CN117809563A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开内容涉及显示装置。显示装置包括：显示面板，其包括显示区域和形成在显示区域外部的非显示区域，并且具有多个像素；以及栅极驱动单元，其包括用于向显示面板供应扫描信号的扫描驱动单元和用于供应发射控制信号的发射控制驱动单元。多个像素包括：发光元件，其用于以与所施加的驱动电流的电流量对应的亮度发光；驱动晶体管，其用于控制施加至发光元件的电流量；存储电容器，其连接至驱动晶体管；以及第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管包括氧化物半导体层，并且被配置成根据扫描信号同时导通。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年9月30日提交的大韩民国专利申请第10-2022-0124930号的优先权，该韩国专利申请通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开内容涉及使用可变刷新率(VRR)模式的显示装置，并且旨在通过简化像素电路和栅极驱动单元来实现具有窄边框的显示装置。
背景技术
使用诸如有机发光二极管的发光元件的显示装置可以由各种驱动频率来驱动。
近来，作为显示装置所需的各种功能之一，还需要可变刷新率(VRR)。VRR是通过以恒定频率驱动并在需要高速驱动时增加刷新率来操作像素的技术。此外，它是在减少功耗或需要低速驱动时通过降低刷新率来操作像素的技术。
发明内容
本公开内容的一个实施方式涉及使用可变刷新率(VRR)模式的显示装置，并且可以通过在VRR模式下的低频驱动期间对供应至像素电路的栅极信号进行集成来简化像素电路和栅极驱动单元，从而实现具有窄边框的显示装置。
根据本公开内容的实施方式的显示装置包括：显示面板，其包括显示区域和形成在显示区域外部的非显示区域，并且具有多个像素；以及栅极驱动单元，其包括用于向显示面板供应扫描信号的扫描驱动单元和用于供应发射控制信号的发射控制驱动单元。多个像素包括：发光元件，其用于以与所施加的驱动电流的电流量对应的亮度发光；驱动晶体管，其用于控制施加至发光元件的电流量；存储电容器，其连接至驱动晶体管；以及第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管包括氧化物半导体层，并且被配置成根据扫描信号同时导通。
本公开内容的目的不限于前述内容，并且其他未提及的目的根据下面的描述对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
本公开内容的效果
根据本公开内容的实施方式的显示装置可以集成施加至像素电路中的多个开关晶体管的扫描信号。还可以集成施加至剩余的多个开关晶体管的发射控制信号。因此，可以简化像素的结构。由于栅极驱动单元被配置成仅具有一个扫描驱动单元和一个发射控制信号驱动单元，因此可以简化栅极驱动单元的结构，从而实现窄边框。此外，随着构成栅极驱动单元的电路被简化，功耗也可以降低。本公开内容的效果不限于前述内容，并且其他未提及的效果根据下面的描述对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和优点，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的框图；
图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的堆叠形式的截面图；
图3是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中的像素电路的视图；
图4是示出图3所示的根据本公开内容的实施方式的像素电路的示例驱动时序的视图；
图5A、图5B和图5C是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中的栅极驱动单元的配置的视图；以及
图6A和图6B是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的栅极驱动单元的电路的视图。
具体实施方式
通过以下结合附图描述的实施方式，可以理解本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。然而，本公开内容不限于本文所公开的实施方式，并且可以对其进行各种改变。提供本文所公开的实施方式仅是为了告知本领域普通技术人员本公开内容的类别。本公开内容仅由所附权利要求来限定。贯穿整个说明书，相同的附图标记表示相同的元件。
应当理解，当元件被称为“连接”或“耦接”至另一元件时，该元件可以直接地连接或耦接至另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦接”至另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或更多个的任何和所有组合。
如本文所使用的术语仅是为了描述其一些实施方式而提供的，而不旨在限制本公开内容。如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。如本文所使用的，术语“包括”和/或“包含”不排除已经提到的部件、步骤、操作和/或元件之外的一个或更多个其他部件、步骤、操作和/或元件的存在或添加。
尽管术语“第一”和“第二”用于描述各种部件，但是这些部件不受术语的限制。提供这些术语仅为了将一个部件与另一部件区分开。
因此，在本公开内容的技术精神内，本文所提到的第一部件也可以是第二部件。除非另有限定，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以被解释为如本公开内容所属领域普通技术人员通常理解的。此外，除非明确或特别限定，否则通常使用的词典中定义的术语不会被理想地或过度地解释。
图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的框图。
参照图1，显示装置10包括：显示面板100，其包括多个像素P；控制器200；栅极驱动单元300(例如，电路)，其用于向多个像素P中的每一个供应栅极信号；数据驱动单元400(例如，电路)，其用于向多个像素P中的每一个供应数据信号；以及电力供应单元500(例如，电路)，其用于向多个像素P中的每一个供应驱动所需的电力。
显示面板100包括定位有像素P的显示区域AA(参照图2)以及围绕显示区域AA并且设置有栅极驱动单元300和数据驱动单元400的非显示区域NA(参照图2)。
在显示面板100中，多个栅极线GL和多个数据线DL彼此交叉。多个像素P中的每一个连接至栅极线GL和数据线DL。具体地，一个像素P通过栅极线GL从栅极驱动单元300接收栅极信号，通过数据线DL从数据驱动单元400接收数据信号，并且从电力供应单元500接收高电位驱动电压EVDD和低电位驱动电压EVSS。
此处，栅极线GL供应扫描信号SC和发射控制信号EM，并且数据线DL供应数据电压Vdata。此外，根据各种实施方式，栅极线GL可以包括用于供应扫描信号SC的多个扫描线SCL以及用于供应发射控制信号EM的发射控制线EML。此外，多个像素P还可以包括用于接收偏置电压Vobs和初始化电压Var和Vini的电力线VL。
此外，像素P中的每一个可以包括发光元件EL和控制发光元件EL的驱动的像素电路，如图2所示。发光元件EL包括阳极电极171、阴极电极173以及阳极电极171与阴极电极173之间的发光层172。
像素电路可以包括多个开关元件、驱动元件和电容器。开关元件和驱动元件可以包括晶体管。在像素电路中，驱动元件根据数据电压控制供应至发光元件EL的电流量，从而调节从发光元件EL发射的光量。多个开关元件接收通过多个扫描线SCL供应的扫描信号SC以及通过发射控制线EML供应的发射控制信号EM，从而操作像素电路。
显示面板100可以被实现为非透射显示面板或透射显示面板。透射显示面板可以应用于在屏幕上显示图像并且可以看到背景中的真实对象的透明显示装置。显示面板100可以由柔性显示面板形成。柔性显示面板可以被实现为使用塑料基板的有机发光二极管(OLED)面板。
像素P中的每一个可以被划分成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素以用于颜色实现。像素P中的每一个还可以包括白色子像素。像素P中的每一个包括像素电路。
在显示面板100上可以设置有触摸传感器。触摸输入可以由单独的触摸传感器感测或者通过像素P感测。触摸传感器可以以单元上型(on-cell type)或附加型(add-ontype)设置在显示面板100的屏幕上，或者被实现为内置在显示面板100中的单元内型(in-cell type)触摸传感器。
控制器200处理从外部输入的图像数据RGB以适合显示面板100的尺寸和分辨率，并且将数据供应至数据驱动单元400。控制器200使用从外部输入的同步信号(例如点时钟信号CLK、数据使能信号DE、水平同步信号Hsync和竖直同步信号Vsync)来生成栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。通过将所生成的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS分别供应至栅极驱动单元300和数据驱动单元400，控制栅极驱动单元300和数据驱动单元400。
在这种情况下，竖直同步信号Vsync的一个时段是一个帧时段。水平同步信号Hsync和数据使能信号DE的一个时段是一个水平时段(1H)。数据使能信号DE的脉冲可以与要写入1个像素线的像素的1个线数据同步。取决于要安装在其上的装置，控制器200可以被配置成与各种处理器例如微处理器、移动处理器、应用处理器等集成。
主机系统可以是电视(TV)系统、机顶盒、导航系统、个人计算机(PC)、家庭影院系统、移动装置、可穿戴装置和车辆系统中的任何一个。
控制器200将输入帧频乘以i，以在输入帧频×i(其中，i是大于0的正整数)Hz的帧频下控制显示面板驱动单元的操作时序。输入帧频率在国家电视标准委员会(NTSC)方案中为60Hz，而在相位交替线(PAL)方案中为50Hz。
控制器200生成信号，使得可以以各种刷新率驱动像素P。换句话说，控制器200生成驱动相关信号，使得像素P以可变刷新率(VRR)模式被驱动，或者可在第一刷新率与第二刷新率之间切换。例如，控制器200可以简单地改变时钟信号的速度，生成同步信号以创建水平空白或竖直空白，或者以掩模方案驱动栅极驱动单元300，从而以各种刷新率驱动像素P。
控制器200基于从主机系统接收的时序信号Vsync、Hsync和DE生成用于控制栅极驱动单元300的操作时序的栅极控制信号GCS和用于控制数据驱动单元400的操作时序的数据控制信号DSC。控制器200控制显示面板驱动单元的操作时序，以使栅极驱动单元300和数据驱动单元400同步。
从控制器200输出的栅极控制信号GCS的电压电平可以通过电平移位器(未示出)被转换成栅极导通电压VGL和VEL以及栅极截止电压VGH和VEH，并且被供应至栅极驱动单元300。电平移位器将栅极控制信号GCS的低电平电压转换成栅极低电压VGL，并且将栅极控制信号GCS的高电平电压转换成栅极高电压VGH。栅极控制信号GCS包括起始脉冲和移位时钟。
栅极驱动单元300根据从控制器200供应的栅极控制信号GCS将扫描信号SC供应至栅极线GL。栅极驱动单元300可以以面板内栅极(GIP)类型设置在显示面板100的一侧或两个相对侧上。
栅极驱动单元300在控制器200的控制下将栅极信号顺序地输出至多个栅极线GL。栅极驱动单元300可以通过使用移位寄存器对栅极信号进行移位来将栅极信号顺序地供应至栅极线GL。
在有机发光显示装置中，栅极信号可以包括扫描信号(SC)和发射控制信号(EM)。扫描信号SC可以包括在栅极导通电压VGL与栅极截止电压VGH之间摆动的扫描脉冲。发射控制信号EM可以包括在栅极导通电压VEL与栅极截止电压VEH之间摆动的发射控制信号脉冲。
扫描脉冲与数据电压Vdata同步，以选择要写入数据的行的像素P。发射控制信号EM限定像素P的发射时间
栅极驱动单元300可以包括发射控制信号驱动单元310和至少一个扫描驱动单元320。
发射控制信号驱动单元310响应于来自控制器200的起始脉冲和移位时钟而输出发射控制信号脉冲，并且根据移位时钟对发射控制信号脉冲进行顺序移位。
至少一个扫描驱动单元320(例如，电路)可以响应于来自控制器200的起始脉冲和移位时钟而输出扫描脉冲，并且根据移位时钟时序对扫描脉冲进行移位。
数据驱动单元400(例如，电路)可以根据从控制器200供应的数据控制信号DCS将图像数据RGB转换成数据电压Vdata，并且通过数据线DL将转换后的数据电压Vdata供应至像素P。
尽管在图1中示出了一个数据驱动单元400设置在显示面板100的一侧上，但是数据驱动单元400的数目和位置不限于此。
换句话说，数据驱动单元400可以包括多个集成电路(IC)，并且可以被划分成多个单元并设置在显示面板100的一侧上。
电力供应单元500通过DC-DC转换器生成用于驱动显示面板100的像素阵列和显示面板驱动单元所需的直流(DC)电力。DC-DC转换器可以包括电荷泵、调节器、降压转换器、升压转换器等。电力供应单元500接收从主机系统(未示出)施加的DC输入电压，并且生成DC电压例如栅极导通电压VGL和VEL、栅极截止电压VGH和VEH、高电位驱动电压EVDD以及低电位驱动电压EVSS。栅极导通电压VGL和VEL以及栅极截止电压VGH和VEH被供应至电平移位器(未示出)和栅极驱动单元300。高电位驱动电压EVDD和低电位驱动电压EVSS被共同供应至像素P。
图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的堆叠形式的截面图。
参照图2，在基板101上的显示区域AA中可以设置有用于驱动发光元件EL的晶体管TFT。晶体管TFT可以包括半导体层115、栅电极125以及源电极和漏电极140。晶体管TFT是驱动晶体管DT(参见图4)。为了便于描述，在可以包括在显示装置10中的各种晶体管中仅示出了驱动晶体管DT，但是其他晶体管例如开关晶体管也可以包括在显示装置10中。此外，尽管在本公开内容中将晶体管TFT描述为具有共面结构，但是晶体管可以以另一种结构例如交错结构实现，但是不限于此。
驱动晶体管DT响应于供应至驱动晶体管DT的栅电极125的数据信号来接收高电位驱动电压EVDD，并且控制供应至发光元件EL的电流，以调节从发光元件EL发射的光量，并且供应恒定电流，直至下一帧的数据信号由存储电容器(未示出)中充电的电压供应，以保持发光元件EL的光发射。高电位电源线可以平行于数据线形成。
如图2所示，晶体管TFT可以包括：设置在第一绝缘层110上的半导体层115；与半导体层115交叠的栅电极125，其中在第一绝缘层110与栅电极125之间设置有第二绝缘层120；以及形成在第三绝缘层135上以接触半导体层115的源电极和漏电极140。
半导体层115可以是驱动晶体管TFT时形成沟道的区域。半导体层115可以由氧化物半导体形成，或者可以由各种有机半导体例如非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或并五苯形成，但不限于此。半导体层115可以形成在第一绝缘层110上。半导体层115可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域。沟道区域可以在第一绝缘层110设置在沟道区域与栅电极125之间的情况下与栅电极125交叠，以在源电极与漏电极140之间形成沟道区域。源极区域通过穿透第二绝缘层120和第三绝缘层135的接触孔电连接至源电极140。漏极区域可以通过穿透第二绝缘层120和第三绝缘层135的接触孔电连接至漏电极140。在半导体层115与基板101之间可以设置有缓冲层105和第一绝缘层110。缓冲层105可以延迟渗透到基板101中的湿气和/或氧气的扩散。第一绝缘层110保护半导体层115，并且可以阻挡从基板101引入的各种类型的缺陷。
缓冲层105的与第一绝缘层110接触的最上层可以由蚀刻特性不同于缓冲层105的其余层、第一绝缘层110、第二绝缘层120和第三绝缘层135的材料形成。缓冲层105的接触第一绝缘层110的最上层可以由硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)中的任何一种形成。缓冲层105的其余层、第一绝缘层110、第二绝缘层120和第三绝缘层135可以由硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)中的另一种形成。例如，缓冲层105的接触第一绝缘层110的最上层可以由硅氮化物(SiNx)形成，并且缓冲层105的其余层、第一绝缘层110、第二绝缘层120和第三绝缘层135可以由硅氧化物(SiOx)形成，但是本公开内容的实施方式不限于此。
栅电极125可以形成在第二绝缘层120上，并且可以在第二绝缘层120插入在栅电极125与半导体层115之间的情况下与半导体层115的沟道区域交叠。栅电极125可以由第一导电材料形成，该第一导电材料是由镁(Mg)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或合金形成的单层或多层，但是不限于此。
源电极140可以通过穿过第二绝缘层120和第三绝缘层135的接触孔连接至半导体层115的暴露的源极区域。漏电极140可以面向源电极140，并且可以通过穿过第二绝缘层120和第三绝缘层135的接触孔连接至半导体层115的漏极区域。源电极和漏电极140可以由第二导电材料形成，该第二导电材料是由镁(Mg)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或者两种或更多种的合金形成的单层或多层，但是不限于此。
连接电极155可以设置在第一中间层150与第二中间层160之间。连接电极155可以通过穿透钝化膜145和第一中间层150的连接电极接触孔156暴露，以连接至漏电极140。连接电极155可以由具有与漏电极140的低比电阻相似或相同的低比电阻的材料形成，但是不限于此。
参照图2，在第二中间层160和堤层165上可以设置有包括发光层172的发光元件EL。发光元件EL可以包括阳极电极171、形成在阳极电极171上的至少一个发光层172以及形成在发光层172上的阴极电极173。
阳极电极171通过穿透第二中间层160的接触孔设置在第一中间层150上，并且可以电连接至暴露在第二中间层160上方的连接电极155。
每个像素的阳极电极171被形成为由堤层165暴露。堤层165可以由不透明材料(例如，黑色)形成，以防止相邻像素之间的光干涉。在这种情况下，堤层165可以包括由彩色颜料、有机黑和碳中的至少一种形成的光阻挡材料，但是不限于此。
参照图2，至少一个发光层172可以形成在发射区域的由堤层165提供的阳极电极171上。至少一个发光层172可以包括在阳极电极171上的空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、发光层172、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层，它们可以根据光发射的方向依次或以相反的顺序堆叠。此外，发光层172可以包括彼此面向的第一发光堆叠体和第二发光堆叠体，其中电荷生成层插入在第一发光堆叠体与第二发光堆叠体之间。在这种情况下，第一发光堆叠体和第二发光堆叠体的任何一个发光层172可以生成蓝光，并且另一发光层172可以生成黄绿光，从而通过第一发光堆叠体和第二发光堆叠体生成白光。由于由发光堆叠体生成的白光入射在位于发光层172上方或下方的滤色器上，因此可以实现彩色图像。作为另一示例，可以通过生成与每个发光层172中的每个像素对应的彩色光来实现彩色图像，而无需单独的滤色器。例如，红色像素的发光层172可以生成红光，绿色像素的发光层172可以生成绿光，并且蓝色像素的发光层172可以生成蓝光。
参照图2，阴极电极173可以被形成为面向阳极电极171，其中发光层172插入在阴极电极173与阳极电极171之间，并且阴极电极173可以接收高电位驱动电压EVDD。
封装层180可以阻止或至少减少外部湿气或氧气渗透到易受外部湿气或氧气影响的发光元件EL中。为此，封装层180可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，但是不限于此。在本公开内容中，作为示例描述了第一封装层181、第二封装层182和第三封装层183顺序地堆叠的封装层180的结构。
第一封装层181形成在其上形成有阴极电极173的基板101上。第三封装层183可以形成在其上形成有第二封装层182的基板101上，并且可以形成为与第一封装层181一起围绕第二封装层182的上表面、下表面和侧表面。第一封装层181和第三封装层183可以减少外部湿气或氧气到发光元件EL中的渗透或者防止外部湿气或氧气到发光元件EL中的渗透。第一封装层181和第三封装层183可以由能够低温沉积的无机绝缘材料例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiON)或铝氧化物(Al2O3)形成。由于第一封装层181和第三封装层183在低温气氛中沉积，因此可以防止易受高温气氛影响的发光元件EL在第一封装层181和第三封装层183的沉积工艺期间受到损坏。
第二封装层182用作用于减轻由于显示装置10的弯曲而引起的层之间的应力的缓冲部，并且可以使层之间的台阶平坦化。第二封装层182由形成在其上形成有第一封装层181的基板101上的诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯或碳氧化硅(SiOC)的非光敏有机绝缘材料或者诸如光丙烯酸的光敏有机绝缘材料形成，但是不限于此。当通过喷墨方法形成第二封装层182时，可以设置坝DAM以防止液态的第二封装层182扩散到基板101的边缘。坝DAM可以被设置得比第二封装层182更靠近基板101的边缘。坝DAM可以防止第二封装层182扩散到焊盘区域，在该焊盘区域中，设置有设置在基板101的最外边缘上的导电焊盘。
坝DAM被设计成防止或至少减少第二封装层182的扩散，但是当第二封装层182在工艺期间形成为超过坝DAM的高度时，作为有机层的第二封装层182可能暴露于外部，使得例如湿气可以容易渗透到发光元件中。因此，为了防止这种情况，可以重复形成至少10个或更多个坝DAM。
参照图2，坝DAM可以设置在非显示区域NA的钝化膜145上。
此外，坝DAM可以与第一中间层150和第二中间层160同时形成。当形成第一中间层150时，坝DAM的下层一起形成，并且当形成第二中间层160时，坝DAM的上层可以一起形成，使得第一中间层150和第二中间层160可以形成为以双重结构堆叠。
因此，坝DAM可以由与第一中间层150和第二中间层160相同的材料形成，但不限于此。
参照图2，坝DAM可以形成为与低电位驱动电力线VSS交叠。例如，低电位驱动电力线VSS可以形成在坝DAM位于非显示区域NA中的区域的下层上。
以低电位驱动电力线VSS和面板内栅极GIP的形式配置的栅极驱动单元300可以形成为围绕显示面板的外围，并且低电位驱动电力线VSS可以位于栅极驱动单元300的外部。此外，低电位驱动电力线VSS可以连接至阳极电极171以施加公共电压。尽管栅极驱动单元300在平面图和截面图中被简单地表示，但是它可以使用与显示区域AA的晶体管TFT具有相同结构的晶体管TFT来配置。
参照图2，低电位驱动电力线VSS设置在栅极驱动单元300外部。低电位驱动电力线VSS设置在栅极驱动单元300外部，并且围绕显示区域AA。低电位驱动电力线VSS可以由与晶体管TFT的源电极和漏电极140相同的材料形成，但是不限于此。例如，低电位驱动电力线VSS可以由与栅电极125相同的材料形成。
此外，低电位驱动电力线VSS可以电连接至阳极电极171。低电位驱动电力线VSS可以向显示区域AA中的多个像素供应低电位驱动电压EVSS。
在封装层180上可以设置有触摸层190。在触摸层190中，触摸缓冲膜191可以位于包括触摸电极连接线192和194以及触摸电极195和196的触摸传感器金属与发光元件EL的阴极电极173之间。
触摸缓冲膜191可以阻止或至少减少外部湿气或者在制造设置在触摸缓冲膜191上的触摸传感器金属时使用的化学物质(例如，显影剂或蚀刻剂)到包含有机材料的发光层172中的渗透。因此，触摸缓冲膜191可以防止对易受化学物质或湿气影响的发光层172的损坏。
触摸缓冲膜191由具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料形成，并且在不超过预定温度(例如，100℃)的低温下形成，以防止对包含易受高温影响的有机材料的发光层172的损坏。例如，触摸缓冲膜191可以由丙烯酸基、环氧基或硅氧烷基材料形成。由有机绝缘材料形成的具有平坦性的触摸缓冲膜191可以防止形成在触摸缓冲膜191上的触摸传感器金属的破裂以及由于有机发光显示装置的翘曲而导致的对封装层180的损坏。
根据基于互电容的触摸传感器结构，触摸电极195和196可以设置在触摸缓冲膜191上，并且触摸电极195和196可以被设置成彼此交叉。
触摸电极连接线192和194可以将触摸电极195和196彼此电连接。触摸电极连接线192和194以及触摸电极195和196可以位于不同的层上，其中触摸绝缘膜193插入在它们之间。
触摸电极连接线192和194可以被设置成与堤层165交叠，从而防止开口率降低。
同时，在触摸电极195和196中，触摸电极连接线192的一部分可以穿过封装层180的上部和侧表面，并且通过触摸焊盘198与触摸驱动电路(未示出)电连接。
触摸电极连接线192的一部分可以从触摸驱动电路接收触摸驱动信号，并且将其传输至触摸电极195和196，并且将来自触摸电极195和196的触摸感测信号传输至触摸驱动电路。
触摸钝化膜197可以设置在触摸电极195和196上。在附图中，触摸钝化膜197被示出为仅设置在触摸电极195和196上，但是不限于此，触摸钝化膜197也可以延伸至坝DAM的前面或后面以设置在触摸电极连接线192上。
滤色器(未示出)还可以设置在封装层180上，并且滤色器可以位于触摸层190上或者位于封装层180与触摸层190之间。
图3是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中的像素电路的视图。
参照图3，多个像素P中的每一个可以包括具有驱动晶体管DT的像素电路以及连接至像素电路的发光元件EL。
像素电路可以控制流经发光元件EL的驱动电流Id，以驱动发光元件EL。像素电路可以包括控制驱动晶体管DT的驱动时序的两个或更多个开关晶体管T1、T2、T3、T4和T5。晶体管DT、T1至T5各自可以包括第一电极、第二电极和栅电极。第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且第一电极和第二电极中的另一个可以是漏电极。在子像素SP中可以设置有用于保持用于提供一帧的驱动电流Id的数据电压Vdata的存储电容器Cst。
尽管图3示出了在每个像素中除了发光元件EL之外还设置有六个晶体管和一个电容器的6T1C结构作为示例，但是本公开内容的实施方式不限于此。此外，尽管在图3所示的示例中，设置在像素中的晶体管中的所有都是N型的，但是设置在像素中的晶体管中的至少一些可以是P型的。此外，N型晶体管可以是氧化物晶体管，并且P型晶体管可以是多晶硅晶体管。
根据示例，构成像素电路的第一开关晶体管T1可以用作数据供应晶体管，第二开关晶体管T2可以用作补偿晶体管，第三开关晶体管T3和第四开关晶体管T4可以用作发射控制晶体管，并且第五开关晶体管T5可以用作初始化晶体管。
第一开关晶体管T1可以电连接在第一数据线DL与第一节点N1之间。第一开关晶体管T1可以由通过第n像素行的扫描线SCL供应的扫描信号SC(n)控制。第一开关晶体管T1可以控制通过数据线DL供应的数据电压Vdata施加至第一节点N1。第一开关晶体管T1可以是数据供应晶体管。施加至第一节点N1的数据电压Vdata可以通过驱动晶体管DT和第二开关晶体管T2施加至第二节点N2。第一节点N1可以是例如驱动晶体管DT的源极节点或漏极节点。第二节点N2可以是例如驱动晶体管DT的栅极节点。第三节点N3可以是例如驱动晶体管DT的漏极节点或源极节点。
第二开关晶体管T2可以电连接在第二节点N2与第三节点N3之间。第二开关晶体管T2可以由通过第n-3像素行的扫描线SCL供应的扫描信号SC(n-3)控制。第二开关晶体管T2可以控制施加至第一节点N1的数据电压Vdata经由第三节点N3施加至第二节点N2。
第二开关晶体管T2可以二极管连接在第二节点N2与第三节点N3之间，以对驱动晶体管DT的阈值电压Vth进行采样。第二开关晶体管T2可以是补偿晶体管。
