CN117715454A - 电子装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电子装置，其包括覆盖层以及可挠基板结构。覆盖层包括第一区域以及第二区域。可挠基板结构设置于覆盖层下并包括对应第一区域的第一部分以及对应第二区域的第二部分。覆盖层的第一区域的高斯曲率不同于覆盖层的第二区域的高斯曲率，且可挠基板结构的第一部分的蒲松比不同于可挠基板结构的第二部分的蒲松比。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种具有不同蒲松比的可挠基板结构的电子装置。
背景技术
近年来，电子装置已发展出具有可弯曲、可折叠或可拉伸的特性，使其得以应用在不同种类的物件上。然而，随着物件的外观设计需求不断的改变，物件的表面会包括具有不同高斯曲率的多个曲面，使得现有的电子装置不易设置在物件的曲面上，由其当电子装置贴附于物件的表面上时容易产生皱折。或者，即使可拉伸的电子装置能够设置于物件的曲面，其内部的元件容易受到损坏，以致于降低电子装置的可靠度或寿命。
发明内容
根据本发明的一些实施例，提供一种电子装置，其包括覆盖层以及可挠基板结构。覆盖层包括第一区域以及第二区域。可挠基板结构设置于覆盖层下并包括对应第一区域的第一部分以及对应第二区域的第二部分。覆盖层的第一区域的高斯曲率不同于覆盖层的第二区域的高斯曲率，且可挠基板结构的第一部分的蒲松比不同于可挠基板结构的第二部分的蒲松比。
附图说明
图1所示为本发明一些实施例的电子装置设置于物件上的立体示意图，
图2所示为本发明第一实施例的电子装置在尚未施加外力的情况下的俯视示意图，
图3所示为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图，
图4所示为本发明一些实施例的测量可挠基板结构的第一部分与第二部分的蒲松比的方法流程图，
图5到图9所示分别为制作电子装置的不同步骤的结构示意图，
图10所示为本发明第二实施例的电子装置中可挠基板结构的第二部分的俯视示意图，
图11所示为沿着图10的剖线B-B’的剖视示意图，
图12所示为本发明第三实施例的电子装置中可挠基板结构的第二部分的俯视示意图，
图13所示为本发明第四实施例的电子装置中的可挠基板结构的第二部分的俯视示意图，
图14所示为本发明第五实施例的电子装置中的可挠基板结构的俯视示意图，
图15所示为本发明第六实施例的电子装置的立体示意图，以及
图16所示为可挠基板结构对应图15的区域RA与区域RB的部分的放大示意图。
附图标记说明：1、6-电子装置；10-物件；10S1-侧面；10S2-转角表面；10S3-正面；12-覆盖层；14、214、314、414、514、614-可挠基板结构；141-块状结构；14L-中心线；14S-下表面；161-第一基板；162-第二基板；162a-拉胀材料层；162b-区段；162c-连接部；163-第三基板；18、26、30、34、38、44-绝缘层；18a、18b、26a、26b、30a、30b-绝缘区块；20-电路层；20T-晶体管；22-电子元件；24-半导体层；24a、A1、A2-半导体；28、32、36、42、58-导电层；28a、32a、32b、58E、E1、E2-电极；36a-下电极；40-发光层；40a-发光区块；42a-上电极；46-软性层；48-黏着层；50；50S-载板；上表面；52-导线；54-封装层；56-沟槽；AL-主动层；B1、B2-接合材料；CP、CP1、CP2-连接部分；D1-第一方向；D2-第二方向；G-闸极；L-直线；MP、MP1、MP2-主要部分；ND-法线方向；OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6-开口；P1-第一部分；P2-第二部分；P3-第三部分；PX-像素；R1-第一区域；R2-第二区域；R11、R21、RA、RB-区域；S1、S2-样品；S12、S14、S16、S18-步骤；SP1-第一子部分；SP2-第二子部分；SP3-第三子部分；TD-俯视方向；TH1、TH2、TH3-穿孔；x、y、z、D3、D4、D5-方向；α-夹角。
具体实施方式
下文结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词均为开放式词语，因此应被解释为“含有但不限定为…”之意。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表所述要求元件有任何之前的序数，也不代表某一要求元件与另一要求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，所述序数的使用仅用来使具有某命名的一要求元件得以和另一具有相同命名的要求元件能作出清楚区分。
以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。
此外，当元件或膜层被称为在另一元件或另一膜层上或之上，或是被称为与另一元件或另一膜层连接时，应被了解为所述的元件或膜层是直接位于另一元件或另一膜层上，或是直接与另一元件或膜层连接，也可以是两者之间存在有其它的元件或膜层(非直接)。但相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，则应被了解两者之间不存在有插入的元件或膜层。此外，用语“电性连接”或“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
于文中，“约”、“实质上”、“大致”或“相同”的用语通常表示在一给定值的20％之内、10％之内、5％之内、3％之内、2％之内、1％之内、或0.5％之内的范围。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“实质上”、“大致”或“相同”的情况下，仍可隐含“约”、“实质上”、“大致”或“相同”的含义。
应理解的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将多个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其它实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
于本发明中，长度、厚度、宽度与高度的测量方式可采用光学显微镜(opticalmicroscope,OM)、电子显微镜(例如扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM))或其它方式测量而得，但不以此为限。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
