CN117855776A - 基于集成式自耦变压器的零或180度移相器 - Google Patents

基于集成式自耦变压器的零或180度移相器 Download PDF

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Abstract

提供一种移相装置和一种制造移相装置的方法。所述装置包括自耦变压器，所述自耦变压器包括：初级绕组，其被配置成接收输入信号；及两个次级绕组，其中所述两个次级绕组中的第一次级绕组与所述初级绕组同相，且所述两个次级绕组中的第二次级绕组与所述初级绕组异相。所述装置还包括：第一开关，其耦合到所述自耦变压器的所述两个次级绕组中的所述第一次级绕组的输出信号；及第二开关，其耦合到所述自耦变压器的所述两个次级绕组中的所述第二次级绕组的输出信号。所述第一开关和所述第二开关的输出信号可耦合到所述移相装置的输出。

Description

基于集成式自耦变压器的零或180度移相器
技术领域
本公开涉及一种移相装置和一种制造移相装置的方法。
背景技术
在波束成形应用中，通常要求移相器具有360度的相位覆盖。常常采用无源移相器，因为其为双向的，这意味着Rx/Tx路径仅需要一个移相器。另外，无源移相器通常具有良好的线性度。常常更方便的是设计若干串联的无源移相器以实现所要相移。举例来说，六个级可用于覆盖包括一个0或180度移相器的完整的360度范围。将在本文中描述零或180度移相装置。
在R.Amirkhanzadeh等人的“在SOS工艺中采用自耦变压器的L波段180度无源移相器(L-band 180 degrees passive phase shifter employing autotransformer in anSOS process)”中描述先前的自耦变压器移相器。此芯片上设计包括使用单个自耦变压器使相位移位180度，且实现直接从输入信号路径(即，直通连接)导出的零度相移。这使得零度下的移相器的路径长度与当信号相移180度时的路径长度显著不同。这种路径长度的差异使得所述装置的S参数(S11，S22，S21)在两相设置之间显著不同。此设计使得难以达到自耦变压器移相器的所有所需性能规格。
芯片上变压器可以是平面或堆叠结构。堆叠结构提供高耦合系数和小尺寸，其中小尺寸在许多应用中是所期望的品质。堆叠结构包括彼此上下堆叠的金属层。
发明内容
根据第一方面，提供一种移相装置。所述装置包括自耦变压器，所述自耦变压器包括：初级绕组，其被配置成接收输入信号；及两个次级绕组，其中所述两个次级绕组中的第一次级绕组缠绕成使得所述第一次级绕组的输出信号与所述初级绕组的所述输入信号同相，且所述两个次级绕组中的第二次级绕组缠绕成使得所述第二次级绕组的输出信号与所述初级绕组的所述输入信号异相。所述装置还包括：第一开关，其耦合到所述自耦变压器的所述两个次级绕组中的所述第一次级绕组的输出信号；及第二开关，其耦合到所述自耦变压器的所述两个次级绕组中的所述第二次级绕组的输出信号。所述第一开关和所述第二开关的输出信号可耦合到所述移相装置的输出。所述开关可以是射频RF开关。
输入信号行进穿过所述变压器的所述初级绕组，接着穿过两个次级信号中的任一个，到达所述装置的输出，这取决于两个开关中的哪一开关闭合。行进穿过两个次级绕组中的第一次级绕组的第一信号的相移可为相对于输入信号的零度，且行进穿过次级绕组中的第二次级绕组的第二信号的相移可为相对于输入信号的180度。
在一些实施例中，在所述初级绕组处接收且经由所述两个次级绕组中的所述第一次级绕组输出的第一信号的第一路径长度可等于在所述初级绕组处接收且经由所述两个次级绕组中的所述第二次级绕组输出的第二信号的第二路径长度。具有相同的路径长度有益于移相装置的应用。
在一些实施例中，所述第一开关和所述第二开关中的一个可在给定时间闭合。
在一些实施例中，所述第一开关和所述第二开关可形成串联开关。
在一些实施例中，所述装置任选地进一步包括第二自耦变压器，所述第二自耦变压器与所述第一自耦变压器的所述两个次级绕组的所述输出信号连接。
在一些实施例中，所述第二自耦变压器包括：两个初级绕组，其具有所述第一自耦变压器的所述两个次级绕组的相应输出作为输入；及任选地，次级绕组，其可耦合到所述移相装置的输出。
在一些实施例中，所述开关可形成并联开关。这可连接到接地。
在一些实施例中，所述第二自耦变压器的所述次级绕组缠绕成使得所述次级绕组的输出信号与所述第二自耦变压器的所述两个初级绕组中的任一个的输入信号同相。所述第二自耦变压器将不会使信号的相位移位，而是平衡来自所述第一自耦变压器的信号。
根据第二方面，提供一种使用金属化工艺制造移相装置的方法，其中所述金属化工艺的层彼此平行。所述方法可包括在第一层中沉积初级绕组，所述初级绕组被配置成接收输入信号。所述方法可进一步包括在第二层中沉积两个次级绕组和耦合到所述两个次级绕组的两个开关连接件。任选地，其中所述第一开关和所述第二开关的输出信号可耦合到所述移相装置的输出。所述方法可进一步包括将所述初级绕组耦合到所述次级绕组。举例来说，所述初级绕组和所述次级绕组可使用电连接所述金属化工艺的所述第一层与所述第二层的通孔在共同端口处耦合。
在一些实施例中，所述初级绕组和所述次级绕组可各自被配置为环。所述环可具有不同尺寸。
在一些实施例中，所述次级绕组中的第一次级绕组可定位在所述次级绕组中的第二次级绕组内。举例来说，所述次级绕组可为同心环。任选地，所述次级绕组中的所述第一次级绕组可具有比所述次级绕组中的所述第二次级绕组窄的壁。在一些例子中，内部绕组的横截面面积可小于外部绕组的横截面面积。
在一些实施例中，所述次级绕组中的第一次级绕组可定位成与所述次级绕组中的第二次级绕组相对。所述次级绕组可以是彼此的镜像。所述次级绕组可在中心点处连接，所述中心点为也连接到所述初级绕组的共同节点。
任选地，所述方法可进一步包括制造第二自耦变压器。所述制造第二自耦变压器可包括：在所述第二层中沉积一对初级绕组；在所述第一层中沉积第二次级绕组；及将所述第二自耦变压器耦合到所述第一自耦变压器。
在一些实施例中，所述第二自耦变压器的所述一对初级绕组和所述第二次级绕组可为线性的。
附图说明
可结合以下图式考虑，通过参考具体实施方式和权利要求书得到对主题的更完整理解，其中类似附图标记在各图中指代相似元件。
图1示出根据本公开的实施例的自耦变压器移相器的电路图，所述自耦变压器移相器包括第一自耦变压器，所述第一自耦变压器具有一个输入和两个输出；
图2A示出根据图1的第一实施例的自耦变压器的两个次级绕组的第一设计的俯视图；
图2B示出图1的自耦变压器的初级绕组的俯视图；
图2C示出包括图2A和2B的次级绕组和初级绕组的自耦变压器的组合的俯视图；
图3A到3C示出根据图1的第一实施例的自耦变压器的第二设计；
图4A和4B示出根据图1的第一实施例的自耦变压器的第三设计；
图5示出包括第一自耦变压器和第二自耦变压器的移相器的根据第二实施例的电路图；
图6示出根据如图5中所示出的第二实施例的芯片上移相器的俯视图；
图7A和7B示出图5的第二实施例的第二自耦变压器的俯视图。
具体实施方式
以下详细描述本质上仅为说明性的，并且不意图限制主题的实施例或此类实施例的应用和使用。如本文中所使用，词语“示例性”和“例子”意味着“充当例子、实例或说明”。本文中描述为示例性或例子的任何实施方案未必应被解释为比其它实施方案优选或有利。此外，并不意图受到前述技术领域、背景技术或以下具体实施方式中呈现的任何所表达或暗示的理论束缚。
本文中描述移相装置，其具有自耦变压器，所述自耦变压器具有一个初级绕组和两个次级绕组。所述移相器被布置成视需要将信号(优选地，RF信号)的相位移位零度和180度。包括两个次级绕组的自耦变压器实现相位设置之间的S参数变化最小的零度或180度移相器的设计。结果示出，如本文中所描述的装置呈现低插入损耗(28GHz下的2.4dB)，同时具有简单明了的设计，这使得所述装置易于制造。
本公开的优点为提供了装置的对称性，使得RF信号路径在信号移位零度或180度之间不会改变。移相器拓扑使得有可能设计无源、零度或180度、基于自耦变压器的移相器，其相位到增益变化接近零。这意味着对于中心频率，移相器的增益(或插入损耗)在相位从零度改变为180度时将不会改变，这在移相器中是非常期望的特征。此外，移相器的输入端口和输出端口的反射系数在相位改变时不会显著改变。所有这一切都是通过简单的设计约束以直接的方式实现的。
图1示出自耦变压器移相器100的第一实施例的电路图，所述自耦变压器移相器包括第一自耦变压器105，所述第一自耦变压器具有一个输入和两个输出。举例来说，第一实施例可与MOS开关兼容。
移相器装置100包括自耦变压器105和两个开关108、110。所述开关优选地为射频(RF)开关。
自耦变压器105包括初级绕组102和两个次级绕组104、106。输入信号连接到初级绕组(例如，初级线圈)102，且经由两个次级绕组(例如，次级线圈)104、106中的一个输出。初级绕组102还连接到接地112。每一次级绕组输出连接到射频RF开关108、110。每一次级绕组输出之间的相位差为180度。
RF开关108、110被控制以选择自耦变压器105的次级绕组104、106中的任一个。两个次级绕组104中的第一次级绕组连接到第一RF开关108。两个次级绕组106中的第二次级绕组连接到第二RF开关110。当第一RF开关108闭合时，输出信号相对于输入信号的相移为零度。当第二RF开关110闭合时，输出信号相对于输入信号的相移为180度。一次仅一个开关闭合。在此实施例中，RF开关108、110串联连接。串联开关任选地为单刀双掷SPDT开关。
无论相移是零度还是180度，RF信号穿过自耦变压器移相器100的信号路径都是相同的。这确保S参数(散射参数)是一致的。
此相移拓扑使得有可能具有无源、零度或180度、基于自耦变压器的移相器，其相位到增益变化接近零。这是优于子知设计的优点。这还意味着，对于中心频率，移相器的增益(或插入损耗)在相位从零度改变为180度时将不会改变，这在移相器中是非常期望的特征。
RF开关108、110的电容与所述RF开关连接到的相应的绕组102、104的谐振相互作用。RF开关的电容应被设计成与电感谐振，因为这可以提高性能。
图1的电路图提供一种对于零度和180度相移维持类似路径长度(在电学上且在RF参数方面)的方式。电路100的设计是基于对两个独立自耦变压器的考虑，一个自耦变压器以一定方式连接，使得输出相位为相对于输入信号的零度，且第二自耦变压器以一定方式连接，使得输出相位相对于输入信号移位180度。这使得用于零度和180度相移的信号路径是相同的。由于两个独立自耦变压器的初级绕组具有相同的电气连接且每一次级绕组共享共同连接(接地)，因此两个独立自耦变压器可以组合成具有一个初级绕组和两个次级绕组的单个自耦变压器，如所示出。
移相器装置100在零度和180度的相移之间具有最少的传输和反射损耗变化。模拟示出可以实现零度和180度的相移。此外，结果示出，通过移相装置100的RF信号的S参数保持恒定。这对于在应用中使用是有利的。
金属化工艺可用于根据数个不同设计来制造图1的基于堆叠的自耦变压器移相器100。在金属化工艺期间，金属层在所制备的表面(例如，基板或芯片)上彼此平行地沉积。自耦变压器100包括在金属化工艺的平行的金属平面中制造两个绕组，其中次级绕组104、106在不同于初级绕组102的平面中制造。图2A到4B中示出可以制造的移相装置100的芯片上设计。
图2A示出图1的自耦变压器100的次级绕组(例如，次级线圈)104、106的俯视图，所述自耦变压器根据第一芯片上设计使用上文所描述的金属化工艺在物理基板上制造。
次级绕组200-1在同一平面中(即，在金属化工艺的同一层中)包括两个同心环。两个绕组中的内部绕组包括内环，且具有输出端口(例如，次级端口)202。两个绕组中的第二绕组(外部绕组)包括外环，且具有第二输出端口204。取决于信号相对于信号的输入相位的所要相移，信号通过输出端口202、204中的任一个输出，所述信号在共同端口206处从初级绕组200-2接收。
还提供共同端口206，其将第一金属层的次级绕组200-1连接到第二平行金属层的初级绕组200-2。共同端口206包括通孔，所述通孔电连接次级绕组200-1和初级绕组200-2的共同端口。
图2B示出根据第一设计制造的图1的自耦变压器100的初级绕组(例如，初级线圈)102的俯视图，且与图2A互补。初级绕组200-2包括初级端口208和共同端口206。输入信号(即，RF信号)经由初级端口208接收。共同端口连接到如上文所描述的次级绕组200-1的共同端口206。
图2C示出自耦变压器200的组合视图，所述自耦变压器包括根据第一设计的图2A和2B的次级绕组200-1和初级绕组200-2。
