CN117832289A - 新型tvs晶粒结构及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- NUHSROFQTUXZQQ-UHFFFAOYSA-N isopentenyl diphosphate Chemical compound CC(=C)CCO[P@](O)(=O)OP(O)(O)=O NUHSROFQTUXZQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开一种新型TVS晶粒结构及其制备方法，属于半导体元件技术领域，包括N‑基板，所述N‑基板的上下两侧分别设有P+层和N+层，所述N‑基板的上方形成有沟槽，所述沟槽贯穿P+层，所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层，二氧化硅的上方设有玻璃层，所述玻璃层的上方设有低温氧化层。本发明通过选择研磨片当底材、采用纸源及单沟刀刮法结构进行掺杂工艺、选择适当的金属堆叠结构并进行热氧化处理，实现了无需无尘室、无晶圆减薄工艺和单一生产流程制备的晶粒结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种新型TVS晶粒结构及其制备方法，属于半导体元件技术领域。
背景技术
半导体器件指以半导体材料（Si、Ge、SIC等）为基材，通过光罩、氧化、蚀刻、封装等一系列制造工艺制成的器件。在线路中可实现一定的功能，如控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
半导体在线路中的作用相当于电子开关，能省力控制线路中的电荷。TVS晶粒为半导体元件的一种，用于制造TVS瞬态电压抑制器，当TVS管经受瞬间冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，将其两端间的电压箝位下来，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。TVS瞬态电压抑制器的关键参数包括：
反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage ：VBR【-】
反向工作电压 Reverse working stand-off Voltage : VRWM【-】
测试电流 Test current：IT 【-】
反向钳位电压 Clamping vlotage：VC 【↓】
脉冲电流 Peak pulse current：Ipp 【↑】
吸收功率 Peak pulse power ：Ppp
现有的封装领域中，常常需要使用无尘室和晶圆减薄工艺来制备底材以满足封装要求，然而，这些传统工艺不仅成本高昂，而且存在应力残留和污染的问题。因此，有必要提供一种无需无尘室、无晶圆减薄工艺和单一生产流程的制备的新型TVS晶粒结构和制备方法。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种新型TVS晶粒结构及其制备方法，解决了现有技术中出现的问题。
本发明所述的新型TVS晶粒结构，包括N-基板，所述N-基板的上下两侧分别设有P+层和N+层，所述N-基板的上方形成有沟槽，所述沟槽贯穿P+层，所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层，二氧化硅层的上方设有玻璃层，所述玻璃层的上方设有低温氧化层。
进一步的，P+层和N+层的外部设有金属层。
进一步的，金属层的金属结构包括Ni和Au。
本发明所述的一种新型TVS晶粒结构，包括N-基板，所述N-基板的上下两侧分别设有P+层，所述N-基板的上下两侧设有沟槽，所述沟槽上下对称分布，所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层，二氧化硅层的上方设有玻璃层，所述玻璃层的上方设有低温氧化层。
进一步的，沟槽的宽度为8~13 mil。
进一步的，TVS晶粒结构的面积为50-370 mil。
进一步的，TVS晶粒结构的IPP能力为标准TVS晶粒结构的140%。
本发明所述的一种新型TVS晶粒结构的制备方法，包括以下步骤：
S1：选择研磨片作为底材，进行晶粒结构制备；
S2：采用纸源进行掺杂工艺设计以及采用单沟刀刮法结构；
S3：选择适当的金属堆叠结构，设计为Ni-Ni-Au金属堆叠结构，以满足封装要求；
S4：无需进行晶圆减薄工艺，只需使用热氧化制程来避免残留应力和污染。
进一步的，步骤S1中晶粒结构制备具体包括以下子步骤：
S11：对硅片进行激光刻号标示，进行硼和磷纸的焊接和沉积；
S12：对硅片进行分离并进行热氧化处理；
S13：对氧化物去除，扩散期间防止晶圆粘连；
S14：进行表面硼预积，硅片分离，为光刻胶提供良好的黏着层；
S15：通过光阻遮蔽针对沟槽位置进行刻蚀，进行沟槽深度和宽度测量；
S16：进行氧化层移除，后续进行清洗；
S17：刮制玻璃粉末涂层到沟槽，后续进行玻璃层烧制，并进行外观检查和电特性检查；
S18：进行低温氧化层沉积；
S19：进行焊接用金属层制作，经过两次镀镍及后续镀金，形成镍金镀层；
S20：进行外观检查，完成制作。
本发明与现有技术相比，具有如下有益效果：本发明所述的新型TVS晶粒结构及其制备方法，本发明通过选择研磨片当底材、采用纸源及单沟刀刮法结构进行掺杂工艺、选择适当的金属堆叠结构并进行热氧化处理，实现了无需无尘室、无晶圆减薄工艺和单一生产流程的制备方法。通过本制程制造出的TVS晶粒结构的核心面积为50-370 mil，TVS晶粒结构IPP能力为标准TVS晶粒结构的140%，在相同晶粒尺寸的基础上具有更高的IPP能力，沟槽位置的晶圆厚度很薄，厚度接近一根头发。
具有以下优点效果：
1. 成本低廉：无需使用昂贵的无尘室和晶圆减薄工艺设备。
2. 降低应力残留和污染：采用热氧化处理来避免应力残留和污染问题。
3. 简化制备过程：通过单一生产流程，简化了制备过程，提高了效率。解决了现有技术中存在的问题。
附图说明
图1为本发明新型TVS晶粒结构第一种实施方式的结构图；
图2为本发明新型TVS晶粒结构第二种实施方式的结构图；
图3为本发明新型TVS晶粒结构中沟槽的放大结构图；
图4为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S11的表示图；
图5为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S12的表示图；
图6为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S13、S14的表示图；
图7为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S15的表示图；
图8为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S16的表示图；
图9为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S17的表示图；
图10为本发明新型TVS晶粒结构制备方法中步骤S18、S19的表示图；
图11为本发明实施例1中新型TVS晶粒结构的制备流程图；
图12为本发明实施例2中新型TVS晶粒结构的制备流程图；
图中：1、金属层； 2、低温氧化层； 3、玻璃层； 4、P+层； 5、二氧化硅层； 6、N-基板； 7、N+层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明：
实施例1：
如图1和图3所示，本发明所述的新型TVS晶粒结构，包括N-基板6，所述N-基板6的上下两侧分别设有P+层4和N+层7，所述N-基板6的上方形成有沟槽，所述沟槽贯穿P+层4，所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层5，二氧化硅层5的上方设有玻璃层3，所述玻璃层3的上方设有低温氧化层2。
具体的，P+层4和N+层7的外部设有金属层1。
具体的，金属层1的金属结构包括Ni和Au。
本实施例的TVS晶粒结构可构装成各种形式的TVS元件进行使用。
实施例2：
如图2和图3所示，本发明所述的新型TVS晶粒结构，包括N-基板6，N-基板6的上下两侧分别设有P+层4，N-基板6的上下两侧设有沟槽，沟槽上下对称分布，沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层5，二氧化硅层5的上方设有玻璃层3，玻璃层3的上方设有低温氧化层2。
具体的，沟槽的宽度为8~13 mil。
具体的，TVS晶粒结构的核心面积为50-370 mil。
具体的，TVS晶粒结构的容量为25000 pcs /month。
本实施例的TVS晶粒结构可构装成各种形式的TVS元件进行使用。
实施例3：
本发明所述的新型TVS晶粒结构的制备方法，包括以下步骤：
S1：选择研磨片作为底材，由于研磨片具有一定的粗糙度，可以防止刮伤，无需使用无尘室；
S2：采用纸源及单沟刀刮法结构进行掺杂工艺，以提高材料的性能；
S3：选择适当的金属堆叠结构，设计为Ni-Ni-Au结构，以满足封装要求；
S4：无需进行晶圆减薄工艺，避免产生应力残留和污染，只需使用热氧化制程来避免残留应力和污染；
S5：设计单一生产流程，无需使用金属炉设备，简化制备过程。
还包括晶粒结构制备步骤，如图4-图10所示，以实施例1中的单沟单向TVS晶粒为例具体说明一下制备步骤：
S11：对硅片进行激光清洗，进行硼和磷纸的焊接和沉积；
S12：对硅片进行分离并进行热氧化处理；
S13：对氧化物去除硼皮，扩散期间防止晶元粘连；
S14：进行表面硼制作，硅片分离，为光刻胶提供良好的黏着层；
S15：通过格栅对沟槽进行刻蚀，进行沟槽深度和宽度测量；
S16：进行氧化拔除，对试片进行清洗；
S17：在沟槽中刮制玻璃粉末涂层，进行玻璃层烧制，并进行外观检查和电特性检查；
S18：进行低温氧化层沉积；
S19：进行金属层制作，经过两侧镀镍，形成镍金属镀层，
S20：进行外观检查，完成制作。
本发明提供的制备方法可以采用以下步骤具体实施：
1. 准备研磨片作为底材，并确保其具有一定的粗糙度。
2. 采用纸源及单沟刀刮法结构进行掺杂工艺，控制掺杂量和深度。
3. 根据封装要求选择适当的金属堆叠结构，如Ni-Ni-Au。
其中Ni的厚度设计为0.344um，Au的厚度设计为0.144um。
4. 将底材进行热氧化处理，以避免应力残留和污染。
5. 设计合理的生产流程，并确保不需要使用金属炉等设备。
制备方法的具体应用实例如下：
图11为实施例1中新型TVS晶粒结构的制备流程图，为单沟单向制程。按照图中箭头的顺序依次进行，图中数字表示工作中对应的工艺编号。
图12为实施例2中新型TVS晶粒结构的制备流程图，为单沟双向制程，按照图中箭头的顺序依次进行。
通过本制程制造出的TVS晶粒结构的核心面积为50-370 mil。TVS晶粒结构IPP能力为标准TVS晶粒结构的140%，在相同晶粒尺寸的基础上具有更高的IPP能力，沟槽位置的晶圆厚度很薄，厚度接近一根头发，全面提升了性能。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (9)
1.一种新型TVS晶粒结构，其特征在于：包括N-基板（6），所述N-基板（6）的上下两侧分别设有P+层（4）和N+层（7），所述N-基板（6）的上方形成有沟槽，所述沟槽贯穿P+层（4），所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层（5），二氧化硅层（5）的上方设有玻璃层（3），所述玻璃层（3）的上方设有低温氧化层（2）。
2.根据权利要求1所述的新型TVS晶粒结构，其特征在于：所述的P+层（4）和N+层（7）的外部设有金属层（1）。
3.根据权利要求2所述的新型TVS晶粒结构，其特征在于：所述的金属层（1）的金属结构包括Ni和Au。
