CN117831881A - 微波发生装置及微波烹饪器具 - Google Patents
微波发生装置及微波烹饪器具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117831881A CN117831881A CN202211182497.4A CN202211182497A CN117831881A CN 117831881 A CN117831881 A CN 117831881A CN 202211182497 A CN202211182497 A CN 202211182497A CN 117831881 A CN117831881 A CN 117831881A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic
- generating device
- microwave generating
- bracket
- bottom plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010411 cooking Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 266
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 7
- 238000009957 hemming Methods 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 37
- 239000000306 component Substances 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 7
- -1 regions Substances 0.000 description 5
- QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Nd] Chemical compound [B].[Fe].[Nd] QJVKUMXDEUEQLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N cobalt samarium Chemical compound [Co].[Sm] KPLQYGBQNPPQGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000938 samarium–cobalt magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001335 Galvanized steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000008397 galvanized steel Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
本发明公开了一种微波发生装置及微波烹饪器具,该微波发生装置包括磁路组件和真空管组件,磁路组件包括第一磁性件、第二磁性件和具有安装空间的支架,支架为导磁件,第一磁性件和第二磁性件间隔设置在安装空间内,第一磁性件、第二磁性件和支架之间形成闭合磁路,支架的至少部分边沿形成有折边,折边与安装空间的内壁贴合设置,真空管组件的部分结构设于安装空间,并且部分结构分别与第一磁性件和第二磁性件配合。磁路组件所形成的磁路为第一磁性件→第二磁性件→第一磁性件,通过设置折边增加了导磁的横截面积,减小磁漏,在不增大支架体积的前提下,有效提升了微波发生装置的中部的磁通密度,使得微波发生装置的输出功率得到了提高。
Description
技术领域
本发明涉及家用电器技术领域,尤其涉及一种微波发生装置及微波烹饪器具。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。
微波烹饪器具(微波炉或微蒸烤一体机等),通常包括机体和微波发生装置,微波发生装置安装在机体内,微波发生装置产生微波并将微波馈入到机体的烹饪腔内,以利用微波实现对烹饪腔内待烹饪食材的加热烹饪。
磁密强度与微波发生装置的输出功率成正比,然而随着磁控管的微波输出功率要求不断提升,现有支架结构已不能满足高功率下的高磁场的导磁要求,导致磁漏增加,微波发生装置中部的磁通密度提升困难。
发明内容
本发明的目的是至少解决微波发生装置磁漏增加以及中部的磁通密度提升困难的问题。该目的是通过以下技术方案实现的:
