CN117855238A - 多光谱图像传感器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种多光谱图像传感器及其制备方法。其中，所述多光谱图像传感器的制备方法包括：提供一芯片和一透明基板；在所述芯片的顶表面以及所述透明基板的至少一个表面上分别形成至少一种滤波膜；将所述透明基板封装于所述芯片上，以使至少部分入射光线经过所述透明基板上的所述滤波膜和/或所述芯片上的所述滤波膜，并形成多种光学通道。可见，本发明提供的所述方法是在芯片和透明基板上形成各种滤波膜，并利用芯片和透明基板在空间上的叠置关系，实现各个滤波膜的立体化重叠，从而形成多种光学通道，实现了光谱带通范围的多样化和精细化，并能够在有限的空间范围内满足更多更复杂的应用功能需求，有效提高了器件的光谱分辨率。

Description

多光谱图像传感器及其制备方法

技术领域

本发明涉及传感器制造技术领域，特别涉及一种多光谱图像传感器及其制备方法。

背景技术

多光谱成像技术是多光谱技术和成像技术的结合，其是将目标发射或反射的光线分为多个波段，并在同一时刻接收不同的光学频谱波段，以得到同一目标的不同光谱带图像。相较于传统的单光谱成像技术，多光谱成像技术能够在多个光谱波段上获取更丰富更精准的信息，从而能够更好地识别和分类目标。

目前，基于多光谱成像技术的传感器是利用不同种滤光片来将入射的全波段或宽波段的光线分成若干个窄波段的光信号。如图1和图2所示，现有的多光谱图像传感器是将多种滤光片101形成于芯片100的表面，则当入射光线经过微透镜阵列102聚焦后，会分别入射至不同种的所述滤光片101，并经各个所述滤光片101选通不同的光学频谱波段后，再进入所述芯片100。其中，多种所述滤光片101一般是呈阵列式铺设于所述芯片100的顶表面，则各个滤光片101的带通范围直接影响频谱波段分辨率。或者，在其他的多光谱图像传感器中会把各个所述滤光片101形成于一玻璃基板（未图示）上，以起到划分光谱波段的效果。然而，随着多光谱图像传感器的功能多样化以及应用场景的复杂化，频谱波段的种类数量在不断增加，且各个频谱波段的波段范围也越发精细化。对此，现有技术只能在芯片100或玻璃基板的表面铺满滤光片101，并通过增加滤光片101种类的方式，改善多光谱图像传感器的光谱分辨率。但芯片100和玻璃基板的空间范围是有限的，所能形成的滤光片101的种类也是有限的。且基于芯片100的工艺及结构特性，部分种类的滤光片101在芯片100上的加工难度较大；以及，在玻璃基板上进行单通道镀膜的工艺精度较低，不仅会影响多光谱图像传感器的光谱分辨率，还会影响多光谱图像传感器的性能及稳定性。

因此，亟需一种新的多光谱图像传感器的制备方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多光谱图像传感器及其制备方法，以解决如何提高多光谱图像传感器的光谱分辨率的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种多光谱图像传感器的制备方法，包括：

提供一芯片和一透明基板；

在所述芯片的顶表面以及所述透明基板的至少一个表面上分别形成至少一种滤波膜；

将所述透明基板封装于所述芯片上，以使至少部分入射光线经过所述透明基板上的所述滤波膜和/或所述芯片上的所述滤波膜，并形成多种光学通道。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，沿光线入射方向上，所述透明基板上的至少部分所述滤波膜和所述芯片上的至少部分所述滤波膜相互重叠。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，沿光线入射方向上，所述透明基板上的所述滤波膜和所述芯片上的所述滤波膜的正投影相间隔。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，所述透明基板和所述芯片上的至少部分所述滤波膜的带通范围不同。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，所述透明基板具有相对的上表面和下表面，且所述透明基板的上表面和/或下表面上形成有至少一种所述滤波膜。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，在将所述透明基板封装于所述芯片上之前，所述多光谱图像传感器的制备方法还包括：

提供一微透镜阵列；

在所述微透镜阵列的至少一个表面上形成若干种滤波膜。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，在将所述透明基板封装于所述芯片上的过程中，将所述微透镜阵列和所述透明基板依次层叠封装于所述芯片上。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，同一光线依次经过的各个所述滤波膜的带通范围相交或重叠。

可选的，在所述的多光谱图像传感器的制备方法中，所述芯片和/或所述透明基板的表面还形成有功能膜，且所述功能膜包括增透膜、抗反射膜、偏振膜以及保护膜中的至少一种。

基于同一发明构思，本发明还提供一种多光谱图像传感器，包括：

一芯片和一透明基板，且所述芯片的顶表面以及所述透明基板的至少一个表面上分别形成有至少一种滤波膜；

其中，所述透明基板封装于所述芯片上，以使至少部分入射光线经过所述透明基板上的所述滤波膜和/或所述芯片上的所述滤波膜，并形成多种光学通道。

综上所述，本发明提供一种多光谱图像传感器及其制备方法。相较于现有技术，所述多光谱图像传感器的制备方法是在所述芯片和所述透明基板上分别形成各种滤波膜，并利用所述芯片和所述透明基板在空间上的叠置关系，实现各个所述滤波膜的立体化重叠，从而形成多种光学通道，实现了光谱带通范围的多样化和精细化，并能够在有限的空间范围内满足更多更复杂的应用功能需求，有效提高了器件的光谱分辨率。

附图说明

本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。

图1是现有技术中滤光片形成于芯片上的截面图。

图2是现有技术中滤光片铺满芯片或玻璃基板上的俯视图。

图3是本发明实施例中多光谱图像传感器制备方法的流程图。

图4是本发明实施例中形成于芯片上的各种滤波膜的俯视图。

图5是本发明实施例中图4中A-A’的截面图。

图6是本发明实施例中形成于透明基板上的滤波膜的俯视图。

图7是本发明实施例中图6中B-B’的第一种截面图。

图8是本发明实施例中图6中B-B’的第二种截面图。

图9是本发明实施例中图6中B-B’的第三种截面图。

图10是本发明实施例中将透明基板封装于芯片上的结构示意图。

图11是本发明实施例中图10封装后的各个滤波膜的俯视图。

图12是本发明实施例中透明基板和芯片上滤波膜在垂向上不交叠的示意图。

图13是本发明实施例中图12封装后的各个滤波膜的俯视图。

图14是本发明实施例中在微透镜阵列的上表面形成滤波膜的截面图。

图15是本发明实施例中在微透镜阵列的下表面形成滤波膜的截面图。

以及，附图中：

100-芯片；101-滤光片；102-微透镜阵列；

200-芯片；201-透明基板；202-滤波膜；203-微透镜阵列；

R-第一滤波膜；G-第二滤波膜；B-第三滤波膜；NIR-第四滤波膜；IRCUT-第五滤波膜；L-光线。

具体实施方式

为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。以及，本申请说明书及附图中所指X轴方向、Y轴方向和Z轴方向为三维空间中相互垂直的三个方向，且垂向指Z轴方向，水平向指X-Y所在平面的方向。

请参阅图4，本实施例提供一种多光谱图像传感器的制备方法，包括：

步骤一S10：提供一芯片和一透明基板；

步骤二S20：在所述芯片的顶表面以及所述透明基板的至少一个表面上分别形成至少一种滤波膜；

步骤三S30：将所述透明基板封装于所述芯片上，以使至少部分入射光线经过所述透明基板上的所述滤波膜和/或所述芯片上的所述滤波膜，并形成多种光学通道。

可以理解的是，本实施例提供的所述多光谱图像传感器的制备方法是在所述芯片和所述透明基板上分别形成各种滤波膜，并利用所述芯片和所述透明基板在空间上的叠置关系，实现各个所述滤波膜的立体化重叠，从而形成多种光学通道，实现了光谱带通范围的多样化和精细化，并能够在有限的空间范围内满足更多更复杂的应用功能需求，有效提高了器件的光谱分辨率。

以下结合附图3至图15，具体说明本实施例提供的所述多光谱图像传感器的制备方法。

具体的，所述多光谱图像传感器的制备方法，包括：

步骤一S10：请参阅图4和图6，提供一芯片200和一透明基板201。

本实施例不限定所述芯片200和透明基板201的具体尺寸、种类和型号等。优选的，所述芯片200为感光芯片。例如为：互补金属氧化物半导体 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)传感器芯片，或是电荷耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)芯片等。其中，所述芯片200上不仅形成有像素阵列，还形成有与所述像素阵列相接的读出电路、信号处理电路等外围电路。且本实施例不限定所述芯片200的布局方式是前照式、背照式或堆栈式等。以及，优选的，所述透明基板201的材质包括玻璃或PET等。

步骤二S20：请参阅图4至图8，在所述芯片200的顶表面以及所述透明基板201的至少一个表面上分别形成至少一种滤波膜202。

由上述可知，所述芯片200作为感光芯片用于接收目标发出或反射的光线，并经光电转换形成电信号，以表征目标的相关信息。且在多光谱成像技术中，需要在多个不同的光谱波段上实现成像，以获取更为丰富的目标信息。因此，本实施例提供的所述多光谱图像传感器采用滤波膜202以选通特定的所述光谱波段至所述芯片200内。然而，基于所述芯片200的小型化发展趋势，所述芯片200表面的空间尺寸有限，则仅在所述芯片200表面镀不同种类的所述滤波膜202仍无法满足传感器多样化的功能需求。并且，所述芯片200上还有形成有像素阵列和外围电路等电子元件，则在所述芯片200上镀膜还需考虑到工艺上对芯片200的各电子元件的影响，工艺复杂度较高。因此，本实施例提供的所述多光谱图像传感器不仅在芯片200上镀所述滤波膜202还提供一透明基板201，并在所述透明基板201的上表面和/或下表面镀所述滤波膜202，以复合形成多种光学通道，实现对入射光线的波段的多种类划分，能够满足多光谱图像传感器复杂的应用需求。此外，相较于仅在芯片200或所述透明基板201上形成滤波膜202，本实施例提供的所述方法缓解了仅在芯片200上设置滤波膜202的工艺难度，以及，避免了仅在在透明基板201上形成滤波膜202工艺精度低的问题，兼容了在芯片200和在透明基板201形成滤波膜202的优势。

具体的，在所述芯片200的顶表面以及所述透明基板201的至少一个表面上分别形成至少一种滤波膜202。可选的，在所述芯片200的顶表面以及所述透明基板201的至少一个表面上形成一种、两种或三种及以上所述滤波膜202，且每种类的所述滤波膜202可以是一块、两块或是三块及以上。需要说明的是，本实施例对于所述滤波膜202的数量、种类、形状及尺寸等不做具体限定。以及，本实施例中不同种类的所述滤波膜202是指各个所述滤波膜202的带通范围不同。

示例性的，如图4和图5所示，在所述芯片200的表面形成四种所述滤波膜202，分别为：第一滤波膜R、第二滤波膜G、第三滤波膜B和第四滤波膜NIR。其中，所述第一滤波膜R用于通过红光（波长范围约为：625 nm ~740nm），所述第二滤波膜G用于通过绿光（波长范围约为：492nm ~577nm），所述第三滤波膜B用于通过蓝光（波长范围约为：440nm ~475nm），所述第四滤波膜NIR用于通过近红外光（波长范围约为：780nm ~2526nm）。且所述第一滤波膜R和第三滤波膜B的数量均为1，第二滤波膜G和第四滤波膜NIR的数量均为2。优选的，采用马赛克镀膜方式将各个所述滤波膜202铺设于所述芯片200的顶表面。以及，如图6至图9所示，所述透明基板201具有相对的上表面和下表面，且在所述透明基板201的上表面和/或下表面上形成有至少一种所述滤波膜202。示例性的，如图7所示，所述透明基板201的下表面上形成有一种所述滤波膜202；或如图8所示，所述透明基板201的上表面上形成有一种所述滤波膜202；亦或者如图9所示，所述透明基板201的上表面和下表面上分别形成有一种所述滤波膜202。其中，本实施例不限定所述透明基板201上形成的所述滤波膜202的种类和数量等。例如，所述透明基板201的上表面形成第五滤波膜IRCUT用于滤除红外光；即，选通红外光之外的所有光波。

进一步的，各个所述滤波膜202可以全部铺设满对应的所述芯片200或所述透明基板201，也可以仅铺设部分所述芯片200或所述透明基板201，则其中未设置有的所述滤波膜202的所述芯片200及所述透明基板201可以通过全部的光线，以作为全通光学通道（WildBand）。

步骤三S30：请参阅图4至图13，将所述透明基板201封装于所述芯片200上，以使至少部分入射光线L经过所述透明基板201上的所述滤波膜202和/或所述芯片200上的所述滤波膜202，并成多种光学通道。

具体的，先将形成有所述滤波膜202的所述透明基板201置于所述芯片200的上方，再与所述芯片200的位置对准。最后，采用封装设备利用封装胶将所述透明基板201固定设置于所述芯片200上。

基于此，所述透明基板201层叠于所述芯片200的表面。在一个实施例中，位于所述透明基板201上表面和/或下表面的所述滤波膜202与所述芯片200上的所述滤波膜202在垂直于所述芯片200表面的方向上存在交叠。换言之，沿光线L入射方向上，所述透明基板201上部分或全部的所述滤波膜202与所述芯片200上的部分或全部所述滤波膜202相互重叠。其中，本实施例所指光线L入射方向即为沿垂直于所述芯片200的方向。示例性的，如图10和图11所示，位于中心区域的光线L依次经过所述透明基板201上的所述第五滤波膜IRCUT和所述芯片200上的所述第一滤波膜R、所述第二滤波膜G以及所述第三滤波膜B。其中，当所述光线L经过所述第五滤波膜IRCUT后红外光被滤除，滤除红外光的所述光线L经过第一滤波膜R，则仅通过红光，以形成第一光学通道；滤除红外光的所述光线L经过第二滤波膜G，则仅通过绿光，以形成第二光学通道；滤除红外光的所述光线L经过第三滤波膜B，则仅通过蓝光，以形成第三光学通道；以及，对于所述芯片200上未设置滤波膜202且被所述第五滤波膜IRCUT相对覆盖的区域，滤除红外光的所述光线L直接进入所述芯片200，以形成滤除红外光的第四光学通道。此外，对于透过所述透明基板201且未经所述透明基板201上的滤波膜202的所述光线L，部分光线L直接入射至所述芯片200，以形成全通光学通道；部分光线L经所述芯片200上的第四滤波膜NIR，则仅通过近红外光，以形成第五光学通道。因此，在所述透明基板201上的滤波膜202和所述芯片200上的滤波膜202的相互层叠作用下，可以形成六种光学通道，相较于直接在所述芯片200或所述透明基板201上形成六种光学通道，本实施例提供的所述方法的制备空间更大，工艺难度低，且利于拓展更多种类的光学通道。

在另一个实施例中，沿光线L入射方向上，所述芯片200上的所述滤波膜202和所述透明基板201上的所述滤波膜202的正投影相间隔。换言之，所述芯片200上的所述滤波膜202和所述透明基板201上的所述滤波膜202在光线L入射方向上是相互错开的，则所述光线L要么经过所述芯片200上的所述滤波膜202，要么经过所述透明基板201上的所述滤波膜202，或是所述光线L既不经过所述芯片200上的所述滤波膜202，也不经过所述透明基板201上的所述滤波膜202。示例性的，如图12和图13所示，所述透明基板201上的中心区域形成有第五滤波膜IRCUT，所述芯片200的顶表面上间隔设置有第二滤波膜G和第三滤波膜B。当光线L以垂直于所述芯片200的方向入射时，经过所述第五滤波膜IRCUT的所述光线L被滤除红外光，则滤除红外光的所述光线L直接入射至所述芯片200，以形成一种光学通道。而未经过所述第五滤波膜IRCUT的所述光线L直接透过所述透明基板201，且部分光线L经过所述芯片200上的第二滤波膜G，仅通过绿光，则形成另一种光学通道；部分光线L经过所述芯片200上的第三滤波膜B，仅通过蓝光，则又形成一种光学通道；以及，剩余部分光线L直接入射至所述芯片200，以形成全通光学通道。需要说明的是，本实施例并不限定所述芯片200和所述透明基板201上的各个所述滤波膜202的垂向或水平向的具体分布方式，可根据所需的光谱带通范围及种类等因素设定。

进一步的，所述透明基板201和所述芯片200上的至少部分所述滤波膜202的带通范围不同。换言之，所述透明基板201上的滤波膜202与所芯片200上的滤波膜202的种类不同，或是部分相同部分不同。示例性的，所述透明基板201的上表面形成有第一种滤波膜和第二种滤波膜，所述透明基板201的下表面形成有第二种滤波膜和第三种滤波膜，而所述芯片200上形成有第四种滤波膜和第五种滤波膜，或所述芯片200上形成有第三种滤波膜、第四种滤波膜和第五种滤波膜。以及，当所述透明基板201和所述芯片200上的各个所述滤波膜202在垂直于所述芯片200的方向上存在交叠，则同一光线L依次经过的各个所述滤波膜202的带通范围相交或重叠。示例性的，同一光线L依次经过所述透明基板201上的第一种滤波膜和所述芯片200上的第二种滤波膜，且所述第一种滤波膜选通波长为400nm~740nm的可见光，所述第二种滤波膜选通波长为577 nm~597nm的黄光，所述第二种滤波膜的带通范围与所述第一种滤波膜的带通范围相重叠，则光线L会先经所述第一种滤波膜滤除可见光之外的光波，再经所述第二种滤波膜滤除黄光之外的光波，以使黄光作为二次滤波后的光波入射至所述芯片200。或者，所述第二种滤波膜选通波长为700 nm ~800nm的光波，所述第二种滤波膜的带通范围与所述第一种滤波膜的带通范围相交叉，则光线L依次经所述第一种滤波膜和所述第二种滤波膜滤波后，入射至所述芯片200内的光波的波长范围为：700nm~740nm，从而获得了窄带光谱成像，提高光谱分辨率。

综上可知，鉴于所述透明基板201和所述芯片200上的各个所述滤波膜202的不同分布情况，同一光线L可依次经过所述透明基板201上表面和/或下表面的滤波膜202以及所述芯片200上的一种滤波膜；或者，同一光线L可经过所述透明基板201上表面和/或下表面的滤波膜202后，直接入射至所述芯片200；又或者，同一光线L透过所述透明基板201，并经过所述芯片200上的一种滤波膜；亦或者，同一光线L透过所述透明基板201，并直接入射至所述芯片200。由此可见，本实施例提供的所述多光谱图像传感器的制备方法是在所述芯片200和所述透明基板201上分别形成各种所述滤波膜202，并利用所述芯片200与所述透明基板201之间的叠置空间关系，以使得各种所述滤波膜202也能够在垂向空间上实现交叠，并对入射的光线L进行一次或多次复合的滤波，从而形成多种光学通道。相较于直接在所述芯片200或所述透明基板201平铺滤波膜202的方法，本实施例提供的所述方法在有限的空间中采用立体化方式设置多种滤波膜202，提高了光学通道的多样性和光谱分辨率，满足越来越复杂的应用功能。且相较于在芯片200上形成滤波膜202，在透明基板201上形成滤波膜202的工艺难度更低；以及，同时在芯片200和所述透明基板201上形成滤波膜202相较于仅在所述透明基板201上形成滤波膜202的工艺精度更高。

为进一步提高多光谱图像传感器的光谱分辨率，请参阅图14和图15，在将所述透明基板201封装于所述芯片200上之前，所述多光谱图像传感器的制备方法还包括：提供一微透镜阵列203，并在所述微透镜阵列203的至少一个表面上形成若干种滤波膜202。其中，所述微透镜阵列203为一种光学镜组，与所述芯片200上的像素区域相对设置，主要用于提高光利用率、消除摩尔纹、控制光线方向、校正像差以及提高像素密度等。因而，为充分利用多光谱图像传感器的空间结构，优选的，在所述微透镜阵列203的上表面和/或下表面也可以设置一种或多种所述滤波膜202，以进一步拓展光谱种类，提高光谱分辨率。基于此，在将所述透明基板201封装于所述芯片200上的过程中，将所述微透镜阵列203和所述透明基板201依次层叠封装于所述芯片200上，则光线L可依次经过所述透明基板201和所述微透镜阵列203后，再入射至所述芯片200。

需要说明的是，本实施例同样不限定所述微透镜阵列203上的各个所述滤波膜202的数量、种类、形状、分布及尺寸等参数。但当所述微透镜阵列203、所述透明基板201和所述芯片200上的各个所述滤波膜202在垂直于所述芯片200的方向上存在交叠时，同一光线L依次经过的各个所述滤波膜202的带通范围相交或重叠，以形成所需的光谱带通，并避免所有光线L均被各个所述滤波膜202过滤。示例性的，同一光线L依次经所述透明基板201下表面的IRCUT滤波膜、所述微透镜阵列203上的选通波长为400nm~700nm的可见光的滤波膜、所述芯片200上的选通波长为625 nm ~740nm的红光的滤波膜，则经过三层滤波后，波长为625nm ~700nm的窄带宽红光入射至所述芯片200。

进一步的，所述芯片200和/或所述透明基板201的表面还可以形成多种功能膜，以优化所述多光谱图像传感器的性能。其中，所述功能膜包括但不限于为：增透膜、抗反射膜、偏振膜以及保护膜等。

基于同一发明构思，本实施例还一种多光谱图像传感器。其中，所述多光谱图像传感器是采用上述多光谱图像传感器的制备方法制备而成。请参阅图14和图15，所述多光谱图像传感器包括：由下至上依次封装设置的芯片200、微透镜阵列203和透明基板201；其中，所述芯片200的顶表面、所述微透镜阵列203的上表面和/或下表面，以及所述透明基板201的上表面和/或下表面分别形成有至少一种滤波膜202，以使入射光线L经过所述透明基板201、所述微透镜阵列203和/或所述芯片200上的所述滤波膜202，并形成多种光学通道。此外，对于多光谱图像传感器中涉及的其他器件结构，本实施例在此不做赘述。

综上所述，本实施例提供的所述多光谱图像传感器及其制备方法是在所述芯片200和所述透明基板201上分别形成各种滤波膜202，并利用所述芯片200和所述透明基板201空间上的叠置，实现各个所述滤波膜202的立体重叠，进而形成多种光学通道，提高器件的光谱分辨率，以在有限的空间范围内满足更多更复杂的应用功能需求。此外，本实施例提供的所述方法还在所述微透镜阵列203的上表面和/或下表面设置各种所述滤波膜202，以进一步提高光谱带通范围的多样性和光谱分辨率，增强器件性能。

此外还应该认识到，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

Claims (10)

1.一种多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一芯片和一透明基板；

在所述芯片的顶表面以及所述透明基板的至少一个表面上分别形成至少一种滤波膜；

将所述透明基板封装于所述芯片上，以使至少部分入射光线经过所述透明基板上的所述滤波膜和/或所述芯片上的所述滤波膜，并形成多种光学通道。

2.根据权利要求1所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，沿光线入射方向上，所述透明基板上的至少部分所述滤波膜和所述芯片上的至少部分所述滤波膜相互重叠。

3.根据权利要求1所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，沿光线入射方向上，所述透明基板上的所述滤波膜和所述芯片上的所述滤波膜的正投影相间隔。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，所述透明基板和所述芯片上的至少部分所述滤波膜的带通范围不同。

5.根据权利要求1所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，所述透明基板具有相对的上表面和下表面，且所述透明基板的上表面和/或下表面上形成有至少一种所述滤波膜。

6.根据权利要求1所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，在将所述透明基板封装于所述芯片上之前，所述多光谱图像传感器的制备方法还包括：

提供一微透镜阵列；

在所述微透镜阵列的至少一个表面上形成若干种滤波膜。

7.根据权利要求6所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，在将所述透明基板封装于所述芯片上的过程中，将所述微透镜阵列和所述透明基板依次层叠封装于所述芯片上。

8.根据权利要求1或7所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，同一光线依次经过的各个所述滤波膜的带通范围相交或重叠。

9.根据权利要求1所述的多光谱图像传感器的制备方法，其特征在于，所述芯片和/或所述透明基板的表面还形成有功能膜，且所述功能膜包括增透膜、抗反射膜、偏振膜以及保护膜中的至少一种。

10.一种多光谱图像传感器，其特征在于，采用如权利要求1~9中任意一项所述多光谱图像传感器的制备方法制备而成，所述多光谱图像传感器包括：

一芯片和一透明基板，且所述芯片的顶表面以及所述透明基板的至少一个表面上分别形成有至少一种滤波膜；

其中，所述透明基板封装于所述芯片上，以使至少部分入射光线经过所述透明基板上的所述滤波膜和/或所述芯片上的所述滤波膜，并形成多种光学通道。