4.一种新型TVS晶粒结构，其特征在于：包括N-基板（6），所述N-基板（6）的上下两侧分别设有P+层（4），所述N-基板（6）的上下两侧设有沟槽，所述沟槽上下对称分布，所述沟槽的槽体的表面设有二氧化硅层（5），二氧化硅层（5）的上方设有玻璃层（3），所述玻璃层（3）的上方设有低温氧化层（2）。
5.根据权利要求1或4所述的新型TVS晶粒结构，其特征在于：所述的沟槽的宽度为8~13mil。
6.根据权利要求1或4所述的新型TVS晶粒结构，其特征在于：所述的TVS晶粒结构的面积为50-370 mil。
7.根据权利要求1或4所述的新型TVS晶粒结构，其特征在于：所述的TVS晶粒结构的IPP能力为标准TVS晶粒结构的140%。
8.一种新型TVS晶粒结构的制备方法，基于权利要求1-7任一所述的新型TVS晶粒结构，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：
S1：选择研磨片作为底材，进行晶粒结构制备；
S2：采用纸源进行掺杂工艺设计以及采用单沟刀刮法结构；
S3：选择适当的金属堆叠结构，设计为Ni-Ni-Au金属堆叠结构，以满足封装要求；
S4：无需进行晶圆减薄工艺，只需使用热氧化制程来避免残留应力和污染。
9.根据权利要求8所述的新型TVS晶粒结构的制备方法，其特征在于，所述的步骤S1中晶粒结构制备具体包括以下子步骤：
S11：对硅片进行激光刻号标示，进行硼和磷纸的焊接和沉积；
S12：对硅片进行分离并进行热氧化处理；
S13：对氧化物去除，扩散期间防止晶圆粘连；
S14：进行表面硼预积，硅片分离，为光刻胶提供良好的黏着层；
S15：通过光阻遮蔽针对沟槽位置进行刻蚀，进行沟槽深度和宽度测量；
S16：进行氧化层移除，后续进行清洗；
S17：刮制玻璃粉末涂层到沟槽，后续进行玻璃层烧制，并进行外观检查和电特性检查；
S18：进行低温氧化层沉积；
S19：进行焊接用金属层制作，经过两次镀镍及后续镀金，形成镍金镀层；
S20：进行外观检查，完成制作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410250798.9A CN117832289A (zh) | 2024-03-06 | 2024-03-06 | 新型tvs晶粒结构及其制备方法 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117832289A true CN117832289A (zh) | 2024-04-05 |
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ID=90513957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410250798.9A Pending CN117832289A (zh) | 2024-03-06 | 2024-03-06 | 新型tvs晶粒结构及其制备方法 |
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| CN (1) | CN117832289A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW544861B (en) * | 2002-08-30 | 2003-08-01 | Frontier Electronics Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN103606521A (zh) * | 2013-08-05 | 2014-02-26 | 南通康比电子有限公司 | 瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺 |
| CN108365015A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-08-03 | 济南兰星电子有限公司 | 半导体二极管芯片及其制作方法 |
| CN111584363A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 山东芯诺电子科技股份有限公司 | 用于旋转整流的圆形玻璃钝化二极管整流芯片及生产工艺 |
| CN114171416A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-03-11 | 浙江里阳半导体有限公司 | 一种tvs芯片及其玻璃钝化方法、制造方法 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW544861B (en) * | 2002-08-30 | 2003-08-01 | Frontier Electronics Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN103606521A (zh) * | 2013-08-05 | 2014-02-26 | 南通康比电子有限公司 | 瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺 |
| CN108365015A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-08-03 | 济南兰星电子有限公司 | 半导体二极管芯片及其制作方法 |
| CN111584363A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 山东芯诺电子科技股份有限公司 | 用于旋转整流的圆形玻璃钝化二极管整流芯片及生产工艺 |
| CN114171416A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-03-11 | 浙江里阳半导体有限公司 | 一种tvs芯片及其玻璃钝化方法、制造方法 |
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