本发明提出了一种微波发生装置,所述微波发生装置包括:
磁路组件,所述磁路组件包括第一磁性件、第二磁性件和具有安装空间的支架,所述支架为导磁件,所述第一磁性件和所述第二磁性件间隔设置在所述安装空间内,所述第一磁性件、所述第二磁性件和所述支架之间形成闭合磁路,所述支架的至少部分边沿形成有折边,所述折边与所述安装空间的内壁贴合设置;
真空管组件,所述真空管组件的部分结构设于所述安装空间,并且所述部分结构分别与所述第一磁性件和所述第二磁性件配合。
根据本发明的微波发生装置,真空管组件的部分结构安装在支架的安装空间内,并且真空管组件的部分结构分别与第一磁性件和第二磁性件配合,磁路组件所形成的磁路为第一磁性件→第二磁性件→第一磁性件,第二磁性件通过支架向第一磁性件进行导磁,支架的至少部分边沿设有折边且折边抵靠在安装空间的内壁上,通过设置折边增加了导磁的横截面积,减小磁漏,在不增大支架体积的前提下,有效提升了微波发生装置的中部的磁通密度,使得微波发生装置的输出功率得到了提高。
另外,根据本发明的微波发生装置,还可具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,所述支架包括:
U型架,所述第一磁性件连接在所述U型架上,所述U型架具有相对设置的第一U型边沿和第二U型边沿,所述折边设于所述第一U型边沿和/或所述第二U型边沿;
底座,所述第二磁性件连接在所述底座上,所述底座以可拆卸的方式连接在所述U型架的开口端。
在本发明的一些实施例中,所述U型架包括底板和间隔连接于所述底板的两个侧板,所述底板与所述底座相向设置,两个所述侧板分别以可拆卸的方式连接在所述底板的相对两端。
在本发明的一些实施例中,所述侧板的宽度与所述底板的宽度一致。
在本发明的一些实施例中,所述折边包括设于所述底板上的第一折边部,所述第一折边部设于所述第一U型边沿和/或所述第二U型边沿。
在本发明的一些实施例中,所述第一折边部的宽度为a,所述底板的宽度为A,其中,0<a≤A/2;
并且/或者所述第一折边部的长度为b,所述底板的长度为B,其中,0<b≤B。
在本发明的一些实施例中,所述折边还包括设于所述侧板上的第二折边部,所述第二折边部设于所述第一U型边沿和/或所述第二U型边沿。
在本发明的一些实施例中,所述第二折边部的宽度为c,所述底板的宽度为A,其中,0<c≤A/2;
并且/或者所述第二折边部的长度为d,所述侧板的长度为D,其中,0<d≤D;
并且/或者所述第二折边部的宽度等于所述第一折边部的宽度。
在本发明的一些实施例中,所述侧板与所述底座以榫卯方式连接。
在本发明的一些实施例中,所述底座的边沿具有向所述底板一侧延伸的配合翻边,所述配合翻边上设有梯形缺口,所述侧板的底部边沿具有向所述安装空间的内部延伸的梯形凸块,所述梯形凸块与所述梯形缺口插接配合。
在本发明的一些实施例中,所述微波发生装置还包括第一聚磁件和第二聚磁件,所述第一聚磁件套装在所述部分结构上且与所述第一磁性件相抵接,所述第二聚磁件套装在所述部分结构上且与所述第二磁性件相抵接。
本发明的第二方面提出了一种微波烹饪器具,所述微波烹饪器具包括根据如上所述的微波发生装置。
根据本发明的微波烹饪器具,该微波发生装置的真空管组件的部分结构安装在支架的安装空间内,并且真空管组件的部分结构分别与第一磁性件和第二磁性件配合,磁路组件所形成的磁路为第一磁性件→第二磁性件→第一磁性件,第二磁性件通过支架向第一磁性件进行导磁,支架的至少部分边沿设有折边且折边抵靠在安装空间的内壁上,通过设置折边增加了导磁的横截面积,减小磁漏,在不增大支架体积的前提下,有效提升了微波发生装置的中部的磁通密度,使得微波发生装置的输出功率得到了提高。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中:
图1示意性地示出了根据本发明实施方式的微波发生装置的剖视图;
图2示意性地示出了根据本发明实施方式的微波发生装置的分解结构示意图(散热组件未示出);
图3为图1中所示的微波发生装置的磁路组件结构示意图;
图4为图3中所示的磁路组件的分解结构示意图;
图5为图4中所示的支架的U型架的结构示意图;
图6为图4中所示的支架的底座的结构示意图;
图7为图4中所示的支架的折边宽度与中心磁通密度的关系图。
附图标记如下:
100为微波发生装置;
10为滤波组件;
20为磁路组件;
21为支架;
211为U型架,2111为底板,2112为侧板,21121为梯形凸块,2113为折边,21131为第一折边部,21132为第二折边部,212为底座,2121为配合翻边,2122为梯形缺口;
22为第一磁性件;
