CN117747707A - 光电二极管及其制造方法、电子元件 - Google Patents

Abstract

本申请涉及光电二极管及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成堆叠于第一介质部的光生少子收集区，其中，第一介质部具有第一导电类型，光生少子收集区具有第二导电类型，光生少子收集区具有至少一个网孔区域；以及形成覆盖光生少子收集区的钉扎层，钉扎层具有第一导电类型。该方法能够制造出暗电流与光量子效率两种性能平衡且总体性能好的光电二极管。

Description

光电二极管及其制造方法、电子元件

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及光电二极管及其制造方法、电子元件。

背景技术

图像传感器中常使用光电二极管进行光电信号转化。光电二极管在工作中可能产生暗电流，这会影响所需的电信号。光电二极管的暗电流会受结区面积、耗尽区宽度、表面态、界面态及半导体材料的缺陷密度等各种因素的影响。

为了消减暗电流，一些技术路线中采用全耗尽型二极管结构，但是，全耗尽结构对于半导体外延材料参数有特殊要求。全耗尽型结构的技术路线需要专门调节或定制半导体外延材料掺杂浓度，对于制造厂来说需要较高的工艺研发成本投入，而且最终的暗电流水平也未必能达到实际的器件指标要求。

一些技术路线中通过钉扎结构来抑制暗电流，并可降低寄生结电容。但是随着图像传感器的发展，一些具有超大感光区的光电二极管中，仅靠钉扎结构已经不能满足超低暗电流的指标要求。尽管可以通过减小耗尽区的宽度来抑制暗电流，但是这将影响器件的光量子效率及响应度性能。

目前面临着难以在保证光量子效率的情况下，降低暗电流的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供光电二极管及其制造方法、电子元件。

本申请提供一种用于制造光电二极管的方法，该方法包括：形成堆叠于第一介质部的光生少子收集区，其中，第一介质部具有第一导电类型，光生少子收集区具有第二导电类型，光生少子收集区具有至少一个网孔区域；以及形成覆盖光生少子收集区的钉扎层，钉扎层具有第一导电类型。

本申请提供的用于制造光电二极管的方法能够形成具有网孔区域的光生少子收集区，能够减小所制造的光电二极管中结区面积，继而能够显著降低暗电流水平，同时避免光量子效率过分降低。该方法能够基于现有工艺执行，能够制造出暗电流与光量子效率两种性能平衡且总体性能好的光电二极管。

在一些实施方式中，该方法还包括：形成堆叠于第一介质部的收集导电区，第一介质部具有第一区域、第二区域及第三区域，第一区域和第三区域被第二区域间隔，光生少子收集区位于第二区域处，收集导电区位于第一区域处，收集导电区与光生少子收集区连接为一体。

如此设置，可以实现对光电二极管中结构的构造布置，便于电流的引出。

在一些实施方式中，该方法还包括：形成接触收集导电区的第一电极，形成在第三区域电连接于第一介质部的第二电极；形成位于第一电极背向第一介质部一侧的第一增透膜；及形成位于第一增透膜背向第一介质部一侧的第一钝化层。

如此设置，可形成正面照射式的光电二极管。

在一些实施方式中，该方法还包括：通过外延工艺形成层叠于衬底的第一介质部；去除衬底；形成位于第一介质部背向光生少子收集区一侧的第二增透膜；及形成位于第二增透膜背向第一介质部一侧的第二钝化层。

如此设置，可形成背面照射式的光电二极管。

本申请实施方式提供一种光电二极管，该光电二极管包括：第一介质部，具有第一导电类型；光生少子收集区，堆叠于第一介质部，光生少子收集区具有第二导电类型，光生少子收集区具有至少一个网孔区域；以及钉扎层，覆盖光生少子收集区，钉扎层具有第一导电类型。

本申请提供的光电二极管中，具有网孔区域的光生少子收集区能够减小结区面积，该光电二极管暗电流水平低、光量子效率高。

在一些实施方式中，光电二极管还包括堆叠于第一介质部的收集导电区；第一介质部具有第一区域、第二区域及第三区域，第一区域和第三区域被第二区域间隔，光生少子收集区位于第二区域处，收集导电区位于第一区域处，收集导电区与光生少子收集区连接为一体。

如此设置，能够从光电二极管的正面引出电流。

在一些实施方式中，光电二极管还包括第一电极、第二电极、第一增透膜及第一钝化层；第一电极接触于收集导电区，第二电极在第三区域电连接于第一介质部；第一增透膜位于第一电极背向第一介质部的一侧，第一钝化层位于第一增透膜背向第一介质部的一侧。

本申请提供的正面照射式的光电二极管性能好，转化效率高，在保障量子效率水平的情况下，较大幅度地或者可控地降低暗电流。

在一些实施方式中，光电二极管还包括第二增透膜和第二钝化层，第二增透膜位于第一介质部背向光生少子收集区的一侧，第二钝化层位于第二增透膜背向第一介质部的一侧。

本申请提供的背面照射式的光电二极管性能好，转化效率高，结构紧凑，在保障量子效率水平的情况下，较大幅度地或者可控地降低暗电流。

在一些实施方式中，至少一个网孔区域的总面积和光生少子收集区的外周轮廓面积的比值在3％至80％的范围内。

如此设置，能够均衡光电二极管的性能，在钉扎耗尽区宽度减小暗电流的基础上，保证量子效率或响应度的微小损失，获得暗电流的进一步降低，从而提升光电二极管的综合性能。

本申请还提供一种电子元件，该电子元件包括：前述的光电二极管；以及电路，电连接于光生少子收集区及电连接于第一介质部。

本申请提供的电子元件通过配置前述的光电二极管，在保障量子效率水平的情况下降低暗电流，电路工作状态好，该电子元件性能好。

附图说明

图1为本申请实施方式提供的用于制造光电二极管的方法的流程框图；

图2为本申请实施例的光电二极管的示意性结构图；

图3为图2中A-A处的示意性剖视图；

图4为本申请实施例的典型光电二极管的性能与网孔参数的关系曲线图；

图5为本申请实施例的光电二极管的示意性结构图；

图6为图5中B-B处的示意性剖视图；

图7为本申请实施方式提供的电子元件的结构框图。

附图标记说明：100、光电二极管；1、衬底；2、介质层；20、耗尽区；21、第一介质部；22、第二介质部；23、第三介质部；24、第四介质部；30、网孔区域；31、光生少子收集区；32、收集导电区；4、钉扎结构；41、钉扎层；42、钉扎覆盖部；43、钉扎凸出部；51、第一接触区；52、第二接触区；6、电极结构；61、第一电极；62、第二电极；7、第一增透膜；8、第一钝化层；9、第二增透膜；10、第二钝化层；

200、电路；300、电子元件；α、第一区域；β、第二区域；γ、第三区域。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。示例性地，第一导电类型也可被称作第二导电类型，第二导电类型也可被称作第一导电类型。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”等应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是柔性连接，也可以是沿至少一个方向的刚性连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或者使直接相连同时存在中间媒介，还可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。术语“安装”、“设置”、“固定”等可以广义理解为连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

本文中所使用的，术语“层”、“区”指代包括具有一定厚度的区域的材料部分。层能够水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。层能够是均匀或不均匀连续结构的区域，其垂直于延伸方向的厚度可不大于连续结构的厚度。层能够包括多个层，可以是堆叠的多个层，也可以是离散地延伸的多个层。附图中各种区域、层的形状及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性地，实际可能因制造公差或技术限制而有所偏差，并可根据实际需求而调整设计。

参阅图1，图1示出了本申请实施方式中的用于制造光电二极管的方法。本申请实施例提供的用于制造光电二极管的方法1000包括步骤S103和步骤S104。参考图2和图5，该方法1000可制造正照式的光电二极管100，也可制造背照式的光电二极管100。以下结合图2至图6详述本申请实施方式提供的用于制造光电二极管的方法1000。

结合图2和图3所示，在一些实施例中，用于制造光电二极管的方法1000包括下述步骤。

在一些实施方式中，该方法1000包括形成介质层2的步骤，具体地，步骤S101，形成第一介质部21；步骤S102，形成堆叠于所述第一介质部21的第二介质部22。

可通过外延工艺形成层叠于衬底1的介质层2，示例性地，可以在一步沉积工艺中形成第一介质部21和第二介质部22。

衬底1的材料包括半导体材料，可包括碳化硅、硅、硅锗、锗、Ⅲ-Ⅴ族化合物如氮化镓和砷化镓中的至少一种。衬底1具有第一导电类型，第一导电类型可以是空穴型导电类型。示例性地，衬底1具有p++型掺杂类型。介质层2的材料可包括半导体材料。介质层2具有第一导电类型，其掺杂浓度低于衬底1的掺杂浓度，例如介质层2具有p-型掺杂类型。

如图2所示，介质层2和衬底1的层叠方向大致平行于Z轴方向。介质层2沿XY面具有第一区域α、第二区域β及第三区域γ，或者说第一介质部21具有第一区域α、第二区域β及第三区域γ。第一区域α和第三区域γ可被第二区域β间隔。图2所示结构可以是光电二极管100的一部分。第二介质部22位于第二区域β；介质层2还包括堆叠于第一介质部21并位于第三区域γ的第三介质部23。第三介质部23可与第二介质部22同步形成。

用于制造光电二极管的方法1000包括形成收集层的步骤。具体地，步骤S103包括：形成光生少子收集区31。在一些实施例中，可形成介质层2，然后通过离子注入工艺形成延伸入介质层2或者说形成堆叠于第一介质部21的光生少子收集区31。本申请实施方式中，每步形成的结构都可作为之后步骤的预制结构，例如在离子注入工艺之前形成的为预制介质层，该离子注入工艺之后才得到图2所示的介质层2。

光生少子收集区31具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型不同，例如第二导电类型为电子型导电类型。示例性地，光生少子收集区31具有n型掺杂类型。

光生少子收集区31具有至少一个网孔区域30。可以在离子注入工艺时利用掩膜获得网孔区域30。光生少子收集区31的本体连接为一体，网孔区域30可在XY面内基本均匀地分布于光生少子收集区31。示例性地，光生少子收集区31和网孔区域30均位于第二区域β。

在另一些实施例中，可在形成第一介质部21后，利用原位掺杂工艺形成预制第二介质层，然后对预制第二介质层进行补偿掺杂，得到基于预制第二介质层的光生少子收集区31和经过该补偿掺杂得到的第二介质部22。示例性地，该步骤还得到基于预制第二介质层的收集导电区32，以及位于第三区域γ内的第一介质区，第一介质区可包括第三介质部23和第四介质部24。

示例性地，形成收集层的步骤还包括：形成收集导电区32。该子步骤可与步骤S103同步。收集导电区32位于第一区域α，其可与光生少子收集区31连为一体。参考图2，收集导电区32、光生少子收集区31、第二介质部22及第三介质部23并列设置且均堆叠于第一介质部21。第二介质部22填充于光生少子收集区31的网孔区域30内。收集层与介质层2能够实现n-on-p型光电半导体结构。

在一些对比例中，采用离散的点状光电子收集区，虽然也能降低暗电流，但是光量子效率会受到显著地影响。

在一些实施方式中，用于制造光电二极管的方法1000包括形成钉扎结构4的步骤。示例性地，形成钉扎结构4的步骤包括步骤S104：形成钉扎层41；还可同步地形成钉扎覆盖部42及钉扎凸出部43。钉扎层41具有第一导电类型。示例性地，钉扎层41具有p++型掺杂类型。钉扎层41使下方光电半导体结构的耗尽区20边界远离表面钝化界面区域，抑制界面态和固定电荷对光电二极管100性能的影响；其次，钉扎层41的重掺杂浓度使下方的光生少子收集区31发生全耗尽，即光电二极管100的耗尽区20宽度被钉扎，从而有效钳制暗电流。

示例性地，步骤S104中，可通过离子注入工艺形成覆盖光生少子收集区31的钉扎层41。继而钉扎结构4延伸入介质层2。介质层2可包括与钉扎结构4并列的位于第三区域γ的第四介质部24。

