CN117651446A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括基底和发光元件层，基底包括上表面、面向上表面的底表面以及穿透上表面和底表面的通孔，发光元件层在基底的上表面上，其中，基底包括：侧表面，在通孔中与上表面相交；第一表面，与底表面相交；第二表面，与侧表面相交；以及第三表面，在第一表面与第二表面之间，并且其中，第一表面和第二表面彼此间隔开，且第三表面在第一表面与第二表面之间，并且第一表面和第二表面是倾斜表面。
Description
技术领域
本公开的一些实施例的方面涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着信息化社会发展，对显示装置的需求不断增加。例如，显示装置正在被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的多种电子装置采用。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置。在这样的平板显示装置之中，发光显示装置包括可以自发光的发光元件，使得显示面板的像素中的每个可以自发光。因此，发光显示装置可以在没有对显示面板供应光的背光单元的情况下显示图像。
显示装置可以包括显示图像的显示区域和在显示区域周围的非显示区域。最近，为了观看者更多地沉浸在显示区域上显示的内容中并增加显示装置的美观性，非显示区域的宽度不断减小。
顺便提及，在制造显示装置的工艺中，可以通过沿着形成在母基底上的多个显示单元切割母基底来形成显示装置。例如，可以通过在母基底上切割显示装置来形成显示装置中的通孔，其中诸如相机的光学器件定位在通孔中。在形成通孔的工艺中，通孔的附近的膜可能由于激光的高热量而损坏，例如，分层。因此，存在减少对这种显示装置的损坏的方法。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
本公开的一些实施例的方面包括可以减少对显示装置的损坏的显示装置和制造该显示装置的方法。
应当注意的是，根据本公开的实施例的特性不限于上述特性；并且通过以下描述，本公开的其他特性对于本领域技术人员而言将是明显的。
根据本公开的一些实施例，一种显示装置包括基底和发光元件层，基底包括上表面、面向上表面的底表面以及穿透上表面和底表面的通孔，发光元件层在基底的上表面上，其中，基底包括：侧表面，在通孔中与上表面相交；第一表面，与底表面相交；第二表面，与侧表面相交；以及第三表面，在第一表面与第二表面之间，并且其中，第一表面和第二表面彼此间隔开，且第三表面在第一表面与第二表面之间，并且第一表面和第二表面是倾斜表面。
根据一些实施例，第三表面的一端与第一表面相交，并且第三表面的相对端与第二表面相交。
根据一些实施例，底表面与第一表面之间的角度和第三表面与第二表面之间的角度是钝角。
根据一些实施例，底表面与第一表面之间的角度等于第三表面与第二表面之间的角度。
根据一些实施例，底表面与第一表面之间的角度大于第三表面与第二表面之间的角度。
根据一些实施例，第三表面与第二表面之间的角度大于底表面与第一表面之间的角度。
根据一些实施例，第一表面在倾斜方向上的长度等于第二表面在倾斜方向上的长度。
根据一些实施例，第一表面在倾斜方向上的长度大于第二表面在倾斜方向上的长度。
根据一些实施例，第二表面在倾斜方向上的长度大于第一表面在倾斜方向上的长度。
根据一些实施例，第三表面与底表面或上表面平行地延伸。
根据一些实施例，第三表面是倾斜表面。
根据一些实施例，第一表面和第二表面中的至少一个是平坦表面或弯曲表面。
根据一些实施例，在由第一表面、第二表面和第三表面形成的平面上在底表面与侧表面之间的长度为100μm至500μm。
根据本公开的一些实施例，一种显示装置包括基底和发光元件层，基底包括上表面、面向上表面的底表面以及穿透上表面和底表面的通孔，发光元件层在基底的上表面上，其中，基底包括：侧表面，在通孔中与上表面相交；第一表面，与底表面相交；第二表面，与侧表面相交；以及第三表面，在第一表面与第二表面之间，其中，底表面与第一表面之间的角度和第三表面与第二表面之间的角度是钝角，并且其中，底表面和第三表面形成台阶边缘。
根据一些实施例，底表面与第一表面之间的角度大于第三表面与第二表面之间的角度。
根据一些实施例，第一表面在倾斜方向上的长度大于第二表面在倾斜方向上的长度。
根据一些实施例，在由第一表面、第二表面和第三表面形成的平面上在底表面与侧表面之间的长度为100μm至500μm。
根据一些实施例，显示装置还包括：至少部分地嵌入到通孔中的光学器件。
根据本公开的一些实施例，一种制造显示装置的方法包括以下步骤：在母基底的第一表面上形成多个显示单元；通过在母基底的面向第一表面的第二表面上照射第一激光来形成用于切割多个显示单元的第一激光照射区域；在母基底的第二表面上照射第二激光和第三激光，以沿着多个显示单元中的每个显示单元的通孔的边缘形成第二激光照射区域和第三激光照射区域；以及通过在母基底的第二表面上喷射蚀刻剂并沿着母基底的第一激光照射区域和第二激光照射区域切割母基底来使多个显示单元分离。
根据一些实施例，第三激光照射区域被形成为围绕第二激光照射区域。
根据一些实施例，第二激光照射区域距母基底的第一表面的深度大于第三激光照射区域距母基底的第一表面的深度。
