CN117912537A - 一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及数据储存领域,提供一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质,该Flash包括至少一个储存单元,该擦除检测方法包括:获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。本申请通过获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息,可以对Flash的擦除过程进行监控。
Description
技术领域
本发明涉及数据储存领域,具体涉及一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质。
背景技术
车规产品开发过程中使用外部EEPROM器件增加额外的器件和BOM成本,从安全角度考量外部的EEPROM需要进行板间通信如SPI、IIC等,增加了数据整体处理的回路和额外的故障点,链路容易受到外部环境的干扰导致出错,增加了PCB设计的复杂度和测试成本。从功能实现方面考量,外部的EEPROM的访问速度制约功能的实现(如快上电需要在极短的时间内读取标定数据),而片内flash访问速度无疑比外部的EEPROM更快。
而相关技术中虽然存在一些用Flash替代EEPROM的方法,但是Flash使用时需要频繁对数据进行擦除,在擦除过程中容易发生意外,因此需要对Flash的擦除过程进行监控。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本申请提供了一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质,可以通过获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息对Flash的擦除过程进行监控。
为解决上述问题,本申请提供如下技术方案:
第一方面,本申请实施例提供了一种Flash的擦除检测方法,所述Flash包括至少一个储存单元,所述擦除检测方法包括:
获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;
根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
在一些实施方式中,所述头部信息包括预设信息,所述方法还包括:
在向全擦除状态的所述储存单元写入数据前,在所述储存单元的头部信息储存空间内写入预设信息;
在所述预设信息写入完成后,向全擦除状态的所述储存单元写入数据。
在一些实施方式中,所述预设信息包括第一预设信息以及第二预设信息,所述第二预设信息由所述第一预设信息根据预设规则生成。
在一些实施方式中,所述头部信息储存空间的第一个地址为所述储存单元中的最低地址。
在一些实施方式中,所述头部信息储存空间包括用于写入所述第一预设信息的第一区域,以及用于写入所述第二预设信息的第二区域;
所述根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态,包括:
根据所述第一区域内的信息和所述预设规则生成校验信息;
在所述校验信息与所述第二区域内的信息相同时,确定所述储存单元的擦除状态为未开始擦除;其中,在所述校验信息与所述第二区域内的信息相同时,所述第一区域内的信息为所述第一预设信息,且所述第二区域内的信息为所述第二预设信息;
在所述校验信息与所述第二区域内的信息不相同时,确定所述储存单元的擦除状态为已开始擦除;其中,在所述校验信息与所述第二区域内的信息不相同时,所述第一区域内的信息不为所述第一预设信息和/或所述第二区域内的信息不为所述第二预设信息。
在一些实施方式中,所述Flash包括至少两个储存单元,所述头部信息包括预设完成信息,所述方法还包括:
在第一储存单元中的数据搬运至第二储存单元后,擦除所述第一储存单元;
在所述第一储存单元擦除完成后,在所述第二储存单元的头部信息储存空间中的第三区域写入预设完成信息。
在一些实施方式中,所述获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息,包括:
获取所述第一储存单元的头部信息储存空间内的第四区域的信息;其中,所述第四区域用于写入所述预设信息;
所述根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态,包括:
在根据所述第四区域的信息确定所述第一储存单元的擦除状态为已开始擦除后,获取所述第二储存单元的头部信息储存空间内的第三区域的信息;其中,在第一储存单元的擦除状态为已开始擦除时,所述第四区域的信息和所述预设信息不同;
比对所述第二储存单元的第三区域的信息与所述预设完成信息是否相同;
在所述预设完成信息与所述第三区域内的信息相同时,确定所述第一储存单元的擦除状态为擦除完成;
在所述预设完成信息与所述第三区域内的信息不相同时,确定所述第一储存单元的擦除状态为未擦除完成。
在一些实施方式中,所述预设信息和所述预设完成信息包括的地址数量相同,在所述预设信息的第N个地址中包括第一标识信息,在所述预设完成信息的第P个地址中包括第二标识信息,所述第一标识信息和所述第二标识信息不同;其中,N和P均为正整数,且N=P。
第二方面,本申请实施例提供了一种Flash的擦除检测装置,所述Flash包括至少一个储存单元,所述擦除检测装置包括:
获取单元,用于获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;
