CN117855362A - 显示芯片和显示装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 62
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 48
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010165 TiCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示芯片和显示装置。该显示芯片包括基板、发光单元、欧姆接触层和光串扰阻挡层；发光单元设置于基板上，发光单元包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层设置于发光层远离基板的一侧，欧姆接触层设置于第二半导体层远离基板的一侧，光串扰阻挡层设置于欧姆接触层远离基板的一侧，光串扰阻挡层在基板上的正投影位于相邻发光单元在基板上的正投影之间；光串扰阻挡层通过欧姆接触层与第二半导体层电连接。可以改善相邻发光单元之间的光串扰问题，提高了显示芯片的显示效果。同时提高了电流在欧姆接触层上的分布均匀程度，进而可以进一步的提高显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示芯片和显示装置。
背景技术
在信息化向智能化方向发展时，显示是实现信息交换和智能化的关键环节。目前众多显示技术中，小尺寸的发光二极管(MicroLight Emitting Diode，MicroLED)显示技术被认为是具有颠覆性的下一代显示技术，并受到了广泛关注。Micro LED显示芯片是在单个芯片上集成高密度的像素发光单元的二维阵列显示器件。Micro LED显示芯片因具有尺寸小、寿命长、响应速度快以及功耗低等优点，而被广泛应用在增强现实(AugmentedReality，AR)、近眼显示(Near-eye display，NED)以及可穿戴显示等领域。现有的MicroLED显示芯片的显示效果比较差，不利于满足显示需求。
发明内容
本发明提供一种显示芯片和显示装置，以提高显示芯片的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示芯片，包括基板、发光单元、欧姆接触层和光串扰阻挡层；
所述发光单元设置于所述基板上，所述发光单元包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层设置于所述发光层远离所述基板的一侧，所述欧姆接触层设置于所述第二半导体层远离所述基板的一侧，所述光串扰阻挡层设置于所述欧姆接触层远离所述基板的一侧，所述光串扰阻挡层在所述基板上的正投影位于相邻所述发光单元在所述基板上的正投影之间；所述光串扰阻挡层通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层电连接。
可选地，所述光串扰阻挡层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置于所述第二表面远离所述欧姆接触层的一侧，所述第一表面在所述基板上的正投影位于所述第二表面在所述基板上的正投影内。
可选地，所述光串扰阻挡层的材料包括金属。
可选地，所述光串扰阻挡层至少部分围绕所述发光单元设置。
可选地，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；或者，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。
可选地，显示芯片还包括钝化层，所述钝化层设置于所述欧姆接触层和所述第二半导体层之间，所述钝化层在所述基板上的正投影至少部分位于相邻所述发光单元在所述基板上的正投影之间。
可选地，显示芯片还包括光转换结构，所述光转换结构设置于所述欧姆接触层远离所述基板的一侧，所述光转换结构在所述基板上的正投影至少覆盖所述发光单元在所述基板上的正投影。
可选地，所述光转换结构包括第一光转换结构和第二光转换结构，所述第一光转换结构和所述第二光转换结构出射的光线波长不同。
可选地，所述光转换结构的形状包括透镜形状。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示芯片。
本发明实施例的技术方案，通过设置光串扰阻挡层在基板上的正投影位于相邻发光单元在基板上的正投影之间，使得光串扰阻挡层可以对相邻发光单元射出的光线进行横向遮挡，从而可以改善相邻发光单元之间的光串扰问题，提高了显示芯片的显示效果。同时光串扰阻挡层通过欧姆接触层与第二半导体层电连接，第二半导体层上的电流经过欧姆接触层可以传输至光串扰阻挡层上，使得欧姆接触层上与光串扰阻挡层对应连接的位置相对于其他位置的欧姆接触层均具有电流通过，从而可以减小该位置与其他位置的欧姆接触层的电流差异，提高电流在欧姆接触层上的分布均匀程度，进而可以进一步的提高显示面板的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种显示芯片的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示芯片的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示芯片的制作方法流程示意图；
图5为本发明实施例提供的一种步骤S401对应的显示芯片的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种步骤S402对应的显示芯片的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种步骤S403对应的显示芯片的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种步骤S404对应的显示芯片的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种步骤S405对应的显示芯片的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种步骤S406对应的显示芯片的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种步骤S407对应的显示芯片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种显示芯片的结构示意图。如图1所示，该显示芯片包括基板110、发光单元120、欧姆接触层130和光串扰阻挡层140；发光单元120设置于基板110上，发光单元120包括依次层叠设置的第一半导体层121、发光层122和第二半导体层123，第二半导体层123设置于发光层122远离基板110的一侧，欧姆接触层130设置于第二半导体层123远离基板110的一侧，光串扰阻挡层140设置于欧姆接触层130远离基板110的一侧，光串扰阻挡层140在基板110上的正投影位于相邻发光单元120在基板110上的正投影之间；光串扰阻挡层140通过欧姆接触层130与第二半导体层123电连接。
具体的，基板110上设置有驱动电路，用于驱动发光单元120发光。示例性的，基板110为CMOS基板，基板110上具有互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)器件，并通过CMOS器件形成驱动电路。发光单元120可以为MicroLED。第一半导体层121和第二半导体层123为不同类型的半导体层，示例性的，第一半导体层121可以为P型半导体层，第二半导体层123可以为N型半导体层。发光层122可以为量子阱层。通过在第一半导体层121和第二半导体层123的两侧形成一定的压差，使得发光层122根据压差发光。基板110上可以具有多个发光单元120。多个发光单元120可以在基板110上阵列排布。当显示芯片为彩色显示芯片时，多个发光单元120可以包括不同颜色的发光单元。示例性的，当显示芯片为全彩显示芯片时，多个发光单元120可以包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元。当显示芯片为单色芯片时，多个发光单元120可以均为红光发光单元，或均为蓝光发光单元，或均为绿光发光单元。欧姆接触层130设置于第二半导体层123远离基板110的一侧，欧姆接触层130的材料可以为导电材料，示例性的，欧姆接触层130的材料可以为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)。当欧姆接触层130与第二半导体层123接触时，可以提高第二半导体层123的电流扩展能力，同时可以保证发光单元120射出的光线的透过率。而且，不同的发光单元120的第二半导体层123均与欧姆接触层130电连接，使得不同的发光单元120实现第二半导体层123共极连接。光串扰阻挡层140在基板110上的正投影位于相邻发光单元120在基板110上的正投影之间，使得光串扰阻挡层140可以对相邻发光单元120射出的光线进行横向遮挡，从而可以改善相邻发光单元120之间的光串扰问题，提高了显示芯片的显示效果。而且，光串扰阻挡层140设置于欧姆接触层130远离基板110的一侧，光串扰阻挡层140通过欧姆接触层130与第二半导体层123电连接。当发光单元120发光时，第二半导体层123上的电流经过欧姆接触层130传输至光串扰阻挡层140上，使得欧姆接触层130上与光串扰阻挡层140对应连接的位置相对于其他位置的欧姆接触层130均具有电流通过，从而可以减小该位置与其他位置的欧姆接触层130的电流差异，提高电流在欧姆接触层130上的分布均匀程度，进而可以进一步的提高显示面板的显示效果。
本实施例的技术方案，通过设置光串扰阻挡层在基板上的正投影位于相邻发光单元在基板上的正投影之间，使得光串扰阻挡层可以对相邻发光单元射出的光线进行横向遮挡，从而可以改善相邻发光单元之间的光串扰问题，提高了显示芯片的显示效果。同时光串扰阻挡层通过欧姆接触层与第二半导体层电连接，第二半导体层上的电流经过欧姆接触层可以传输至光串扰阻挡层上，使得欧姆接触层上与光串扰阻挡层对应连接的位置相对于其他位置的欧姆接触层均具有电流通过，从而可以减小该位置与其他位置的欧姆接触层的电流差异，提高电流在欧姆接触层上的分布均匀程度，进而可以进一步的提高显示面板的显示效果。
示例性的，光串扰阻挡层140的材料可以为金属，使得光串扰阻挡层140不仅能够具有较低的透光率，实现光线的横向遮挡，同时可以通过欧姆接触层130与第二半导体层123电连接，使得欧姆接触层130与金属电连接的地方具有电流通过，减小该位置与其他位置的欧姆接触层130的电流差异，提高电流在欧姆接触层130上的分布均匀程度，进而可以进一步的提高显示面板的显示效果。而且，当光串扰阻挡层140的材料为金属时，可以对横向光线进行反射，改善了显示芯片发光分散的问题，使显示芯片发出的光线更加集中，提高了显示芯片的出光效率。
继续参考图1，光串扰阻挡层140包括相对设置的第一表面S1和第二表面S2，第一表面S1设置于第二表面S2远离欧姆接触层130的一侧，第一表面S1在基板110上的正投影位于第二表面S2在基板110上的正投影内。
具体的，第一表面S1可以为光串扰阻挡层140的顶面，第二表面S2可以为光串扰阻挡层140的底面。通过设置第一表面S1在基板110上的正投影位于第二表面S2在基板110上的正投影内，即第一表面S1的面积小于第二表面S2的面积，使得光串扰阻挡层140在满足相邻的发光单元120的出光要求时尽可能的增加光串扰阻挡层140的底面面积，从而可以增加光串扰阻挡层140与欧姆接触层130的电连接面积，使得光串扰阻挡层140与欧姆接触层130的电连接更加可靠，同时可以有利于进一步的进行电流扩展。而且，当第一表面S1的面积小于第二表面S2的面积时，光串扰阻挡层140的侧面为倾斜面，使得光串扰阻挡层140可以在发光单元120之间形成至少部分类似光罩结构，从而可以提高相邻发光单元120的出光效率。示例性的，如图1所示，光串扰阻挡层140的剖面结构为梯形结构。此时第一表面S1的面积比较小，第二表面S2的面积比较大。
在上述各技术方案的基础上，光串扰阻挡层140至少部分围绕发光单元120设置。
具体的，在一些实施例中，可以设置光串扰阻挡层140完全围绕发光单元120设置，此时光串扰阻挡层140可以对发光单元120周围的横向光进行完全遮挡，从而可以进一步的改善相邻发光单元120之间的光串扰问题，提高了显示芯片的显示效果。光串扰阻挡层140可以根据发光单元120的形状确定自身的围绕形状。示例性的，当发光单元120在基板110上的正投影为四边形时，光串扰阻挡层140在基板110上的正投影为围绕发光单元120的四边形，此时光串扰阻挡层140的形状可以为梯形棱柱体。当发光单元120在基板110上的正投影为圆形时，光串扰阻挡层140在基板110上的正投影为围绕发光单元120的圆形，此时光串扰阻挡层140的形状可以为圆环柱体，且圆环柱体的上表面小于下表面。
在上述各技术方案的基础上，第一半导体层121为P型半导体层，第二半导体层123为N型半导体层；或者，第一半导体层121为N型半导体层，第二半导体层123为P型半导体层。
具体的，当第一半导体层121为P型半导体层，第二半导体层123为N型半导体层时，欧姆接触层130为N电极欧姆接触层，此时欧姆接触层130可以对N型半导体层的电流进行扩展，提高N型半导体层的电流扩展能力。另外，不同的发光单元120的N型半导体层均与欧姆接触层130电连接，使得不同的发光单元120的N型半导体层电连接，从而实现不同发光单元120的共阴极连接。当第一半导体层121为N型半导体层，第二半导体层123为P型半导体层时，欧姆接触层130为P电极欧姆接触层，此时欧姆接触层130可以对P型半导体层的电流进行扩展，提高P型半导体层的电流扩展能力。另外，不同的发光单元120的P型半导体层均与欧姆接触层130电连接，使得不同的发光单元120的P型半导体层电连接，从而实现不同发光单元120的共阳极连接。
继续参考图1，显示芯片还包括钝化层150，钝化层150设置于欧姆接触层130和第二半导体层123之间，钝化层150在基板110上的正投影至少部分位于相邻发光单元120在基板110上的正投影之间。
具体的，钝化层150具有绝缘性质，通过设置钝化层150在基板110上的正投影至少部分位于相邻发光单元120在基板110上的正投影之间，可以使得钝化层150在相邻发光单元120之间，从而可以减小相邻发光单元120之间的漏电流，有利于提高显示芯片的发光效率，进而提高显示芯片的显示效果。而且，钝化层150设置于第二半导体层123远离基板110的一侧，使得钝化层150可以对第二半导体层123进行平坦化。另外，钝化层150至少部分暴露第二半导体层123，使得欧姆接触层130和第二半导体层123能够接触电连接，同时可以避免钝化层150影响发光单元120的出光效率。继续参考图1，钝化层150在基板110上的正投影可以与发光单元120在基板110上的正投影部分交叠，可以提高钝化层150减小相邻发光单元120之间漏电流的效果。
图2为本发明实施例提供的另一种显示芯片的结构示意图。如图2所示，显示芯片还包括光转换结构160，光转换结构160设置于欧姆接触层130远离基板110的一侧，光转换结构160在基板110上的正投影至少覆盖发光单元120在基板110上的正投影。
具体的，如图2所示，光转换结构160设置于欧姆接触层130远离基板110的一侧时，可以与光串扰阻挡层140同层设置，且光转换结构160在基板110上的正投影至少覆盖发光单元120在基板110上的正投影，此时光串扰阻挡层140可以对光转换结构160的位置进行固定，使得光转换结构160与发光单元120可以在垂直方向上堆叠。当显示芯片中的部分发光单元120远离基板110的一侧设置有光转换结构160时，光转换结构160可以将部分发光单元120发出的光进行波长转换，从而使得不同的发光单元120发出不同颜色的光，实现显示芯片的彩色显示。示例性的，光转换结构160的材料可以包括量子点材料，量子点可以将发光单元120发出的光进行波长转换，使得光转换结构160可以发射与对应发光单元120的发光颜色不同的光。当显示芯片实现双色显示时，可以在部分发光单元120远离基板110的一侧设置相同材料的光转换结构160，使得一部分发光单元120出射的光线颜色为发光单元120本身的发光颜色，与光转换结构160对应设置的发光单元120出射的光线颜色经过光转换结构160转换为另一发光颜色，从而可以实现显示芯片的双色显示。当显示芯片实现彩色显示时，可以在部分发光单元120远离基板110的一侧设置不同材料的光转换结构160，使得一部分发光单元120出射的光线颜色为发光单元120本身的发光颜色，与光转换结构160对应设置的发光单元120出射的光线颜色经过光转换结构160转换为不同颜色的光线，从而可以实现显示芯片的彩色显示。
继续参考图2，光转换结构160包括第一光转换结构161和第二光转换结构162，第一光转换结构161和第二光转换结构162出射的光线波长不同。
具体的，第一光转换结构161和第二光转换结构162的材料不同，使得第一光转换结构161和第二光转换结构162出射光的颜色可以不同，使得显示芯片可以实现彩色显示。示例性的，当显示芯片为全彩显示芯片时，可以设置三个发光单元120组成一个像素；第一光转换结构161与像素中第一个发光单元120对应设置，第二光转换结构162与像素中第二个发光单元对应设置，像素中第三个发光单元120远离基板110的一侧不设置光转换结构160。此时一个像素可以输出三种发光颜色，分别为第三个发光单元120出射的本身发光颜色，第一个发光单元120经过第一光转换结构161出射的第一光转换发光颜色，第二个发光单元120经过第二光转换结构162出射的第二光转换发光颜色，从而实现了显示芯片的全彩显示。示例性的，当发光单元120为发光颜色为蓝色的发光单元时，第一光转换结构161可以将蓝色光线转换为红色光线，第二光转换结构162可以将蓝色光线转换为绿色光线，从而可以使得显示芯片实现全彩显示。当发光单元120为发光颜色为绿色的发光单元时，第一光转换结构161可以将绿色光线转换为红色光线，第二光转换结构162可以将绿色光线转换为蓝色光线，从而可以使得显示芯片实现全彩显示。另外，在一个像素中，第三个发光单元120远离基板110的一侧可以设置透明材料层170，透明材料层170可以与光转换结构160同层设置，提高显示芯片的结构一致性。示例性的，透明材料层170的材料可以包括树脂或二氧化硅。在一些实施例中，可以设置透明材料层170的形状与光转换结构160的形状相同，可以进一步的提高显示芯片的结构一致性。
图3为本发明实施例提供的另一种显示芯片的结构示意图。如图3所示，光转换结构160的形状包括透镜形状。
具体的，如图3所示，光转换结构160可以为透镜形状，使得光转换结构160可以对发光单元120出射的光线进行汇聚，有利于提高小角度内的出光比例，进而可以提高显示芯片的发光效率。示例性的，当显示芯片为微型LED芯片时，光转换结构160为微型透镜。在制作光转换结构160时，可以采样热回流工艺，有利于保证光转换结构160的制作效果。
在上述各技术方案的基础上，图4为本发明实施例提供的一种显示芯片的制作方法流程示意图。如图4所示，该方法包括：
S401、在衬底上生长显示芯片的外延层。
其中，图5为本发明实施例提供的一种步骤S401对应的显示芯片的结构示意图。如图5所示，衬底101可以为生长衬底，例如为硅衬底或为蓝宝石衬底。外延层可以包括多层，沿远离衬底101的方向可以依次沉积发光单元120的第二半导体层123、发光层122和第一半导体层121。示例性的，可以在衬底101上依次沉积N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。其中N型半导体层的材料可以为硅掺杂的n-GaN，厚度范围可以为50nm-5um。多量子阱层可以包括1-20对InGaN/GaN。P型半导体层的材料可以为Mg掺杂p GaN，厚度范围可以为50nm-500nm。
S402、刻蚀外延层形成发光单元。
其中，图6为本发明实施例提供的一种步骤S402对应的显示芯片的结构示意图。如图6所示，在外延层上刻蚀出台面，以形成包括多个台面区域的发光单元120。其中，在刻蚀过程中，可以采用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)刻蚀方法。
S403、在发光单元之间形成绝缘层并形成电极接触沟槽。
其中，图7为本发明实施例提供的一种步骤S403对应的显示芯片的结构示意图。如图7所示，在发光单元120之间的台面区沉积绝缘层102，然后在绝缘层102上刻蚀形成电极接触沟槽。示例性的，绝缘层102的材料可以为SiO2，SiNx和Al2O3等。在沉积绝缘层102时，可以采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)方法，刻蚀方法采用ICP刻蚀方法，绝缘层102的沉积厚度范围可以为10nm-5um，电极接触沟槽的刻蚀深度可以为10nm-5um。
S404、在电极接触沟槽中形成电极层。
其中，图8为本发明实施例提供的一种步骤S404对应的显示芯片的结构示意图。如图8所示，在电极接触沟槽内形成电极层103。示例性的，电极层103的材料可以为金属，例如为TiCu和CrCu等。电极层103可以采用蒸镀工艺形成。示例性的，蒸镀方法可以采用电子束蒸发设备的蒸镀工艺。且电极层103的厚度范围可以为10nm-5um。
S405、在电极层上形成介质层。
其中，图9为本发明实施例提供的一种步骤S405对应的显示芯片的结构示意图。如图9所示，在电极层103和绝缘层102上形成介质层104。在形成介质层104时可以采用电感耦合等离子体-化学气相沉积(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition，ICP-CVD)工艺形成。介质层104的厚度范围可以为1-10um。
S406、在介质层上形成连接层，连接层与电极层电连接。
其中，图10为本发明实施例提供的一种步骤S406对应的显示芯片的结构示意图。如图10所示，在形成连接层105之前，可以在介质层104上电极层103对应的位置开孔，以暴露电极层103。示例性的，可以采用ICP刻蚀方法在介质层104上开孔。刻蚀深度可以为10nm-5um。在介质层104上形成开孔后，在开孔位置形成连接层105。连接层105可以为金属层，例如为Cu。在形成连接层105时，可以采用电镀设备进行沉积。连接层105的厚度范围可以为10nm-5um。在形成连接层105之后，还可以通过机械研磨将连接层105平坦化。示例性的，可以采用化学机械研磨工艺进行磨平。
S407、将外延层和基板键合，并在外延层远离基板的一侧形成欧姆接触层。
其中，图11为本发明实施例提供的一种步骤S407对应的显示芯片的结构示意图。如图11所示，通过对准键合的方法将步骤S406之前形成的外延层结构键合至基板110上。然后剥离衬底101，示例性的，可以采用化学剥离方法或者激光剥离方法。然后在外延层上形成欧姆接触层130。在形成欧姆接触层130时，可以电子束蒸发设备的蒸镀工艺沉积形成。
继续参考图11，在形成欧姆接触层130之前，还可以形成钝化层150，并对钝化层150进行图案化，使得图案化的钝化层150至少部分暴露发光单元120。
S408、在欧姆接触层上形成光串扰阻挡层。
其中，在形成光串扰阻挡层140时，可以采用蒸镀工艺进行沉积形成。示例性的，可以采用电子束蒸发设备的蒸镀工艺。光串扰阻挡层140的厚度范围可以为50-500nm。
S409、在光串扰阻挡层之间填充光转换结构。
