CN117724458A - 一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统，属于半导体制造技术领域。方法包括：设备调试监控步骤、工艺调试监控步骤、生产制成监控步骤、故障排除步骤。本发明能够24小时全方位监控每一台刻蚀设备，并与UI系统连接以自动解决Etch设备使用过程中出现的各种问题。与其他自动解决问题的方法不同，本发明无需工程师录入各种问题解决代码后让程序根据Error去搜索及执行命令，当一个Error发生时，本方法会访问UI系统中各个腔体组成模块，逐个获取元件状态，再根据已设定的参数条件，自动完善解决问题，从而避免一些并不影响工艺实际流程和品质的非硬件故障打断工艺流程，减少不必要的时间损耗，提高制造效率。

Description

一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统。

背景技术

Etch（刻蚀）设备作为半导体制造三大核心工艺之一，是重要性仅次于光刻机的半导体设备。目前，在利用Etch设备生产制造过程中常存在以下问题：

设备发生问题时解决效率低下：设备现场的工程师并不像设备厂商那样，对设备有足够的了解，往往解决一个新问题，需要二至三天的工作日，而刻蚀设备是半导体产线三大重要制程之一，且其生产时间短暂，二至三天的设备停滞在制程中占时比例过高，会严重影响晶片生产。此外，无论是资深的设备工程师，还是供应商的厂商，在解决一些硬件或软件问题时，思路总会有局限和僵化之处，这在很大程度上也会影响到问题解决的效率，尤其是在遇到之前从未遇到的问题时，需要人工不断地去尝试，去更换参数或是元件，费时费力。

设备调试效率较低：目前，在客户现场装机进入Tie 2工艺调试步骤前，需要人工将工艺参数校准，这需要较长的时间。例如气体校准，做一管气体校准需要40分钟，根据做出来的结果还需进行分析然后修改参数，再反复调试校准，往往完成所有的气体校准需要两天，耗时较长。

工艺调试效率低下：在运行工艺菜单时，时常遇到一些问题，例如在ESC Dechuck（静电吸附）时，报错Dechuck Error（去除静电错误），生产员在发现这类问题时，需要先联系设备工程师及工艺工程师来解决问题，如果问题无法解决，则还需要联系供应商解决，这也会影响生产进程。

发明内容

为解决上述问题，本发明公开了一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统，在UI系统上，增加智能化自动解决Etch设备问题的方案，其优先级位于UI（用户界面）软件的所有命令之上，以通观全局的视角监控Etch设备并分析、测试、解决问题。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：

一种Etch设备自动监控和故障解决方法，包括如下步骤：

设备调试监控步骤，包括：

监控设备完整校准过程中的各项数据，根据气体校准后得到的数据计算偏差值，当偏差值超出预先设定的偏差范围时，发送指令至UI系统更改腔体安装设定，随后发送指令至UI系统重新开始校准；重复调试监控步骤，直至偏差值在预先设定的偏差范围内；

当监控到UI系统产生Error报警时，根据报警信号获取对应的参数及UI系统中影响此参数的元件，根据Error的发生源信号逐个访问配合调试的参数并进行修改，当报警信号消失时停止对参数的访问，当报警未消失时将修改后的参数恢复原值继续修改下一个参数，当全部参数访问完毕但报警信号仍未消失时访问影响参数的元件，当无法与元件通信时，发出提醒；

工艺调试监控步骤，包括：

放置晶圆在装载设备中，传送晶圆进腔体运行新建的工艺菜单，同步监测各项工艺参数，如有参数偏差值过大时停止工艺运行，同步控制UI系统更改工艺菜单中的参数数据直至工艺菜单稳定运行；

监控调试终点，抓取需要抓取介质或金属的单项片刻蚀过程中全部波长强度的变化，根据不同波长的曲线，选定此介质或者金属的波长，并根据曲线变化计算工艺过程中的变换率，生成终点抓取的工艺菜单；根据终点抓取的工艺菜单再次抓取终点验证工艺菜单的正确性，当工艺菜单不正确时，在曲线中选取介质或者金属的另一段波长，计算变换率，重新生成终点抓取的工艺菜单，重复抓取终点、生成工艺菜单、进行验证，直至生成的工艺菜单正确；