23为第二磁性件;
24为第一聚磁件;
25为第二聚磁件;
26为安装空间;
30为真空管组件;
40为散热组件。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反,提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
应理解的是,文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的,而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出,否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的,并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行,除非明确指出执行顺序。还应当理解,可以使用另外或者替代的步骤。
尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段,但是,这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出,否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此,以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。
为了便于描述,可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系,这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如,如果在图中的装置翻转,那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此,示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。
如图1至图7所示,根据本发明的实施方式,提出了一种微波发生装置100,该微波发生装置100包括磁路组件20和真空管组件30,磁路组件20包括有支架21、第一磁性件22和第二磁性件23,支架21具有安装空间26且为导磁件,第一磁性件22和第二磁性件23分别安装在安装空间26内,第一磁性件22和第二磁性件23在安装空间26内间隔设置,并且第一磁性和第二磁性件23相对设置,第一磁性件22、第二磁性件23和支架21形成闭合磁路,真空管组件30的部分结构安装在安装空间26内且分别与第一磁性件22和第二磁性件23配合。
具体地,如图1所示,真空管组件30的部分结构安装在支架21的安装空间26内,并且真空管组件30的部分结构分别与第一磁性件22和第二磁性件23配合,磁路组件20所形成的磁路为第一磁性件22→第二磁性件23→第一磁性件22,第二磁性件23通过支架21向第一磁性件22进行导磁,支架21的至少部分边沿设有折边2113且折边2113抵靠在安装空间26的内壁上,通过设置折边2113增加了导磁的横截面积,减小磁漏,在不增大支架21体积的前提下,有效提升了微波发生装置100的中部的磁通密度,使得微波发生装置100的输出功率得到了提高。
需要理解的是,如图1所示,第一磁性件22和第二磁性件23间隔设置,在第一磁性件22和第二磁性件23之间的中心区域为磁通密度最强的区域,该区域也是真空管组件30工作时内部电子的运动区域,该区域磁密强度与微波发生装置100的输出功率成正比,通过设置折边2113,使得支架21用于导磁的横截面积得到了增大,减少了磁漏,在不增加支架21体积的前提下能够使得中部的磁通密度增加,从而提高微波发生装置100的输出功率。
另外,第二磁性件23通过支架21与第一磁性件22连接,支架21为第二磁性件23向第一磁性件22导磁的媒介,折边2113设置在支架21上且位于导磁路径的边缘,通过设置折边2113使得导磁路径的横截面积得到增大,减少了磁漏的情况发生。
此外,折边2113向安装空间26的内部折弯且与安装空间26的内壁(支架21面向安装空间26的侧面)相贴合(折死边),从而减少了折边2113所占用的空间,保证了在不改变支架21外部体积的前提下有效增大微波发生装置100的中部的磁通密度的目的。
需要指出的是,支架21为导磁性材料件,且支架21具有一定抗形变能力,包括但不仅限于冷轧板(SPCC)、热浸锌钢板(SGCC)、导磁不锈钢等;底座212同样采用导磁性材料件,且底座212具有一定抗形变能力,包括但不仅限于冷轧板(SPCC)、热浸锌钢板(SGCC)、导磁不锈钢等。
另外,第一磁性件22和第二磁性件23均为耐高温强磁材料件,通过将第一磁性件22和第二磁性件23设置为耐高温强磁材料件,进一步提高了微波发生装置100的中部的磁通密度。
同时,如图1至图5所示,第一磁性件22为第一环形件,第二磁性件23为第二环形件,真空管组件30设置在支架21的安装空间26内,第一环形件和第二环形件分别套装在真空管组件30位于安装空间26的部分上,以实现第一磁性件22和第二磁性件23与真空管组件30的配合,并且保证第一磁性件22和第二磁性件23与真空管组件30的同轴度,从而保证了第一磁性件22和第二磁性件23的中间位置与真空管组件30对应设置,以保证真空管组件30工作时内部电子的运动区域经过磁通密度最强的区域。
根据本发明的一些实施例,第一磁性件22和第二磁性件23均为添加稀土的永磁合金。该永磁合金可以为钐钴合金材料件,第一磁性件22也可以为铝镍钴合金材料件,第一磁性件22还可以为钕铁硼合金材料件,该稀土可以为镨、钕、钐、铽、镝等稀土,当然,稀土并不限于上述稀土材料,也可以为其它稀土材料。
根据本发明的一些实施例,第一磁性件22和第二磁性件23的材质不同,例如,第一磁性件22为添加镨的钐钴合金材料件,第二磁性件23为添加镨的铝镍钴合金材料件,或者,第一磁性件22为添加钕的铝镍钴合金材料件,第二磁性件23为添加钐的钕铁硼合金材料件,或者,第一磁性件22为添加铽的钕铁硼合金材料件,第二磁性件23为添加镝的钕铁硼合金材料件钐钴合金材料件,通过两种材料件的配合,提供不同强度的磁场。
进一步理解的是,如图3和图4所示,支架21包括底座212和U型架211,底座212与U型架211的开口端连接,并且两者之间以可拆卸的方式连接,底座212将U型架211的开口端封闭,U型架211与底座212合围形成安装空间26,第一磁性件22安装在第一U型架211上,第二磁性件23安装在底座212上,第一磁性件22与第二磁性件23相对设置,U型架211的相对两侧的边沿为第一U型边沿和第二U型边沿,折边2113设置在第一U型边沿和/或第二U型边沿上。
具体地,U型架211的开口端与底座212连接,第一磁性件22设置在U型架211上,第二磁性件23设置在底座212上,第二磁性件23通过U型架211向第一磁性件22进行导磁,通过将折边2113设置在第一U型边沿和/或第二U型边沿上,从而增加了导磁的横截面积,在不改变支架21外部尺寸的前提下,使得微波发生装置100的中部的磁通密度得到了增大,进而提高了微波发生装置100的输出功率。
需要理解的是,如图3和图4所示,U型架211设置在底座212上方,且与底座212之间限定出安装空间26,在第一磁性件22与真空管组件30配合到位后,第一磁性件22套设在真空管组件30上,第一磁性件22的底部可以与底座212止抵配合,真空管组件30可以限制第一磁性件22上下移动;在第二磁性件23与真空管组件30配合到位后,第二磁性件23套设在真空管组件30上,第二磁性件23的顶部与支架21止抵配合,真空管组件30可以限制第二磁性件23上下移动。
上述U型架211与底座212两者连接后,可以将第一磁性件22和第二磁性件23的磁路进行导通,形成完整的磁回路,进而可以为微波发生装置100提供稳定磁场,同时对内部核心零部件起到保护作用。
需要指出的是,支架21与底座212的材质可以相同,也可以不同,在本发明的实施方式中,支架21与底座212的材质相同,既便于制造成型,又可以保证两者配合可靠,提高了整体结构强度。
另外,在本发明其它的实施方式中,底座212上也设有折边2113,该折边2113与U型架211上的折边2113构成一个闭合的折边2113,从而进一步提高了支架21导磁的横截面积,以使微波发生装置100的中部的磁通密度得到了进一步地增大。
在本发明的一些实施方式中,折边2113设置在第一U型边沿上,第二U型边沿上不设置折边2113,即U型架211单侧设有折边2113。
在本发明的一些实施方式中,折边2113设置在第二U型边沿上,第一U型边沿上不设置折边2113,即U型架211单侧设有折边2113。
在本发明的一些实施方式中,如图5所示,第一U型边沿上和第二U型边沿上均设置折边2113,即U型架211双侧设有折边2113。
以下以第一U型边沿和第二U型边沿均设置折边2113为例进行具体说明:
进一步地,如图5所示,U型架211包括有侧板2112和底板2111,其中侧板2112的数量为两个,底板2111以及两个侧板2112均为矩形板,两个侧板2112分别连接在底板2111的两端,并且两个侧板2112位于底板2111的同侧,两个侧板2112背离底板2111的一端分别与底座212以可拆卸的方式连接,底板2111与底座212相对设置,两个侧板2112、底板2111和底座212共同合围形成安装空间26。两个侧板2112与底板2111形成的U型架211的一侧边沿为第一U型边沿,另一侧边沿为第二U型边沿。
具体地,如图5所示,两个侧板2112分别与底板2111垂直连接,以形成U型架211,并且两个侧板2112分别与底座212连接,从而形成矩形框架结构,该矩形框架结构的内部为安装空间26,底板2111与底座212对应设置,第一磁性件22连接在底板2111上,第二磁性件23连接在底座212上,真空管组件30的部分结构安装在安装空间26内且分别与第一磁性件22和第二磁性件23配合,第二磁性件23通过底座212、两个侧板2112和底板2111向第一磁性件22进行导磁,第一U型边沿和第二U型边沿上均设有折边2113,进一步提高了导磁的横截面积,使得磁漏得到了减少,进而提高了微波发生装置100的中部的磁通密度,使得微波发生装置100的输出功率得到了提高。
需要指出的是,两个侧板2112与底板2111可以进行一体式加工,还可以进行分体式加工后再进行组装,在本发明具体地实施方式中,两个侧板2112与底板2111为一体式加工结构,从而简化了加工的步骤,提高了加工的效率。
在本发明的实施方式中,如图5所示,U型架211的第一U型边沿和第二U型边沿均设有折边2113,两侧的折边2113结构可以相同,也可以不同。
本发明具体地实施方式中,位于第一U型边沿和位于第二U型边沿上的折边2113结构相同,以下以位于第一U型边沿的折边2113为例进行详细说明:
具体地,如图5所示,侧板2112和底板2111均为矩形板,并且底板2111的宽度与侧板2112的宽度相等(如图5所示,图5中,A尺寸所在的方向为底板2111以及侧板2112的宽度方向,侧板2112的宽度为在该宽度方向上的尺寸,底板2111的宽度为在该宽度方向上的尺寸)。通过将底板2111的宽度和侧板2112的宽度设置成一致,从而消除了底板2111与侧板2112之间的断差,防止断差位置出现磁漏的情况,进一步保证了导磁的效果。
进一步地,如图5所示,位于U型架211第一边沿上的折边2113包括有第一折边部21131,该第一折边部21131设置在底板2111的边沿上。第二磁性件23通过底板2111、两个侧板2112和顶板向第一磁性件22进行导磁,通过在底板2111的边沿上设置第一折边部21131,使得底板2111位置的磁通横截面积得到了增大,从而减少了底板2111位置的磁漏,以使微波发生装置100的中部的磁通密度得到了增大。
进一步地,如图5所示,图5中a为第一折边2113部的宽度(如图5所示,图5中,A尺寸所在的方向为第一折边部21131的宽度方向,第一折边部21131的宽度为在该宽度方向上的尺寸),A为底板2111的宽度(如图5所示,图5中,A尺寸所在的方向为底板2111的宽度方向,底板2111的宽度为在该宽度方向上的尺寸),其中,0<a≤A/2。
在本发明的实施方式中,通过设定第一折边部21131的宽度,从而在满足其它部件在安装空间26内安装需求的同时尽可能的增大底板2111的磁通横截面积,使得微波发生装置100的中部的磁通密度得到增加,从而增加微波发生装置100的输出功率。
在本发明的实施方式中,第一折边部21131的宽度可以为1mm、5mm、7mm、10mm、13mm……。
具体地,如图5所示,图5中b为第一折边2113部的长度(如图5所示,图5中,B尺寸所在的方向为第一折边部21131的长度方向,第一折边部21131的长度为在该长度方向上的尺寸),B为底板2111的长度(如图5所示,图5中,B尺寸所在的方向为底板2111的长度方向,底板2111的长度为在该长度方向上的尺寸),其中,0<b≤B。
具体地,通过设定第一折边部21131的长度,从而在满足其它部件在安装空间26内安装需求的同时增大折边2113在底板2111上覆盖区域,使得底板2111的磁通横截面积得到了进一步地增大,从而进一步地增加微波发生装置100的中部的磁通密度,进一步增加了微波发生装置100的输出功率。
在本发明的实施方式中,如图5所示,第一折边部21131的长度略小于底板2111部的长度,以使第一折边部21131的长度尽量最大化,以使底板2111的磁通横截面积得到进一步增大。
进一步地,如图5所示,折边2113还包括有第二折边2113部,第二折边部21132设置在侧板2112的边沿,并且两个侧板2112的位于第一U型边沿上的边沿均设有第二折边部21132。第二磁性件23通过底板2111、两个侧板2112和顶板向第一磁性件22进行导磁,通过在两个侧板2112的边沿上设置第二折边部21132,使得两个侧板2112位置的磁通横截面积得到了增大,从而减少了两个侧板2112位置的磁漏,以使微波发生装置100的中部的磁通密度得到了进一步地增大。
进一步地,如图5所示,图5中c为第二折边2113部的宽度(如图5所示,图5中,A尺寸所在的方向为第二折边部21132的宽度方向,第二折边部21132的宽度为在该宽度方向上的尺寸),A为底板2111的宽度(如图5所示,图5中,A尺寸所在的方向为底板2111的宽度方向,底板2111的宽度为在该宽度方向上的尺寸),其中,0<c≤A/2。
具体地,通过设定第二折边部21132的宽度,从而在满足其它部件在安装空间26内安装需求的同时尽可能的增大侧板2112的磁通横截面积,使得微波发生装置100的中部的磁通密度得到进一步地增加,从而进一步增加微波发生装置100的输出功率。
在本发明的实施方式中,第二折边部21132的宽度可以为1mm、5mm、7mm、10mm、13mm……。
具体地,如图5所示,d为第二折边2113部的长度(如图5所示,图5中,D尺寸所在的方向为第二折边部21132的长度方向,第二折边部21132的长度为在该长度方向上的尺寸),D为侧板2112的长度(如图5所示,图5中,D尺寸所在的方向为侧板2112的长度方向,侧板2112的长度为在该长度方向上的尺寸),其中,0<d≤D。
具体地,通过设定第二折边部21132的长度,从而在满足其它部件在安装空间26内安装需求的同时增大折边2113在侧板2112上覆盖区域,使得侧板2112的磁通横截面积得到了进一步地增大,从而进一步地增加微波发生装置100的中部的磁通密度,进一步增加了微波发生装置100的输出功率。
在本发明的实施方式中,如5所示,第二折边部21132的长度略小于侧板2112部的长度,以使第二折边部21132的长度尽量最大化,以使底板2111的磁通横截面积得到进一步增大。
进一步地,如图5所示,第一折边部21131的宽度等于第二折边2113部的宽度。两个侧板2112与底板2111以及折边2113为一块板材折弯形成,通过将第一折边部21131的宽度设置为等于第二折边部21132的宽度,提高了板材的利用率,也使得侧板2112与底板2111的磁通横截面积保持一致,进一步减少了磁漏的情况,使得微波发生装置100的中部的磁通密度得到了进一步地增强。
在本发明的具体实施方式中,如图7所示,第一折边部21131的宽度和第二折边部21132的宽度均为14mm,从而保证了支架21具有最大的磁通横截面积,使得微波发生装置100的中部的磁通密度得到了有效地增大。
进一步地,如图3至图6所示,底座212和侧板2112之间为榫卯连接。在本发明的实施方式中,通过采用榫卯连接的方式,无需额外增加紧固件,降低成本,同时可以避免紧固件对磁回路产生影响,此外,连接方便,配合可靠,可拆卸地底座212和支架21结构也便于真空管组件30的安装。
进一步地,如图3至图6所示,底座212的边沿具有向上延伸的配合翻边2121,配合翻边2121上设有梯形缺口2122,可以理解地,梯形缺口2122的底部宽度大于开口处宽度,梯形缺口2122形成榫眼,支架21包括底板2111和两个相对布置的侧板2112,两个侧板2112设于底板2111的两侧,且每个侧板2112的上端与底板2111连接,每个侧板2112的下端适于与底座212配合,其中,侧板2112的下边沿的一部分向内凸出(即向安装空间26内部方向凸出)形成梯形凸块21121,梯形凸块21121与纵向段连接处的宽度小于梯形凸块21121另一侧的宽度,梯形凸块21121形成榫头,通过榫头与榫眼插接配合,实现底座212与支架21的连接,通过上述配合结构设计,实现底座212和支架21的连接,整体结构简单,制造与装配方便,提高生产效率。
其中,如图3至图6所示,梯形缺口2122和梯形凸块21121均包括多个,多个梯形缺口2122沿底座212的边沿间隔布置,且梯形凸块21121与梯形缺口2122一一对应,以提高整体结构的稳定性和可靠性。
进一步地,如图1、图3和图4所示,磁路组件20还包括第一聚磁件24和第二聚磁件25,第一聚磁件24通过真空管组件30内部的凸台固定在真空管组件30内,第二聚磁件25通过真空管组件30内的凸台固定在真空管组件30内,第一聚磁件24设置在邻近第一聚磁件24的一侧,第二聚磁件25设置在邻近第二聚磁件25的一侧,第一聚磁件24和第二聚磁件25均具有良好的导电导热性能,第一聚磁件24和第二聚磁件25可以为铜合金材质、镀铜冷板等,通过设置第一聚磁件24和第二聚磁件25,可以起到收束微波发生装置磁路的作用,使整个磁路集中在第一磁性件22和第二磁性件23之间。
