CN117727808A - 太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件 - Google Patents

太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件 Download PDF

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CN117727808A CN202410172066.2A CN202410172066A CN117727808A CN 117727808 A CN117727808 A CN 117727808A CN 202410172066 A CN202410172066 A CN 202410172066A CN 117727808 A CN117727808 A CN 117727808A
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廖光明
王钰林
张涵
王浩
李文
金井升
张彼克
张昕宇
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Abstract

本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件,太阳能电池,包括:基底,基底具有第一表面,第一表面包括沿第一方向交替设置的电极区和非电极区;掺杂导电层,位于每一电极区上,且还位于至少一个非电极区的部分区域上;介质层,位于第一表面和掺杂导电层之间;其中,与掺杂导电层正对的第一表面具有第一表面结构,剩余第一表面具有第二表面结构,第一表面结构包括多个平台结构,第二表面结构包括多个第一金字塔结构。本公开实施例至少有利于提高第一表面对光线的吸收率,以及提高太阳能电池的双面率。

Description

太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件
技术领域
本公开实施例涉及光伏领域,特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件。
背景技术
目前的太阳能电池主要包括IBC电池(交叉背电极接触电池,InterdigitatedBack Contact)、TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)电池、PERC电池(钝化发射极和背面电池,Passivated emitter and real cell)以及异质结电池等。
然而,当前的太阳能电池受限于能够吸收利用的光线的波长范围,光电转换效率有限,而且,太阳能电池的正面和背面的光电转换效率的差异也会影响太阳能电池整体的发电形貌。为了进一步提高太阳能电池的光电转换效率,对太阳能电池对光线的吸收率提出更高的要求,以及对太阳能电池的正面和背面的光电转换效率也提出了更高的要求。
发明内容
本公开实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件,至少有利于提高第一表面对光线的吸收率,以及提高太阳能电池的双面率。
根据本公开一些实施例,本公开实施例一方面提供一种太阳能电池,包括:基底,所述基底具有第一表面,所述第一表面包括沿第一方向交替设置的电极区和非电极区;掺杂导电层,位于每一所述电极区上,且还位于至少一个所述非电极区的部分区域上;介质层,位于所述第一表面和所述掺杂导电层之间;其中,与所述掺杂导电层正对的所述第一表面具有第一表面结构,剩余所述第一表面具有第二表面结构,所述第一表面结构包括多个平台结构,所述第二表面结构包括多个第一金字塔结构。
在一些实施例中,多个所述非电极区中仅部分数量的所述非电极区上设置有所述掺杂导电层。
在一些实施例中,所述掺杂导电层包括:沿所述第一方向间隔排布的多个第一导电部,所述第一导电部与所述电极区一一对应,且所述第一导电部位于相对应的所述电极区上,所述第一导电部沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向相交;至少一个第二导电部,一所述第二导电部位于一所述非电极区上,且位于与设置有所述第二导电部的所述非电极区相邻的两个所述电极区上的所述第一导电部中,任一者均和所述第二导电部接触连接。
在一些实施例中,所述第二导电部与所述非电极区一一对应。
在一些实施例中,所述第二导电部包括:沿所述第二方向间隔排布的多个第一条状结构,所述第一条状结构沿所述第一方向延伸且与相邻的所述第一导电部接触连接。
在一些实施例中,所述第二导电部还包括:至少一个第二条状结构,所述第二条状结构沿所述第二方向延伸。
在一些实施例中,所述第二导电部包括沿所述第一方向间隔排布的多个所述第二条状结构,且多个所述第二条状结构与多个所述第一条状结构相交叉以构成网格状结构。
在一些实施例中,沿所述第二方向上,所述第一条状结构具有第一宽度;沿所述第一方向上,所述第二条状结构具有第二宽度;沿所述第一方向上,所述第一导电部具有第三宽度;其中,所述第三宽度大于所述第一宽度,所述第三宽度大于所述第二宽度。
在一些实施例中,所述网格状结构具有由所述第一条状结构以及所述第二条状结构限定的多个网孔,所述网孔在所述第一方向上的第一尺寸小于或等于100um,所述网孔在所述第二方向上的第二尺寸为5um~200um。
在一些实施例中,所述介质层指向所述掺杂导电层的方向为第三方向,以垂直于所述第三方向的平面为投影面,位于所述非电极区的部分区域上的所述掺杂导电层在所述投影面上的正投影面积为第一面积,所述第一表面在所述投影面上的正投影面积为第二面积,所述第一面积与所述第二面积的比值为5%~30%。
在一些实施例中,所述基底还具有与所述第一表面相对设置的第二表面,所述第二表面具有第三表面结构,所述第三表面结构包括多个第二金字塔结构。
在一些实施例中,所述介质层指向所述掺杂导电层的方向为第三方向,以垂直于所述第三方向的平面为投影面,所述掺杂导电层在所述投影面上的正投影位于所述介质层在所述投影面上的正投影中。
根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种叠层电池,包括:底电池,所述底电池为如上述任一项所述的太阳能电池;顶电池,所述顶电池位于所述底电池中的所述掺杂导电层远离所述基底的一侧。
根据本公开一些实施例,本公开实施例又一方面还提供一种太阳能电池的制备方法,包括:提供初始基底,所述初始基底具有初始第一表面,所述初始第一表面包括沿第一方向交替设置的初始电极区和初始非电极区;形成覆盖所述初始第一表面的初始介质层;形成覆盖所述初始介质层远离所述初始基底的一侧表面的初始掺杂导电层;采用激光工艺对位于所述初始非电极区的部分区域上的所述初始掺杂导电层进行处理;采用刻蚀工艺去除被所述激光工艺处理过的所述初始掺杂导电层和所述初始介质层,并对露出的所述初始第一表面进行第一制绒处理,以形成具有第一表面的基底,剩余位于所述电极区和所述非电极区上的所述初始介质层为介质层,剩余位于所述电极区和所述非电极区上的所述初始掺杂导电层为掺杂导电层;其中,经过所述第一制绒处理后的所述初始电极区和所述初始非电极区分别为电极区和非电极区,与所述掺杂导电层正对的所述第一表面具有第一表面结构,剩余所述第一表面具有第二表面结构,所述第一表面结构包括多个平台结构,所述第二表面结构包括多个第一金字塔结构。
在一些实施例中,所述初始基底还具有与所述初始第一表面相对设置的初始第二表面;在形成所述初始介质层之前,所述制备方法还包括:对所述初始第二表面进行第二制绒处理,使所述初始第二表面转变为第二表面,所述第二表面具有第三表面结构,所述第三表面结构包括多个第二金字塔结构,其中,所述第一金字塔结构底部的一维尺寸小于所述第二金字塔结构底部的一维尺寸。
在一些实施例中,在对所述初始第二表面进行所述第二制绒处理的步骤中,还对所述初始第一表面进行所述第二制绒处理,使所述初始第一表面具有初始第一表面结构,所述初始第一表面结构包括第三金字塔结构。
在一些实施例中,在形成所述第三金字塔结构之后,在形成所述初始介质层之前,所述制备方法还包括:对所述初始第一表面进行抛光处理,使所述第三金字塔结构转变为所述平台结构。
在一些实施例中,在位于所述初始非电极区上的所述初始掺杂导电层上划分多个激光作用区,多个所述激光作用区沿第二方向上间隔排布,或者,多个所述激光作用区沿所述第一方向和所述第二方向上均间隔排布,所述第一方向和所述第二方向相交;采用所述激光工艺对位于所述初始非电极区的部分区域上的所述初始掺杂导电层进行处理的步骤包括:采用所述激光工艺对位于所述激光作用区的所述初始掺杂导电层进行处理。
在一些实施例中,所述激光工艺中采用的激光为皮秒激光,所述激光的波长为300nm~1000nm。
根据本公开一些实施例,本公开实施例再一方面还提供一种光伏组件,包括:电池串,由多个如上述任一项所述的太阳能电池连接而成,或者由多个如上述任一项所述的叠层电池连接而成,或者由多个如上述任一项所述的制备方法形成的太阳能电池连接而成;封装胶膜,用于覆盖所述电池串的表面;盖板,用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:
一方面,除了在电极区上设计有逐次堆叠的介质层和掺杂导电层,以构成电极区处的第一钝化接触结构之外,在至少一个非电极区的部分区域上也设计有逐次堆叠的介质层和掺杂导电层,该部分介质层和掺杂导电层用于构成非电极区处的第二钝化接触结构,非电极区不仅有利于通过第二钝化接触结构降低非电极区处载流子复合的概率,还有利于对非电极区处载流子进行传输收集,并提供至电极区,以进一步提升第一表面整体的载流子收集效率,即进一步降低第一表面整体的载流子损失。而且,至少一个非电极区的部分区域上没有被介质层和掺杂导电层遮挡,使得部分光线无需透过介质层和掺杂导电层即可照射至部分非电极区上,从而有利于提高部分非电极区对光线的吸收率,以进一步提高第一表面的光电转换效率。
另一方面,与掺杂导电层正对的第一表面包括电极区以及部分非电极区,该部分非电极区上设置有掺杂导电层,与掺杂导电层正对的第一表面具有包括多个平台结构的第一表面结构,换言之,该部分第一表面为抛光结构,相较于完整的金字塔结构而言,则该部分第一表面的表面形貌较为平坦,有利于提高形成的介质层和掺杂导电层的均匀性,使得在电极区上形成的介质层和掺杂导电层也具有较为平坦的形貌,从而有利于提高介质层和掺杂导电层对第一表面的钝化效果,进一步降低第一表面的缺陷态密度。