生产制成监控步骤，包括：

针对生产制成过程进行监控，当出现问题时获取工艺相关数据，并进行相应处理：

当静电吸附盘出现吸附失败时，判断当达到必要开腔条件时，发出开腔提醒，当未达到必要开腔条件，自动重试静电吸附；待问题片工艺结束后，能够选择与根据本次生产的重要程度相应时长的清洗程序进行清洗，并在后续工艺中观测膜层对应波长的变换幅度确定目前腔体的状态；

当设备工艺运行中出现过热警报时，判断当实际温度参数在稳定范围内时，将警报类型由Error更改为Warning，让工艺继续完成；待工艺结束后，再将警报类型变更为Error，并发出检查接线端提醒；

故障排除步骤，包括：

当需解决硬件问题时，发送通信信号控制UI系统，通过发送控制信号逐个访问疑似问题备件的前端控制板，判断未能反馈正常通讯信号的控制板为损坏的控制板，实现故障控制板的精确定位；

当需解决非硬件问题时，获取Error描述信息，并放宽腔体设置参数。

进一步的，所述工艺调试监控步骤中同步控制UI系统更改工艺菜单中的参数数据的过程包括：控制UI系统中的Editor界面，更改有问题的工艺菜单的参数并进行保存。

进一步的，报警信号与相关参数之间的对应关系，参数与影响该参数的元件之间的对应关系预先储存；参数和元件均具有分级设置，当设备调试监控步骤中产生报警信号时，按照从级别高到级别低依次访问参数并进行修改，当报警信号消失时则停止对参数的访问，当报警未消失时继续访问下一个参数进行修改；当各参数访问完后报警仍未消失，则按照从级别高到级别低依次访问影响各个参数的元件，当无法与元件通信时，发出提醒。

进一步的，所述工艺调试监控步骤中，当工艺菜单中配比存在异常时，改变配比参数，再自动运行工艺程序，直至此工艺菜单运作时各工艺参数的实际值与设定值的偏差小于阈值。

进一步的，所述工艺调试监控步骤中控制变量法的实现过程包括：根据参数的重要性高低顺序依次变更单项工艺参数，其他工艺参数保持不变。

进一步的，所述工艺调试监控步骤中工艺过程中的变换率为：在一定时间内固定波长强度上升或下降的百分比及需要过刻的百分比。

进一步的，所述工艺调试监控步骤中根据终点抓取的工艺菜单再次抓取终点验证工艺菜单的正确性，当工艺菜单不正确时，在曲线中选取介质或者金属的另一段波长，计算变换率，重新生成终点抓取的工艺菜单，重复抓取终点、生成工艺菜单、进行验证，直至生成的工艺菜单正确。

进一步的，所述生产制成监控步骤中开腔条件为，满足以下条件中的至少一条：晶圆统计数量达到设定数量，RF统计时间达到设定时长。

进一步的，所述故障排除步骤中放宽腔体设置参数的过程包括：增大UI系统Setup专项中该参数的Soft/Hard Tolerance值，或者增大Timeout值。

本发明还提供了一种Etch设备自动监控和故障解决系统，与UI系统进行通信，并能够控制UI系统操作，包括：设备调试监控模块、工艺调试监控模块、生产制成监控模块、故障排除模块，分别用于实现Etch设备自动监控和故障解决方法中设备调试监控步骤、工艺调试监控步骤、生产制成监控步骤、故障排除步骤。

本发明的有益效果为：

本发明能够24小时全方位监控每一台刻蚀设备，并与UI系统连接以自动解决Etch设备使用过程中出现的各种问题。与其他自动解决问题的方法不同，本发明无需工程师录入各种问题解决代码后让程序根据Error去搜索及执行命令，当一个Error发生时，本方法会访问UI系统中各个腔体组成模块，逐个获取元件状态，再根据已设定的参数条件，自动完善解决问题，从而避免一些并不影响工艺实际流程和品质的非硬件故障打断工艺流程，减少不必要的时间损耗，提高制造效率。

具体实施方式

以下将结合具体实施例对本发明提供的技术方案进行详细说明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。

本发明提供的Etch设备自动监控和故障解决方法，包括如下步骤：

设备调试监控步骤：相较于之前需要工程师自己操作开始校准程序、计算数据、手动修改，本方法在工程师选择开始气体校准程序的同时就会自动监控设备的完整校准过程，对气体流气、腔体压力以及最终由UI系统计算出的各项数据进行监控。本方法会自行评估已得出的气体管路流量偏差值，达标的保存，例如，Etch中腔体Setup专项中设定气体校准偏差值范围在±5%之内，只要校准完成，其偏差值在±5%之内则达标否则不达标。未达标的进行计算修改最大流气量程，最后自行运行未达标的气体管路流量校准，直至所有工艺气体都符合设定流量偏差值范围内。具体地说，本步骤根据每一管气体做出来的结果计算偏差值，偏差值（实际流量-设定流量）/设定流量，最终得到偏差值的百分比数值。当偏差值较大，超出RFQ（技术指标）中设定的偏差范围内时，更改腔体Setup（安装）中气体的最大量程并重新开始校准。UI系统中Setup界面有专门设定气体最大值的单项界面用于更改气体最大量程。本方法在更改量程后，自动给出指令到UI系统，UI系统会根据系统设定的校准逻辑，重新开始校准。UI系统的Setup专栏中有一个气体校准Error（错误）值，即为需要匹配的偏差范围，需要预先设定。本方法会重复调试监控步骤数次（即针对再次校准得到的实际流量，计算偏差值，更改气体最大量程，匹配偏差范围），直至偏差值在我们设定的偏差区间内。

在校准过程中，会存在各种Error问题。UI系统监测到某项参数超过Setup中设定的阈值范围时会产生Error报警，本方法能够根据报警信号去找到对应的参数及UI系统中影响此参数的设定，并自动进行操作。报警信号与相关参数之间的对应关系，以及某一参数与影响该参数的元件之间的对应关系应预先储存入系统中，以便本发明根据报警信号寻找参数及相关元件。作为优选，按照参数对报警信号的影响程度进行分级设置，例如：影响报警信号1的参数有参数1、参数2……参数10，其中参数1~3的级别为第一级，参数4~8的级别为第二级，参数9、10的级别为第三级。影响报警信号2的参数有参数11、参数12……参数15，其中参数11~12的级别为第一级，参数13、14、15的级别为第二级。此外，影响各参数的元件按照其对参数的影响程度亦优选进行分级设置，例如，影响参数1的元件有元件1~元件5，其中元件1、2级别为第一级，元件2~5级别为第二级。参数和元件的具体分级均可以根据需要进行调整。当产生报警信号时，基于报警信号的标识（例如序号）访问与该报警信号相关的参数，按照从级别高到级别低的顺序依次访问各个参数并进行修改，当报警信号消失时则停止对参数的访问，当报警未消失时将修改后的参数恢复成原值后继续访问下一个参数进行修改。当各参数访问完后报警仍未消失，则按照参数顺序去访问影响各个参数的元件，在访问某个参数的元件时按照元件级别从高到低的顺序进行访问，当无法与元件通信（即无通信反馈信号）时，发出提醒工程师需要检查线路或更换元件。举例说明如下：例如在气体校准中，有单管气体的最大量程较大，在校准过程中流气时间由腔体参数设定中的某个值控制，因此可能导致流气过程中，腔体压力突破真空压力限定阈值。本方法会根据Error的发生源信号，逐个访问配合调试的参数及元件，自动修改影响校准步骤的参数阈值，减少气体校准的流气时间或者增加腔体压力真空限定阈值，当修改参数仍无法解决Error时，与元件通信，通过其反馈判断元件或线路是否损坏。本方法以智能化的方法优化设备调试的过程，简化人力劳动，提高设备调试的效率，以大大加快调试进程。

工艺调试监控步骤：工艺调试还是以工程师为主，但本步骤监控工艺调试中的各个参数并自动优化工艺菜单，从而起到极大的辅助作用。当需要新建一个新的工艺菜单时，只需要工程师自动放置一个花篮的晶圆在loadport（装载设备）中，本步骤自动传片进腔体运行新建的工艺菜单，同步监测各项工艺参数（包括工艺菜单中的设定参数和工艺运行过程中的中间和结果数据），若在工艺菜单运行中，有一项参数偏差值过大，本方法会自动停止工艺运行，同步更改工艺菜单中的参数数据直至工艺菜单稳定运行。具体实现方式为：控制UI系统中的Editor（编辑）界面，更改有问题的工艺菜单的参数并进行保存。更改参数时采用控制变量法，根据参数的重要性高低顺序依次变更单项工艺参数，变更的过程中其他工艺参数保持不变。如更改参数后工艺菜单仍未稳定运行时则将此项参数恢复原值后继续变更下一项工艺参数。作为优选，修改后的菜单提醒工程师验证，以提升安全性。若在某些Recipe（配比）中存在不合理情况（通常为产生Error时），例如Power系数全反射，本方法会逐步尝试改变Recipe参数以优化工艺菜单的健康度，例如：自动给Recipe需要改动的参数增加或减少一定的数值，然后再自动运行工艺程序，直至此工艺菜单在运作时，压力、流量、温度、功率反射系数等工艺参数的实际值与设定值的偏差小于5%（该阈值可以根据需要进行调整）。在单项片工艺调试时，在UI系统中输入当前的均一性及刻蚀速率（均一性及刻蚀速率目标数据已预先设定在UI系统中），本方法就会根据控制变量法，结合最重要的工艺参数反馈后续调试的方向。具体的，在其他工艺参数不变的情况下，本方法变更单项工艺参数，对比变更前后的刻蚀速率及均匀性，确定变更的此参数对刻蚀速率及均一性的影响，本例中，最重要的工艺参数为：1、主刻蚀气体流量大小对刻蚀速率影响最大。2、主副刻蚀气体配比对均一性影响较大。设定参数的重要性等级，变更时根据参数重要性等级先去修改最重要的参数。在单项片工艺调试中也会出现Recipe配比不合理的情况。例如，在工艺过程中腔体压力在波动过大，那么此时本系统会采用控制变量法修改工艺菜单中的参数，以将压力波动控制在合适范围内。以往在调试终点监控时，工程师会用一片需要抓取介质或金属的单项片，刻蚀它直至膜层被刻蚀殆尽，在此过程中，终点监控会抓取全部波长强度的变化，此为拉取全光谱，工程师需要人工计算后，最终新建一个终点抓取的工艺菜单。本方法则更为简单，无需工程师自己计算，在抓取全光谱完毕后，本方法会自动根据不同波长的曲线，选定此介质或者金属的波长，并且根据曲线的变化，计算出在工艺过程中的变换率：在多少秒时间内固定波长强度上升或下降的百分比及需要过刻的百分比，自动生成终点抓取的工艺菜单。根据验证前述生成的终点工艺菜单再次抓取终点，以验证该工艺菜单的正确性，当菜单不正确时，在曲线中选取介质或者金属的另一段波长，计算变换率，重新生成终点抓取的工艺菜单，并再次抓取终点进行验证，直至生成的工艺菜单正确。

生产制成监控步骤：当设备交付生产后，需以生产为第一要义。但当设备交付生产后，由于24h不间断运行工艺，或多或少会发生一些日常问题。为保生产顺利进行，需要设备工程师具有较强的解决问题的能力。本方法在解决硬件问题及非硬件问题方便均能给予足够的助力，并能监控各个设备状态。本发明针对静电吸附盘吸附失败问题进行如下监控及处理：在设备生产过程中，由于长时间不间断运行，静电吸附盘表面的颗粒会逐步增加，会导致经常性的吸附失败。本方法监控生产制程步骤中的各个参数，当监控到出现此类问题时，会自动统计数据，在达到必要开腔条件下，提醒PM（腔体）团队开腔，在未达到必要开腔条件，本方法会自动Retry（重试）静电吸附。具体地说，开腔条件包括：1、统计的晶圆数量是否达到设定数量，即在上一次报警到本次报警期间，跑过的片子数量都会叠加记录，2、RF（射频）统计时间是否达到设定时长，打过多少时间的射频功率也会叠加记录开腔的条件。两个开腔条件满足其一则提醒开腔。开腔条件中，RF统计时间优先级更高，首先判断该条件是否满足。在生产制成过程中，本方法始终监控是否达到开腔条件，当达到开腔条件时无论静电吸附是否正常，都提醒开腔，提示PM团队清洗腔体或更换配件。待这次问题片工艺结束后，根据本次生产的重要程度自动选择运行相应的长时间清洗程序。本例中，重要程度分为普通、紧急及特急三种，分别对应的本方法的清洗时长为30min、10min及5min。在建立生产程序时即可选择此这批晶圆加工的具体重要程度。清洗程序为可选功能，工程师可以选择需要或者不需要运作该项功能。在后续工艺中观测膜层对应波长的变换幅度确定目前腔体的状态。比如说，在设备工艺运行中，突然报出一个Over Temp（过热）警报，但实际温度在稳定范围内，对工艺的运行没有影响，大概率是脱线的问题，按照以往出现的Error会直接阻止工艺运行。本方法基于警报数据，判断实际温度参数在稳定范围内时，直接将阻止工艺运行的警报类型由Error（错误）更改为Warning（警告），让工艺继续完成。待工艺结束后，再变更为红色警报（Error），并提醒设备工程师去检查接线端问题。诸如此类，本方法能以更加智能化、人性化的平衡点去衡量生产与设备的关系，既能确保生产的交期，也能大大减少设备端的压力。

Trouble Shooting（故障排除）步骤：在帮助设备工程师解决设备问题时，本方法也能给出足够多的助力，当需要解决硬件问题时，本方法发送通信信号控制UI系统，通过发送控制信号逐个访问疑似问题备件的前端控制板，确定控制板的控制信号的通讯是否存在问题，如果存在控制板信号问题，即当某块控制板未能反馈正常通讯信号时，即判断为损坏的电路板，由此实现故障电路板的精确定位。如若需要排除的故障为非硬件问题，本方法会自行考量Error描述，适当放宽腔体设置参数（根据前述Error与参数的对应关系逐个放宽腔体参数）直至问题消失，基本无需设备工程师介入，就能将问题解决。放宽腔体设置参数的具体实现方式为：将UI系统Setup专项中该参数的Soft/Hard Tolerance（软件/硬件参数阈值，达到或超过阈值即报警，其中软件问题报警类型为warning，硬件问题报警类型为error）值改大，或者Timeout（时间超限）值改大。

相应的，本发明还提供了Etch设备自动监控和故障解决系统，通过软件技术实现，与UI系统进行通信，并能够控制UI系统操作，包括设备调试监控模块、工艺调试监控模块、生产制成监控模块、故障排除模块，其中设备调试监控模块用于实现Etch设备自动监控和故障解决方法中设备调试监控步骤中的具体功能，工艺调试监控模块用于实现Etch设备自动监控和故障解决方法中工艺调试监控步骤中的具体功能，生产制成监控模块用于实现Etch设备自动监控和故障解决方法中生产制成监控步骤中的具体功能，故障排除模块用于实现Etch设备自动监控和故障解决方法中故障排除步骤中的具体功能。

需要说明的是，以上内容仅仅说明了本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰均落入本发明权利要求书的护范围之内。

Claims (10)

1.一种Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，包括如下步骤：

设备调试监控步骤，包括：

监控设备完整校准过程中的各项数据，根据气体校准后得到的数据计算偏差值，当偏差值超出预先设定的偏差范围时，发送指令至UI系统更改腔体安装设定，随后发送指令至UI系统重新开始校准；重复调试监控步骤，直至偏差值在预先设定的偏差范围内；

当监控到UI系统产生Error报警时，根据报警信号获取对应的参数及UI系统中影响此参数的元件，根据Error的发生源信号逐个访问配合调试的参数并进行修改，当报警信号消失时停止对参数的访问，当报警未消失时将修改后的参数恢复原值继续修改下一个参数，当全部参数访问完毕但报警信号仍未消失时访问影响参数的元件，当无法与元件通信时，发出提醒；

工艺调试监控步骤，包括：

放置晶圆在装载设备中，传送晶圆进腔体运行新建的工艺菜单，同步监测各项工艺参数，如有参数偏差值过大时停止工艺运行，同步控制UI系统更改工艺菜单中的参数数据直至工艺菜单稳定运行；更改参数时采用控制变量法；

监控调试终点，抓取需要抓取介质或金属的单项片刻蚀过程中全部波长强度的变化，根据不同波长的曲线，选定此介质或者金属的波长，并根据曲线变化计算工艺过程中的变换率，生成终点抓取的工艺菜单；

生产制成监控步骤，包括：

针对生产制成过程进行监控，当达到必要开腔条件时，发出开腔提醒；当出现问题时获取工艺相关数据，并进行相应处理：

当静电吸附盘出现吸附失败时，判断当达到必要开腔条件时，发出开腔提醒，当未达到必要开腔条件，自动重试静电吸附；待问题片工艺结束后，能够选择清洗程序进行清洗，清洗程度的时长与本次生产的重要程度相对应；并在后续工艺中观测膜层对应波长的变换幅度确定目前腔体的状态，当设备工艺运行中出现过热警报时，判断当实际温度参数在稳定范围内时，将警报类型由Error更改为Warning，让工艺继续完成；待工艺结束后，再将警报类型变更为Error，并发出检查接线端提醒；

故障排除步骤，包括：

当需解决硬件问题时，发送通信信号控制UI系统，通过发送控制信号逐个访问疑似问题备件的前端控制板，判断未能反馈正常通讯信号的控制板为损坏的控制板，实现故障控制板的精确定位；

当需解决非硬件问题时，获取Error描述信息，并放宽腔体设置参数。

2.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述工艺调试监控步骤中同步控制UI系统更改工艺菜单中的参数数据的过程包括：控制UI系统中的Editor界面，更改有问题的工艺菜单的参数并进行保存。

3.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，报警信号与相关参数之间的对应关系，参数与影响该参数的元件之间的对应关系预先储存；参数和元件均具有分级设置，当设备调试监控步骤中产生报警信号时，按照从级别高到级别低依次访问参数并进行修改，当报警信号消失时则停止对参数的访问，当报警未消失时继续访问下一个参数进行修改；当各参数访问完后报警仍未消失，则按照从级别高到级别低依次访问影响各个参数的元件，当无法与元件通信时，发出提醒。

4.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述工艺调试监控步骤中，当工艺菜单中配比存在异常时，改变配比参数，再自动运行工艺程序，直至此工艺菜单运作时各工艺参数的实际值与设定值的偏差小于阈值。

5.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述工艺调试监控步骤中控制变量法的实现过程包括：根据参数的重要性高低顺序依次变更单项工艺参数，其他工艺参数保持不变。

6.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述工艺调试监控步骤中工艺过程中的变换率为：在一定时间内固定波长强度上升或下降的百分比及需要过刻的百分比。

7.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述工艺调试监控步骤中根据终点抓取的工艺菜单再次抓取终点验证工艺菜单的正确性，当工艺菜单不正确时，在曲线中选取介质或者金属的另一段波长，计算变换率，重新生成终点抓取的工艺菜单，重复抓取终点、生成工艺菜单、进行验证，直至生成的工艺菜单正确。

8.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述生产制成监控步骤中开腔条件为，满足以下条件中的至少一条：晶圆统计数量达到设定数量，RF统计时间达到设定时长。

9.根据权利要求1所述的Etch设备自动监控和故障解决方法，其特征在于，所述故障排除步骤中放宽腔体设置参数的过程包括：增大UI系统Setup专项中该参数的Soft/HardTolerance值，或者增大Timeout值。

10.一种Etch设备自动监控和故障解决系统，与UI系统进行通信，并能够控制UI系统操作，其特征在于，包括：设备调试监控模块、工艺调试监控模块、生产制成监控模块、故障排除模块，分别用于实现权利要求1-9中任意一项所述的Etch设备自动监控和故障解决方法中设备调试监控步骤、工艺调试监控步骤、生产制成监控步骤、故障排除步骤。