CN117794287A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包含：第一基板，包含具有多个像素的显示区域和围绕显示区域的非显示区域，第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；在第一基板上的无机层；在无机层上的平坦化层；在无机层和平坦化层上的接合层；和在接合层上的第二基板。平坦化层包含在平面图中与第一基板重叠的第一平坦化层和围绕第一平坦化层的侧表面的第二平坦化层。

Description

显示装置

本申请要求享有于2022年9月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0122822号的优先权，通过引用将该韩国专利申请并入本文。

技术领域

本公开内容涉及一种显示装置，尤其涉及一种不使用塑料基板的显示装置，从而改善防潮性能并且减少外周部分的区域中的裂缝(crack)的发生。

背景技术

作为用于计算机、电视机、移动电话和类似物的显示器的显示装置，有被构造为自主发光的有机发光显示器(OLED)和需要单独光源的液晶显示器(LCD)。

显示装置的应用范围是多样化的，从计算机和电视机到个人移动设备的显示器，并且正在对具有宽显示区域且具有减小的体积和重量的显示装置进行研究。

此外，近来，通过在由具有柔性的柔性塑料材料制成的基板上形成显示元件、线和类似物而制成的、因而甚至在被折叠或卷起时也可以显示图像的柔性显示装置，已经作为下一代显示装置受到了关注。

发明内容

因此，本公开内容的实施方式涉及一种显示装置，这种显示装置基本上消除了由于现有技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。

本公开内容的一个方面是提供一种显示装置，这种显示装置使用被构造为透明导电氧化物层和/或氧化物半导体层的基板，而不是塑料基板。

本公开内容的另一方面是提供一种显示装置，其中在这种显示装置的外周部分处，基板和无机层中减少了裂缝的发生。

额外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的发明构思来学会。这些发明构思的其他特征和方面可以通过本说明书中特别指出的结构和其权利要求以及附图来实现和获得，或者是能够从其导出的。

为了实现这些发明构思的这些和其他方面，如本文所具体体现和广泛描述的那样，一种显示装置包括：第一基板，包含具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，第一基板由透明导电氧化物和/或氧化物半导体制成；在所述第一基板上的无机层；在所述无机层上的平坦化层；在所述无机层和所述平坦化层上的接合层(bondinglayer)；以及在接合层上的第二基板，其中平坦化层包含第一平坦化层和第二平坦化层，第一平坦化层在平面图中与第一基板重叠，并且第二平坦化层围绕所述第一平坦化层的侧表面。

在另一方面中，一种显示装置包括：第一基板，包含具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体之一制成；在所述第一基板上的多个无机层；在所述多个无机层上的平坦化层；在所述多个无机层和所述平坦化层上的接合层；在所述接合层上的第二基板；以及密封构件，所述密封构件围绕所述第二基板的侧表面和所述平坦化层的侧表面，其中所述平坦化层围绕所述第一基板的侧表面和所述多个无机层的侧表面。

示例性实施方式的其他详细内容包含在具体实施方式部分和附图中。

根据本公开内容，可以使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层作为显示装置的基板来容易地控制透湿性(moisture permeability)，从而提高柔性。

根据本公开内容，可以抑制或至少减少可能在刻划的切割表面(scribed cutsurface)上发生的对显示面板的损坏。

根据本公开内容，平坦化层可以设置在第一基板的外侧，以减少从显示装置的外周部分形成的第一基板和无机层中的裂缝的发生，从而提高显示装置的可靠性。

应当理解，前面的一般性描述和下面的具体实施方式部分都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。

附图说明

所包含以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本申请中且构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释各种原理。在附图中：

图1是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的俯视平面图；

图2是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图；

图3是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图；

图4是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的放大俯视平面图；

图5是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的截面图；

图6A和6B是用于说明制造根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的过程的截面图；

图6C是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的截面图；

图7A和7B是用于说明制造根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的过程的截面图；

图7C是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的截面图；

图8A是用于说明制造根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的过程的截面图；以及

图8B是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。

具体实施方式

通过参考下面详细描述的示例性实施方式连同附图，本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供这些示例性实施方式，使得本领域技术人员能够完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。

用于描述本公开内容的示例性实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量和类似项仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个申请文件中，相似的附图标记通常表示相似的要素。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释，以避免使本公开内容的主题不必要地模糊不清。除非与术语“仅”一起使用，否则本文使用的诸如“包括/包含”、“具有/有”和“由……组成”之类的术语通常旨在允许添加其他组成部分。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及均可以包含复数。

即使没有明确说明，组成部分也被解释为包含普通误差范围。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“在……之后(next)”之类的术语描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与术语“正好”或“直接”一起使用，否则一个或多个部分可以位于这两个部分之间。

当一元件或层设置“在”另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插入在其他元件上，或者介于它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”和类似术语用于描述各种组成部分，但是这些组成部分不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组成部分与其他组成部分区分开。因此，在本公开内容的技术构思中，下面要提到的第一组成部分可以是第二组成部分。

在整个申请文件中，相似的附图标记通常指代相似的要素。

为了便于描述而示出了附图中所示的每个组成部分的尺寸和厚度，本公开内容不限于图示的组成部分的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此依附或组合，并且在技术上能够以各种方式联锁和操作，并且能够彼此独立地或关联地执行这些实施方式。

在下文中，将参考附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。

图1是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的俯视平面图。图2是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图。为了便于描述，图1仅示出了显示装置100的各种构成元件中的第一基板101、密封构件141、平坦化层114、多个柔性膜160和多个印刷电路板170。

参照图1和图2，第一基板101是用于支撑显示装置100的其他构成元件的支撑构件。第一基板101可以由透明导电氧化物和/或氧化物半导体制成。例如，第一基板101可以由透明导电氧化物(TCO)(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO))制成。

此外，第一基板101可以由含有铟(In)和/或镓(Ga)的氧化物半导体材料制成，例如，第一基板101可以由一种透明氧化物半导体(诸如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟锡锌(ITZO))制成。然而，透明导电氧化物和氧化物半导体的材料与类型是示例地提供的。第一基板101可以由本申请文件中未公开的其它透明导电氧化物或氧化物半导体材料制成。然而，本公开内容不限于此。

同时，可以通过沉积具有非常小厚度的透明导电氧化物或氧化物半导体来形成第一基板101。因此，第一基板101可以具有柔性，因为第一基板101具有非常小的厚度。此外，包含具有柔性的第一基板101的显示装置100可以实现为即使显示装置100折叠或卷起也可以显示图像的柔性显示装置100。例如，如果显示装置100是可折叠的显示装置，则第一基板101可以围绕折叠轴折叠或展开。作为另一示例，如果显示装置100是可卷的显示装置，则显示装置可以围绕辊卷起并存储。因此，根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100可以使用具有柔性的第一基板101来实现为柔性显示装置100，诸如可折叠的显示装置或可卷的显示装置。

另外，显示装置100可以使用由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的第一基板101来执行激光剥离(laser lift off,LLO)工艺。LLO工艺意指在制造显示装置100的过程期间使用激光将设置在第一基板101下方的临时基板与第一基板101分离的工艺。因此，第一基板101是用于进一步便于进行LLO工艺的层，因而第一基板101可被称为功能薄膜、功能薄膜层或功能基板。下面将更详细地描述LLO工艺。

第一基板101包含显示区域AA和非显示区域NA。

显示区域AA是显示图像的区域。为了显示图像，可以在显示区域AA中设置包含多个子像素的像素部120。例如，像素部120可以包括包含发光元件和驱动电路的多个子像素，从而显示图像。非显示区域NA是不显示图像的区域。设置有用于操作显示区域AA中设置的子像素的各种线、驱动IC和类似组成部分。例如，在非显示区域NA中可以设置各种驱动IC，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC。

在第一基板101的一端设置多个柔性膜160。多个柔性膜160电连接到第一基板101的一端。多个柔性膜160各自是具有设置在具有柔性的基膜(base film)上的各种类型部件的膜，以向显示区域AA中的多个子像素提供信号。多个柔性膜160可以各自设置在第一基板101的非显示区域NA的一端，并且向显示区域AA中的多个子像素提供数据电压或类似信号。同时，图1示出了四个柔性膜160。然而，可以根据设计对柔性膜160的数量做各种改变。然而，本公开内容不限于此。