钉扎层41位于第二区域β，进而收集层与钉扎结构4重合的部分可称为结区。第二区域β的外周轮廓可对应与结区的外周轮廓；第二区域β的内圈轮廓即第一区域α的外周轮廓可对应于结区的内圈轮廓。钉扎覆盖部42位于网孔区域30，并可覆盖第二介质部22，网孔区域30处又可称非结区。钉扎凸出部43凸出于光生少子收集区31而可延伸入第三区域γ。钉扎覆盖部42和钉扎凸出部43有助于避免耗尽区20延伸到介质层2顶面。

示例性地，用于制造光电二极管的方法1000包括形成接触区的步骤。具体地，形成第一接触区51。第一接触区51位于第一区域α，可延伸入收集导电区32。第一接触区51可与钉扎结构4间隔设置，具体地，二者被收集导电区32分隔开。第一接触区51可具有n++型掺杂类型，其掺杂浓度大于收集导电区32的掺杂浓度，导电性能好于收集导电区32的导电性能，第一接触区51能够用于与金属电极形成欧姆接触。形成第二接触区52。第二接触区52位于第三区域γ，可连接于介质层2或延伸入第四介质部24。第二接触区52可直接连接于钉扎结构或与钉扎结构4分隔开。第二接触区52可具有p++型掺杂类型，其掺杂浓度大于介质层2的掺杂浓度，导电性能好于介质层2的导电性能，第二接触区52能够用于与金属电极形成良好的欧姆接触。

示例性地，用于制造光电二极管的方法1000包括形成电极结构6的步骤。可先形成绝缘层(未标示)，绝缘层能够透光；然后执行步骤S105：形成第一电极61，形成第二电极62。示例性地，形成接触收集导电区32的第一电极61；形成在第三区域γ电连接于第一介质部21的第二电极62，第二电极62可接触于介质层2。示例性地，第一电极61欧姆接触于第一接触区51；第二电极62欧姆接触于第二接触区52。第二电极62能够作为阳极，而第一电极61作为阴极。

在第一电极61和第二电极62之间施加反向偏置电压超过钉扎阈值电压时，光生少子收集区31发生全耗尽，实现局部钉扎效果，能钳制暗电流；而网孔区域30处无耗尽区20分布，减小结有效面积，进一步降低暗电流。在无p++重掺杂的钉扎结构4覆盖的区域，如第一区域α处，n型掺杂的收集导电区32未被耗尽，耗尽区20展宽，但这部分区域所占面积很小，不影响光电二极管100的整体暗电流水平。

本申请实施例提供的用于制造光电二极管的方法1000能够制造正照式的光电二极管100。示例性地，形成位于第一电极61背向第一介质部21一侧的第一增透膜7；及形成位于第一增透膜7背向第一介质部21一侧的第一钝化层8。第一增透膜7用于降低特定波长谱段光子的反射率，材料可选用SiO₂、Al₂O₃、HfO₂或Ta₂O₅等。第一钝化层8可为表面的最终钝化层，其可为致密的单层钝化材料层或多层钝化材料，第一钝化层8的材料包括SiO₂，SiON，SiO₂/SiN_x等至少一种。

本申请提供的用于制造光电二极管的方法1000易于实施，其中形成了具有网孔区域30的光生少子收集区31，所制造的光电二极管100能够实现：在显著降低暗电流的同时，最大限度地减小光量子效率的损失。

示例性地，一种对比例，该对比例的光电二极管中设置完整的光电子收集区，没有网孔区域，本申请提供的方法制造的光电二极管相比于对比例暗电流降低40％以上，而光量子效率仅降低5％左右。

在一些实施方式中，配置全部网孔区域30的面积占光生少子收集区31外周轮廓面积的20％至50％。光生少子收集区31外周轮廓面积相当于第二区域β和第一区域α的面积和。示例性地，全部网孔区域30占光生少子收集区31外周轮廓面积的20％时，暗电流降低45％，在可见光波段的光量子效率仅损失5％左右。示例性地，全部网孔区域30占光生少子收集区31外周轮廓面积的40％时，暗电流降低70％以上，在可见光波段的光量子效率仅损失8％左右。

