CN117810275A - 光电探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种光电探测器，涉及半导体技术领域，包括硅基层、连接层、第一陷光层、第二陷光层及光栅层，硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；连接层设置在出光面上；第一陷光层设置在入光面朝向出光面的一侧；第二陷光层设置在出光面朝向入光面的一侧；光栅层设置在连接层与出光面之间。本发明技术方案分别在硅基层的入光面和出光面上设置了陷光层，在第二陷光层的作用下，改变了出光面的表面结构，降低了光在进入出光面时的反射率，配合光栅层与硅形成等离子体激元效应，增强硅基层的光吸收效率。在第一陷光层的作用下，提高了光的反射率，防止光从入光面射出，大大提高了硅基层的光吸收率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光电探测器。
背景技术
单光子雪崩二极管（Single Photon Avalanche Diode，SPAD）是一种具有弱光探测能力的光电探测雪崩二极管。其因具有增益高、响应快、灵敏度高等优点，被广泛用于拉曼光谱、正电子发射断层扫描和荧光寿命成像等领域。
SPAD利用雪崩倍增效应实现对微量光子的探测，其工作原理为：在SPAD两端施加一个大于雪崩击穿电压的反向偏置电压，当光子入射时，价带电子吸收光子并跃迁至导带，产生电子-空穴对。光生电子-空穴对在外加电场的作用下加速并获得足够的能量，与晶格发生碰撞后即可形成新的电子-空穴对。随着新的电子和空穴不断重复加速并碰撞晶格的过程，电子-空穴对成倍增加，出现雪崩倍增效应。这时SPAD内的载流子数量迅速增大，电流急剧增大，仪器探测效率大大提高。
目前SPAD在近红外处探测存在以下不足：当未被吸收的入射光穿过硅基层，照到底部连接层时，会被反射，形成初次反射光。初次反射光会再次进入硅中被吸收。但是初次反射光在进入硅基层时，因为在硅表面不存在任何结构上的改变，导致在进入硅基层时反射率过高，对于红外波段，进入硅基层时的反射率为18%左右。使得硅反射光重新反射至底部连接层，导致硅基层的光吸收效率降低。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种光电探测器，旨在解决现有技术中光在底部连接层与硅基层之间重复反射，导致硅基层的光吸收效率降低的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出一种光电探测器，所述光电探测器包括：
硅基层，所述硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；
连接层，所述连接层设置在所述出光面上；
第一陷光层，所述第一陷光层设置在所述入光面朝向所述出光面的一侧；
第二陷光层，所述第二陷光层设置在所述出光面朝向所述入光面的一侧；
光栅层，所述光栅层设置在所述连接层与所述出光面之间。
可选地，所述出光面上具有第一电极区、围合在所述第一电极区的第一安装区以及围合在所述第一安装区周围的第二电极区；
所述第二陷光层包括多个第二凸块，多个所述第二凸块均匀间隔设置在所述第一安装区，所述第一电极区与所述第二电极区均用于连接外部电极。
可选地，任意相邻两个所述第二凸块之间的间隔为50nm~200nm。
可选地，所述第二凸块呈四棱锥体，所述第二凸块在垂直所述出光面方向上的投影呈正方向，所述第二凸块的正方形投影的边长为600nm~800nm。
可选地，所述光栅层包括多个光栅条，多个所述光栅条间隔设置在所述连接层与所述出光面之间；
其中，多个所述第二凸块呈阵列分布，所述光栅条与所述阵列的行方向或列方向平行。
可选地，所述连接层朝向所述出光面的一侧上具有第二安装区，所述第二安装区的位置与所述第一安装区的位置相对应；
多个所述光栅条间隔设置在所述第二安装区内。
可选地，所述光栅条的厚度为100nm~300nm，宽度为100nm~300nm，任意相邻两个所述光栅条之间的间距为50nm~200 nm。
可选地，所述第一陷光层包括多个第一凸块，多个所述第一凸块均匀间隔设置在所述入光面上。