如所示出，初级绕组200-2比两个单独的次级绕组200-1宽，且覆盖组合的次级绕组200-1的横截面面积。在图2C中，以粗线示出初级绕组200-2，这指示所述初级绕组所位于的平面平行于制造次级绕组200-1所处的平面。
从图2C可以看出，共同端口206在初级绕组200-2与次级绕组200-1之间共享。输入端口208示出信号输入到自耦变压器200的位置。取决于所要相移，信号通过输出端口202或204中的任一个输出。
图3A到3C示出本公开的第一实施例的第二芯片上设计。图3A示出移相装置芯片上设计，其包括自耦变压器310和RF开关305。此示例性芯片上设计包括如上文关于图2A到2C所描述的类似的同心环布局，进一步包括开关305。此第二设计确保可以成功地附接RF开关305。
输入信号被接收，且取决于所需相移和开关305的状态，穿过初级绕组300-2，接着穿过次级绕组300-1。取决于这些开关305中的哪一个开关闭合，从装置300输出的信号具有零度或180度的相移。
图3B示出自耦变压器310包括图3A的次级绕组300-1。图3C示出自耦变压器310包括图3A的初级绕组300-2和次级绕组300-1。
图3B示出自耦变压器310包括图3A的次级绕组300-1。次级绕组300-1包括内部绕组308和外部绕组306。外部绕组306具有连接到初级绕组300-2的共同端口302。内部绕组308具有连接到初级绕组300-2的共同端口304。内部绕组306和外部绕组308中的每一个连接到相应的开关305。
内部绕组308具有比外部绕组306短的长度。这在移相装置在使用中时产生外部绕组306与内部绕组308之间的电感差异以及不同的耦合系数。内部绕组308已经被设计成具有比外部绕组306的壁薄的壁312，以便帮助补偿此差异。内部绕组308的较薄壁312有助于增加电感。相对于外部绕组306窄化内部绕组308的壁有助于补偿内部绕组308与外部绕组306之间的电感差异。
图3C示出图3A的自耦变压器310。初级绕组300-2以粗轮廓示出，而次级绕组300-1全部以虚线示出。
在输入端口310处将输入信号接收到初级绕组300-2。初级绕组300-2分别通过共同端口302和304连接到两个次级内部绕组306和外部绕组308。
内部绕组306和外部绕组308的输出连接到开关305，如图3A中所示出。
图4A和4B示出图1的自耦变压器105的第三芯片上设计。
图4A示出次级绕组400-1，其具有第一输出端口402和第二输出端口404以及共同节点(或共同端口406)，所述共同节点将次级绕组连接到初级绕组。在此设计中，次级绕组不是同心环，因为它们都在上文所描述的前两种设计中。相反，所述次级绕组被设计成在长度上对称。相反，所述次级绕组为彼此的镜像。
图4B示出初级绕组400-2，其包括输入端口408和共同端口406，所述共同端口将初级绕组400-2连接到次级绕组400-1。输入端口408在使用中接收输入RF信号。初级绕组400-2具有与次级绕组400-1相同的面积，且在金属化工艺的与次级绕组400-1平行的平面中制造。
图4A中所示出的次级绕组具有相同长度，且不由同心的内环和外环制成。这是替代的布置，其由于较简单的设计可更适合于较高频率的应用。
初级绕组400-2的输入端口408位于自耦变压器的与次级绕组400-1的输出端口402、404相对的侧上。这确保输入信号可以在自耦变压器的一端处被接收且在相对端处输出。这在设计待连接到自耦变压器的另外的芯片上装置时会很有帮助。
图2A到2C、3A到3C和4A到4B中所示出的自耦变压器设计中的每一个可实施图1中所示出的第一实施例的自耦变压器105。布局和形状产生于不同的设计决策，以实现装置的平衡性质。应理解，其它配置可为可用的，所述配置未在此处示出或被详细地描述，但其仍将被本公开涵盖。
由于制造约束，在本公开中仅论述金属化工艺的两个金属层。仅具有两个层可用于制造包括自耦变压器105的移相器装置100使得必须在同一层中制造两个次级绕组104、106；这引入了待克服的设计约束。允许使用三个金属层而非两个金属层来制造本文中所示出的移相器的可用的工艺也是可用的。在此情境中，可使用各自包括一个绕组的三个金属层。此设计虽然在此处未示出，但也被本公开所涵盖。