需要理解的是,其中,在第一聚磁件24为第一磁极,第二聚磁件25为第二磁极,在第一磁极和第二磁极的聚磁作用下,整个磁路系统中部区域的磁场成均一化分布,因此第一磁性件22的磁束密度与第二磁性件23材质上可进行多种选择而不影响磁场的均匀性。
在本发明的一些实施方式中,如图1和图2所示,微波发生装置100还包括滤波组件10,滤波组件10设置在磁路组件20的外侧,滤波组件10位于磁路组件20的上方,整个真空管组件30以嵌套的方式固定在滤波组件10和磁路组件20中,真空管组件30的至少一部分伸出安装空间26与滤波组件10配合,真空管组件30能在高频电磁场作用下通过内部电子的激励产生2.45G微波。
另外,如图1所示,微波发生装置100还包括散热组件40,散热组件40可为环形的散热翅片,散热组件40通过过盈配合的方式套设在真空管组件30阳极筒的外表面,对其进行散热降温,同时可以配合风扇对微波发生装置进行快速冷却。
本发明还提出了一种微波烹饪器具,微波烹饪器具包括根据如上的微波发生装置100。
根据本发明的微波烹饪器具,该微波发生装置100的真空管组件30的部分结构安装在支架21的安装空间26内,并且真空管组件30的部分结构分别与第一磁性件22和第二磁性件23配合,磁路组件20所形成的磁路为第一磁性件22→第二磁性件23→第一磁性件22,第二磁性件23通过支架21向第一磁性件22进行导磁,支架21的至少部分边沿设有折边2113且折边2113抵靠在安装空间26的内壁上,通过设置折边2113增加了导磁的横截面积,减小磁漏,在不增大支架21体积的前提下,有效提升了微波发生装置100的中部的磁通密度,使得微波发生装置100的输出功率得到了提高。
本发明中,上述微波烹饪器具为微波炉或微蒸烤一体机,该微波烹饪器具的其它部分的结构请参考现有技术,在此本申请不再进行赘述。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种微波发生装置,其特征在于,所述微波发生装置包括:
磁路组件,所述磁路组件包括第一磁性件、第二磁性件和具有安装空间的支架,所述支架为导磁件,所述第一磁性件和所述第二磁性件间隔设置在所述安装空间内,所述第一磁性件、所述第二磁性件和所述支架之间形成闭合磁路,所述支架的至少部分边沿形成有折边,所述折边与所述安装空间的内壁贴合设置;
真空管组件,所述真空管组件的部分结构设于所述安装空间,并且所述部分结构分别与所述第一磁性件和所述第二磁性件配合。
2.根据权利要求1所述的微波发生装置,其特征在于,所述支架包括:
U型架,所述第一磁性件连接在所述U型架上,所述U型架具有相对设置的第一U型边沿和第二U型边沿,所述折边设于所述第一U型边沿和/或所述第二U型边沿;
底座,所述第二磁性件连接在所述底座上,所述底座以可拆卸的方式连接在所述U型架的开口端。
3.根据权利要求2所述的微波发生装置,其特征在于,所述U型架包括底板和间隔连接于所述底板的两个侧板,所述底板与所述底座相向设置,两个所述侧板分别以可拆卸的方式连接在所述底板的相对两端。
4.根据权利要求3所述的微波发生装置,其特征在于,所述侧板的宽度与所述底板的宽度一致。
5.根据权利要求4所述的微波发生装置,其特征在于,所述折边包括设于所述底板上的第一折边部,所述第一折边部设于所述第一U型边沿和/或所述第二U型边沿。
6.根据权利要求5所述的微波发生装置,其特征在于,所述第一折边部的宽度为a,所述底板的宽度为A,其中,0<a≤A/2;
并且/或者所述第一折边部的长度为b,所述底板的长度为B,其中,0<b≤B。
7.根据权利要求5所述的微波发生装置,其特征在于,所述折边还包括设于所述侧板上的第二折边部,所述第二折边部设于所述第一U型边沿和/或所述第二U型边沿。
8.根据权利要求7所述的微波发生装置,其特征在于,所述第二折边部的宽度为c,所述底板的宽度为A,其中,0<c≤A/2;
并且/或者所述第二折边部的长度为d,所述侧板的长度为D,其中,0<d≤D;
并且/或者所述第二折边部的宽度等于所述第一折边部的宽度。
9.根据权利要求3所述的微波发生装置,其特征在于,所述侧板与所述底座以榫卯方式连接。
10.根据权利要求9所述的微波发生装置,其特征在于,所述底座的边沿具有向所述底板一侧延伸的配合翻边,所述配合翻边上设有梯形缺口,所述侧板的底部边沿具有向所述安装空间的内部延伸的梯形凸块,所述梯形凸块与所述梯形缺口插接配合。
11.根据权利要求1至10任一项所述的微波发生装置,其特征在于,所述微波发生装置还包括第一聚磁件和第二聚磁件,所述第一聚磁件套装在所述部分结构上且与所述第一磁性件相抵接,所述第二聚磁件套装在所述部分结构上且与所述第二磁性件相抵接。