确定单元,用于根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
第三方面,本申请实施例提供了一种车辆,所述车辆包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如第一方面的Flash的擦除检测方法。
第四方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有可执行程序,所述可执行程序被处理器执行实现如第一方面的Flash的擦除检测方法。
本申请提供了一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质,该Flash包括至少一个储存单元,该方法包括:获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。本申请通过获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息,可以对Flash的擦除过程进行监控。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种Flash的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的一种储存单元的结构示意图。
图3是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测方法的第一流程示意图。
图4是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测方法的第二流程示意图。
图5是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测方法的第三流程示意图。
图6是本申请实施例提供的一种头部信息储存空间的结构示意图。
图7是本申请实施例提供的第一预设区域的结构示意图。
图8是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测装置的结构示意图。
图9是本申请实施例提供的一种车辆的结构示意图。
图10是本申请实施例提供的一种计算机可读存储介质的结构框图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
为方便对本申请实施例中第一方向和第二方向进行叙述,该第一方向为附图中的上下方向,第二方向为附图中的前后方向,第三方向为附图中的左右方向。其中,x轴箭头方向作为后文中的“上”方向,y轴箭头方向作为后文中的“后”方向,z轴箭头方向作为后文中的“右”方向,在本申请的实际应用中,并不以此为限。
请参阅图1,图1是本申请实施例提供的一种Flash的结构示意图。如图1所示,Flash(闪存)100包括至少一个储存单元,图1中以两个储存单元作为示例,但本申请不对储存单元的具体数量进行限制。
请参阅图2,图2是本申请实施例提供的一种储存单元的结构示意图。如图2所示,储存单元1000包括头部信息储存空间1100,头部信息储存空间用于储存头部信息。
在一些实施方式中,储存单元1000还包括数据单元储存空间1300,如图2所示,数据单元储存空间1300的地址高于头部信息储存空间1100的地址。
可以理解的是,图2中的预留扩展空间1300、信息单元储存空间1400以及尾部信息储存空间1500的地址均高于头部信息储存空间1100的地址,此时擦除储存单元1000中的数据时,会优先擦除储存单元1000中的头部信息,通过这种设置方式,提高了根据头部信息确定储存单元1000是否被擦除的及时性,防止出现其余数据已经被擦除,但头部信息仍然未发生变化,导致认为储存单元1000未发生擦除的情况发生。
在一些实施方式中,所述数据单元储存空间1200用于储存数据单元,信息单元1400储存空间用于储存信息单元,数据单元与信息单元一一对应,信息单元至少包括对应的数据单元的描述信息以及储存地址。
在一些实施方式中,尾部信息储存空间1400用于储存尾部信息,且头部信息储存空间1100与尾部信息储存空间1400会进行相互备份,即在头部信息储存空间1100中的头部信息损坏时,可以获取尾部信息储存空间1400中的尾部信息代替头部信息执行与头部信息相关的步骤。
进一步地,在无法将信息写入头部信息储存空间1100中时,可以将信息写入尾部信息储存空间1400中。
进一步地,头部信息储存空间1100的结构和尾部信息储存空间1400的结构相同。
在一些实施方式中,头部信息还用于标识储存单元1000,例如用于标识储存单元1000的状态。
在一些实施方式中,储存单元1000的状态包括激活状态、备份状态以及正常状态。
进一步地,在储存单元的状态为激活状态时,在往Flash写入数据时会写入激活状态的储存单元中;在储存单元的状态为备份状态时,在激活状态的储存单元被写满时,将激活状态的储存单元中的有效数据搬运至备份状态的储存单元中;在储存单元的状态为正常状态时,储存单元待使用,等待转化为激活状态或备份状态。
在一些实施方式中,储存单元1000还包括预留扩展空间1300。
在一些实施方式中,预留扩展空间1300位于数据单元存储空间1200和信息单元存储空间1400之间,预留扩展空间1300为预留的用于后续方案扩展的空间。
在一些实施方式中,预留扩展空间1300的数据为预设值,例如均为0x00。
在一些实施方式中,信息单元储存空间1400中的信息单元包括描述信息以及物理地址,描述信息用于描述对应的数据单元,物理地址用于寻找对应的数据单元,用户通过输入描述信息可以查找到描述信息对应的数据单元的物理地址,从而读取对应的数据单元。
请参阅图3,图3是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测方法的第一流程示意图。所述Flash包括至少一个储存单元,如图3所示,图3中的Flash的擦除检测方法200包括:步骤210至步骤220。
步骤210:获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址。
在一些实施方式中,储存单元包括块、扇区、页中的其中一个。
优选地,储存单元为扇区。
在一些实施方式中,储存单元中的数据单元储存空间用于储存数据单元,示例性地,数据单元可以为用户存放的数据,也可以为Flash运行中产生的数据,亦或者为其余数据,本申请不做限制。
步骤220:根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
在一些实施方式中,因为数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址,因此储存单元擦除时会先擦除头部信息,因此根据头部信息可以确定储存单元的是否开始擦除。
在一些实施方式中,在头部信息不满足预设条件时,则确定储存单元的擦除状态为已开始擦除;在头部信息满足预设条件时,则确定储存单元的擦除状态为未开始擦除。
示例性地,定义在储存单元未开始擦除时,头部信息为0x5A、0x9B,则若头部信息变为0x00、0x9B,或者0x00、0x00,则证明头部信息中的信息被擦除,此时头部信息不满于预设条件。
在一些实施方式中,请参阅图4,图4是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测方法的第二流程示意图。如图4所示,该Flash的擦除检测方法300包括:步骤310至步骤330。
步骤310:在向全擦除状态的所述储存单元写入数据前,在所述储存单元的头部信息储存空间内写入预设信息;在所述预设信息写入完成后,向全擦除状态的所述储存单元写入数据。
在一些实施方式中,全擦除状态的储存单元指的是已经被完全擦除的储存单元。
在一些实施方式中,全擦除状态的储存单元中储存的数据都为预设数据,例如都为0x00。
步骤320:获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址。
步骤330:根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
通过上述方式,在往储存单元写入数据前,先写入头部信息,只要储存单元发生擦除,便可通过头部信息识别擦除状态,防止出现在储存单元中的数据被擦除后,无法及时识别储存单元的擦除状态,导致Flash运行出错的问题。
在一些实施方式中,预设信息包括第一预设信息以及第二预设信息,所述第二预设信息由所述第一预设信息根据预设规则生成。
在一些实施方式中,预设规则包括循环冗馀校验(Cyclic redundancy check,CRC),即根据第一预设信息生成对应的CRC校验码,将对应的CRC校验码作为第二预设信息,随后将第一预设信息和第二预设信息写入储存单元的头部信息储存空间。
在一些实施方式中,预设规则还包括信息组校验码(Block Check Character,BCC)、纵向冗余校验(Longitudinal Redundancy Check,LRC)等。
通过上述方式,第一预设信息和第二预设信息存在映射关系,只要第一预设信息和第二预设信息中的任意一个信息被擦除,都会导致检验失败,此时可以认为储存单元的擦除状态为已开始擦除。
在一些实施方式中,所述头部信息储存空间的第一个地址为所述储存单元中的最低地址。
具体地,头部信息储存空间的第一个地址为所述储存单元中的最低地址可以保证储存单元被擦除时,优先擦除头部信息中的数据,保证根据头部信息确定储存单元的擦除状态的及时性。
在一些实施方式中,头部信息储存空间包括用于写入所述第一预设信息的第一区域,以及用于写入所述第二预设信息的第二区域;此时步骤230包括:步骤231至步骤233。
步骤231:根据所述第一区域内的信息和所述预设规则生成校验信息。
步骤232:在所述校验信息与所述第二区域内的信息相同时,确定所述储存单元的擦除状态为未开始擦除;其中,在所述校验信息与所述第二区域内的信息相同时,所述第一区域内的信息为所述第一预设信息,且所述第二区域内的信息为所述第二预设信息。
步骤233:在所述校验信息与所述第二区域内的信息不相同时,确定所述储存单元的擦除状态为已开始擦除;其中,在所述校验信息与所述第二区域内的信息不相同时,所述第一区域内的信息不为所述第一预设信息和/或所述第二区域内的信息不为所述第二预设信息。
在一些实施方式中,第一预设信息的储存地址高于第二预设信息的储存地址,此时在储存单元被擦除后,包括两种情况:第二预设信息被擦除且第一预设信息未被擦除,第二预设信息被擦除且第一预设信息被擦除。
具体地,在第二预设信息被擦除且第一预设信息未被擦除时,根据第一区域内的信息和所述预设规则生成的校验信息和第二预设信息相同,但因为第二预设信息被擦除,第二区域内的信息并非为第二预设信息,所以校验不通过。
具体地,在第二预设信息被擦除且第一预设信息被擦除时,第一区域内的信息和第二区域内的信息相同,均为擦除后的信息,例如均为0x00,此时生成的校验信息与第二预设信息不同,所以校验不通过。
在一些实施方式中,第二预设信息的储存地址高于第一预设信息的储存地址,此时在储存单元被擦除后,包括两种情况:第一预设信息被擦除且第二预设信息未被擦除,第一预设信息被擦除且第二预设信息被擦除。
具体地,在第一预设信息被擦除且第二预设信息未被擦除时,因为第一预设信息被擦除,所以第一区域内的信息和所述预设规则生成的校验信息和第二预设信息不同,校验不通过。
在一些实施方式中,第一预设信息和被擦除后的第一区域中的信息不同,以保证被擦除后的第一区域中的信息根据预设规则生成的检验信息和第二预设信息不同。
在一些实施方式中,请参阅图5,图5是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测方法的第三流程示意图。所述Flash包括至少两个储存单元,所述头部信息还包括预设完成信息,如图5所示,Flash的擦除检测方法400包括步骤:410至步骤480。
步骤410:在向全擦除状态的第一储存单元写入数据前,在第一储存单元的头部信息储存空间内写入预设信息。
在一些实施方式中,在所述预设信息写入完成后,向全擦除状态的第一储存单元写入数据。
步骤420:在第一储存单元中的数据搬运至第二储存单元后,擦除第一储存单元。
在一些实施方式中,在第一储存单元被写满后,需要将数据搬运至其余的储存单元中,在搬运完成后,需要将第一储存单元擦除。
步骤430:在第一储存单元擦除完成后,在第二储存单元的头部信息储存空间中的第三区域写入预设完成信息。
在一些实施方式中,第三区域的地址高于所述第一区域和所述第二区域的地址。
步骤440:获取第一储存单元的头部信息储存空间内的第四区域的信息;其中,所述第四区域用于写入所述预设信息。
在一些实施方式中,步骤440包括下述步骤。
(1)在上电时,获取第一储存单元的头部信息储存空间内的第四区域的信息;其中,所述第四区域用于写入所述预设信息。
在一些实施方式中,第四区域包括第一区域和第二区域。
通过上述方式,即使意外断电,在上电后也能通过上述方式确认第一储存单元的擦除状态。
步骤450:在根据第四区域的信息确定第一储存单元的擦除状态为已开始擦除后,获取第二储存单元的头部信息储存空间内的第三区域的信息;其中,在第一储存单元的擦除状态为已开始擦除时,所述第四区域的信息和所述预设信息不同。
在一些实施方式中,所述第四区域的信息和所述预设信息不同可以体现为步骤231至步骤233的校验过程校验不通过。
具体地,根据第四区域的信息确定第一储存单元的擦除状态的具体步骤可参照步骤310至步骤330,在此不再赘述。
步骤460:比对第二储存单元的第三区域的信息与预设完成信息是否相同。
步骤470:在预设完成信息与所述第三区域内的信息相同时,确定第一储存单元的擦除状态为擦除完成。
步骤480:在预设完成信息与第三区域内的信息不相同时,确定第一储存单元的擦除状态为未擦除完成。
通过上述方式,可以根据第一储存单元中的第一头部信息判断第一储存单元是否已开始擦除,根据第二储存单元中的第二头部信息判断第一储存单元是否擦除完成,提高擦除判断的覆盖率。
在一些实施方式中,所述预设信息和所述预设完成信息包括的地址数量相同,在所述预设信息的第N个地址中包括第一标识信息,在所述预设完成信息的第P个地址中包括第二标识信息,所述第一标识信息和所述第二标识信息不同;其中,N和P均为正整数,且N=P。
在一些实施方式中,标识信息用于区分预设信息和预设完成信息。
在一些实施方式中,预设信息中的第一预设信息包括第一标识信息。
在一些实施方式中,请参阅图6,图6是本申请实施例提供的一种头部信息储存空间的结构示意图。如图6所示,头部信息储存空间1100包括:第一预设区域1110、第二预设区域1120、第三预设区域1130以及第四预设区域1140。
在一些实施方式中,头部信息储存空间1100还包括预留空间1150,预留空间1150可以用于后续的方案扩展。
在一些实施方式中,在所述第一预设区域被写入第一预设区域信息,且其余预设区域未写入预设区域信息时,所述储存单元为第一状态。
在一些实施方式中,在所述第一预设区域被写入第一预设区域信息,且所述第二预设区域被写入第二预设区域信息,且其余预设区域未写入预设区域信息时,所述储存单元为第二状态。
在一些实施方式中,在所述第一预设区域被写入第一预设区域信息,且所述第二预设区域被写入第二预设区域信息,且所述第三预设区域被写入第三预设区域信息,且所述第四预设区域未写入第四预设区域信息时,所述储存单元为第三状态。
在一些实施方式中,在所述第一预设区域被写入第一预设区域信息,且所述第二预设区域被写入第二预设区域信息,且所述第三预设区域被写入第三预设区域信息,且所述第四预设区域写入第四预设区域信息时,所述储存单元为第四状态。
在一些实施方式中,第一状态、第二状态、第三状态以及第四状态都可用于标识储存单元执行搬运过程时的执行进度。
在一些实施方式中,定义第一储存单元被写满,此时需要把第一储存单元的有效数据搬运至第二储存单元中,则搬运过程中会往第二储存单元的预设区域写入上述的预设区域信息;其中,第一状态用于标识准备开始数据搬运,第二状态用于标识已经开始数据搬运,第三状态用于标识数据搬运完成,且开始擦除第一储存单元,第四状态用于标识第一储存单元擦除完成。
在一些实施方式中,在识别到储存单元的状态为第四状态时,会将该储存单元标记为激活状态的储存单元。
在一些实施方式中,第一预设区域包括第一区域和第二区域,第一预设区域信息包括第一预设信息和第二预设信息,第一区域用于写入第一预设信息,第二区域用于写入第二预设信息。
在一些实施方式中,第四预设区域为第四区域,第四预设区域信息为预设完成信息。
在一些实施方式中,请参阅图7,图7是本申请实施例提供的第一预设区域的结构示意图。如图7所示,图7中第一预设区域1110包括区头信息1111、第一标识信息1112、待填充信息1113以及第二预设信息1114。
在一些实施方式中,区头信息1111、第一标识信息1112、待填充信息1113共同组成第一预设信息,即第二预设信息1114由区头信息1111、第一标识信息1112、待填充信息1113根据预设规则生成。
在一些实施方式中,区头信息1111用于降低储存单元储存的数据单元的数据与第一预设信息相同的概率,并且区头信息1111还可用于标识第一预设信息的起始位置。
可选地,区头信息1111为任意的预设值,例如为0x5A。
优选地,区头信息1111与存储区头信息1111的区域被擦除后的信息不同。
在一些实施方式中,待填充信息1113无意义,用于后续的方案扩展。
优选地,待填充信息1113与存储待填充信息1113的区域被擦除后的信息不同,以使待填充信息1113与区头信息1111一同降低储存单元储存的数据单元的数据与第一预设信息相同的概率。
请参阅图8,图8是本申请实施例提供的一种Flash的擦除检测装置的结构示意图。所述Flash包括至少一个储存单元,如图8所示,Flash的擦除检测装置500包括:获取单元510、确定单元520。
获取单元510,用于获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;
确定单元520,用于根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
其余虚拟单元可参阅说明书上述部分有关方法步骤的内容,在此不再赘述。
请参阅图9,图9是本申请实施例提供的一种车辆的结构示意图。如图9所示,车辆600包括:一个或多个处理器610以及存储器620,图9中以一个处理器610为例。
在一些实施方式中,处理器610和存储器620可以通过总线或者其他方式连接,图9中以通过总线连接为例。
在一些实施方式中,处理器610,用于获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
在一些实施方式中,存储器620作为一种非易失性计算机可读存储介质,可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块,如本申请实施例中的Flash的擦除检测方法的程序指令/模块。处理器610通过运行存储在存储器620中的非易失性软件程序、指令以及模块,从而执行车辆的各种功能应用以及数据处理,即实现上述方法实施例的Flash的擦除检测方法。
在一些实施方式中,存储器620可以包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序;存储数据区可存储根据车辆的使用所创建的数据等。此外,存储器620可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中,存储器620可选包括相对于处理器610远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至控制器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
在一些实施方式中,一个或者多个模块存储在存储器620中,当被一个或者多个处理器610执行时,执行上述任意方法实施例中的Flash的擦除检测方法,例如,执行以上描述的图3中的方法步骤210至步骤220。
请参考图10,图10是本申请实施例提供的一种计算机可读存储介质的结构框图。该计算机可读存储介质700中存储有程序代码710,程序代码710可被处理器调用执行上述方法实施例中所描述的Flash的擦除检测方法。
计算机可读存储介质700可以是诸如闪存、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)、EPROM、硬盘或者ROM之类的电子存储器。可选地,计算机可读存储介质包括非易失性计算机可读介质(non transitory computer readable storage medium)。计算机可读存储介质700具有执行上述控制方法中的任何方法步骤的程序代码的存储空间。这些程序代码可以从一个或者多个计算机程序产品中读出或者写入到这一个或者多个计算机程序产品中。程序代码可以例如以适当形式进行压缩。
综上,本申请提供了一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质,该Flash包括至少一个储存单元,该方法包括:获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。本申请通过获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息,可以对Flash的擦除过程进行监控。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不驱使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (11)
1.一种Flash的擦除检测方法,其特征在于,所述Flash包括至少一个储存单元,所述擦除检测方法包括:
获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;
根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述头部信息包括预设信息,所述方法还包括:
在向全擦除状态的所述储存单元写入数据前,在所述储存单元的头部信息储存空间内写入预设信息;
在所述预设信息写入完成后,向全擦除状态的所述储存单元写入数据。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述预设信息包括第一预设信息以及第二预设信息,所述第二预设信息由所述第一预设信息根据预设规则生成。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述头部信息储存空间的第一个地址为所述储存单元中的最低地址。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述头部信息储存空间包括用于写入所述第一预设信息的第一区域,以及用于写入所述第二预设信息的第二区域;
所述根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态,包括:
根据所述第一区域内的信息和所述预设规则生成校验信息;
在所述校验信息与所述第二区域内的信息相同时,确定所述储存单元的擦除状态为未开始擦除;其中,在所述校验信息与所述第二区域内的信息相同时,所述第一区域内的信息为所述第一预设信息,且所述第二区域内的信息为所述第二预设信息;
在所述校验信息与所述第二区域内的信息不相同时,确定所述储存单元的擦除状态为已开始擦除;其中,在所述校验信息与所述第二区域内的信息不相同时,所述第一区域内的信息不为所述第一预设信息和/或所述第二区域内的信息不为所述第二预设信息。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述Flash包括至少两个储存单元,所述头部信息还包括预设完成信息,所述方法还包括:
在第一储存单元中的数据搬运至第二储存单元后,擦除所述第一储存单元;
在所述第一储存单元擦除完成后,在所述第二储存单元的头部信息储存空间中的第三区域写入所述预设完成信息。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息,包括:
获取所述第一储存单元的头部信息储存空间内的第四区域的信息;其中,所述第四区域用于写入所述预设信息;
所述根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态,包括:
在根据所述第四区域的信息确定所述第一储存单元的擦除状态为已开始擦除后,获取所述第二储存单元的头部信息储存空间内的第三区域的信息;其中,在第一储存单元的擦除状态为已开始擦除时,所述第四区域的信息和所述预设信息不同;
比对所述第二储存单元的第三区域的信息与所述预设完成信息是否相同;
在所述预设完成信息与所述第三区域内的信息相同时,确定所述第一储存单元的擦除状态为擦除完成;
在所述预设完成信息与所述第三区域内的信息不相同时,确定所述第一储存单元的擦除状态为未擦除完成。
8.所述权利要求6所述的方法,其特征在于,所述预设信息和所述预设完成信息包括的地址数量相同,在所述预设信息的第N个地址中包括第一标识信息,在所述预设完成信息的第P个地址中包括第二标识信息,所述第一标识信息和所述第二标识信息不同;其中,N和P均为正整数,且N=P。
9.一种Flash的擦除检测装置,其特征在于,所述Flash包括至少一个储存单元,所述擦除检测装置包括:
获取单元,用于获取所述储存单元的头部信息储存空间内的头部信息;其中,所述储存单元中的数据单元储存空间的地址高于所述头部信息储存空间的地址;
确定单元,用于根据所述头部信息确定所述储存单元的擦除状态。
10.一种车辆,其特征在于,所述车辆包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行如权利要求1-8任一项所述的Flash的擦除检测方法。
11.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有可执行程序,所述可执行程序被处理器执行实现如权利要求1-8任一项所述的Flash的擦除检测方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
CN202410153874.4A CN117912537A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
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CN202410153874.4A CN117912537A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质 |
Publications (1)
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CN117912537A true CN117912537A (zh) | 2024-04-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202410153874.4A Pending CN117912537A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种Flash的擦除检测方法、装置、车辆以及存储介质 |
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-
2024
- 2024-02-02 CN CN202410153874.4A patent/CN117912537A/zh active Pending
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