图5示出移相器500的根据第二实施例的电路图，所述移相器包括第一自耦变压器505和第二自耦变压器515。在此实施例中，第二自耦变压器515使得有可能得到第二移相器装置500，其利用RF并联开关而非串联开关。举例来说，开关可为pin二极管。这可适用于汽车应用，或更一般来说具有较高频率的应用。
第一自耦变压器505类似于第一实施例的自耦变压器105，且包括初级绕组502和两个次级绕组504、506。第一次级绕组504的输出信号连接到第一RF开关508，且第一自耦变压器305的第二次级绕组506的输出信号连接到第二RF开关510。RF开关508、510被连接为连接到接地514的并联开关。
类似于第一实施例，当第一RF开关508闭合时，实现输入信号的零度相移，且当第二RF开关510闭合时，实现180度相移。
第二自耦变压器515包括两个初级绕组516、518和次级绕组520。当使用并联开关配置时，第二自耦变压器515隔离信号。所述第二自耦变压器对两个节点求和，而不对信号本身进行任何相移；第一自耦变压器505仍负责相移。
第二自耦变压器515的第一初级绕组516缠绕成使得来自第一初级绕组516的输出信号与第一自耦变压器505的次级绕组504的输出信号同相。这确保信号不被相移。第二自耦变压器515的第二初级绕组518的输出信号与第一自耦变压器505的次级绕组506的输出信号同相。来自第二自耦变压器515的次级绕组520的输出信号与第二自耦变压器515的第一初级绕组516和第二初级绕组518中的任一个的输入信号同相。
通过在使用并联开关配置时添加第二自耦变压器515，使信号平衡。所述信号由第一自耦变压器505而非第二自耦变压器515移相。通过第二自耦变压器515维持如由第一自耦变压器505实现的输入信号的相移，使得输出信号具有所选择的相移。
一次仅开关508、510中的一个闭合，以确保信号视需要进行相移。
图6示出根据如图5中所示出的第二实施例的芯片上移相器的俯视图。
第一自耦变压器400属于图4A和4B中所示出的设计，且通过第一开关和第二开关连接到第二自耦变压器700，所述第一开关和第二开关可在第一自耦变压器400与第二自耦变压器700之间的位置605处例如通过导电通孔连接到变压器。
图6中示出通过根据第二实施例的自耦变压器600的芯片上设计的RF输入信号和输出信号。共同节点406连接第一自耦变压器400的初级绕组和两个次级绕组。共同节点706连接此第二自耦变压器700的两个初级绕组和次级绕组。
如可看出，第一自耦变压器400和第二自耦变压器700邻近彼此布置，且经连接以便形成单个结构。开关605连接到自耦变压器400、700以控制信号流。
在金属化工艺中，第一自耦变压器400的初级绕组400-2和第二自耦变压器700的次级绕组700-2彼此在同一层(例如，第一层)中制造，而第一自耦变压器400的两个次级绕组400-1和第二自耦变压器700的两个初级绕组700-1彼此在同一层(例如，第二层)中制造。开关605可在与自耦变压器400、700不同的层中制造。在一些例子中，开关可由不同于自耦变压器400、700的材料制成。开关与自耦变压器400、700电连接。
图7A和7B示出图5的第二自耦变压器700的俯视图。图7A示出包括输入端口702、704的两个初级绕组700-1。共同端口706连接到如图7B中所示出的次级绕组700-2。第二自耦变压器的设计为线性的(且不弯曲)，并且用以对两个节点进行求和，而不产生相移。
两个初级绕组702、704具有相同的横截面面积，且为彼此的镜像。
已经针对第二实施例示出了与第一实施例相同的用于信号穿过移相装置600的相同路径长度的优点。这很大程度上归因于第一自耦变压器505与第一实施例的自耦变压器105相同。
举例来说，可在波束成形应用中使用根据本公开的自耦变压器移相器100、500。产生RF波束以执行波束操控。除了仅照射RF波束的功率之外，还可以通过聚焦波束来实现波束方向。相移对于实现波束操控是不可或缺的。
将容易理解，如本文中大体描述且在附图中示出的实施例的组件可以各种各样不同的配置来布置和设计。因此，以下如图中所表示的各种实施例的更详细描述并非意图限制本公开的范围，而仅仅是表示各种实施例。尽管在图式中呈现了实施例的各个方面，但是除非具体指示，否则图式不一定按比例绘制。
