CN117721524A - 一种单晶炉石墨坩埚提升装置 - Google Patents

一种单晶炉石墨坩埚提升装置 Download PDF

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Abstract

本发明属于石墨坩埚提升技术领域,具体的说是一种单晶炉石墨坩埚提升装置,包括炉体顶端固接的顶板,顶板的上表面设置有驱动组件,驱动组件包括第二电机,第二电机为双轴电机;固接在第二电机两个输出端的第一锥齿轮;固接在炉体内壁两侧的导轨;以及每个导轨内均转动设置有螺杆,每个螺杆靠近第一锥齿轮的一端均固接有第二锥齿轮,第二锥齿轮与第一锥齿轮相啮合,每个螺杆的螺纹面均螺纹转动连接有滑块,滑块的内部设置有夹持组件,夹持组件包括滑动设置在滑块内部的限位环,限位环用于夹取石墨坩埚,通过设置驱动组件与夹持组件的配合,解决了石墨坩埚通常比较重,操作过程较为复杂,且不易操作,且耗费时间多,从而导致生产效率低的问题。

Description

一种单晶炉石墨坩埚提升装置
技术领域
本发明属于石墨坩埚提升技术领域,具体的说是一种单晶炉石墨坩埚提升装置。
背景技术
硅单晶生产的第一道工序为单晶体的拉坯,而拉坯使用的主要加工装置为单晶炉,单晶炉是一种在惰性气体环境中,通过加热器将多晶硅等材料进行熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
在使用单晶炉进行生产硅单晶时,首先由工作人员先在石墨坩埚中加入所需要的单晶硅锭,然后再加入多晶硅原料,再将石墨坩埚放置进单晶炉中,在放置完成后,然后进行加热生产形成硅单晶,完成生产后,由工作人员使用耐高温的夹具将石墨坩埚从单晶炉中取出,等其冷却后再从石墨坩埚中取出生成的硅单晶产物。
上述方案在实际运用中还存在一些问题,由工作人员将单晶硅锭放进石墨坩埚内后,再将多晶硅原料放置进石墨坩埚内,然后再由工作人员将石墨坩埚平稳的放置进单晶炉内,进行加热获取硅单晶,但是硅单晶在生产的过程中,需要控制其生长区域的温度分布,上述方案并没有调节石墨坩埚的受热方向,未对硅单晶生长区域的温度进行控制,导致硅单晶拉坯时,部分位置出现不规则的情况,不能够形成圆周面光滑的梭形硅单晶柱体,导致无法进行后续的切片等加工流程。
为此,本发明提供一种单晶炉石墨坩埚提升装置。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,包括炉体,所述炉体的顶端固接有顶板,所述顶板的上表面设置有驱动组件,所述驱动组件包括第二电机,所述第二电机为双轴电机;
固接在第二电机两个输出端的第一锥齿轮;
固接在炉体内壁两侧的导轨;
以及每个所述导轨内均转动设置有螺杆,每个所述螺杆靠近第一锥齿轮的一端均固接有第二锥齿轮,所述第二锥齿轮与第一锥齿轮相啮合,每个所述螺杆的螺纹面均螺纹转动连接有滑块,所述滑块的内部设置有夹持组件,所述夹持组件包括滑动设置在滑块内部的限位环,所述限位环用于夹取石墨坩埚。
优选的,每个所述滑块的上表面均固接有电推杆,所述电推杆的输出端固接有导向块,所述导向块远离电推杆的一端与限位环滑动连接。
优选的,所述滑块的内部开设有滑槽,所述滑槽呈“T”形,所述导向块沿着滑槽滑动。
优选的,所述导向块靠近滑块的一端开设有第一腔体,所述第一腔体内壁固接有若干个弹簧,若干个所述弹簧远离第一腔体内壁的一端均与限位环固接。
优选的,所述导向块的上表面固接有挡板,所述挡板呈半圆形。
优选的,所述炉体的底端固接有底板,所述底板的上表面设置有限位组件,所述限位组件包括固接在底板上表面的若干个固定柱,若干个所述固定柱的上表面固接有同一个定位盘;
固接在定位盘上表面的若干个支撑架,每两个所述支撑架之间转动连接有转动轴;
套设在转动轴圆周面的扭簧,所述扭簧的两端与两个支撑架固接;
转动轴的圆周面上转动连接有限位架,所述限位架呈“√”形。
优选的,所述底板的上表面固接有若干个固定架,每两个所述固定架之间转动连接有转动管,所述转动管的圆周面上固接有固定管,所述固定管内滑动连接有连接管,所述连接管远离固定管的一端转动连接有连接架,所述连接架与限位架固接,所述限位架的两侧均开设有若干个出气孔,所述出气孔用于喷出惰性气体。
优选的,每个所述限位架彼此靠近的一侧均开设有第一槽体,所述第一槽体内转动设置有清洁辊,所述清洁辊为耐高温材料,用于清理石墨坩埚的外壁,所述底板的底面设置有第一电机,所述第一电机的输出端转动贯穿底板,所述第一电机的输出端固接有转动盘。
优选的,所述转动盘的上表面开设有若干个固定条,若干个所述固定呈矩形阵列分布,所述固定条用于增大石墨坩埚与转动盘之间的摩擦力。
优选的,所述顶板的下方固接有隔板,所述隔板的中部设置有密封的电控板,所述电控板为耐高温隔热板,所述炉体的一侧转动连接有闭合门,所述闭合门的中部固接的是透明玻璃。
本发明的有益效果如下:
1.本发明所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,通过设置的驱动组件和夹持组件的配合使用,完成对石墨坩埚进行夹取和提升,从而达到能够控制石墨坩埚进行一定的角度微调,使其受热均匀,从而能够更好的生产出高质量的硅单晶。
2.本发明所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置通过清洁辊的设置,在对石墨坩埚圆周面的进行清理时,能够同时使石墨坩埚接受惰性气体进行降温时,能够更充分的附着在石墨坩埚的圆周面,使其内外温差不会太大,避免石墨坩埚出现裂痕或损坏。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明实施例一的立体图;
图2是本发明限位组件的工作状态结构示意图;
图3是本发明限位组件的初始状态结构示意图;
图4是本发明图3的A处放大图;
图5是本发明驱动组件的结构示意图;
图6是本发明螺杆的结构示意图;
图7是本发明夹持组件的结构示意图;
图中:1、炉体;
2、底板;21、第一电机;22、转动盘;23、固定槽;24、固定柱;25、定位盘;26、固定架;27、转动管;28、固定管;29、连接管;210、连接架;211、限位架;212、出气孔;213、支撑架;214、扭簧;215、转动轴;216、第一槽体;217、清洁辊;
3、闭合门;31、顶板;32、导轨;33、第二电机;34、第一锥齿轮;35、第二锥齿轮;36、螺杆;37、滑块;38、电推杆;39、挡板;310、限位环;311、滑槽;312、导向块;313、第一腔体;314、弹簧;
4、隔板;41、电控板。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
实施例一
如图1至图7所示,本发明实施例所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,该单晶炉包括炉体1,炉体1内设置有石墨坩埚提升装置,该提升装置包括炉体1顶端固接的顶板31,顶板31的上表面设置有驱动组件,驱动组件包括第二电机33,第二电机33为双轴电机;固接在第二电机33两个输出端的第一锥齿轮34;固接在炉体1内壁两侧的导轨32;以及每个导轨32内均转动设置有螺杆36,每个螺杆36靠近第一锥齿轮34的一端均固接有第二锥齿轮35,第二锥齿轮35与第一锥齿轮34相啮合,每个螺杆36的螺纹面均螺纹转动连接有滑块37,滑块37的内部设置有夹持组件,夹持组件包括滑动设置在滑块37内部的限位环310,通过驱动两个限位环310相互靠近能够夹取石墨坩埚。
具体的,在生产硅单晶之前,首先由工作人员先将单晶硅锭放进石墨坩埚内,再将多晶硅原料放置进石墨坩埚内,然后再由工作人员将石墨坩埚平稳的放置进单晶炉内,然后进行加热获取硅单晶,但是硅单晶在生产的过程中,需要控制其生长区域的温度分布,现有生产中,并没有调节石墨坩埚的受热方向,未对硅单晶生长区域的温度进行控制,导致硅单晶拉坯时,部分位置出现不规则的情况,不能够形成圆周面光滑的梭形硅单晶柱体,导致无法进行后续的切片等加工流程,并且石墨坩埚通常比较重,工作人员对其进行转动时十分的吃力,从而导致受热角度调节不到位生产出瑕疵品的问题;
因此本发明设置提升装置,来辅助工作人员对石墨坩埚进行微调,进而更好的控制石墨坩埚受热,首先通过启动设置在顶板31上表面的第二电机33,第二电机33为双轴电机,因此第二电机33会带动其两个输出端固接的第一锥齿轮34进行转动,同时在导轨32内转动设置的螺杆36也会转动,因为螺杆36顶端固接的第二锥齿轮35与第一锥齿轮34相啮合,从而达到第一锥齿轮34带动第二锥齿轮35转动,第二锥齿轮35带动螺杆36进行转动的效果,螺杆36是在导轨32内进行自转,此时在螺杆36圆周面螺纹转动连接的滑块37在螺杆36的转动下,会沿着导轨32向下移动,从而抵达最底端,然后通过滑块37上滑动的限位环310对石墨坩埚进行夹取,因为两个导轨32内均设置有螺杆36,所以在两个螺杆36圆周面上的滑块37会同时抵达底端,实现两个限位环310的配合对石墨坩埚进行夹取,然后进行提升工作,再由工作人员进行轻微的转动调节,从而使石墨坩埚受热均匀,达到快速调节的效果,从而提高生产效率,并且一定程度上提高硅单晶的生产质量,解决了石墨坩埚通常比较重,操作过程较为复杂,且不易操作,且耗费时间多,从而导致生产效率低的问题。
如图6和图7所示,每个滑块37的上表面均固接有电推杆38,电推杆38的输出端固接有导向块312,导向块312远离电推杆38的一端与限位环310滑动连接。
具体的,当滑块37通过螺杆36的转动和导轨32的限位下,滑动至石墨坩埚的锅沿下方时,通过启动电推杆38,电推杆38会推动其输出端的导向块312在滑块37内部向着石墨坩埚的方向进行滑动,直至两个限位环310与石墨坩埚抵接,达到对石墨坩埚进行夹住的效果,然后再通过启动第二电机33带动螺杆36反转,从而将石墨坩埚提升起来,达到方便工作人员旋转微调石墨坩埚的效果。
如图7所示,滑块37的内部开设有滑槽311,滑槽311呈“T”形,导向块312沿着滑槽311滑动,滑块37也呈“T”形,然后滑块37沿着导轨32的“T”形轨道进行滑动。
具体的,电推杆38推着导向块312向着石墨坩埚的方向移动时,为了使限位环310的移动更加稳定,因此将导向块312和滑槽311设置为“T”形,在导向块312被电推杆38推动时,再经过“T”形滑槽311的辅助滑动,从而达到使导向块312稳定前进的效果好,进而更好的对石墨坩埚进行夹持,并且滑块37与导轨32也是“T”形,螺杆36带动滑块37向下移动时,“T”形导轨32使滑块37的下降更加稳定,滑块37防止其发生偏移。
如图7所示,导向块312靠近滑块37的一端开设有第一腔体313,第一腔体313内壁固接有若干个弹簧314,若干个弹簧314远离第一腔体313内壁的一端均与限位环310固接。
具体的,在电推杆38推动导向块312向前滑动时,当限位环310与石墨坩埚接触时,会向后挤压导向块312与限位环310之间固接的弹簧314,然后使限位环310向第一腔体313内缩进一段距离,然后使弹簧314有一个的反向作用力施加到石墨坩埚上,从而使电推杆38驱动的限位环310能够更好的对坩埚进行夹住。
如图6和图7所示,导向块312的上表面固接有挡板39,挡板39呈半圆形。
具体的,在导向块312上表面还固接有挡板39,在导向块312向石墨坩埚方向移动的过程中能够带动挡板39也向着石墨坩埚方向移动,然后限位环310会先与石墨坩埚抵接,限位环310抵接石墨坩埚后会缩进第一腔体313内,然后挡板39会继续向前移动,直到两个挡板39抵接,形成一个完成的圆,遮挡住石墨坩埚的上表面,从而减缓石墨坩埚内部的温度流失。
实施例二
如图1至图5所示,对比实施例一,其中本发明的另一种实施方式为:炉体1的底端固接有底板2,底板2的上表面设置有限位组件,限位组件包括固接在底板2上表面的若干个固定柱24,若干个固定柱24的上表面固接有同一个定位盘25;固接在定位盘25上表面的若干个支撑架213,每两个支撑架213之间转动连接有转动轴215;套设在转动轴215圆周面的扭簧214,扭簧214的两端与两个支撑架213固接;转动轴215的圆周面上转动连接有限位架211,限位架211呈“√”形。
具体的,在将单晶硅锭和多晶硅材料放入石墨坩埚内后,通过工作人员将其放置在炉体1内底板2的定位盘25上,当石墨坩埚的底面与每个限位架211彼此靠近的一端抵接时,然后继续向下放置石墨坩埚,会让石墨坩埚向下挤压若干个限位架211,然后使限位架211转动,从而使限位架211的竖直端与石墨坩埚的圆周面抵接,当石墨坩埚完成硅单晶的生成后,通过提升装置将其向上提升后,限位架211通过在其中部转动设置的扭簧214,使其恢复成如图3所示的状态,这样的设置能够对石墨坩埚进行一定的限位,使其放置进炉体1内的过程中,不会发生偏移,从而使石墨坩埚内的单晶硅锭始终保持一定的形状进行排列,从而使生成的硅单晶形状也会更加稳定。
如图3和图4所示,底板2的上表面固接有若干个固定架26,每两个固定架26之间转动连接有转动管27,转动管27的圆周面上固接有固定管28,固定管28内滑动连接有连接管29,连接管29远离固定管28的一端转动连接有连接架210,连接架210与限位架211固接,限位架211的两侧均开设有若干个出气孔212,出气孔212用于喷出惰性气体。
具体的,在石墨坩埚完成硅单晶的生产后,通过夹持组件对其夹取后,只需要等其冷却后,然后通过螺杆36带动滑块37将石墨坩埚提升一定高度,再由工作人员将其取出,为了使其更快的冷却,在夹持组件将其夹持后,两块半圆形的挡板39会将石墨坩埚的上表面挡住,与此同时,通过设置在底板2上表面的若干个固定架26,固定架26与底板2内部的惰性气体管道相连,从而向固定架26内通入惰性气体,然后惰性气体会沿着两个固定架26之间转动连接的转动管27流向固定管28内,再通过连接管29流进连接架210,然后通入限位架211内,然后会从而限位架211两侧的若干个出气孔212中喷出,使其能够在石墨坩埚的表面附着从而对石墨坩埚进行降温,惰性气体是较为温和的气体介质,从而比直接通入冷风更好,而且可以循环利用,并且因为石墨坩埚的上表面由两个挡板39封闭,从而不会使石墨坩埚的内外温差过大,达到更快的降温效果,缩减其冷却的时间,加快生产速度。
如图4所示,每个限位架211彼此靠近的一侧均开设有第一槽体216,第一槽体216内转动设置有清洁辊217,清洁辊217为耐高温材料,用于清理石墨坩埚的外壁,底板2的底面设置有第一电机21,第一电机21的输出端转动贯穿底板2,第一电机21的输出端固接有转动盘22。
具体的,在石墨坩埚完成生产工作后,在石墨坩埚的表面会附着有一些杂质,从而可能会影响石墨坩埚后续的使用,因此启动底板2下方的第一电机21,第一电机21会带动其输出端的转动盘22进行转动,从而带动转动盘22上抵接的石墨坩埚,石墨坩埚转动后,在限位架211靠近石墨坩埚的一侧的第一槽体216内均转动设置一清洁辊217,然后清洁辊217能够被动的清理石墨坩埚的圆周面,从而达到延长石墨坩埚的使用寿命,以便石墨坩埚更长久的使用。
如图2所示,转动盘22的上表面开设有若干个固定条23,若干个固定呈矩形阵列分布,固定条23用于增大石墨坩埚与转动盘22之间的摩擦力。
具体的,在转动盘22带动石墨坩埚进行转动后,为了防止石墨坩埚打滑,因此在转动盘22的上表面固接有若干个固定条23,固定条23的表面设置有防滑纹,用于增大石墨坩埚与转动之间的摩擦,从而更好的带动石墨坩埚,在带动石墨坩埚转动的同时不仅能够通过清洁辊217能够对石墨坩埚的圆周面进行清洁,还可以使惰性气体对石墨坩埚的圆周面更好的覆盖,使惰性气体包裹石墨坩埚的圆周面,从而对其更好的进行降温。
如图1所示,顶板31的下方固接有隔板4,隔板4的中部设置有密封的电控板41,电控板41为耐高温隔热板,炉体1的一侧转动连接有闭合门3,闭合门3的中部固接的是透明玻璃。
具体的,在未使用提升装置时,滑块37位于隔板4与顶板31之间,隔板4为隔热材质,然后在需要使用滑块37下降时,启动第二电机33带动螺杆36转动使滑块37下移的同时,控制电控门打开,将滑块37和夹持组件放下,然后再关闭电控门,然后不使用滑块37和夹持组件时,在将其升至隔板4的上方,防止炉体1的加热区温度过度蔓延到隔板4的上方,仅通过导轨32传导一定的热量,大部分温度被隔板4阻挡,从而更好的保护挡板39和限位环310,以便长久使用,然后在石墨坩埚完成降温后,工作人员打开闭合门3将石墨坩埚取出,然后完成收集硅单晶的工作。
工作原理,在生产硅单晶之前,首先由工作人员先将单晶硅锭放进石墨坩埚内,再将多晶硅原料放置在炉体1内底板2的定位盘25上,当石墨坩埚的底面与每个限位架211彼此靠近的一端抵接时,然后继续向下放置石墨坩埚,会让石墨坩埚向下挤压若干个限位架211,然后使限位架211转动,从而使限位架211的竖直端与石墨坩埚的圆周面抵接,当石墨坩埚完成硅单晶的生成后,通过提升装置将其向上提升后,限位架211通过在其中部转动设置的扭簧214,使其恢复成如图3所示的状态,这样的设置能够对石墨坩埚进行一定的限位,使其放置进炉体1内的过程中,不会发生偏移,从而使石墨坩埚内的单晶硅锭始终保持一定的形状进行排列,从而使生成的硅单晶形状也会更加稳定,然后再由工作人员将石墨坩埚平稳的放置进单晶炉内,然后进行加热获取硅单晶,但是硅单晶在生产的过程中,需要控制其生长区域的温度分布,
现有生产中,通常通过人工转动石墨坩埚来调节温度分布,这一方法的主要原理是通过先将单晶炉关停,然后人工旋转石墨坩埚来改变加热元件与石墨坩埚之间的相对位置,从而调整温度分布,但是石墨坩埚通常比较重,操作过程较为复杂,且不易操作,且耗费时间多,从而导致生产效率低的问题;因此本发明设置提升装置,来辅助工作人员对石墨坩埚进行微调,进而更好的控制石墨坩埚受热,首先通过启动设置在顶板31上表面的第二电机33,第二电机33为双轴电机,因此第二电机33会带动其两个输出端固接的第一锥齿轮34进行转动,同时在导轨32内转动设置的螺杆36也会转动,因为螺杆36顶端固接的第二锥齿轮35与第一锥齿轮34相啮合,从而达到第一锥齿轮34带动第二锥齿轮35转动,第二锥齿轮35带动螺杆36进行转动的效果,螺杆36是在导轨32内进行自转,此时在螺杆36圆周面螺纹转动连接的滑块37在螺杆36的转动下,会沿着导轨32向下移动,从而抵达最低端,然后通过滑块37上滑动的限位环310对石墨坩埚进行夹取,因为两个导轨32内均设置有螺杆36,所以在两个螺杆36圆周面上的滑块37会同时抵达底端,再通过启动电推杆38,电推杆38会推动其输出端的导向块312在滑块37内部向着石墨坩埚的方向进行滑动,直至两个限位环310与石墨坩埚抵接,实现两个限位环310的配合对石墨坩埚进行夹取,然后进行提升工作,再由工作人员进行轻微的转动调节,从而使石墨坩埚受热均匀,达到快速调节的效果,从而提高生产效率,并且一定程度上提高硅单晶的生产质量,解决了石墨坩埚通常比较重,操作过程较为复杂,且不易操作,且耗费时间多,从而导致生产效率低的问题。
同时在导向块312上表面还固接有挡板39,在导向块312向石墨坩埚方向移动的过程中能够带动挡板39也向着石墨坩埚方向移动,然后限位环310会先与石墨坩埚抵接,限位环310抵接石墨坩埚后会缩进第一腔体313内,然后挡板39会继续向前移动,直到两个挡板39抵接,形成一个完成的圆,遮挡住石墨坩埚的上表面,从而减缓石墨坩埚内部的温度流失,另外在石墨坩埚完成硅单晶的生产后,通过夹持组件对其夹取后,只需要等其冷却后,然后通过螺杆36带动滑块37将石墨坩埚提升一定高度,再由工作人员将其取出,为了使其更快的冷却,在夹持组件将其夹持后,两块半圆形的挡板39会将石墨坩埚的上表面挡住,与此同时,通过设置在底板2上表面的若干个固定架26,固定架26与底板2内部的惰性气体管道相连,从而向固定架26内通入惰性气体,然后惰性气体会沿着两个固定架26之间转动连接的转动管27流向固定管28内,再通过连接管29流进连接架210,然后通入限位架211内,然后会从而限位架211两侧的若干个出气孔212中喷出,使其能够在石墨坩埚的表面附着从而对石墨坩埚进行降温,惰性气体是较为温和的气体介质,从而比直接通入冷风更好,而且可以循环利用,并且因为石墨坩埚的上表面由两个挡板39封闭,从而不会使石墨坩埚的内外温差过大,达到更快的降温效果,缩减其冷却的时间,加快生产速度。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (10)

1.一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:该单晶炉包括炉体(1),所述炉体(1)的顶端固接有顶板(31),所述顶板(31)的上表面设置有驱动组件,所述驱动组件包括第二电机(33),所述第二电机(33)为双轴电机;
固接在第二电机(33)两个输出端的第一锥齿轮(34);
固接在炉体(1)内壁两侧的导轨(32);