第三开关晶体管T3可以电连接在高电位驱动电压EVDD供应至的电力线与第三节点N3之间。第三开关晶体管T3可以由通过第n像素行的发射控制线EML供应的发射控制信号EM(n)控制。第三开关晶体管T3可以控制高电位驱动电压EVDD施加至第三节点N3。
第四开关晶体管T4可以电连接在第一节点N1与第四节点N4之间。第四开关晶体管T4可以由通过第n-1像素行的发射控制线EML供应的发射控制信号EM(n-1)控制。第四开关晶体管T4可以控制驱动电流Id施加至第四节点N4。第四节点N4可以是电连接至发光元件EL的阳极电极的节点。
第三开关晶体管T3和第四开关晶体管T4(或第一发射控制晶体管和第二发射控制晶体管)可以连接在高电位驱动电压EVDD与发光元件EL之间，从而形成电流移动路径，由驱动晶体管DT生成的驱动电流Id通过该电流移动路径而移动。
第五开关晶体管T5可以电连接在初始化电压线IniL与第四节点N4之间。第五开关晶体管T5可以由通过第n像素行的扫描线SCL供应的扫描信号SC(n)控制。第五开关晶体管T5可以控制初始化电压Vini施加至第四节点N4。
发光元件EL可以具有形成在阳极电极与阴极电极之间的寄生电容器。当发光元件EL发光时，寄生电容器被充电，使得发光元件EL的阳极电极可以具有特定电压。因此，可以通过经由第五开关晶体管T5向发光元件EL的阳极电极施加初始化电压Vini来使发光元件EL中累积的电荷量初始化。
驱动晶体管DT可以电连接在第三开关晶体管T3与第四开关晶体管T4之间。驱动晶体管DT可以根据施加至第二节点N2的数据电压Vdata将驱动电流Id供应至发光元件EL。
存储电容器Cst可以电连接在第二节点N2与第四节点N4之间。存储电容器Cst可以被认为电连接在驱动晶体管DT的栅极节点与源极节点之间。存储电容器Cst可以保持一帧的数据电压Vdata。
发光元件EL可以电连接在第四节点N4与低电位驱动电压EVSS供应至的电力线之间。作为示例，发光元件EL可以包括阳极电极171、阴极电极173以及阳极电极171与阴极电极173之间的发光层172。发光元件EL可以根据由驱动晶体管DT供应的驱动电流Id来显示亮度。
可以根据通过扫描线SCL和发射控制线EML供应的信号的时序来驱动设置在每个像素中的像素电路。发光元件EL可以根据像素电路的驱动在预定时间段内发光。
图4是示出图3所示的根据一个实施方式的像素电路的示例驱动时序的视图。
图4示例性地示出了驱动设置在第n行中的像素和设置在第n+1行中的像素的时序。
扫描信号SC(n)和脉冲宽度可以被设置为约4个水平时段(4H)内保持导通电平。此外，发射控制信号EM(n)可以被设置为在约12个水平时段12H内保持截止电平。
由于在第一时段P1中供应至第n-3像素行的扫描线SCL的扫描信号SC(n-3)处于导通电平，因此第二开关晶体管T2导通。同时，由于通过第n像素行的发射控制线EML供应的发射控制信号EM(n)也处于导通电平，因此第三开关晶体管T3可以处于导通状态。
由于第二开关晶体管T2导通，因此第二节点N2和第三节点N3电连接，并且可以在第二节点N2与第三节点N3之间进行二极管连接。
在供应至第n-3像素行的扫描线SCL的扫描信号SC(n-3)在第二时段P2中保持导通电平的状态下，供应至第n像素行的扫描线SCL的扫描信号SC(n)可以变成导通电平。换句话说，第n-3像素行的扫描信号SC(n-3)和第n像素行的扫描信号SC(n)可以交叠至少1个水平时段1H，并且处于导通电平。因此，第一开关晶体管T1和第五开关晶体管T5可以导通。此外，由于发射控制信号EM(n)处于截止电平，因此第三开关晶体管T3可以处于截止状态。
由于第一开关晶体管T1导通，因此施加至第一节点N1的数据电压Vdata可以通过处于二极管连接状态的第二开关晶体管T2和驱动晶体管DT施加至第二节点N2。
在该过程中，反映驱动晶体管DT的阈值电压的电压可以施加至第二节点N2。可以补偿驱动晶体管DT的阈值电压的变化，并且可以由驱动晶体管DT供应与数据电压Vdata对应的驱动电流。
在第二时段P2之后，第n-3像素行的扫描信号SC(n-3)和第n像素行的扫描信号SC(n)可以以截止电平被顺序地供应。此外，第n-1发射控制线EML的发射控制信号EM(n-1)和第n发射控制线EML的发射控制信号EM(n)可以以导通电平被顺序地供应。
当通过第n发射控制线EML供应的发射控制信号EM(n-1)处于导通电平时，第四开关晶体管T4可以导通。初始化电压Vini可以施加至第一节点N1和第四节点N4。
当通过第n发射控制线EML供应的发射控制信号EM(n)处于导通电平时，第三开关晶体管T3可以导通，使得高电位驱动电压EVDD可以被供应至第三节点N3。
根据施加至驱动晶体管DT的第二节点N2的电压与施加至第一节点N1的电压之间的差的驱动电流可以被供应至发光元件EL。在第三时段P3期间，发光元件EL根据驱动电流显示亮度，并且可以通过多个像素显示图像。
换句话说，在第三时段P3中，发光元件EL可以用使阈值电压Vth偏移并对应于经采样的数据电压的驱动电流发光。
随着第三开关晶体管T3导通，高电位驱动电压EVDD通过第三晶体管T3被施加至连接至第三节点N3的驱动晶体管DT。从驱动晶体管DT经由第四开关晶体管T4供应至发光元件EL的驱动电流Id与驱动晶体管DT的阈值电压Vth的值无关，使得可以补偿驱动晶体管DT的阈值电压Vth。
根据本公开内容的实施方式的像素电路可以集成施加至多个开关晶体管(例如，补偿晶体管、数据供应晶体管和初始化晶体管)的扫描信号。还可以集成施加至剩余的多个开关晶体管(例如，发光晶体管)的发射控制信号。因此，可以简化像素的结构。
此外，通过在低频驱动期间的保持周期和刷新时段中配置用于重置发光元件的阳极电极的相同路径，可以在以低频驱动时防止或至少减少闪烁并提高图像质量。
此外，由于包括在像素电路中的晶体管被配置成包括氧化物半导体层，因此可以将其应用于各种产品，使得可以将制造工艺转换成平台。
图5A、图5B和图5C是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置中的栅极驱动单元的配置的视图。
参照图5A，栅极驱动单元300包括发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320。每个扫描驱动单元320可以包括奇数扫描驱动单元321和偶数扫描驱动单元322。
由发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320的移位寄存器构成的栅极驱动单元300可以对称地配置在显示区域AA的两个相对侧上。对称配置的显示区域AA的一侧上的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320以及显示区域AA的另一侧上的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320各自可以向栅极线GL输出信号。栅极线GL可以包括扫描线SCL和发射控制线EML。
移位寄存器的级STG1至STGn中的每一个可以包括扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(n)和SC_E(1)至SC_E(n)以及发射控制信号生成单元EM(1)至EM(n)(例如，电路)。
此外，扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(n)和SC_E(1)至SC_E(n)(例如，电路)可以被形成为靠近显示区域AA，并且发射控制信号生成单元EM(1)至EM(n)可以形成在扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(n)和SC_E(1)至SC_E(n)的外部。然而，不限于此，根据实施方式，发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320可以不同地设置。
扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(n)和SC_E(1)至SC_E(n)通过显示面板100的扫描线SCL输出扫描信号SC(1)至SC(n)。发射控制信号生成单元EM(1)至EM(n)通过显示面板100的发射控制线EML输出发射控制信号EM(1)至EM(n)。
供应至第n-3像素行的扫描线SCL的扫描信号SC(1)至SC(n)可以用作用于驱动包括在像素电路中的第A晶体管(例如，补偿晶体管等)的信号。此外，供应至第n像素行的扫描线SCL的扫描信号SC(1)至SC(n)可以用于驱动包括在像素电路中的第B晶体管(例如，数据供应晶体管等)。同时，供应至第n像素行的扫描线SCL的扫描信号SC(1)至SC(n)可以用作用于驱动包括在像素电路中的第C晶体管(例如，初始化晶体管等)。发射控制信号EM(1)至EM(n)可以用作用于驱动包括在像素电路中的第D晶体管(例如，发射控制晶体管等)的信号。例如，如果使用发射控制信号EM(1)至EM(n)来控制像素的发射控制晶体管，则发光元件的发射时间被改变。
参照图5B，栅极驱动单元300包括发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320。每个扫描驱动单元320可以包括第一奇数扫描驱动单元321、第一偶数扫描驱动单元322、第二奇数扫描驱动单元323和第二偶数扫描驱动单元324。
由发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320的移位寄存器构成的栅极驱动单元300可以对称地配置在显示区域AA的两个相对侧上。对称配置的显示区域AA的一侧上的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320以及显示区域AA的另一侧上的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320各自可以向栅极线GL输出信号。栅极线GL可以包括扫描线SCL和发射控制线EML。
移位寄存器的级STG1至STGm中的每一个可以包括扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(m+1)、SC_E(1)至SC_E(m+1)以及发射控制信号生成单元EM(1)至EM(m)。
此外，扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(m+1)和SC_E(1)至SC_E(m+1)可以被形成为靠近显示区域AA。发射控制信号生成单元EM(1)至EM(m))可以形成在扫描信号生成单元SC_O(1)至SC_O(m+1)和SC_E(1)至SC_E(m+1)的外部。然而，不限于此，根据实施方式，发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320可以不同地设置。
参照图5C，将省略对与图5B相同的配置的描述。
对称配置的显示区域AA一侧上的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320以及显示区域AA另一侧上的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320可以交替地向不同的栅极线GL输出信号。栅极线GL可以包括扫描线SCL和发射控制线EML。
例如，第一奇数扫描驱动单元321和第一偶数扫描驱动单元322可以从显示区域AA的一侧向另一侧供应扫描信号SC(1)至SC(m)，并且第二奇数扫描驱动单元323和第二偶数扫描驱动单元324可以从显示区域AA的另一侧向一侧供应扫描信号SC(2)至SC(m+1)。
参照图5A至图5C，第一初始化电压总线ViniL可以设置在栅极驱动单元300与显示区域AA之间。此外，根据设计需要，可以进一步设置偏置电压总线VobsL或第二初始化电压总线VarL。
第一初始化电压总线ViniL、第二初始化电压总线VarL和偏置电压总线VobsL可以分别从电力供应单元500向像素电路供应第一初始化电压Vini、第二初始化电压Var和偏置电压VobsL。
在附图中，第一初始化电压总线ViniL、第二初始化电压总线VarL和偏置电压总线VobsL被示出为仅位于显示区域AA的左侧或右侧的一侧上，但是不限于此，可以位于两个相对侧上，或者即使位于一侧上，位置也不限于左侧或右侧。
参照图5A至图5C，在显示区域AA中可以设置一个或更多个光学区域OA1和OA2。
一个或更多个光学区域OA1和OA2可以被设置成与一个或更多个光学电子装置交叠，所述光学电子装置例如捕获装置例如摄像装置(图像传感器)或者检测传感器例如接近传感器和照度传感器等。
一个或更多个光学区域OA1和OA2可以通过形成用于光学电子装置的操作的光透射结构而具有高于特定水平的透射率。换句话说，一个或更多个光学区域OA1和OA2中的每单位面积的像素P的数目可以小于除了显示区域AA中的光学区域OA1和OA2之外的正常(normal)区域中的每单位面积的像素P的数目。换句话说，一个或更多个光学区域OA1和OA2的分辨率可以低于显示区域AA中的正常区域的分辨率。
一个或更多个光学区域OA1和OA2中的光透射结构可以通过在未设置像素P的部分中对阴极电极进行图案化来形成。在这种情况下，可以通过激光去除经图案化的阴极电极。替选地，可以使用诸如反阴极沉积层的材料选择性地形成阴极电极并对其进行图案化。
此外，一个或更多个光学区域OA1和OA2中的光透射结构可以通过分离像素P中的发光元件EL和像素电路来形成。换句话说，像素P的发光元件EL可以位于光学区域OA1和OA2上，并且构成像素电路的多个晶体管TFT可以设置在光学区域OA1和OA2周围，使得发光元件EL可通过透明金属层电连接至像素电路。
此外，数据驱动单元400可以设置在显示区域AA下方。
图6A和图6B是示意性地示出栅极驱动单元的电路的视图。
包括在栅极驱动单元300中的发射控制信号驱动单元310和扫描驱动单元320的每个级可以被配置成包括多个晶体管和多个电容器，以实现为如图6A所示的通过门电路或如图6B所示的边缘触发器电路。
在通过门电路中，时钟CLK输入至根据Q节点的电压导通/截止的上拉晶体管Tu。相反，在边缘触发器电路中，作为栅极导通电压的低电位电压VGL和VEL被供应至根据Q节点的电压导通/截止的上拉晶体管Tu，并且起始信号VST和时钟CLK被输入。下拉晶体管Td根据QB节点的电压导通/截止，并且高电位电压VGH和VEH被供应并且可以作为输出信号例如扫描信号SC(n)或发射控制信号EM(n)被输出。
在通过门电路中，Q节点根据起始信号在预充电状态下浮置。当时钟CLK被施加至上拉晶体管Tu而Q节点浮置时，Q节点电压通过自举而增加，使得输出信号例如扫描信号SC(n)或发射控制信号EM(n)的电压被切换至栅极导通电压。
由于边缘触发器电路与时钟CLK的边缘同步，并且输出信号的电压改变成起始信号的电压，因此输出信号以与起始信号的相位相同的波形生成。当起始信号波形改变时，输出信号波形也相应地改变。在边缘触发电路中，输入信号与输出信号交叠。
通过门电路很难生成与输入信号异相的输出信号。如果通过门电路的晶体管被实现为p型TFT(PMOS)，则可以输出p型晶体管的栅极导通电压波形。当用p型晶体管(PMOS)实现通过门电路时，还需要用于反相输出节点的电压的反相器电路来输出n型TFT的栅极导通电压波形。
边缘触发器电路可以生成异相输出信号。例如，边缘触发器电路可以通过将晶体管实现为p型TFT来获得n型TFT的栅极导通电压波形，而无需反相器电路。
栅极驱动单元300的电路可以包括施加起始信号VST、时钟CLK、高电位电压VGH和VEH以及低电位电压VGL和VEL的输入单元(例如，电路)、被配置成包括Q节点和与Q节点异相的QB节点的操作单元(例如，电路)、以及用于通过上拉晶体管或下拉晶体管输出输出信号例如扫描信号SC(n)或发射控制信号EM(n)的输出单元。
包括在栅极驱动单元300的电路中的多个晶体管可以被配置成包括多晶半导体层，并且还可以被配置成包括氧化物半导体层。此外，包括在栅极驱动单元300的电路中的多个电容器可以包括输入单元中的施加高电位电压VGH和VEH或者低电位电压VGL和VEL的稳定电容器，并且包括输出单元中的连接至上拉晶体管Tu或下拉晶体管Td的升压电容器。升压电容器的容量可以大于稳定电容器的容量。
根据本公开内容的实施方式的像素电路可以集成施加至多个开关晶体管(例如，补偿晶体管、数据供应晶体管和初始化晶体管)的扫描信号。还可以集成施加至剩余的多个开关晶体管(例如，发光晶体管)的发射控制信号。因此，由于栅极驱动单元300被配置成仅具有一个扫描驱动单元320和一个发射控制信号驱动单元310，因此栅极驱动单元300的结构可以被简化，从而实现窄边框。
此外，随着构成栅极驱动单元300的电路被简化，功耗也可以降低。
根据本公开内容的实施方式的显示装置可以描述如下。
根据本公开内容的实施方式的显示装置包括：显示面板，其包括显示区域和形成在显示区域外部的非显示区域，并且具有多个像素；以及栅极驱动单元，其包括用于向显示面板供应扫描信号的扫描驱动单元和用于供应发射控制信号的发射控制驱动单元。多个像素包括：发光元件，其用于以与所施加的驱动电流的电流量对应的亮度发光；驱动晶体管，其用于控制施加至发光元件的电流量；存储电容器，其连接至驱动晶体管；以及第一晶体管(例如，图3的T1)和第二晶体管(例如，图3的T5)，第一晶体管和第二晶体管包括氧化物半导体层，并且被配置成根据扫描信号同时导通。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，驱动晶体管的第一电极可以连接至与第三晶体管连接的第三节点(例如，图3的T2)，驱动晶体管的第二电极可以连接至与第一晶体管连接的第一节点，并且驱动晶体管的栅电极可以连接至第二节点。存储电容器可以连接在第二节点与连接至发光元件的阳极电极的第四节点之间。第一晶体管可以连接在第一节点与施加数据电压的数据线之间。第二晶体管可以连接在第四节点与施加初始化电压的初始化电压线之间。第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极可以连接至施加扫描信号的扫描线。
根据本公开内容的实施方式的显示装置的显示面板的多个像素还可以包括第四晶体管(例如，图3的T3)，该第四晶体管连接在第三节点与第一驱动电压(高电位驱动电压)之间，并且具有连接至施加第n发射控制信号的第n发射控制线的栅电极，以及第五晶体管(例如，图3的T4)，其连接在第一节点与发光元件之间，并且具有连接至施加第n-1发射控制信号的第n-1发射控制线的栅电极。发光元件的阴极与低于第一驱动电压的第二驱动电压(低电位驱动电压)连接。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，多个像素可以被操作为包括第一时段、第二时段和第三时段。在第一时段期间，驱动晶体管可以通过第三晶体管被二极管连接。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，在第二时段期间，数据电压可以被施加至驱动晶体管的栅电极。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，第三晶体管和第一晶体管或第二晶体管可以在一个水平时段期间同时导通。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，扫描信号可以在四个水平时段期间以导通电平操作。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，当第n像素行的扫描信号和第n-3像素行的扫描信号同时处于导通电平时，可以执行采样操作。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，栅极驱动单元可以形成为对称结构。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，设置在显示区域的两个相对侧上的栅极驱动单元可以将信号施加至同一像素电路。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，显示区域的一侧上的栅极驱动单元和显示区域的另一侧上的栅极驱动单元可以将信号交替地施加至不同的像素电路。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，发射控制信号驱动单元可以设置在扫描驱动单元的外部。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，栅极驱动单元可以在一级中包括一个发射控制信号生成单元和多个扫描信号生成单元。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，栅极驱动单元可以被配置为包括多个晶体管的电路。多个晶体管可以包括多晶半导体层或氧化物半导体层。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，栅极驱动单元可以包括：输入单元，其接收栅极截止电位电压或栅极导通电位电压；操作单元，其具有Q节点和与Q节点异相的QB节点、以及输出单元，其具有上拉晶体管和下拉晶体管。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，输入单元还可以包括稳定电容器，并且输出单元还可以包括升压电容器。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，升压电容器可以具有比稳定电容器大的容量。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，显示面板可以包括具有光透射结构的一个或更多个光学区域和除了一个或更多个光学区域之外的正常区域。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，一个或更多个光学区域可以至少部分地与光学电子装置交叠。
在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，一个或更多个光学区域的分辨率可以具有比正常区域低的分辨率。
上述实施方式仅为示例，并且本领域普通技术人员应当理解，在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以对其进行各种改变。因此，本文所阐述的实施方式出于说明的目的而提供，而不是限制本公开内容的范围，并且应当理解，本公开内容的范围不受实施方式的限制。本公开内容的范围应当由所附权利要求来解释，并且其等同方案内的所有技术精神应当被解释为属于本公开内容的范围。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，其包括显示区域和所述显示区域外部的非显示区域，所述显示面板具有多个像素；以及
栅极驱动电路，其包括被配置成向所述显示面板供应扫描信号的扫描驱动电路和被配置成向所述显示面板供应发射控制信号的发射控制驱动电路；
其中，所述多个像素包括：
发光元件，其被配置成发出具有与所施加到所述发光元件的驱动电流的电流量对应的亮度的光；
驱动晶体管，其被配置成控制施加至所述发光元件的电流量；
存储电容器，其连接至所述驱动晶体管；以及
第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括氧化物半导体层，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置成根据所述扫描信号同时导通。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的第一电极连接至与第三晶体管连接的第三节点，所述驱动晶体管的第二电极连接至与所述第一晶体管连接的第一节点，并且所述驱动晶体管的栅电极连接至第二节点，
其中，所述存储电容器连接在所述第二节点与连接至所述发光元件的阳极电极的第四节点之间，
其中，所述第一晶体管连接在所述第一节点与被配置成施加数据电压的数据线之间，
其中，所述第二晶体管连接在所述第四节点与被配置成施加初始化电压的初始化电压线之间，并且
其中，所述第一晶体管的栅电极和所述第二晶体管的栅电极连接至被配置成施加所述扫描信号的扫描线。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个像素还包括：
第四晶体管，其连接在所述第三节点与第一驱动电压之间，所述第四晶体管具有连接至施加第n发射控制信号的第n发射控制线的栅电极；以及
第五晶体管，其连接在所述第一节点与所述发光元件之间，所述第五晶体管具有连接至施加第n-1发射控制信号的第n-1发射控制线的栅电极；
其中，所述发光元件的阴极与小于所述第一驱动电压的第二驱动电压连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个像素被操作为包括第一时段、第二时段和第三时段，并且其中，在所述第一时段期间，所述驱动晶体管通过所述第三晶体管被二极管连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在所述第二时段期间，所述数据电压被施加至所述驱动晶体管的栅电极。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第三晶体管和所述第一晶体管或所述第二晶体管在一个水平时段期间同时导通。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述扫描信号在四个水平时段期间以导通电平操作。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，响应于第n像素行的扫描信号和第n-3像素行的扫描信号同时处于导通电平而执行采样操作。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动电路包括对称结构。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，设置在所述显示区域的两个相对侧上的所述栅极驱动电路将信号施加至同一像素电路。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示区域的一侧上的所述栅极驱动电路和所述显示区域的另一侧上的栅极驱动电路将信号交替地施加至不同的像素电路。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发射控制驱动电路设置在所述扫描驱动电路的外部。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动电路在一级中包括一个发射控制信号生成电路和多个扫描信号生成电路。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极驱动电路被配置为包括多个晶体管的电路，并且其中，所述多个晶体管包括多晶半导体层或氧化物半导体层。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述栅极驱动电路包括：
输入电路，其接收栅极截止电位电压或栅极导通电位电压；
操作电路，其具有Q节点和与所述Q节点异相的QB节点；以及
输出电路，其具有上拉晶体管和下拉晶体管。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述输入电路还包括稳定电容器，并且其中，所述输出电路还包括升压电容器。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述升压电容器具有比所述稳定电容器大的容量。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板包括具有光透射结构的一个或更多个光学区域和除了所述一个或更多个光学区域之外的正常区域。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述一个或更多个光学区域至少部分地与光学电子装置交叠。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述一个或更多个光学区域具有比所述正常区域低的分辨率。
21.一种显示装置，包括：
显示面板，包括多个像素；以及
栅极驱动电路，其包括被配置成向所述显示面板供应扫描信号的扫描驱动电路和被配置成向所述显示面板供应发射控制信号的发射控制驱动电路；
其中，所述多个像素包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置成根据所述扫描信号同时导通。
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