在不脱离本发明的精神或本质特性的情况下，本发明可以以其它具体形式实施。所描述的实施例在所有方面都应被视为仅是说明性的而非限制性的。因此，本发明的范围由所附权利要求书而不是由此详细描述来指示。属于权利要求书的等效含义和范围的所有变化都应在权利要求书范围内。
贯穿本说明书对特征、优点或类似语言的参考并不暗示可使用本发明实现的所有特征和优点应该在或在本发明的任何单一实施例中。实际上，涉及特征和优点的语言应理解成意指结合实施例描述的具体特征、优点或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，本说明书通篇对特征和优点以及类似语言的论述可能但不一定都指相同实施例。
此外，本发明的所描述特征、优点和特性可以任何合适方式在一个或多个实施例中组合。相关领域的技术人员将认识到，鉴于本文中的描述，本发明可在无特定实施例的具体特征或优点中的一个或多个特征或优点的情况下实践。在其它情况下，可在某些实施例中识别出可能不存在于本发明的全部实施例中的额外特征和优点。

Claims (10)

1.一种移相装置，其特征在于，包括：
自耦变压器，其包括：
初级绕组，其被配置成接收输入信号；及
两个次级绕组，其中所述两个次级绕组中的第一次级绕组缠绕成使得所述第一次级绕组的输出信号与所述初级绕组的所述输入信号同相，且所述两个次级绕组中的第二次级绕组缠绕成使得所述第二次级绕组的输出信号与所述初级绕组的所述输入信号异相；
第一开关，其耦合到所述自耦变压器的所述第一次级绕组的所述输出信号；及
第二开关，其耦合到所述自耦变压器的所述第二次级绕组的所述输出信号；
其中所述第一开关和所述第二开关的输出信号能耦合到所述移相装置的输出。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述初级绕组处接收且经由所述两个次级绕组中的所述第一次级绕组输出的第一信号的第一路径长度等于在所述初级绕组处接收且经由所述两个次级绕组中的所述第二次级绕组输出的第二信号的第二路径长度。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关中的一个在给定时间闭合。
4.根据在前的任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关形成串联开关。
5.根据在前的任一项权利要求所述的装置，其特征在于，进一步包括第二自耦变压器，所述第二自耦变压器与第一自耦变压器的所述两个次级绕组的所述输出信号连接。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二自耦变压器包括：
两个初级绕组，其具有所述第一自耦变压器的所述两个次级绕组的相应输出作为输入；及
次级绕组，其能耦合到所述移相装置的所述输出。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的装置，其特征在于，所述开关形成并联开关。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的装置，其特征在于，所述第二自耦变压器的所述次级绕组缠绕成使得所述次级绕组的输出信号与所述第二自耦变压器的所述两个初级绕组中的任一个的输入信号同相。
9.一种使用金属化工艺制造移相装置的方法，其特征在于，所述金属化工艺的层彼此平行，所述方法包括：
在第一层中沉积初级绕组，所述初级绕组被配置成接收输入信号；及
在第二层中沉积两个次级绕组和耦合到所述两个次级绕组的两个开关连接件，其中所述第一开关和所述第二开关的输出信号能耦合到所述移相装置的输出；及
在共同端口处将所述初级绕组耦合到所述次级绕组；
其中所述两个次级绕组中的第一次级绕组缠绕成使得所述第一次级绕组的输出信号与所述初级绕组的所述输入信号同相，且所述两个次级绕组中的第二次级绕组缠绕成使得所述第二次级绕组的输出信号与所述初级绕组的所述输入信号异相。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述初级绕组和所述次级绕组各自被配置为环。
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