与之不同的是,剩余第一表面,即未与掺杂导电层正对的第一表面具有包括多个第一金字塔结构的第二表面结构,使得以不同角度入射至剩余第一表面的光线经由第一金字塔结构被剩余第一表面吸收的概率增加,从而有利于进一步提高剩余第一表面对光线的吸收率。
因此,通过在电极区和部分非电极区上均设置介质层和掺杂导电层,以及设计与掺杂导电层正对的第一表面具有平台结构,且未与掺杂导电层正对的第一表面具有第一金字塔结构,不仅有利于提高介质层和掺杂导电层对第一表面的钝化效果,降低第一表面上载流子复合的概率,还有利于提高第一表面对光线的吸收率,两方面共同作用,从而有利于提高第一表面的光电转换效率,从而有利于提高太阳能电池的双面率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制;为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例提供的太阳能电池的一种局部剖面结构示意图;
图2为图1中方框I处的放大剖面结构示意图;
图3为本公开一实施例提供的太阳能电池的第一种局部俯视结构示意图;
图4为本公开一实施例提供的太阳能电池的第二种局部俯视结构示意图;
图5为本公开一实施例提供的太阳能电池的第三种局部俯视结构示意图;
图6为本公开一实施例提供的太阳能电池的第四种局部俯视结构示意图;
图7为图1中方框II处的放大剖面结构示意图;
图8为本公开一实施例提供的太阳能电池中第一金字塔结构底部的一种俯视结构示意图;
图9为本公开一实施例提供的太阳能电池中第一金字塔结构底部的另一种俯视结构示意图;
图10为本公开一实施例提供的太阳能电池的另一种局部剖面结构示意图;
图11为本公开另一实施例提供的叠层电池的局部剖面结构示意图;
图12为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中初始基底的一种局部剖面结构示意图;
图13为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中进行第二制绒处理后的初始基底的局部放大剖面结构示意图;
图14为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中进行抛光处理后的初始基底的局部放大剖面结构示意图;
图15为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中在初始基底上形成有初始介质层和初始掺杂导电层的一种局部剖面结构示意图;
图16为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中对形成的初始掺杂导电层进行激光工艺处理后的结构的一种局部剖面结构示意图;
图17为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中对形成的初始掺杂导电层进行激光工艺处理后的结构的一种局部俯视结构示意图;
图18为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中对形成的初始掺杂导电层进行激光工艺处理后的结构的另一种局部俯视结构示意图;
图19为本公开再一实施例提供的光伏组件的一种局部立体结构示意图;
图20为图19沿截面方向MM1的一种剖面结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知,太阳能电池对光线的吸收率有待提高,太阳能电池的正面或背面的光电转换效率也有待提高。
经分析发现,大部分TOPCon电池的背面为整面抛光结构,位于电池的基底背面的氧化硅层的厚度为1nm~2nm,氧化硅层的主要作用是作为多数载流子的隧穿层,同时对基底背面进行化学钝化,减少基底背面的界面态缺陷。位于电池的基底背面的掺杂多晶硅层的主要作用是作为场钝化层,在基底背面形成能带弯曲,实现基底背面处载流子的选择性传输,减少载流子的复合损失。
一般而言,采用材料性质均匀的掺杂多晶硅层覆盖在整个电池的背面,以实现对电池背面良好的钝化效果和良好的载流子传输收集能力;但是掺杂多晶硅层对300nm-1200nm波段的光线的吸收率比较强,容易吸收大部分的入射光线,会大幅降低入射至被掺杂多晶硅层遮挡的电池背面的光线,从而降低电池背面对入射光线的吸收率,从而对电池的光生电流以及双面率均存在较大负面影响。
本公开实施提供一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池和光伏组件,太阳能电池中,一方面,除了在电极区上设计有逐次堆叠的介质层和掺杂导电层之外,在至少一个非电极区的部分区域上也设计有逐次堆叠的介质层和掺杂导电层,该部分介质层和掺杂导电层不仅有利于降低非电极区处载流子复合的概率,还有利于对非电极区处载流子进行传输收集,并提供至电极区,以进一步提升第一表面整体的载流子收集效率,即进一步降低第一表面整体的载流子损失。而且,至少一个非电极区的部分区域上没有被介质层和掺杂导电层遮挡,从而有利于提高部分非电极区对光线的吸收率,以进一步提高第一表面的光电转换效率。另一方面,与掺杂导电层正对的第一表面具有包括多个平台结构的第一表面结构,换言之,该部分第一表面为抛光结构,则该部分第一表面的表面形貌较为平坦,有利于提高形成的介质层和掺杂导电层的均匀性,从而有利于提高介质层和掺杂导电层对第一表面的钝化效果,进一步降低第一表面的缺陷态密度。与之不同的是,剩余第一表面具有包括多个第一金字塔结构的第二表面结构,使得以不同角度入射至剩余第一表面的光线经由第一金字塔结构被剩余第一表面吸收的概率增加,从而有利于进一步提高剩余第一表面对光线的吸收率。因此,本公开一实施例设计的太阳能电池中,不仅有利于提高介质层和掺杂导电层对第一表面的钝化效果,降低第一表面上载流子复合的概率,还有利于提高第一表面对光线的吸收率,两方面共同作用,以提高第一表面的光电转换效率,从而有利于提高太阳能电池的双面效率。
下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本公开各实施例中,为了使读者更好地理解本公开实施例而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本公开实施例所要求保护的技术方案。
本公开一实施例提供一种太阳能电池,以下将结合附图对本公开一实施例提供的太阳能电池进行详细说明。
参考图1至图3,太阳能电池包括:基底100,基底100具有第一表面100a,第一表面100a包括沿第一方向X交替设置的电极区101和非电极区102;掺杂导电层103,位于每一电极区101上,且还位于至少一个非电极区102的部分区域上;介质层104,位于第一表面100a和掺杂导电层103之间;其中,与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有第一表面结构110,剩余第一表面100a具有第二表面结构120,第一表面结构110包括多个平台结构130,第二表面结构120包括多个第一金字塔结构140。
其中,图1为本公开一实施例提供的太阳能电池的一种局部剖面结构示意图;图2为图1中方框I处的放大剖面结构示意图;图3为本公开一实施例提供的太阳能电池的第一种局部俯视结构示意图。需要说明的是,图1可以视为图3沿垂直于第二方向Y的平面的一种截面结构示意图。
值得注意的是,电极区101的数量和非电极区102的数量均为可以多个,电极区101和非电极区102沿第一方向X交替设置,换言之,电极区101可以位于相邻的非电极区102的间隔中,非电极区102也可以位于相邻的电极区101的间隔中。
需要说明的是,本公开一实施例对电极区101的数量和非电极区102的数量均不做限制,图1中仅示意出2个电极区101和3个非电极区102。此外,与掺杂导电层103正对的第一表面100a指的是,与掺杂导电层103在第一表面100a上的正投影重合的第一表面100a。
在一些情形下,参考图4,图4为本公开一实施例提供的太阳能电池的第二种局部俯视结构示意图,并非所有的非电极区102上均具有掺杂导电层103,可以是仅部分数量的非电极区102上具有掺杂导电层103,且具有掺杂导电层103的非电极区102中仅部分区域与掺杂导电层103正对,剩余部分区域不会被掺杂导电层103遮盖,后续会对其进行详细说明;在另一些情形下,参考图1或图3,每一非电极区102的部分区域上均具有掺杂导电层103。
值得注意的是,无论是上述何种情形,一方面,除了在电极区101上设计有逐次堆叠的介质层104和掺杂导电层103,以构成电极区101处的第一钝化接触结构之外,在至少一个非电极区102的部分区域上也设计有逐次堆叠的介质层104和掺杂导电层103,该部分介质层104和掺杂导电层103用于构成非电极区102处的第二钝化接触结构。基于此,非电极区102不仅有利于通过第二钝化接触结构降低非电极区102处载流子复合的概率,还有利于对非电极区102处载流子进行传输收集,以提供至电极区101,以进一步提升第一表面100a整体的载流子收集效率,即进一步降低第一表面100a整体的载流子损失;而且,至少一个非电极区102的部分区域上没有被介质层104和掺杂导电层103遮挡,使得部分光线无需透过掺杂导电层103和介质层104即可照射至部分非电极区102上,从而有利于提高部分非电极区102对光线的吸收率,以进一步提高第一表面100a的光电转换效率。
需要说明的是,无论是主要位于电极区101上的第一钝化接触结构,还是位于非电极区102上的第二钝化接触结构,均可以降低载流子在第一表面100a的复合,只是主要对不同区域的第一表面100a进行钝化作用,从而有利于增大太阳能电池的开路电压,以提升太阳能电池的光电转换效率。
另一方面,与掺杂导电层103正对的第一表面100a包括电极区101以及表面设置有掺杂导电层103的非电极区102,该部分表面具有包括多个平台结构130的第一表面结构110,换言之,该部分表面为抛光结构,相较于完整的金字塔结构而言,则该部分表面的表面形貌较为平坦,有利于提高基于该部分表面形成的介质层104和掺杂导电层103的均匀性,使得在电极区101上形成的介质层104和掺杂导电层103也具有较为平坦的形貌,从而有利于提高介质层104和掺杂导电层103对第一表面100a的钝化效果,进一步降低第一表面100a的缺陷态密度。需要说明的是,平台结构130可以视为金字塔结构的塔基部分,即至少去除金字塔结构的塔尖后剩余的结构。