参考图4，图4示出了多个光电二极管的性能与网孔参数的关系，该网孔参数选择网洞占空比。测量了本申请的六个实施例的暗电流数据和响应度数据。第一个实施例的光电二极管中，网孔区域的面积与光生少子收集区外周轮廓面积之比即网洞占空比为5％；第二个实施例的光电二极管中，网洞占空比为10％；第三个实施例的光电二极管中，网洞占空比为20％；第四个实施例的光电二极管中，网洞占空比为40％；第五个实施例的光电二极管中，网洞占空比为60％；第六个实施例的光电二极管中，网洞占空比为80％。本申请提供的光电二极管，通过配置网洞占空比增大，实现了暗电流的大幅下降，而响应度相对保持稳定。响应度与量子效率成正比，为量子效率的外在体现，因此可知量子效率下降的较少。示例性地，本申请提供的光电二极管中，网洞占空比可设置在在3％至80％的范围内。为了保证响应度，可设置在3％至60％的范围内，例如10％、50％。可选地，网洞占空比可设置在在20％至40％的范围内。

示例性地，本申请提供的用于制造光电二极管的方法1000中可形成圆形、多边形、槽型、环形等至少一种截面形状的网孔区域30。

参考图5和图6，本申请提供的用于制造光电二极管的方法1000可用于制造背照式的光电二极管100。

在一些实施方式中，在形成电极结构6后，可执行去除衬底1的步骤。示例性地，可对介质层2进行减薄，例如减薄至第一介质部21为所需厚度，例如保证耗尽区20的完整。

该方法1000还包括：形成位于第一介质部21背向光生少子收集区31一侧的第二增透膜9；及形成位于第二增透膜9背向第一介质部21一侧的第二钝化层10。第二增透膜9的膜系结构可根据背照式的光电二极管100的需求而设计制造；第二钝化层10的特性可参考前述第一钝化层8，不再赘述。

示例性地，在电极结构6背向介质层2一侧仍可设置第一钝化层8。

参考图2和图5，本申请提供光电二极管100。该光电二极管100可通过前述实施方式的步骤制得。光电二极管100可包括第一介质部21、光生少子收集区31及钉扎层41。

第一介质部21具有第一导电类型，光生少子收集区31具有第二导电类型。第一导电类型是空穴型和电子型中的一种，第二导电类型是另一种。光生少子收集区31沿Z轴方向堆叠于第一介质部21，光生少子收集区31具有网孔区域30。示例性地，网孔区域30内可被第二介质部22填充。第二介质部22的导电类型与光生少子收集区31不同。钉扎层41覆盖光生少子收集区31，钉扎层41具有第一导电类型。

本申请提供的光电二极管100具有较低的暗电流，同时具有较高的光量子效率。该光电二极管100能够获得暗电流和量子效率的性能平衡。

示例性地，网孔区域30的数量为至少一个。多个网孔区域30可以阵列设置。全部网孔区域30的总面积和光生少子收集区31的外周轮廓面积的比值在3％至80％的范围内，例如10％、20％、40％或60％。

示例性地，第一介质部21具有第一区域α、第二区域β和第三区域γ，第一区域α和第三区域γ被第二区域β间隔，光生少子收集区31位于第二区域β处。光电二极管100还包括堆叠于第一介质部21的收集导电区32。收集导电区32位于第一区域α处，收集导电区32与光生少子收集区31连接为一体，也实现导电。

光电二极管100还包括第一电极61、第二电极62。第一电极61可在第一区域α，其接触于收集导电区32，实现导电；第二电极62在第三区域γ，其能够间接地电连接于第一介质部21。

在正照式的光电二极管100中，第一增透膜7位于第一电极61背向第一介质部21的一侧，第一增透膜7用于增加光生少子收集区31处光的透射率；第一钝化层8位于第一增透膜7背向第一介质部21的一侧。

在背照式的光电二极管100中，第二增透膜9位于第一介质部21背向光生少子收集区31的一侧，第二增透膜9能够用于增加第二区域β处光的透射率；第二钝化层10位于第二增透膜9背向第一介质部21的一侧。

参考图7，本申请提供一种电子元件300，该电子元件300包括光电二极管100和电路200。

光电二极管100可参考前述实施例。电路200电连接于光生少子收集区31及电连接于第一介质部21。示例性地，电路200电连接于第一电极61和第二电极62。

本申请的电子元件电路性能稳定，光电二极管在保障量子效率水平的情况下降低暗电流。

以上公开的各实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上公开的实施例中，除非另有明确的规定和限定，否则不限制各步骤的执行顺序，例如可以并行执行，也可以不同次序地先后执行。各步骤的子步骤还可以交错地执行。可以使用上述各种形式的流程，还可重新排序、增加或删除步骤，只要能够实现本申请提供的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

以上公开的实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请的专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请要求的专利保护范围。因此，本申请的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.用于制造光电二极管的方法，其特征在于，包括：

形成堆叠于第一介质部(21)的光生少子收集区(31)，其中，所述第一介质部(21)具有第一导电类型，所述光生少子收集区(31)具有第二导电类型，所述光生少子收集区(31)具有至少一个网孔区域(30)；以及

形成覆盖所述光生少子收集区(31)的钉扎层(41)，所述钉扎层(41)具有所述第一导电类型。

2.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：

形成堆叠于第一介质部(21)的收集导电区(32)，所述第一介质部(21)具有第一区域(α)、第二区域(β)及第三区域(γ)，所述第一区域(α)和所述第三区域(γ)被所述第二区域(β)间隔，所述光生少子收集区(31)位于所述第二区域(β)处，所述收集导电区(32)位于所述第一区域(α)处，所述收集导电区(32)与所述光生少子收集区(31)连接为一体。

3.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：

形成接触所述收集导电区(32)的第一电极(61)，形成在所述第三区域(γ)电连接于所述第一介质部(21)的第二电极(62)；

形成位于所述第一电极(61)背向所述第一介质部(21)一侧的第一增透膜(7)；及

形成位于所述第一增透膜(7)背向所述第一介质部(21)一侧的第一钝化层(8)。

4.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：

通过外延工艺形成层叠于衬底(1)的所述第一介质部(21)；

去除所述衬底(1)；

形成位于所述第一介质部(21)背向所述光生少子收集区(31)一侧的第二增透膜(9)；及

形成位于所述第二增透膜(9)背向所述第一介质部(21)一侧的第二钝化层(10)。

5.光电二极管，其特征在于，包括：

第一介质部(21)，具有第一导电类型；

光生少子收集区(31)，堆叠于所述第一介质部(21)，所述光生少子收集区(31)具有第二导电类型，所述光生少子收集区(31)具有至少一个网孔区域(30)；以及

钉扎层(41)，覆盖所述光生少子收集区(31)，所述钉扎层(41)具有所述第一导电类型。

6.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，还包括堆叠于所述第一介质部(21)的收集导电区(32)；

所述第一介质部(21)具有第一区域(α)、第二区域(β)及第三区域(γ)，所述第一区域(α)和所述第三区域(γ)被所述第二区域(β)间隔，所述光生少子收集区(31)位于所述第二区域(β)处，所述收集导电区(32)位于所述第一区域(α)处，所述收集导电区(32)与所述光生少子收集区(31)连接为一体。

7.根据权利要求6所述的光电二极管，其中，还包括第一电极(61)、第二电极(62)、第一增透膜(7)及第一钝化层(8)；

所述第一电极(61)接触于所述收集导电区(32)，所述第二电极(62)在所述第三区域(γ)电连接于所述第一介质部(21)；

所述第一增透膜(7)位于所述第一电极(61)背向所述第一介质部(21)的一侧，所述第一钝化层(8)位于所述第一增透膜(7)背向所述第一介质部(21)的一侧。

8.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，还包括第二增透膜(9)和第二钝化层(10)，所述第二增透膜(9)位于所述第一介质部(21)背向光生少子收集区(31)的一侧，所述第二钝化层(10)位于所述第二增透膜(9)背向所述第一介质部(21)的一侧。

9.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，所述网孔区域(30)的数量为至少一个，全部所述网孔区域(30)的总面积和所述光生少子收集区(31)的外周轮廓面积的比值在3％至80％的范围内。

10.电子元件，其特征在于，包括：

如权利要求5至9中任一项所述的光电二极管(100)；以及

电路(200)，电连接于所述光生少子收集区(31)及电连接于所述第一介质部(21)。