CN117812967A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底及设置在衬底上的驱动电路层和发光功能层，发光功能层包括阳极、发光器件层和阴极；还包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素中阳极包括第一反射电极层及位于第一反射电极层的靠近发光器件层一侧的第一透明电极层，其厚度根据第一子像素的发光光谱峰值设定；第二子像素中的阳极包括第二反射电极层及位于第二反射电极层的靠近发光器件层一侧的第二透明电极层，其厚度根据第二子像素的发光光谱峰值设定；第三子像素中的阳极包括第三反射电极层及位于第三反射电极层的靠近发光器件层一侧的第三透明电极层，其厚度根据第三子像素的发光光谱峰值设定。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
相关技术中弱微腔器件效率低，难以满足高端产品对高亮度和低功耗的需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：
本发明第一方面提供了一种显示面板，包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层和发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的阳极、发光器件层和阴极；
其中，所述显示面板包括阵列包括的第一子像素、第二子像素和第三子像素，
所述第一子像素中的阳极包括第一反射电极层及位于所述第一反射电极层的靠近所述发光器件层一侧的第一透明电极层，所述第一透明电极层的厚度根据所述第一子像素的发光光谱峰值设定；
所述第二子像素中的阳极包括第二反射电极层及位于所述第二反射电极层的靠近所述发光器件层一侧的第二透明电极层，所述第二透明电极层的厚度根据所述第二子像素的发光光谱峰值设定；
所述第三子像素中的阳极包括第三反射电极层及位于所述第三反射电极层的靠近所述发光器件层一侧的第三透明电极层，所述第三透明电极层的厚度根据所述第三子像素的发光光谱峰值设定。
可选地，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。
可选地，所述第一子像素中的第一透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lr＝kr*λr/(4n)
其中，kr为正整数，λr为红光的发光光谱峰值，n为发光器件层的折射率；所述第二子像素中的第二透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lg＝kg*λg/(4n)
其中，kg为正整数，λg为绿光的发光光谱峰值；
所述第三子像素中的第三透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lb＝kb*λb/(4n)
其中，kb为正整数，λb为蓝光的发光光谱峰值。
可选地，所述第一子像素中的第一透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lr＝(2*λr/(4n)+3*λb/(4n))/2
其中，λr为红光的发光光谱峰值，n为发光器件层的折射率，λb为蓝光的发光光谱峰值；
所述第二子像素中的第二透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lg＝kg*λg/(4n)
其中，kg为正整数，λg为绿光的发光光谱峰值；
所述第三子像素中的第三透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lb＝Lr。
可选地，kg的取值为2。
可选地，所述发光器件层为白光发光器件层。
可选地，所述显示面板还包括位于所述白光发光器件层的远离所述衬底一侧的封装层和位于所述封装层的远离所述衬底一侧的彩膜层，所述彩膜层包括位于所述第一子像素中的第一滤光层、位于所述第二子像素中的第二滤光层和位于所述第三子像素中的第三滤光层。
可选地，所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述第三透明电极层的材料分别为氧化铟锡或氧化铟锌。
可选地，所述第一反射电极层、所述第二反射电极层和所述第三反射电极层的材料分别为银或铝。
本发明第二方面提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。
本发明的有益效果如下：
本发明提供了一种显示面板，能够在简单的背板工艺条件下实现强微腔，有效提升白色有机发光器件的效率和色域。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出相关技术中的显示面板结构示意图。
图2示出本发明一个实施例提供的显示面板的结构示意图。
图3示出本发明另一个实施例提供的显示面板的结构示意图。
图4示出红光、绿光和蓝光的不同光学周期和光学腔长的关系图。
具体实施方式
本公开中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本公开的教导。
在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。
在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
近年来，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)由于具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点而受到更多的关注。
作为其最明显的优势，硅基OLED依托半导体工艺成熟发展，将像素点直接置于硅晶圆上而不是玻璃基版，因此像素尺寸可以做到更小，像素密度更高。
相关技术中的硅基OLED产品路线是“弱微腔双叠层OLED+彩色滤光片(ColorFilter,CF)+透镜(LENs)”的技术方案。
在相关技术中，弱微腔白色有机发光二极管(White Organic Light EmittingDiode,Woled)结构制备方法包括：按照常规硅基阵列(Array)工艺进行硅基背板制备；在硅基背板上制备阳极层(Anode)，通过溅镀(Sputter)工艺在硅基背板上溅射依次形成氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)，厚度依次为和/>或者在硅基背板上制备阳极层(Anode)，通过溅镀(Sputter)工艺在硅基背板上溅射依次形成钛(Ti)、铝(Al)、钛(Ti)或氮化钛(TiN)以及氧化铟锡(ITO)，Ti的厚度为/>Al的厚度为Ti或TiN的厚度为/>ITO的厚度为/>经过涂胶、曝光、显影、刻蚀和剥离等黄光工艺最终形成对应红绿蓝像素的图案化阳极结构；在上述膜层上按照常规工艺进行像素界定层(Pixel Definition Layer,PDL)的工艺制备，包括底切(Undercut)结构制备；在上述背板结构上进行蒸镀工艺，蒸镀制备WOLED结构，其中WOLED结构为公共(Common)层结构，公共层结构的厚度为230nm～250nm，结构可以为单层(Single)或串联(Tandem)结构，膜层厚度需保证介于阴阳极间的微腔光学长度处于绿光的第二发光周期处；在上述有机膜层上通过Sputter工艺制备阴极氧化铟锌(IZO)层，厚度为按照常规方法进行后续的薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)及后段彩色滤光片(Color Filter,CF)和透镜(Lens)工艺。
如图1所示，在相关技术中的显示面板包括衬底101及依次层叠设置在所述衬底101上的驱动电路层和发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的阳极、发光器件层102和阴极103；其中，所述显示面板包括阵列包括的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素中的阳极104包括第一反射电极层1041及位于所述第一反射电极层1041的靠近所述发光器件层102一侧的第一透明电极层1042；所述第二子像素中的阳极包括第二反射电极层1051及位于所述第二反射电极层1051的靠近所述发光器件层102一侧的第二透明电极层1052；所述第三子像素中的阳极包括第三反射电极层1061及位于所述第三反射电极层1061的靠近所述发光器件层102一侧的第三透明电极层1062。其中，所述第一透明电极层1042的厚度等于所述第二透明电极层1052的厚度，所述第二透明电极层1052的厚度等于所述第三透明电极层1062的厚度。
进一步的，如图1所示，在相关技术中的显示面板还包括像素界定层107、封装层108、第一滤光层1091、第二滤光层1092和第三滤光层1093。
但是相关技术中弱微腔器件效率低，难以满足高端产品对高亮度和低功耗的需求。发明人发现，硅基OLED产品路线亟待升级更新，其中“弱微腔双叠层OLED+CF”的技术方案就是未来高端产品的技术路线之一。
有鉴于此，本发明的一个实施例提供了一种显示面板，如图2所示，包括衬底201及依次层叠设置在所述衬底201上的驱动电路层和发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的阳极、发光器件层202和阴极203；其中，所述显示面板包括阵列包括的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素中的阳极204包括第一反射电极层2041及位于所述第一反射电极层2041的靠近所述发光器件层202一侧的第一透明电极层2042，所述第一透明电极层2042的厚度根据所述第一子像素的发光光谱峰值设定；所述第二子像素中的阳极包括第二反射电极层2051及位于所述第二反射电极层2051的靠近所述发光器件层202一侧的第二透明电极层2052，所述第二透明电极层2052的厚度根据所述第二子像素的发光光谱峰值设定；所述第三子像素中的阳极包括第三反射电极层2061及位于所述第三反射电极层2061的靠近所述发光器件层202一侧的第三透明电极层2062，所述第三透明电极层2062的厚度根据所述第三子像素的发光光谱峰值设定。
具体的，在本实施例提供的显示面板中，所述第一透明电极层2042的厚度大于所述第二透明电极层2052的厚度，所述第三透明电极层2062的厚度大于所述第一透明电极层2042的厚度。
进一步的，如图2所示，所述显示面板还包括像素界定层207；还包括位于发光器件层202的远离所述衬底201一侧的封装层208和位于所述封装层208的远离所述衬底201一侧的彩膜层，所述彩膜层包括位于所述第一子像素中的第一滤光层2091、位于所述第二子像素中的第二滤光层2092和位于所述第三子像素中的第三滤光层2093。
在一个具体的示例中，封装层(TFE)208位于阴极203上，例如，封装层208包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。例如，第一无机封装层和第二无机封装层采用沉积等方式形成。有机封装层采用喷墨打印的方式形成。例如，第一无机封装层和第二无机封装层可以采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机材料形成，有机封装层可以采用聚酰亚胺(PI)、环氧树脂等有机材料形成。由此，第一无机封装层，有机封装层以及第二无机封装层形成为复合封装层，该复合封装层可以对OLED显示面板的功能结构形成多重保护，具有更好的封装效果。
本实施例分别通过第一透明电极层、第二透明电极层、第三透明电极层和发光器件层构成第一子像素对应的强微腔、第二子像素对应的强微腔和第三子像素对应的强微腔，第一子像素对应的强微腔的长度为发光器件层的厚度与第一透明电极层的厚度之和，第二子像素对应的强微腔的长度为发光器件层与第二透明电极层的厚度之和，第三子像素对应的强微腔的长度为发光器件层与第三透明电极层的厚度之和；本实施例能够在简单的背板工艺条件下实现强微腔，有效提升白色有机发光器件的效率和色域。
在一种可能的实现方式中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。
在一个具体的示例中，如图2所示，彩膜层位于封装层208上，彩膜层包括位于红色子像素中的红光滤光层(即第一滤光层2091)、位于绿色子像素中的绿光滤光层(即第二滤光层2092)和位于蓝色子像素中的蓝光滤光层(即第三滤光层2093)。
进一步的，彩膜层还包括保护层(OC)，保护层例如为有机材料。
进一步的，在相邻的不同颜色子像素之间的间隙位置，相邻的不同颜色子像素的滤光层形成交叠，从而在相邻的不同颜色子像素之间的间隙位置形成类似于黑矩阵层(BM)的遮光效果，避免不同颜色子像素之间的光线串扰，避免不同颜色子像素之间形成串色。
在一个具体的示例中，在所提供的OLED显示面板中，彩膜层或者说彩色滤光片(CF)集成于封装层称为COE结构。
在一种可能的实现方式中，所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述第三透明电极层的材料分别为氧化铟锡或氧化铟锌。
在一种可能的实现方式中，所述第一反射电极层、所述第二反射电极层和所述第三反射电极层的材料分别为银或铝。
在一个具体的示例中，对应3种光学调节层(即第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层)阳极架构的强微腔WOLED结构的制备方法包括：按照常规硅基Array工艺进行硅基背板制备；在上述膜层上制备Anode阳极架构；反射阳极的制备包括通过Sputter工艺在上述基板上溅射形成ITO、Ag和ITO，厚度为和/>或者通过Sputter工艺在上述基板上溅射形成Ti、Al、Ti或TiN和ITO，Ti的厚度为/>Al的厚度为/>Ti或TiN的厚度为/>ITO的/>经过一次涂胶、曝光、显影、刻蚀和剥离等黄光工艺形成对应红绿蓝像素的图案化化阳极结构；光学调节层的制备包括通过Sputter或者化学气相沉积法(PECVD)工艺在上述膜层上制备ITO和IZO其中几种膜层的组合堆叠形成3种光学调节层，第二光学调节层的厚度为/>对应绿光子像素，第一光学调节层的厚度为第二光学调节层的厚度+/>对应红光子像素，第三光学调节层的厚度为第二光学调节层的厚度+/>对应蓝光子像素；在上述膜层上按照常规工艺进行PDL的工艺制备，包括Undercut结构制备；在上述背板结构上进行蒸镀工艺，蒸镀制备WOLED结构，其中有机WOLED结构为Common层结构，有机层厚度为230nm～250nm，膜层厚度需保证介于阴阳极间的微腔光学长度处于绿光的第二发光周期处；在上述有机膜层上通过蒸镀工艺制备阴极层，其中镁(Mg)和银(Ag)的比为1:9，厚度为该阴极透过率(Transmittance,Tr)在550nm波长下为55％～57％，即为半透过阴极，保证光学强微腔的形成；按照常规方法进行后续的TFE封装及后段CF工艺。
在一种可能的实现方式中，所述第一子像素中的第一透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lr＝kr*λr/(4n)
其中，kr为正整数，λr为红光的发光光谱峰值，n为发光器件层的折射率；所述第二子像素中的第二透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lg＝kg*λg/(4n)
其中，kg为正整数，λg为绿光的发光光谱峰值；
所述第三子像素中的第三透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lb＝kb*λb/(4n)
其中，kb为正整数，λb为蓝光的发光光谱峰值。
发明人发现，实现WOLED强微腔阳极架构的前提条件是制备不同厚度的光学调节层，在阳极工艺中一般会经历至少3次的曝光刻蚀的黄光工艺，工艺复杂，良率低和成本高。
如图4和表1是针对叠层Tandem WOLED结构仿真和计算得到的RGB分别处于不同光学周期时所对应的光学腔长。可以看出蓝光第三光学谐振周期401(3rd order B)和红光第二光学谐振周期402(2nd order R)的位置很接近，在光学腔长上分别为和即红光和蓝光可以中和选择/>中的某一个腔长，即保证红色子像素和蓝色子像素对应的反射阳极和半透半反阴极间距离相同(即红色子像素和蓝色子像素的膜层厚度一样)。
表1 Tandem WOLED结构RGB不同光学周期时所对应的光学腔长表
为了改善上述阳极工艺复杂，良率低和成本高的问题，本实施例提出一种强微腔WOLED结构及其制备方法：红绿蓝三种子像素设计两种微腔长度，其中红色子像素对应的微腔长度为Lr，绿色子像素对应的微腔长度为Lg，蓝色子像素对应的微腔长度为Lb。
在一种可能的实现方式中，所述第一子像素中的第一透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lr＝(2*λr/(4n)+3*λb/(4n))/2
其中，λr为红光的发光光谱峰值，n为发光器件层的折射率，λb为蓝光的发光光谱峰值；
