CN117833857A - 滤波器封装结构及其制作方法 - Google Patents

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CN117833857A CN202410192111.0A CN202410192111A CN117833857A CN 117833857 A CN117833857 A CN 117833857A CN 202410192111 A CN202410192111 A CN 202410192111A CN 117833857 A CN117833857 A CN 117833857A
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田更新
朱勇
陈明
武颖杰
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Abstract

本发明提供一种滤波器封装结构及其制作方法。所述滤波器封装结构包括:中间塑封结构,包括滤波器芯片以及塑封体,滤波器芯片的正面具有声学区域,塑封体包覆滤波器芯片的侧壁且露出滤波器芯片的正面;支撑层,位于滤波器芯片的正面一侧且形成在塑封体上,具有与滤波器芯片正面的声学区域位置对应的第一开口;保护层,形成在支撑层上且覆盖第一开口形成声学区域工作需要的空腔;再布线层,形成在保护层上,且再布线层与滤波器芯片的正面电连接。如此,可以解决形成塑封体时塑封料破坏空腔导致滤波器性能恶化的问题,且有利于缩小滤波器封装结构的体积。本发明的滤波器封装结构的制作方法用于制作上述滤波器封装结构。

Description

滤波器封装结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及封装技术领域,特别涉及一种滤波器封装结构及其制作方法。
背景技术
声学滤波器芯片及其模组的封装中,需要在滤波器的声学区域制作空腔结构,用来保护声学区域,从而使滤波器能够正常工作。
图1为一种滤波器封装结构的剖面示意图。图2为另一种滤波器封装结构的剖面示意图。在现有技术中,滤波器通常有两种封装方法:如图1所示,一种是将滤波器芯片11贴装在基板12上之后,在滤波器芯片11和基板12表面贴覆薄膜13以形成空腔14,之后在基板12上填充塑封料形成塑封滤波器芯片11的塑封体17;如图2所示,另一种是在滤波器芯片11功能面制作支撑层15和保护层16的方式形成空腔14,再通过晶圆级封装将滤波器芯片11贴装在基板12上,之后在基板12上填充塑封料形成塑封滤波器芯片11的塑封体17。
第一种滤波器封装结构在塑封过程中,熔融态的塑封料容易冲破覆在滤波器芯片11表面的薄膜13进入空腔14中,一旦塑封料附着在滤波器芯片11的声学区域,滤波器性能就会严重恶化;第二种滤波器封装结构在塑封过程中,塑封料会挤压支撑层15和保护层16,导致空腔14变形,甚至坍塌,进而附着在滤波器芯片11的声学区域,使滤波器性能恶化。
发明内容
本发明提供一种滤波器封装结构及其制作方法,可以解决形成塑封体时塑封料破坏空腔导致滤波器性能恶化的问题,提高滤波器封装结构的可靠性和生产良率。
为了实现上述目的,本发明提供的滤波器封装结构包括:中间塑封结构,所述中间塑封结构包括滤波器芯片以及塑封体,所述滤波器芯片的正面具有声学区域,所述塑封体包覆所述滤波器芯片的侧壁且露出所述滤波器芯片的正面;支撑层,所述支撑层位于所述滤波器芯片的正面一侧且形成在所述塑封体上,所述支撑层具有与所述滤波器芯片正面的所述声学区域位置对应的第一开口;保护层,所述保护层形成在所述支撑层上且覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔;以及再布线层,所述再布线层形成在所述保护层上,且所述再布线层与所述滤波器芯片的正面电连接。
可选的,所述塑封体的第一表面与所述滤波器芯片的正面同侧,在所述滤波器芯片的正面一侧,所述滤波器芯片的芯片本体正面与所述塑封体的第一表面齐平。
可选的,所述支撑层附着在所述滤波器芯片的正面以及所述塑封体的第一表面上。
可选的,所述滤波器芯片的正面具有位于所述声学区域侧边的芯片焊盘;所述再布线层与所述芯片焊盘电连接。
可选的,所述中间塑封结构还包括非滤波器的功能器件,所述塑封体至少包裹所述功能器件的侧壁且露出所述功能器件的管脚,所述再布线层与所述功能器件的管脚电连接。
可选的,所述中间塑封结构中,所述滤波器芯片的数量为两个及以上。
可选的,所述滤波器封装结构还包括屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述塑封体远离所述再布线层的表面、所述塑封体的侧壁、所述支撑层的侧壁、所述保护层的侧壁和所述再布线层的侧壁。