与之不同的是,剩余第一表面100a,即未与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有包括多个第一金字塔结构140的第二表面结构120,使得以不同角度入射至剩余第一表面100a的光线经由第一金字塔结构140反射被剩余第一表面100a吸收的概率增加,从而有利于进一步提高剩余第一表面100a对光线较高的吸收率。
在一些情形下,与掺杂导电层103正对的第一表面100a为第一部分,第一部分包括电极区101以及与表面设置有掺杂导电层103的非电极区102;未与掺杂导电层103正对的第一表面100a为第二部分,第二部分具有包括多个第一金字塔结构140的第二表面结构120。通过在第一部分,即电极区和部分非电极区上均设置介质层104和掺杂导电层103,以及设计第一部分为具有平台结构130的表面形貌,且第二部分为具有第一金字塔结构140的表面形貌,不仅有利于提高介质层104和掺杂导电层103对第一表面100a整体的钝化效果,降低整个第一表面100a上载流子复合的概率,还有利于提高第一表面100a整体对光线的吸收率,两方面共同作用,以有利于提高第一表面100a整体的光电转换效率,从而有利于提高太阳能电池的双面率。
在一些实施例中,电极区101指的是:沿基底100的厚度方向上,即第三方向Z上,基底100内与电极所正对的区域,或者可以理解为电极在基底100上的正投影所在的区域。此外,非电极区102指的是:基底100内不与电极正对的区域,或者可以理解为除电极之外的区域在基底100上的正投影所在的区域。实际应用中,电极区101在基底100上的正投影面积可以大于或等于电极在基底100上的正投影面积,有利于保证电极与基底100所接触的区域均为电极区101。值得注意的是,上述描述的电极均为后文描述的与基底100的第一表面100a正对的电极,在后续部分实施例中,与基底100的第一表面100a正对的电极为第一电极。
以下将结合附图对本公开一实施例进行更为详细的说明。
在一些实施例中,参考图1,基底100还具有与第一表面100a相对设置的第二表面100b。在一些情形下,第一表面100a可以为太阳能电池的背面,第二表面100b可以为太阳能电池的正面。
在一些实施例中,太阳能电池可以为TOPCon电池。由于不仅在电极区101上且在部分非电极区102上均设置有介质层104和掺杂导电层103,而且,与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有包括多个平台结构130的第一表面结构110,未与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有包括多个第一金字塔结构140的第二表面结构120,可以使得太阳能电池的短路电流提升约124mA,太阳能电池的光电转换效率提升约0.05%,太阳能电池的双面率提升约7.7%。
在一些实施例中,结合参考图1和图3,介质层104指向掺杂导电层103的方向为第三方向Z,以垂直于第三方向Z的平面为投影面,掺杂导电层103在投影面上的正投影位于介质层104在投影面上的正投影中。如此,无论是设置有掺杂导电层103的电极区101还是设置有掺杂导电层103部分非电极区102,电极区101和该部分非电极区102和掺杂导电层103之间均设置有介质层104,以保证任意具有掺杂导电层103的区域上均设计有与该掺杂导电层103对应的介质层104,以形成钝化接触结构。换言之,无论是电极区101还是非电极区102,对于其上设置有掺杂导电层103的第一表面100a而言,该部分第一表面100a和掺杂导电层103之间均设置有介质层104。
值得注意的是,基底100的厚度方向即为介质层104指向掺杂导电层103的方向。
在一些实施例中,参考图4,多个非电极区102中仅部分数量的非电极区102上设置有掺杂导电层103。
需要说明的是,图4中仅示意出2个非电极区102上设置有掺杂导电层103,1个非电极区102上没有设置掺杂导电层103,本公开一实施例对设置有掺杂导电层103的非电极区102的数量和没有设置掺杂导电层103的非电极区102的数量均不做限制,实际应用中,可根据具体需求灵活调整。此外,图4中仅为设置有掺杂导电层103的非电极区102和没有设置掺杂导电层103的非电极区102的排布方式的一种示例,本公开一实施例对设置有掺杂导电层103的非电极区102和没有设置掺杂导电层103的非电极区102之间的排布方式不做限制,实际应用中,也可根据具体需求灵活调整。
在一些实施例中,参考图1、图3或图4,掺杂导电层103可以包括:沿第一方向X间隔排布的多个第一导电部113,第一导电部113与电极区101一一对应,且第一导电部113位于相对应的电极区101上,第一导电部113沿第二方向Y延伸,第一方向X与第二方向Y相交;至少一个第二导电部123,一第二导电部123位于一非电极区102上,且位于与设置有第二导电部123的非电极区102相邻的两个电极区101上的第一导电部113中,任一者均和第二导电部123接触连接。
需要说明的是,位于一个非电极区102上的掺杂导电层103,无论是相互接触连接还是相互间隔均讲其整体视为一个第二导电部123,后续会对位于一个非电极区102上的一个第二导电部123的具体构造进行详细描述。
换言之,对于沿第一方向X上相邻的2个第一导电部113而言,2个第一导电部113的间隔中可以设置一第二导电部123,且一第二导电部123和与其相邻的2个第一导电部113均接触连接,如此有利于使得非电极区102处的光生载流子可以先经由第二导电部123的收集,再经由与第一导电部113接触连接的第二导电部123传输至第一导电部113,进一步可以经由第一导电部113传输至电极上,从而有利于借助第二导电部123提高电极对第一表面100a处的光生载流子的收集效率。
值得注意的是,在一些情形下,参考图4,并非每个非电极区102上均设置有一个第二导电部123,则并非任一相邻的2个第一导电部113的间隔中均设置一第二导电部123,实际应用中,可根据具体需求,灵活选择需要设置第二导电部123的非电极区102,以及设置在非电极区102上的第二导电部123的数量。
在一些实施例中,参考图4,一第二导电部123位于一非电极区102上,但并非任一非电极区102上均设置有第二导电部123。
在另一些实施例中,参考图3,第二导电部123与非电极区102一一对应,换言之,每一非电极区102上均设置有一个第二导电部123,如此,不仅使得每一非电极区102上均具有可以对其进行钝化处理的介质层104和第二导电部123,以降低每一非电极区102上载流子复合的概率,还有利于使得每一非电极区102上的光生载流子均可以被与之对应的第二导电部123收集,进一步被传输至最近的第一导电部113中。
在一些实施例中,参考图3至图5,图5为本公开一实施例提供的太阳能电池的第三种局部俯视结构示意图,第二导电部123可以包括:沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133,第一条状结构133沿第一方向X延伸且与相邻的第一导电部113接触连接。
如此,第一条状结构133在第一方向X上的两端分别与相邻的2个第一导电部113接触连接,可以使得非电极区102的部分区域处的光生载流子可以直接借助第一条状结构133,以沿第一方向X上传输至第一导电部113中,从而有利于最终提高电极对第一表面100a处的光生载流子的收集效率。
在一些情形下,参考图4或图5,第二导电部123可以仅包括:沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133,第一条状结构133沿第一方向X延伸且与相邻的第一导电部113接触连接。在一些情况下,参考图4,可以仅部分数量的非电极区102上具有第一条状结构133,即仅部分数量的非电极区102上具有掺杂导电层103;在另一些情况下,参考图5,每一非电极区102上均具有第一条状结构133,即第二导电部123与非电极区102一一对应。
值得注意的是,参考图4或图5,第二导电部123仅包括沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133,则第一条状结构133即为第二导电部123。
需要说明的是,图4和图5中仅是示意出位于某一非电极区102上的第二导电部123包括4个第一条状结构133,本公开一实施例中对任一第二导电部123包括的第一条状结构133的个数不做限制,例如,第二导电部123包括的第一条状结构133的个数可以为1、2、3或5等。此外,图4和图5中仅以位于不同非电极区102上的不同第二导电部123包括的第一条状结构133的个数相同为示例,实际应用中,位于不同非电极区102上的不同第二导电部123包括的第一条状结构133的个数也可以不同,可根据具体需求调整。
在一些例子中,在第二导电部123仅包括沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133的基础上,相邻第一条状结构133之间在第二方向Y上的间距可以为5um~200um。
值得注意的是,相邻第一条状结构133之间的间距大小会影响多个第一条状结构133排布的疏密程度,实际应用中,可根据对第一条状结构133排布的疏密程度的需求,灵活调整相邻第一条状结构133之间的间距。此外,不同的相邻的2个第一条状结构133的间距可以相同也可以不同,例如,沿第二方向Y相邻的3个第一条状结构133在第二方向Y上具有两个间距,两个间距的大小可以相同也可以不同。
在另一些情形下,参考图3或图6,图6为本公开一实施例提供的太阳能电池的第四种局部俯视结构示意图,在第二导电部123包括沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133的基础上,第二导电部123还可以包括:至少一个第二条状结构143,第二条状结构143沿第二方向Y延伸。
值得注意的是,参考图3或图6,位于同一非电极区102上的多个第一条状结构133和至少一个第二条状结构143共同构成一个第二导电部123。