所述第二子像素中的第二透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lg＝kg*λg/(4n)
其中，kg为正整数，λg为绿光的发光光谱峰值；
所述第三子像素中的第三透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lb＝Lr。
在一个具体的示例中，kr＝2～3；n一般约为1.7；λr为红光对应的发光光谱峰值，一般为600nm～650nm，即对于红光而言，器件选择光学腔长在第2周期处，此时红光效率接近红光2周期最优位置。
在一个具体的示例中，kg＝2；λg为绿光对应的发光光谱峰值，一般为500nm～550nm，即对于绿光而言，器件选择光学腔长为第2周期时，此时绿光效率最优。
在一个具体的示例中，kb＝2～3，λb为蓝光对应的发光光谱峰值，一般为430nm～480nm，即对于蓝光而言，器件选择光学腔长在第3周期处，此时蓝光效率接近蓝光3周期最优位置。
在一个具体的示例中，Lg<Lr＝Lb，且270nm<Lr＝Lb<320nm。
在一种可能的实现方式中，kg的取值为2。
在一个具体的示例中，如图3所示，在相关技术中的显示面板包括衬底301及依次层叠设置在所述衬底301上的驱动电路层和发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的阳极、发光器件层302和阴极303；其中，所述显示面板包括阵列包括的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素中的阳极304包括第一反射电极层3041及位于所述第一反射电极层3041的靠近所述发光器件层302一侧的第一透明电极层3042；所述第二子像素中的阳极包括第二反射电极层3051及位于所述第二反射电极层3051的靠近所述发光器件层302一侧的第二透明电极层3052；所述第三子像素中的阳极包括第三反射电极层3061及位于所述第三反射电极层3061的靠近所述发光器件层302一侧的第三透明电极层3062。
具体的，所述第一透明电极层3042的厚度等于所述第三透明电极层3062的厚度，所述第一透明电极层3042的厚度大于所述第二透明电极层3052的厚度。
进一步的，所述显示面板还包括像素界定层307。
本实施例不仅在相关技术路线“弱微腔WOLED”的基础上引入光学微腔效应，有助于高效率和高色域的显示实现；同时，不同像素单元中阳极结构只有2种不同厚度设计，可以更好的平衡强微腔实现和背板工艺简化的优势，使强微腔WOLED工艺更易实现，优化简化阳极工艺，提升良率，降低成本。
在一个具体的示例中，对应2种光学调节层(包括第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层)阳极架构的强微腔WOLED结构的制备方法包括：按照常规硅基Array工艺进行硅基背板制备；在上述膜层上制备Anode阳极架构；反射阳极的制备包括通过Sputter工艺在上述基板上溅射形成ITO、Ag和ITO，厚度为和/>或者通过Sputter工艺在上述基板上溅射形成Ti、Al、Ti或TiN和ITO，Ti的厚度为/>Al的厚度为/>Ti或TiN的厚度为/>ITO的厚度为/>经过一次涂胶、曝光、显影、刻蚀和剥离等黄光工艺形成对应红绿蓝像素的图案化阳极结构；光学调节层的制备包括：通过Sputter或者PECVD工艺在上述膜层上制备ITO和IZO其中几种膜层的组合堆叠形成2种光学调节层；第二透明电极层的厚度为/>对应绿光子像素，第一透明电极层的厚度等于第三透明电极层的厚度，第一透明电极层的厚度和第三透明电极层的厚度为第二透明电极层的厚度+/>分别对应蓝光子像素和红光子像素，其中在上述膜层上按照常规工艺进行PDL的工艺制备，包括Undercut结构制备；在上述背板结构上进行蒸镀工艺，蒸镀制备WOLED结构，其中有机WOLED结构为Common层结构，有机层厚度为230nm～250nm，膜层厚度需保证介于阴阳极间的微腔光学长度处于绿光的第二发光周期处；在上述有机膜层上通过蒸镀工艺制备阴极层，阴极中镁(Mg)和银(Ag)的比为1:9，厚度为/>该阴极透过率(Transmittance,Tr)在550nm波长下为55％～57％，即为半透过阴极，保证光学强微腔的形成；按照常规方法进行后续的TFE封装及后段CF工艺。
如表2所示为图1、图2和图3的显示面板的性能对比表，其中色域为在数字电影技术的色域(DCI-P3)。
表2图1、图2和图3的显示面板的性能对比表
由此可见，相关技术中的弱微腔结构(图1)的效率低，色域小，综合性能差，引入强微腔效应后(图2和图3)，器件效率有大幅度提升，色域也增大。图3在保较优效率和色域的前提下，Anode工艺较图2节省1道掩模(Mask)，节省一次黄光工艺，工艺更简单，良率提升，成本降低。
在一种可能的实现方式中，如图3所示，所述发光器件层302为白光发光器件层。
在一个具体的示例中，白光发光器件层可以为串联结构或单层结构。
在一个具体的示例中，发光器件层302形成在像素界定层307和像素界定层307的开口中暴露的阳极上，位于红色子像素中、位于绿色子像素中和位于蓝色子像素中的发光器件层302分别为用于发出白光的白光发光层。此外，发光功能层还可包括有助于发光器件层302发光的辅助发光层，辅助发光层例如包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EIL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个膜层。发光层203和辅助发光层例如为有机材料层。
在一种可能的实现方式中，如图3所示，所述显示面板还包括位于所述白光发光器件层的远离所述衬底301一侧的封装层308和位于所述封装层308的远离所述衬底301一侧的彩膜层，所述彩膜层包括位于所述第一子像素中的第一滤光层3091、位于所述第二子像素中的第二滤光层3092和位于所述第三子像素中的第三滤光层3093。
本发明的另一个实施例提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示模组。其中，显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。
显然，本公开的上述实施例仅仅是为清楚地说明本公开所作的举例，而并非是对本公开的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本公开的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本公开的保护范围之列。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层和发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的阳极、发光器件层和阴极；
其中，所述显示面板包括阵列包括的第一子像素、第二子像素和第三子像素，
所述第一子像素中的阳极包括第一反射电极层及位于所述第一反射电极层的靠近所述发光器件层一侧的第一透明电极层，所述第一透明电极层的厚度根据所述第一子像素的发光光谱峰值设定；
所述第二子像素中的阳极包括第二反射电极层及位于所述第二反射电极层的靠近所述发光器件层一侧的第二透明电极层，所述第二透明电极层的厚度根据所述第二子像素的发光光谱峰值设定；
所述第三子像素中的阳极包括第三反射电极层及位于所述第三反射电极层的靠近所述发光器件层一侧的第三透明电极层，所述第三透明电极层的厚度根据所述第三子像素的发光光谱峰值设定。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一子像素中的第一透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lr＝kr*λr/(4n)
其中，kr为正整数，λr为红光的发光光谱峰值，n为发光器件层的折射率；
所述第二子像素中的第二透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lg＝kg*λg/(4n)
其中，kg为正整数，λg为绿光的发光光谱峰值；
所述第三子像素中的第三透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lb＝kb*λb/(4n)
其中，kb为正整数，λb为蓝光的发光光谱峰值。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一子像素中的第一透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lr＝(2*λr/(4n)+3*λb/(4n))/2
其中，λr为红光的发光光谱峰值，n为发光器件层的折射率，λb为蓝光的发光光谱峰值；
所述第二子像素中的第二透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lg＝kg*λg/(4n)
其中，kg为正整数，λg为绿光的发光光谱峰值；
所述第三子像素中的第三透明电极层与发光器件层的厚度之和为
Lb＝Lr。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，kg的取值为2。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层为白光发光器件层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述白光发光器件层的远离所述衬底一侧的封装层和位于所述封装层的远离所述衬底一侧的彩膜层，所述彩膜层包括位于所述第一子像素中的第一滤光层、位于所述第二子像素中的第二滤光层和位于所述第三子像素中的第三滤光层。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述第三透明电极层的材料分别为氧化铟锡或氧化铟锌。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一反射电极层、所述第二反射电极层和所述第三反射电极层的材料分别为银或铝。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410007699.8A CN117812967A (zh) | 2024-01-02 | 2024-01-02 | 一种显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410007699.8A CN117812967A (zh) | 2024-01-02 | 2024-01-02 | 一种显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117812967A true CN117812967A (zh) | 2024-04-02 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410007699.8A Pending CN117812967A (zh) | 2024-01-02 | 2024-01-02 | 一种显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN117812967A (zh) |
-
2024
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