以及每个所述导轨(32)内均转动设置有螺杆(36),每个所述螺杆(36)靠近第一锥齿轮(34)的一端均固接有第二锥齿轮(35),所述第二锥齿轮(35)与第一锥齿轮(34)相啮合,每个所述螺杆(36)的螺纹面均螺纹转动连接有滑块(37),所述滑块(37)的内部设置有夹持组件,所述夹持组件包括滑动设置在滑块(37)内部的限位环(310),所述限位环(310)用于夹取石墨坩埚。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:每个所述滑块(37)的上表面均固接有电推杆(38),所述电推杆(38)的输出端固接有导向块(312),所述导向块(312)远离电推杆(38)的一端与限位环(310)滑动连接。
3.根据权利要求2所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述滑块(37)的内部开设有滑槽(311),所述滑槽(311)呈“T”形,所述导向块(312)沿着滑槽(311)滑动,所述滑块(37)呈“T”形,所述滑块(37)沿着导轨(32)内壁进行滑动。
4.根据权利要求3所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述导向块(312)靠近滑块(37)的一端开设有第一腔体(313),所述第一腔体(313)内壁固接有若干个弹簧(314),若干个所述弹簧(314)远离第一腔体(313)内壁的一端均与限位环(310)固接。
5.根据权利要求3所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述导向块(312)的上表面固接有挡板(39),所述挡板(39)呈半圆形。
6.根据权利要求1所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述炉体(1)的底端固接有底板(2),所述底板(2)的上表面设置有限位组件,所述限位组件包括固接在底板(2)上表面的若干个固定柱(24),若干个所述固定柱(24)的上表面固接有同一个定位盘(25);
固接在定位盘(25)上表面的若干个支撑架(213),每两个所述支撑架(213)之间转动连接有转动轴(215);
套设在转动轴(215)圆周面的扭簧(214),所述扭簧(214)的两端与两个支撑架(213)固接;
转动轴(215)的圆周面上转动连接有限位架(211)。
7.根据权利要求6所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述底板(2)的上表面固接有若干个固定架(26),每两个所述固定架(26)之间转动连接有转动管(27),所述转动管(27)的圆周面上固接有固定管(28),所述固定管(28)内滑动连接有连接管(29),所述连接管(29)远离固定管(28)的一端转动连接有连接架(210),所述连接架(210)与限位架(211)固接,所述限位架(211)的两侧均开设有若干个出气孔(212),所述出气孔(212)用于喷出惰性气体。
8.根据权利要求6所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:每个所述限位架(211)彼此靠近的一侧均开设有第一槽体(216),所述第一槽体(216)内转动设置有清洁辊(217),所述清洁辊(217)为耐高温材料,用于清理石墨坩埚的外壁,所述底板(2)的底面设置有第一电机(21),所述第一电机(21)的输出端转动贯穿底板(2),所述第一电机(21)的输出端固接有转动盘(22)。
9.根据权利要求8所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述转动盘(22)的上表面开设有若干个固定条(23),若干个所述固定呈矩形阵列分布,所述固定条(23)用于增大石墨坩埚与转动盘(22)之间的摩擦力。
10.根据权利要求1所述的一种单晶炉石墨坩埚提升装置,其特征在于:所述顶板(31)的下方固接有隔板(4),所述隔板(4)的中部设置有密封的电控板(41),所述电控板(41)为耐高温隔热板,所述炉体(1)的一侧转动连接有闭合门(3),所述闭合门(3)的中部固接的是透明玻璃。
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