CN117769315A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents
显示装置和制造该显示装置的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117769315A CN117769315A CN202311187951.XA CN202311187951A CN117769315A CN 117769315 A CN117769315 A CN 117769315A CN 202311187951 A CN202311187951 A CN 202311187951A CN 117769315 A CN117769315 A CN 117769315A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resin
- display device
- light blocking
- layer
- matrix resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 280
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 280
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 114
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 18
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 15
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 14
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 14
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 255
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 6
- 101000837845 Homo sapiens Transcription factor E3 Proteins 0.000 description 4
- 102100028507 Transcription factor E3 Human genes 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 3
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括:基底,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;显示元件层,设置在基底的第一表面上;以及面板底部构件,设置在基底的第二表面上。面板底部构件包括:光阻挡层,包括第一基体树脂和分散在第一基体树脂中的光阻挡颗粒;缓冲层,包括第二基体树脂;以及热保护构件,包括热保护材料。光阻挡层的轮廓在平面图中与缓冲层的轮廓一致,并且光阻挡层的第一表面与缓冲层的第一表面彼此直接接触。
Description
本申请要求于2022年9月23日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0120938号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展,显示装置变得越来越重要。因此,目前使用诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置的各种类型的显示装置。
显示装置包括用于显示图像的诸如有机发光显示面板和液晶显示面板的显示面板。在它们之中,发光显示面板可以包括发光元件。例如,发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
另外,显示装置包括设置在显示面板下方的面板底部构件。面板底部构件可以包括用于保护显示面板免受热、外部冲击等的各种功能板。
发明内容
本公开的方面提供了一种能够减小面板底部构件的厚度的显示装置。
为了减小面板底部构件的厚度并容易地形成面板底部构件,本公开的方面还提供了一种制造显示装置的方法。
应注意的是,本公开的方面不限于上面提及的方面;并且对于本领域技术人员而言,本公开的其他方面将通过以下描述而明显。
显示装置的实施例包括:基底,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;显示元件层,设置在基底的第一表面上;以及面板底部构件,设置在基底的第二表面上,其中,面板底部构件包括:光阻挡层,包括第一基体树脂和分散在第一基体树脂中的光阻挡颗粒;缓冲层,包括第二基体树脂;以及热保护构件,包括热保护材料。当从顶部观看时(即,在平面图中),光阻挡层的轮廓与缓冲层的轮廓一致,并且光阻挡层的第一表面与缓冲层的第一表面彼此直接接触。
热保护构件的表面可以与缓冲层的第二表面直接接触,并且缓冲层的第二表面可以与缓冲层的第一表面相对。
热保护构件可以包括:第三基体树脂;以及纳米金属颗粒,分散在第三基体树脂中。
第一基体树脂、第二基体树脂和第三基体树脂中的每者可以为无溶剂树脂。
纳米金属颗粒可以包括铜(Cu),并且纳米金属颗粒中的每个的直径可以等于或小于500nm。
热保护构件可以设置在缓冲层的第二表面上,并且粘合构件可以置于缓冲层的第二表面与热保护构件之间。
热保护构件可以包括铜(Cu),并且当从顶部观看时,热保护构件的轮廓可以与缓冲层的轮廓一致。
光阻挡层的第一表面可以形成第一凹凸图案,并且缓冲层的第一表面可以形成与第一凹凸图案啮合的第二凹凸图案。
基底的第二表面可以与光阻挡层的第二表面直接接触,并且光阻挡层的第二表面可以与光阻挡层的第一表面相对。
基底可以包括玻璃和石英中的一者。
显示装置还可以包括:下膜,直接设置在基底的第二表面上,并且光阻挡层的第二表面可以与下膜直接接触。
基底可以包括聚酰亚胺。
显示装置的实施例包括:基底,包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;显示元件层,设置在基底的第一表面上;以及面板底部构件,设置在基底的第二表面上。面板底部构件包括:第一基体树脂,为无溶剂树脂;光阻挡颗粒,分散在第一基体树脂中;以及热保护构件,并且当从顶部观看时(即,在平面图中),面板底部构件的轮廓与基底的轮廓一致。
第一基体树脂可以包括硫醇树脂、环氧阳离子树脂和胺树脂中的一种。
第一基体树脂的厚度可以在约100微米(μm)至约120μm的范围内。
面板底部构件还可以包括分散在第一基体树脂中的纳米金属颗粒。光阻挡颗粒可以包括炭黑,并且纳米金属颗粒可以包括铜(Cu)并且具有500nm或更小的直径。
面板底部构件还可以包括:第二基体树脂,与第一基体树脂直接接触。第二基体树脂可以包括可以作为无溶剂树脂的硫醇树脂、环氧阳离子树脂和胺树脂中的一种。
第二基体树脂的玻璃化转变温度可以为-30摄氏度(℃)或更低。
第一基体树脂的厚度可以小于第二基体树脂的厚度。
一种制造显示装置的方法的实施例包括:在基底的第一表面上形成显示元件层;在基底的与第一表面相对的第二表面上施涂用于光阻挡层的树脂;通过将施涂在第二表面上的用于光阻挡层的树脂固化来形成光阻挡层;直接在光阻挡层上施涂用于缓冲层的树脂;以及通过将直接施涂在光阻挡层上的用于缓冲层的树脂固化来形成缓冲层。
根据本公开的实施例,能够减小显示装置的面板底部构件的厚度。
根据本公开的实施例,一种制造显示装置的方法可以减小面板底部构件的厚度并且可以容易地形成面板底部构件。
应当注意的是,本公开的效果不限于上述效果,并且通过以下描述,本公开的其他效果对于本领域技术人员而言将是明显的。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例,本公开的以上和其他方面及特征将变得更加明显。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
图2是根据本公开的实施例的显示装置的分解透视图。
图3是示意性地示出沿着图1的线X1-X1'截取的剖面的剖视图。
图4是示出根据实施例的显示装置的显示面板和面板底部构件的布置的侧视图。
图5是示出根据本公开实施例的显示装置的显示面板的堆叠结构的剖视图。
图6是示出根据实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
图7至图13是用于示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的视图。
图14是示出根据另一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
图15是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
图16是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
图17是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
图18是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
图19是示出根据又一实施例的显示装置的显示面板和面板底部构件的布置的侧视图。
图20是示出根据图19的实施例的显示装置的显示面板的堆叠结构的剖视图。
图21是示出根据图19的实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
具体实施方式
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的,而不是意图限制。如在这里使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则“一”、“一个(种/者)”、“所述(该)”以及“至少一个(种/者)”不表示数量的限制,并且意图包括单数和复数两者。例如,除非上下文另有明确指示,否则“一个元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种/者)”不应被解释为限制“一”或“一个(种/者)”。“或”意指“和/或”。如在这里使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型、或者“包含”和/或其变型时,说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
现在将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述本发明。然而,本发明可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。在整个说明书中,相同的附图标记指示相同的组件。在附图中,为了清楚起见,夸大了层和区域的厚度。
还将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,它可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在居间层。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,不存在居间元件。此外,可以在这里使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如在图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,相对术语意图包括装置的除了在图中描绘的方位之外的不同方位。例如,如果图中的一个中的装置被翻转,则被描述为在其他元件的“下”侧的元件随后将被定位为在所述其他元件的“上”侧。因此,根据图的具体方位,术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。类似地,如果图中的一个中的装置被翻转,则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件“上方”。因此,术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两种方位。
将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件,但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开或者为了便于其描述和解释。例如,在不脱离这里的教导的情况下,当在描述中讨论“第一元件”时,它可以被称为“第二元件”或“第三元件”,并且可以以类似的方式命名“第二元件”和“第三元件”。
本发明的各种实施例中的每个可以部分地或全部地能够组合或彼此组合,技术上各种互锁和驱动是可能的,并且每个实施例可以能够相对于彼此独立地执行或者可以以关联关系一起实现。
考虑到讨论的测量以及与具体量的测量有关的误差(即,测量系统的局限性),如在这里使用的“约(大约)”或“近似(大约)”包括所陈述的值并且意指在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如,“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%或±5%内。在下文中,将参照附图描述本公开的实施例。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。图2是根据本公开的实施例的显示装置的分解透视图。图3是示意性地示出沿着图1的线X1-X1'截取的剖面的剖视图。
参照图1,显示装置1显示运动图像或静止图像。显示装置1可以指提供显示画面的任何电子装置。例如,显示装置1可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机和摄像机等。
在图1中,定义了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2彼此垂直,第一方向DR1和第三方向DR3彼此垂直,第二方向DR2和第三方向DR3可以彼此垂直。第一方向DR1在附图中可以指竖直方向,第二方向DR2在附图中可以指水平方向,第三方向DR3在附图中可以指上下方向(即,显示装置1的厚度方向)。如在这里使用的,除非另有特别陈述,否则一方向可以指由箭头指示的方向以及相反的方向。如果需要辨别这两个相反的方向,则两个方向中的一个可以被称为“在该方向上的一侧”,而另一方向可以被称为“在该方向上的相对侧”。在图1中,由指示方向的箭头指示的一侧被称为在该方向上的一侧,而相对侧被称为在该方向上的相对侧。如在这里使用的,“当从顶部观看时”或“平面图”是在第三方向DR3上的一侧的视图。
在显示装置1的表面或显示装置1的元件的以下描述中,为了便于说明,面对其中显示图像的一侧(即,第三方向DR3)的表面将被称为上表面,而相对表面将被称为下表面。然而,应理解的是,本公开不限于此。元件的表面和相对表面可以分别被称为前表面和后表面,或者可以分别被称为第一表面和第二表面。另外,在显示装置1的元件的相对位置的描述中,在第三方向DR3上的一侧可以被称为上侧,而在第三方向DR3上的相对侧可以被称为下侧。
可以以各种方式修改显示装置1的形状。例如,显示装置1可以具有诸如具有较长横向边的矩形、具有较长竖直边的矩形、正方形、具有圆形的角(顶点)的四边形、其他多边形、圆形等的形状。显示装置1的显示区域DA的形状也可以类似于显示装置1的整体形状。在图1中所示的实施例中,显示装置1具有在第一方向DR1上伸长的矩形形状,所述矩形形状具有在第一方向DR1上的长边和在第二方向DR2上的短边。
显示装置1包括用于显示图像的显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。在非显示区域NDA中,不显示图像。显示区域DA可以被称为有效区域,而非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DA大体可以占据显示装置1的中心。在一些实施例中,非显示区域NDA可以围绕显示区域DA,但是本公开不限于此。
结合图1参照图2和图3,显示装置1包括显示面板300和设置在显示面板300下面的面板底部构件500。显示装置1还可以包括设置在显示面板300上的窗100。另外,显示装置1还可以包括容纳显示面板300和面板底部构件500的支架700,以形成显示装置1的外部。
窗100包括用于透射由显示面板300提供的图像的光透射部分100-DA和与光透射部分100-DA相邻的光阻挡部分100-NDA。在一些实施例中,不透明掩模层可以设置在窗100的在光阻挡部分100-NDA中的内表面上。
窗100可以设置在显示面板300上,以保护显示面板300。窗100在平面图中可以设置为与显示面板300叠置并且覆盖显示面板300的前表面。窗100可以大于显示面板300。例如,如图3中所示,窗100可以在显示装置1的短边处从显示面板300向外突出。窗100也可以在显示装置1的长边处从显示面板300突出。窗100可以在短边处比在长边处突出得多。
窗100可以由玻璃、蓝宝石、塑料等制成。窗100可以是刚性的,但是本公开不限于此。窗100可以是柔性的。
显示面板300可以设置在窗100下面。显示面板300和窗100可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)和光学透明树脂(OCR)的透明结合层彼此结合。
显示面板300包括显示区域300-DA和非显示区域300-NDA。显示区域300-DA显示图像并且在平面图中与窗100的光透射部分100-DA叠置。非显示区域300-NDA不显示图像,与显示区域300-DA相邻,并且在平面图中与窗100的光阻挡部分100-NDA叠置。也就是说,窗100的光透射部分100-DA和显示面板300的显示区域300-DA可以限定显示装置1的显示区域DA,窗100的光阻挡部分100-NDA和显示面板300的非显示区域300-NDA可以限定显示装置1的非显示区域NDA。
在一些实施例中,显示面板300可以包括自发光元件。在实施例中,自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管和基于无机材料的微型发光二极管(例如,微型LED)中的至少一个。在以下描述中,为了便于说明而假设自发光元件是有机发光元件。稍后将参照图5描述显示面板300的元件中的每个的详细描述。
面板底部构件500设置在显示面板300下面。面板底部构件500可以在没有任何粘合构件的情况下与显示面板300结合。另外,面板底部构件500在从顶部观看时(即,在平面图中)可以具有与显示面板300基本上相同的轮廓,并且可以与显示面板300叠置。面板底部构件500的侧表面可以与显示面板300的侧表面对齐。这可能是因为面板底部构件500由树脂制成。这将在稍后更详细地描述。
面板底部构件500可以防止热量的影响、阻挡电磁波、阻挡或吸收光、吸收冲击等。面板底部构件500可以包括具有上述功能中的至少一种功能的功能层。稍后将参照图6详细描述面板底部构件500的结构。
支架700可以位于面板底部构件500下面。支架700支撑窗100、显示面板300和面板底部构件500。支架700可以包括底部和侧壁。支架700的底部可以面对面板底部构件500的下表面,支架700的侧壁可以面对窗100、显示面板300和面板底部构件500的侧表面。支架700可以由合成树脂材料、金属材料或不同材料的组合制成。
底部缓冲构件600可以置于面板底部构件500的下表面与支架700的底部之间。底部缓冲构件600吸收外部冲击,以防止显示装置1被损坏。底部缓冲构件600可以包括诸如通过使橡胶、氨基甲酸乙酯类材料或丙烯酸类材料发泡而形成的海绵的弹性材料。
在下文中,将详细描述根据本公开实施例的显示装置1的显示面板300和面板底部构件500的结构。
图4是示出根据实施例的显示装置的显示面板和面板底部构件的布置的侧视图。
参照图4,根据实施例的显示装置1的显示面板300可以包括显示基底(或被称为“基底”)SUB和设置在显示基底SUB的上表面上的显示元件层DPL,面板底部构件500可以设置在显示面板300的显示基底SUB的下表面上。
在一些实施例中,显示基底SUB可以包括但是不限于作为刚性材料的玻璃、石英等。在图4至图6中所示的实施例中,显示基底SUB包括作为刚性材料的玻璃或石英。
显示基底SUB可以包括其中安装有驱动电路IC和电路板CB的辅助区域SA和其中设置有显示元件层DPL的主区域MA。
面板底部构件500可以设置在显示基底SUB的下表面上,并且当从顶部观看时可以具有与显示基底SUB基本上相同的轮廓。例如,面板底部构件500不仅可以延伸到显示基底SUB的主区域MA而且可以延伸到辅助区域SA,以覆盖基底SUB的下表面。
安装在显示基底SUB的辅助区域SA中的驱动电路IC和电路板CB可以输出用于驱动显示面板300的显示元件层DPL的信号和电压。
驱动电路IC可以被实现为集成电路(IC),并且可以通过玻璃上芯片(COG)技术、塑料上芯片(COP)技术或超声接合附着在显示面板300上。另外,电路板CB可以利用各向异性导电膜(ACF)附着在显示面板300上。电路板CB可以是柔性印刷电路板(FPCB)、印刷电路板(PCB)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。
设置在显示基底SUB的主区域MA中的显示元件层DPL可以包括发光元件以显示图像。在下文中,将参照图5粗略地描述形成显示元件层DPL的各种元件。
图5是示出根据本公开实施例的显示装置的显示面板的堆叠结构的剖视图。
如上所述,显示基底SUB可以包括作为刚性材料的玻璃、石英等。
缓冲层BF可以设置在显示基底SUB上。缓冲层BF可以包括可以防止空气或湿气的渗透的无机膜。例如,缓冲层BF可以包括彼此交替地堆叠的多个无机膜。
薄膜晶体管可以设置在缓冲层BF上,并且可以形成多个像素中的每个像素的像素电路。例如,薄膜晶体管可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管可以包括半导体层ACT、源电极SE、漏电极DE和栅电极GE。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以在厚度方向(即,第三方向DR3)上与栅电极GE叠置,并且可以通过第一栅极绝缘件GI1与栅电极GE绝缘。
第一栅极绝缘件GI1可以设置在半导体层ACT上。例如,第一栅极绝缘件GI1可以覆盖半导体层ACT和缓冲层BF,并且可以使半导体层ACT与设置在其上的栅电极GE绝缘。第一栅极绝缘件GI1可以包括源电极SE和漏电极DE穿过其的接触孔。
栅电极GE可以设置在第一栅极绝缘件GI1上。栅电极GE在平面图中可以与半导体层ACT叠置且第一栅极绝缘件GI1在栅电极GE与半导体层ACT之间。
第二栅极绝缘件GI2可以覆盖栅电极GE和第一栅极绝缘件GI1。第二栅极绝缘件GI2可以包括源电极SE和漏电极DE穿过其的接触孔。第二栅极绝缘件GI2的接触孔可以连接到第一栅极绝缘件GI1的接触孔和稍后将描述的层间介电层ILD的接触孔。
电容器电极CPE可以设置在第二栅极绝缘件GI2上。电容器电极CPE可以在第三方向DR3(即,厚度方向)上与栅电极GE叠置。电容器电极CPE和栅电极GE可以形成电容。
层间介电层ILD可以覆盖电容器电极CPE和第二栅极绝缘件GI2。层间介电层ILD可以包括源电极SE和漏电极DE穿过其的接触孔。层间介电层ILD的接触孔可以连接到第一栅极绝缘件GI1的接触孔和第二栅极绝缘件GI2的接触孔。
源电极SE和漏电极DE可以设置在层间介电层ILD上。源电极SE和漏电极DE可以电连接到薄膜晶体管的半导体层ACT。例如,源电极SE和漏电极DE可以插入到形成在层间介电层ILD、第一栅极绝缘件GI1和第二栅极绝缘件GI2中的接触孔中,并且可以与薄膜晶体管的半导体层ACT接触。
第一过孔绝缘层VIA1可以覆盖源电极SE、漏电极DE和层间介电层ILD。第一过孔绝缘层VIA1可以保护薄膜晶体管。第一过孔绝缘层VIA1可以包括连接电极CNE穿过其的接触孔。
连接电极CNE可以设置在第一过孔绝缘层VIA1上。连接电极CNE可以使稍后将描述的发光元件ED的像素电极AE与薄膜晶体管的漏电极DE电连接。连接电极CNE可以插入到形成在第一过孔绝缘层VIA1中的接触孔中以与漏电极DE接触。
第二过孔绝缘层VIA2可以覆盖连接电极CNE和第一过孔绝缘层VIA1。第二过孔绝缘层VIA2可以包括发光元件ED的像素电极AE穿过其的接触孔。
发光元件ED可以包括像素电极AE、发射层EL和共电极CE。
像素电极AE可以设置在第二过孔绝缘层VIA2上。像素电极AE可以设置为与像素限定层PDL的开口叠置。像素电极AE可以通过连接电极CNE电连接到薄膜晶体管的漏电极DE。
包括开口的像素限定层PDL可以设置在第二过孔绝缘层VIA2和像素电极AE的一部分上。像素限定层PDL的开口可以使像素电极AE的一部分暴露。
像素限定层PDL可以使多个发光元件ED的像素电极AE彼此分离并绝缘。像素限定层PDL可以包括光吸收材料,以防止光反射。例如,像素限定层PDL可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂,以及其中混合有红色、绿色和蓝色的颜料。可选地,像素限定层PDL可以包括卡多类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可选地,像素限定层PDL可以包括炭黑。
发射层EL可以设置在像素电极AE和像素限定层PDL的一部分上。例如,发射层EL可以设置在像素电极AE的一个表面的通过由像素限定层PDL形成的开口暴露的一部分和像素限定层PDL的一部分上。
发射层EL可以是由有机材料制成的有机发射层。如果发射层EL是有机发射层,则当薄膜晶体管向发光元件ED的像素电极AE施加预定电压并且发光元件ED的共电极CE接收共电压或阴极电压时,空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发射层EL,并且它们在发射层EL中复合以发射光。
共电极CE可以设置在发射层EL和像素限定层PDL上。例如,共电极CE可以设置在发射层EL和像素限定层PDL的其上未设置发射层EL的一部分上。另外,共电极CE可以针对所有像素以公共电极的形式贯穿显示区域DA的整个前表面延伸,而不是单独设置在多个像素中。
共电极CE可以接收共电压或低电平电压。当像素电极AE接收到等于数据电压的电压并且共电极CE接收到低电平电压时,在像素电极AE与共电极CE之间形成电势差,使得发射层EL可以发射光。
封装基底ESUB可以设置在共电极CE上方,使得其在第三方向DR3上与共电极CE间隔开。封装基底ESUB可以通过使设置在其下方的各种元件与外部隔离而保护它们。封装基底ESUB可以由刚性材料制成,并且可以包括但是不限于玻璃或石英。在一些实施例中,单独的填充物可以置于封装基底ESUB与共电极CE之间的空间中。
图6是示出根据实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
将参照图6描述设置在显示基底SUB的下表面上的面板底部构件500的结构。面板底部构件500可以包括光阻挡层510、缓冲层520和热保护构件530。
光阻挡层510可以设置在显示基底SUB下面,以阻挡光的透射并且防止从显示装置1的外部看到设置在光阻挡层510下面的元件。在一些实施例中,光阻挡层510可以与显示基底SUB的下表面直接接触,并且当从顶部观看时(即,在平面图中),光阻挡层510的轮廓可以与显示基底SUB的轮廓基本上相同。例如,光阻挡层510的整个上表面可以与显示基底SUB的整个下表面直接接触。这是在稍后要描述的制造显示装置1的工艺期间通过将用于光阻挡层的树脂510'(见图9)直接施涂在显示基底SUB的下表面上,然后将其固化以形成光阻挡层510而获得的,光阻挡层510被涂覆在显示基底SUB的下表面上。这将在稍后更详细地描述。
光阻挡层510可以包括第一基体树脂511和分散在第一基体树脂511中的光阻挡颗粒512。
第一基体树脂511可以是无溶剂树脂。如在这里使用的,无溶剂树脂是指不包含或几乎不包含(其中有机溶剂的含量小于5%)有机溶剂(诸如稀释剂)的树脂。
通常,树脂包含有机溶剂。当树脂被固化时,它从表面固化,同时有机溶剂蒸发。如果将具有高含量的有机溶剂的树脂固化至几微米(μm)的厚度,则有机溶剂被固化表面捕获并且不会蒸发。结果,可能存在表面下面的树脂不会固化的缺陷。
为了使显示基底SUB下面的光阻挡层510阻挡光的透射,期望具有大约20μm或更大的厚度。当光阻挡层510由作为无溶剂树脂的第一基体树脂511形成或包括作为无溶剂树脂的第一基体树脂511时,可以经由如稍后要描述的制造显示装置1的方法中的喷墨印刷工艺形成光阻挡层510。因此,不需要粘合构件,因此可以使制造工艺变得简单,从而可以获得期望厚度的光阻挡层510。
在一些实施例中,第一基体树脂511可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以防止在气氛中形成光阻挡层510时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。稍后将对其进行详细描述。
在一些实施例中,光阻挡颗粒512可以包括但是不限于炭黑颗粒。光阻挡颗粒512可以具有大约几纳米(nm)的直径。
在一些实施例中,光阻挡层510的厚度h1在厚度方向(即,第三方向DR3)上可以为但是不限于大约20μm至36μm。
缓冲层520可以吸收外部冲击,以防止显示面板300、窗100等被损坏。在一些实施例中,缓冲层520可以设置在光阻挡层510下面,并且光阻挡层510的下表面和缓冲层520的上表面可以彼此直接接触。然而,应理解的是,本公开不限于此。例如,缓冲层520可以设置在光阻挡层510上。在图6中所示的实施例中,缓冲层520可以设置在光阻挡层510下面,并且光阻挡层510的下表面和缓冲层520的上表面可以彼此直接接触。
在这种情况下,缓冲层520可以与光阻挡层510的下表面直接接触,并且当从顶部观看时,缓冲层520的轮廓可以与光阻挡层510的轮廓基本上相同。例如,缓冲层520的整个上表面可以与光阻挡层510的整个下表面直接接触。这是在稍后要描述的制造显示装置1的工艺期间通过将用于缓冲层的树脂520'(见图11)直接施涂在光阻挡层510的下表面上,然后将其固化以形成缓冲层520而获得的,缓冲层520被涂覆在光阻挡层510的下表面上。这将在稍后更详细地描述。
缓冲层520可以由第二基体树脂521形成或包括第二基体树脂521。第二基体树脂521可以是无溶剂树脂。当缓冲层520由树脂制成时,缓冲层520期望具有大约100μm或更大的厚度,以吸收外部冲击。因此,如上所述,为了形成具有几微米(μm)的厚度的缓冲层520,第二基体树脂521应当为无溶剂型树脂。在一些实施例中,缓冲层520的第二基体树脂521和光阻挡层510的第一基体树脂511可以具有不同构成,但是本公开不限于此。例如,缓冲层520的第二基体树脂521和光阻挡层510的第一基体树脂511可以是具有相同构成的树脂。
第二基体树脂521可以具有-30摄氏度(℃)或更低的玻璃化转变温度。玻璃化转变温度指材料随着温度升高而从硬且相对脆的玻璃态转变为粘性或橡胶态的温度,这是影响材料的非晶部分的可逆相变。通常,树脂的玻璃化转变温度越低,树脂的抗冲击性可以越好。例如,如果玻璃化转变温度高,则它可能受到相对弱的冲击而破裂,而如果玻璃化转变温度低,则即使受到相对强的冲击,它也不会破裂。如果第二基体树脂521的玻璃化转变温度为-30℃或更低,则可以确保缓冲层520所需的抗冲击性。如果第二基体树脂521的玻璃化转变温度高于-30℃,则可能无法确保缓冲层520所需的抗冲击性。例如,如果第二基体树脂521的玻璃化转变温度为-42.9℃,则即使铁球从13厘米(cm)的高度掉落到第二基体树脂521上,第二基体树脂521也可以不破裂。
在一些实施例中,第二基体树脂521可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以防止在气氛中形成缓冲层520时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。稍后将对其进行详细描述。
在一些实施例中,缓冲层520的厚度h2可以是大约100μm至120μm,但是不限于大约100μm至120μm。缓冲层520的厚度h2可以大于光阻挡层510的厚度h1。
热保护构件530可以防止外部热量进入显示面板300,并且可以阻挡从显示面板300产生的电波。热保护构件530可以包括可以有效地防止热量的影响的石墨、铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)等(在下文中“热保护材料”)。
在一些实施例中,热保护构件530可以设置在缓冲层520下面,但是本公开不限于此。例如,热保护构件530可以设置在缓冲层520上。热保护构件530可以通过粘合构件PSA附着到缓冲层520的下表面。粘合构件PSA的厚度可以为大约20μm。
利用以上构造,面板底部构件500的光阻挡层510和缓冲层520可以在其间没有任何粘合构件的情况下彼此附着,从而可以简化工艺。另外,可以通过消除的粘合构件的厚度来有效地减小面板底部构件500的厚度。在下文中,将描述根据本公开的实施例的制造显示装置1的方法。
图7至图13是用于示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的视图。
参照图7,制造显示装置1的方法可以包括以下步骤:在显示基底SUB的第一表面(例如,上表面)上形成显示元件层DPL(步骤S100);在显示基底SUB的第二表面(例如,下表面)上施涂用于光阻挡层的树脂510'(步骤S200);通过将施涂的树脂510'固化来形成光阻挡层510(步骤S300);在光阻挡层510上施涂用于缓冲层的树脂520'(步骤S400);通过将施涂的树脂520'固化来形成缓冲层520(步骤S500);以及在缓冲层520上设置热保护构件530(步骤S600)。
首先,参照图8,在显示基底SUB的第一表面上形成显示元件层DPL(步骤S100)。形成显示元件层DPL的方法在本领域中是公知的,因此将省略其详细描述。
可以在每个母基底的每个单元上执行形成显示元件层DPL的工艺。显示基底SUB可以是母基底的一部分,并且可以在形成显示元件层DPL的工艺之后将母基底划线为多个单元。
随后,可以翻转显示基底SUB,使得下表面(即,显示基底SUB的第二表面)面对上侧。在这种情况下,窗100(见图2)可以附着在显示元件层DPL上。在图8至图13中,为了便于说明,没有描绘窗100。在母基底被划线为多个单元以形成显示基底SUB之后,可以在暴露于气氛的同时执行在显示基底SUB上形成面板底部构件500的工艺。
随后,结合图10参照图9,在显示基底SUB的第二表面上施涂用于光阻挡层的树脂510'(步骤S200)。例如,可以经由使用喷墨头的喷墨印刷工艺执行施涂用于光阻挡层的树脂510'的工艺。
用于光阻挡层的树脂510'可以包括第一基体树脂511(见图6)和分散在第一基体树脂511中的光阻挡颗粒512(见图6)。在将第一基体树脂511固化之前,树脂510'可以处于液态。因此,树脂510'可以从喷墨头排出并且施涂在基底SUB的第二表面上。
如图中9所示,经由喷墨印刷工艺施涂树脂510',并且当从顶部观看时(即,在平面图中),树脂510'可以以与基底SUB的轮廓基本上相同的轮廓形成为具有均匀的厚度。另外,当经由喷墨印刷工艺施涂树脂510'时,可以通过调节喷墨头的排出量而容易地形成恒定的图案。
树脂510'可以是无溶剂树脂。因此,可以以几微米(μm)的厚度施涂树脂510'。在一些实施例中,可以以20μm至36μm的厚度施涂树脂510',但是本公开不限于此。例如,树脂510'可以具有大于36μm的厚度。如果树脂510'具有小于20μm的厚度,则光阻挡层510可能不具有足够的光阻挡性质。如果树脂510'具有大于36μm的厚度,则中心部分可能由于光阻挡颗粒512而不能适当地固化。因此,通过以20μm至36μm的厚度施涂树脂510',光可以被可靠地阻挡并且树脂510'可以稳定地固化。
树脂510'在它从喷墨头排出时可以具有大约10厘泊(cP)或更小的粘度。因此,树脂510'可以容易地从喷墨头排出。另一方面,粘度大体与温度成反比,因此需要确保适当的温度以获得10cP或更小的粘度。由于树脂510'在大约50℃或更高的温度下具有10cP或更小的粘度,因此可以在大约50℃或更高的温度下执行排出树脂510'的工艺。
随后,结合图9参照图10,在已经施涂树脂510'之后,将树脂510'固化以形成光阻挡层510(步骤S300)。可以使用例如紫外线来执行将树脂510'固化的工艺。
如上所述,可以在树脂510'暴露于气氛时施涂树脂510'并将树脂510'固化。因此,当典型的树脂(例如,聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯等)用作树脂510'时,它可能与气氛中的氧反应。结果,表面可能无法被充分地固化。由于这个原因,使用不与气氛中的氧反应的硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂作为树脂510',从而可以容易地使表面固化。
随后,结合图12参照图11,在光阻挡层510上施涂用于缓冲层的树脂520'(步骤S400)。例如,可以经由使用喷墨头的喷墨印刷工艺来执行施涂用于缓冲层的树脂520'的工艺。
树脂520'可以包括第二基体树脂521(见图6)。在将第二基体树脂521固化之前,树脂520'可以处于液态。因此,树脂520'可以从喷墨头排出并且施涂在光阻挡层510的下表面上。
如图11中所示,经由喷墨印刷工艺施涂树脂520',并且当从顶部观看时,树脂520'可以以与基底SUB的轮廓和光阻挡层510的轮廓基本上相同的轮廓形成为具有均匀的厚度。另外,当经由喷墨印刷工艺施涂树脂520'时,可以通过调节喷墨头的排出量来容易地形成恒定的图案。
树脂520'可以是无溶剂树脂。因此,可以以几微米(μm)的厚度施涂树脂520'。在一些实施例中,树脂520'可以具有但是不限于100μm至120μm的范围。如果树脂520'的厚度小于100μm,则缓冲层520所需的抗冲击性可能不足。如果厚度大于120μm,则面板底部构件500可能太厚。因此,通过以100μm至120μm的厚度施涂树脂520',能够实现缓冲层520所需的抗冲击性并且减小面板底部构件500的厚度。
树脂520'在它从喷墨头排出时可以具有大约10cP或更小的粘度。因此,树脂520'可以容易地从喷墨头排出。另一方面,粘度大体与温度成反比,因此需要确保适当的温度以获得10cP或更小的粘度。由于树脂520'在大约50℃或更高的温度下具有10cP或更小的粘度,因此可以在大约50℃或更高的温度下执行排出树脂520'的工艺。
随后,结合图11参照图12,在已经施涂树脂520'之后,将树脂520'固化以形成缓冲层520(步骤S500)。可以使用例如紫外线来执行将树脂520'固化的工艺。
如上所述,可以在树脂520'暴露于气氛时施涂树脂520'并将树脂520'固化。因此,当典型的树脂(例如,聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯等)用作树脂520'时,它可能与气氛中的氧反应。结果,表面可能无法被充分地固化。由于这个原因,使用不与气氛中的氧反应的硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂作为树脂520',从而可以容易地使表面固化。
最后,参照图13,在缓冲层520上安装热保护构件530(步骤S600)。可以经由粘合构件PSA将热保护构件530附着到缓冲层520的下表面。
在下文中,将描述根据本公开的其他实施例的显示装置。在以下描述中,相同或相似的元件将由相同或相似的附图标记表示,并且将省略或简要地描述冗余描述。
图14是示出根据另一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
在图14中所示的实施例中,在显示装置1_1中,面板底部构件500_1的热保护构件530_1由树脂形成或包括树脂,使得它可以在没有任何粘合构件在热保护构件530_1与缓冲层520之间的情况下附着到缓冲层520的下表面。例如,热保护构件530_1可以包括第三基体树脂531和分散在第三基体树脂531中的纳米金属颗粒532。
在这种情况下,热保护构件530_1可以与缓冲层520的下表面直接接触,并且当从顶部观看时(即,在平面图中),热保护构件530_1的轮廓可以与缓冲层520的轮廓基本上相同。例如,热保护构件530_1的整个上表面可以与缓冲层520的整个下表面直接接触。这是在制造显示装置1_1的工艺期间通过将用于热保护构件530_1的树脂直接施涂在缓冲层520的下表面上,然后将该树脂固化以形成热保护构件530_1而获得的,热保护构件530_1被涂覆在缓冲层520的下表面上。
热保护构件530_1可以包括第三基体树脂531和分散在第三基体树脂531中的纳米金属颗粒532。
热保护构件530_1的第三基体树脂531可以是无溶剂树脂。当热保护构件530_1由树脂制成时,厚度应为大约40μm或更大以防止热量的影响。因此,如上所述,为了形成具有几十微米(μm)的厚度的热保护构件530_1,第三基体树脂531应当为无溶剂型树脂。在一些实施例中,热保护构件530_1的第三基体树脂531、缓冲层520的第二基体树脂521和光阻挡层510的第一基体树脂511可以具有彼此不同的构成,但是本公开不限于此。再例如,热保护构件530_1的第三基体树脂531、缓冲层520的第二基体树脂521和光阻挡层510的第一基体树脂511可以具有相同的构成。
在一些实施例中,第三基体树脂531可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以防止在气氛中形成热保护构件530_1时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。
热保护构件530_1的纳米金属颗粒532中的每个可以包括金属核532a和围绕金属核532a的壳532b。金属核532a可以包括可以有效地防止热量的影响的铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)等,壳532b可以包括有机材料。在一些实施例中,金属核532a的直径d1可以大于0nm且等于或小于500nm。在一些实施例中,金属核532a的直径d1可以为但是不限于大约200nm。在一些实施例中,纳米金属颗粒532中的每个的直径可以大于0nm且等于或小于500nm。
在一些实施例中,热保护构件530_1的厚度h3在厚度方向(即,第三方向DR3)上可以具有但是不限于40μm至50μm的范围。
利用以上构造,根据本实施例的面板底部构件500_1不需要在热保护构件530_1与缓冲层520之间的粘合构件,从而可以有效地减小面板底部构件500_1的厚度。
图15是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
在图15中所示的实施例中,显示装置1_2中的面板底部构件500_2的热保护构件530_2经由金属烧结工艺形成,使得热保护构件530_2可以在没有任何粘合构件在热保护构件530_2与缓冲层520之间的情况下附着到缓冲层520(例如,第二基体树脂521)的下表面。在本实施例中,例如,热保护构件530_2可以包括金属粉末MP。
可以通过将金属粉末MP设置在缓冲层520的下表面上并烧结金属粉末MP来形成热保护构件530_2。可以使用例如强脉冲光来执行烧结金属粉末MP的工艺。
利用以上构造,根据本实施例的面板底部构件500_2不需要在热保护构件530_2与缓冲层520之间的粘合构件,从而可以有效地减小面板底部构件500_2的厚度。
图16是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
根据图16的实施例,凹凸图案可以形成在其中显示装置1_3的面板底部构件500_3中的光阻挡层510_3和缓冲层520_3彼此接触的表面上。光阻挡层510_3可以包括其中形成有第一凹凸图案的第一基体树脂511_3,缓冲层520_3可以包括其中形成有与第一凹凸图案啮合的第二凹凸图案的第二基体树脂521_3。
光阻挡层510_3可以包括第一基体树脂511_3和分散在第一基体树脂511_3中的光阻挡颗粒512。光阻挡颗粒512与上述光阻挡颗粒512相同;因此,将省略冗余描述。
第一基体树脂511_3可以是无溶剂树脂。因此,第一基体树脂511_3经由喷墨印刷工艺排出,从而可以根据不同的区域调节第一基体树脂511_3的量并且第一基体树脂511_3可以快速固化,以在第一基体树脂511_3的下表面上形成第一凹凸图案。
在一些实施例中,第一基体树脂511_3可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以防止在气氛中形成光阻挡层510_3时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。
缓冲层520_3可以由第二基体树脂521_3形成或包括第二基体树脂521_3。第二基体树脂521_3可以是无溶剂树脂。因此,第二基体树脂521_3经由喷墨印刷工艺排出,从而可以根据不同的区域调节第二基体树脂521_3的量并且第二基体树脂521_3可以快速固化,以在缓冲层520_3的上表面上形成第二凹凸图案。
在一些实施例中,第二基体树脂521_3可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以防止在气氛中形成缓冲层520_3时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。
利用以上构造,光阻挡层510_3与缓冲层520_3以具有凹凸图案的界面彼此接触,从而可以进一步增强光阻挡层510_3与缓冲层520_3之间的粘合力。
尽管在图16中所示的实施例中热保护构件530经由粘合构件PSA附着到缓冲层520_3,但是将理解的是,也可以采用上面参照图14描述的热保护构件530_1和上面参照图15描述的热保护构件530_2。
图17是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
根据图17的实施例,显示装置1_4的面板底部构件500_4包括阻挡光并吸收冲击的复合层540以及设置在复合层540下面的热保护构件530。例如,根据本实施例的面板底部构件500_4的复合层540可以通过将根据图6的实施例的显示装置1的面板底部构件500的光阻挡层510和缓冲层520合并来实现。
在一些实施例中,复合层540可以与显示基底SUB的下表面直接接触,但是本公开不限于此。又例如,当材料层设置在复合层540与显示基底SUB之间时,复合层540可以与材料层的下表面直接接触。在图17中所示的实施例中,复合层540和显示基底SUB的下表面可以彼此直接接触。
复合层540可以包括第四基体树脂541和分散在第四基体树脂541中的光阻挡颗粒542。光阻挡颗粒542与根据图6的实施例的光阻挡颗粒512基本上相同;因此,将省略冗余描述。
第四基体树脂541可以是无溶剂树脂。当复合层540由树脂制成时,厚度应为大约100μm或更大以阻挡光并吸收冲击。因此,如上所述,为了形成具有几微米(μm)的厚度的复合层540,第四基体树脂541应当是无溶剂型树脂。
第四基体树脂541可以具有-30℃或更低的玻璃化转变温度。如果第四基体树脂541的玻璃化转变温度为-30℃或更低,则可以确保复合层540所需的抗冲击性。如果第四基体树脂541的玻璃化转变温度高于-30℃,则可能无法确保复合层540所需的抗冲击性。例如,如果第四基体树脂541的玻璃化转变温度为-42.9℃,则即使铁球从13cm的高度掉落到第四基体树脂541上,第四基体树脂541也可以不破裂。
在一些实施例中,第四基体树脂541可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以是为了防止在气氛中形成复合层540时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。稍后将对其进行详细描述。
在一些实施例中,复合层540的厚度h4可以为但是不限于大约100μm至120μm。
利用以上构造,复合层540可以阻挡光并吸收冲击,从而简化制造工艺。
尽管在图17中所示的实施例中热保护构件530经由粘合构件PSA附着到复合层540,但是将理解的是,也可以采用上面参照图14描述的热保护构件530_1和上面参照图15描述的热保护构件530_2。
图18是示出根据又一实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
根据图18的实施例,显示装置1_5的面板底部构件500_5可以阻挡光、吸收冲击并防止热量的影响。例如,根据本实施例的面板底部构件500_5可以通过将根据图6的实施例的显示装置1的面板底部构件500的光阻挡层510、缓冲层520和热保护构件530合并来实现。
在一些实施例中,面板底部构件500_5可以与显示基底SUB的下表面直接接触,但是本公开不限于此。例如,当单独的材料层设置在面板底部构件500_5与显示基底SUB之间时,面板底部构件500_5可以与材料层的下表面直接接触。在图18中所示的实施例中,面板底部构件500_5和显示基底SUB的下表面可以彼此直接接触。
面板底部构件500_5可以包括基体树脂BR、分散在基体树脂BR中的光阻挡颗粒CBP和分散在基体树脂BR中的热保护颗粒TP。
光阻挡颗粒CBP与上面参照图6描述的光阻挡颗粒512基本上相同,热保护颗粒TP与上面参照图14描述的纳米金属颗粒532基本上相同;因此,将省略冗余描述。
基体树脂BR可以是无溶剂树脂。当面板底部构件500_5由树脂制成时,期望具有大约100μm或更大的厚度以阻挡光、防止热量的影响并吸收外部冲击。因此,如上所述,为了形成具有几微米(μm)的厚度的面板底部构件500_5,基体树脂BR应当为无溶剂型树脂。
基体树脂BR可以具有-30℃或更低的玻璃化转变温度。如果基体树脂BR的玻璃化转变温度为-30℃或更低,则可以确保面板底部构件500_5所需的抗冲击性。如果基体树脂BR的玻璃化转变温度高于-30℃,则可能无法确保面板底部构件500_5所需的抗冲击性。例如,如果基体树脂BR的玻璃化转变温度为-42.9℃,则即使铁球从13cm的高度掉落到基体树脂BR上,基体树脂BR也可以不破裂。
在一些实施例中,基体树脂BR可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以防止在气氛中形成面板底部构件500_5时由于存在于气氛中的氧引起的表面固化反应的劣化。稍后将对其进行详细描述。
在一些实施例中,面板底部构件500_5的厚度h5可以为但是不限于大约100μm至120μm。
利用以上构造,面板底部构件500_5可以阻挡光、防止热量的影响和吸收冲击,从而简化制造工艺。
图19是示出根据又一实施例的显示装置的显示面板和面板底部构件的布置的侧视图。图20是示出根据图19的实施例的显示装置的显示面板的堆叠结构的剖视图。图21是示出根据图19的实施例的显示装置的面板底部构件的结构的剖视图。
在图19至图21中所示的实施例中,根据本实施例的显示装置1_6的显示面板300_6可以具有柔性。例如,显示面板300_6可以包括为柔性的显示基底SUB_6和设置在其上的显示元件层DPL_6。
首先,将参照图19描述根据本实施例的显示面板300_6和面板底部构件500的布置。
根据本实施例的显示面板300_6的显示基底SUB_6可以包括其中设置有显示元件层DPL_6的主区域MA、其中安装有驱动电路IC和电路板CB的辅助区域SA以及将主区域MA与辅助区域SA连接的弯曲区域BA。另外,根据本实施例的面板底部构件500可以仅延伸到显示基底SUB_6的主区域MA。
如上所述,由于显示基底SUB_6具有柔性,因此弯曲区域BA可以在与第三方向DR3相反的方向上弯曲。因此,设置在弯曲区域BA的一端处的辅助区域SA可以设置在设置于主区域MA下面的面板底部构件500的下表面上,并且弯曲区域BA可以围绕面板底部构件500的在第一方向DR1上的侧表面。结果,可以减小显示装置1_6的非显示区域。
用于支撑显示基底SUB_6的刚性的下膜200可以设置在显示基底SUB_6的下表面上。下膜200可以在没有任何粘合构件的情况下与显示基底SUB_6的下表面直接接触。这是因为下膜200由树脂制成并且直接形成在显示基底SUB_6的下表面上。
下膜200可以包括支撑显示基底SUB_6的主区域MA的第一部分200a和支撑辅助区域SA的第二部分200b。由于下膜200未设置在弯曲区域BA的下表面上,因此弯曲区域BA可以是柔性的。
随后,将参照图20描述根据实施例的显示元件层DPL_6和显示基底SUB_6的结构。根据实施例的显示元件层DPL_6与根据以上实施例的显示装置1的显示元件层DPL基本上相同,除了前者还可以包括薄膜封装层TFEL。另外,除了基底SUB_6由多个层组成之外,根据本实施例的显示装置1_6与根据上述实施例的显示装置1基本上相同。
根据本实施例的基底SUB_6可以是弯曲的、弯折的、折叠的、卷曲的或拉伸的。基底SUB_6可以由例如绝缘材料(诸如聚合物树脂)制成。聚合物材料的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或其组合。
基底SUB_6可以包括为柔性的第一子基底SUB1和第二子基底SUB2以及设置在第一子基底SUB1与第二子基底SUB2之间的阻挡层BRL。第一子基底SUB1和第二子基底SUB2中的每个可以是由聚酰亚胺等制成的柔性基底。阻挡层BRL可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
设置在基底SUB_6上的各种元件与根据上面参照图5描述的实施例的显示装置1的各种元件基本上相同;因此,将省略冗余描述。
薄膜封装层TFEL设置在共电极CE上。薄膜封装层TFEL可以包括按该顺序彼此堆叠的第一无机封装膜TFE1、有机封装膜TFE2和第二无机封装膜TFE3。第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3中的每个可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。有机封装膜TFE2可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
第一无机封装膜TFE1设置在共电极CE上。有机封装膜TFE2设置在第一无机封装膜TFE1上。有机封装膜TFE2具有大的厚度,并且因此可以遍及具有不同高度的下层结构提供基本上平坦的表面。有机封装膜TFE2的上表面可以是平坦的,但是本公开不限于此。第二无机封装膜TFE3设置在有机封装膜TFE2上。尽管附图中未示出,但是第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以在非显示区域或显示区域的一部分中彼此接触,以封装内部空间。
根据本实施例,薄膜封装层TFEL可以代表上面参照图5描述的封装基底ESUB提供封装。由于薄膜封装层TFEL比玻璃基底更柔性,因此采用它的显示面板300_6大体可以是柔性的。
随后,将参照图21描述根据本实施例的显示装置1_6的面板底部构件500的结构和下膜200的结构。
根据本实施例的下膜200可以与显示基底SUB_6的下表面直接接触。下膜200可以包括基体树脂201。
基体树脂201可以是无溶剂树脂。当下膜200由树脂制成时,厚度应当为大约几微米(μm)或更大以支撑显示基底SUB_6。因此,如上所述,为了形成具有几微米(μm)的厚度的下膜200,基体树脂201应当是无溶剂型树脂。
在一些实施例中,基体树脂201可以包括无溶剂硫醇树脂、环氧阳离子树脂或胺树脂。这可以是为了防止在气氛中形成下膜200时由于存在于气氛中的氧而导致的表面固化反应的劣化。
面板底部构件500可以与下膜200的下表面直接接触。例如,面板底部构件500的光阻挡层510的上表面可以与下膜200的下表面直接接触。根据本实施例的面板底部构件500与上面参照图6描述的面板底部构件500基本上相同;因此,将省略冗余描述。
利用以上构造,显示基底SUB_6和下膜200可以在没有任何粘合构件在其间的情况下附着在一起,从而可以有效地减小显示装置1_6的厚度。
将理解的是,以上参照图14描述的面板底部构件500_1、以上参照图15描述的面板底部构件500_2、以上参照图16描述的面板底部构件500_3、以上参照图17描述的面板底部构件500_4和以上参照图18描述的面板底部构件500_5可以用作根据本实施例的面板底部构件500。
另外,尽管在图21中所示的实施例中下膜200与面板底部构件500形成边界,但是本公开不限于此。下膜200可以与面板底部构件500的至少一个功能层一体地形成,类似于上面参照图17和图18描述的面板底部构件500_4和500_5。
在结束详细描述时,本领域技术人员将理解的是,在基本上不脱离本发明的原理的情况下,可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此,公开的发明的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用,而不是为了限制的目的。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
显示元件层,设置在所述基底的所述第一表面上;以及
面板底部构件,设置在所述基底的所述第二表面上,
其中,所述面板底部构件包括:光阻挡层,包括第一基体树脂和分散在所述第一基体树脂中的光阻挡颗粒;缓冲层,包括第二基体树脂;以及热保护构件,包括热保护材料,
其中,所述光阻挡层的轮廓在平面图中与所述缓冲层的轮廓一致,并且
其中,所述光阻挡层的第一表面与所述缓冲层的第一表面彼此直接接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述热保护构件的表面与所述缓冲层的第二表面直接接触,并且所述缓冲层的所述第二表面与所述缓冲层的所述第一表面相对。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述热保护构件包括:第三基体树脂;以及纳米金属颗粒,分散在所述第三基体树脂中。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一基体树脂、所述第二基体树脂和所述第三基体树脂中的每者为无溶剂树脂。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述纳米金属颗粒包括铜,并且其中,所述纳米金属颗粒中的每个的直径等于或小于500纳米。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述热保护构件设置在所述缓冲层的第二表面上,并且所述缓冲层的所述第二表面与所述缓冲层的所述第一表面相对,
其中,粘合构件置于所述缓冲层的所述第二表面与所述热保护构件之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述热保护构件包括铜,并且
其中,所述热保护构件的轮廓在所述平面图中与所述缓冲层的所述轮廓一致。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光阻挡层的所述第一表面形成第一凹凸图案,并且
其中,所述缓冲层的所述第一表面形成与所述第一凹凸图案啮合的第二凹凸图案。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底的所述第二表面与所述光阻挡层的第二表面直接接触,并且所述光阻挡层的所述第二表面与所述光阻挡层的所述第一表面相对。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述基底包括玻璃和石英中的一者。
11.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
下膜,直接设置在所述基底的所述第二表面上,
其中,所述光阻挡层的第二表面与所述下膜直接接触,所述光阻挡层的所述第二表面与所述光阻挡层的所述第一表面相对。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述基底包括聚酰亚胺。
13.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
显示元件层,设置在所述基底的所述第一表面上;以及
面板底部构件,设置在所述基底的所述第二表面上,
其中,所述面板底部构件包括:第一基体树脂,为无溶剂树脂;光阻挡颗粒,分散在所述第一基体树脂中;以及热保护构件,并且
其中,所述面板底部构件的轮廓在平面图中与所述基底的轮廓一致。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一基体树脂包括硫醇树脂、环氧阳离子树脂和胺树脂中的一种。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第一基体树脂的厚度在100微米至120μm的范围内。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述面板底部构件还包括分散在所述第一基体树脂中的纳米金属颗粒,
其中,所述光阻挡颗粒包括炭黑,并且
其中,所述纳米金属颗粒包括铜并且具有500nm或更小的直径。
17.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述面板底部构件还包括:
第二基体树脂,与所述第一基体树脂直接接触,
其中,所述第二基体树脂包括作为无溶剂树脂的硫醇树脂、环氧阳离子树脂和胺树脂中的一种。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,所述第二基体树脂的玻璃化转变温度为-30摄氏度或更低。
19.根据权利要求18所述的显示装置,其中,所述第一基体树脂的厚度小于所述第二基体树脂的厚度。
20.一种制造显示装置的方法,所述制造显示装置的方法包括:
在基底的第一表面上形成显示元件层;
在所述基底的与所述第一表面相对的第二表面上施涂用于光阻挡层的树脂;
通过将施涂在所述第二表面上的用于所述光阻挡层的所述树脂固化来形成所述光阻挡层;
直接在所述光阻挡层上施涂用于缓冲层的树脂;以及
通过将直接施涂在所述光阻挡层上的用于所述缓冲层的所述树脂固化来形成所述缓冲层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220120938A KR20240042314A (ko) | 2022-09-23 | 2022-09-23 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR10-2022-0120938 | 2022-09-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117769315A true CN117769315A (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=90324519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311187951.XA Pending CN117769315A (zh) | 2022-09-23 | 2023-09-13 | 显示装置和制造该显示装置的方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240107862A1 (zh) |
KR (1) | KR20240042314A (zh) |
CN (1) | CN117769315A (zh) |
-
2022
- 2022-09-23 KR KR1020220120938A patent/KR20240042314A/ko unknown
-
2023
- 2023-05-25 US US18/202,177 patent/US20240107862A1/en active Pending
- 2023-09-13 CN CN202311187951.XA patent/CN117769315A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240107862A1 (en) | 2024-03-28 |
KR20240042314A (ko) | 2024-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11444265B2 (en) | Flexible display device having a multi-thickness function layer | |
CN107591088B (zh) | 柔性显示设备 | |
US20230157109A1 (en) | Display device including an anisotropic conductive film | |
US10921853B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
KR20080020491A (ko) | 유기 el 장치와, 그 제조 방법 및, 전자기기 | |
JP2009134984A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
CN107623080A (zh) | 显示装置 | |
US20210217831A1 (en) | Display device | |
US11522143B2 (en) | Display device having a circuit board connected to a signal line by a conductive material in a substrate | |
US7763899B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus having a plurality of pixel sections disposed in a staggered manner | |
US20240040822A1 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
CN112582452A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US11231630B2 (en) | Display device | |
US11178754B2 (en) | Display device and method of manufacturing flexible printed circuit board | |
US20140367659A1 (en) | Display devices | |
US20240107862A1 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
US11482163B2 (en) | Display device | |
US20240121989A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20240215305A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20240107859A1 (en) | Display device | |
US20240057410A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US11513629B2 (en) | Display device | |
US20240215380A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20230098317A1 (en) | Display device | |
US20240224605A1 (en) | Display device and method of providing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |