CN117760594A - 温度感测装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种温度感测装置。温度感测装置包括电阻串以及控制电路。电阻串包括相互串接的可变电阻器、第一电阻以及第二电阻。电阻串耦接在感测端以及参考接地电压间。第一电阻以及第二电阻相互耦接至监控端以提供监控电压。控制电路比较监控电压以及多个参考电压以产生感测温度信息，根据感测温度信息以产生以调整信息。其中控制电路根据调整信息以对可变电阻器所提供的电阻值进行调整。第一电阻为多晶硅电阻，第二电阻为碳化硅扩散电阻。

Description

温度感测装置

技术领域

本发明涉及一种温度感测装置，且尤其是涉及一种用以感测功率晶体管接点温度的温度感测装置。

背景技术

基于功率晶体管常操作在高温的环境下，因此对于温度的操作上限特别敏感。当功率晶体管操作在温度上限的环境下时，当功率晶体管发生转态现象时，特别容易发生损坏的现象。

基于上述，针对功率晶体管的运作，进行环境温度的侦测是很重要的。重点在于，温度侦测电路对于温度侦测的反应速度是否足够快以保护功率晶体管不至于损毁。然而，若设计使温度侦测电路过于敏感，又可能使温度侦测动作发生误动作而错关闭了功率晶体管的动作。因此，如何设计一种可正确判断又可快速反应过温现象的温度侦测电路，是本领域技术人员的重要课题。

发明内容

本发明是针对一种温度感测装置，可提升温度感测结果的精准度。

根据本发明的实施例，温度感测装置包括电阻串以及控制电路。电阻串，包括相互串接的可变电阻器、第一电阻以及第二电阻。电阻串耦接在感测端以及参考接地电压间。第一电阻以及第二电阻相互耦接至监控端以提供监控电压。控制电路耦接至电阻串，接收监控电压，通过比较监控电压以及多个参考电压以产生感测温度信息，根据感测温度信息以产生以调整信息。其中控制电路用以根据调整信息以对可变电阻器所提供的电阻值进行调整，第一电阻为多晶硅电阻，第二电阻为碳化硅扩散电阻。

基于上述，本发明的温度感测装置的控制器可根据电阻串所产生的监控电压来获得感测温度信息，并根据感测温度信息与实际的温度信息进行比较来产生调整信息。温度感测装置通过调整信息来调整可变电阻器的电阻值，并经以校正感测温度信息，提升温度感测结果的精准度。

附图说明

图1示出本发明一实施例的温度感测装置的示意图。

图2A至图2C示出本发明实施例的温度感测装置中的电阻串的多个实施方式的示意图。

图3示出本发明另一实施例的温度感测装置的示意图。

图4示出本发明实施例的温度感测装置中的控制电路的实施方式的示意图。

图5A以及图5B示出本发明图4实施例中，控制电路400的参考电压的产生方式的示意图。

图6A示出本发明实施例的温度侦测装置中的第一电阻以及第二电阻的结构图。

图6B示出本发明实施例的温度侦测装置中的第二电阻的另一实施方式的结构图。

附图标记说明

100、300：温度感测装置；

110、310：电阻串；

120、320、400：控制电路；

501、502：参考电压产生器；

521～52N：分压电路；

600：集成电路；

610、620：漂移区；

621、641：碳化硅扩散层；

622、623、624：埋入型井区；

630：绝缘层；

640：井区；

650：重掺杂层；

660：掺杂层；

ADI：调整信息；

CMP1～CMPN：比较器；

CR1～CRN比较结果；

DE：感测端；

DT1～DTN-1感测温度信息的位；

DTI感测温度信息；

F0～FN：熔丝；

ME：监控端；

PM：功率晶体管；

R1：第一电阻；

R2：第二电阻；

R31～R3N、R51～R5N+1、R511～R5N2：电阻；

V1、V2：电压；

VDD：操作电源；

VM：监控电压；

VR：可变电阻器；

VR1～VRN：参考电压；

VSS、GND：参考接地电压；

XOR1～XORN-1：异或门。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。

请参照图1，图1示出本发明一实施例的温度感测装置的示意图。温度感测装置100包括电阻串110以及控制电路120。电阻串110包括相互串接的可变电阻器VR、第一电阻R1以及第二电阻R2。电阻串110耦接在感测端DE以及参考接地电压VSS间。其中，第一电阻R1以及第二电阻R2相互耦接至监控端ME，第一电阻R1以及可变电阻器VR串接于感测端DE以及监控端ME间，第二电阻R2则耦接在监控端ME以及参考接地电压VSS间。在本实施例中，感测端DE可以为功率晶体管PM的控制端

