CN117879533A - 一种谐振器及其电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种谐振器及其电子设备，该谐振器包括：谐振体，包括至少一个子谐振体；锚点，被配置为接入偏置电压信号；梁体，连接谐振体和锚点；内电极，设置于子谐振体的一侧，内电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第一凸台；外电极，设置于子谐振体远离内电极的另一侧，外电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第二凸台；其中，内电极或外电极配置为接入驱动电压信号。通过上述谐振器的结构设计，可以在保证低阻抗的前提下降低其对Q值的要求，即在较低阻抗的条件下获得较低的阻抗。

Description

一种谐振器及其电子设备

技术领域

本申请主要涉及微机电系统技术领域，特别是涉及一种谐振器及其电子设备。

背景技术

微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统；微机电系统(MEMS)器件目前正被开发用于各种各样的应用，例如MEMS谐振器，其可以用在电子设备的定时电路中。MEMS谐振器系统通常包括多个电极以驱动MEMS谐振器；众所周知，当偏压施加到谐振体时，电荷积聚在谐振体上，这在电极和积聚在谐振体上的相反电荷之间产生静电力。通过向驱动电极施加时变驱动电压信号，通常与DC(Direct Current，直流电流)电压组合，可以产生时变静电力，其导致MEMS谐振器振荡，进而产生谐振频率。

但由于实际加工中，难免引入工艺缺陷等造成谐振器的Q值(品质因数)偏移，即实际Q值测量值远小于设计值，其Q值是谐振器中能量损失的量度；例如，以体模态为例，其Q值设计值均远超过10w，甚至接近百w量级，但实际加工的谐振器测试值一般小于15w，甚至由于加工能力的限制，可能低于5w，从而导致谐振器的阻抗过大，不易测量和应用。

发明内容

本申请的是主要目的是提出一种谐振器及其电子设备以解决谐振器由于工艺缺陷、加工能力限制等原因引起的谐振器的阻抗较大，不利于测量和应用等问题。

为解决上述问题，本申请提供一种谐振器，该谐振器包括：谐振体，包括至少一个子谐振体；锚点，被配置为接入偏置电压信号；梁体，连接谐振体和锚点；内电极，设置于子谐振体的一侧，内电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第一凸台；外电极，设置于子谐振体远离内电极的另一侧，外电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第二凸台；其中，内电极或外电极配置为接入驱动电压信号。

在一实施例中，子谐振体、内电极和外电极的数量为多个，多个子谐振体首尾连接形成环状结构，内电极设置于环状结构内，外电极设置于环状结构外；锚点设置于环状结构的中心，梁体的数量为多个，每一梁体连接相邻两个子谐振体的连接处、以及锚点。

在一实施例中，谐振体包括首尾依次连接的第一子谐振体、第二子谐振体、第三子谐振体和第四子谐振体，第一子谐振体和第三子谐振体的轴向沿X方向延伸，且第一子谐振体和第三子谐振体沿YOZ平面的截面为矩形，第二子谐振体和第四子谐振体的轴向沿Y方向延伸，且第二子谐振体和第四子谐振体沿XOZ平面的截面为矩形；其中，O为原点，XYZ为基于原点O的空间三维坐标。

在一实施例中，锚点的轴向沿Z方向延伸、且锚点沿XOY平面的截面为方形，每一梁体连接相邻两个子谐振体的连接处、以及锚点相邻两个侧面的连接处。

在一实施例中，内电极包括第一内电极、第二内电极、第三内电极和第四内电极，外电极包括第一外电极、第二外电极、第三外电极和第四外电极；第一内电极、第二内电极、第三内电极和第四内电极分别设置于对应的一个子谐振体、相邻两个梁体和锚点围设的梯形区域内。

在一实施例中，锚点沿XOY平面的方形截面的边长为90-110μm；和/或梁体的长度为120-130μm；和/或梁体的宽度为8-12μm。

在一实施例中，多个第一凸台和多个第二凸台一一对应，第一凸台的宽度、相邻两个第一凸台之间的间隔宽度、第二凸台的宽度、相邻两个第二凸台之间的间隔宽度、以及子谐振体的宽度相等。

在一实施例中，第一凸台的宽度、相邻两个第一凸台之间的间隔宽度、第二凸台的宽度、相邻两个第二凸台之间的间隔宽度、以及子谐振体的宽度为18-22μm；和/或子谐振体的厚度为36-44μm。

在一实施例中，第一凸台和子谐振体之间的缝隙宽度、以及第二凸台和子谐振体之间的缝隙宽度为0.16-0.20μm。

为解决上述问题，本申请还提供一种电子设备，该电子设备采用包括如上述任一项实施例所描述的谐振器，以获取较低阻抗的谐振器。

通过上述方式，采用分布式的模态结构设计，利用该结构在保证较低阻抗的前提下，降低了对其Q值的要求，即在较低的Q值的情况下，同样能够获得较低的阻抗，能够近似的提高抗工艺误差的能力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请提供的谐振器一实施例的结构示意图；

图2是图1中谐振器的具体结构示意图；

图3是图1中A区域的局部结构放大示意图；

图4是本申请提供的谐振器第一实施例的模态仿真图；

图5是本申请提供的谐振器第二实施例的模态仿真图；

图6是本申请提供的电子设备一实施例的结构示意图。

附图标记：100、谐振器；200、电子设备；10、谐振体；11、子谐振体；11a、第一子谐振体；11b、第二子谐振体；11c、第三子谐振体；11d、第四子谐振体；20、锚点；30、梁体；40、内电极；40a、第一内电极；40b、第二内电极；40c、第三内电极；40d、第四内电极；50、外电极；50a、第一外电极；50b、第二外电极；50c、第三外电极；50d、第四外电极；41、第一凸台；51、第二凸台。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

随着微机电谐振器的发展，对于其加工以及加工工艺的要求越来越高，但在实际的加工过程中，难免会存在加工误差或工艺缺陷所导致的谐振器的Q值偏移，导致实际测量的Q值远远小于设计值；其中的Q值即(品质因数，Quality factor)，是为了更好的研究电路谐振时的性质引入的一个物理量，用来描述谐振电路的质量或其谐振的能力，揭示了谐振电路与通频带和选择性之间的矛盾关系；其中，Q值越大通频带宽度就越窄，电路的选择性能越好，抑非能力越强。反之Q值越小，通频带宽度就越宽，抑非能力越弱，选择性能越差；但带宽包含的信号多，信号损失小，有利于减小信号的失真。故在实际的加工中，由于加工能力的限制，其谐振器的实际Q值过低，进而导致其谐振器的阻抗过大，不利于实际的测量与应用，故本申请提出一种谐振器及其电子设备以解决上述问题，达到一种类似提高抗工艺误差的能力以实现在保证低阻抗的前提下降低对Q值的要求，或在较低Q值的条件下也能获取较低的阻抗。

参阅图1所示，图1是本申请提供的谐振器一实施例的结构示意图；其中，该谐振器100包括：谐振体10、锚点20、梁体30、内电极40、外电极50；其中各部位的具体位置关系及作用为：谐振体10包括至少一个子谐振体11；锚点20被配置为接入偏置电压信号；梁体30连接谐振体10和锚点20；内电极40设置于子谐振体11的一侧，内电极40包括多个相互间隔且朝向子谐振体11一侧凸起的第一凸台41；外电极50设置于子谐振体11远离内电极40的另一侧，外电极50包括多个相互间隔且朝向子谐振体11一侧凸起的第二凸台51；其中内电极40或外电极50配置为接入驱动电压信号。

可选地，在一实施中，子谐振体11、内电极40和外电极50的数量为多个，多个子谐振体11首尾连接形成环状结构，内电极40设置于环状结构内，外电极50设置于环状结构外；锚点20设置于环状结构的中心，梁体30的数量为多个，每一梁体30连接相邻两个子谐振体11的连接处、以及锚点20。

其中的内电极40和外电极50用于被施加驱动电压以使谐振器产生机械振动，在一实施例中，驱动电压施加于外电极50，外电极50作为驱动电极，在Vac直流电压与Vdc交流电压共同作用下，可以产生时变静电力，谐振体10以分布式Lame模态振动。内电极40作为感测电极，响应于谐振体10的振动，感测电极(内电极40)与谐振体10之间的平均电容以基本恒定的频率变化。因此，可以测量电容，然后可以使用所得信号来生成定时信号。在另一实施例中，驱动电压施加于内电极40，内电极40作为驱动电极，在Vac直流电压与Vdc交流电压共同作用下，可以产生时变静电力，谐振体10以分布式Lame模态振动。外电极50作为感测电极，响应于谐振体10的振动，感测电极(外电极50)与谐振体10之间的平均电容以基本恒定的频率变化。因此，可以测量电容，然后可以使用所得信号来生成定时信号。

可选地，在一实施例中，当谐振体10被配置为当驱动电压施加于外电极50和/或内电极40时，以分布式Lame模态进行振动，其中的驱动电压为0.1V。

可选地，在一实施中，参阅图2所示，图2是图1中谐振器的具体结构示意图；其中，谐振体10包括首尾依次连接的第一子谐振体11a、第二子谐振体11b、第三子谐振体11c和第四子谐振体11d，第一子谐振体11a和第三子谐振体11c的轴向沿X方向延伸，且第一子谐振体11a和第三子谐振体11c沿YOZ平面的截面为矩形，第二子谐振体11b和第四子谐振体11d的轴向沿Y方向延伸，且第二子谐振体11b和第四子谐振体11d沿XOZ平面的截面为矩形；其中，O为原点，XYZ为基于原点O的空间三维坐标。

可以理解的，在其他实施例中，其对应的谐振体10的子谐振体11的数量及其结构连接方式不做具体限定，其结构不仅限于四边形结构，其子谐振体11可以为多个，其依次连接的构成可以为三角形或其他多边形等，例如，其子谐振体11数量为6个，6个子谐振体11依次首尾连接构成6边形。

其中的谐振体10被用于使其产生振动以得到对应所需的机械谐振频率，在一实施例中，谐振体10被配置为当驱动电压施加在外电极50或内电极40上时，对应的谐振体10以分布式Lame模态进行振动。

可选地，在一实施中，锚点20的轴向沿Z方向延伸、且锚点20沿XOY平面的截面为方形，每一梁体30连接相邻两个子谐振体11的连接处、以及锚点20相邻两个侧面的连接处。

其中，锚点20的位置设置于谐振器的中心位置，例如，对应的谐振体10为四方形时，锚点20的位置设置于对于的四方形的中心位置；锚点20结构用于接入直流偏置电压以为谐振体10提供直流偏置，锚点20通过对应的梁体30结构与对应的谐振体10进行连接，并且锚点20设置作为结构支点将对应连接的梁体30与谐振体10锚固并置于悬空状态，以使谐振体10拥有一定的谐振空间得以进行振动输出。

可选地，在一实施中，锚点20沿XOY平面的方形截面的边长为90-110μm；和/或梁体30的长度为120-130μm；和/或梁体30的宽度为8-12μm。例如，在一实施例中，锚点20的结构边长为100μm，其连接的梁体30的长度为127μm，其连接的梁体30的宽度为10μm。

可选地，在一实施中，内电极40包括第一内电极40a、第二内电极40b、第三内电极40c和第四内电极40d，外电极50包括第一外电极50a、第二外电极50b、第三外电极50c和第四外电极50d；第一内电极40a、第二内电极40b、第三内电极40c和第四内电极40d分别设置于对应的一个子谐振体11、相邻两个梁体30和锚点20围设的梯形区域内。

如图2所示，可以理解的其中的具体位置对应关系为：第一子谐振体11的外侧对应设置第一外电极50a，第一子谐振体11a的内侧对应设置第一内电极40a；第二子谐振体11b的外侧对应设置第二外电极50b，第二子谐振体11b的内侧对应设置第二内电极40b；第三子谐振体11c的外侧对应设置第三外电极50c，第三子谐振体11c的内侧对应设置第三内电极40c；第四子谐振体11d的外侧对应设置第四外电极50d，第四子谐振体11d的内侧对应设置第四内电极40d；更进一步的，是内电极40中的第一凸台41朝向对应子谐振体11的内侧以及外电极50中的第二凸台51朝向对应子谐振体11的外侧，其中的内电极40的第一凸台41与子谐振体11相对侧留有间隙同样的外电极50的第二凸台51与其相对侧的子谐振体11也留有间隙。

可以理解的，在内电极40与外电极50的设置中，其中一对对应设置的内电极40与外电极50中的凸台结构数量是一致的，在其他对应的不同对应的内电极40与外电极50的凸台数量可以是相同或不相同的；例如，对应第一子谐振体11a的第一内电极40a和第一外电极50a的凸台数量为6个时，第二子谐振体11b对应的第二内电极40b和第二外电极50b的凸台数量为5个，即与一个子谐振体11相对应的内电极40和外电极50的凸台数量是相同的，不同子谐振体11之间的内电极40和外电极50的凸台数量可以是不同的。

进一步的，参阅图3所示，图3是图1中A区域的局部结构放大示意图；其中，子谐振体11的宽度为W0、第一凸台41结构凸起高度H1、第一凸台41的宽度为W1、相邻两个第一凸台41之间的间隔宽度为WG1、第二凸台51结构凸起高度H2、第二凸台51的宽度为W2、相邻两个第二凸台51之间的间隔宽度为WG2、第一凸台41和子谐振体11之间的缝隙宽度为G1、第二凸台51和子谐振体11之间的缝隙宽度为G2。

可选地，在一实施中，多个第一凸台41和多个第二凸台51一一对应，第一凸台41的宽度W1、相邻两个第一凸台41之间的间隔宽度WG1、第二凸台51的宽度W2、相邻两个第二凸台51之间的间隔宽度WG2、子谐振体11的宽度W0均相等。

其中具体地，谐振体10四边的每一对子谐振体11的内电极40第一凸台41结构和外电极50第二凸台51结构正相对设置。综合上述内电极40的第一凸台41结构宽度W1与外电极50的第二凸台51结构宽度W2相等。内电极40的相邻两个第一凸台41结构间距WG1与外电极50的相邻两个第二凸台51结构间距WG2相等。内电极40的第一凸台41结构凸起高度H1与外电极50的第二凸台51结构凸起高度H2相等，也就是说，内电极40的第一凸台41结构与外电极50的第二凸台51结构是关于谐振体10对称设置的。

可选地，在一实施中，第一凸台41和子谐振体11之间的缝隙宽度G1、以及第二凸台51和子谐振体11之间的缝隙宽度G2为0.16-0.20μm。其中，在一实施例中，第一凸台41和子谐振体11之间的缝隙宽度G1与第二凸台51和子谐振体11之间的缝隙宽度G2相等，例如，其缝隙宽度均为0.18μm。

可选地，在一实施中，第一凸台41的宽度W1、相邻两个第一凸台41之间的间隔宽度WG1、第二凸台51的宽度W2、相邻两个第二凸台51之间的间隔宽度WG2、以及子谐振体11的宽度W0为18-22μm；和/或子谐振体11的厚度为36-44μm。

可选地，在一实施中，谐振体10宽度为20um，谐振体10厚度为40um，谐振体10单边长度L＝300um；相应的，外电极50的第二凸台51结构宽度与内电极40的第一凸台41结构宽度相等，都为20um；外电极50的第二凸台51结构间距与内电极40的第一凸台41结构间距相等，都为20um。

在上述实施例中，在满足谐振体10宽度、内电极40的第一凸台41与外电极50的第二凸台51宽度以及内电极40的多个第一凸台41之间的间隔宽度与外电极50的多个第二凸台51的间隔宽度均相等的前提下，通过调节其谐振器的宽度尺寸即可调节谐振器的频率，例如，在一实施例中，在满足上述前提条件下可仿真得到一实施例谐振器的参数为：谐振器的频率f＝79.589MHZ，阻抗值Rm＝10kΩ，Q值为50k，其对应的阻抗值为较低的阻抗；其中，对应的具体公式为如下所示：

其中，f为谐振器频率，W为谐振体宽度，C为谐振体的初级弹性常数，ρ为形成谐振体、连接梁、锚点20结构的硅的密度。

由上述公式可知，谐振器的频率f与其谐振体10的宽度W相关，故对其谐振体10的宽度值W进行调整改变即可实现调节谐振器的频率参数。

可选地，在一实施例中，通过调节锚点20以及连接梁体30的结构尺寸参数即可降低梁体30和其对应连接的谐振体10的振动模态间耦合，在上述实施例中，梁体30的理想模态为LE(Length Extension)模态，故需要对应连接的谐振体10在振动时引起的梁体30振动的模态为LE模态，当其梁体30的振动模态为非LE模态时，则需通过调节对应的梁体30和锚点20结构的尺寸以达到使其梁体30为LE模态振动。

具体地，在一些实施例中，参阅图4和图5所示，其中图4是本申请提供的谐振器第一实施例的模态仿真图；图5是本申请提供的谐振器第二实施例的模态仿真图；具体地，如图4所示，当连接的梁体30较长时，对应减小锚点20的边长值，其中的锚点20的XOY截面为方形，可以看出与谐振体10对应连接的梁体30的振动受其谐振体10的振动较为明显，其对应连接的梁体30为非LE模态振动；如图5所示，当减小梁体30的长度并对应增加锚点20的边长值，其中的锚点20的XOY截面为方形，可以看出连接梁体30的振动受谐振体10的振动影响较小，其连接的梁体30结构的振动模态为理想的振动模态，即LE模态。

为解决上述问题，本申请还提供一种电子设备，参阅图6所示，图6是本申请提供的电子设备一实施例的结构示意图；其中，该电子设备200采用包括如上述任一项实施例所描述的谐振器100，以获取较低阻抗的谐振器。

通过上述方式，采用分布式的模态结构设计，利用该结构在保证较低阻抗的前提下，降低了对其Q值的要求，即在较低的Q值的情况下，同样能够获得较低的阻抗，能够近似的提高抗工艺误差的能力。

MEMS谐振器可以使用在一实施例中的技术方案由实施例中的材料制造。例如，MEMS谐振器可以由一实施例的半导体制成，例如硅、锗、硅锗或砷化镓。实际上，MEMS谐振器可以由例如元素周期表第IV列中的材料组成，例如硅、锗、碳；还有这些的组合，例如硅锗或碳化硅；也可以是III-V化合物，例如磷化镓、磷化铝镓或其它III-V组合；III、IV、V或VI材料的组合，例如氮化硅、氧化硅、碳化铝、氮化铝和/或氧化铝；还有金属硅化物、锗化物和碳化物，例如硅化镍、硅化钴、碳化钨或硅化铂锗；还有掺杂变体，包括磷、砷、锑、硼或铝掺杂的硅或锗、碳或组合，如硅锗；还有具有各种晶体结构的这些材料，包括单晶、多晶、纳米晶或无定形；还具有晶体结构的组合，例如具有单晶和多晶结构的区域(无论是掺杂的还是未掺杂的)。

此外，MEMS谐振器可以使用一实施例的光刻、蚀刻、沉积和/或掺杂技术形成在绝缘体上半导体(SOI)衬底中或上。为了简洁起见，本文不讨论这样的制造技术。然而，用于形成或制造MEMS谐振器结构的所有技术，无论是现在已知的还是以后开发的，都旨在落入范围内(例如，使用标准或过大尺寸(“厚”)晶片(未示出)的一实施例的形成、光刻、蚀刻和/或沉积技术和/或接合技术(即，将两个标准晶片接合在一起，其中下部/底部晶片包括设置在其上的牺牲层(例如，氧化硅)，并且上部/顶部晶片此后被减薄(向下或向后研磨)并抛光以在其中或其上接收机械结构)。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：

谐振体，包括至少一个子谐振体；

锚点，被配置为接入偏置电压信号；

梁体，连接所述谐振体和所述锚点；

内电极，设置于所述子谐振体的一侧，所述内电极包括多个相互间隔且朝向所述子谐振体一侧凸起的第一凸台；

外电极，设置于所述子谐振体远离所述内电极的另一侧，所述外电极包括多个相互间隔且朝向所述子谐振体一侧凸起的第二凸台；

其中，所述内电极或所述外电极配置为接入驱动电压信号。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述子谐振体、所述内电极和所述外电极的数量为多个，多个所述子谐振体首尾连接形成环状结构，所述内电极设置于所述环状结构内，所述外电极设置于所述环状结构外；

所述锚点设置于所述环状结构的中心，所述梁体的数量为多个，每一所述梁体连接相邻两个所述子谐振体的连接处、以及所述锚点。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述谐振体包括首尾依次连接的第一子谐振体、第二子谐振体、第三子谐振体和第四子谐振体，所述第一子谐振体和所述第三子谐振体的轴向沿X方向延伸，且所述第一子谐振体和所述第三子谐振体沿YOZ平面的截面为矩形，所述第二子谐振体和所述第四子谐振体的轴向沿Y方向延伸，且所述第二子谐振体和所述第四子谐振体沿XOZ平面的截面为矩形；

其中，O为原点，XYZ为基于原点O的空间三维坐标。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述锚点的轴向沿Z方向延伸、且所述锚点沿XOY平面的截面为方形，每一所述梁体连接相邻两个所述子谐振体的连接处、以及所述锚点相邻两个侧面的连接处。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其特征在于，所述内电极包括第一内电极、第二内电极、第三内电极和第四内电极，所述外电极包括第一外电极、第二外电极、第三外电极和第四外电极；

所述第一内电极、所述第二内电极、所述第三内电极和所述第四内电极分别设置于对应的一个所述子谐振体、相邻两个所述梁体和所述锚点围设的梯形区域内。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述锚点沿XOY平面的方形截面的边长为90-110μm；和/或

所述梁体的长度为120-130μm；和/或

所述梁体的宽度为8-12μm。

7.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，多个所述第一凸台和多个所述第二凸台一一对应，所述第一凸台的宽度、相邻两个所述第一凸台之间的间隔宽度、所述第二凸台的宽度、相邻两个所述第二凸台之间的间隔宽度、以及所述子谐振体的宽度相等。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其特征在于，所述第一凸台的宽度、相邻两个所述第一凸台之间的间隔宽度、所述第二凸台的宽度、相邻两个所述第二凸台之间的间隔宽度、以及所述子谐振体的宽度为18-22μm；和/或

所述子谐振体的厚度为36-44μm。

9.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述第一凸台和所述子谐振体之间的缝隙宽度、以及所述第二凸台和所述子谐振体之间的缝隙宽度为0.16-0.20μm。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-9任一项所述的谐振器。