可选地，所述光电探测器还包括反射板，所述反射板设置在所述连接层内，所述反射板的位置与所述光栅层的位置相对应。
可选地，所述光电探测器还包括隔离层，所述隔离层设置在所述硅基层的侧壁上。
本发明技术方案分别在所述硅基层的入光面和出光面上设置了陷光层，在所述第二陷光层的作用下，改变了所述出光面的表面结构，降低了光在进入所述出光面时的反射率，配合所述光栅层与硅形成等离子体激元效应，增强所述硅基层的光吸收效率。在所述第一陷光层的作用下，提高了光的反射率，防止光从所述入光面射出，大大提高了所述硅基层的光吸收率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明光电探测器的主视图；
图2为本发明光电探测器中第二陷光层的俯视图；
图3为本发明光电探测器中光栅层的俯视图；
图4为本发明光电探测器中光波长与光吸收率的比例图。
附图标号说明：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供了一种光电探测器，所述光电探测器包括硅基层10、连接层20、第一陷光层30、第二陷光层40及光栅层50，所述硅基层10上相对的两面分别为入光面11和出光面12；所述连接层20设置在所述出光面12上；所述第一陷光层30设置在所述入光面11朝向所述出光面12的一侧；所述第二陷光层40设置在所述出光面12朝向所述入光面11的一侧；所述光栅层50设置在所述连接层20与所述出光面12之间。
本实施例中，所述硅基层10均采用背照式（Back Side Illumination，BSI）雪崩二极管（Single Photon Avalanche Diode，SPAD）结构，向所述硅基层10中注入离子，所述连接层20内用于安装SPAD与外部电源或设备电连接的电路。背照式工艺将做好电极和引线的SPAD直接翻转并与下方所述连接层20中的电路连接，然后把SPAD上方减薄至目标厚度，从而大幅提高SPAD的填充因子（Fill Factor），提高光电探测效率。
请参照图1，入射光从所述入光面11进入所述硅基层10中，透过所述硅基层10从底部的所述出光面12射出，部分光在所述连接层20的作用下被反射再次进入所述硅基层10中。
所述硅基层10内具有雪崩区90，也可以通过调整所述硅基层10中雪崩区90大小的方式来提高入射光的光程，入射光通常为近红外光。入射光在所述硅基层10中被吸收，并在迁移到雪崩区90引发雪崩。未被吸收的入射光从所述出光面12射出，最后被所述连接层20反射回所述硅基层10。
在所述连接层20的底部，也即所述连接层20背离所述硅基层10的一侧还可设置晶圆层。所述连接层20由二氧化硅制成，通过蚀刻、嵌入等方式在所述连接层20上制作形成金属连线。并与底部晶圆层中的晶圆体键合。近红外光透过所述硅基层10，并将检测的电信号通过线路发送至晶圆层。
其中二氧化硅对近红外光吸收为0。此外，所述连接层20也可以采用其他相同或相似性能材料进行制备。
为了提高近红外光的吸收效率，在所述入光面11的内侧，也即朝向所述出光面12的一侧设置了所述第一陷光层30；同时，在所述出光面12的内侧，也即朝向所述入光面11的一侧设置了所述第二陷光层40。在设置陷光层后，需对陷光层平坦化。
在所述入光面11的外侧还可以安装透镜80，透镜80可以采用凸透镜80，从而起到光线汇聚的效果，使更多的近红外光穿过所述入光面11进入到所述硅基层10中。
当近红外光通过所述入光面11进入所述硅基层10后，部分近红外光由于反射作用会被反射至所述入光面11，因此，在所述第一陷光层30作用下，近红外光通过所述第一陷光层30的表面再次反射，避免其射出所述入光面11，从而起到将近红外光限制在所述硅基层10中的作用，以提高所述硅基层10的光吸收率。
另外，通过调整所述第一陷光层30的表面形状，还能够使近红外光产生漫反射效果，进一步增加近红外光在所述硅基层10中的光程，从而提高对近红外光的吸收率。
作为一种实施例，可通过在所述入光面11上设置多个凸块形成所述第一陷光层30，实现改变表面形状的效果。具体的，所述第一陷光层30包括多个第一凸块31，多个所述第一凸块31均匀间隔设置在所述入光面11上。