电阻串110用以针对感测端DE上的感测电压VG以及参考接地电压VSS间的电压差进行分压，以在监控端ME上产生监控电压VM。在本实施例中，第一电阻R1为多晶硅电阻，而第二电阻R2则可以为碳化硅扩散电阻。根据本领域普通技术人员所熟知的，多晶硅电阻的电阻值随温度变化的敏感度相对低，而碳化硅扩散电阻随温度变化的敏感度则相对高。也就是说，在进行温度感测动作时，监控端ME上的监控电压VM可根据第二电阻R2随温度变化而产生的变化，来对应产生监控电压VM。

附带一提的，本发明的可变电阻器VR主要是由多晶硅电阻来构成，其所提供的电阻值并具有相对的温度敏感度。

在另一方面，控制电路120耦接至监控端ME，并接收监控电压VM。控制电路120可根据监控电压VM来得知感测端DE上的接点温度。在细节上，控制电路120可对应多个温度值，来分别默认多个参考电压。控制电路120并使监控电压VM与上述默认的多个参考电压进行比较，并通过判断监控电压VM落于哪两个参考电压间来产生感测温度信息。

关于参考电压的设定动作中，具体来说明，以参考电压VR1对应温度T1为范例，在温度T1下，电阻串110所形成的分压比，恰可分压感测电压VG以产生等于参考电压VR1的监控电压VM。若参考电压VRM对应温度TM，表示在温度TM下，电阻串110所形成的分压比，恰可分压感测电压VG以产生等于参考电压VRM的监控电压VM。

在另一方面，控制电路120可进一步根据所产生感测温度信息来产生调整信息ADI。其中，在一校正模式下，控制电路120可以在一常温(例如等于摄氏25度)的环境下，判断感测温度信息是否表示感测温度是为摄氏25度。当控制电路120判断出感测温度信息所代表的感测温度非为摄氏25度，则可通过所产生的调整信息ADI来调整可变电阻器VR的电阻值。并经由调整可变电阻器VR的电阻值来调整监控电压VM以及对应的感测温度信息，并使调整后的感测温度信息可以代表的感测温度为摄氏25度。当然，若感测温度信息所代表的感测温度为摄氏25度，控制电路120则不需进行可变电阻器VR的电阻值的调整动作。

上述的常温环境可以在使功率晶体管PM不工作的情况下来产生。其中，当功率晶体管PM被截止时，其控制端(感测端DE)上的接点温度，约可等于环境温度。

附带一提的，在本实施例中，功率晶体管PM的第一端可接收操作电源VDD，功率晶体管PM的第二端则可耦接至一负载电路。

由上述的说明可以得知，本发明实施例的温度感测装置100，可通过在校正模式下，根据监控电压VM以及对应的感测温度信息，来针对可变电阻器VR的电阻值进行调整，并使温度感测装置100中，因各种因素所产生的感测温度的误差，可以有效得到补偿，并提升温度感测装置100的精确度。

附带一提的，在本发明其他实施例中，第一电阻R1以及可变电阻器VR的位置可以相互交换。也就是说，在本发明其他实施例中，第一电阻R1也可以耦接在感测端DE以及可变电阻器VR间。

在本实施例中，控制电路120可以为具运算能力的处理器。或者，控制电路120可以是通过硬件描述语言(Hardware Description Language,HDL)或是其他任意本领域普通技术人员所熟知的数字电路的设计方式来进行设计，并通过现场可程序逻辑门阵列(FieldProgrammable Gate Array,FPGA)、复杂可程序逻辑装置(Complex Programmable LogicDevice,CPLD)或是特殊应用集成电路(Application-specific Integrated Circuit,ASIC)的方式来实现的硬件电路。在本发明部分实施例中，控制电路120可以设置在测试装置上。

关于电阻串110的实施细节，可参照图2A至图2C示出的本发明实施例的温度感测装置中的电阻串的多个实施方式的示意图。在图2A中，电阻串201包括可变电阻器VR、第一电阻R1以及第二电阻R2。可变电阻器VR与第一电阻R1依序串接在感测端DE以及监控端ME间，第二电阻R2则耦接在监控端ME以及参考接地电压VSS间。可变电阻器VR包括熔丝F1～FN以及电阻R31～R3N。熔丝F1～FN分别与电阻R31～R3N相互串联耦接，并形成多个熔丝-电阻串。例如，熔丝F1以及电阻R31形成一熔丝-电阻串，熔丝F2以及电阻R32形成另一熔丝-电阻串，其余的熔丝-电阻串可依此类推。其中，每一熔丝-电阻串皆耦接在感测端DE以及第一电阻R1间，而多个熔丝-电阻串则相互并联耦接。

在本实施例中，电阻R31～R3N与电阻R1都可以是多晶硅电阻。

在初始状态下，所有的熔丝F1～FN都是未烧断的状态。在校正模式下，控制电路可产生调整信息，并根据调整信息来决定是否烧断熔丝F1～FN中的每一者。在另一方面，电阻R31～R3N的电阻值可以是不相同的。例如，电阻R31～R3N的电阻值可以形成一等比数列，而这个等比数列可以是2。也就是说，电阻R31的电阻值可以是电阻R32的电阻值的两倍，电阻R32的电阻值则可以是电阻R33的电阻值的两倍，其余可依此类推。

在本实施例中，通过烧断熔丝F1～FN中的每一者，可以使可变电阻器VR的电阻值上升，并使监控电压VM下降。

在图2B中，与图2A实施方式不相同的，电阻串202中的可变电阻器VR除包括熔丝F1～FN以及电阻R31～R3N外，另包括熔丝F0。熔丝F0直接跨接在感测端DE以及第一电阻R1间。在当熔丝F0未被烧断的情况下，可变电阻器VR的电阻值可趋近于0奥姆。

重点在于，在图2B的实施方式中，当在校正模式下，当要针对可变电阻器VR的电阻值进行调整时，需先将熔丝F0烧断。后续再根据感测温度信息的正确与否，来判断是否烧断熔丝F1～FN的至少其中之一。

在图2C中，电阻串203包括可变电阻器VR、第一电阻R1以及第二电阻R2。可变电阻器VR包括多个熔丝F1～FN以及多个电阻R31～R3N。熔丝F1～FN以及分别对应的电阻R31～R3N形成多个熔丝-电阻对，其中，熔丝F1以及电阻R31形成第一熔丝-电阻对，熔丝F2以及电阻R32形成第二熔丝-电阻对，其余依此类推。上述的多个熔丝-电阻对串联耦接在第一电阻R1以及监控端ME间。在另一方面，电阻R31～R3N的电阻值可以是不相同的。例如，电阻R31～R3N的电阻值可以形成一等比数列，而这个等比数列可以是2。也就是说，电阻R31的电阻值可以是电阻R32的电阻值的两倍，电阻R32的电阻值则可以是电阻R33的电阻值的两倍，其余可依此类推。

在初始状态下，所有的熔丝F1～FN都为未烧断的状态，此时可变电阻器VR的电阻值接近于0奥姆。

在校正模式下，通过烧断熔丝F1～FN中的每一者，可以使可变电阻器VR的电阻值上升，并使监控电压VM下降。

值得一提的，在本发明实施例中，工程人员可以在控制电路中默认一熔丝电阻对照表。其中熔丝电阻对照表用以记录被熔丝F1～FN的被烧断与否，与可变电阻器VR所提供的电阻值间的对应关系。如此一来，控制电路可根据监控电压VM来产生感测温度信息，并根据感测温度信息以及校正模式下的环境温度，来计算出可变电阻器VR所需要提供的电阻值，再通过查找熔丝电阻对照表来产生调整信息。

附带一提的，在上述实施方式中，熔丝F0～FN可以为任意材质的熔丝，例如金属材质、多晶硅材质或相位变化存储器(Phase Change Memory,PCM)的存储单元。熔丝F0～FN也可以应用反熔丝(anti-fuse)的方式来建构，例如通过闸极氧化结构来实现。熔丝F0～FN并可通过雷射或电流进行烧断的动作，没有特定的限制。

以下请参照图3，图3示出本发明另一实施例的温度感测装置的示意图。温度感测装置300包括电阻串310以及控制电路320。电阻串310包括相互串接的可变电阻器VR、第一电阻R1以及第二电阻R2。与图1的实施例不相同的，本实施例中，可变电阻器VR与第一电阻R1依序耦接在监控端ME以及参考接地电压VSS间，第二电阻R2则耦接在感测端DE以及监控端ME间。

在本实施例中，在初始状态下，可变电阻器VR可提供最小的电阻值。在校正模式下，当可变电阻器VR中的至少其中之一熔丝根据调整信息ADI而被烧断时，可变电阻器VR所提供的电阻值可以增加，如此一来，监控端ME的监控电压VM可对应上升。

附带一提的，在本发明其他实施例中，第一电阻R1以及可变电阻器VR的位置可以相互交换。也就是说，在本发明其他实施例中，第一电阻R1也可以耦接在监控端ME以及可变电阻器VR间。

以下请参照图4，图4示出本发明实施例的温度感测装置中的控制电路的实施方式的示意图。控制电路400包括比较器CMP1～CMPN以及异或门XOR1～XORN-1。比较器CMP1～CMPN的负输入端分别接收参考电压VR1～VRN，比较器CMP1～CMPN的正输入端共同接收监控电压VM，比较器CMP1～CMPN并分别产生比较结果CR1～CRN。比较器CMP1～CMPN使监控电压VM与参考电压VR1～VRN进行比较，并经以比较出监控电压VM所在的电压区间。例如，当监控电压VM大于参考电压VR2且小于参考电压VR3时，比较器CMP1、CMP2可产生等于逻辑1的比较结果CR1、CR2，比较器CMP3～CMPN则可分别产生等于逻辑0的比较结果CR3～CRN。

异或门XOR1～XORN-1的每一者则接收比较结果CR1～CRN的其中之二，异或门XOR1～XORN-1分别产生感测温度信息DTI的多个位DT1～DTN-1。其中，对应依序排列的参考电压VR1～VRN，异或门XOR1～XORN-1的每一者可接收相邻的二比较结果。例如，异或门XOR1可接收比较结果CR1、CR2，异或门XOR2则可接收比较结果CR2、CR3，其余可依此类推。异或门XOR1～XORN-1的每一者并用以判断所接收的二比较结果是否相同来产生感测温度信息DTI。其中，判断出所接收的二比较结果不相同的异或门，其所产生的感测温度信息DTI的位(例如等于逻辑1)，可以指示出现时温度所在的区间。

在本发明其他实施方式中，异或门XOR1～XORN-1可应用异或非门来取代。

以下请参照图5A以及图5B，图5A以及图5B示出本发明图4实施例中，控制电路400的参考电压的产生方式的示意图。在本发明实施例中，控制电路400中的参考电压，可以通过参考电压产生器来产生。在图5A中，参考电压产生器501包括多个电阻R51～R5N+1。电阻R51～R5N+1相互串联，并形成一分压电路。电阻R51～R5N+1所形成的分压电路，其一端接收电压V1，另一端接收电压V2。以电压V1大于电压V2为例，电阻R51～R5N+1可针对电压V1以及电压V2的电压差来进行分压，以产生多个参考电压VR1～VRN。

在本实施方式中，电压V1可以等于图1实施例中的感测电压VG。电压V2则可以为参考接地电压(例如0伏特)。

值得一提的，为了避免参考电压VR1～VRN受到温度变化而产生改变，电阻R51～R5N+1可应用对于温度变化较不敏感的多晶硅电阻来建构。在本实施方式中，电阻R51～R5N的电阻值可以都是相同的，而电阻R5N+1的电阻值则可以不同的电阻R51～R5N的电阻值，例如电阻R5N+1的电阻值可大于电阻R51的电阻值。

在图5B中，参考电压产生器502包括多个分压电路521～52N。分压电路521～52N的每一者均耦接在感测电压VG以及参考接地电压GND间。分压电路521包括串联耦接的电阻R511、R512；分压电路522包括串联耦接的电阻R521、R522；分压电路532包括串联耦接的电阻R531、R532；…；以及，分压电路52N包括串联耦接的电阻R5N1、R5N2。分压电路521～52N通过分压感测电压VG以分别产生参考电压VR1～VRN。值得一提的，为了避免参考电压VR1～VRN受到温度变化而产生改变，电阻R511～R5N2可应用对于温度变化较不敏感的多晶硅电阻来建构。

在此，关于参考电压VR1～VRN的数量，可根据温度感测动作中，感测温度信息的分辨率来进行设置。设计者可针对感测温度信息的分辨率的需求量，来调整参考电压VR1～VRN的数量，没有固定的限制。

请参照图6A以及图6B，图6A示出本发明实施例的温度侦测装置中的第一电阻以及第二电阻的结构图，图6B示出本发明实施例的温度侦测装置中的第二电阻的另一实施方式的结构图。在图6A中，第一电阻R1以及第二电阻R2可以设置在相同的集成电路600中。集成电路600包括漂移区610、漂移区620、绝缘层630、重掺杂层650以及掺杂层660。漂移区620可形成在漂移区610上，其中漂移区620与漂移区610间具有掺杂层660。掺杂区660的导电型态与漂移区620及漂移区610相反。绝缘层630则可覆盖在漂移区620上。第一电阻R1可以由多晶硅层631所构成，并被设置在绝缘层630中。此外，第二电阻R2可由P型的碳化硅扩散层621所构成，并被设置在漂移区620中。此外，漂移区610下可设置重掺杂层650。漂移区610例如为N型漂移区，重掺杂层650则可以为N+型重掺杂层。

在另一方面，漂移区620中并可具有埋入型井区622，以提供一电位接点。

此外，漂移区620中并可具有埋入型井区623、624，以提供多个电位接点。

相类似的，本发明实施例的可变电阻器中的多个电阻，也可以应用如第一电阻R1的方式来建构。

在图6B中，当第二电阻R2为N型的碳化硅扩散电阻时，集成电路600可另具有P型的井区640。P型的井区640被设置在漂移区620中。第二电阻R2可由N型的碳化硅扩散层641所构成，其中N型的碳化硅扩散层641可被形成在P型的井区640中。

基于以上的说明可以得知，本发明的温度感测装置中的电阻串可以与功率晶体管设置在相同的集成电路上，并可快速的感测出功率晶体管的控制端上，因温度变化所产生的感测电压的变化，获得正确的感测温度信息。

综上所述，本发明的温度感测装置通过电阻串以分压感测端上的感测电压，并获得监控电压，并基于电阻串所提供的分压比与受感测的温度相关联，本发明的温度感测装置可根据监控电压来产生感测温度信息。并且，本发明的温度感测装置在电阻串中设置可变电路器，用以在校正模式下，通过调整可变电路器所提供的电阻值来调整电阻串的分压比，以提升温度感测的精确度。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种温度感测装置，包括：

电阻串，包括相互串接的可变电阻器、第一电阻以及第二电阻，所述电阻串耦接在一感测端以及一参考接地电压间，所述第一电阻以及所述第二电阻相互耦接至监控端以提供监控电压；以及

