺气体时的单位时间的供给量将设定为不同。因此，为了校正从分配体120的各分支通道P2、P3到各工艺腔室11、21的流动阻力的偏差，且使第一工艺腔室11和第二工艺腔室21中提供有各自不同的预设单位时间供给量的工艺气体，对调节板141的旋转角进行设定。

如上所述，如果对调节板141的旋转角位置进行手动调节，则调节后的调节板141的旋转位置将由机械工具来固定。为此，旋转轴145的末端145e需要具有平坦面且以非圆形截面形成，在密封部件150的另一端部沿着旋转轴的半径方向贯通形成的固定孔148中插入有固定销88或者固定螺栓等，以固定旋转轴145的旋转。如上所述，用机械工具固定调节板141的旋转角，能够完全防止基于电信号使旋转轴145旋转等时可能产生的故障。

所述密封单元160设置于密封部件150的内部，用于在旋转轴145的末端145e所处的另一端部区域Ae与结合于分配体120的一端部区域AI之间阻断外部气体。

为此，密封单元160包括：弹性密封膜162，其包住旋转轴145的周围；环状磁铁161，其以紧贴于弹性密封膜162的外周面和密封部件150的内周面的状态可沿着轴线方向滑动，且相隔布置有多个。

弹性密封膜162可压缩和拉伸且具有充分的厚度，将紧贴于弹性密封膜162外周面的环状磁铁161推向半径外侧，以辅助磁铁161的外周面紧贴于密封部件150的内周面。如图1 0中所示，密封部件150的内周面与磁铁161之间还可以夹设具有充分刚性且可略微弹性变形的环状气密部件161a，以确保密封部件150的内周面与磁铁161之间的气密性，从而可确保磁铁161的外周面紧贴于密封部件150的内周面。而且，环状磁铁161的内周面紧贴于弹性密封膜162的同时向弹性密封膜162施加朝向旋转轴145的压力，从而使弹性密封膜162与磁铁161之间的缝隙完全去除。

此外，沿着旋转轴145的轴线方向相隔布置的磁铁161，其以能够互相产生引力作用的方向进行布置。由此，基于磁铁161之间的引力作用，磁铁161之间为了互相靠近产生略微的移动的同时包住旋转轴145的弹性密封膜162发生局部变形，在磁铁之间维持较厚的状态，由此，在旋转轴145的周围可阻断气体的流入流出。

此外，如图10所示，环状磁铁161形成多列以阻断外部气体，从而即使在任意一个列中允许有微量气体流入流出，通过由其它列的磁铁161阻断外部气体，能够保证阻断密封部件150的另一端部区域Ae与一端部区域Ai之间的气体流入流出。如上所述，基于磁力而非使用电信号实现密封状态，从而与基板处理工艺中的RF电力完全不发生相互干扰，可获得的有益效果。

根据本发明一实施例且具有如上结构的基板处理装置的供气结构体100，在具有与从气体供给源CC沿上下方向延伸的供应管道110连通的上方通道P1；及与连接到各工艺腔室11、21的移送管道130连通的分支通道P2、P3的分配体120的分支位置SP上，利用密封状态的旋转轴145旋转调节板141来设定旋转位置，并利用机械工具进行固定，即使存在气体管道的尺寸误差和连接部中的组装误差等，也能够从一个气体供给源CC向至少两个工艺腔室11、21以均匀的方式或者以预设的比例提供工艺气体，可获得有益效果。

如上所述，参照本发明的优选实施例进行了说明，本领域技术人员能够理解在不超出所附权利要求书中记载的本发明的思想和技术领域的范围内可以对本发明实施例的技术特征的组合进行各种修改和变更。

Claims (14)

1.一种基板处理装置的供气结构体，该供气结构体用于从气体供给源向执行基板处理工艺的第一工艺腔室和第二工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括：

气体供给源；

分配体，其包括向上方延伸的上方通道、与所述上方通道连通的第一分支通道、与所述上方通道连通的第二分支通道；

供应管道，其以与所述上方通道连通的形态连接所述分配体和所述气体供给源，用于从所述气体供给源向所述分配体移送工艺气体；

第一移送管道，其以与所述第一分支通道连通的形态连接所述分配体和所述工艺腔室，用于从所述分配体向所述第一工艺腔室移送工艺气体；

第二移送管道，其以与所述第二分支通道连通的形态连接所述分配体和所述工艺腔室，用于从所述分配体向所述第二工艺腔室移送工艺气体；

调节单元，其在所述上方通道与所述第一分支通道和所述第二分支通道相交的位置上具有可通过旋转轴旋转的调节板，用于调节从所述上方通道流入的工艺气体流向所述第一分支通道和所述第二分支通道的分配比例。

2.如权利要求1所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述旋转轴从所述调节板的板面中央延伸，且所述旋转轴的轴方向与所述上方通道垂直地延伸。

3.如权利要求2所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述第一分支通道和所述第二分支通道呈直线状排列，所述旋转轴与所述第一分支通道垂直地延伸。

4.如权利要求1所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述第一分支通道和所述第二分支通道沿着与所述上方通道垂直的水平方向延伸形成。

5.如权利要求2所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，进一步包括：

密封部件，其以使所述旋转轴的末端向外部露出的方式包住所述旋转轴的一部分，且与所述分配体密封结合。

6.如权利要求5所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述密封部件与所述分配体之间夹设有密封圈。

7.如权利要求5所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，所述密封部件包括：

弹性密封膜，其包住所述旋转轴的周围；以及

磁铁，其维持与所述弹性密封膜的外周面紧贴的状态，且沿着所述旋转轴的轴线方向布置有多个，

通过所述磁铁之间的引力作用，所述弹性密封膜在所述磁铁之间呈变厚的状态，从而在所述旋转轴的周围密封气体。

8.如权利要求7所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述磁铁与所述密封部件的内周面之间夹设有气密部件，以确保所述磁铁与所述密封部件的内周面之间的气密性。

9.如权利要求5所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

利用人力或者可拆卸的驱动工具使从所述密封部件的外部露出的所述旋转轴进行旋转，从而调节流向所述第一分配通道和所述第二分配通道的气体供给量。

10.如权利要求9所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

通过机械工具对调节后的所述调节板的旋转位置进行固定。

11.如权利要求10所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述机械工具为固定螺栓、固定销中的任意一种。

12.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

对所述调节板的旋转角进行调节，以校正从所述分配体至所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室的流动阻力的偏差，直至向所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室提供等量的工艺气体。

13.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述气体供给源将生成等离子体的腔室中被激励的清洁游离基作为所述工艺气体提供。

14.如权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置的供气结构体，其特征在于，

所述气体供给源提供以下至少一种气体：源气，其用于形成基板沉积工艺中对基板进行成膜时的膜的主材料；反应气，其用于与形成基板上成膜用的膜的主材料的源气反应；载气，其用于向工艺腔室提供特定的气体而一起提供；调制气或者吹扫气，其在工艺腔室内进行调制或者吹扫步骤期间提供。