所述第一凸块31可以采用四棱锥结构，请参照图1，所述第一凸块31的横截面呈三角形。多个所述第一凸块31间隔设置形成锯齿状结构，近红外光射入后在所述第一陷光层30的实现所述第一陷光层30的漫反射效果。
当近红外光透过所述硅基层10后，最终会射入到所述出光面12上。同理，在所述出光面12上设置多个所述第二凸块41来形成所述第二陷光层40。所述第二凸块41的形状与所述第一凸块31的形状相似。同样达到防止近红外光从所述硅基层10中射出，在所述第一陷光层30和所述第二陷光层40的相互配合下，实现将近红外光“锁”在所述硅基层10中的效果，提高所述硅基层10的光吸收率。
然而，需要说明的是，为了能使所述连接层20与底部的晶圆体电连接，需要在所述出光面12一侧设置电极。
因此，请参照图2，所述出光面12上具有第一电极区121、围合在所述第一电极区121的第一安装区123以及围合在所述第一安装区123周围的第二电极区122。
本实施例中使用Charge focusing（电荷聚焦）结构，所述出光面12一侧需要留出用于与电极连接的所述第一电极区121和所述第二电极区122。
所述第一电极区121可设置在所述出光面12的中心位置，所述第一安装区123则呈环形将所述第一电极区121包裹住，最后将所述出光面12上剩余的边缘部分作为所述第二电极区122。
其中，所述第一电极区121与SPAD阴极电连接，所述第二电极区122与SPAD阳极电连接，中间呈环形设置的所述第一安装区123则用于安装多个所述第二凸块41。
在上述方案中，针对不同方向的近红外光进行检测时，所述入光面11的安装方向可进行调整，例如向左或者向右等。
同时，在所述光栅层50的作用下，所述光栅层50与所述第二陷光层40相互配合，能够使得近红外光产生衍射效应，改变其光场分布。同时所述光栅层50与所述硅基层10之间也会产生等离子体激元效应，增加所述硅基层10的红外吸收率。
本实施例中，通过FDTD 光场仿真，请参照图4，当近红外光波长为850nm左右时，光吸收率为73%；当近红外光波长为905nm左右时，光吸收率为64%；当近红外光波长为940nm左右时，光吸收率为57%。得出结论，针对各个波长段的近红外光，光吸收率均有明显提升。
本发明技术方案分别在所述硅基层10的入光面11和出光面12上设置了陷光层，在所述第二陷光层40的作用下，改变了所述出光面12的表面结构，降低了光在进入所述出光面12时的反射率，配合所述光栅层50与硅形成等离子体激元效应，增强所述硅基层10的光吸收效率。在所述第一陷光层30的作用下，提高了光的反射率，防止光从所述入光面11射出，大大提高了所述硅基层10的光吸收率。
进一步地，所述光栅层50包括多个光栅条51，多个所述光栅条51间隔设置在所述连接层20与所述出光面12之间；其中，多个所述第二凸块41呈阵列分布，所述光栅条51与所述阵列的行方向或列方向平行。
为了保证所述光栅条51可以与所述硅基层10形成等离子体激元效应，增强所述硅基层10的光吸收率。所述光栅条51的位置应当与所述第二凸块41的位置相对应。因此，在所述连接层20朝向所述出光面12的一侧同样设置环形的所述第二安装区，在垂直所述出光面12的方向，所述第一安装区123与所述第二安装区的投影重叠。
本实施例中，多个所述第二凸块41之间阵列分布在所述第一安装区123内，在安装时，将所述光栅条51保持与所述第二凸块41阵列的行或者列方向平行，为了能够使每一条所述光栅条51能够覆盖住一行或一列所述第二凸块41，可对所述第二凸块41和所述光栅条51的尺寸进行控制和调整。
请参照图2，所述第二凸块41呈四棱锥体，所述第二凸块41在垂直所述出光面12方向上的投影呈正方向，所述光栅条51为长条状的四边形。所述第二凸块41的正方形投影的边长为600nm~800nm，任意相邻两个所述第二凸块41之间的间隔为50nm~200nm。请参照图3，所述光栅条51宽度为100nm~300nm，任意相邻两个所述光栅条51之间的间距为50nm~200nm。通过调整所述第二凸块41和所述光栅条51的尺寸，保证所述光栅条51能够覆盖在每一行或每一列所述第二凸块41上。
进一步地，所述光电探测器还包括反射板60，所述反射板60设置在所述连接层20内，所述反射板60的位置与所述光栅层50的位置相对应。近红外光在穿过所述硅基层10后，最终从所述出光面12射出。
所述反射板60靠近位于所述连接层20靠近所述硅基层10的一侧，采用金属材质制作，从而使得近红外光从所述出光面12射出后，射入到所述反射板60上，在所述反射板60的作用下近红外光被反射又重新从所述出光面12进入到所述硅基层10中，并被所述硅基层10重新吸收。进一步提高整体近红外光的吸收效率，提高检测精确度。
进一步地，所述光电探测器还包括隔离层70，所述隔离层70设置在所述硅基层10的侧壁上。
所述隔离层70设置在所述硅基层10的侧壁内侧，其中，所述硅基层10的侧壁是指连接所述出光面12与所述入光面11的连接壁。请参照图1，侧壁与所述出光面12和所述入光面11垂直连接，根据不同实验对光学特性的要求，可调整侧壁的形状或尺寸。
所述隔离层70将整个所述硅基层10的侧壁包裹住，用于光学串扰隔离。另外，在所述隔离层70的作用下，还能够能防止高电压击穿被包裹的所述硅基层10。提高整体的稳定性。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：
硅基层，所述硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；
连接层，所述连接层设置在所述出光面上；
第一陷光层，所述第一陷光层设置在所述入光面朝向所述出光面的一侧；
第二陷光层，所述第二陷光层设置在所述出光面朝向所述入光面的一侧；
光栅层，所述光栅层设置在所述连接层与所述出光面之间。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述出光面上具有第一电极区、围合在所述第一电极区的第一安装区以及围合在所述第一安装区周围的第二电极区；
所述第二陷光层包括多个第二凸块，多个所述第二凸块均匀间隔设置在所述第一安装区，所述第一电极区与所述第二电极区均用于连接外部电极。
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，任意相邻两个所述第二凸块之间的间隔为50nm~200nm。
4.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述第二凸块呈四棱锥体，所述第二凸块在垂直所述出光面方向上的投影呈正方向，所述第二凸块的正方形投影的边长为600nm~800nm。
5.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述光栅层包括多个光栅条，多个所述光栅条间隔设置在所述连接层与所述出光面之间；
其中，多个所述第二凸块呈阵列分布，所述光栅条与所述阵列的行方向或列方向平行。
6.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述连接层朝向所述出光面的一侧上具有第二安装区，所述第二安装区的位置与所述第一安装区的位置相对应；
多个所述光栅条间隔设置在所述第二安装区内。
7.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述光栅条的厚度为100nm~300nm，宽度为100nm~300nm，任意相邻两个所述光栅条之间的间距为50nm~200 nm。
8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一陷光层包括多个第一凸块，多个所述第一凸块均匀间隔设置在所述入光面上。
9.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括反射板，所述反射板设置在所述连接层内，所述反射板的位置与所述光栅层的位置相对应。
10.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括隔离层，所述隔离层设置在所述硅基层的侧壁上。
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