其中，光转换结构160可以采用先采用旋涂或者喷涂工艺形成光转化层，然后通过热回流工艺形成透镜形状的光转换结构160。光转换结构160的厚度范围可以为50nm-5um。
本发明实施例还提供了一种具有上述显示芯片的显示装置。该显示装置可以是掌上计算机、包含嵌入式计算机的计算机监视器、不包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、移动电话、媒体播放器或其他手持式或便携式电子设备、腕表设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户的头部上的其他设备，或其他可穿戴式或微型设备、显示器、包含嵌入式计算机的计算机显示器、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、音频设备、视频设备等其他显示装置。显示装置可具有一副眼镜的形状，可形成具有头盔形状的外壳，或者可具有用于帮助将一个或多个显示器的部件安装和固定在用户的头部上或眼睛附近的其他构型。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种显示芯片，其特征在于，包括基板、发光单元、欧姆接触层和光串扰阻挡层；
所述发光单元设置于所述基板上，所述发光单元包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层设置于所述发光层远离所述基板的一侧，所述欧姆接触层设置于所述第二半导体层远离所述基板的一侧，所述光串扰阻挡层设置于所述欧姆接触层远离所述基板的一侧，所述光串扰阻挡层在所述基板上的正投影位于相邻所述发光单元在所述基板上的正投影之间；所述光串扰阻挡层通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，所述光串扰阻挡层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置于所述第二表面远离所述欧姆接触层的一侧，所述第一表面在所述基板上的正投影位于所述第二表面在所述基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，所述光串扰阻挡层的材料包括金属。
4.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，所述光串扰阻挡层至少部分围绕所述发光单元设置。
5.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；或者，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。
6.根据权利要求1所述的显示芯片，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层设置于所述欧姆接触层和所述第二半导体层之间，所述钝化层在所述基板上的正投影至少部分位于相邻所述发光单元在所述基板上的正投影之间。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示芯片，其特征在于，还包括光转换结构，所述光转换结构设置于所述欧姆接触层远离所述基板的一侧，所述光转换结构在所述基板上的正投影至少覆盖所述发光单元在所述基板上的正投影。
8.根据权利要求7所述的显示芯片，其特征在于，所述光转换结构包括第一光转换结构和第二光转换结构，所述第一光转换结构和所述第二光转换结构出射的光线波长不同。
9.根据权利要求7所述的显示芯片，其特征在于，所述光转换结构的形状包括透镜形状。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202410027892.8A CN117855362A (zh) | 2024-01-08 | 2024-01-08 | 显示芯片和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN117855362A true CN117855362A (zh) | 2024-04-09 |
Family
ID=90541409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202410027892.8A Pending CN117855362A (zh) | 2024-01-08 | 2024-01-08 | 显示芯片和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN117855362A (zh) |
-
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