同时，在多个柔性膜160上可以设置驱动IC，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC。驱动IC是被构造为处理用于显示图像的数据并且处理用于处理该数据的驱动信号的部件。根据如何安装驱动IC，可以以各种方式(诸如玻璃上芯片(COG)方法、膜上芯片(COF)方法和带载封装(TCP)方法)设置驱动IC。在本申请文件中，为了便于描述，已经描述了通过膜上芯片方法将驱动IC安装在多个柔性膜160上的构造。然而，本公开内容不限于此。

印刷电路板170连接到多个柔性膜160。印刷电路板170是用于向驱动IC供应信号的部件。用于向驱动IC供应各种驱动信号(诸如驱动信号、数据电压和类似信号)的各种类型的部件可以设置在印刷电路板170上。同时，图1示出了两个印刷电路板170。然而，可以根据设计对印刷电路板170的数量做各种改变。本公开内容不限于此。

参照图1和2，在第一基板101上设置无机层110。无机层110可以是包含将在下面参考图3至6C描述的下缓冲层116、上缓冲层111、栅极绝缘层112和钝化层113的多个无机层。下面将参考图4至图7C详细描述无机层110。

在无机层110上设置平坦化层114。平坦化层114可以设置在非显示区域NA中并且围绕第一基板101。下面将参考图4至图7C详细描述平坦化层114。

在无机层110上设置像素部120。可以对应于显示区域AA设置像素部120。像素部120包含多个子像素并且被构造成显示图像。像素部120的多个子像素是构成显示区域AA的最小单位。在多个子像素的每一个子像素中可以设置发光元件和驱动电路。例如，多个子像素中的每一个子像素的发光元件可以是包含阳极、有机发光层和阴极的有机发光元件，或者可以是包含N型和P型半导体层以及发光层的LED。然而，本公开内容不限于此。此外，用于操作多个子像素的驱动电路可以包含驱动元件，例如薄膜晶体管和存储电容器。然而，本公开内容不限于此。在下文中，为了便于说明，假设多个子像素中的每一个子像素的发光元件是有机发光元件。然而，本公开内容不限于此。

同时，依据光从发光元件发射所沿的方向，显示装置100可以是顶部发射型显示装置或底部发射型显示装置。

顶部发射型显示装置允许从发光元件发射的光朝向其上设置有发光元件的第一基板101的上侧传播。顶部发射型显示装置可以具有形成在阳极的下部上的反射层，以允许从发光元件发射的光朝向第一基板101的上侧(例如，朝向阴极)传播。

底部发射型显示装置允许从发光元件发射的光朝向其上设置有发光元件的第一基板101的下侧传播。在底部发射型显示装置的情况下，阳极可以仅由透明导电材料制成，并且阴极可以由具有高反射率的金属材料制成，以允许从发光元件发射的光朝向第一基板101的下侧传播。

在下文中，为了便于描述，将把显示装置100作为底部发射型显示装置进行描述。然而，本公开内容不限于此。

接合层130被设置成覆盖像素部120。接合层130可以用于接合第一基板101和第二基板140。接合层130可以密封像素部120并且保护像素部120的发光元件免受外部湿气、氧气、冲击和类似情形的影响。接合层130可以被构造为面密封(face-seal)型接合层。例如，可以通过将紫外线可固化或热固性密封剂施加到像素部120的整个表面上来形成接合层130。然而，接合层130可以具有各种结构并且可以由各种材料制成。然而，本公开内容不限于此。

同时，在接合层130上设置第二基板140。第二基板140由具有高弹性模量和高耐腐蚀性的金属材料制成。例如，第二基板140可以由弹性模量高达约200至900MPa的材料制成。第二基板140可以由一种金属材料(诸如铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)或镍合金)制成，这种金属材料易于以箔或薄膜的形式进行加工并且具有高耐腐蚀性。因此，因为第二基板140由一种金属材料制成，所以第二基板140可以以超薄膜(ultra-thin film)的形式实现，并且具有抵抗外部冲击和刮擦的强保护特性。

在第一基板101下方设置偏振板150。偏振板150可以选择性地透射光并且减少进入第一基板101的外部光的反射。例如，显示装置100可以具有形成在第一基板101上并且应用于半导体元件、线和发光元件的各种金属材料。因此，进入第一基板101的外部光可以被金属材料反射。外部光的反射可能降低显示装置100的可见度。在这种情况下，可以在第一基板101下方设置用于抑制外部光反射的偏振板150，从而提高显示装置100的户外可见度。然而，根据显示装置100的实现方式，可以去除偏振板150。

同时，尽管在附图中未示出，但是阻挡膜(barrier film)连同偏振板150一起可以设置在第一基板101下方。阻挡膜可以最小化或至少减少存在于第一基板101外部的湿气和氧气渗透到第一基板101中，从而保护包含发光元件的像素部120。然而，根据显示装置100的实现方式，可以去除阻挡膜。然而，本公开内容不限于此。

密封构件141被设置成围绕像素部120的侧表面、接合层130的侧表面和第二基板140的侧表面。密封构件141可以设置在非显示区域NA中并且设置成围绕设置在显示区域AA中的像素部120。下面将参考图4至图7C详细描述密封构件141。

在下文中，将参照图3至图6B更详细地描述像素部120的多个子像素。

图3是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。参照图3，用于操作多个子像素SP的每一个子像素的发光元件OLED的驱动电路包含第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC。此外，在第一基板101上设置多条线以操作驱动电路，并且这多条线包含栅极线GL、数据线DL、高电位电源线VDD、感测线SL和参考线RL。

包含在单个子像素SP的驱动电路中的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3每一个均包含栅极、源极和漏极。

此外，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可以各自是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，在P型薄膜晶体管中，正空穴从源极流到漏极，使得电流可以从源极流到漏极。在N型薄膜晶体管中，电子从源极流到漏极，使得电流可以从漏极流到源极。在下文中，假设第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可以各自是电流从漏极流到源极的N型薄膜晶体管。然而，本公开内容不限于此。

第一晶体管TR1包含第一栅极、第一源极和第一漏极。第一栅极连接到第一节点N1。第一源极连接到发光元件OLED的阳极。第一漏极连接到高电位电源线VDD。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管TR1可以导通。当第一节点N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管TR1可以截止。此外，当第一晶体管TR1导通时，驱动电流可以通过第一晶体管TR1传输到发光元件OLED。因此，被构造为控制要提供给发光元件OLED的驱动电流的第一晶体管TR1可以被称为驱动晶体管。

第二晶体管TR2包含第二栅极、第二源极和第二漏极。第二栅极连接到栅极线GL。第二源极连接到第一节点N1。第二漏极连接到数据线DL。可以基于来自栅极线GL的栅极电压而使第二晶体管TR2导通或截止。当第二晶体管TR2导通时，可以用来自数据线DL的数据电压对第一节点N1充电。因此，被构造为通过栅极线GL导通或截止的第二晶体管TR2可以被称为开关晶体管。

第三晶体管TR3包含第三栅极、第三源极和第三漏极。第三栅极连接到感测线SL。第三源极连接到第二节点N2。第三漏极连接到参考线RL。可以基于来自感测线SL的感测电压而使第三晶体管TR3导通或截止。此外，当第三晶体管TR3导通时，参考电压可以从参考线RL传输到第二节点N2和存储电容器SC。因此，第三晶体管TR3可以被称为感测晶体管。

同时，图3示出了栅极线GL和感测线SL是分开的线。然而，栅极线GL和感测线SL可以被实现为单条线。然而，本公开内容不限于此。

存储电容器SC连接在第一晶体管TR1的第一栅极和第一源极之间。也就是说，存储电容器SC可以连接在第一节点N1和第二节点N2之间。存储电容器SC可以通过在发光元件OLED发光时保持第一晶体管TR1的第一栅极和第一源极之间的电势差来向发光元件OLED提供预定的驱动电流。存储电容器SC包含多个电容器电极。例如，多个电容器电极中的一个电容器电极可以连接到第一节点N1，并且另一电容器电极可以连接到第二节点N2。

发光元件OLED包含阳极、发光层和阴极。发光元件OLED的阳极连接到第二节点N2，并且阴极连接到低电位电源线VSS。发光元件OLED可以通过从第一晶体管TR1接收驱动电流来发射光。

同时，图3示出了根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有3T1C结构，该3T1C结构包含三个晶体管和单个存储电容器SC。然而，可以根据设计而对晶体管的数量、存储电容器SC的数量以及晶体管和存储电容器之间的连接关系做各种改变。本公开内容不限于此。

图4是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的放大俯视平面图。图5是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的截面图。图6A和6B是用于说明制造根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的过程的截面图。图6C是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的截面图。

图4是构成单个像素的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的放大俯视平面图。为了便于描述，图4没有示出堤部115，并且多个滤色器CF的边沿由粗实线表示。图6A至图6C是沿着图1中的线V-V’所取的截面图，例如，对应于其中柔性膜160未设置在第一基板101上的非显示区域NA的截面图。图6A是示出在执行刻划工艺(scribing process)之前所成的状态的截面图。图6B是示出在执行刻划工艺之后所成的状态的截面图。图6C是示出在执行激光剥离(LLO)工艺之后所成的状态的截面图。参考图4至图6C，显示装置100可以包含第一基板101、无机层110、平坦化层114、堤部115、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、发光元件OLED、栅极线GL、感测线SL、数据线DL、参考线RL、高电位电源线VDD、多个滤色器CF、接合层130、第二基板140和密封构件141。

参考图4，多个子像素SP包含红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW。例如，可以沿着行方向按顺序地设置红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG。但是，多个子像素SP的排列顺序不限于此。

多个子像素SP各自包含发光区域和电路区域。发光区域是可以独立地发射具有单一类型颜色的光的区域。在发光区域中可以设置发光元件OLED。例如，发光区域可以被定义为以下区域：在多个滤色器CF和阳极AN彼此重叠的区域中，从堤部115暴露并且被构造为使得从发光元件OLED发射的光可以传播到外部的区域。例如，一起参照图4和图5，红色子像素SPR的发光区域可以是在红色滤色器CFR和阳极AN彼此重叠的区域中从堤部115暴露的区域。绿色子像素SPG的发光区域可以是在绿色滤色器CFG和阳极AN彼此重叠的区域中从堤部115暴露的区域。蓝色子像素SPB的发光区域可以是在蓝色滤色器CF和阳极AN彼此重叠的区域中从堤部115暴露的区域中发射蓝色光的蓝色发光区域。在这种情况下，没有设置单独的滤色器CF的白色子像素SPW的发光区域可以是在从堤部115暴露的与阳极AN的一部分重叠的区域中发射白光的白色发光区域。

电路区域是除了发光区域之外的区域。用于驱动多个发光元件OLED的驱动电路DP和用于将各种类型的信号传输给该驱动电路DP的多条线可以设置在电路区域中。此外，设置有驱动电路DP、多条线和堤部115的电路区域可以是非发光区域。例如，在电路区域中，可以设置包含第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC的驱动电路DP、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL、多条栅极线GL、感测线SL和堤部115。

参照图3至图6C，在第一基板101上设置无机层110。无机层110可以包含设置在第一基板101上并且由无机材料制成的多个层。例如，无机层110可以包含下缓冲层116、上缓冲层111、栅极绝缘层112和钝化层113。然而，本公开内容不限于此。

参照图6A至图6C，无机层110的端部可以与第一基板101的端部重合(coincidentwith)。然而，本公开内容不限于此。无机层110可以暴露第一基板101的端部。例如，无机层110的端部可以设置在第一基板101的端部的内侧。

下缓冲层116设置在第一基板101上。下缓冲层116可抑制从第一基板101外部渗透的湿气和/或氧气扩散。可以通过控制下缓冲层116的厚度或层叠结构(layeredstructure)来控制显示装置100的防潮性能。此外，下缓冲层116抑制由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的第一基板101在与诸如像素部120之类的其它组成部分接触时发生短路。下缓冲层116可以由无机材料制成，例如，构造为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

在下缓冲层116上设置多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层(light-blocking layer)LS。

多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS可以设置在第一基板101上的同一层上并且由相同的导电材料制成。例如，多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS可以各自均由导电材料(诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

多条高电位电源线VDD是用于向多个子像素SP传输高电位电源电压的线。多条高电位电源线VDD可以在多个子像素SP之间沿列方向延伸。在行方向上彼此相邻的两个子像素SP可以共享多条高电位电源线VDD中的单条高电位电源线VDD。例如，一条高电位电源线VDD可以设置在红色子像素SPR的左侧，并且可以向红色子像素SPR和白色子像素SPW每一个的第一晶体管TR1提供高电位电源电压。另一高电位电源线VDD可以设置在绿色子像素SPG的右侧，并且可以向蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG每一个的第一晶体管TR1提供高电位电源电压。

多条数据线DL包含第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4，它们是在多个子像素SP之间沿列方向延伸并且将数据电压传输到多个子像素SP的线。第一数据线DL1可以设置在红色子像素SPR和白色子像素SPW之间，并且可以将数据电压传输到红色子像素SPR的第二晶体管TR2。第二数据线DL2可以设置在第一数据线DL1和白色子像素SPW之间，并且可以将数据电压传输到白色子像素SPW的第二晶体管TR2。第三数据线DL3可以设置在蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG之间，并且可以将数据电压传输到蓝色子像素SPB的第二晶体管TR2。第四数据线DL4可以设置在第三数据线DL3和绿色子像素SPG之间，并且可以将数据电压传输到绿色子像素SPG的第二晶体管TR2。

多条参考线RL是在多个子像素SP之间沿列方向延伸并且将参考电压传输到多个子像素SP的线。构成单个像素的多个子像素SP可以共享单条参考线RL。例如，一条参考线RL可以设置在白色子像素SPW和蓝色子像素SPB之间，并且可以将参考电压传输到红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG每一个的第三晶体管TR3。

参考图4和图5，在下缓冲层116上设置遮光层LS。遮光层LS可以与多个晶体管TR1、TR2和TR3中的至少第一晶体管TR1的第一有源层ACT1有重叠，并且抑制光进入第一有源层ACT1。如果光被发射到第一有源层ACT1，则发生泄漏电流，这可能降低作为驱动晶体管的第一晶体管TR1的可靠性。在这种情况下，当由不透明导电材料(诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成的遮光层LS与第一有源层ACT1有重叠时，遮光层LS可以抑制光从第一基板101的下侧进入第一有源层ACT1，从而提高第一晶体管TR1的可靠性。然而，本公开内容不限于此。遮光层LS也可以与第二晶体管TR2的第二有源层ACT2和第三晶体管TR3的第三有源层ACT3有重叠。

同时，附图示出了遮光层LS为单层。但是，遮光层LS也可以作为多个层提供。例如，遮光层LS可以作为多个层提供，所述多个层与介于其间的无机层110(例如，下缓冲层116、上缓冲层111、栅极绝缘层112和钝化层113中的至少任一层)彼此有重叠。

在多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS上设置上缓冲层111。上缓冲层111可以减少湿气或杂质通过第一基板101渗透。例如，上缓冲层111可以被构造为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。此外，根据第一基板101的类型或晶体管的类型，可以去除上缓冲层111。然而，本申请文件不限于此。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC设置在多个子像素SP中的每一个子像素SP的上缓冲层111上。

第一晶体管TR1包含第一有源层ACT1、第一栅极GE1、第一源极SE1和第一漏极DE1。

第一有源层ACT1设置在上缓冲层111上。第一有源层ACT1可以由半导体材料(诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅)制成，但是本公开内容不限于此。例如，在第一有源层ACT1由氧化物半导体制成的情况下，第一有源层ACT1可以包含沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以是具有导电性的区域。然而，本公开内容不限于此。

栅极绝缘层112设置在第一有源层ACT1上。栅极绝缘层112可以是用于使第一栅极GE1和第一有源层ACT1绝缘的层，并且可以由绝缘材料制成。例如，栅极绝缘层112可以被构造为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

第一栅极GE1设置在栅极绝缘层112上，以便与第一有源层ACT1重叠。第一栅极GE1可以由导电材料(例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

第一源极SE1和第一漏极DE1设置在栅极绝缘层112上并且彼此间隔开。第一源极SE1和第一漏极DE1可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第一有源层ACT1。第一源极SE1和第一漏极DE1可以设置在与第一栅极GE1同一层上并且由与第一栅极GE1相同的导电材料制成。然而，本公开内容不限于此。例如，第一源极SE1和第一漏极DE1可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

第一漏极DE1电连接到高电位电源线VDD。例如，红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏极DE1可以电连接到红色子像素SPR左侧的高电位电源线VDD。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏极DE1可以电连接到绿色子像素SPG右侧的高电位电源线VDD。

在这种情况下，为了将第一漏极DE1电连接至高电位电源线VDD，可以进一步设置辅助高电位电源线VDDa。辅助高电位电源线VDDa具有电连接至高电位电源线VDD的一端、和电连接至多个子像素SP的每一个子像素的第一漏极DE1的另一端。例如，在辅助高电位电源线VDDa设置在与第一漏极DE1同一层上并且可以由与第一漏极DE1相同的材料制成的情况下，辅助高电位电源线VDDa的一端可以通过形成在栅极绝缘层112和上缓冲层111中的接触孔电连接到高电位电源线VDD，并且辅助高电位电源线VDDa的另一端可以延伸到第一漏极DE1并且可以与第一漏极DE1一体形成。

在这种情况下，电连接到同一高电位电源线VDD的红色子像素SPR的第一漏极DE1和白色子像素SPW的第一漏极DE1可以连接到同一辅助高电位电源线VDDa。蓝色子像素SPB的第一漏极DE1和绿色子像素SPG的第一漏极DE1也可以连接到同一辅助高电位电源线VDDa。然而，第一漏极DE1和高电位电源线VDD可以通过其他方法电连接。然而，本公开内容不限于此。

第一源极SE1可以通过形成在栅极绝缘层112和上缓冲层111中的接触孔电连接到遮光层LS。此外，连接到第一源极SE1的第一有源层ACT1的一部分可以通过形成在上缓冲层111中的接触孔电连接到遮光层LS。如果遮光层LS浮动(float)，则第一晶体管TR1的阈值电压发生变化，这可能影响显示装置100的工作。因此，遮光层LS可以电连接到第一源极SE1，由此可以对遮光层LS施加电压而不影响第一晶体管TR1的工作。在本申请文件中，描述了第一有源层ACT1和第一源极SE1二者都与遮光层LS相接触的构造。但是，也可以仅第一源极SE1和第一有源层ACT1中的任何一个与遮光层LS直接接触。本公开内容不限于此。

同时，图5示出了在第一基板101的整个表面上形成栅极绝缘层112。然而，栅极绝缘层112可以被图案化以仅与第一栅极GE1、第一源极SE1和第一漏极DE1重叠。然而，本公开内容不限于此。

第二晶体管TR2包含第二有源层ACT2、第二栅极GE2、第二源极SE2和第二漏极DE2。

第二有源层ACT2设置在上缓冲层111上。第二有源层ACT2可以由半导体材料(诸如氧化物半导体、非晶硅或者多晶硅)制成，但是本公开内容不限于此。例如，在第二有源层ACT2由氧化物半导体制成的情况下，第二有源层ACT2可以包含沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以是具有导电性的区域。然而，本公开内容不限于此。

第二源极SE2设置在上缓冲层111上。第二源极SE2可以与第二有源层ACT2一体形成并且电连接到第二有源层ACT2。例如，可以通过在上缓冲层111上形成半导体材料并且使该半导体材料的一部分导电来形成第二源极SE2。因此，不变得导电的半导体材料的一部分可以是第二有源层ACT2。变得导电的半导体材料的一部分可以是第二源极SE2。然而，第二有源层ACT2和第二源极SE2可以分开形成。然而，本公开内容不限于此。

第二源极SE2电连接到第一晶体管TR1的第一栅极GE1。第一栅极GE1可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第二源极SE2。因此，第一晶体管TR1可以响应于来自第二晶体管TR2的信号而导通或截止。

栅极绝缘层112设置在第二有源层ACT2和第二源极SE2上。第二漏极DE2和第二栅极GE2设置在栅极绝缘层112上。

第二栅极GE2设置在栅极绝缘层112上，以便与第二有源层ACT2重叠。第二栅极GE2可以电连接到栅极线GL。可以根据传输到第二栅极GE2的栅极电压而使第二晶体管TR2导通或截止。第二栅极GE2可以由导电材料(例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

同时，第二栅极GE2可以从栅极线GL延伸。例如，第二栅极GE2可以与栅极线GL一体形成。第二栅极GE2和栅极线GL可以由相同的导电材料制成。例如，栅极线GL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

栅极线GL是用来向多个子像素SP传输栅极电压的线。栅极线GL可以在行方向上延伸，同时横穿多个子像素SP的电路区域。栅极线GL可以在行方向上延伸并且与在列方向上延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和多条参考线RL相交。

第二漏极DE2设置在栅极绝缘层112上。第二漏极DE2可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第二有源层ACT2。第二漏极DE2可以通过形成在栅极绝缘层112和上缓冲层111中的接触孔电连接到多条数据线DL中的一条数据线。例如，红色子像素SPR的第二漏极DE2可以电连接到第一数据线DL1。白色子像素SPW的第二漏极DE2可以电连接到第二数据线DL2。例如，蓝色子像素SPB的第二漏极DE2也可以电连接到第三数据线DL3。绿色子像素SPG的第二漏极DE2可以电连接到第四数据线DL4。第二漏极DE2可以由导电材料(例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

第三晶体管TR3包含第三有源层ACT3、第三栅极GE3、第三源极SE3和第三漏极DE3。

第三有源层ACT3设置在上缓冲层111上。第三有源层ACT3可以由半导体材料(诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅)制成，但是本公开内容不限于此。例如，在第三有源层ACT3由氧化物半导体制成的情况下，第三有源层ACT3可以包含沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可以是具有导电性的区域。然而，本公开内容不限于此。

栅极绝缘层112设置在第三有源层ACT3上。第三栅极GE3、第三源极SE3和第三漏极DE3设置在栅极绝缘层112上。

第三栅极GE3设置在栅极绝缘层112上，以便与第三有源层ACT3重叠。第三栅极GE3可以电连接到感测线SL。可以基于传输到第三晶体管TR3的感测电压来使第三晶体管TR3导通或截止。第三栅极GE3可以由导电材料(例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

同时，第三栅极GE3可以从感测线SL延伸。例如，第三栅极GE3可以与感测线SL一体形成。第三栅极GE3和感测线SL可以由相同的导电材料制成。例如，感测线SL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金制成。然而，本公开内容不限于此。

感测线SL是将感测电压传输到多个子像素SP并且在多个子像素SP之间沿行方向延伸的线。例如，感测线SL可以在多个子像素SP之间的边界处在行方向上延伸，并且可以与在列方向上延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和多条参考线RL相交。

第三源极SE3可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第三有源层ACT3。第三源极SE3可以由导电材料(例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

同时，第三有源层ACT3的与第三源极SE3相接触的部分可以通过形成在上缓冲层111中的接触孔电连接到遮光层LS。例如，第三源极SE3可以电连接到遮光层LS，其中第三有源层ACT3介于第三源极SE3和遮光层LS之间。因此，第三源极SE3与第一源极SE1可以通过遮光层LS彼此电连接。

第三漏极DE3可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第三有源层ACT3。第三漏极DE3可以由导电材料(例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)制成。然而，本公开内容不限于此。

第三漏极DE3可以电连接到参考线RL。例如，构成单个像素的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB及绿色子像素SPG的第三漏极DE3可以电连接到同一参考线RL。例如，构成单个像素的多个子像素SP可以共享单条参考线RL。

在这种情况下，辅助参考线RLa可以将信号从在列方向上延伸的参考线RL传输到在行方向上并排布置的多个子像素SP。辅助参考线RLa可以在行方向上延伸，并且将参考线RL电连接到多个子像素SP中的每一个子像素的第三漏极DE3。辅助参考线RLa的一端可以通过形成在上缓冲层111和栅极绝缘层112中的接触孔电连接到参考线RL。此外，辅助参考线RLa的另一端可以电连接到多个子像素SP中的每一个子像素的第三漏极DE3。在这种情况下，辅助参考线RLa可以与多个子像素SP中的每一个子像素的第三漏极DE3一体形成。参考电压可以通过辅助参考线RLa从参考线RL传输到第三漏极DE3。然而，辅助参考线RLa可以与第三漏极DE3分开形成。然而，本公开内容不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素的电路区域中设置存储电容器SC。存储电容器SC可以存储第一晶体管TR1的第一栅极GE1和第一源极SE1之间的电压，使得发光元件OLED可以在单个帧期间连续地保持相同的状态。存储电容器SC可以包含第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2。

在多个子像素SP的每一个子像素中，第一电容器电极SC1设置在下缓冲层116与上缓冲层111之间。在设置在第一基板101上的导电构成元件中，第一电容器电极SC1可以设置成最靠近第一基板101。第一电容器电极SC1可以与遮光层LS一体形成。第一电容器电极SC1可以通过遮光层LS电连接到第一源极SE1。

上缓冲层111设置在第一电容器电极SC1上。在上缓冲层111上设置第二电容器电极SC2。第二电容器电极SC2可以与第一电容器电极SC1重叠。第二电容器电极SC2可以与第二源极SE2一体形成，并且可以电连接到第二源极SE2或第一栅极GE1。例如，可以通过在上缓冲层111上形成半导体材料并且使该半导体材料的一部分导电来形成第二源极SE2和第二电容器电极SC2。因此，不变得导电的半导体材料的一部分可以用作第二有源层ACT2。变得导电的半导体材料的一部分可以用作第二源极SE2或第二电容器电极SC2。此外，如上所述，第一栅极GE1通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接到第二源极SE2。因此，第二电容器电极SC2可以与第二源极SE2一体形成，并且可以电连接到第二源极SE2和第一栅极GE1。

总之，存储电容器SC的第一电容器电极SC1可以与遮光层LS一体形成，并且可以电连接到遮光层LS、第一源极SE1及第三源极SE3。此外，第二电容器电极SC2可以与第二源极SE2或第二有源层ACT2一体形成并且可以电连接到第二源极SE2和第一栅极GE1。因此，彼此重叠且上缓冲层111介于其间的第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2通过在发光元件OLED发光时恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极GE1和第一源极SE1之间的电势差，可以将发光元件OLED保持在恒定状态。

在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC上设置钝化层113。钝化层113是用于保护设置在钝化层113下方的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以被构造为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。此外，根据示例性实施方式，可以不包括钝化层113。

多个滤色器CF设置在多个子像素SP中的每一个子像素的发光区域中，并且设置在钝化层113上。如上所述，根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100是底部发射型显示装置，允许从发光元件OLED发射的光传播到发光元件OLED和第一基板101的下侧。因此，多个滤色器CF可以设置在发光元件OLED下方。从发光元件OLED发射的光可以通过穿过多个滤色器CF以具有各种颜色的光束的形式实现。

多个滤色器CF包含红色滤色器CFR、蓝色滤色器CFB和绿色滤色器CFG。红色滤色器CFR可以设置在多个子像素SP中的红色子像素SPR的发光区域中。蓝色滤色器CFB可以设置在蓝色子像素SPB的发光区域中。绿色滤色器CFG可以设置在绿色子像素SPG的发光区域中。

在钝化层113和多个滤色器CF上可以设置平坦化层114。

平坦化层114是用于使其上设置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL、多条栅极线GL和多条感测线SL的第一基板101的上部平坦化的绝缘层。平坦化层114可以被构造为由有机材料(例如，丙烯酸基(acrylic-based)材料)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

同时，平坦化层114可以包含第一平坦化层114a和第二平坦化层114b。将参考图6A至7C详细描述第一平坦化层114a和第二平坦化层114b。

在多个子像素SP中的每一个子像素的发光区域中设置发光元件OLED。发光元件OLED设置在多个子像素SP的每一个子像素的平坦化层114上。发光元件OLED包含阳极AN、发光层EL和阴极CA。

阳极AN设置在发光区域中的平坦化层114上。因为阳极AN向发光层EL提供空穴，所以阳极AN可以由具有高功函数的导电材料制成，并且也可以称为阳极AN。例如，阳极AN可以由透明导电材料(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))制成，但本公开内容不限于此。

同时，阳极AN可以朝向电路区域延伸。阳极AN的一部分可以从发光区域朝向电路区域的第一源极SE1延伸，并且可以通过形成在平坦化层114和钝化层113中的接触孔电连接到第一源极SE1。因此，发光元件OLED的阳极AN可以延伸到电路区域并且电连接到第一晶体管TR1的第一源极SE1或存储电容器SC的第一电容器电极SC1。

发光层EL设置在发光区域和电路区域中的阳极AN上。发光层EL可以被构造为在多个子像素SP上的单个层。例如，多个子像素SP的发光层EL可以彼此连接并且可以彼此一体形成。发光层EL可以构成为单个发光层。发光层EL可以具有多个发光层堆叠的结构，这多个发光层被构造为发射具有不同颜色的光束。发光层EL还可以包含诸如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之类的有机层。

阴极CA设置在发光区域和电路区域中的发光层EL上。因为阴极CA向发光层EL供应电子，所以阴极CA可以由具有低功函数的导电材料制成。阴极CA可以被构造为在多个子像素SP上的单个层。例如，多个子像素SP的阴极CA可以彼此连接并且可以彼此一体形成。例如，阴极CA可以由透明导电材料(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))制成，或者由镱(Yb)合金制成。阴极CA还可以包含金属掺杂层，但是本申请文件不限于此。同时，尽管未在图4和图5中示出，但是发光元件OLED的阴极CA可以电连接到低电位电源线VSS并且接收低电位电源电压。

在阳极AN和发光层EL之间设置堤部115。堤部115与显示区域AA有重叠并且覆盖阳极AN的边缘。堤部115可以设置在相邻的子像素SP之间的边界处，并且减少从多个子像素SP中的每一个子像素的发光元件OLED发射的光束的颜色混合。堤部115可以由绝缘材料制成。例如，堤部115可以由聚酰亚胺基树脂、亚克力基树脂或苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)基树脂制成。然而，本公开内容不限于此。

参照图6C，在非显示区域NA中，按顺序设置偏振板150、第一基板101、无机层110、平坦化层114、堤部115、阴极CA、接合层130和第二基板140。密封构件141设置在第二基板140的侧表面上。图6C中所示的非显示区域NA是第一基板101的不包括设置有柔性膜160的一侧的侧向部分的非显示区域NA。

首先，参考用于解释制造过程的图6A，在第一基板101的下部上设置临时基板SUB。临时基板SUB可以具有比第一基板101更大的面积，以覆盖第一基板101的底表面。临时基板SUB是用于在制造显示装置100的过程期间支撑第一基板101和设置在第一基板101上的构成元件的基板。临时基板SUB可以由具有刚性的材料制成。例如，临时基板SUB可以由玻璃制成。然而，本公开内容不限于此。

牺牲层102设置在临时基板SUB上。牺牲层102是为了容易地分离临时基板SUB和第一基板101而形成的层。因此，牺牲层102可以具有比第一基板101更大的面积以覆盖整个第一基板101。牺牲层102可以具有与临时基板SUB相同的面积。可以通过从临时基板SUB的下侧向牺牲层102发射激光束来使牺牲层102脱氢，临时基板SUB、牺牲层102和第一基板101可以被分离。例如，牺牲层102可以由氢化非晶硅(hydrogenated amorphous silicon)或者氢化且掺杂的非晶硅制成。

第一基板101设置于牺牲层102上。第一基板101可以具有比牺牲层102更小的面积以设置在牺牲层102内侧，使得第一基板101在平行于牺牲层102和/或第一基板101的方向上不突出超过牺牲层102。

无机层110设置在第一基板101上。

无机层110的端部可以设置在非显示区域NA中，并且位于与第一基板101的端部相同的平面上。然而，本公开内容不限于此。无机层110的端部可以位于第一基板101的端部的内侧。

平坦化层114设置在临时基板SUB、第一基板101和无机层110上。平坦化层114设置成覆盖第一基板101的整个表面。平坦化层114的端部可以设置在非显示区域NA中并且位于第一基板101的端部和无机层110的端部的外侧。

同时，平坦化层114可以包含第一平坦化层114a和第二平坦化层114b。第一平坦化层114a和第二平坦化层114b可以是一体形成的并且由相同的材料制成。例如，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b可以通过同一工艺同时形成。

第一平坦化层114a设置在与第一基板101重叠的区域中。例如，第一平坦化层114a可以部分地设置在显示区域AA和非显示区域NA中，并且设置成与第一基板101和无机层110重叠。因此，图5中所示的平坦化层114可以对应于第一平坦化层114a。

第二平坦化层114b可设置在不与第一基板101重叠的区域中。例如，如图6A中所示，第二平坦化层114b可毗邻(adjoin)牺牲层102。因此，第二平坦化层114b可以围绕第一平坦化层114a、无机层110和第一基板101的侧表面。

堤部115设置在临时基板SUB、第一基板101、无机层110和平坦化层114上。堤部115的端部可以设置在非显示区域NA中并且位于与第二平坦化层114b的端部相同的平面上。然而，本公开内容不限于此。堤部115的端部可以位于第二平坦化层114b的端部的内侧。

阴极CA、接合层130和第二基板140可以设置在堤部115上。接合层130的端部可以位于平坦化层114和堤部115的顶表面上。例如，第二平坦化层114b的端部可以位于接合层130的端部的外侧。此外，第二基板140可以毗邻接合层130的顶表面。因此，第一基板101和无机层110的端部可以设置在接合层130的端部的内侧。

密封构件141可以围绕第二基板140的侧表面。密封构件141的端部可以设置在第二平坦化层114b的端部的外侧，使得密封构件141可以覆盖第二平坦化层114b的端部。密封构件141可以被构造为由有机材料(例如，丙烯酸基材料)制成的单层或多层。

接下来，可以执行刻划工艺以将临时基板SUB刻划成用于显示装置100的单元。参照图6B，临时基板SUB和设置在临时基板SUB上的一些部件可以通过刻划工艺移除。例如，可以部分地移除设置在密封构件141外侧的临时基板SUB和牺牲层102。因此，可以在临时基板SUB上形成切割表面Sl。在这种情况下，在刻划工艺之后形成的切割表面Sl可以比密封构件141的端部更突出到外侧。例如，密封构件141的端部可以设置在临时基板SUB和牺牲层102的端部的内侧。第二平坦化层114b的端部、第一基板101的端部和无机层110的端部可以设置在密封构件141的端部的内侧。

接下来，可以通过LLO工艺分离第一基板101和临时基板SUB。牺牲层102可以由氢化非晶硅或者氢化且掺杂的非晶硅制成。当激光束从临时基板SUB的下侧朝向临时基板SUB和牺牲层102发射时，牺牲层102可以被脱氢，牺牲层102和临时基板SUB可以与第一基板101分离。

此外，在LLO工艺中，第一基板101、第二平坦化层114b和密封构件141可与临时基板SUB分离。因此，密封构件141和第二平坦化层114b的端部可以设置在第一基板101的外侧并且设置在与第一基板101同一层上。

接下来，参照图6C，偏振板150设置在第二平坦化层114b、第一基板101和密封构件141的下部上。然而，本公开内容不限于此。可以在第一基板101的底表面、第二平坦化层114b的底表面和密封构件141的底表面上设置阻挡膜或接合剂。

第二平坦化层114b可以设置在非显示区域NA中并且围绕第一平坦化层114a、无机层110和第一基板101。第二平坦化层114b可以设置在非显示区域NA的不包括设置有柔性膜160的区域的区域中。密封构件141可以设置在非显示区域NA中并且围绕第二平坦化层114b、接合层130和第二基板140。

在下文中，将参考图7A至7C描述其中设置有柔性膜160的非显示区域NA。

图7A和7B是用于说明制造根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的过程的截面图。图7C是根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置的截面图。图7A至7C是沿图1中的线VII-VII'所取的截面图，例如，对应于其中柔性膜160设置在第一基板101上的非显示区域NA的截面图。图7A是示出在制造显示装置100的过程期间执行刻划工艺之前所成的状态的截面图。图7B是示出在执行刻划工艺之后所成的状态的截面图，并且图7C是示出在执行LLO工艺之后所成的状态的截面图。

图7C中所示的非显示区域NA是其中设置有柔性膜160的第一基板101的非显示区域NA。参照图7C，在非显示区域NA中，按顺序设置偏振板150、第一基板101、柔性膜160、无机层110、平坦化层114、堤部115、阴极CA、接合层130和第二基板140。密封构件141和接合构件AD设置在第二基板140的侧表面上。

首先，参照用于解释制造过程的图7A，临时基板SUB设置在第一基板101的下部上。临时基板SUB可以具有比第一基板101更大的面积，以覆盖第一基板101的底表面。

牺牲层102设置在临时基板SUB上。牺牲层102可以具有比第一基板101更大的面积以覆盖整个第一基板101。牺牲层102可以具有与临时基板SUB相同的面积。

第一基板101设置在牺牲层102上。第一基板101可以具有比牺牲层102更小的面积以设置在牺牲层102内侧，以便在平行于牺牲层102和/或第一基板101的方向上不突出超过牺牲层102。

无机层110设置在第一基板101上。

无机层110的端部可以设置在非显示区域NA中，并且位于与第一基板101的端部相同的平面上，例如使得无机层101的端部和第一基板110的端部彼此对齐(例如齐平(flush))，即，在距显示区域AA相同的距离处，或者无机层110的端部可以定位成比第一基板101的端部更靠近显示区域AA。

平坦化层114设置在临时基板SUB、第一基板101和无机层110上。

在其中设置有柔性膜160的非显示区域NA中，仅可设置第一平坦化层114a，该第一平坦化层114a是平坦化层114的与第一基板101重叠的区域。

堤部115设置在临时基板SUB、第一基板101、无机层110和平坦化层114上。堤部115的端部可以设置在非显示区域NA中并且位于与平坦化层114的端部相同的平面上或者位于平坦化层114的端部的内侧。

阴极CA、接合层130和第二基板140可以设置在堤部115上。平坦化层114的端部可以位于接合层130的端部的外侧。此外，第二基板140可以毗邻接合层130的顶表面。在这种情况下，第一基板101和无机层110的端部可以设置在接合层130的端部的外侧。

多个焊盘P可以设置在第一基板101和无机层110上。多个焊盘P是用于电连接多个柔性膜160和多个子像素SP的电极。来自印刷电路板170和多个柔性膜160的信号可以通过多个焊盘P传输到显示区域AA中的多个子像素SP。

同时，尽管在图7A至7C中未示出，但是在第一基板101上可以设置链接线(linkline)。该链接线可以电连接到多个焊盘P，并且将信号从多个焊盘P传输到显示区域AA中的多个子像素SP。

多个柔性膜160可以设置在多个焊盘P上。多个柔性膜160中的每一个柔性膜的一端可以电连接到多个焊盘P。在这种情况下，多个柔性膜160和多个焊盘P可以通过接合构件AD电连接。

接合构件AD可以是含有导电颗粒的导电接合层。例如，接合构件AD可以是各向异性导电膜(anisotropic conductive film；ACF)。然而，本公开内容不限于此。

密封构件141设置在第二基板140的侧表面上。密封构件141被设置成覆盖设置在基板101的顶表面上的柔性膜160的一端。密封构件141的端部可以设置在平坦化层114的端部的外侧，使得密封构件141可以覆盖平坦化层114的端部。密封构件141可以被构造为由有机材料(例如，丙烯酸基材料)制成的单层或多层。

接下来，可以执行刻划工艺以将临时基板SUB刻划成用于显示装置100的单元。参考图7B，刻划工艺可以移除临时基板SUB和设置在临时基板SUB的上部部分上的一些部件，例如，部分地移除设置在柔性膜160外侧的临时基板SUB和牺牲层102。在这种情况下，在刻划工艺之后形成的切割表面Sl可以比密封构件141的端部更突出到外侧。

密封构件141的端部可以设置在临时基板SUB和牺牲层102的端部的内侧。平坦化层114的端部、第一基板101的端部和无机层110的端部可以设置在密封构件141的端部的内侧。

接下来，可以通过LLO工艺分离第一基板101和临时基板SUB。

此外，在LLO工艺中，第一基板101和密封构件141可以与临时基板SUB分离。接下来，参照图7C，在第一基板101的下部上设置偏振板150。然而，本公开内容不限于此。可以在第一基板101的底表面上设置阻挡膜或接合剂。

显示装置100的第一基板101可以由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种制成。因此，显示装置100的厚度可以减小。在现有技术中，塑料基板主要用于显示装置的基板。然而，由于塑料基板是通过在高温下施加和固化基板材料而形成的，因此存在需要大量时间的问题，并且难以将厚度减小到预定水平或更小。相反，透明导电氧化物或氧化物半导体可以通过诸如溅射之类的沉积工艺使显示装置能够具有非常小的厚度。因此，在显示装置100中，用于支撑显示装置100的若干部件的第一基板101可以由透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成。因此，可以减小显示装置100的厚度并且实现纤薄设计。

另外，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由透明导电氧化物或氧化物半导体制成，使得可以改善显示装置100的柔性或减小由显示装置100的变形引起的应力。例如，当第一基板101由透明导电氧化物或氧化物半导体制成时，第一基板101可以形成为非常薄的膜。在这种情况下，第一基板101可以被称为第一透明薄膜层。因此，包含第一基板101的显示装置100可以具有高柔性。因此，显示装置100可以容易地弯曲或卷起。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任一个制成，使得可以改善显示装置100的柔性并且减小由显示装置100的变形引起的应力。因此，可以减少显示装置100中形成的裂缝。

另外，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101可以由透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任一个制成，从而降低在第一基板101上发生静电的可能性。如果第一基板101由塑料制成并且发生静电，则第一基板101上的各种类型的线和驱动元件可能被静电损坏，或者静电可能影响线和部件的工作，这可能劣化显示质量。相反，第一基板101由透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成，可以最小化或至少减少在第一基板101上发生的静电并且简化用于阻止和释放静电的构造。因此，在显示装置100中，第一基板101由产生静电的可能性低的透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任何一个制成。因此，可以减少由静电引起的显示质量的损坏或劣化。

另外，在显示装置100中，第一基板101可以由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。因此，可以最小化或至少减少外部湿气或氧气透过第一基板101渗透到显示装置100中。当第一基板101由透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成时，第一基板101是在真空环境中形成的，使得颗粒出现的可能性显著低。此外，即使出现颗粒，颗粒的尺寸也非常小。因此，可以最小化或至少减少湿气和氧气渗透到显示装置100中。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由降低颗粒出现的可能性并且具有优异的防潮性能的透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，可以提高包含有机层的发光元件OLED和显示装置100的可靠性。

另外，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成。此外，第一基板101可以在薄的、便宜的阻挡膜贴附到第一基板101的下部的状态下使用。在第一基板101由例如具有低防潮性能的塑料材料这样的材料制成的情况下，可以通过贴附具有高防潮性能的厚的、昂贵的阻挡膜来改善防潮性能。然而，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由防潮性能优异的透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，薄的、便宜的阻挡膜可以贴附到第一基板101的下部。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由防潮性能优异的透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成。因此，可以降低显示装置100的制造成本。

另外，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成。因此，可以执行激光剥离(LLO)工艺。在制造显示装置100的过程期间，可以通过将具有牺牲层的临时基板SUB贴附到第一基板101的下部来在第一基板101上形成像素部120。牺牲层可以由例如氢化非晶硅或者氢化且掺杂的非晶硅制成。此外，当在制造完显示装置100之后将激光束发射到临时基板SUB的下部时，牺牲层可以被脱氢，牺牲层和临时基板SUB可以与第一基板101分离。在这种情况下，透明导电氧化物或氧化物半导体是可以连同牺牲层和临时基板SUB一起经受LLO工艺的材料。因此，即使第一基板101由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成，也可以容易地分离第一基板101和临时基板SUB。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101由可以经受LLO工艺的透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。因此，甚至使用现有技术中的工艺和设备，也可以容易地制造显示装置100。

同时，如上所述，在第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成的情况下，第一基板可以设置在显示装置的整个区域中以执行LLO工艺。例如，第一基板可以设置在显示装置的整个显示区域和整个非显示区域上。在这种情况下，第一基板和无机层可以延伸到显示装置的最外周区域。然而，如上所述，在第一基板和无机层设置在最外周区域中的情况下，第一基板和无机层可能容易因外部冲击而破裂和损坏。

此外，如果外力施加到具有相对高刚性的第二基板的边界，则第一基板和无机层可能在对应于第二基板的边界的区域中破裂和损坏。因此，显示装置的可靠性可能劣化。

在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，平坦化层114包含设置成围绕无机层110和第一基板101的侧表面的第二平坦化层114b。此外，密封构件141设置成围绕第一基板101、无机层110、像素部120、接合层130和第二基板140的侧表面。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，第一基板101和无机层110可以不设置在显示装置100的外周部分上，并且平坦化层114和密封构件141可以保护第一基板101和无机层110的端部。因此，平坦化层114和密封构件141可以在横向碰撞的情况下各自用作保险杠(bumper)，从而改善侧表面的刚性。此外，第一基板101和无机层110可以不设置在与第二基板140的边界对应的区域中。因此，第一基板101和无机层110不会因从显示装置100的外部施加的冲击和施加到第二基板140的边界的应力而损坏或破裂。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，可以提高可靠性并且减少由裂缝引起的有缺陷的操作。

同时，在制造显示装置的过程期间执行将显示装置切割成小单位单元(cellunit)的刻划工艺。在刻划工艺之后形成的切割表面上可能存在缺陷，诸如细碎屑(finechipping)和裂缝。裂缝可能从作为起点的缺陷传播，这可能导致显示装置的可靠性的问题。例如，第一基板、无机层、平坦化层和类似物可能连同临时基板一起通过刻划工艺切割。第一基板、无机层和平坦化层每一个的一个表面可以形成为切割表面。在第一基板、无机层和平坦化层的切割表面上存在细碎屑和裂缝的情况下，裂缝可能在制造过程期间或制造过程之后传播到显示装置中，这可能导致湿气渗透和可靠性劣化的问题。此外，在第一基板和无机层破裂的情况下，裂缝可能传播到无机层上的其他构成元件。尤其是，如果裂缝传播到线或者电路，则可能发生有缺陷的操作。

在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，在最终产品上不存在切割表面。如上所述，在制造过程期间形成的切割表面Sl仅是通过刻划临时基板SUB的工艺形成的切割表面Sl。第一基板101、无机层110、平坦化层114和堤部115全都不被刻划工艺切割。另外，包含切割表面Sl的临时基板SUB是要通过LLO工艺移除的对象，并且临时基板SUB不包含在作为最终产品的显示装置100中。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，通过刻划工艺形成的切割表面Sl最终不存在。因此，可以通过阻止从切割表面Sl开始的裂缝的传播来提高可靠性。

同时，在第一基板设置在显示装置的整个显示区域和整个非显示区域中以执行LLO工艺的情况下，在形成密封构件之后执行刻划工艺。在这种情况下，可以在密封构件的端部上精确地执行刻划工艺，使得设置在密封构件的下部上的所有构成元件都可以与密封构件重叠。然而，因为在刻划工艺期间发生工艺误差，所以刻划工艺在从密封构件的端部向外以一个工艺余量(process margin)设置的部分上执行。因此，设置在密封构件的下部上的一些构成元件(例如，平坦化层、无机层和第一基板)各自具有从密封构件的端部突出到外侧的部分。因为突出的部分不能被密封构件保护，所以突出的部分在制造过程期间或制造过程之后容易因外部冲击而破裂，并且裂缝可能易于传播到显示装置中。

在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，堤部115、平坦化层114、无机层110和第一基板101所有的端部都设置在密封构件141的端部的内侧。例如，在制造过程期间，临时基板SUB和牺牲层102的端部比堤部115、平坦化层114、无机层110和第一基板101的端部更突出到外侧，使得密封构件141设置成毗邻临时基板SUB和牺牲层102。因此，即使在刻划工艺期间临时基板SUB的端部比密封构件141的端部更突出到外侧，通过LLO工艺也移除比密封构件141的端部更突出的临时基板SUB。因此，在作为最终产品的显示装置100中，密封构件141可以围绕堤部115、平坦化层114、无机层110和第一基板101的侧表面。因此，在根据本公开内容一示例性实施方式的显示装置100中，不存在未施加密封构件141的区域。因此，可以抑制或至少减少由未施加密封构件141的区域引起的裂缝的发生和传播。

图8A是用于说明制造根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的过程的截面图。图8B是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。图8A是示出在执行刻划工艺之后所成的状态的截面图，并且图8B是示出在执行LLO工艺之后所成的状态的截面图。图8A和图8B中的显示装置800在构造上基本上与图1至图7B中的显示装置100相同，除了平坦化层814、堤部815、接合层830和密封构件841的布置之外。因此，将省略对相同部件的重复描述。

首先，参照图8A，设置临时基板SUB、牺牲层102、第一基板101和无机层110，并且平坦化层814设置在临时基板SUB、第一基板101和无机层110上。

平坦化层814设置在临时基板SUB、第一基板101和无机层110上。平坦化层814设置成覆盖第一基板101的整个表面。平坦化层814的端部可以设置在非显示区域NA中，并且位于第一基板101的端部和无机层110的端部的外侧。

平坦化层814可以包含第一平坦化层814a和第二平坦化层814b。第一平坦化层814a设置在与第一基板101重叠的区域中。第二平坦化层814b设置在不与第一基板101重叠的区域中。

堤部815设置在临时基板SUB、第一基板101、无机层110和平坦化层814上。堤部815的端部可以设置在非显示区域NA中并且位于与第二平坦化层814b的端部相同的平面上。然而，本公开内容不限于此。堤部815的端部可以位于第二平坦化层814b的端部的内侧。

阴极CA、接合层830和第二基板140可以设置在堤部815上。

接合层830可以设置在堤部815上以围绕第一基板101、无机层110、平坦化层814和堤部815的侧表面。因此，参照图8A，第二平坦化层814b的端部可以位于接合层830的端部的内侧。因此，接合层830可以围绕平坦化层814的侧表面。接合层830的端部可以毗邻牺牲层102。

第二基板140可以毗邻接合层830的顶表面。在这种情况下，第二基板140的端部可以设置在第一基板101、无机层110、平坦化层814、堤部815和接合层830的端部的外侧。

密封构件841可以围绕第二基板140的侧表面。密封构件841可以覆盖接合层830的端部。

接下来，参照图8B，第一基板101和临时基板SUB可通过LLO工艺分离。此外，在LLO工艺中，第一基板101、第二平坦化层814b、接合层830和密封构件841可与临时基板SUB分离。因此，第二平坦化层814b、接合层830和密封构件841可以设置在第一基板101的外侧并且设置在与第一基板101同一层上。

同时，为了进一步便于进行LLO工艺，设置在与第一基板101同一层上的接合层830的宽度W可以是100μm或更小。在LLO工艺中，接合层830和临时基板SUB可通过LLO工艺分离，因为牺牲层102存在于接合层830与临时基板SUB之间。然而，由于接合层830的接合力，可能不容易执行LLO工艺。因此，设置在与第一基板101同一层上的接合层830的宽度W可以被设定到100μm或更小，例如在1μm至100μm的范围内，可选地在10μm至80μm的范围内，进一步可选地在40μm至60μm的范围内，使得接合层830与临时基板SUB之间的接合力可以减小，从而进一步便于进行LLO工艺。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，平坦化层814包含设置成围绕无机层110和第一基板101的侧表面的第二平坦化层814b。此外，接合层830设置成围绕第一基板101、无机层110和像素部120的侧表面。密封构件841被设置成围绕接合层830和第二基板140的侧表面。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，第一基板101和无机层110可以不设置在显示装置800的外周部分上，并且平坦化层814、接合层830和密封构件841可以保护第一基板101和无机层110的端部。因此，平坦化层814、接合层830和密封构件841可以各自在侧向碰撞的情况下用作保险杠，从而改善侧表面的刚性。因此，第一基板101和无机层110不会因从显示装置800的外部施加的冲击而损坏或破裂。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，可以提高可靠性并且减少由裂缝引起的有缺陷的操作。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，在最终产品上不存在切割表面。如上所述，在制造过程期间形成的切割表面Sl仅是通过刻划临时基板SUB的工艺形成的切割表面Sl。第一基板101、无机层110、平坦化层814和堤部815全都不被刻划工艺切割。另外，包含切割表面Sl的临时基板SUB是要通过LLO工艺去除的对象，并且临时基板SUB不包含在作为最终产品的显示装置800中。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，通过刻划工艺形成的切割表面Sl最终不存在。因此，可以通过阻止从切割表面Sl开始的裂缝的传播来提高可靠性。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，堤部815、平坦化层814、无机层110和第一基板101所有的端部都设置在密封构件841的端部的内侧。因此，在作为最终产品的显示装置800中，密封构件841可以围绕堤部815、平坦化层814、无机层110和第一基板101的侧表面。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置800中，不存在未施加密封构件841的区域。因此，可以抑制或至少减少由未施加密封构件841的区域引起的裂缝的发生和传播。

本公开内容的示例性实施方式也可以描述如下：

根据本公开内容的一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：第一基板，所述第一基板包含具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；在所述第一基板上的无机层；在所述无机层上的平坦化层；在所述无机层和所述平坦化层上的接合层；和在所述接合层上的第二基板，其中所述平坦化层包含与所述第一基板重叠的第一平坦化层和围绕所述第一平坦化层的侧表面的第二平坦化层。

第二平坦化层可以围绕无机层的侧表面和第一基板的侧表面。

显示装置可以进一步包括在非显示区域的一侧处在第一基板上的柔性膜，其中第二平坦化层可以在可以不包括设置柔性膜的一侧的侧向部分处在非显示区域中。

第二平坦化层可以相对于第一基板而在第一基板的外侧进一步延伸并且在与第一基板同一层上。

第一平坦化层和第二平坦化层可以是一体形成的。

显示装置可以进一步包括围绕所述第二基板的侧表面的密封构件，其中所述第二平坦化层的端部可以相对于所述密封构件的端部在更内侧。

第二平坦化层的一部分、密封构件的一部分和第一基板可以在同一层上。

显示装置可以进一步包括接合到第一基板的底表面、第二平坦化层的底表面和密封构件的底表面的偏振板或阻挡膜。

第二平坦化层的端部可以相对于接合层的端部在更外侧。

第一基板的端部和无机层的端部可以相对于接合层的端部在更内侧。

第二平坦化层的端部可以相对于接合层的端部在更内侧。

在与第一基板同一层上的接合层的宽度可以是100μm或更小。

根据本公开内容的另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：第一基板，所述第一基板包含具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；在所述第一基板上的多个无机层；在所述多个无机层上的平坦化层；在所述多个无机层和所述平坦化层上的接合层；在所述接合层上的第二基板；和围绕所述第二基板的侧表面和所述平坦化层的侧表面的密封构件，其中所述平坦化层围绕所述第一基板的侧表面和所述多个无机层的侧表面。

第一基板的底表面、平坦化层的底表面的一部分和密封构件的底表面可以在同一平面上。

接合层的端部可以位于平坦化层的顶表面上。

接合层可以围绕平坦化层的侧表面。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下，可以对本公开内容的显示装置进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：

第一基板，包含具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；

在所述第一基板上的无机层；

在所述无机层上的平坦化层；

在所述无机层和所述平坦化层上的接合层；和

在所述接合层上的第二基板，

其中所述平坦化层包含：

在平面图中与所述第一基板重叠的第一平坦化层；和

第二平坦化层，所述第二平坦化层围绕所述第一平坦化层的侧表面。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二平坦化层围绕所述无机层的侧表面和所述第一基板的侧表面。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括柔性膜，所述柔性膜在所述非显示区域的一侧处在所述第一基板上，其中所述第二平坦化层在排除设置有所述柔性膜的一侧的侧向部分处在所述非显示区域中。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二平坦化层的端部在平面图中相对于所述第一基板的端部在更外侧，并且所述第二平坦化层的一部分与所述第一基板在同一层上。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一平坦化层和所述第二平坦化层是一体形成的。

6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括围绕所述第二基板的侧表面的密封构件，其中所述第二平坦化层的端部被所述密封构件覆盖。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第二平坦化层的一部分、所述密封构件的一部分和所述第一基板在同一层上。

8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括偏振板或阻挡膜，所述偏振板或所述阻挡膜接合到所述第一基板的底表面、所述第二平坦化层的底表面和所述密封构件的底表面，其中所述无机层在所述第一基板的顶表面上。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二平坦化层的端部在平面图中相对于所述接合层的端部在更外侧。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一基板的端部和所述无机层的端部在所述平面图中相对于所述接合层的端部在更内侧。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二平坦化层的端部在平面图中相对于所述接合层的端部在更内侧。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述接合层的一部分与所述第一基板在同一层上，在与所述第一基板的所述同一层上的所述接合层的宽度为100μm或更小。

13.一种显示装置，包括：

第一基板，所述第一基板包含具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；

多个无机层，所述多个无机层在所述第一基板上；

平坦化层，所述平坦化层在所述多个无机层上；

接合层，所述接合层在所述多个无机层和所述平坦化层上；

第二基板，所述第二基板在所述接合层上；和

密封构件，所述密封构件围绕所述第二基板的侧表面和所述平坦化层的侧表面，

其中所述平坦化层围绕所述第一基板的侧表面和所述多个无机层的侧表面。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述第一基板的底表面、所述平坦化层的底表面的一部分和所述密封构件的底表面位于同一平面上。

15.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述接合层的端部在所述平坦化层的顶表面上。

16.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述接合层围绕所述平坦化层的侧表面。