本发明还提供一种滤波器封装结构的制作方法。所述滤波器封装结构的制作方法包括:提供中间塑封结构,所述中间塑封结构包括滤波器芯片以及塑封体,所述滤波器芯片的正面具有声学区域,所述塑封体包覆所述滤波器芯片的侧壁且露出所述滤波器芯片的正面;在所述滤波器芯片的正面一侧形成支撑层,所述支撑层位于所述塑封体上,且所述支撑层具有与所述滤波器芯片正面的所述声学区域位置对应的第一开口;在所述支撑层上形成保护层,所述保护层覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔;以及在所述保护层上制作再布线层,所述再布线层与所述滤波器芯片的正面电连接。
可选的,所述提供中间塑封结构的方法包括:提供载板,所述载板的顶面形成有键合膜;将所述滤波器芯片正面朝下的贴装在所述载板的顶面上;在所述载板的顶面填充塑封料形成塑封体,所述塑封体至少包覆所述滤波器芯片的侧壁;去除所述载板和所述键合膜,露出所述滤波器芯片的正面。
可选的,在将所述滤波器芯片正面朝下的贴装在所述载板的顶面上的步骤中,同时将非滤波器的功能器件贴装在所述载板上。
可选的,所述滤波器芯片的正面具有位于所述声学区域侧边的芯片焊盘;去除所述载板和所述键合膜后,所述芯片焊盘露出;其中,所述再布线层与所述芯片焊盘电连接。
可选的,在所述滤波器芯片的正面一侧形成支撑层包括:在所述支撑层中同时形成所述第一开口和第二开口,所述第二开口露出所述芯片焊盘。
可选的,在所述保护层上制作再布线层的方法包括:在所述保护层中形成导通孔,所述导通孔与所述第二开口位置对应且露出所述滤波器芯片的芯片焊盘;在所述保护层上形成内部线路层,所述内部线路层至少覆盖所述导通孔和所述第二开口的内表面且与所述芯片焊盘电连接;在所述内部线路层上形成导电柱;在所述保护层上形成介质层,所述介质层覆盖所述保护层的部分表面、所述内部线路层的远离所述保护层的部分表面、所述内部线路层的侧壁以及所述导电柱的侧壁;在所述介质层上形成外焊盘,所述外焊盘与所述导电柱电连接。
可选的,在所述保护层上制作再布线层之后,在所述塑封体的表面形成屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述塑封体远离所述再布线层的表面、所述塑封体的侧壁、所述支撑层的侧壁、所述保护层的侧壁和所述再布线层的侧壁。
本发明提供的滤波器封装结构及其制作方法中,首先对滤波器芯片进行塑封形成包括滤波器芯片以及塑封体的中间塑封结构,中间塑封结构中塑封体包覆滤波器芯片的侧壁且露出滤波器芯片的正面,然后在滤波器芯片的正面一侧制作支撑层和保护层形成滤波器芯片正面的声学区域工作需要的空腔,如此在塑封之后制作空腔,可以解决形成塑封体时塑封料破坏空腔导致滤波器性能恶化的问题,有利于提高滤波器封装结构的可靠性和生产良率;与现有技术中滤波器芯片通过植焊球并通过焊球与基板电连接的技术方案相比,本申请直接在保护层上制作再布线层,且再布线层直接与滤波器芯片电连接,省略了滤波器芯片植球工艺以及基板制作,简化了封装供应链,节省了生产成本,还避免了焊球形成的焊点由于应力集中而焊点开裂的问题;此外,滤波器的输入、输出以及接地管脚一般需要连接匹配电感,用于改善性能,本申请中滤波器芯片正面直接与再布线层电连接,再布线层的线宽线距、加工精度优于传统封装基板,一方面可以提升布线中绕线电感的电学性能,另一方面可以缩小封装水平方向尺寸,且再布线层的厚度小于传统基板,有利于缩小滤波器封装结构的体积。
附图说明
图1为一种滤波器封装结构的剖面示意图。
图2为另一种滤波器封装结构的剖面示意图。
图3为本发明一实施例提供的滤波器封装结构的制作方法的流程示意图。
图4至图8为本发明一实施例提供的滤波器封装结构的制作过程剖面示意图。
图9为本发明一实施例提供的滤波器封装结构的剖面示意图。
图10为本发明另一实施例提供的滤波器封装结构的剖面示意图。
图11为本发明一实施例提供的包括两个滤波器芯片的滤波器封装结构的剖面示意图。
图12为本发明一实施例提供的包括有源芯片以及表贴器件的滤波器封装结构的剖面示意图。
附图标记说明:11-滤波器芯片;12-基板;13-薄膜;14-空腔;15-支撑层;16-保护层;17-塑封体;
201-载板;202-键合膜;203-滤波器芯片;203a-芯片本体;203b-叉指换能器;203c-芯片焊盘;204-塑封体;205-支撑层;205a-第一开口;205b-第二开口;206-保护层;207-空腔;208-再布线层;208a-内部线路层;208b-导电柱;208c-介质层;208d-外焊盘;209-屏蔽层;210-功能器件。
具体实施方式