12.一种微波烹饪器具,其特征在于,所述微波烹饪器具包括根据权利要求1至11任一项所述的微波发生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211182497.4A CN117831881A (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 微波发生装置及微波烹饪器具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211182497.4A CN117831881A (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 微波发生装置及微波烹饪器具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117831881A true CN117831881A (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=90513844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211182497.4A Pending CN117831881A (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 微波发生装置及微波烹饪器具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117831881A (zh) |
-
2022
- 2022-09-27 CN CN202211182497.4A patent/CN117831881A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0291093B1 (en) | Stationary induction apparatus | |
KR20150109476A (ko) | 감소된 방사들을 갖는 브러시리스 dc 모터 | |
CN117831881A (zh) | 微波发生装置及微波烹饪器具 | |
EP1403899A2 (en) | Magnetron for microwave ovens | |
US7026762B2 (en) | Magnetron, and microwave oven and high-frequency heating apparatus each equipped with the same | |
CN110379692B (zh) | 一种采用对称磁路的微波炉用扁平化磁控管 | |
CN113097033B (zh) | 磁控管装置和微波炉 | |
CA1129096A (en) | Magnetron with continuous magnetic circuit | |
US3739225A (en) | Microwave magnetron | |
Oguro | Trends in magnetrons for consumer microwave ovens | |
CN216531840U (zh) | 线圈盘及电磁加热烹饪器具 | |
US6972522B2 (en) | Magnetron | |
JP3164907B2 (ja) | マグネトロン装置 | |
KR100539815B1 (ko) | 마그네트론의 가스켓 링 결합구조 | |
KR100686113B1 (ko) | 마그네트론의 접속리드 | |
CN117835476A (zh) | 微波发生装置及微波烹饪器具 | |
JPS587964Y2 (ja) | マグネトロン装置 | |
KR200141511Y1 (ko) | 마그네트론 | |
JPS6132779B2 (zh) | ||
JP2023548811A (ja) | 高出力インダクタ用の小型軽量の電磁シールド | |
KR0136620Y1 (ko) | 마그네트론 | |
KR200162643Y1 (ko) | 마그네트론 | |
KR950005554Y1 (ko) | 전자레인지용 마그네트론 | |
KR950006109Y1 (ko) | 전자레인지용 마그네트론의 영구자석 편심방지장치 | |
JPS5918610Y2 (ja) | マグネトロン |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |