CN117767111A - 一维可寻址vcsel激光器驱动电路及激光雷达 - Google Patents

Abstract

本申请公开一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，包括充电电路、放电电路、控制总成，所述控制总成包括计数器、编解码器以及控制电路，通过计数器给编解码器发送二进制信号，然后编解码器控制充电电路导通，计数器控制放电电路导通，实现硬件连接的方式通过硬件本身的触发和信号输出，跳过FPGA或单片机中的程序计算时间，实现VCSEL芯片更高频率的点亮行为，提高了VCSEL芯片的扫描效率。

Description

一维可寻址VCSEL激光器驱动电路及激光雷达

技术领域

本申请主要涉及电子芯片领域，具体涉及一维可寻址VCSEL激光器驱动电路及激光雷达。

背景技术

VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)芯片是一种被用于光通信、传感、光存储等领域的半导体激光器。其具有发散角小、光束对称、波长热稳定性高、光束质量稳定、光电转换效率高、功耗低、易于集成等优点，适于作为光源被广泛应用。例如用于补盲激光雷达、扫地机器人的避障方案等。

无论是补盲雷达还是扫地机器人的避障方案，VCSEL激光器被点亮的频率直接影响其扫描精度，点亮频率越高，扫描精度越大；目前采用FPGA或单片机配合设定的控制程序来实现对电压源进行开关控制，但是FPGA或单片机中在接收到触发信号后需要利用存储在其中的程序进行计算，计算的耗时导致电压源的开关控制最小间隔时间仅能达到微秒级别，也就是说，在该控制程序下的VCSEL激光器仅能实现微秒级别的扫描频率，其无法满足VCSEL激光器高频率点亮的需求，影响VCSEL芯片扫描效率。

发明内容

本申请的一个优势在于提供了一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，通过硬件控制的方式，减少程序计算所需时间，VCSEL激光器点亮频率达到纳秒级，提高VCSEL激光器点亮频率，进而提高激光雷达扫描精准度。

本申请的另一个优势在于提供了一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，纯硬件控制电路供电，避免软件计算和控制的延迟或不稳定性导致的点亮频率的不准确的问题，实现控制程序对VCSEL激光器上的发光单元精准点亮，提高以VCSEL激光器为光源的终端的可靠性以及准确性。

本申请的另一个优势在于提供了一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，纯硬件控制激光器点亮，减少软件配合，降低终端设备制造以及维护成本。

为了实现上述至少一优势或其他优势和目的，根据本申请的一个方面，提供了一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，包括

充电电路，与电压源电性连接，且该充电电路包括第一开关、储能电容，所述第一开关闭合后使得电压源向所述储能电容充电；

放电电路，包括第二开关，所述第二开关闭合后储能电容的电流流经所述VCSEL激光器；以及

控制总成，所述控制总成包括计数器、编解码器以及控制电路，其中

所述计数器接收脉冲信号并形成二进制信号；

所述编解码器与所述计数器电性连接，该编解码器根据所述二进制信号在与该二进制信号对应的输出引脚输出高电平；

所述控制电路包括第三开关、电阻R1、电阻R2，其中所述第三开关接收到编解码器输出的高电平后闭合；在所述第三开关闭合后，所述电阻R1和所述电阻R2使得所述第一开关在电压差下闭合以导通所述充电电路；

其中，所述第二开关与计数器上每间隔一个二进制信号发出一个高电平的输出引脚电性连接，所述计数器的输出引脚输出的高电平给到第二开关以使得第二开关闭合点亮VCSEL激光器。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述第二开关与所述计数器的二进制数最低位的输出引脚电性连接。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，一个所述控制电路仅控制一个与其对应的充电电路闭合、断开；所述VCSEL激光器具有多个发光单元，每一个所述充电电路对应向一个所述发光单元供电。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述编解码器的输出引脚为多个，且多个编解码器的输出引脚中每间隔一个输出引脚电性连接一个所述控制电路。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述第一开关为PMOS管。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述第二开关为NMOS管。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述第三开关为NMOS管。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述电阻R1的阻值小于所述电阻R2阻值。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述电阻R1的阻值为R，所述电阻R2的阻值为2R。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述充电电路还包括限制储能电容的电流朝电压源方向流动的二极管。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述二进制信号分别为000，001，010，011，100，101，110，111。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述充电电路用于削弱进入到所述第一开关内静电的第一开关保护元件。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述放电电路还包括用于削弱进入到所述第二开关的静电的第二开关保护元件。

在根据本申请所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中，所述控制电路还包括用于削弱进入到所述第三开关的静电的第三开关保护元件。

一种激光雷达，包括：

根据本申请的又一个方面，本申请提出了一种激光雷达，其包括：

用于投射激光的激光投射装置，其中，所述激光投射装置包括一唯可寻址VCSEL激光器以及如上所述的任一一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中；

用于接收激光信号的激光接收装置；以及

可通信地连接于所述激光投射装置和所述激光接收装置的处理器。

通过对随后的描述和附图的理解，本申请进一步的目的和优势将得以充分体现。

本申请的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，附图和权利要求得以充分体现

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一维可寻址VCSEL激光器结构示意图；

图2是本申请一维可寻址VCSEL激光器的发光点结构示意图。

图3为本申请一维可寻址VCSEL激光器驱动电路的电路示意图。

图4为本申请一维可寻址VCSEL激光器驱动电路不含二极管的电路示意图。

图5为本申请一维可寻址VCSEL激光器驱动电路中驱动其中一个发光单元的电路示意图。

图6为本申请中二进制信号转换示意图。

具体实施方式

为使得本申请的申请目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而非全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

申请概述

VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)激光器主要由多个发光单元以及驱动电路构成，驱动电路逐个点亮发光单元，实现VCSEL激光器巡回点亮。目前的可寻址驱动电路中，均是通过FPGA或单片机在接收到相应的触发信号后，利用其存储的程序进行计算，控制电压源向VCSEL激光器供电，FPGA或单片机内置程序接收到信号后需要计算，计算所需的时间至少是位微秒级，造成VCSEL激光器被循环点亮所需的间隔时间为微秒级，无法满足VCSEL芯片的高频率点亮的需求，影响VCSEL芯片扫描效率。

基于上述原因，本申请提出采用硬件设施替代控制程序，实现纳秒级驱动VCSEL激光器的发光单元巡回点亮。从而解决上述的VCSEL激光器的发光单元因控制程序计算时间而导致的发光单元点亮频率低的缺陷，提升VCSEL激光器单位时间内扫描的次数，提升以VCSEL激光器作为光源的激光雷达的探测精度；同时降低激光雷达的成本，简化控制要求。

本申请提出一维可寻址VCSEL激光器的驱动电路，包括。

示意性VCSEL激光器及其驱动电路

本实施例公开了一维可寻址的VCSEL激光器以及用以点亮该VCSEL激光器的驱动电路。如图1所示，其中所述VCSEL激光器1包括多个发光单元10，多个发光单元10共用同一个阴极，每个发光单元10为独立的阳极。所述发光单元10由多个发光点20构成，每个所述发光点20为具有独立的出光孔的VCSEL单元。在其他变形的实施例中，所述发光单元也可以是由一个单独的发光点构成。

如图2所示，所述发光点20包括外延结构21、第一电极22、第二电极23；所述第一电极22为N型金属层，该第一电极22为铂金、金、镍三种金属构成的N型掺杂的合金。第一电极22欧姆接触于所述外延结构21的底部，作为VCSEL激光器的阴极；当VCSEL激光器由多个发光点20构成时，多个发光点20共用同一个第一电极22，即所述VCSEL激光器为共阴极VCSEL。

第二电极23为铂金、金、镍三种金属构成的P型掺杂的合金，在其他实施例中，第二电极23可以为其他金属，例如金(Au)金属。所述第二电极23欧姆接触于所述外延结构21的顶面，第二电极23被用作发光点或发光单元的阳极。第二电极23电性接触有金属电极24，金属电极24通过电镀、溅射或蒸镀工艺附着在第二电极23上，金属电极24采用导电性优良的金属，例如铂金、金，其中以金为优选。

所述外延结构21由下至上包括衬底层211、第一布拉格反射镜212、有源区213、具有限制孔2141的电流限制层214以及第二布拉格反射镜215。所述衬底层211为N型掺杂的砷化镓衬底；又或者在其他变形的实施例中，所述衬底层为P型掺杂的砷化镓衬底。衬底层211的制成材料可为InP、GaN、GaAs等掺杂型材料。所述第二电极23欧姆接触于所述第二布拉格反射镜215的顶部表面，第二布拉格反射镜215通过MOCVD生长到有源区213的顶面，该第二布拉格反射镜215为P-DBR，所述P-DBR由多个P型掺杂的高铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)和P型掺杂低铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)的交替堆叠形成。

对应的，所述第一布拉格反射镜212通过MOCVD生长到衬底层211的顶面。该第一布拉格反射镜212为N-DBR，所述N-DBR由N型掺杂的高铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)和N型掺杂低铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)的交替堆叠形成。值得一提的是，所述交替层的材料选择取决于所述发光点出射的激光的工作波长，交替层的光学厚度等于或约等于激光的工作波长的1/4。

在其他变形的实施例中，通过对第一布拉格反射镜212和第二布拉格反射镜215进行设计和配置，控制第一布拉格反射镜212的反射率与第二布拉格反射镜215的反射率之间的差异，从而控制激光的出光方向；例如控制第二布拉格反射镜的高于第一布拉格反射镜的反射率，即，所述第二布拉格反射镜为N-DBR，所述第一布拉格反射镜则对应的为P-DBR。由于第二布拉格反射镜的折射率高于第一布拉格反射镜的折射率，其产生的激光由朝向衬底层的方向出射。所述有源区被位于所述第一布拉格反射镜与所述第二布拉格反射镜之间，以形成谐振腔，光子在被激发后在所述谐振腔内来回反射不断重复放大以形成激光振荡，从而形成了激光。

本申请中，所述驱动电路控制电压源向发光单元10轮流充放电，实现多个发光单元轮流发出纳秒级的短脉冲激光。如图3和图4所示，其中驱动电路包括充电电路30、放电电路40、控制总成50。

充电电路30连通发光单元10的阳极和电压源60，电压源60的电流通过充电电路30进入发光单元10，一个充电电路30仅为与之对应的一个发光单元10供电。如图1所示，本实施例中，充电电路30包括第一开关31、储能电容32。第一开关31闭合，电压源60的电压经第一开关31输入至储能电容32中，并存储于储能电容32内；第一开关31断开，电压源60的电压停止进入储能电容32，当放电电路40导通后储能电容32的电压输入到发光单元10，从而点亮该充电电路30所对应的发光单元10。储能电容32一端连接充电电路30的输出端和发光单元10的金属电极24，另一端连接地。

上述中，因第一开关31存在漏电的情况，储能电容32的电压经第一开关31而流失，造成储能电容32内的电压损耗，造成无电压进入到发光单元以点亮发光单元或者进入到发光单元10的电压小于预设电压，发光单元无法达到预设的光功率而影响VCSEL激光器的扫描精度。基于此，如图3-5所示，本申请公开了另一实施例，该实施例中，所述充电电路30还包括二极管33，二极管33位于储能电容32与第一开关31之间，用以阻挡在第一开关31断开后储能电容32因第一开关31漏电而造成的电压损失，二极管33为肖特基二极管。如图3所示，本申请实施例中，二极管33为三个，三个所述二极管33并联以降低电阻，提升电流通流能力，提高VCSEL激光器光功率。

如图5所示，本申请实施例中，所述第一开关31为PMOS管，PMOS管具有阈值电压较低，易于控制；低功耗，适用于电池供电的电子设备；开关速度快，适用于高频电路的优点。PMOS管具有S1、G1、D1三个引脚，其中S1引脚电性连接电压源60，D1引脚电性连接二极管33或储能电容32；而G1引脚则与上述控制总成50电性连接，控制总成50通过控制G1引脚处的电压低于S1引脚处的电压，且G1、S1两引脚的电压差小于或等于第一开关31本身规格设定的阈值电压时，即G1引脚电压小于或等于S1引脚电压，第一开关31闭合导通，电压源60的电压经第一开关31进入储能电容32；G1、S1两引脚的电压差大于第一开关31设定的阈值电压时，第一开关31断开，电压源60电压无法进入储能电容32。

本申请中，充电电路30还包括第一开关保护元件34，第一开关保护元件34用以削弱外部的静电进入到第一开关31，避免第一开关31被破坏。第一开关保护元件34为静电保护管、电阻中的一种或两种；本申请实施例中，第一开关保护单元34包括静电保护管三。

基于上述，本申请实施例中控制总成50控制第一开关31开启或闭合，控制总成50包括计数器51、编解码器52、控制电路53，每一个控制电路53控制一个充电电路30的第一开关31。

如图3-图5所示，控制电路53包括第三开关531、电阻R1、电阻R2，其中电阻R1和电阻R2相互配合以形成上述G1引脚的电压低于S1引脚的电压。电阻R1电性连接电压源，电阻R2电性连接第三开关531。电阻R1的阻值小于电阻R2的阻值，在本实施中，所述电阻R1的阻值为R，电阻R2的阻值为2R；当第三开关531闭合后，电压源60输入的电压若为a伏,则在电阻R1的两端分压a/3伏，电阻R2两端分压2a/3伏，对应G引脚处的电压对应为2a/3伏；而第一开关31与所述电阻R1在电路上可以视为并联，在S引脚处的电压始终为a伏，其大于G引脚处的2a/3伏，从而第一开关31闭合，电压源60向储能电容32充电。由此可知，所述第一开关31闭合与否，还取决于第三开关531是否实现闭合，第三开关531闭合，则第一开关31同步闭合，第三开关531断开，则第一开关31同步断开。

本申请实施例中，所述第一开关的开启和闭合速率影响第二开关闭合和开启的速率，影响对储能电容32的充电效率，也会影响相邻发光单元之间的时间间隔。所述第三开关531为NMOS管。所述NMOS管具有S2、G2、D2三个引脚，其中D2引脚电性连接电阻R2，S2引脚接地，G2引脚电性连接所述编解码器，编解码器通过向第三开关531发送高电平以控制第三开关531闭合，即第三开关531每接收一个高电平则闭合一次。

本申请实施例中，控制电路53还包括第二开关保护元件532，用以阻止外部的静电进入到第三开关531而造成第三开关531被破坏。第二开关保护元件532为静电保护管、电阻中的一种或两种；本申请实施例中，第二开关保护元件532包括静电保护管一5321和电阻R3；静电保护管一5321和电阻R3并联。

本申请实施例中，所述计数器51为二进制计数器，该计数器51具有n个输出引脚，在计数器51接收到外部具有上升沿和下降沿的脉冲信号后(如图6所示)，所述计数器形成二进制信号，且二进制信号通过计数器的输出引脚给到编解码器52，具体为通过计数器51的输出引脚发出高电平或低电平给到编解码器52。所述编解码器52具有n个输入引脚和2ⁿ输出引脚,计数器51接收脉冲信号后形成2ⁿ个二进制信号，该二进制信号通过计数器51的输出引脚给到编解码器52，2ⁿ个二进制信号与编解码器2ⁿ个输出引脚一一对应，即编解码器52接受到2ⁿ个二进制信号当中的一个后，该二进制信号指示编解码器上相对应的输出引脚输出高电平给到第三开关531内，实现第三开关531闭合。

本申请实施例中，每一个第三开关531仅电性连接一个输出引脚。在第一开关31、第三开关531均断开后，为了给与被充电的发光单元10预留出被点亮的时间，每间隔一个编解码器52的输出引脚连接一个控制电路53。

如图4所示，本实施例中，所述计数器51的输出引脚数量为3个，以“0”代表低电平，以“1”代表高电平，所述计数器形成8个二进制信号，8个二进制信号当中间隔的4个输出引脚控制4条充电电路，从而控制4个发光单元充电，二进制信号分别为000、001、010、011、100、20、110、111，该8个二进制信号分别对应编解码器的8个输出引脚GPIO1、GPIO2、GPIO3、GPIO4、GPIO5、GPIO6、GPIO7、GPIO8。例如，当输入的二进制信号为000时，编号为GPIO1输出高电平；当电平为001时，编号为GPIO2输出高电平，以此类推；而分别电性连接有控制电路的编解码器引脚为GPIO1、GPIO3、GPIO5、GPIO7，或者是GPIO2、GPIO4、GPIO6、GPIO8四个输出引脚。在其他实施例中，所述计数器的引脚数量为4个，在计数器上形成16个二进制信号，编解码器的输出引脚为16个，每间隔一个输出引脚连接一个控制电路，因此该编解码器控制8个发光单元被依次点亮发出短脉冲激光(图中未示出)。

本申请实施例中，VCSLE激光器的所有发光单元10共用同一个第一电极22(即VCSEL激光器的阴极)，用以供发光点20的电流输出的放电电路40仅需一个。该放电电路40包括第二开关41，第一、第三开关闭合时间与第二开关41闭合时间相互错开，第一、第三开关闭合时，第二开关41断开，第一、第三开关断开时，则第二开关41闭合，且第一、第三开关与第二开关41的频率保持一致。本实施例中，所述第二开关41为NMOS管，第二开关41的S3、G3、D3个引脚中，其中D3引脚电性连接第一电极22(即VCSEL激光器的阴极)，G3引脚接地，S3引脚电性连接计数器的三个引脚中每间隔一次发出一个高电平的引脚，即按照0、1、0、1、0、1规律发出电平的引脚。本实施例中，计数器为3个输出引脚，则第二开关41电性连接3位二进制计数器中最低位所对应的输出引脚(如图3所示)。计数器51的输出引脚发出高电平到第二开关41，第二开关41闭合；此时储能电容32内的电压放电给到发光单元10，该发光单元10上的所有发光点20被点亮。

第二开关41与计数器51的输出引脚之间电性连接有第三开关保护单元42，该第三静电保护单元42用以阻止外部的静电进入到第二开关41，造成第二开关41被破坏。第三开关保护元件42为静电保护管、电阻中的一种或两种；本申请实施例中，第三开关保护单元42包括静电保护管二421和电阻R4；静电保护管二421和电阻R4并联。在本申请实施例中，所述第三开关保护单元41还包括位于计数器51的输出引脚和第二开关41之间的电阻R5，电阻R5削弱外部静电的电流进入到第二开关41，对第二开关41起到保护作用。

综上，所述用于一维可寻址VCSEL激光器以及其实现纳秒级巡回点亮该VCSEL激光器的驱动电路被阐明。

示意性车载激光雷达

根据本申请的又一方面，还提供了一种激光雷达。激光雷达的工作原理为：以激光为媒介，向被测目标发射激光，并接收被测目标反射的激光，基于发射激光和接收激光脉冲之间的时间差(或者发射的激光和接收到的被反射的激光之间的相位差)，获取被测目标与激光雷达之间的相对位置和距离，从而实现对目标区域内待测对象的探测、跟踪和识别。

相应地，所述激光雷达包括：用于投射激光的激光投射装置、用于接收激光信号的激光接收装置和可通信地连接于所述激光投射装置和所述激光接收装置的处理器，其中，所述激光投射装置包括如上所述的一维可寻址VCSEL激光器以及用于驱动该一维可寻址VCSEL激光器的控制电路。

要指出的是，在本申请的装置和方法中，不同实施例中的各部件或各步骤在没有背离本申请的原理下是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为包含在本申请的发明构思之内。

以上结合具体实施例描述了本申请的基本原理，但是，需要指出的是，在本申请中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本申请的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本申请为必须采用上述具体的细节来实现。

Claims (15)

1.一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其特征在于，包括

充电电路，与电压源电性连接，且该充电电路包括第一开关、储能电容，所述第一开关闭合后使得电压源向所述储能电容充电；

放电电路，包括第二开关，所述第二开关闭合后储能电容的电流流经所述VCSEL激光器；以及

控制总成，所述控制总成包括计数器、编解码器以及控制电路，其中

所述计数器接收脉冲信号并形成二进制信号；

所述编解码器与所述计数器电性连接，该编解码器根据所述二进制信号在与该二进制信号对应的输出引脚输出高电平；

所述控制电路包括第三开关、电阻R1、电阻R2，其中所述第三开关接收到编解码器输出的高电平后闭合；在所述第三开关闭合后，所述电阻R1和所述电阻R2使得所述第一开关在电压差下闭合以导通所述充电电路；

其中，所述第二开关与计数器上每间隔一个二进制信号发出一个高电平的输出引脚电性连接，所述计数器的输出引脚输出的高电平给到第二开关以使得第二开关闭合点亮VCSEL激光器。

2.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述第二开关与所述计数器的二进制数最低位的输出引脚电性连接。

3.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，一个所述控制电路仅控制一个与其对应的充电电路闭合、断开；所述VCSEL激光器具有多个发光单元，每一个所述充电电路对应向一个所述发光单元供电。

4.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述编解码器的输出引脚为多个，且多个编解码器的输出引脚中每间隔一个输出引脚电性连接一个所述控制电路。

5.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述第一开关为PMOS管。

6.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述第二开关为NMOS管。

7.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述第三开关为NMOS管。

8.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述电阻R1的阻值小于所述电阻R2阻值。

9.根据权利要求8所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述电阻R1的阻值为R，所述电阻R2的阻值为2R。

10.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述充电电路还包括限制储能电容的电流朝电压源方向流动的二极管。

11.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述二进制信号分别为000，001，010，011，100，101，110，111。

12.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述充电电路用于削弱进入到所述第一开关内静电的第一开关保护元件。

13.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述放电电路还包括用于削弱进入到所述第二开关的静电的第二开关保护元件。

14.根据权利要求1所述的一维可寻址VCSEL激光器驱动电路，其中，所述控制电路还包括用于削弱进入到所述第三开关的静电的第三开关保护元件。

15.一种激光雷达，其特征在于，包括：

用于投射激光的激光投射装置，其中，所述激光投射装置包括一维可寻址的VCSEL激光器以及如权利要求1至12所述的任一维可寻址VCSEL激光器驱动电路；

用于接收激光信号的激光接收装置；以及

可通信地连接于所述激光投射装置和所述激光接收装置的处理器。