为了解决形成塑封体时塑封料破坏空腔导致滤波器性能恶化的问题,提高滤波器封装结构的可靠性和生产良率,本申请提供一种滤波器封装结构及其制作方法。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的滤波器封装结构及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本申请中,除非另行指出,“上/上层”和/或“下/下层”等类似词语只是为了便于说明,而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者结构涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者结构及其等同,并不排除其他元件或者结构。在本申请中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
图3为本发明一实施例提供的滤波器封装结构的制作方法的流程示意图。如图3所示,本申请一实施例提供的滤波器封装结构的制作方法包括:
步骤S1,提供中间塑封结构,所述中间塑封结构包括滤波器芯片以及塑封体,所述滤波器芯片的正面具有声学区域,所述塑封体包覆所述滤波器芯片的侧壁且露出所述滤波器芯片的正面;
步骤S2,在所述滤波器芯片的正面一侧形成支撑层,所述支撑层位于所述塑封体上,且所述支撑层具有与所述滤波器芯片正面的所述声学区域位置对应的第一开口;
步骤S3,在所述支撑层上形成保护层,所述保护层覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔;以及
步骤S4,在所述保护层上制作再布线层,所述再布线层与所述滤波器芯片的正面电连接。
图4至图8为本发明一实施例提供的滤波器封装结构的制作过程剖面示意图。图9为本发明一实施例提供的滤波器封装结构的剖面示意图。以下结合图3、图4至图9对本实施例的滤波器封装结构的制作方法进行说明。
如图4至图6所示,执行步骤S1,提供中间塑封结构,所述中间塑封结构包括滤波器芯片203以及塑封体204,所述滤波器芯片203的正面具有声学区域,所述塑封体204包覆所述滤波器芯片203的侧壁且露出所述滤波器芯片203的正面。
示例性的,参考图6所示,滤波器芯片203可以包括芯片本体203a、声学区域以及芯片焊盘203c。本申请中,滤波器芯片203的正面指的是芯片本体203a的正面。滤波器芯片203的声学区域位于滤波器芯片203的正面,实际位于芯片本体203a的正面;示例性的,所述声学区域内形成有谐振结构,以滤波器芯片203为声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)滤波器为例,谐振结构可以为叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT)203b,但不限于此。芯片焊盘203c位于芯片本体203a的正面上。
本实施例中,提供中间塑封结构的方法可以包括:如图4所示,提供载板201,所述载板201的顶面形成有键合膜202;将所述滤波器芯片203正面朝下的贴装在所述载板201的顶面上;如图5所示,在所述载板201的顶面填充塑封料形成塑封体204,所述塑封体204至少包覆所述滤波器芯片203的侧壁;如图6所示,去除所述载板201和所述键合膜202,露出所述滤波器芯片203的正面。
所述载板201可以是金属、玻璃或有机物等材质的硬质板。所述键合膜202可以是可解键粘合胶层,可以贴覆在载板201上且可以粘住放置在上方的芯片或器件等,在塑封结束后,还可以方便的剥离去除载板201。键合膜202还可以是本领域公知的其它材料层。
如图4所示,将所述滤波器芯片203正面朝下的贴装在所述载板201的顶面上时,滤波器芯片203正面的芯片焊盘203c和叉指换能器203b可以嵌入键合膜202中,芯片本体203a的正面可以贴覆在键合膜202表面。
参考图5和图6所示,本实施例中,塑封体204还可以覆盖滤波器芯片203的背面。由于键合膜202和载板201的阻挡保护,塑封料无法填充到滤波器芯片203的正面,从而塑封体204露出滤波器芯片203的正面。塑封体204的第一表面与滤波器芯片203的正面同侧,在所述滤波器芯片203的正面一侧,所述滤波器芯片的芯片本体203a正面可以与所述塑封体204的第一表面齐平,此处“齐平”可以指芯片本体203a的正面与塑封体204的第一表面之间的高度差在很小的范围内。所述塑封体204的材料包括但不限于环氧塑封料(Epoxy MoldingCompound,EMC)。
如图6所示,在去除载板201和键合膜202之后,滤波器芯片203的正面露出,示例性的,滤波器芯片203正面的芯片焊盘203c以及声学区域内的叉指换能器203b露出。
图6中,中间塑封结构内仅具有一个滤波器芯片203。
图11为本发明一实施例提供的包括两个滤波器芯片的滤波器封装结构的剖面示意图。本申请的一些实施例中,可以在载板201的顶面上贴装两个以上的滤波器芯片203,如图11所示,中间塑封结构内可以具有两个以上的滤波器芯片203。
图12为本发明一实施例提供的包括有源芯片以及表贴无源器件的滤波器封装结构的剖面示意图。本申请的一些实施例中,参考图12所示,在将滤波器芯片203正面朝下的贴装在所述载板201的顶面上的步骤中,可以同时将非滤波器的功能器件210贴装在所述载板201上,如此中间塑封结构中可以具有功能器件210。示例性的,功能器件210的数量可以是单个或多个;功能器件210可以是低噪声放大器、射频开关、功率放大器或无源器件等。
如图7所示,执行步骤S2,在所述滤波器芯片203的正面一侧形成支撑层205,所述支撑层205位于所述塑封体204上,且所述支撑层205具有与所述滤波器芯片203正面的所述声学区域位置对应的第一开口。
具体的,所述支撑层205的材料包括但不限于干膜。示例性的,形成支撑层205的方法可以包括:参考图7所示,滤波器芯片203的正面一侧压干膜层,干膜层覆盖滤波器芯片203的正面以及覆盖塑封体204的第一表面;对干膜层进行曝光和显影,在干膜层形成第一开口205a和第二开口205b,第一开口205a露出滤波器芯片203的声学区域的第一开口,第二开口205b与芯片焊盘203c区域对应且露出所述芯片焊盘203c,保留的干膜层作为支撑层205。
参考图7所示,支撑层205贴附着在滤波器芯片203的芯片本体203a正面以及所述塑封体204的第一表面上;芯片焊盘203c可以嵌入支撑层205中。
参考图8所示,执行步骤S3,在所述支撑层205上形成保护层206,所述保护层206覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔207。
示例性的,所述保护层206的材料包括但不限于干膜。本实施例中,所述保护层206应具有一定的厚度和强度,以便后续能够在所述保护层206上制作再布线层。
参考图9所示,执行步骤S4,在所述保护层206上制作再布线层208,所述再布线层208与所述滤波器芯片203的正面电连接。
本实施例中,在所述保护层206上制作再布线层208的方法可以包括:在所述保护层206中形成导通孔,所述导通孔与所述第二开口位置对应且露出所述滤波器芯片203的芯片焊盘203c;在所述保护层206上形成内部线路层208a,所述内部线路层208a至少覆盖所述导通孔和所述第二开口的内表面且与所述芯片焊盘203c电连接;在所述内部线路层208a上形成导电柱208b;在所述保护层206上形成介质层208c,所述介质层208c覆盖所述保护层206的部分表面、所述内部线路层208a的远离所述保护层206的部分表面、所述内部线路层208a的侧壁以及所述导电柱208b的侧壁;在所述介质层208c上形成外焊盘208d,所述外焊盘208d与所述导电柱208b电连接。在其它实施例中,还可以通过本领域其它公知的再布线层形成方法形成再布线层。
需要说明的是,图9中,再布线层208仅包括一个内部线路层,但不限于此。在其它实施例中,再布线层208可以包括多个互联的内部线路层,通过重复形成内部线路层和介质层的步骤即可形成多个互联的内部线路层。
图10为本发明另一实施例提供的滤波器封装结构的剖面示意图。参考图10所示,在需要电磁屏蔽的情况下,在所述保护层206上制作再布线层208之后,在所述塑封体204的表面形成屏蔽层209,所述屏蔽层209覆盖所述塑封体204远离所述再布线层208的表面、所述塑封体204的侧壁、支撑层205的侧壁、保护层206的侧壁和所述再布线层208的侧壁。
本申请还提供一种滤波器封装结构,所述滤波器封装结构可以利用上述的制作方法制成。
参考图9所示,本实施例提供的滤波器封装结构包括中间塑封结构、支撑层205、保护层206和再布线层208。所述中间塑封结构包括滤波器芯片203以及塑封体204,所述滤波器芯片203的正面具有声学区域,所述塑封体204包覆所述滤波器芯片203的侧壁且露出所述滤波器芯片203的正面。所述支撑层205位于所述滤波器芯片203的正面一侧且形成在所述塑封体204上,所述支撑层205具有与所述滤波器芯片203正面的所述声学区域位置对应的第一开口。所述保护层206形成在所述支撑层205上且覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔207。所述再布线层208形成在所述保护层206上,且所述再布线层208与所述滤波器芯片203的正面电连接。
示例性的,参考图9所示,滤波器芯片203可以包括芯片本体203a、声学区域以及芯片焊盘203c。本申请中,滤波器芯片203的正面指的是芯片本体203a的正面。滤波器芯片203的声学区域位于滤波器芯片203的正面,实际位于芯片本体203a的正面;示例性的,所述声学区域内形成有谐振结构,以滤波器芯片203为声表面波滤波器为例,谐振结构为叉指换能器203b,但不限于此。芯片焊盘203c位于芯片本体203a的正面上且位于所述声学区域侧边。
本申请的一些实施例中,如图11所示,中间塑封结构可以包括两个滤波器芯片203,以形成双工器,但不限于此。中间塑封结构还可以包括三个或三个以上的滤波器芯片203,以形成多工器。中间塑封结构中滤波器芯片203的数量可以根据需要设置。
本申请的一些实施例中,如图12所示,所述中间塑封结构还可以包括非滤波器的功能器件210,所述功能器件210在所述滤波器芯片203正面的一侧具有管脚,所述塑封体204至少包裹所述功能器件210的侧壁且露出所述功能器件210的管脚。所述中间塑封结构中功能器件210的数量可以为一个、两个或三个以上。所述功能器件210包括但不限于低噪声放大器、射频开关、功率放大器或无源器件。
继续参考图9所示,本实施例中,塑封体204还可以覆盖滤波器芯片203的背面。塑封体204的第一表面与滤波器芯片203的正面同侧,在所述滤波器芯片203的正面一侧,所述滤波器芯片的芯片本体203a正面可以与所述塑封体204的第一表面齐平。所述滤波器芯片的芯片焊盘203c可以凸出所述塑封体204的第一表面。
本实施例中,所述支撑层205附着在所述滤波器芯片203的正面以及所述塑封体204的第一表面上,支撑层205中具有第一开口和第二开口,支撑层205的第一开口与滤波器芯片的声学区域位置对应,第一开口可以包围声学区域中的叉指换能器203b,支撑层205的第二开口与芯片焊盘203c位置对应。滤波器芯片203的芯片焊盘203c可以嵌入支撑层205中。
所述保护层206形成在所述支撑层205上且覆盖支撑层205的第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔207。参考图9所示,空腔207以及构成空腔207的支撑层205和保护层206中,除了支撑层205的靠近所述芯片本体203a的表面与塑封体204直接接触外,在其它方向上支撑层205不与塑封体204接触,保护层206则完全不与塑封体204接触,这样的结构可以避免塑封体204形成时塑封料破坏空腔207导致滤波器性能恶化的问题。
所述再布线层208形成在所述保护层206上,且所述再布线层208与所述滤波器芯片203的正面电连接。
所述再布线层208可以包括金属互连结构以及包裹支撑所述金属互连结构的介质层208c。金属互连结构可以包括内部线路层208a、位于内部线路层208a上的导电柱208b以及位于所述导电柱208b上的外焊盘208d;其中,内部线路层208a可以通过保护层206中的导通孔和支撑层205中的第二开口与滤波器芯片焊盘203c电连接,介质层208c填充内部线路层208a中的空隙以及填充导电柱208b之间的空隙,外焊盘208d位于所述介质层208c上。
需要说明的是,图9中,再布线层208的金属互连结构仅包括一个内部线路层208a,但不限于此。在其它实施例中,再布线层208的金属互连结构可以包括多个互联的内部线路层208a。
参考图12所示,本申请的一些实施例中,所述中间塑封结构中功能器件210的管脚可以与再布线层208电连接。通过在中间塑封结构中设置功能器件210且功能器件210的管脚通过再布线层208中的金属互连结构实现电气连接,以形成DIFEM、LDiFEM、PAMiD、LPAMiD等射频前端模组。
参考图10所示,在需要电磁屏蔽的情况下,所述滤波器封装结构还可以包括屏蔽层209,所述屏蔽层209覆盖所述塑封体204远离所述再布线层208的表面、所述塑封体204的侧壁、支撑层205的侧壁、保护层206的侧壁和所述再布线层208的侧壁。
本发明提供的滤波器封装结构及其制作方法中,首先对滤波器芯片203进行塑封形成包括滤波器芯片203以及塑封体204的中间塑封结构,中间塑封结构中塑封体204包覆滤波器芯片203的侧壁且露出滤波器芯片203的正面,然后在滤波器芯片203的正面一侧制作支撑层205和保护层206形成滤波器芯片203正面的声学区域工作需要的空腔207,如此在塑封之后制作空腔207,可以解决形成塑封体时塑封料破坏空腔导致滤波器性能恶化的问题,有利于提高滤波器封装结构的可靠性和生产良率;与现有技术中滤波器芯片203通过植焊球并通过焊球与基板电连接的技术方案相比,本申请直接在保护层206上制作再布线层208,且再布线层208直接与滤波器芯片203电连接,省略了滤波器芯片植球工艺以及基板制作,简化了封装供应链,节省了生产成本,还避免了焊球形成的焊点由于应力集中而焊点开裂的问题;此外,滤波器的输入、输出以及接地管脚一般需要连接匹配电感,用于改善性能,本申请中滤波器芯片203正面(具体为正面的芯片焊盘203c)直接与再布线层208电连接,再布线层208的线宽线距、加工精度优于传统封装基板,一方面可以提升布线中绕线电感的电学性能,另一方面可以缩小封装水平方向尺寸,且再布线层208的厚度小于传统基板,有利于缩小滤波器封装结构的体积。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明权利范围的任何限定,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改,因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰,均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (14)

1.一种滤波器封装结构,其特征在于,包括:
中间塑封结构,所述中间塑封结构包括滤波器芯片以及塑封体,所述滤波器芯片的正面具有声学区域,所述塑封体包覆所述滤波器芯片的侧壁且露出所述滤波器芯片的正面;
支撑层,所述支撑层位于所述滤波器芯片的正面一侧且形成在所述塑封体上,所述支撑层具有与所述滤波器芯片正面的所述声学区域位置对应的第一开口;
保护层,所述保护层形成在所述支撑层上且覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔;以及
再布线层,所述再布线层形成在所述保护层上,且所述再布线层与所述滤波器芯片的正面电连接。
2.如权利要求1所述的滤波器封装结构,其特征在于,所述塑封体的第一表面与所述滤波器芯片的正面同侧,在所述滤波器芯片的正面一侧,所述滤波器芯片的正面与所述塑封体的第一表面齐平。
3.如权利要求2所述的滤波器封装结构,其特征在于,所述支撑层附着在所述滤波器芯片的正面以及所述塑封体的第一表面上。
4.如权利要求2所述的滤波器封装结构,其特征在于,所述滤波器芯片的正面具有位于所述声学区域侧边的芯片焊盘;所述再布线层与所述芯片焊盘电连接。
5.如权利要求1所述的滤波器封装结构,其特征在于,所述中间塑封结构还包括非滤波器的功能器件,所述塑封体至少包裹所述功能器件的侧壁且露出所述功能器件的管脚,所述再布线层与所述功能器件的管脚电连接。
6.如权利要求1所述的滤波器封装结构,其特征在于,所述中间塑封结构中,所述滤波器芯片的数量为两个及以上。
7.如权利要求1所述的滤波器封装结构,其特征在于,所述滤波器封装结构还包括屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述塑封体远离所述再布线层的表面、所述塑封体的侧壁、所述支撑层的侧壁、所述保护层的侧壁和所述再布线层的侧壁。
8.一种滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供中间塑封结构,所述中间塑封结构包括滤波器芯片以及塑封体,所述滤波器芯片的正面具有声学区域,所述塑封体包覆所述滤波器芯片的侧壁且露出所述滤波器芯片的正面;
在所述滤波器芯片的正面一侧形成支撑层,所述支撑层位于所述塑封体上,且所述支撑层具有与所述滤波器芯片正面的所述声学区域位置对应的第一开口;
在所述支撑层上形成保护层,所述保护层覆盖所述第一开口形成所述声学区域工作需要的空腔;以及
在所述保护层上制作再布线层,所述再布线层与所述滤波器芯片的正面电连接。
9.如权利要求8所述的滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,所述提供中间塑封结构的方法包括:
提供载板,所述载板的顶面形成有键合膜;
将所述滤波器芯片正面朝下的贴装在所述载板的顶面上;
在所述载板的顶面填充塑封料形成塑封体,所述塑封体至少包覆所述滤波器芯片的侧壁;
去除所述载板和所述键合膜,露出所述滤波器芯片的正面。
10.如权利要求9所述的滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,在将所述滤波器芯片正面朝下的贴装在所述载板的顶面上的步骤中,同时将非滤波器的功能器件贴装在所述载板上。
11.如权利要求9所述的滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,所述滤波器芯片的正面具有位于所述声学区域侧边的芯片焊盘;去除所述载板和所述键合膜后,所述芯片焊盘露出;其中,所述再布线层与所述芯片焊盘电连接。
12.如权利要求11所述的滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,在所述滤波器芯片的正面一侧形成支撑层包括:在所述支撑层中同时形成所述第一开口和第二开口,所述第二开口露出所述芯片焊盘。
13.如权利要求12所述的滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,在所述保护层上制作再布线层的方法包括:
在所述保护层中形成导通孔,所述导通孔与所述第二开口位置对应且露出所述滤波器芯片的芯片焊盘;
在所述保护层上形成内部线路层,所述内部线路层至少覆盖所述导通孔和所述第二开口的内表面且与所述芯片焊盘电连接;
在所述内部线路层上形成导电柱;
在所述保护层上形成介质层,所述介质层覆盖所述保护层的部分表面、所述内部线路层的远离所述保护层的部分表面、所述内部线路层的侧壁以及所述导电柱的侧壁;
在所述介质层上形成外焊盘,所述外焊盘与所述导电柱电连接。
14.如权利要求8所述的滤波器封装结构的制作方法,其特征在于,在所述保护层上制作再布线层之后,在所述塑封体的表面形成屏蔽层,所述屏蔽层覆盖所述塑封体远离所述再布线层的表面、所述塑封体的侧壁、所述支撑层的侧壁、所述保护层的侧壁和所述再布线层的侧壁。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109244230A (zh) * 2018-11-09 2019-01-18 江阴长电先进封装有限公司 一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法
CN111654262A (zh) * 2020-06-19 2020-09-11 北京航天微电科技有限公司 一种saw滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构
CN112018229A (zh) * 2020-10-27 2020-12-01 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 Saw滤波器加工与封装方法、saw滤波器及通讯终端
WO2021098322A1 (zh) * 2019-11-20 2021-05-27 天津大学 体声波滤波器及其制造方法以及双工器
CN113597669A (zh) * 2019-03-25 2021-11-02 京瓷株式会社 电子部件及其制造方法
CN114513183A (zh) * 2021-12-27 2022-05-17 厦门云天半导体科技有限公司 滤波器扇出封装结构及其制作方法
CN218385188U (zh) * 2022-11-18 2023-01-24 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 气密性晶圆级芯片封装结构及模组、电路板和电子设备
CN116864462A (zh) * 2023-09-04 2023-10-10 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 封装结构及其制作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109244230A (zh) * 2018-11-09 2019-01-18 江阴长电先进封装有限公司 一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法
CN113597669A (zh) * 2019-03-25 2021-11-02 京瓷株式会社 电子部件及其制造方法
WO2021098322A1 (zh) * 2019-11-20 2021-05-27 天津大学 体声波滤波器及其制造方法以及双工器
CN111654262A (zh) * 2020-06-19 2020-09-11 北京航天微电科技有限公司 一种saw滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构
CN112018229A (zh) * 2020-10-27 2020-12-01 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 Saw滤波器加工与封装方法、saw滤波器及通讯终端
CN114513183A (zh) * 2021-12-27 2022-05-17 厦门云天半导体科技有限公司 滤波器扇出封装结构及其制作方法
CN218385188U (zh) * 2022-11-18 2023-01-24 北京唯捷创芯精测科技有限责任公司 气密性晶圆级芯片封装结构及模组、电路板和电子设备
CN116864462A (zh) * 2023-09-04 2023-10-10 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 封装结构及其制作方法

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