CN117658478A - 全玻璃原子气室及其制备方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims abstract description 29
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 53
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007511 glassblowing Methods 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
本发明属于原子光学领域，提供一种全玻璃原子气室及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)提供玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃；(2)采用激光切割及湿法蚀刻工艺对玻璃基板进行加工，以在玻璃基板上形成气室通孔、内部沟道和气孔通孔；(3)对玻璃基板的第一表面和第二表面进行抛光；(4)在抛光后的第一表面和第二表面上分别键合第一玻璃和第二玻璃；(5)在气孔通道上连接加注管；(6)通过加注管抽真空，并加注碱金属原子，使碱金属原子进入到气室中；(7)对加注管进行密封，以形成全玻璃原子气室。该方法适用于多种结构的微小型原子气室的制备，且工艺流程简单，获得的全玻璃原子气室可以实现六面通光。
Description
技术领域
本发明涉及原子光学领域，具体地，涉及一种全玻璃原子气室及其制备方法。
背景技术
以原子气室为核心部件的原子磁力计、原子陀螺仪、原子通信、原子雷达等已经广泛应用于各类量子传感和量子通信场景当中。然而，目前基于原子气室的原子器件因其体积庞大、能耗高，仍停留在实验室阶段。因此，制作微小型原子气室，以使各类原子器件用，显得尤为重要。
目前，原子气室的制备工艺有玻璃吹制和阳极键合等技术，其中，玻璃吹制的方法通常被用来制作毫米级别及以上的原子气室，“玻璃-硅-玻璃”阳极键合制作的原子气室存在原子纯度低、真空度低和侧面不透光的缺点，导致使用场景受限。
因此，目前的制备全玻璃原子气室的方法仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
在本发明的一个方面，本发明提出一种制备全玻璃原子气室的方法，包括以下步骤：
(1)提供玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃；所述玻璃基板具有相对设置的第一表面、第二表面和侧面，所述第一玻璃和所述第二玻璃均为抛光玻璃；
(2)采用激光切割及湿法刻蚀工艺对所述玻璃基板进行加工，以在所述玻璃基板上形成气室通孔、内部沟道和气孔通孔，所述气室通孔贯穿所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面，所述气孔通孔为在所述玻璃基板侧面形成的凹槽，所述内部沟道将所述气室通孔和所述气孔通孔连通；
(3)对所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面进行抛光；
(4)在抛光后的所述第一表面和所述第二表面上分别键合所述第一玻璃和所述第二玻璃，以使所述第一玻璃、所述玻璃基板和所述第二玻璃之间共同形成气室和气孔通道；
(5)在所述气孔通道上连接加注管；
(6)通过所述加注管对气室抽真空，并加注碱金属原子，使碱金属原子通过所述气孔通道和内部沟道进入到气室中；
(7)对所述加注管进行密封，以形成全玻璃原子气室。
本发明通过采用激光切割辅助湿法刻蚀并利用光胶原子键合的方法形成全玻璃原子气室，一方面，该方法适用于多种三维结构的微小型原子气室的制备，且工艺流程简单，还可以批量制作阵列级别的全玻璃原子气室；另一方面，本发明的方法利用加注管进行抽真空和充碱金属原子，可以提高碱金属原子的纯度并减少杂质气体的进入，且该过程无需在手套箱中进行。
根据本发明的实施例，所述玻璃基板、第一玻璃和所述第二玻璃分别独立地包括石英玻璃或高硼硅玻璃。
根据本发明的实施例，所述玻璃基板、所述第一玻璃和所述第二玻璃的厚度分别独立地为400μm-2mm。
根据本发明的实施例，所述气孔通孔的长度为300μm-600μm，宽度为300μm-600μm。
根据本发明的实施例，所述气室通孔的长度为200μm-2mm，宽度为200μm-2mm。
根据本发明的实施例，所述湿法刻蚀的刻蚀液为碱的水溶液，碱的化学式为M(OH)x，M表示碱金属或碱土金属，X为1或2。
根据本发明的实施例，所述湿法刻蚀的温度为60℃-90℃。
根据本发明的实施例，所述强碱溶液为浓度为5mol/L-10mol/L的KOH水溶液。
根据本发明的实施例，步骤(2)中，所述玻璃基板上所形成的气室通孔数量为一个。
根据本发明的实施例，步骤(2)中，所述玻璃基板上形成呈阵列排列的多个气室通孔，且多个气室通孔呈n行m列排布，n和m分别为大于1的整数，所述内部沟道包括1个主沟道，n个行沟道和n×m个子沟道，其中，所述主沟道与n个行沟道并列连通，每个行沟道与m个子沟道连通，且该m个子沟道与m个气室通孔一一对应连通。
根据本发明的实施例，还包括：步骤(8)对各子沟道进行加热密封。
在本发明的另一个方面，本发明提出由前述方法制备获得的全玻璃原子气室。该全玻璃原子气室可以六面通光。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了单个气室通孔的结构示意图；
图2显示了阵列排布的气室通孔的结构示意图；
图3显示了CO2激光局部加热子沟道的示意图；
图4显示了全玻璃原子气室的结构示意图。
附图标记说明
1：气室通孔；2：气孔通孔；3：内部沟道；4：主沟道；5：行沟道：6：子沟道；7：CO2激光；8：玻璃基板；9：上层玻璃；10：下层玻璃；11：原子气室。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式。下面描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
发明人发现，在全玻璃原子气室制作中，常常需要较厚的基板、较复杂的拼接，获得的全玻璃原子气室的精度偏低，且难以实现批量制作全玻璃原子气室。此外，诸如蓝宝石原子气室，其充气方式是单个气室配一个碱金属源，由于加入了一个额外腔室，使得气室的制作过程复杂，且获得原子气室并非独立的气室。
据此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备全玻璃原子气室的方法，包括以下步骤：
(1)提供玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃；
所述玻璃基板具有相对设置的第一表面、第二表面和侧面；
所述第一玻璃和所述第二玻璃均为抛光玻璃；
(2)采用激光切割及湿法蚀刻工艺对所述玻璃基板进行加工，以在所述玻璃基板上形成气室通孔、内部沟道和气孔通孔，
所述气室通孔贯穿所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面，所述气孔通孔为在所述玻璃基板侧面形成的凹槽，所述内部沟道将所述气室通孔和所述气孔通孔连通；
(3)对所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面进行抛光；
(4)在抛光后的所述第一表面和所述第二表面上分别键合所述第一玻璃和所述第二玻璃，以使所述第一玻璃、所述玻璃基板和所述第二玻璃之间共同形成气室和气孔通道；
(5)在所述气孔通道上连接加注管；
(6)通过所述加注管抽真空，并加注碱金属原子，使碱金属原子通过所述气孔通道和内部沟道进入到气室中；
(7)对所述加注管进行密封，以形成全玻璃原子气室。
本发明的方法，通过激光切割、湿法刻蚀在玻璃基板上形成气室通孔、内部沟道和气孔通孔，湿法刻蚀过程中刻蚀液与玻璃发生化学反应，以去除激光切割产生的损伤层、氧化层，进而提升气孔通孔、内部沟道和气室通孔的光滑度；对玻璃基板的第一表面和第二表面进行抛光，可进一步去除玻璃基板表面的纹路，提升玻璃基板的光滑度，使两个表面与第一玻璃和第二玻璃更好的键合，提高气室和气孔通道之间的密封效果。在气孔通道上连接加注管以作为抽真空和充制碱金属原子的通道，有效地降低了杂质气体的进入，进而提升了碱金属原子的纯度，且抽真空和充制碱金属原子的过程无需在手套箱中进行，降低制作成本。此外，该方法还可以实现三维异型微小型原子气室的制备，以及还可以实现全玻璃原子气室的批量化生产，且操作简单。
步骤(1)中，在一些实施例中，所提供的玻璃基板包括石英玻璃或高硼硅玻璃。由此，湿法刻蚀过程可以采用强碱进行，降低了工艺难度，并且石英玻璃或高硼硅玻璃经抛光后的密封效果较佳，使得气室结构具有较低的漏气率。
在一些实施例中，第一玻璃和第二玻璃可分别独立地包括石英玻璃或高硼硅玻璃。进一步地，第一玻璃、玻璃基板和第二玻璃为具有相同膨胀系数的材质，这样有利于第一玻璃、玻璃基板和第二玻璃更适合光胶键合的方式形成气室和气孔通道，以提升气室和通孔的密封效果，降低漏气率。
步骤(1)中，玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃的长度、宽度和厚度，可以根据需要制作的全玻璃原子气室的数量来选择，以形成合适尺寸的气孔通道、内部沟道和气室，以有利于碱金属原子的通入和存储。可选地。玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃的厚度分别独立地为400μm-2mm。长度分别独立地为500μm-50mm，宽度分别独立地为500μm-50mm。
步骤(2)中，利用激光切割对所述玻璃基板进行加工，形成气室通孔、内部沟道和气孔通孔，并采用湿法刻蚀对气室通孔、内部沟道和气孔通孔进行刻蚀，可提高气室通孔、气孔通孔和沟道的光滑性。可以理解地是，激光切割是利用经聚焦的高功率密度激光束照射工件，使被照射的材料迅速烧蚀，同时借助与光束同轴的气流吹除熔融物质，从而实现切割目的。
可选地，所述激光切割中，控制激光的功率为200W-800W，波长为450nm-600nm，脉宽为250fs-350fs。
步骤(2)中，气孔通孔作为充制碱金属原子和抽真空过程的气体通道，其形状不受特殊限制。作为一些具体的示例，气孔通孔为方形。
可选地，气孔通孔的长度为300μm-600μm，如300μm、400μm、500μm、600μm等，气孔通孔的宽度为300μm-600μm，如300μm、400μm、500μm、600μm等。由此，前述规格的气孔通孔可促使碱金属原子顺畅进入到内部沟道中。
步骤(2)中，内部沟道作为充制碱金属原子和抽真空过程的气体通道，其形状不受特殊限制。作为一些具体的示例，内部沟道的形状为方形。
可选地，内部沟道的长度、宽度和高度分别独立地为大于100μm。凝结在内部沟道内壁上的碱金属原子有堵塞内部沟道的风险，而控制内部沟道的规格为前述范围时，可促使碱金属原子顺畅通入到气室通孔中，同时满足微小型原子气室对尺寸的要求。
进一步地，内部沟道的长度为100μm-250μm，如100μm、150μm、200μm、250μm等，内部沟道的宽度为100μm-250μm，如100μm、150μm、200μm、250μm等，内部沟道的高度(沿内部沟道长度垂直的方向上)为100μm-250μm，如100μm、150μm、200μm、250μm等。
步骤(2)中，气室通孔作为后续存储碱金属原子的空间，其形状不受特别限制。作为一些具体的示例，气室通孔的形状可以是方形，方形的气室通孔有利于实现多个面的通光，结构规则易于与前后系统集成。
可选地，气室通孔的长度为200μm-2mm，宽度为200μm-2mm。特别地，本发明可以制备微小型原子气室，其中，气室通孔的长度为200μm-600μm，宽度为200μm-600μm。
通常地，气孔通孔、内部沟道和气室通孔的附近以及侧壁存在损伤层和氧化层，利用湿法刻蚀可以去除损伤层和氧化层，进而提升通孔、沟道的光滑度。
在一些实施例中，刻蚀液为碱的水溶液，碱的化学式为M(OH)x，M表示碱金属或碱土金属，X为1或2。
可选地，碱的水溶液为浓度为5mol/L-10mol/L的KOH的水溶液。由此，在激光的作用下使得玻璃基板激光切割的部分形成活性中心，利用KOH刻蚀玻璃基板的过程中，其会与激光加工后的发生选择性刻蚀反应，激光加工后的玻璃材料将会形成富硅结构SiOx(x<2)，以提升被激光刻蚀部分的光滑度。
在一些实施例中，湿法刻蚀的温度为60℃-90℃。
在一些实施例中，刻蚀时间为40h-60h。
在一些实施例中，湿法刻蚀的温度为60℃-90℃。
在一些实施例中，步骤(2)还包括：将湿法刻蚀后的玻璃基板放入温度为900℃-1200℃的退火炉中，退火18h-25h。该退火过程使得湿法刻蚀后仍存在粗糙度的表面重熔，并重新光滑排布，以进一步提升被激光刻蚀部分的光滑度。
步骤(3)中，对步骤(2)所得玻璃基板的第一表面和第二表面进行抛光，可去除玻璃基板表面的纹路，提升玻璃基板的光滑度，有利于后续键合工艺的进行。
通常地，抛光方式可以为化学抛光或物理抛光。
步骤(4)中，键合抛光后的玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃，以形成气室和气孔通道。
在一些实施例中，键合工艺为原子胶键合。原子胶键合使抛光后的玻璃基板的第一表面和第二表面能够与第一玻璃和第二玻璃以表面间分子作用力紧密贴合。原子胶键合过程中，玻璃基板的第一表面和第二表面与第一玻璃和第二玻璃接触部分的羟基在互相接触区域形成氢键和大量悬空键，随着原子胶键合时间推移，悬空键会发生重构，变成硅醇键，至此完成原子级别的形式键合。该原子胶键合工艺简单、成本低廉，且原子胶键合后的气室和气孔的密封效果较好。可选地，原子胶键合工艺的温度为180℃-260℃。
步骤(5)中，在气孔通道上连接加注管，以有利于后续充制碱金属原子和抽真空操作。
在一些实施例中，利用热熔工艺在气孔通道上连接加注管。可选地，加注管的内径为0.5mm-1.5mm，外径为1.5mm-2.2mm。
可选地，加注管包括玻璃管。
在一些实施例中，步骤(5)还包括对连接加注管后的全玻璃构件进行烘烤。
步骤(6)中，对气室抽真空，并加注碱金属原子，使碱金属原子通过所述气孔通道和内部沟道进入气室。
在一些实施例中，利用加注管对气室抽真空的时间维持在22h-26h。由此，以提升气室的真空度，减少杂质气体的进入。
在一些实施例中，对气室加注碱金属原子的过程是利用碱金属原子的自然扩散，当气室壁存在金属样固体凝结时，结束加注。
步骤(7)中，对所述加注管进行密封，以形成全玻璃原子气室。
在一些实施例中，密封的方式为加热熔断加注管以密封气孔通道。
在一些实施例中，在玻璃基板上形成的气室通孔的数量为一个，该方法为制备单个全玻璃原子气室的方法。示例性地，如图1所示，玻璃基板上具有一个气室通孔1，一个气孔通孔2和一个内部沟道3，且内部沟道3用于连通气孔通孔2和气室通孔1。
可选地，在玻璃基板上形成的气室通孔的数量为一个，所述内部沟道、气室通孔和气孔通孔的中心点位于同一直线上，内部沟道的中心点位于所述玻璃基板厚度方向的400μm-600μm处。
在另一些实施例中，在玻璃基板上所形成的气室通孔数量为多个，内部沟道包括多个子沟道和一个主沟道，主沟道的一端与气孔通孔连通，多个子沟道的一端与多个气室通孔一一对应连通，另一端与主沟道并联连通。
在又一些实施例中，参考图2，在玻璃基板上形成呈阵列排列的多个气室通孔1，且多个气室通孔1呈n行m列排布，n和m分别为大于1的整数，内部沟道包括1个主沟道4，n个行沟道5和n×m个子沟道6，其中，主沟道4与n个行沟道5并列连通，每个行沟道5与m个子沟道6连通，且该m个子沟道6与m个气室通孔1一一对应连通。由此，可以完成全玻璃原子气室的批量制作。
可以理解的是，n和m涉及批量制作全玻璃原子气室的数量，其取值可以相同或不同。
可选地，n为2-15的整数，例如2、5、8、10、15等。
可选地，m为2-20的整数，例如2、5、8、10、15等。
在一些实施例中，参考图3，还包括步骤(8)，对各子沟道6进行加热密封，以获得密封的全玻璃原子气室。可选地，密封方式为利用CO2激光7局部加热各子沟道6完成密封。
在一些实施例中，步骤(8)还包括，利用玻璃切割技术切割阵列排布的原子气室，以分离阵列排布的原子气室，形成单个全玻璃原子气室，进而完成全玻璃原子气室的批量制作。
在批量制作全玻璃原子气室的过程，一方面，基于二氧化碳激光加工速度较快，批量制作的原子气室需要的时间较短，操作简单，极大地提高了制作效率；另一方面，经玻璃切割技术切割形成的单个全玻璃气室之间一致性较佳。
在本发明的另一个方面，本发明提出由上述方法制备的全玻璃原子气室。
作为一种示例，参考图4，该全玻璃原子气室包括玻璃基板8、上层玻璃9、下层玻璃10及由三者形成的原子气室11，且该全玻璃原子气室可以实现六面通光，以及被抛光的两面完全通光的效果，能够满足原子器件对原子气室的要求。
下面通过具体的实施例对本发明的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。
实施例1
以石英玻璃(规格为4mm×4mm×1mm)为玻璃基板，利用波长为515nm、脉宽为300fs、频率为200kHz的飞秒激光，沿着石英玻璃一个表面的边缘，依次扫描出长宽为400μm×400μm的气孔通孔、长宽高为200μm×200μm×200μm的内部沟道、长宽为00μm×500μm的气室通孔，且内部沟道的中心点位于石英玻璃厚度方向500μm处。而后将激光切割后的石英玻璃置入浓度为8mol/L的KOH水溶液中于80℃刻蚀48h，然后对湿法刻蚀后的石英玻璃在1000℃退火处理20h。
对经上述加工后的石英玻璃的两个表面进行抛光处理抛光后玻璃基板厚度自然减薄至500μm，而后取两片抛光玻璃(规格为4mm×4mm×1mm)分别覆合在石英玻璃的两个表面，利用光胶原子键合的方式键合这三层玻璃，并控制键合过程温度在200℃，以共同形成气室和气孔通道。
以热熔方式将内径为1mm、外径为2mm的玻璃管连接在气孔通道上。
烘烤上述加注玻璃管后的玻璃构件，利用玻璃管由气孔通道、内部沟道至气室进行抽真空，持续时间24h，而后通过充气孔通道和外连Cs原子金属源，使Cs原子气体自然扩散，直至气室壁上存在金属样固体凝结时，结束加注Cs原子。
最后，加热熔断玻璃管，以CO2激光加热密封内部沟道，以形成单个全玻璃原子气室，该全玻璃原子气室具有四面通光光滑，全玻璃一体，对无线电信号无吸收的性质。
实施例2
以石英玻璃(规格为30mm×30mm×1mm)为玻璃基板，利用波长为515nm、脉宽为300fs、频率为200kHz的飞秒激光，沿着石英玻璃的一个表面的边缘，依次扫描出10×10阵列排布的长宽为500μm×500μm气室通孔，并控制行与行的间距为2mm，每行气室通孔的间距为2mm。
继续利用激光在石英玻璃上扫描出10×10阵列排布的子沟道、10个行沟道、1个主沟道和气孔通道，并使每行的10个子沟道与每行10个气室通孔一一对应连通，每个行沟道都与10个子沟道连通，主沟道与10个行沟道连通，气孔通孔与主沟道连通。
而后将激光切割后的石英玻璃置入浓度为8mol/L的水KOH溶液中于80℃刻蚀48h，并对湿法刻蚀后的石英玻璃在1000℃退火处理20h。
对经上述加工后的石英玻璃的两个表面进行抛光处理，而后取两片抛光玻璃(规格为30mm×30mm×1mm)分别覆合在石英玻璃的两个表面，利用原子胶键合的方式键合这三层玻璃，并控制键合过程温度在200℃，以共同形成气室和气孔通道。
以热熔的方式将内径为1mm、外径为2mm的玻璃管连接在气孔通道上。
烘烤上述加注玻璃管后的所得构件，同时利用气孔通道对内部沟道和气室进行抽真空，并持续时间24h，而后通过充气孔通道和外连Rb原子金属源，Rb原子气体自然扩散，直至直至气室壁上存在金属样固体凝结时，结束加注Rb原子。
加热熔断玻璃管，并进行CO2局部激光加热密封子沟道、行沟道和主沟道。
最后，利用玻璃切割技术切割出100个分立的单个全玻璃原子气室。
该方法形成的全玻璃原子气室的气密性极佳，利用侧漏仪测得氦漏气率为1.5×10-13Pa·m3/s，该测量值远低于侧漏仪器极限数值，可以满足全玻璃原子气室的工作需求；且单个全玻璃气室尺寸较小、易光学集成、四面通光光滑，全玻璃一体，对无线电信号无吸收的性质。此外，在批量制作100个全玻璃原子气室的过程，由于二氧化碳激光加工速度较快，批量制作的原子气室需要5min-10min，操作简单，极大地增加了制作效率，且批量制作形成的100个全玻璃气室之间一致性较佳。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种制备全玻璃原子气室的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供玻璃基板、第一玻璃和第二玻璃，
所述玻璃基板具有相对设置的第一表面、第二表面和侧面，
所述第一玻璃和所述第二玻璃均为抛光玻璃；
(2)采用激光切割及湿法蚀刻工艺对所述玻璃基板进行加工，以在所述玻璃基板上形成气室通孔、内部沟道和气孔通孔，
所述气室通孔贯穿所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面，所述气孔通孔为在所述玻璃基板侧面形成的凹槽，所述内部沟道将所述气室通孔和所述气孔通孔连通；
(3)对所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面进行抛光；
(4)在抛光后的所述第一表面和所述第二表面上分别键合所述第一玻璃和所述第二玻璃，以使所述第一玻璃、所述玻璃基板和所述第二玻璃之间共同形成气室和气孔通道；
(5)在所述气孔通道上连接加注管；
(6)通过所述加注管抽真空，并加注碱金属原子，使碱金属原子通过所述气孔通道和内部沟道进入到气室中；
(7)对所述加注管进行密封，以形成全玻璃原子气室。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述玻璃基板、所述第一玻璃和所述第二玻璃分别独立地包括石英玻璃或高硼硅玻璃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述玻璃基板、所述第一玻璃和所述第二玻璃的厚度分别独立地为400μm-2mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气孔通孔的长度为300μm-600μm，所述气孔通孔的宽度为300μm-600μm；
和/或，所述气室通孔的长度为200μm-2mm，所述气室通孔的宽度为200μm-2mm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀满足以下条件中的至少一者：
刻蚀液为碱的水溶液，碱的化学式为M(OH)X，M表示碱金属或碱土金属，X为1或2；
温度为60℃-90℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述碱的水溶液的浓度为5mol/L-10mol/L的KOH水溶液。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述玻璃基板上形成的气室通孔数量为一个。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述玻璃基板上形成呈阵列排列的多个气室通孔，且多个气室通孔呈n行m列排布，n和m分别为大于1的整数，所述内部沟道包括1个主沟道，n个行沟道和n×m个子沟道，其中，所述主沟道与n个行沟道并列连通，每个行沟道与m个子沟道连通，且该m个子沟道与m个气室通孔一一对应连通。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
(8)对各子沟道进行加热密封。
10.由权利要求1-9任一项所述的方法制备的全玻璃原子气室。
Priority Applications (1)
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| CN202311344772.2A CN117658478A (zh) | 2023-10-17 | 2023-10-17 | 全玻璃原子气室及其制备方法 |
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