在一些例子中,参考图6,在第二导电部123包括沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133的基础上,第二导电部123可以仅包括一个第二条状结构143,第二条状结构143沿第二方向Y延伸。
如此,在第一条状结构133在第一方向X上的两端分别与相邻的2个第一导电部113接触连接的基础上,第二条状结构143沿第二方向Y上也就可以收集非电极区102处的光生载流子,一方面,可以使得非电极区102的部分区域处的光生载流子可以直接借助第一条状结构133,以沿第一方向X上传输至第一导电部113中,另一方面,第一条状结构133可以收集第二条状结构143中的载流子,进一步沿第一方向X上传输至第一导电部113中,从而有利于最终提高电极对第一表面100a处的光生载流子的收集效率。
在另一些例子中,参考图3,在第二导电部123包括沿第二方向Y间隔排布的多个第一条状结构133的基础上,第二导电部123可以包括沿第一方向X间隔排布的多个第二条状结构143,且多个第二条状结构143与多个第一条状结构133相交叉以构成网格状结构153。需要说明的是,沿第一方向X间隔排布的多个第二条状结构143的数量大于等于2。
值得注意的是,沿第二方向Y上,多个第一条状结构133可以分别对非电极区102的不同区域处的光生载流子进行收集,在此基础上,设计与多个第一条状结构133相交叉的多个第二条状结构143,以构成网格状结构153,可以为非电极区102处的光生载流子提供多条传输至第一导电部113中的传输路径,且多个第二条状结构143也可以分别对非电极区102的不同区域处的光生载流子进行收集,从而有利于借助网格状结构153进一步提高对整个非电极区102处的光生载流子的收集效率,以进一步提高掺杂导电层103对第一表面100a处的光生载流子的收集效率,从而有利于最终提高电极对第一表面100a处的光生载流子的收集效率。
需要说明的是,图3中仅是示意出位于某一非电极区102上的第二导电部123包括2个第二条状结构143,本公开一实施例中对任一第二导电部123包括的第二条状结构143的个数不做限制,例如,第二导电部123包括的第二条状结构143的个数可以为3、4或5等。此外,位于不同非电极区102上的不同第二导电部123包括的第二条状结构143的个数可以相同也可以不同,可根据具体需求调整。
参考图3或图6,在具有第一导电部113、第一条状结构133和第二条状结构143的实施例中,沿第二方向Y上,第一条状结构133具有第一宽度W1;沿第一方向X上,第二条状结构143具有第二宽度W2;沿第一方向X上,第一导电部113具有第三宽度W3;其中,第三宽度W3大于第一宽度W1,第三宽度W3大于第二宽度W2。
值得注意的是,第一条状结构133和第二条状结构143均主要用于对非电极区102的不同区域处的光生载流子进行收集,且第一条状结构133和第二条状结构143不能覆盖过多的非电极区102,以避免过多的非电极区102被遮挡而不能吸收较多的光线,因此不宜设计第一条状结构133的第一宽度W1和第二条状结构143的第二宽度W2过大。与之不同的是,第一导电部113不仅需要对第一条状结构133和第二条状结构143中收集的光生载流子进行进一步的收集,且需要与电极接触,以最终将光生载流子传输至电极上,因此,需要设计第一导电部113具有较强的光生载流子收集能力,且需要设计第一导电部113与电极具有较小的接触电阻。
基于此,设计第三宽度W3大于第一宽度W1,且第三宽度W3大于第二宽度W2,可以使得第一导电部113的体积大于第一条状结构133的体积,且第一导电部113的体积大于第二条状结构143的体积,一方面,有利于在使得第一条状结构133和第二条状结构143对非电极区102的不同区域处的光生载流子进行收集的同时,保证非电极区102能接收更多的入射光线,以保证非电极区102对光线具有较高的吸收率;另一方面,有利于提高第一导电部113对第一条状结构133和第二条状结构143中的光生载流子具有良好的收集效率,以及有利于提高第一导电部113与电极之间的接触面积,从而有利于降低第一导电部113与电极的接触电阻。如此,两方面配合有利于提高第一表面100a对光线的吸收率,以及提高掺杂导电层103和介质层104构成的钝化接触结构对第一表面100a的钝化效果,以提高电极对第一表面100a处光生载流子的收集效率,从而有利于提高第一表面100a整体的光电转换效率,从而有利于提高太阳能电池的双面率。
需要说明的是,图3至图6中仅以不同的第一条状结构133的第一宽度W1相同为示例,实际应用中,不同的第一条状结构133的第一宽度W1也可以不同,可根据具体需求调整;图3或图6中仅以不同的第二条状结构143的第二宽度W2相同为示例,实际应用中,不同的第二条状结构143的第二宽度W2也可以不同,可根据具体需求调整;图1至图6中仅以不同的第一导电部113的第三宽度W3相同为示例,实际应用中,不同的第一导电部113的第三宽度W3也可以不同,可根据具体需求调整。
参考图3至图6,在具有第一条状结构133的实施例中,沿第二方向Y上,第一条状结构133具有第一宽度W1,且第一宽度W1可以为5um~100um,例如,10um、15um、20um、25um、30um、35um、40um、45um、50um、55um、60um、65um、70um、75um、80um、85um、90um、95um、100um或105um等。
若第一宽度W1小于5um,不利于第一条状结构133对非电极区102处的光生载流子进行高效的收集;若第一宽度W1大于100um,第一条状结构133覆盖的非电极区102过多,不利于入射光线照射至非电极区102上,因而不利于非电极区102对光线的吸收。基于此,设计第一宽度W1为5um~100um,有利于在保证第一条状结构133对非电极区102处的光生载流子具有较高的收集效率的同时,使得大部分非电极区102不被第一条状结构133遮盖,以保证非电极区102对光线较高的吸收率。
参考图3或图6,在具有第二条状结构143的实施例中,沿第一方向X上,第二条状结构143具有第二宽度W2,且第二宽度W2可以为5um~100um,例如,10um、15um、20um、25um、30um、35um、40um、45um、50um、55um、60um、65um、70um、75um、80um、85um、90um、95um、100um或105um等。
需要说明的是,设计第二宽度W2为5um~100um所达到的技术效果与设计第一宽度W1为5um~100um所达到的技术效果类似,在此不做赘述。
参考图1至图6,在具有第一导电部113的实施例中,沿第一方向X上,第一导电部113具有第三宽度W3,且第三宽度W3可以为50um~500um,例如,60um、80um、100um、150um、200um、250um、300um、350um、400um或450um等。
若第三宽度W3小于50um,则第一导电部113和电极的接触面积会较小,两者之间的接触电阻会较大,光生载流子从第一导电部113传输至电极中时产生的损失较多,且不利于第一导电部113对第二导电部123中的光生载流子进行收集;若第三宽度W3大于500um,第一导电部113覆盖的第一表面100a过多,换言之电极区101在第一表面100a中的占比过大,不利于入射光线照射至第一表面100a上,因而不利于第一表面100a对光线的吸收。基于此,设计第三宽度W3为50um~500um,有利于在保证第一导电部113对第二导电部123中的光生载流子具有较高的收集效率的同时,提高第一导电部113与电极之间的接触面积,以降低第一导电部113与电极的接触电阻,且使得非电极区102在第一表面100a中的占比较大,以保证第一表面100a整体对光线较高的吸收率。
在一些实施例中,参考图3,网格状结构153具有由第一条状结构133以及第二条状结构143限定的多个网孔163,网孔163在第一方向X上的第一尺寸D1小于或等于100um,网孔163在第二方向Y上的第二尺寸D2可以为5um~200um。
值得注意的是,网孔163为第一表面100a中主要用于吸收光线的区域,借助第一条状结构133和第二条状结构143将露出的非电极区102分隔成多个网孔163,且使得网孔163的第一尺寸D1小于或等于100um,且第二尺寸D2为5um~200um,有利于使得每个网孔163处的光生载流子均能针对性地被与之距离较近的第一条状结构133和/或第二条状结构143收集,以提高第二导电部123可以针对性的对任一网孔163处的光生载流子进行收集,以提高电极对第一表面100a处的光生载流子的收集效率。
值得注意的是,部分网孔163的外围由第一条状结构133和第二条状结构143两者围成,其他部分网孔163的外围由第一条状结构133、第二条状结构143和第一导电部113三者围成。此外,沿第一方向X上排布的不同网孔163的第一尺寸D1的大小可以相同也可以不同,沿第二方向Y上排布的不同网孔163的第二尺寸D2的大小可以相同也可以不同,均可以根据实际需求调整。
在一些实施例中,参考图1和图2,介质层104指向掺杂导电层103的方向为第三方向Z,以垂直于第三方向Z的平面为投影面,位于非电极区102的部分区域上的掺杂导电层103在投影面上的正投影面积为第一面积,第一表面100a在投影面上的正投影面积为第二面积,第一面积与第二面积的比值可以为5%~30%。
若第一面积与第二面积的比值小于5%,掺杂导电层103覆盖的非电极区102的面积会过小,不利于掺杂导电层103对非电极区102处的光生载流子进行高效的收集;若第一面积与第二面积的比值大于30%,掺杂导电层103覆盖的非电极区102的面积会过大,不利于入射光线照射至更多的非电极区102上,因而不利于非电极区102对光线的吸收。因此,设计第一面积与第二面积的比值小于为5%~30%,有利于在保证掺杂导电层103对非电极区102处的光生载流子具有较高的收集效率的同时,使得大部分非电极区102不被掺杂导电层103遮盖,以保证非电极区102对光线较高的吸收率。
在一些实施例中,结合参考图1和图7,图7为图1中方框II处的放大剖面结构示意图,基底100还具有与第一表面100a相对设置的第二表面100b,第二表面100b具有第三表面结构150,第三表面结构150包括多个第二金字塔结构160。
值得注意的是,第二金字塔结构160有利于使得以不同角度入射至第二表面100b的光线经由第二金字塔结构160反射被第二表面100b吸收的概率增加,从而有利于进一步提高剩余第二表面100b对光线较高的吸收率,从而有利于提高第二表面100b整体的光电转换效率。
在一些实施例中,结合参考图2和图7,第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1小于第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2。
值得注意的是,第一金字塔结构140为部分第一表面100a的表面形貌,一方面,借助第一金字塔结构140提高第一表面100a对光线的吸收率;另一方面,需要考虑第一金字塔结构140对位于第一表面100a的介质层104和掺杂导电层103对第一表面100a的钝化效果的影响。基于此,相较于第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2,设计第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1更小,有利于保证第一表面100a对光线较高的吸收率的同时,保证介质层104和掺杂导电层103对第一表面100a良好的钝化效果。
在一些实施例中,第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1的大小可以为0.5um~5um,例如,1um、1.5um、2um、2.5um、3um、3.5um、4um或4.5um等;沿第三方向Z上,第一金字塔结构140的高度的最大值为0.5um~3um,例如,1um、1.5um、2um或2.5um等。
在一些实施例中,第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2的大小可以为2um~5um,例如,2.5um、3um、3.5um、4um或4.5um等;沿第三方向Z上,第二金字塔结构160的高度的最大值为1um~3um,如,1.5um、2um或2.5um等。
需要说明的是,参考图8,图8为本公开一实施例提供的太阳能电池中第一金字塔结构底部的一种俯视结构示意图,第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1包括第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案的长、宽或对角线长度中的任一种。此外,图8中以第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案为规则的四边形为例,该种情况下,第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1为规则的四边形的长、宽或对角线长度中的任一种。
实际应用中,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案也可以为不规则的多边形,该种情况下,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案的长、宽或对角线长度并非绝对的,而是人为定义以用于表征第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1。例如,参考图9,图9为本公开一实施例提供的太阳能电池中第一金字塔结构底部的另一种俯视结构示意图,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案为不规则的四边形,该种情况下,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案的长L11可以定义为不规则的四边形最长的那一边的边长,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案的宽L12可以定义为不规则的四边形最短的那一边的边长,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案的对角线长度L13可以定义为不规则的四边形最长的对角线的边长度,可以理解的是,以上仅一种示例性说明,实际中可以根据实际需求灵活定义。
此外,第一金字塔结构140底部在基底100上的正投影图案除了为不规则的四边形,还可以为其他不规则的多边形、圆形或者近似于圆形的非规则形状,该种情况下,第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1是选取第一金字塔结构140底部中多个不同特定面积的区域,该特定面积的区域可以根据实际需求灵活定义,然后求取多个不同特定面积的区域的长、宽、对角线或直径的平均值。
需要说明的是,第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2与第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1的定义类似,在此不做赘述。此外,不同第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1可以不同也可以相同,但第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1在一个数值范围内;不同第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2可以不同也可以相同,但第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2也在一个数值范围内。
在一些实施例中,参考图2,平台结构130底部的一维尺寸L3为5um~20um,例如,6um、7um、8um、9um、10um、11um、12um、13um、14um、15um、16um、17um、18um或19um等。
需要说明的是,平台结构130底部的一维尺寸L3与第一金字塔结构140底部的一维尺寸L1的定义也类似,在此不做赘述。此外,不同平台结构130底部的一维尺寸L3可以不同也可以相同,但平台结构130底部的一维尺寸L3在一个数值范围内。
在一些实施例中,沿第三方向Z上,掺杂导电层103的厚度可以为50nm~200nm。
在一些实施例中,参考图10,图10为本公开一实施例提供的太阳能电池的另一种局部剖面结构示意图,太阳能电池还可以包括:第一电极107,第一电极107与掺杂导电层103电接触。
在一些实施例中,参考图10,太阳能电池还可以包括:第一钝化层105,第一钝化层105覆盖在形成有介质层104和掺杂导电层103的第一表面100a上,第一电极107贯穿第一钝化层105与掺杂导电层103电接触。
在一些实施例中,第一钝化层105可以为单层结构或叠层结构,第一钝化层105的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的至少一种。
在一些例子中,参考图10,第一钝化层105包括沿第三方向Z上依次堆叠的第一子钝化层和第二子钝化层,其中,第一子钝化层的材料可以为氧化铝,第二子钝化层的材料可以氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。
在一些实施例中,第一子钝化层在第三方向Z上的厚度可以为5nm~10nm。
在一些实施例中,继续参考图10,基底100还具有与第一表面100a相对设置的第二表面100b;太阳能电池还可以包括:第二电极117,第二电极117与第二表面100b电连接。
在一些实施例中,继续参考图10,太阳能电池还可以包括:第二钝化层115,第二钝化层115位于第二表面100b上,第二电极117贯穿第二钝化层115与第二表面100b电接触。
需要说明的是,第二钝化层115的膜层结构以及材料组成与第一钝化层105类似,在此不作赘述。
此外,图1至图6和图10均对第一导电部113和第二导电部123采用不同的填充方式绘制,以区分出第一导电部113和第二导电部123,实际应用中,第一导电部113和第二导电部123可以同步形成。图3、图6和图10均对第一条状结构133和第二条状结构143采用不同的填充方式绘制,以区分出第一条状结构133和第二条状结构143,实际应用中,第一条状结构133和第二条状结构143均属于第二导电部123,即第一条状结构133和第二条状结构143也可以同步形成。
综上所述,不仅在电极区101上且在部分非电极区102上均设置有介质层104和掺杂导电层103,则介质层104和掺杂导电层103对电极区101和非电极区102均具有钝化作用,从而有利于降低载流子在第一表面100a的复合。而且,与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有包括多个平台结构130的第一表面结构110,有利于提高基于该部分表面形成的介质层104和掺杂导电层103的均匀性,从而有利于进一步提高介质层104和掺杂导电层103对第一表面100a的钝化效果,进一步降低第一表面100a的缺陷态密度;未与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有包括多个第一金字塔结构140的第二表面结构120,使得以不同角度入射至剩余第一表面100a的光线经由第一金字塔结构140反射被剩余第一表面100a吸收的概率增加,从而有利于进一步提高剩余第一表面100a对光线较高的吸收率。如此,各方面共同作用,有利于提高第一表面100a整体的光电转换效率,从而有利于提高太阳能电池的双面率。
本公开另一实施例还提供一种叠层电池,叠层电池包括前述实施例提供的太阳能电池。以下将结合附图对本公开另一实施例提供的叠层电池进行详细说明。需要说明的是,与前述实施例相同或相应的部分,在此不再赘述。
图11为本公开另一实施例提供的叠层电池的局部剖面结构示意图。
结合参考图1和图11,叠层电池106包括:底电池116,底电池116为前述实施例提供的太阳能电池;顶电池126,顶电池126位于底电池116中的掺杂导电层103远离基底100的一侧。
在一些实施例中,结合参考图1、图10和图11,基底100还具有与第一表面100a相对设置的第二表面100b,顶电池126位于第一表面100a远离第二表面100b的一侧。
在一些例子中,结合参考图1和图11,底电池116可以仅包括具有第一表面100a的基底100以及依次堆叠于第一表面100a上的介质层104和掺杂导电层103,在此基础上,未被介质层104和掺杂导电层103覆盖的第一表面100a、介质层104和掺杂导电层103共同构成一个表面,顶电池126直接位于该表面上。在一个例子中,叠层电池还可以包括:复合层,复合层位于未被介质层104和掺杂导电层103覆盖的第一表面100a、介质层104和掺杂导电层103共同构成的表面和顶电池126之间。
在另一些例子中,结合参考图10和图11,在底电池116包括具有第一表面100a的基底100以及依次堆叠于第一表面100a上的介质层104和掺杂导电层103的基础上,底电池116还可以包括:第一钝化层105,第一钝化层105覆盖在形成有介质层104和掺杂导电层103的第一表面100a上;第一电极107,第一电极107位于第一钝化层105远离基底100的部分表面,且第一电极107穿透第一钝化层105,与掺杂导电层103电接触。换言之,顶电池126位于第一钝化层105远离基底100的一侧,且顶电池126覆盖第一钝化层105表面以及第一电极107表面。
在一些实施例中,顶电池126可以包括:层叠的第一传输层、钙钛矿基底、第二传输层、透明导电层以及减反层。其中,第一传输层与底电池116正对。
在一些实施例中,第一传输层可以为电子传输层或者空穴传输层中的一者,第二传输层可以为电子传输层或者空穴传输层中的另一者。
本公开又一实施例还提供一种太阳能电池的制备方法,用于制造前述实施例提供的太阳能电池。以下将结合附图对本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法进行详细说明。需要说明的是,与前述实施例相同或相应的部分,在此不再赘述。
图12至图18为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中各步骤对应的局部剖面结构示意图。
参考图12至图18,太阳能电池的制备方法至少包括以下步骤:
S101:参考图12,图12为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中初始基底的一种局部剖面结构示意图,提供初始基底170,初始基底170具有初始第一表面170a,初始第一表面170a包括沿第一方向X交替设置的初始电极区111和初始非电极区112。
在一些实施例中,参考图12,初始基底170还具有与初始第一表面170a相对设置的初始第二表面170b。在后续形成初始介质层之前,制备方法还可以包括:结合参考图12和图7,对初始第二表面170b进行第二制绒处理,使初始第二表面170b转变为第二表面100b,第二表面100b具有第三表面结构150,第三表面结构150包括多个第二金字塔结构160。
在一些情况下,在后续基于初始第一表面170a形成第一金字塔结构后,第一金字塔结构底部的一维尺寸L1小于第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2。
在一些情况下,结合参考图12和图13,图13为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中进行第二制绒处理后的初始基底170的局部放大剖面结构示意图,在对初始第二表面170b进行第二制绒处理的步骤中,还对初始第一表面170a进行第二制绒处理,使初始第一表面170a具有初始第一表面结构180,初始第一表面结构180包括第三金字塔结构190。
值得注意的是,第二金字塔结构160和第三金字塔结构190经由第二制绒处理同步形成,因此,第二金字塔结构160底部的一维尺寸L2和第三金字塔结构190底部的一维尺寸L4类似。而且,在同一工艺步骤中形成第二金字塔结构160和第三金字塔结构190,不仅可以节省工艺流程,而且,第三金字塔结构190为后续在形成第一表面时,为使得电极区的表面形貌包括多个平台结构,以及部分非电极区的表面形貌包括多个第一金字塔结构打下基础。
需要说明的是,第三金字塔结构190底部的一维尺寸L4与前述实施例中第一金字塔结构底部的一维尺寸的定义也类似,在此不做赘述。此外,不同第三金字塔结构190底部的一维尺寸L4可以不同也可以相同,但第三金字塔结构190底部的一维尺寸L4在一个数值范围内。
在一些实施例中,在进行第二制绒处理之后,在后续形成初始介质层之前,制备方法还可以包括如下步骤:
在初始基底170靠近第二表面100b的区域中形成发射极,初始基底170露出发射极顶面,且发射极顶面与第二表面100b重合。发射极的掺杂元素类型与初始基底170的掺杂元素类型相反,以最终与基底形成PN结。
在一些例子中,发射极的扩散方阻可以为80Ω/sq~200Ω/sq。
在一些例子中,形成发射极的方法可以包括:对第二表面100b进行第一掺杂工艺,以将掺杂元素扩散至部分初始基底170中,形成发射极。在一个例子中,第一掺杂工艺可以是离子注入工艺或者源扩散工艺中的任一者。
值得注意的是,在一些情形下,当初始基底170为N型基底时,可以对第二表面100b进行硼扩散处理;在另一些情形下,当初始基底170为P型基底时,可以对第二表面100b进行磷扩散处理。
需要说明的是,在对第二表面100b进行第一掺杂工艺以形成发射极的步骤中,以进行硼扩散处理为示例,容易在初始基底170的表面上形成硼硅玻璃,形成硼硅玻璃的初始基底170的表面包括但不限于初始第一表面170a、初始基底170侧面和第二表面100b,因而需要采用链式氢氟酸至少去除位于初始基底170的初始第一表面170a和侧面的硼硅玻璃。
与之类似,在对第二表面100b进行磷扩散处理以形成发射极的步骤中,容易在初始基底170的表面上形成磷硅玻璃,也需要至少去除位于初始基底170的初始第一表面170a和侧面的磷硅玻璃。
在一些实施例中,在形成第三金字塔结构190之后,在形成初始介质层之前,结合参考图13和图14,图14为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中进行抛光处理后的初始基底的局部放大剖面结构示意图,制备方法还可以包括:对初始第一表面170a进行抛光处理,使第三金字塔结构190转变为平台结构130。
值得注意的是,抛光处理的步骤中,第三金字塔结构190从塔尖开始逐渐被刻蚀,以最终形成平台结构130。在一些例子中,经过抛光处理后的第三金字塔结构190剩下的塔基即为平台结构130,经过抛光处理后的第三金字塔结构190的塔基底部的一维尺寸为5um~20um。此外,抛光处理结束之后,无论是初始电极区111(参考图12)和初始非电极区112(参考图12),其表面形貌均包括平台结构130。
S102:结合参考图12和图15,图15为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中在初始基底上形成有初始介质层和初始掺杂导电层的一种局部剖面结构示意图,形成覆盖初始第一表面170a的初始介质层114;S103:继续参考图15,形成覆盖初始介质层114远离初始基底170的一侧表面的初始掺杂导电层173。
在一些实施例中,继续参考图15,在形成初始掺杂导电层173的步骤中还可以包括:形成覆盖第二表面100b的第二掺杂导电层(图中未示出),初始掺杂导电层173中掺杂元素的类型与第二掺杂导电层中掺杂元素的类型相同。换言之,在同一工艺步骤中形成初始掺杂导电层173和第二掺杂导电层。
在一些实施例中,形成初始掺杂导电层173和第二掺杂导电层可以包括如下步骤:
在第二表面100b和经过制绒处理的初始第一表面170a上同时进行第一沉积工艺,以在初始介质层114远离初始基底170的表面形成第一非晶硅层(图中未示出),在第二表面100b形成第二非晶硅层(图中未示出)。例如,可以采用等离子体化学气相沉积法形成第一非晶硅层以及第二非晶硅层。
对第一非晶硅层以及第二非晶硅层同时进行晶化处理,以将第一非晶硅层转化为第一多晶硅层(图中未示出),将第二非晶硅层转化为第二多晶硅层(图中未示出)。在一些实施例中,晶化处理包括对第一非晶硅层以及第二非晶硅层进行退火热处理。
在形成第一多晶硅层与第二多晶硅层之后,对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行第二掺杂工艺,以使得第一多晶硅层转变为初始掺杂导电层173,使得第二多晶硅层转变为第二掺杂导电层。
在一些实施例中,第二掺杂工艺可以是离子注入工艺或者源扩散工艺中的任一者。
在一些实施例中,第一掺杂工艺中向目标物掺杂的元素和第二掺杂工艺中向目标物掺杂的元素不同。
在一个例子中,第一掺杂工艺中采用的掺杂元素为硼元素,第二掺杂工艺中采用的掺杂元素为磷元素。
在一个例子中,第二掺杂工艺中采用的掺杂元素为磷元素;在进行第二掺杂工艺之后,初始掺杂导电层173和第二掺杂导电层上均会形成磷硅玻璃,第二掺杂导电层和磷硅玻璃均会在后续的步骤中被去除。
S104:结合参考图15至图16,图16为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中对形成的初始掺杂导电层进行激光工艺处理后的结构的一种局部剖面结构示意图,采用激光工艺对位于初始非电极区112的部分区域上的初始掺杂导电层173进行处理。
需要说明的是,为清晰示意出经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173和未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,图16中以173b示意经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,以173a示意未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,且对173a和173b采用不同的填充方式进行绘制,换言之,未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173可视为第一掺杂导电层173a,经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173可视为第二掺杂导电层173b。其中,未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,即第一掺杂导电层173a后续会被保留,以作为掺杂导电层,经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,即第二掺杂导电层173b后续会被去除。
在一些实施例中,在形成初始掺杂导电层173的步骤中还形成有覆盖第二表面100b的第二掺杂导电层,以及位于初始掺杂导电层173和第二掺杂导电层上的磷硅玻璃。在采用激光工艺对位于初始非电极区112的部分区域上的初始掺杂导电层173进行处理的步骤中,对整个第二掺杂导电层均进行激光工艺处理,使得整个第二掺杂导电层的材料性质发生改变,以及使得改变经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173的材料性质发生改变,以实现经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173的材料性质不同于未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173的材料性质,以便于后续去除位于初始非电极区112上的经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173。
在一些实施例中,参考图17,在位于初始非电极区112上的初始掺杂导电层173上划分多个激光作用区183,多个激光作用区183沿第二方向Y上间隔排布。值得注意的是,结合参考图17和图5,激光作用区183与后续形成相邻第一条状结构133之间的间隔对应,以借助激光作用区183形成图5所示的第二导电部123。
在另一些实施例中,参考图18,多个激光作用区183沿第一方向X和第二方向Y上均间隔排布,第一方向X和第二方向Y相交。值得注意的是,结合参考图18和图3,激光作用区183与后续形成多个第二条状结构143与多个第一条状结构133相交叉以构成网格状结构153的网孔163对应,以借助激光作用区183形成图3所示的网格状结构153。
需要说明的是,上述仅为最终形成第一导电部113和第二导电部123的两种实施例,实际应用中,通过设计激光作用区183的具体相貌,也可以形成如图4和图6所示的第二导电部123。此外,图17为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中对形成的初始掺杂导电层进行激光工艺处理后的结构的一种局部俯视结构示意图;图18为本公开又一实施例提供的太阳能电池的制备方法中对形成的初始掺杂导电层进行激光工艺处理后的结构的另一种局部俯视结构示意图,为清晰示意出经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173和未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,图17和图18中均以173b示意经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,以173a示意未经过激光工艺处理的初始掺杂导电层173,且对173a和173b采用不同的填充方式进行绘制。
然后,采用激光工艺对位于初始非电极区112的部分区域上的初始掺杂导电层173进行处理的步骤包括:采用激光工艺对位于激光作用区183的初始掺杂导电层173进行处理,剩余未被激光工艺处理的初始掺杂导电层173后续作为掺杂导电层。
在一些实施例中,激光工艺中采用的激光为皮秒激光,激光的波长可以为300nm~1000nm,例如,400nm、500nm、600nm、700nm、800nm或900nm等。
在一些实施例中,激光工艺中采用的激光的光斑能量密度可以为103W/cm2~106W/cm2,例如,103.5W/cm2、104W/cm2、104.5W/cm2、105W/cm2或105.5W/cm2等。
在一些实施例中,激光工艺中采用的激光的线宽可以为80um~1500um,例如,100um、300um、500um、600um、700um、850um、900um、1000um、1100um、1200um、1300um或1400um等。
S105:结合参考图16和图1,采用刻蚀工艺去除被激光工艺处理过的初始掺杂导电层173和初始介质层114,并对露出的初始第一表面170a进行第一制绒处理,以形成具有第一表面100a的基底100,剩余位于电极区101和非电极区102上的初始介质层114为介质层104,剩余位于电极区101和非电极区102上的初始掺杂导电层173为掺杂导电层103。
值得注意的是,结合参考图16和图2,在去除经过激光处理的初始掺杂导电层173以及与之正对的初始介质层114的步骤中,对露出的初始第一表面170a也可能进行轻微的刻蚀,因而后续对露出的初始第一表面170a进行第一制绒处理的步骤中,较之第二金字塔结构160,可以形成底部一维尺寸更小的第一金字塔结构140。
在一些实施例中,在形成初始掺杂导电层173的步骤中还形成有覆盖第二表面100b的第二掺杂导电层,且对整个第二掺杂导电层均进行激光工艺处理,基于此,在采用刻蚀工艺去除被激光工艺处理过的初始掺杂导电层173和初始介质层114的步骤中,还去除第二掺杂导电层以及位于初始掺杂导电层173和第二掺杂导电层上的磷硅玻璃。
在一些实施例中,去除被激光工艺处理过的初始掺杂导电层173和初始介质层114的工艺可以为碱刻蚀,碱刻蚀的刻蚀液可以采用包括氢氧化钾和制绒添加剂的混合液。
值得注意的是,经过第一制绒处理后的初始电极区111和初始非电极区112分别为电极区101和非电极区102,与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有第一表面结构110,剩余第一表面100a具有第二表面结构120,第一表面结构110包括多个平台结构130,第二表面结构120包括多个第一金字塔结构140。
在一些实施例中,参考图10,在形成介质层104和掺杂导电层103之后,制备方法还可以包括:形成第一钝化层105,第一钝化层105覆盖在形成有介质层104和掺杂导电层103的第一表面100a上;形成第二钝化层115,第二钝化层115覆盖第二表面100b。
在一些情况下,可以采用沉积工艺同时形成第一钝化层105和第二钝化层115。
在一些例子中,第一钝化层105和第二钝化层115均可以为叠层结构,例如,可以采用原子层沉积工艺在第一表面100a和第二表面100b同时生长氧化铝薄膜,然后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在氧化铝薄膜上沉积氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种的组合膜层。
在一些实施例中,参考图10,在形成介质层104和掺杂导电层103之后,制备方法还可以包括:形成第一电极107,第一电极107贯穿第一钝化层105与掺杂导电层103电接触;形成第二电极117,第二电极117贯穿第二钝化层115与第二表面100b电接触。
在一些情况下,可以采用丝网印刷工艺形成第一电极107和第二电极117。
在一些情况下,对第一电极107和/或第二电极117进行烧结,且烧结温度可以为700℃~800℃,例如720℃、750℃、820℃或840℃等,有利于使得第一电极107与掺杂导电层103具有良好的欧姆接触,第二电极117与第二表面100b具有良好的欧姆接触。
综上所述,本公开又一实施例通过采用激光工艺对位于初始非电极区112的部分区域上的初始掺杂导电层173进行处理,然后采用刻蚀工艺去除被激光工艺处理过的初始掺杂导电层173和初始介质层114,并对露出的初始第一表面170a进行第一制绒处理,以形成具有第一表面100a的基底100,剩余位于电极区101和非电极区102上的初始介质层114为介质层104,剩余位于电极区101和非电极区102上的初始掺杂导电层173为掺杂导电层103,以使得与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有第一表面结构110,剩余第一表面100a具有第二表面结构120,第一表面结构110包括多个平台结构130,第二表面结构120包括多个第一金字塔结构140。
如此,在电极区101和部分非电极区102上均设置有介质层104和掺杂导电层103,则介质层104和掺杂导电层103对电极区101和非电极区102均具有钝化作用,从而有利于降低载流子在第一表面100a的复合。而且,与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有多个平台结构130,有利于提高基于该部分表面形成的介质层104和掺杂导电层103的均匀性,从而有利于进一步提高介质层104和掺杂导电层103对第一表面100a的钝化效果;未与掺杂导电层103正对的第一表面100a具有多个第一金字塔结构140,有利于进一步提高剩余第一表面100a对光线较高的吸收率。如此,各方面共同作用,有利于提高第一表面100a整体的光电转换效率,从而有利于提高太阳能电池的双面率。
本公开再一实施例还提供一种光伏组件,光伏组件包括多个如前述任一实施例提供的太阳能电池连接而成,或者由多个如前述实施例提供的叠层电池连接而成,光伏组件用于将接收的光能转化为电能。图19为本公开再一实施例提供的光伏组件的一种局部立体结构示意图;图20为图19沿截面方向MM1的一种剖面结构示意图。需要说明的是,与前述实施例相同或相应的部分,可参考前述实施例的相应说明,以下将不做赘述。
参考图19和图20,光伏组件包括:电池串,由多个如前述实施例提供的太阳能电池40连接而成,或者由多个如前述实施例提供的叠层电池106(参考图11)连接而成,或者由多个如前述实施例提供的制备方法形成的太阳能电池连接而成;封装胶膜41,用于覆盖电池串的表面;盖板42,用于覆盖封装胶膜41背离电池串的表面。太阳能电池40以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串,多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。
在一些实施例中,参考图19和图20,多个电池串之间可以通过导电带402电连接。图20仅示意出一种太阳能电池之间的位置关系,即电池片具有相同的极性的电极的排布方向相同或者说具有每个电池片具有正极极性的电极均朝同一侧排布,从而导电带分别连接两个相邻的电池片的不同侧。在一些实施例中,电池片也可以按照不同极性的电极朝向同一侧,即相邻的多个电池片的电极分别为第一极性、第二极性、第一极性的顺序依次排序,则导电带连接同一侧的两个相邻的电池片。
在一些实施例中,电池片之间并未设置间隔,即电池片之间相互交叠。
在一些实施例中,封装胶膜41包括第一封装层以及第二封装层,第一封装层覆盖太阳能电池40的正面或者背面的其中一者,第二封装层覆盖太阳能电池40的正面或者背面的另一者,具体地,第一封装层或第二封装层的至少一者可以为聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl Butyral,简称PVB)胶膜、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜等有机封装胶膜。
在一些情况下,第一封装层以及第二封装层在层压前还有分界线,在层压处理之后形成光伏组件并不会再有第一封装层以及第二封装层的概念,即第一封装层与第二封装层已经形成整体的封装胶膜41。
在一些实施例中,盖板42可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。具体地,盖板42朝向封装胶膜41的表面可以为凹凸表面,从而增加入射光线的利用率。盖板42包括第一盖板以及第二盖板,第一盖板与第一封装层相对,第二盖板与第二封装层相对。
在一些实施例中,太阳能电池包括但不限于PERC电池、TOPCON电池、HIT/HJT电池(Heterojunction Technology异质结电池)、钙钛矿电池或叠层电池中的任意一种。叠层电池包括但不限于钙钛矿电池叠加晶硅电池、钙钛矿电池叠加钙钛矿电池、钙钛矿电池叠加薄膜电池。
太阳能电池可以为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池或者多元化合物太阳能电池,多元化合物太阳能电池具体可以为硫化镉太阳能电池、砷化镓太阳能电池、铜铟硒太阳能电池或者钙钛矿太阳能电池。此外,太阳能电池可以为整片电池或者切片电池,切片电池指的是一个完整的整片电池经过切割工艺形成的电池。
在一些实施例中,参考图19,电池串中太阳能电池40沿第一方向X排布,电池串中相邻的两个太阳能电池40的主栅在第三方向Z上交错设置,对于光伏组件而言,通过设置电池串中相邻的两个太阳能电池40的主栅在第三方向Z上交错,从而可以对光伏组件不同电位进行测试,从而可以提高测试结果的可靠性。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本公开的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本公开实施例的精神和范围。任何本领域技术人员,在不脱离本公开实施例的精神和范围内,均可作各种改动与修改,因此本公开实施例的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
基底,所述基底具有第一表面,所述第一表面包括沿第一方向交替设置的电极区和非电极区;
掺杂导电层,位于每一所述电极区上,且还位于至少一个所述非电极区的部分区域上;
介质层,位于所述第一表面和所述掺杂导电层之间;
其中,与所述掺杂导电层正对的所述第一表面具有第一表面结构,剩余所述第一表面具有第二表面结构,所述第一表面结构包括多个平台结构,所述第二表面结构包括多个第一金字塔结构。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,多个所述非电极区中仅部分数量的所述非电极区上设置有所述掺杂导电层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂导电层包括:
沿所述第一方向间隔排布的多个第一导电部,所述第一导电部与所述电极区一一对应,且所述第一导电部位于相对应的所述电极区上,所述第一导电部沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向相交;
至少一个第二导电部,一所述第二导电部位于一所述非电极区上,且位于与设置有所述第二导电部的所述非电极区相邻的两个所述电极区上的所述第一导电部中,任一者均和所述第二导电部接触连接。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二导电部与所述非电极区一一对应。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二导电部包括:沿所述第二方向间隔排布的多个第一条状结构,所述第一条状结构沿所述第一方向延伸且与相邻的所述第一导电部接触连接。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二导电部还包括:至少一个第二条状结构,所述第二条状结构沿所述第二方向延伸。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二导电部包括沿所述第一方向间隔排布的多个所述第二条状结构,且多个所述第二条状结构与多个所述第一条状结构相交叉以构成网格状结构。
8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述第二方向上,所述第一条状结构具有第一宽度;沿所述第一方向上,所述第二条状结构具有第二宽度;沿所述第一方向上,所述第一导电部具有第三宽度;其中,所述第三宽度大于所述第一宽度,所述第三宽度大于所述第二宽度。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述网格状结构具有由所述第一条状结构以及所述第二条状结构限定的多个网孔,所述网孔在所述第一方向上的第一尺寸小于或等于100um,所述网孔在所述第二方向上的第二尺寸为5um~200um。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述介质层指向所述掺杂导电层的方向为第三方向,以垂直于所述第三方向的平面为投影面,位于所述非电极区的部分区域上的所述掺杂导电层在所述投影面上的正投影面积为第一面积,所述第一表面在所述投影面上的正投影面积为第二面积,所述第一面积与所述第二面积的比值为5%~30%。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底还具有与所述第一表面相对设置的第二表面,所述第二表面具有第三表面结构,所述第三表面结构包括多个第二金字塔结构。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一金字塔结构底部的一维尺寸小于所述第二金字塔结构底部的一维尺寸。
13.一种叠层电池,其特征在于,包括:
底电池,所述底电池为如权利要求1至12中任一项所述的太阳能电池;
顶电池,所述顶电池位于所述底电池中的所述掺杂导电层远离所述基底的一侧。
14.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
提供初始基底,所述初始基底具有初始第一表面,所述初始第一表面包括沿第一方向交替设置的初始电极区和初始非电极区;
形成覆盖所述初始第一表面的初始介质层;
形成覆盖所述初始介质层远离所述初始基底的一侧表面的初始掺杂导电层;
采用激光工艺对位于所述初始非电极区的部分区域上的所述初始掺杂导电层进行处理;
采用刻蚀工艺去除被所述激光工艺处理过的所述初始掺杂导电层和所述初始介质层,并对露出的所述初始第一表面进行第一制绒处理,以形成具有第一表面的基底,剩余位于所述电极区和所述非电极区上的所述初始介质层为介质层,剩余位于所述电极区和所述非电极区上的所述初始掺杂导电层为掺杂导电层;
其中,经过所述第一制绒处理后的所述初始电极区和所述初始非电极区分别为电极区和非电极区,与所述掺杂导电层正对的所述第一表面具有第一表面结构,剩余所述第一表面具有第二表面结构,所述第一表面结构包括多个平台结构,所述第二表面结构包括多个第一金字塔结构。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述初始基底还具有与所述初始第一表面相对设置的初始第二表面;在形成所述初始介质层之前,所述制备方法还包括:
对所述初始第二表面进行第二制绒处理,使所述初始第二表面转变为第二表面,所述第二表面具有第三表面结构,所述第三表面结构包括多个第二金字塔结构,其中,所述第一金字塔结构底部的一维尺寸小于所述第二金字塔结构底部的一维尺寸。
16.根据权利要求15所述的制备方法,其特征在于,在对所述初始第二表面进行所述第二制绒处理的步骤中,还对所述初始第一表面进行所述第二制绒处理,使所述初始第一表面具有初始第一表面结构,所述初始第一表面结构包括第三金字塔结构。
17.根据权利要求16所述的制备方法,其特征在于,在形成所述第三金字塔结构之后,在形成所述初始介质层之前,所述制备方法还包括:
对所述初始第一表面进行抛光处理,使所述第三金字塔结构转变为所述平台结构。
18.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,在位于所述初始非电极区上的所述初始掺杂导电层上划分多个激光作用区,多个所述激光作用区沿第二方向上间隔排布,或者,多个所述激光作用区沿所述第一方向和所述第二方向上均间隔排布,所述第一方向和所述第二方向相交;
采用所述激光工艺对位于所述初始非电极区的部分区域上的所述初始掺杂导电层进行处理的步骤包括:
采用所述激光工艺对位于所述激光作用区的所述初始掺杂导电层进行处理。
19.根据权利要求14或18所述的制备方法,其特征在于,所述激光工艺中采用的激光为皮秒激光,所述激光的波长为300nm~1000nm。
20.一种光伏组件,其特征在于,包括:
电池串,由多个如权利要求1至12中任一项所述的太阳能电池连接而成,或者由多个如权利要求13所述的叠层电池连接而成,或者由多个如权利要求14至19中任一项所述的制备方法形成的太阳能电池连接而成;
封装胶膜,用于覆盖所述电池串的表面;
盖板,用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
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