控制电路，耦接至所述电阻串，接收所述监控电压，通过比较所述监控电压以及多个参考电压以产生感测温度信息，根据感测温度信息以产生调整信息，

其中所述控制电路用以根据所述调整信息以对所述可变电阻器所提供的电阻值进行调整，所述第一电阻为多晶硅电阻，所述第二电阻为碳化硅扩散电阻。

2.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器包括：

N个第一熔丝，N为正整数；以及

N个第三电阻，其中所述多个第三电阻分别与所述多个第一熔丝形成多个熔丝-电阻串，所述多个熔丝-电阻串相互并联耦接，

其中所述控制电路用以根据所述调整信息以决定是否烧断所述多个第一熔丝的至少其中之一以调整所述可变电阻器所提供的电阻值。

3.根据权利要求2所述的温度感测装置，其中所述多个N个第三电阻的多个电阻值为公比等于2的等比数列。

4.根据权利要求2所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器更包括：

第二熔丝，与各所述熔丝-电阻串并联耦接。

5.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器包括：

N个第三电阻，N为正整数；以及

N个第一熔丝，分别与所述多个N个第三电阻并联耦接而形成多个熔丝-电阻对，所述多个熔丝-电阻对相互串联耦接，

其中所述控制电路用以根据所述调整信息以决定是否烧断所述多个第一熔丝的至少其中之一以调整所述可变电阻器所提供的电阻值。

6.根据权利要求5所述的温度感测装置，其中所述多个N个第三电阻的多个电阻值为公比等于2的等比数列。

7.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路中具有熔丝电阻对照表，所述控制电路根据所述监控电压以查找所述熔丝电阻对照表以调整所述可变电阻的电阻值。

8.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路包括：

多个比较器，分别接收所述多个参考电压，并共同接收所述监控电压，各所述比较器用以比较所述监控电压与对应的各所述参考电压以产生各所述比较结果；以及

多个逻辑运算器，其中各所述逻辑运算器针对所述多个比较结果的其中之二进行逻辑运算，所述多个逻辑运算器用以分别产生所述感测温度信息的多个位。

9.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中各所述逻辑运算器为异或门或异或非门。

10.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中所述多个参考电压包括依大小顺序排列的第一参考电压至第M参考电压，所述多个比较器包括分别对应所述第一参考电压至所述第M参考电压的第一比较器至第M比较器，所述多个比较器并分别产生第一比较结果至第M比较结果，

其中，各所述逻辑运算器接收所述第i比较结果以及所述第i+1比较结果，并产生所述感测温度信息的第i个位，其中M为大于1的正整数，i为大于0小于M的正整数。

11.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中所述控制电路更包括：

参考电压产生器，用以产生所述多个参考电压。

12.根据权利要求11所述的温度感测装置，其中所述参考电压产生器包括：

分压电路，具有第一端接收第二电压，所述分压电路并具有第二端接收第三电压，所述分压电路根据分压所述第二电压与所述第三电压的差来产生所述多个参考电压，其中所述分压电路包括：

多个第三电阻，依序串联耦接在第二电压以及第三电压间，其中所述多个第三电阻根据分压所述第二电压与所述第三电压的差值以产生所述多个参考电压，其中所述多个第三电阻为多晶硅电阻。

13.根据权利要求11所述的温度感测装置，其中所述参考电压产生器包括：

多个分压电路，分别用以产生所述多个参考电压，其中各所述分压电路包括：

第三电阻以及第四电阻，相互串接于第二电压以及第三电压间，用以分压所述第二电压以及所述第三电压的电压差来产生对应的各所述参考电压，其中所述第三电阻以及所述第四电阻为多晶硅电阻。

14.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述第一电阻与所述第二电阻依序耦接在所述感测端以及所述参考接地电压间。

15.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述第二电阻与所述第一电阻依序耦接在所述感测端以及所述参考接地电压间。

16.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述第二电阻为N型碳化硅扩散电阻或P型碳化硅扩散电阻。

17.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路通过调整所述可变电阻器所提供的电压值，以使所述监控电压等于默认电压值。

18.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述感测端为一功率晶体管的控制端，所述功率晶体管与所述第一电阻、所述第二电阻以及所述可变电阻器整合设置在相同的集成电路中。

19.根据权利要求18所述的温度感测装置，其中当所述第二电阻为P型碳化硅扩散电阻时，所述第二电阻包括：

P型扩散区，设置在所述集成电路的漂移区中。

20.根据权利要求18所述的温度感测装置，其中当所述第二电阻为N型碳化硅扩散电阻时，所述第二电阻包括：

N型扩散区，设置在井区中，其中所述井区设置在所述集成电路的漂移区中。