本发明的电子装置可为可弯曲(bendable)、可拉伸(stretchable)及/或可挠(flexible)电子装置，但不限于此。电子装置可例如包括发光装置、感测装置、显示装置、天线装置、触控装置(touch device)、拼接装置或其他合适的电子装置，但不以此为限。显示装置可例如应用于笔记本电脑、公共显示器、拼接显示器、车用显示器、触控显示器、电视、监视器、智能手机、平板电脑、光源模块、照明设备或例如为应用于上述产品的电子装置，但不以此为限。感测装置可例如为用于侦测电容变化、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。感测装置可例如包括生物传感器、触控传感器、指纹传感器、其他适合的传感器或上述类型的传感器的组合。显示装置可例如包括发光二极管、荧光材料(fluorescentmaterial)、磷光(phosphor)材料、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微毫米发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot,QD，可例如为QLED、QDLED)或其它适合的材料或上述材料的任意排列组合，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线或其它种类的天线类型，但不以此为限。拼接装置可例如包括拼接显示装置或拼接天线装置，但不以此为限。此外，电子装置的外型可例如为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状、曲面(curved)或其它适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统。电子装置可包括电子元件，其中电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管、传感器等。须注意的是，本发明的电子装置可为上述装置的各种组合，但不以此为限。下文与附图的电子装置以具有显示功能的电子装置为例说明本发明内容，但本发明不以此为限。
请参考图1至图3，图1所示为本发明一些实施例的电子装置设置于物件上的立体示意图，图2所示为本发明第一实施例的电子装置在尚未施加外力的情况下的俯视示意图，图3所示为本发明第一实施例的电子装置的剖视示意图。图3可例如为图2沿着剖线A-A’的剖视示意图。为了简化附图，图3示出了电子装置1的部分膜层和元件，但不以此为限。如图1所示，本发明的电子装置1所设置的物件10的表面可具有不同的高斯曲率(Gaussiancurvature)，且电子装置1可用于设置于物件10的表面上。本文中所述“设置”可表示电子装置1以组装、贴附、卡合、锁固或其他类似的方式固定于物件10的表面上，而“组装质量”可代表电子装置设置于物件10的表面上的服贴程度或其他类似的质量程度，但不以此为限。
在图1的实施例中，物件10可具有至少两个彼此相连的表面(例如侧面10S1与相邻于多个表面的转角表面10S2)，且此至少两个表面可分别具有不同的高斯曲率。图1的物件10以行动装置的电源装置为例，物件10的表面可包括正面10S3、多个侧面10S1以及多个转角表面10S2，其中正面10S3可与每个侧面10S1连接，且转角表面10S2可连接于两个相邻侧面10S1之间并与正面10S3连接，但不限于此。
在图1中，转角表面10S2的高斯曲率可不同于正面10S3及/或侧面10S1的高斯曲率。举例来说，正面10S3及/或侧面10S1的高斯曲率可为0，且转角表面10S2的高斯曲率可大于0，但不限于此。在一些实施例中，正面10S3及/或侧面10S1的高斯曲率也可大于0，在此情况下，转角表面10S2的高斯曲率可大于正面10S3及/或侧面10S1的高斯曲率。在一些实施例中，物件10的表面的数量以及对应的高斯曲率可依据物件10的外观需求来调整，且不以上述为限。在一些实施例中，电子装置1设置于物件10上而可形成例如包括交通工具的仪表板、中控台、车窗及/或挡风玻璃、穿戴式装置、移动式装置或其他合适的装置。穿戴式装置可例如包括手表、手环、眼镜或其他合适的装置。移动式装置可例如包括手机或其他合适的装置。
本发明所称的高斯曲率的获取方式可例如为利用扫描设备与3D分析软件(例如，Geomagic Design X 3D或其他适合的软件，但不限于此)，将物件10的表面(例如，正面10S3、侧面10S1与转角表面10S2)进行扫描并建立3D模型，分析后可得到物件10外观的客观的高斯曲率数值。
本发明另提供判定高斯曲率为正数、负数或0的方法。高斯曲率为正数的曲面可能呈现类似于球面或是突出形状，而高斯曲率为负数的曲面可能呈现类似于马鞍状或凹陷的形状，高斯曲率为0的表面可能呈现类似于平面或圆柱面。所述方法是在曲面上任意取非共线的三点连线成三角形，再判定所述三角形的内角和是否大于180度、等于180度或是小于180度。当曲面的高斯曲率为正数时，三角形的内角和将会大于180度。当曲面的高斯曲率为负数时，三角形的内角和将会小于180度。当表面的高斯曲率为0时，三角形的内角和将会等于180度。值得注意的是，三角形的内角和等于180度正负5度(180°±5°)的误差范围内，都可以是高斯曲率为0的状况，但不限于此。
本发明中另一个判定高斯曲率的方法，可在曲面上任取一个点，其中点具有相互垂直的两个方向向量，分别具有一曲率，其中曲面的高斯曲率即是两个方向向量的曲率的乘积。当两个方向向量的曲率均为正数，因此两个方向向量的曲率的乘积也是正数。当其中一个方向向量对应的曲线与其中另一个方向向量对应的曲线朝相反弯曲时，两个方向向量的曲率的乘积为负数。当两个方向向量的曲率的其中一个为0时，两个方向向量的曲率的乘积为0。以此类推，其他形状的曲面也可通过上述方式来判定高斯曲率，在此不再赘述。
在图1的实施例中，正面10S3与侧面10S1之间的连接可从由方向x与方向y所构成的平面延伸到由方向x与方向z所构成的平面以及由方向y与方向z所构成的平面，因此正面10S3邻近侧面10S1的部分与侧面10S1邻近正面10S3的部分可为以方向x或方向y为弯曲轴弯曲的圆弧曲面，而其高斯曲率为0，但本发明不以此为限。
如图2与图3所示，电子装置1可包括覆盖层12以及可挠基板结构14。覆盖层12可包括第一区域R1以及第二区域R2，且覆盖层12的第一区域R1的高斯曲率可不同于覆盖层12的第二区域R2的高斯曲率。可挠基板结构14可设置于覆盖层12下并包括对应第一区域R1的第一部分P1以及对应第二区域R2的第二部分P2。可挠基板结构14的第一部分P1的蒲松比(Poisson’s ratio)可不同于可挠基板结构14的第二部分P2的蒲松比。通过不同蒲松比的设计，可提升电子装置1与物件10的组装质量，例如电子装置1可较服贴于物件10具有不同高斯曲率的至少两个表面(例如，侧面10S1(或正面10S3)与转角表面10S2)上。以此，可降低或避免电子装置1在设置于物件10的表面上时所产生的皱折或不平整，或者，可提升电子装置1的可靠度或寿命。在电子装置1具有显示功能的范例中，电子装置1可较服贴于物件10的转角侧面10S2与侧面10S1(或转角侧面10S2、侧面10S1和正面10S3)上，而电子装置1可对应于物件10的转角侧面10S2与侧面10S1(或转角侧面10S2、侧面10S1和正面10S3)处降低显示出不连续或不完整的影像的几率，从而可提升视觉效果。需说明的是，覆盖层12的第一区域R1与第二区域R2也可分别表示为电子装置1的第一区域R1与第二区域R2。另外，本文中可挠基板结构14包括“对应区域的部分”可表示在可挠基板结构14的法线方向ND上，可挠基板结构14的“部分”重叠于或至少部分重叠于覆盖层12的“区域”，换言之，本实施例的第一部分P1可重叠于第一区域R1，且第二部分P2可重叠于第二区域R2，但不以此为限。用语“对应”的定义可应用到本发明下述各实施例中，因此不再赘述。在本实施例中，测量或获取覆盖层12的第一区域R1的高斯曲率以及覆盖层12的第二区域R2的高斯曲率的方法可参考前述，测量覆盖层12的第一区域R1以及覆盖层12的第二区域R2中远离可挠基板结构14的外表面12S(亦即电子装置1邻近使用者的表面)，故于此不再重述。
在本发明中，蒲松比可通过公式(1)计算出，其中v为蒲松比，εx为物体在第一方向上受力的形变量，εy为物体在垂直第一方向的第二方向上受力的形变量，且第一方向与第二方向可彼此垂直。具体来说，当物体在第一方向上的受力产生形变量εx时，物体会在第二方向上产生形变量εy，而蒲松比为形变量εy对形变量εx的比值。在本发明中，当物体所受的力为拉伸力，使得物体在第一方向上的长度增加时，若物体在第二方向上的宽度变化为缩小，则蒲松比可为正数，若物体在第二方向上的宽度变化为增加，则蒲松比可为负数，且若物体在第二方向上的宽度不改变，则蒲松比为0。换言之，在物体的蒲松比小于0的情况下，物体在第一方向上被拉伸时，在第二方向上的宽度也会增加。在一些实施例中，第一方向与第二方向可彼此互换。此处的物体可例如为电子装置1的任一区域中的至少一部分。
v＝εy/εx (1)
在本实施例中，覆盖层12的第一区域R1的高斯曲率的绝对值可小于覆盖层12的第二区域R2的高斯曲率的绝对值，且可挠基板结构14的第一部分P1的蒲松比可大于可挠基板结构14的第二部分P2的蒲松比。举例来说，第一区域R1的高斯曲率可为0，且第二区域R2的高斯曲率可大于0(或小于0)。在此情况下，第一部分P1的蒲松比可大于0，而第二部分P2的蒲松比可小于0，使得第二部分P2在沿着第一方向拉伸后可增加在垂直于第一方向的第二方向上的宽度，而可在降低可挠基板结构14产生损坏的几率下达到较大的形变幅度，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第一区域R1的高斯曲率可不为0，而是其绝对值小于第二区域R2的高斯曲率的绝对值即可。
在图2中，为了清楚显示电子装置1中的可挠基板结构14在尚未受力时的各区域从俯视方向观看的位置，以可挠基板结构14的不同部分呈现，并省略电子装置1的覆盖层12，但不以此为限。可挠基板结构14在尚未受力时的俯视方向可例如平行于可挠基板结构14的法线方向ND，其中图2的法线方向ND可例如平行于图1的方向z。具体来说，在图2的实施例中，在可挠基板结构14尚未受到外力拉伸时，从可挠基板结构14的法线方向ND观看，第一部分P1可包括第一子部分SP1以及多个第二子部分SP2。每个第二子部分SP2可设置于第一子部分SP1的一侧，并与第一子部分SP1连接，且第二部分P2可分别设置于可挠基板结构14的角落处，也就是位于第一子部分SP1的角落的外侧(即远离第一子部分SP1的中心处)。在图2中，第一部分P1还可包括多个第三子部分SP3，设置于两个相邻第二子部分SP2之间，且位于第二部分P2与第二子部分SP2之间，使得第二部分P2位于第三子部分SP3远离第一子部分SP1的一侧，但不限于此。
如图1与图2所示，第一子部分SP1可对应于物件10的正面10S3。第一子部分SP1的面积可例如相同或相似于物件10的正面10S3的面积。在一些实施例中，在未受到外力拉伸前，第一子部分SP1的面积可例如小于物件10的正面10S3的面积。第二子部分SP2可通过弯折第一子部分SP1与第二子部分SP2之间的区域而分别对应于物件10的侧面10S1上。第二子部分SP2的面积可例如相同或相似于物件10的侧面10S1的面积。在一些实施例中，在未受到外力拉伸前，第二子部分SP2的面积可例如小于物件10的侧面10S1的面积。第三子部分SP3与第二部分P2可对应于转角表面10S2上。由于第二部分P2的蒲松比可小于0，因此在设置(例如，组装及/或贴附)于高斯曲率大于0的转角表面10S2上时，通过沿着方向z的相反方向拉伸第二部分P2，可增加第二部分P2在与方向z垂直的方向上的宽度，使得第三子部分SP3与第二部分P2可较完整的覆盖转角表面10S2，但不限于此。在一些实施例中，第一部分P1可不包括至少一个第三子部分SP3，使得至少一个第二部分P2可设置于两个相邻第二子部分SP2之间。在此情况下，第二部分P2可覆盖物件10的转角表面10S2。
如图1到图3所示，覆盖层12可为电子装置1最外侧的结构。覆盖层12的第一区域R1与第二区域R2的高斯曲率可在电子装置1仍设置在物件10上时通过测量覆盖层12的外表面12S的高斯曲率而获得。获得覆盖层12的外表面12S的高斯曲率的方式可例如相同于上述获得物件10表面的高斯曲率的方式，因此在此不多赘述。通过测量到的高斯曲率，可定义出覆盖层12(或电子装置1)的第一区域R1与第二区域R2。在本实施例中，覆盖层12可例如为封装层，用以保护可挠基板结构14中的膜层与元件及/或可挠基板结构14与覆盖层12之间的膜层与元件。封装层可例如包括有机材料或其他合适的材料，本发明不限于此。
在一些实施例中，覆盖层12可例如包括硬质的外盖结构，而可作为电子装置1最外侧的结构。在此情况下，覆盖层12还可包括一封装层，设置于外盖结构与可挠基板结构14之间，用以保护可挠基板结构14中的膜层与元件及/或可挠基板结构14与封装层之间的膜层与元件。封装层可例如通过黏着层设置于外盖结构的内表面上，但不以此为限。外盖结构可例如包括玻璃或其他合适的材料，本发明不限于此。
如图3所示，在本实施例中，可挠基板结构14的第一部分P1可包括第一基板161，可挠基板结构14的第二部分P2可包括第二基板162。并且，第一基板161的材料可不同于第二基板162的材料，使得第一部分P1的蒲松比可不同于第二部分P2的蒲松比。
举例来说，在第一区域R1的高斯曲率的绝对值小于第二区域R2的高斯曲率的绝对值的情况下，第一基板161的蒲松比可大于第二基板162的蒲松比。在一些实施例中，第一基板161的蒲松比可大于0，且第二基板162的蒲松比可小于0，使得第一部分P1的蒲松比可大于0，而第二部分P2的蒲松比可小于0。第一基板161可例如包括蒲松比大于0的第一可挠曲基板材料。蒲松比大于0的第一可挠曲基板材料可例如包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)、橡胶(rubber)、ABS树脂(acrylonitrile butadiene styrene,ABS)、其他适合的材料、或上述材料的组合。第二基板162可例如包括蒲松比小于0的第二可挠曲基板材料。第二可挠曲基板材料可例如包括拉胀材料(Auxetische materialien)，其中拉胀材料可例如包括石墨烯或其他合适的材料。第二基板162可例如为可拉伸(stretchable)基板，但不以此为限。在一些实施例中，第一基板161及/或第二基板162可例如为单层或多层结构，本发明不限于此。
在一些实施例中，第二区域R2中的不同子区域的高斯曲率可彼此不相同，因此，可挠基板结构14的第二部分P2也可区分成不同的子部分并可随着第二区域R2的子区域的高斯曲率的分布而选择性调整子部分的蒲松比。举例来说，当第二区域R2中的一子区域的高斯曲率的绝对值较高时，对应子区域的高斯曲率的绝对值为较高的第二部分P2中的子部分的蒲松比可较小，也就是在第二部分P2的蒲松比为负值且越小时，其蒲松比的绝对值将越大。同理，在一些实施例中，第一区域R1的不同子区域的高斯曲率可选择性不相同，因此，第一部分P1中的不同子部分的蒲松比可选择性随着第一区域R1的不同子区域的高斯曲率的分布而调整为不相同。举例来说，当第一区域R1中的一子区域的高斯曲率较高时，对应子区域的高斯曲率的绝对值为较高的第一部分P1中的子部分的蒲松比可较小。举例来说，第一部分P1及/或第二部分P2中具有不同蒲松比的不同子部分可通过将不同子部分的基板材料设计为具有不同蒲松比来达到或采用下述其他实施例的方式达到，但不限于此。
在一些实施例中，在第一区域R1的高斯曲率的绝对值小于第二区域R2的高斯曲率的绝对值，且第一部分P1的蒲松比大于第二部分P2的蒲松比的情况下，第一部分P1与第二部分P2的蒲松比可均大于0。举例来说，第一基板161与第二基板162均可包括蒲松比大于0的第一可挠曲基板材料，且通过选择第二基板162的第一可挠曲基板材料的蒲松比小于第一基板161的第一可挠曲基板材料的蒲松比的方式，可使第二部分P2在第一方向上拉伸后的第二方向上的宽度的缩减幅度较第一部分P1小，以降低第二部分P2在拉伸后的第二方向上的形变量。在显示应用中，可降低第二部分P2的画面失真，或者使第二部分P2的画面比例较为均匀。例如，第一基板161可包括PET，第二基板162可包括PMMA，但不限于此。
如图3所示，在法线方向ND上，第一基板161与第二基板162在交界处可部分重叠，以降低第一基板161与第二基板162产生分离的几率。在图3的实施例中，部分第一基板161可延伸至第二基板162上，但不限于此。在一些实施例中，第一基板161与第二基板162在交界处可彼此连接而不重叠。
在图3的实施例中，可挠基板结构14的第一部分P1与第二部分P2还可包括绝缘层18、电路层20以及电子元件22，其中绝缘层18可设置于第一基板161与第二基板162上，电路层20可设置于绝缘层18上，且电子元件22可设置于电路层20上，并耦接至电路层20。
在一些实施例中，绝缘层18设置于第一基板161与电路层20(或电子元件22)之间以及第二基板162与电路层20(或电子元件22)之间。绝缘层18可例如作为电子装置1的缓冲层，用以降低电路层20及/或电子元件22受到经过第一基板161及/或第二基板162的水气及/或氧气的影响而损坏的可能性。
电路层20可包括导线、绝缘层、主动元件和/或被动元件。例如，电路层20还可包括多个晶体管20T，至少一个晶体管20T可与至少一个电子元件22耦接并作为电子元件22的驱动元件及/或开关元件，但不以此为限。在图3中，电子元件22可分别耦接对应的晶体管20T，但不限于此。在图3的电路层20中，晶体管20T以顶闸型薄膜晶体管为例，可包括半导体24a与闸极G，但不限于此。在此情况下，电路层20可包括半导体层24、绝缘层26、导电层28、绝缘层30以及导电层32。半导体层24可设置于绝缘层18上，并包括多个半导体24a，其中半导体24a的两端部分可掺杂有掺质(dopant)，以分别作为源极区与汲极区，且半导体24a位于源极区与汲极区之间的部分可作为晶体管20T的通道区。半导体层24的材料例如包括硅或金属氧化物，例如为低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)半导体或非晶硅(amorphous silicon,a-Si)半导体、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)半导体或其他合适的半导体，但不以此为限。在一些实施例中，不同的晶体管20T的半导体24a可包括不同的材料，例如，一个晶体管20T的半导体24a包括低温多晶硅半导体，另一个晶体管20T的半导体24a包括金属氧化物半导体，但不以此为限。绝缘层26可设置于绝缘层18与半导体层24上，且可作为晶体管20T的闸极绝缘层。导电层28可设置于绝缘层26上，并可包括多个闸极G，且闸极G可分别对应于晶体管20T的半导体24a的通道区设置。在一些实施例中，导电层28还可选择性包括电极28a、信号线(例如扫描线)或其他导电元件，但不限于此。
绝缘层30可设置于导电层28与绝缘层26上，且绝缘层26与绝缘层30可具有多个穿孔TH1，分别对应半导体24a的源极区与汲极区。导电层32可设置于绝缘层30上并包括多个电极32a以及多个电极32b，且电极32a与电极32b可通过对应的穿孔TH1分别耦接对应的半导体24a的源极区与汲极区。在一些实施例中，导电层32还可选择性包括电极、信号线(例如数据线)或其他导电元件，但不限于此。导电层28与导电层32可包括金属或其他适合的导电材料。需注意的是，图3所示的电路层20的结构为示例性的，本发明并不以此为限。
如图3所示，可挠基板结构14还可包括绝缘层34，设置于电路层20与电子元件22之间。绝缘层34可例如为平坦层，可用以提高形成电子元件22的良率，但不限于此。具体地，绝缘层34可设置于导电层32与绝缘层30上，且可具有多个穿孔TH2，使得电子元件22可通过对应的穿孔TH2耦接对应的晶体管20T。
本实施例的电子元件22可包括发光元件，例如发光二极管，但不以此为限。进一步来说，可挠基板结构14的第一部分P1与第二部分P2可包括绝缘层38，其中绝缘层38可具有多个开口OP1，且电子元件22可分别对应开口OP1设置。举例来说，开口OP1可用以定义电子装置1的像素或子像素的位置，且绝缘层38可称为像素定义层，但不限于此。在一些实施例中，电子元件22可包括光传感器、血氧侦测器、心跳侦测器、血压侦测器、二极管、其他适合的元件或上述元件的组合，本发明不限于此。
在图3的实施例中，以电子元件22为有机发光二极管为例作说明电子元件22的结构，但不限于此。设置在绝缘层34上可依序包括导电层36、绝缘层38、发光层40以及导电层42，但不限于此。导电层36可包括多个下电极36a。绝缘层38可设置于绝缘层34上，且开口OP1可分别对应下电极36a设置并暴露至少部分的下电极36a。发光层40可包括多个发光区块40a，分别对应下电极36a设置并至少部分的发光区块40a设置于开口OP1中。导电层42可设置于发光层40以及绝缘层38上，并包括多个上电极42a。上电极42a可分别设置于对应的发光区块40a上，使得依序堆叠的下电极36a、发光区块40a以及上电极42a可形成电子元件22，但本发明的电子元件22的结构不以图3所示为限，而可依据实际需求作对应的调整。
如图3所示，可挠基板结构14还可包括绝缘层44，设置于绝缘层38以及导电层42上，可用以保护电子元件22与其下方的电路层20。在图3的实施例中，第二部分P2可具有至少一开口OP2，贯穿绝缘层44、绝缘层38、电路层20以及绝缘层18，而可提高第二部分P2的拉伸能力。当覆盖层12包括封装层时，部分的覆盖层12可设置于开口OP2中。在一些实施例中，第二部分P2可不具有开口OP2。
在一些实施例中，绝缘层44、绝缘层38、绝缘层34、绝缘层30、绝缘层26以及绝缘层18可包括单层结构或多层结构，并可包括任何适合的有机材料或无机材料。有机材料可例如包括PMMA、环氧树脂(epoxy)、硅氧烷(siloxane)材料、硅胶(silica gel)材料、其他适合的材料或上述材料的组合。无机材料可包括氮化硅(silicon nitride)、氧化硅(siliconoxide)、液态玻璃(liquid glass)、玻璃胶(glass glue)、二氧化钛(titanium oxide)、氧化铝(aluminum oxide)、其他适合的材料或上述材料的组合。在一些实施例中，当绝缘层44、绝缘层38、绝缘层34、绝缘层30、绝缘层26以及绝缘层18为多层结构时，可各自包括多层无机材料或多层有机材料的堆叠结构，或是无机材料/有机材料交错堆叠的结构，本发明不限于此。在一些实施例中，可挠基板结构14可依据电子装置1的种类不同而包括不同的膜层与元件。
在图3的实施例中，电子装置1还可包括软性层46以及黏着层48，且软性层46可通过黏着层48贴附于可挠基板结构14相对于覆盖层12的下表面14S上，可用以提高可挠基板结构14的强度及/或刚性。软性层46可包括软性材料，举例来说，可包括聚氯乙烯(polyvinyl chloride,PVC)、聚乙烯(polyethylene,PE)、橡胶、其他合适的材料或上述的组合。
请参考图4，且一并参考图2。图4所示为本发明一些实施例的测量可挠基板结构的第一部分与第二部分的蒲松比的方法流程图。如图4所示，测量第一部分与第二部分(例如图2所示的第一部分P1与第二部分P2)的蒲松比的方法可包括步骤S12到步骤S18。在本实施例中，可依序进行步骤S12到步骤S18。在一些实施例中，步骤S12到步骤S18之前、之后或其中任两个步骤之间或在进行其中任一个步骤的同时间也可进行其他步骤。下文将进一步搭配图2及图4详述测量第一部分P1与第二部分P2的蒲松比的方法。
如图2与图4所示，在步骤S12中，可分别于可挠基板结构14的第一部分P1与第二部分P2中截取相同尺寸大小的样品S1与样品S2。获取样品S1与样品S2的方式可例如通过切割、裁剪或其他合适的方式。在本实施例中，样品S1与样品S2从法线方向ND上观看可例如具有相同的长度与宽度，以助于比较样品S1与样品S2的形变量。需说明的是，测量第一部分P1与第二部分P2的蒲松比的方法是在将电子装置1从物件10上拆下并将覆盖层12移除后才进行。由于在将电子装置1从物件10拆下及移除覆盖层12的过程中，部分膜层可能会留在物件10或覆盖层12上，因此可挠基板结构14的第一部分P1与第二部分P2可不包括电子装置1的所有膜层及/或元件，换言之，样品S1与样品S2也可不包括电子装置1的所有膜层及/或元件。由于第一基板161与第二基板162上的膜层与元件(例如绝缘层、电路层及/或电子元件)对于两者蒲松比的差异影响较小，因此样品S1主要包括第一基板(如图3所示的第一基板161)，而样品S2主要包括第二基板(如图3所示的第二基板162)。在一些实施例中，样品S1可包括第一基板161上部分的绝缘层、部分的电路层20及/或部分的电子元件22，而样品S2可包括第二基板162上部分的绝缘层、部分的电路层20及/或部分的电子元件22。在一些实施例中，样品S1与样品S2还可选择性包括黏着层48及/或软性层46。
在一些实施例中，由于蒲松比的测量是在将电子装置1从物件上拆下及移除覆盖层12后才进行，使得样品S1与样品S2是分别取自可挠基板结构14的第一部分P1与第二部分P2，并且第一基板161与第二基板162上的膜层与元件(例如绝缘层、电路层及/或电子元件)对于两者蒲松比的差异影响较小，因此第一部分P1与第二部分P2可不限包含第一基板161与第二基板162上的所有膜层，且第一部分P1可主要包括第一基板(如图3所示的第一基板161)，而第二部分P2可主要包括第二基板(如图3所示的第二基板162)。或者，第一部分P1可选择性包括从第一基板161上的绝缘层18起算的至少一层膜层，且第二部分P2可选择性包括从第二基板162上的绝缘层18起算的至少一层膜层，本发明不限于此。
如图4所示，在步骤S14中，可对样品S1(或样品S2)施力(例如沿着相同的第一方向施力)，以给定样品S1(或样品S2)在第一方向上相同的形变量。在本实施例中，样品S1(或样品S2)可依样品S1(或样品S2)的长轴被施以拉伸力，使得样品S1(或样品S2)沿着其长轴产生拉伸形变，但不限于此。举例来说，样品S1(或样品S2)在第一方向上的形变量可为样品S1(或样品S2)在第一方向上受力后所增加的长度变化量，且增加的长度变化量可彼此相同。在一些实施例中，对样品S1与样品S2施力的方式可例如通过拉伸试验机、手动或其他合适的方式进行，本发明不限于此。
接着，在步骤S16中，可在维持给定样品S1(或样品S2)在第一方向上相同的形变量的情况下，测量样品S1(或样品S2)在第二方向上的形变量。第一方向与第二方向可为位于同一平面上且彼此垂直的方向。举例来说，第一方向可为样品S1(或样品S2)的长轴方向，而第二方向可为样品S1(或样品S2)的短轴方向。样品S1(或样品S2)在第二方向上的形变量可为样品S1(或样品S2)在第二方向上所观察到的宽度变化量。需说明的是，当样品S1(或样品S2)于受力后其在第二方向上的宽度小于受力前的宽度时，形变量可为正值，而相反的，当受力后其在第二方向上的宽度大于受力前的宽度时，形变量可为负值。通过步骤S14与步骤S16，可给定样品S1(或样品S2)在第一方向上的形变量以及测量其在第二方向上的形变量。可重复进行步骤S14与步骤S16，以给定样品S2(或样品S1)在第一方向上的形变量以及测量其在第二方向上的形变量。在一些实施例中，给定样品S1与样品S2在第一方向上的形变量的步骤可分开或同时进行。在一些实施例中，测量样品S1在第二方向上的形变量的步骤与测量样品S2在第二方向上的形变量的步骤可分开或同时进行。在一些实施例中，由于第一部分P1与第二部分P2的大小会决定样品S1与样品S2的大小，因此可依据样品S1与样品S2的大小，调整测量形变量的方式。例如，样品S1与样品S2的尺寸若满足拉伸试验机的最低要求时，可选择拉伸试验机或其他合适的仪器进行测量。
在步骤S18中，通过所测量出在第二方向上的形变量以及所给定在第一方向上的形变量，可通过公式(1)计算出样品S1与样品S2的蒲松比，进而可比较第一部分P1以及第二部分P2的蒲松比的差异。需说明的是，当形变量为正值时，蒲松比可为大于0，而当形变量为负值时，蒲松比可为小于0。
请参考图5到图9。图3与图5到图9所示为本发明一些实施例的电子装置的可挠基板结构的制作方法示意图，其中图5到图9所示分别为制作可挠基板结构的不同步骤的结构示意图。如图5所示，首先，先提供载板50，且于载板50的上表面50S上形成拉胀材料层162a。当拉胀材料层162a包括石墨烯时，载板50可包括铜，用以提高石墨烯的催化作用，使得石墨烯可通过例如化学气相沉积制程形成于载板50上。载板50可例如包括铜箔基板或其他合适的基板材料。在一些实施例中，当拉胀材料层162a使用其他种类的材料时，载板50也可选择其他材料。
如图6所示，对拉胀材料层162a进行图案化制程，以移除拉胀材料层162a的一部分，而未被移除的拉胀材料层162a可形成第二基板162。第二基板162的分布范围可对应覆盖层的第二区域来进行设计。在本实施例中，从第二基板162的俯视方向TD观看，第二基板162的分布范围可例如第二区域R2的范围相同，因此没有第二基板162的区域可为第一区域R1，但不限于此。图案化制程可例如包括微影与蚀刻制程或其他合适的制程。第二基板162的俯视方向TD可例如相同于图2与图3所示可挠基板结构14的法线方向ND。
如图7所示，在形成第二基板162之后，可于载板50与第二基板162上形成第一基板161。形成第一基板161的方式可例如包括于载板50与第二基板162上形成具可挠性的材料，然后利用图案化制程，移除部分的材料，未被移除的材料可对应于第一区域R1中形成第一基板161。形成具可挠性的材料的方式可例如包括涂布制程或其他合适的制程。在图7实施例中，第一基板161位于第二基板162上的一部分可被保留，使得第一基板161与第二基板162在第二基板162的俯视方向TD上可部分重叠，但不限于此。
如图8所示，在形成第一基板161与第二基板162之后，可于第一基板161与第二基板162上形成绝缘层18、电路层20以及电子元件22。形成绝缘层18、电路层20与电子元件22的制程可例如包括薄膜制程或其他合适的方式。薄膜制程可例如包括薄膜沉积制程、微影与蚀刻制程及/或其他合适的制程，但不限于此。接着，于电子元件22上形成绝缘层44，从而形成可挠基板结构14，此时，第一基板161与第二基板162接触载板50上表面50S的表面可作为可挠基板结构14的下表面14S。由于形成绝缘层18、电路层20、电子元件22与绝缘层44的方式本领域技术人员所熟知，因此在此不多赘述。并且，电路层20与电子元件22的结构可依据需求的不同做调整，因此形成电路层20与电子元件22的方式也可对应调整。
如图9所示，在形成绝缘层44之后，可选择性于第二区域R2中形成贯穿绝缘层18、电路层20、绝缘层38以及绝缘层44的开口OP2，以暴露出第二基板162的部分区域。再如图3所示，在形成开口OP2之后，可于绝缘层44上设置覆盖层12。在一实施例中，覆盖层12可填入部分的开口OP2中。接着，移除载板50以形成电子装置1。在一些实施例中，可选择性于可挠基板结构14的下表面14S上通过黏着层48贴附软性层46，以形成一些实施例的电子装置1。在一些实施例中，在形成绝缘层44之后，可不形成开口OP2而接着进行移除载板50的步骤，但不限于此。
值得说明的是，由于软性层46是在形成电路层20与电子元件22的制程之后才设置在可挠基板结构14上，因此可选择其耐受温度低于形成电路层20与电子元件22的制程温度的材料。相较于软性层46，由于第一基板161与第二基板162会同样经历形成电路层20与电子元件22的制程，因此需包括其耐受温度高于形成电路层20与电子元件22的制程温度的材料。
请参考图10与图11，图10所示为本发明第二实施例的电子装置中可挠基板结构的第二部分的俯视示意图，图11所示为沿着图10的剖线B-B’的剖视示意图。为了清楚显示可挠基板结构214的第二部分P2的结构，图10显示第二部分P2中的部分放大图，且图10与图11中省略第一部分P1，但不限于此。如图10所示，本实施例的可挠基板结构214与上述实施例的可挠基板结构14不同之处在于，本实施例的第二部分P2的蒲松比可通过图案化第二基板162的方式达到第二部分P2的蒲松比不同于第一部分(如图3所示的第一部分P1)的蒲松比的效果。举例来说，在第一区域(如图3所示的第一区域R1)的高斯曲率的绝对值小于第二区域(如图3所示的第二区域R2)的高斯曲率的绝对值的情况下，第二部分P2的蒲松比可小于第一部分的蒲松比。在一实施例中，第二部分P2的蒲松比小于第一部分的蒲松比的情况可通过将第二基板162的蒲松比设计为小于0，且小于第一基板(如图3所示的第一基板161)的蒲松比来达到，但不限于此。在图10与图11的实施例中，可挠基板结构214的第一部分的结构可相同或类似图3的第一部分P1的结构，也就是第一基板不被图案化，因此未示于图10与图11中，且在此不多赘述。
在图10的实施例中，第一基板与第二基板162可包括相同的具有可挠性的材料。例如，第一基板与第二基板162可由同一材料所形成，而第二基板162具有图案化结构，但不限于此。在一些实施例中，第一基板与第二基板162也可由不同的材料所形成。在此情况下，第二基板162仍可具有图案化结构，但不限于此。
具体而言，如图10与图11所示，第二基板162可包括多个主要部分MP以及多个连接部分CP，其中至少一个连接部分CP可连接相邻的至少两个主要部分MP。在本实施例中，主要部分MP可具有矩形结构，而连接部分CP可具有条状结构，使得在主要部分MP与连接部分CP的连接处，主要部分MP的宽度可大于连接部分CP的宽度，但不以此为限。举例来说，每个主要部分MP的范围可以重叠于主要部分MP的四个长边的四条虚拟线的交会处来定义，或可用包围每个主要部分MP的最小虚拟矩形框来定义其范围，每个主要部分MP的四个角落可分别连接四个连接部分CP，且四个主要部分MP与四条连接部分CP可围绕出一个开口OP3。开口OP3的大小可随着可挠基板结构214的拉伸而改变，使得第二基板162可具有小于0的蒲松比。进一步来说，在可挠基板结构214尚未拉伸时，沿着第一方向D1(或第二方向D2)排列且相邻的两个主要部分MP之间的距离可小于沿着第一方向D1(或第二方向D2)延伸的连接部分CP的长度。当可挠基板结构214沿着第一方向D1(或第二方向D2)拉伸时，主要部分MP可产生移动，例如改变连接部分CP与其所连接的主要部分MP之间的夹角(例如夹角α)，使得不仅在第一方向D1(或第二方向D2)上相邻的两个主要部分MP之间的距离可增加，在第二方向D2(或第一方向D1)上相邻的两个主要部分MP之间的距离也可增加到接近或相同连接部分CP的长度，从而可达到第二基板162或可挠基板结构214的第二部分P2具有小于0的蒲松比。
需说明的是，本发明的第二基板162的开口OP3的形状主要为能够让邻近开口OP3的主要部分MP在拉伸时产生移动使第二基板162具有小于0的蒲松比的形状，例如图10所示的形状、X形、多边形或其他合适的形状，但不以此为限。
在本实施例中，可挠基板结构214的第二部分P2可包括多个块状结构141，可分别设置于主要部分MP上。换言之，第二部分P2中位于第二基板162上的膜层可被图案化，以形成块状结构141。搭配图10及图11，每个块状结构141可例如包括绝缘层18、电路层20、绝缘层38以及电子元件22。绝缘层18可设置于第二基板162的主要部分MP上，电路层20可设置于绝缘层18上，绝缘层38可设置于绝缘层18上，且电子元件22可分别设置于对应的绝缘层38的开口OP1中。
在本实施例中，每个块状结构141中的电子元件22的数量可为至少一个，但不限于此。如图10所示，在本实施例中，一个块状结构141可为一个像素PX并可包括多个电子元件22，但不限于此。在一些未绘示附图的实施例中，一个块状结构也可包括多个像素，每个像素可包括至少一个电子元件22，但不限于此。
如图10与图11所示，在每个块状结构141中，电路层20可例如包括导线、绝缘层、主动元件和/或被动元件。例如，电路层20可包括多个晶体管20T，至少一个晶体管20T可与至少一个电子元件22耦接并作为电子元件22的驱动元件及/或开关元件，但不以此为限。由于晶体管20T可类似或相同于图3所示的晶体管20T，因此在此不多赘述。
需说明的是，绝缘层38、电路层20中的绝缘层34、绝缘层30与绝缘层26以及绝缘层18可包括任何前述的适合的有机材料及/或无机材料。在一些实施例中，在每个块状结构141内的至少绝缘层18与绝缘层26可被图案化以形成沟槽56。沟槽56可将绝缘层18与绝缘层26区分成邻近块状结构141外缘的绝缘区块18b与绝缘区块26b以及远离块状结构141外缘的绝缘区块18a与绝缘区块26a。换言之，沟槽56可设置于绝缘区块18a与绝缘区块26a的堆叠结构与绝缘区块18b与绝缘区块26b的堆叠结构之间。位于绝缘层26上且最邻近绝缘层26的绝缘层(例如绝缘层30)可设置于至少部分的沟槽56中。由于可挠基板结构214在拉伸或弯曲时可能会让块状结构141产生裂痕(crack)或与不同绝缘层(例如绝缘层18与绝缘层26)之间产生分离的情况，通过填入沟槽56中的绝缘层，可降低裂痕或绝缘层分离的情况延伸到绝缘区块18a与绝缘区块26a，从而可降低水气及/或氧气进入电路层20或电子元件22，而可提升电子装置的可靠度。沟槽56可例如为封闭的环形(ring-shaped)，但不限于此。在本实施例中，沟槽56可贯穿绝缘层18、绝缘层26以及绝缘层30，因此还可将绝缘层30图案化成绝缘区块30a及绝缘区块30b。在此情况下，位于绝缘层30上的绝缘层34可设置于至少部分的沟槽56中。本发明的沟槽56贯穿的膜层可不以绝缘层18、绝缘层26以及绝缘层30为限。在一些实施例中，沟槽56可例如贯穿绝缘层34，且绝缘层38可填入至少部分的沟槽56中，但不限于此。举例来说，设置于沟槽56中的绝缘层(例如绝缘层30、绝缘层34或绝缘层38)可包括任何前述的适合的有机材料，例如四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(polyfluoroalkoxy，PFA)，但不以此为限。
如图11的实施例中，每个块状结构141的电路层20还可包括导电层58，用以将电子元件22或其他元件耦接到电路层20中的晶体管或其他元件。举例来说，导电层58可包括多个电极58E。电极58E的其中一个可通过绝缘层34的穿孔耦接导电层28的电极28a。绝缘层38的开口OP1可暴露出电极58E中的其中两个，使得电子元件22的电极E1、电极E2可分别耦接开口OP1所暴露出的两个电极58E。开口OP1所暴露出的两个电极58E中的一个可通过绝缘层34的穿孔耦接导电层32的电极32a，进而与晶体管20T的半导体24a的源极区与汲极区的其中一端耦接。而电极58E的其中之一可通过绝缘层34的穿孔以及导电层32的电极32b耦接晶体管20T的半导体24a的源极区与汲极区的另一端。本发明的电路层20的线路配置以及与电子元件22的耦接方式不以图11为限，可依据实际需求作对应的调整。
如图10与图11所示，可挠基板结构214还可包括多条导线52，设置于块状结构141上，并用以耦接两个相邻块状结构141。具体来说，导线52的一端可设置于一个块状结构141上且沿着此块状结构141的侧壁、连接部分CP的表面和另一个块状结构141的侧壁延伸，并使得导线52的另一端可设置于此另一个块状结构141上。在一些实施例中，连接两个相邻块状结构141的导线52不限如图10所示的一条，而可为多条。
如图11所示，块状结构141的绝缘层38可具有穿孔TH3，使得导线52可通过穿孔TH3与导电层58耦接。举例来说，导线52的一端可延伸至穿孔TH3中，以耦接其中一个电极58E，并通过电极58E与电极32b耦接晶体管20T，或通过电极58E与电极28a耦接，或是与其他电极或信号线耦接，但不限于此。
在图11的实施例中，电子元件22以无机发光二极管为例，但不以此为限。每个电子元件22可例如包括半导体A1、半导体A2、位于半导体A1和半导体A2之间的主动层AL、连接到半导体A1的电极E1和连接到半导体A2的电极E2，其中电极E1和电极E2可分别通过接合材料B1和接合材料B2耦接到导电层58的两个电极58E。通过导电层58的设置，电子元件22可耦接到晶体管20T或其他电子元件。接合材料B1和接合材料B2例如包括异方性导电膜(Anisotropic conductive film，ACF)、锡(Sn)、金-锡合金(Au-Sn alloy)、银胶、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。在一些实施例中，每个块状结构141可选择性包括封装层54，设置于绝缘层38的开口OP1中并围绕电子元件22，用以保护电子元件22或提升电子元件22与导电层58之间的接合度。在一些实施例中，封装层54可覆盖电子元件22。在一些实施例中，电子元件22可采用图3的有机发光二极管或其他合适的电子元件。在一些实施例中，图11的电子元件22也可应用于本文的其他任一实施例中。需说明的是，图11所示的块状结构141为示例性的，本实施例并不以此为限。
如图11所示，可挠基板结构214还可包括绝缘层44，其中绝缘层44可设置在电子元件22上并覆盖电子元件22，以提高可挠基板结构214的良率，但不以此为限。在本实施例中，绝缘层44可设置于相邻两个岛状结构141之间，且绝缘层44可设置于开口OP3中。
请参考图12，其所示为本发明第三实施例的电子装置中的可挠基板结构的第二部分的俯视示意图。如图12所示，在本实施例所提供的可挠基板结构314中，第二部分P2的第二基板162可包括多个开口OP4以及多个区段162b，其中各开口OP4可分别设置于两个相邻区段162b之间。区段162b可例如为长条状、矩形、圆弧形或其他合适的形状。在本实施例中，两个相邻区段162b的其中一个区段的一端部可与另一个区段的一端部彼此连接，并连接到第一部分(如图2所示的第一部分P1)。另外，区段162b与第一部分连接的边可例如连成直线L。开口OP4的宽度可沿着垂直于直线L的方向随着距离直线L越远而越宽。举例来说，多个区段162b可呈现类似流苏(fringe)的形状。通过开口OP4的设计，可让第二部分P2更容易设置在物件的曲面(例如转角表面10S2)上。一个区段162b可例如为两个相邻开口OP4之间的区域，或者两个相邻区段162b的边界可例如通过其中一个区段162b的边的虚拟延伸线来区分。在一些实施例中，区段162b可采用图3所示具有与第一基板不同基板材料的第二基板162或图10所示具有图案化结构的第二基板162，但不限于此。
请参考图13，其所示为本发明第四实施例的电子装置中的可挠基板结构的第二部分的俯视示意图。本实施例所提供的可挠基板结构414的第二部分P2与图12所示的差异在于，两个相邻区段162b的其中一个区段的两端部可分别与另一个区段的两端部彼此连接，以形成一个开口OP4。举例来说，在两个相邻区段162b中，其中一个区段162b可包括连接部162c，用以与另一个区段162b的端部连接。由于任两个相邻区段162b相反于与第一部分连接的边的端部可彼此连接，因此可有助于在拉伸第二部分时同时拉伸所有区段162b，以提升组装质量。在一些实施例中，两个相邻区段162b也可通过第二基板162的其他部分彼此连接。
请参考图14，其所示为本发明第五实施例的电子装置中的可挠基板结构的俯视示意图。为清楚示意第一部分P1与第二部分P2的不同，图14显示第一部分P1与第二部分P2中的部分结构，但不以此为限。如图14所示，本实施例所提供的可挠基板结构514与图10所示的可挠基板结构214的差异在于，本实施例的第一部分P1可具有多个开口OP5，使得第一部分P1的蒲松比可小于0。在此情况下，第二部分P2也可具有多个开口OP3，且第二部分P2的蒲松比可小于0且其绝对值可大于第一部分P1的蒲松比的绝对值。在本实施例中，第一区域(例如图3所示的第一区域R1)的高斯曲率的绝对值可小于第二区域(例如图3所示的第二区域R2)的高斯曲率的绝对值，因此搭配上述蒲松比的绝对值的差异，可让第二部分P2在第一方向上拉伸时其在第二方向上的宽度的增幅较第一部分P1大，因此有助于将第二部分P2设置于高斯曲率较大的表面上。在显示应用上，可使第二部分P2的画面比例与第一部分P1的画面比例较为接近。举例来说，开口OP5的分布密度小于开口OP3的分布密度。开口OP3的分布密度的获取方式可例如于第一部分P1与第二部分P2中分别选择相同大小的区域R11与区域R21，并计算区域R11中的开口OP5与区域R21中的开口OP3的数量，即可获得分布密度。区域R11与区域R21的大小可依据需求做调整。举例来说，在区域R11的尺寸大小可包含至少一个开口OP5时，相同尺寸大小的区域R21所包含开口OP3的数量会大于区域R11所包含开口OP5的数量。在一些实施例中，由于开口OP3与开口OP5的形状主要为能够让邻近开口OP3与开口OP5的主要部分在拉伸时产生移动，使第二基板162与第一基板161具有小于0的蒲松比的形状，因此开口OP3与开口OP5的形状可例如包括X形、多边形、图10的开口OP3的形状或其他合适的形状。
请参考图15与图16，图15所示为本发明第六实施例的电子装置的立体示意图，图16所示为可挠基板结构中对应图15的电子装置6的区域RA与区域RB的部分的放大示意图。如图15所示，电子装置6可应用到不同于图1的物件10的物件上。为了清楚显示电子装置6的结构，省略所应用的物件，并以可挠基板结构614示例，但本发明不以此为限。电子装置6可因设置或贴附于所应用的物件上，而可具有与所设置或贴附的物件的外观相同或相仿的形状，例如随着交通工具中内部机构(例如仪表板、中控台、A柱等)的外观形状而呈现出相同的外观形状。
在本实施例中，可挠基板结构614可例如设置于方向D3、方向D4与方向D5所构成的空间中，且可挠基板结构614可沿着方向D3从上而下延伸，并沿着方向D4由右向左延伸。并且，可挠基板结构614从上而下延伸的部分的中央可朝与方向D4相反的方向凹入，且由右向左延伸的部分的中央可朝与方向D3相反的方向突起。举例来说，电子装置6可应用于交通工具的中控台(center console)，并延伸到邻近排档杆(gear lever)，但不以此为限。
如图15所示，可挠基板结构614可包括第一部分P1、第二部分P2与第三部分P3，其中第二部分P2可设置于可挠基板结构614的中央处，也就是朝与方向D4相反的方向凹入的部分，并沿着方向D3由上而下延伸，第三部分P3可设置于可挠基板结构614由右向左延伸的部分的中央处，也就是朝与方向D3相反的方向突起的部分，并沿着方向D4由右向左延伸。举例来说，第二部分P2与第三部分P3可分别设置于可挠基板结构614的中心线14L上。因此，电子装置6的覆盖层(如图3的覆盖层12)可包括区域RA及区域RB，区域RA对应第二部分P2，且区域RA的高斯曲率可小于0，区域RB对应第三部分P3，且区域RB的高斯曲率可大于0。在图15的实施例中，可挠基板结构614的第一部分P1的结构可相同或类似图3的第一部分P1中的结构，因此在此不多赘述。第一部分P1的高斯曲率可例如为0，但不限于此。
如图15与图16所示，第一部分P1可未被图案化，而可具有大于0的蒲松比。第二部分P2与第三部分P3可被图案化，因此第二部分P2的蒲松比与第三部分P3的蒲松比皆可小于0，因此小于第一部分P1的蒲松比。通过第二部分P2与第三部分P3具有小于0的蒲松比，可提升第二部分P2及/或第三部分P3设置于对应区域的物件上的组装质量。
如图16所示，在可挠基板结构614的法线方向ND上，第二部分P2的第二基板162可具有多个开口OP3。具体来说，第二基板162可包括多个主要部分MP1以及多个连接部分CP1，且主要部分MP1与连接部分CP1可围绕出多个开口OP3。第三部分P3的第三基板163可具有多个开口OP6。具体地，第三基板163可包括多个主要部分MP2以及多个连接部分CP2，且第三部分P3的主要部分MP2与连接部分CP2可围绕出多个开口OP6。通过开口OP3的设置，第二部分P2的蒲松比可小于第一部分P1的蒲松比。通过开口OP6的设置，第三部分P3的蒲松比也可小于第一部分P1的蒲松比。开口OP3与开口OP6的尺寸大小可依据对应第二部分P2的区域RA的高斯曲率以及对应第三部分P3的区域RB的高斯曲率的大小作调整。举例来说，在对应第二部分P2的区域RA的高斯曲率小于0，且对应第三部分P3的区域RB的高斯曲率大于0的情况下，开口OP6的其中一个的面积可小于开口OP3的其中一个的面积，但不限于此。在一些实施例中，由于开口OP3与开口OP6的形状主要为能够让邻近开口OP3的主要部分MP1与邻近开口OP6的主要部分MP2在拉伸时可产生移动，使第二基板162与第三基板163具有小于0的蒲松比，因此开口OP3与开口OP6的形状可例如包括X形、多边形、图10的开口OP3的形状或其他合适的形状，但不限于此。
如图16所示，第二部分P2的每个主要部分MP1上例如可设置有多个电子元件22。第三部分P3的每个主要部分MP2上也可设置有多个电子元件22，但不限于此。在一些实施例中，第二部分P2位于主要部分MP1与连接部分CP1上的结构及/或第三部分P3位于主要部分MP2与连接部分CP2上的结构可例如采用图9与图10的结构，但不限于此。在一些实施例中，第二部分P2及/或第三部分P3也可采用上文中任一实施例的设计。
综上所述，在本发明的电子装置中，在其覆盖层的第一区域的高斯曲率不同于覆盖层的第二区域的高斯曲率的情况下，可挠基板结构的第一部分的蒲松比不同于第二部分的蒲松比，可有助于提升电子装置设置于物件上的组装质量。以此，可降低电子装置在设置于物件的表面上时产生皱折的几率，或者可提升电子装置的可靠度或寿命。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一覆盖层，包括一第一区域以及一第二区域；以及
一可挠基板结构，设置于所述覆盖层下并包括对应所述第一区域的一第一部分以及对应所述第二区域的一第二部分；
其中，所述覆盖层的所述第一区域的高斯曲率不同于所述覆盖层的所述第二区域的高斯曲率，且所述可挠基板结构的所述第一部分的蒲松比不同于所述可挠基板结构的所述第二部分的蒲松比。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，且所述可挠基板结构的所述第一部分的所述蒲松比大于所述可挠基板结构的所述第二部分的所述蒲松比。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述可挠基板结构的所述第一部分的所述蒲松比大于0，且所述可挠基板结构的所述第二部分的所述蒲松比小于0。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，且所述第一基板的材料不同于所述第二基板的材料。
5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，且所述第一基板的蒲松比大于所述第二基板的蒲松比。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板的所述蒲松比大于0，且所述第二基板的所述蒲松比小于0。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，且所述第二基板包括多个开口以及多个区段，各所述开口设置于所述多个区段中的两个相邻区段之间，且所述多个区段中的所述两个相邻区段的其中一个的至少一端部与所述多个区段中的所述两个相邻区段的另一个的至少一端部彼此连接。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率的绝对值小于所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率的绝对值，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述第一基板具有多个第一开口，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，所述第二基板具有多个第二开口，且所述多个第一开口的分布密度小于所述多个第二开口的分布密度。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述覆盖层的所述第一区域的所述高斯曲率大于0，所述覆盖层的所述第二区域的所述高斯曲率小于0，所述可挠基板结构的所述第一部分包括一第一基板，所述第一基板具有多个第一开口，所述可挠基板结构的所述第二部分包括一第二基板，所述第二基板具有多个第二开口，且所述多个第一开口的其中一个的面积小于所述多个第二开口的其中一个的面积。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二部分位于所述可挠基板结构的角落处。
11.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二部分位于所述可挠基板结构的中央处。
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