根据一些实施例，第一激光和第三激光的重复率在10kHz至250kHz的范围内，并且第二激光的重复率在1kHz至50kHz的范围内。
根据一些实施例，第一激光和第三激光的处理速度在10mm/s至250mm/s的范围内，并且第二激光的处理速度在1mm/s至50mm/s的范围内。
根据一些实施例，第一激光和第三激光的脉冲能量以及第二激光的脉冲能量在10μJ至300μJ的范围内。
根据一些实施例，该方法还包括：通过沿着通孔的边缘在与第二激光照射区域间隔开并且在第二激光照射区域的内侧上的位置处照射第四激光来形成第四激光照射区域。
根据本公开的一些实施例，通过照射激光然后喷射蚀刻剂的方式，以下可以是可能的：减小母基底的厚度，将多个显示单元中的每个与母基底分开，并且形成贯通中空。以这种方式，提高制造工艺的效率可以是可能的。
另外，通过在显示装置的通孔中减小基底的侧表面的边缘的角度，可以改善基底的耐冲击性。
另外，可以在显示装置的通孔处相对容易地使基底与母基底分离，从而防止或减少对基底的损坏。
另外，防止或减少由于激光的高热量而对显示装置的通孔附近的损坏可以是可能的。
应当注意的是，根据本公开的实施例的特性不限于上述那些，并且通过以下描述，本公开的其他效果对于本领域技术人员而言将是明显的。
附图说明
通过参照附图更详细地描述根据本公开的实施例的一些实施例的方面，根据本公开的实施例的上述和其他方面及特征将变得更加明显。
图1是根据本公开的一些实施例的显示装置的透视图。
图2是示出根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图。
图3是示出沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示例的剖视图。
图4是示出当电路板弯曲时图3的显示像素的示例的剖视图。
图5是示出根据本公开的一些实施例的显示面板的显示区域的示例的剖视图。
图6是更详细地示出图2的区域A的示例的布局图。
图7是更详细地示出图2的区域B的示例的布局图。
图8是更详细地示出图2的区域D的示例的布局图。
图9是示出沿着图6的线II-II'截取的显示面板的示例的剖视图。
图10是示出沿着图7的线III-III'截取的显示面板的示例的剖视图。
图11是示出沿着图8的线IV-IV'截取的显示面板的示例的剖视图。
图12是更详细地示出图9的区域E的示例的放大剖视图。
图13是更详细地示出图10的区域F的示例的放大剖视图。
图14是更详细地示出图11的区域G的示例的放大剖视图。
图15是示出根据一些实施例的图2的区域I的显示面板的通孔、无机封装区域、布线区域和显示区域的示例的布局图。
图16是示出沿着图15的线V-V'截取的显示面板的示例的剖视图。
图17是更详细地示出图16的区域K的示例的放大剖视图。
图18至图22是示出图16的区域L的各种示例的放大剖视图。
图23是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的流程图。
图24至图39是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的视图。
图40至图42是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
图43是示出根据对比示例的显示装置的通孔的图像。
图44是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的通孔的图像。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了发明的一些实施例的方面。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
本公开的各种实施例的特征中的每个可以部分地或全部地组合或彼此组合，并且在技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的一些实施例的方面。
图1是根据本公开的一些实施例的显示装置的透视图。图2是示出根据本公开的一些实施例的显示面板的平面图。
参照图1和图2，根据本公开的一些实施例的显示装置10用于显示运动图像或静止图像。显示装置10可以用作诸如移动电话、智能电话、平板PC、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置的显示屏幕，以及诸如电视、笔记本、监视器、广告牌和物联网装置的各种产品的显示屏幕。
根据本公开的一些实施例，显示装置10可以是诸如使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置以及使用微米或纳米发光二极管(微米LED或纳米LED)的微LED显示装置的发光显示装置。在以下描述中，有机发光显示装置被描述为显示装置10的示例。然而，将要理解的是，根据本公开的实施例不限于此。
根据一些实施例的显示装置10包括显示面板100、驱动集成电路(IC)200和电路板300。
显示面板100可以形成为矩形平面，矩形平面具有在第一方向(X轴方向)上的长边和在与第一方向(X轴方向)相交的第二方向(Y轴方向)上的短边。第一方向(X轴方向)上的长边与第二方向(Y轴方向)上的短边交汇的拐角中的每个可以形成为直角，或者可以是具有曲率的圆形(倒圆)。当从顶部观看时，显示面板100的形状不限于四边形形状，而是可以形成为不同的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
显示面板100可以形成为平坦的，但不限于此。例如，显示面板100可以形成为在左端和右端处包括具有恒定曲率或变化曲率的弯曲部分。另外，显示面板100可以是柔性的，使得其可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。
显示面板100可以包括显示图像的显示区域DA和布置在显示区域DA周围(例如，在显示区域DA的外围区域中，或者在显示区域DA的占用面积外部)的非显示区域NDA。
显示区域DA可以占据显示面板100的大部分区域。显示区域DA可以定位在显示面板100的中心处。在显示区域DA中，可以形成各自包括多个发射区域的像素以显示图像。
非显示区域NDA可以定位为与显示区域DA相邻(例如，在显示区域DA的占用面积外部，或者在显示区域DA的外围中)。非显示区域NDA可以定位在显示区域DA的外侧上。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以限定为显示面板100的边界。
在非显示区域NDA中，显示垫(pad，又称为“焊盘”或“焊垫”)PD可以布置为连接到电路板300。显示垫PD可以定位在显示面板100的一个边缘处。例如，显示垫PD可以定位在显示面板100的下边缘处。
驱动集成电路(IC)200可以生成数据电压、电源电压、扫描时序信号等。驱动IC200可以输出数据电压、电源电压、扫描时序信号等。
驱动IC 200可以在非显示区域NDA中定位在显示垫PD与显示区域DA之间。驱动IC200中的每个可以通过玻璃上芯片(COG)技术附着到显示面板100的非显示区域NDA。可选地，驱动IC 200可以通过塑料上芯片(COP)技术分别附着到电路板300。
电路板300可以定位在定位于显示面板100的一个边缘处的显示垫PD上。电路板300可以使用诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件附着到显示垫PD。因此，电路板300可以电连接到显示面板100的信号线。电路板300可以是柔性印刷电路板、诸如膜上芯片的柔性膜。
弯曲区域BA可以在非显示区域NDA中定位在驱动IC 200与显示区域DA之间。弯曲区域BA可以弯曲，使得驱动IC 200和电路板300定位在基底SUB(见图3)下方。
通孔TH可以形成在显示区域DA的一侧处。通孔TH可以透射光，光学器件可以定位在通孔TH中。
图3是示出沿着图1的线I-I'截取的显示装置的示例的剖视图。图4是示出当电路板弯曲时图3的显示像素的示例的剖视图。参照图3，根据一些实施例的显示装置10可以包括显示面板100、偏振膜PF、覆盖窗CW和面板底盖PB。显示面板100可以包括基底SUB、显示层DISL、封装层ENC和传感器电极层SENL。
基底SUB是刚性基底，并且可以是例如玻璃基底。
显示层DISL可以定位在基底SUB的第一表面上。显示层DISL可以显示图像。显示层DISL可以包括其中形成有薄膜晶体管的薄膜晶体管层TFTL(见图5)和其中发射光的发光元件定位在发射区域中的发光元件层EML(见图5)。
在显示层DISL的显示区域DA中，可以布置扫描线、数据线、电压线等，使得在发射区域中发射光。在显示层DISL的非显示区域NDA中，可以布置将扫描信号输出到扫描线的扫描驱动电路、将数据线与驱动IC 200连接的扇出线等。
封装层ENC可以封装显示层DISL的发光元件层EML，以防止或减少氧或湿气渗透到显示层DISL的发光元件层EML中的情况。封装层ENC可以定位在显示层DISL上。封装层ENC可以定位在显示层DISL的上表面和侧表面上。封装层ENC可以布置为覆盖显示层DISL。
传感器电极层SENL可以定位在封装层ENC上。传感器电极层SENL可以包括传感器电极。传感器电极层SENL可以使用传感器电极来感测用户的触摸。
偏振膜PF可以定位在传感器电极层SENL上。偏振膜PF可以定位在显示面板100上，以减少外部光的反射。偏振膜PF可以包括第一基体构件、线性偏振器、延迟膜(诸如λ/4(四分之一波)片)和第二基体构件。偏振膜PF的第一基体构件、延迟膜、线性偏振器和第二基体构件可以顺序地堆叠在显示面板100上。
覆盖窗CW可以定位在偏振膜PF上。覆盖窗CW可以通过透明粘合构件(诸如光学透明粘合剂(OCA)膜)附着到偏振膜PF上。
面板底盖PB可以定位在显示面板100的基底SUB的第二表面上。基底SUB的第二表面可以与第一表面相对。面板底盖PB可以通过粘合构件附着到显示面板100的基底SUB的第二表面。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。
面板底盖PB可以包括以下中的至少一个：用于吸收从外部入射的光的光阻挡构件、用于吸收外部冲击的缓冲构件和用于有效地从显示面板100排出热量的散热构件。
光阻挡构件可以定位在显示面板100下方。光阻挡构件阻挡光的透射，以防止或减少从显示面板100上方看到定位在其下方的元件(诸如电路板300)的情况。光阻挡构件可以包括诸如黑色颜料和黑色染料的吸光材料。
缓冲构件可以定位在光阻挡构件下方。缓冲构件吸收外部冲击，以防止或减少对显示面板100的损坏。缓冲构件可以由单层或多层构成。例如，缓冲构件可以由诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯和聚乙烯的聚合物树脂形成，或者可以由具有弹性的材料(诸如橡胶和通过使氨基甲酸乙酯类材料或丙烯酸类材料发泡而获得的海绵)形成。
散热构件可以定位在缓冲构件下方。散热构件可以包括第一散热层和第二散热层，第一散热层包括石墨或碳纳米管，第二散热层由可以阻挡电磁波并具有高热导性的薄金属膜(诸如铜、镍、铁素体和银)形成。
驱动IC 200和电路板300可以弯曲，使得它们定位在显示面板100下方。电路板300可以通过粘合构件310附着到面板底盖PB的下表面(或底表面)。粘合构件310可以是压敏粘合剂。
根据一些实施例，通孔TH可以形成在显示装置10中。通孔TH可以使光通过其穿过，并且可以是穿透面板底盖PB和偏振膜PF以及显示面板100的物理孔。然而，应当理解的是，根据本公开的实施例不限于此。通孔TH可以穿透面板底盖PB，但是可以不穿透显示面板100或偏振膜PF。覆盖窗CW可以布置为覆盖通孔TH。
通孔TH可以穿透显示面板100的基底SUB、显示层DISL、封装层ENC和传感器电极层SENL。
根据一些实施例的包括显示装置10的电子装置还可以包括定位在通孔TH中的光学器件OPD。光学器件OPD可以与显示面板100、面板底盖PB和偏振膜PF间隔开。光学器件OPD可以是感测通过通孔TH入射的光的光学传感器(诸如接近传感器、照度传感器和相机传感器)。
图5是示出根据本公开的一些实施例的显示面板的显示区域的示例的剖视图。
参照图5，根据本公开的一些实施例的显示面板100可以是包括发光元件LEL的有机发光显示面板，发光元件LEL均包括有机发射层172。
显示层DISL可以包括包含多个薄膜晶体管TFT的薄膜晶体管层TFTL和包含多个发光元件LEL的发光元件层EML。
缓冲膜BF可以定位在基底SUB上。缓冲膜BF可以由诸如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝的无机材料形成。可选地，缓冲膜BF可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的两个或更多个彼此堆叠的多个层构成。
包括薄膜晶体管TFT的沟道区TCH、源区TS和漏区TD的有源层可以定位在缓冲膜BF上。有源层可以由多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体制成。当有源层包括多晶硅或氧化物半导体材料时，有源层中的源区TS和漏区TD可以是掺杂有离子或杂质以具有导电性的导电区。
栅极绝缘体130可以定位在薄膜晶体管TFT的有源层上。栅极绝缘体130可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。
包括薄膜晶体管TFT的栅电极TG、电容器Cst的第一电容器电极CAE1和扫描线的第一栅极金属层可以定位在栅极绝缘体130上。薄膜晶体管TFT的栅电极TG可以在第三方向(Z轴方向)上与沟道区TCH叠置。第一栅极金属层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第一层间介电膜141可以定位在第一栅极金属层上。第一层间介电膜141可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。第一层间介电膜141可以包括多个无机层。
包括电容器Cst的第二电容器电极CAE2的第二栅极金属层可以定位在第一层间介电膜141上。第二电容器电极CAE2可以在第三方向(Z轴方向)上与第一电容器电极CAE1叠置。因此，电容器Cst可以由第一电容器电极CAE1、第二电容器电极CAE2和定位在其间并用作介电膜的第一层间介电膜141形成。第二栅极金属层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第二层间介电膜142可以定位在第二栅极金属层上。第二层间介电膜142可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。第二层间介电膜142可以包括多个无机层。
包括第一连接电极CE1和数据线的第一数据金属层可以定位在第二层间介电膜142上。第一连接电极CE1可以通过穿透栅极绝缘体130、第一层间介电膜141和第二层间介电膜142的第一接触孔CT1连接到漏区TD。第一数据金属层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第一有机膜160可以布置在第一连接电极CE1之上，用以在具有不均匀高度的薄膜晶体管TFT上方提供平坦表面。第一有机膜160可以形成为包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层。
包括第二连接电极CE2的第二数据金属层可以定位在第一有机膜160上。第二数据金属层可以通过穿透第一有机膜160的第二接触孔CT2连接到第一连接电极CE1。第二数据金属层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第二有机膜180可以定位在第二连接电极CE2上。第二有机膜180可以形成为包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层。
应当注意的是，可以去除第二有机膜180和包括第二连接电极CE2的第二数据金属层。
发光元件层EML定位在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括发光元件LEL和堤190。
发光元件LEL中的每个可以包括像素电极171、发射层172和共电极173。在发射区域EA中的每个中，像素电极171、发射层172和共电极173顺序地彼此堆叠，使得来自像素电极171的空穴和来自共电极173的电子在发射层172中彼此复合以发射光。在这种情况下，像素电极171可以是阳极电极，而共电极173可以是阴极电极。
包括像素电极171的像素电极层可以形成在第二有机膜180上。像素电极171可以通过穿透第二有机膜180的第三接触孔CT3连接到第二连接电极CE2。像素电极层可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
在光从发射层172朝向共电极173出射的顶部发射结构中，像素电极171可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层构成，或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)构成，以增加反射率。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
堤190可以限定像素的发射区域EA。为此，堤190可以形成在第二有机膜180上以暴露像素电极171的一部分。堤190可以覆盖像素电极171的边缘。堤190可以定位在第三接触孔CT3内。换句话说，第三接触孔CT3可以填充有堤190。堤190可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层形成。
间隔件191可以定位在堤190上。间隔件191可以在制造发射层172的工艺期间支撑掩模。间隔件191可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层形成。
发射层172形成在像素电极171上。发射层172可以包括有机材料以发射某种颜色的光。例如，发射层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。有机材料层可以包括主体和掺杂剂。有机材料层可以包括发射预定光的材料，并且可以使用磷光体或荧光材料形成。
共电极173形成在发射层172上。共电极173可以形成为覆盖发射层172。共电极173可以是跨发射区域EA1、EA2、EA3和EA4(见图6)形成的公共层。盖层可以形成在共电极173上。
在顶部发射结构中，共电极173可以由可以透射光的透明导电材料(TCP)(诸如ITO和IZO)或半透射导电材料(诸如镁(Mg)、银(Ag)以及镁(Mg)和银(Ag)的合金)形成。当共电极173由半透射金属材料形成时，通过使用微腔可以提高光提取效率。
封装层ENC可以定位在发光元件层EML上。封装层ENC可以包括一个或更多个无机封装膜TFE1和TFE3，以防止或减少氧或湿气渗透到发光元件层EML中。另外，封装层ENC可以包括至少一个有机封装膜TFE2，以保护发光元件层EML免受诸如灰尘的颗粒的影响。例如，封装层ENC可以包括第一无机封装膜TFE1、有机封装膜TFE2和第二无机封装膜TFE3。
第一无机封装膜TFE1可以定位在共电极173上，有机封装膜TFE2可以定位在第一无机封装膜TFE1上，第二无机封装膜TFE3可以定位在有机封装膜TFE2上。第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层彼此交替堆叠的多层构成。有机封装膜TFE2可以是包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机膜。
传感器电极层SENL可以定位在封装层ENC上。传感器电极层SENL可以包括传感器电极TE和RE。
第二缓冲膜BF2可以定位在封装层ENC上。第二缓冲膜BF2可以包括至少一个无机膜。例如，第二缓冲膜BF2可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层彼此交替堆叠的多层构成。可以去除第二缓冲膜BF2。
第一桥BE1可以定位在第二缓冲膜BF2上。第一桥BE1可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层构成，或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)构成。
第一传感器绝缘膜TINS1可以定位在第一桥BE1上。第一传感器绝缘膜TINS1可以由例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。
传感器电极(即，驱动电极TE和感测电极RE)可以定位在第一传感器绝缘膜TINS1上。另外，虚设图案可以定位在第一传感器绝缘膜TINS1上。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案不与发射区域EA叠置。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层构成，或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)构成。驱动电极TE可以通过穿透第一传感器绝缘膜TINS1的第一传感器电极接触孔TCNT1电连接到第一桥BE1。
第二传感器绝缘膜TINS2可以定位在驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案上。第二传感器绝缘膜TINS2可以包括无机膜和有机膜中的至少一个。无机膜可以是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机膜可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂。
图6是更详细地示出图2的区域A的示例的布局图。图6是示出根据一些实施例的定位在显示面板100的右侧上的显示区域DA和非显示区域NDA的布局图。
参照图6，显示区域DA可以包括多个发射区域EA1、EA2、EA3和EA4。多个发射区域EA1、EA2、EA3和EA4可以包括发射第一颜色的光的第一发射区域EA1、发射第二颜色的光的第二发射区域EA2和第四发射区域EA4以及发射第三颜色的光的第三发射区域EA3。例如，第一颜色的光可以是在近似600nm至750nm的红色波长范围内的光，第二颜色的光可以是在近似480nm至560nm的绿色波长范围内的光，第三颜色的光可以是在近似370nm至460nm的蓝色波长范围内的光。然而，应当理解的是，本公开不限于此。
尽管在图6中示出的示例中第二发射区域EA2和第四发射区域EA4发射相同颜色的光(即，第二颜色的光)，但是本公开的实施例不限于此。第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以发射不同颜色的光。例如，第二发射区域EA2可以发射第二颜色的光，第四发射区域EA4可以发射第四颜色的光。
另外，尽管在图6中示出的示例中当从顶部观看时第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4中的每个可以具有矩形形状，但是本公开的实施例不限于此。当从顶部观看时，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4中的每个可以具有除四边形形状之外的其他多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
另外，如图6中所示，第三发射区域EA3可以是最大的，而第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以是最小的。第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以具有相同的尺寸。
第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以在第一方向(X轴方向)上交替布置。第二发射区域EA2可以在第二方向(Y轴方向)上布置。第四发射区域EA4可以在第二方向(Y轴方向)上布置。第四发射区域EA4中的每个可以具有在第一斜线方向DD1上的长边和在第二斜线方向DD2上的短边，而第二发射区域EA2中的每个可以具有在第二斜线方向DD2上的长边和在第一斜线方向DD1上的短边。第一斜线方向DD1可以指第一方向(X轴方向)与第二方向(Y轴方向)之间的斜线方向，第二斜线方向DD2可以与第一斜线方向DD1垂直。
第一发射区域EA1和第三发射区域EA3可以在第一方向(X轴方向)上交替布置。第一发射区域EA1可以在第二方向(Y轴方向)上布置。第三发射区域EA3可以在第二方向(Y轴方向)上布置。当从顶部观看时，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3中的每个可以具有正方形形状，但是本公开的实施例不限于此。在这种情况下，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3中的每个可以包括在第一斜线方向DD1上彼此平行的两条边和在第二斜线方向DD2上彼此平行的两条边。
非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。在第一非显示区域NDA1中，可以定位有用于驱动显示区域DA的像素的结构。第二非显示区域NDA2可以定位在第一非显示区域NDA1的外侧上。第二非显示区域NDA2可以是非显示区域NDA的边缘区域。另外，第二非显示区域NDA2可以是显示面板100的边缘区域。
第一非显示区域NDA1可以包括扫描驱动电路SDC、第一电源电压线VSL、第一坝DAM1和第二坝DAM2。
扫描驱动电路SDC可以包括多个级STA。多个级STA可以相应地连接到显示区域DA的在第一方向(X轴方向)上延伸的扫描线。也就是说，多个级STA可以分别连接到显示区域DA的在第一方向(X轴方向)上延伸的扫描线。级STA可以将扫描信号顺序地施加到扫描线。
第一电源电压线VSL可以定位在扫描驱动电路SDC的外侧上。也就是说，第一电源电压线VSL可以定位为比扫描驱动电路SDC靠近显示面板100的边缘EG。第一电源电压线VSL可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中在第二方向(Y轴方向)上延伸。
第一电源电压线VSL可以电连接到共电极173，并且因此共电极173可以从第一电源电压线VSL接收第一电源电压。
第一坝DAM1和第二坝DAM2是用于防止或减少封装层ENC的有机封装膜TFE2溢出到显示面板100的边缘EG的情况的结构。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二坝DAM2可以定位在第一坝DAM1的外侧上。第一坝DAM1可以定位为比第二坝DAM2靠近扫描驱动电路SDC，第二坝DAM2可以定位为比第一坝DAM1靠近显示面板100的边缘EG。
尽管在图6中示出的示例中第一坝DAM1和第二坝DAM2定位在第一电源电压线VSL上，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一坝DAM1和第二坝DAM2中的一个可以不定位在第一电源电压线VSL上。可选地，第一坝DAM1和第二坝DAM2中没有一个可以定位在第一电源电压线VSL上。在这种情况下，第一坝DAM1和第二坝DAM2可以定位在第一电源电压线VSL的外侧上。
另外，尽管如图6中示出根据一些实施例的显示面板100包括两个坝DAM1和DAM2，但是本公开的实施例不限于此。例如，根据一些实施例的显示面板100可以包括三个或更多个坝。
第二非显示区域NDA2可以包括裂缝坝CRD和边缘区域EGA。
裂缝坝CRD可以是用于在制造显示装置10的工艺中防止或减少在切割基底SUB的工艺期间发生裂缝的情况的结构。裂缝坝CRD可以是定位在显示面板100的右侧上的最外位置处的最外结构。裂缝坝CRD可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中在第二方向(Y轴方向)上延伸。
边缘区域EGA可以沿着显示面板100的边缘EG延伸。边缘区域EGA可以是在切割基底SUB的工艺期间其中出现处理标记的区域。
图7是更详细地示出图2的区域B的示例的布局图。图7是示出根据一些实施例的定位在显示面板100的下侧上的非显示区域NDA的布局图。
参照图7，第一非显示区域NDA1可以包括多个显示垫PD、多个第一驱动垫DPD1、多个第二驱动垫DPD2、多条垫线PDL、多条扇出线FL、第一坝DAM1和第二坝DAM2。
多个显示垫PD可以通过诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件电连接到电路板300。多个显示垫PD可以分别连接到垫线PDL。垫线PDL可以将显示垫PD与第一驱动垫DPD1连接。
多个第一驱动垫DPD1和多个第二驱动垫DPD2可以通过诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件电连接到驱动IC 200。多个第一驱动垫DPD1可以是用于驱动IC 200以接收电路板300的信号(例如，数字视频数据、数据时序控制信号等)的输入垫。多个第二驱动垫DPD2可以是用于输出驱动IC 200的信号(例如，数据电压)的输出垫。多个第二驱动垫DPD2可以分别连接到扇出线FL。扇出线FL可以将第二驱动垫DPD2与显示区域DA的数据线连接。
多个第一驱动垫DPD1可以定位为在第二方向(Y轴方向)上比与其连接的显示垫PD靠近显示区域DA。也就是说，在彼此连接的显示垫PD和第一驱动垫DPD1之中，显示垫PD可以定位为在第二方向(Y轴方向)上比第一驱动垫DPD1靠近显示面板100的边缘EG。
多个第二驱动垫DPD2中的每个可以定位为在第二方向(Y轴方向)上比多个第一驱动垫DPD1中的对应的第一驱动垫靠近显示区域DA。也就是说，第一驱动垫DPD1可以定位为在第二方向(Y轴方向)上比多个第二驱动垫DPD2靠近显示面板100的边缘EG。
第一坝DAM1和第二坝DAM2可以与扇出线FL交叉。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在显示面板100的下侧上在非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。第二坝DAM2可以定位在第一坝DAM1的外侧上。第一坝DAM1可以定位为比第二坝DAM2靠近显示区域DA，第二坝DAM2可以定位为比第一坝DAM1靠近显示面板100的边缘EG。
图8是更详细地示出图2的区域D的示例的布局图。图8是示出根据一些实施例的定位在显示面板100的上侧上的显示区域DA和非显示区域NDA的布局图。
参照图8，第一非显示区域NDA1可以包括第一电源电压线VSL、第一坝DAM1和第二坝DAM2。第一非显示区域NDA1可以不包括扫描驱动电路SDC。
第一电源电压线VSL可以在显示面板100的上侧上在非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。第一电源电压线VSL可以电连接到共电极173，并且因此共电极173可以从第一电源电压线VSL接收第一电源电压。
第一坝DAM1和第二坝DAM2可以在显示面板100的上侧上在非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。第二坝DAM2可以定位在第一坝DAM1的外侧上。第一坝DAM1可以定位为比第二坝DAM2靠近显示区域DA，第二坝DAM2可以定位为比第一坝DAM1靠近显示面板100的边缘EG。
尽管在图8中示出的示例中第一坝DAM1和第二坝DAM2定位在第一电源电压线VSL上，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一坝DAM1和第二坝DAM2中的一个可以不定位在第一电源电压线VSL上。可选地，第一坝DAM1和第二坝DAM2中没有一个可以定位在第一电源电压线VSL上。在这种情况下，第一坝DAM1和第二坝DAM2可以定位在第一电源电压线VSL的外侧上。
第二非显示区域NDA2可以包括裂缝坝CRD和边缘区域EGA。
裂缝坝CRD可以是定位在显示面板100的上侧上的最外位置处的最外结构。裂缝坝CRD可以在显示面板100的上侧上在非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。
边缘区域EGA可以沿着显示面板100的边缘EG延伸。边缘区域EGA可以是在切割基底SUB的工艺期间其中出现处理标记的区域。
图9是示出沿着图6的线II-II'截取的显示面板的示例的剖视图。图10是示出沿着图7的线III-III'截取的显示面板的示例的剖视图。图11是示出沿着图8的线IV-IV'截取的显示面板的示例的剖视图。
在图9至图11的剖视图中，示出了当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时显示面板100的边缘EG。
参照图9至图11，当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割基底SUB时，通过蚀刻剂可以在基底SUB的上表面US上在边缘区域EGA中形成处理标记。边缘区域EGA可以在近似30μm内。
边缘区域EGA可以包括通过照射激光然后喷射蚀刻剂而形成的第一倾斜表面IP1_1。侧表面SS1与上表面US之间的角度θ1可以是近似90度。换句话说，侧表面SS1可以与上表面US基本上垂直。侧表面SS1与第一倾斜表面IP1_1之间的角度θ2以及第一倾斜表面IP1_1与底表面BS之间的角度θ3可以是钝角。形成在基底SUB的上表面US上的处理标记可以在第三方向(Z轴方向)上与第一倾斜表面IP1_1叠置。
裂缝坝CRD可以是用于在制造显示装置10的工艺中防止或减少在切割基底SUB的工艺期间发生裂缝的情况的结构。裂缝坝CRD可以是定位在显示面板100的右侧上的最外位置处的最外结构。裂缝坝CRD与边缘区域EGA之间的距离D1可以等于或小于近似70μm。
从裂缝坝CRD到显示面板100的边缘EG的最小距离可以等于边缘区域EGA的宽度与从裂缝坝CRD到边缘区域EGA的最小距离D1之和。当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割基底SUB时，裂缝坝CRD与显示面板100的边缘EG之间的最小距离可以根据激光的单侧公差而变化。例如，当激光的单侧公差为50μm时，裂缝坝CRD与边缘区域EGA之间的距离D1可以为至少50μm或至多150μm。
从显示垫PD到显示面板100的边缘EG的最小距离可以等于边缘区域EGA的宽度与从显示垫PD到边缘区域EGA的最小距离D2之和。当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割基底SUB时，显示垫PD与基底SUB的边缘之间的最小距离可以根据激光的单侧公差而变化。例如，当激光的单侧公差为50μm时，显示垫PD与边缘区域EGA之间的距离D2可以为至少50μm或至多150μm。
另外，当在制造显示面板100的工艺期间通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时，显示面板100的侧表面SS1和第一倾斜表面IP1_1可以被蚀刻剂蚀刻。在这种情况下，显示面板100的侧表面SS1和第一倾斜表面IP1_1的粗糙度可以为近似50μm或更小。当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时显示面板100的侧表面SS1和第一倾斜表面IP1_1的粗糙度可以小于当用切割构件切割基底SUB然后执行抛光工艺时显示面板100的侧表面SS1和第一倾斜表面IP1_1的粗糙度。
当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时，可以减小从裂缝坝CRD到显示面板100的边缘EG的最小距离。因此，当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时，可以大大地减小第二非显示区域NDA2的宽度。换句话说，可以减小非显示区域NDA的宽度。
图12是更详细地示出图9的区域E的示例的放大剖视图。
参照图12，裂缝坝CRD可以包括与第一有机膜160相同的材料。裂缝坝CRD可以定位在缓冲膜BF上。裂缝坝CRD可以由包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层形成。
尽管在图12中示出的示例中裂缝坝CRD包括一个有机膜层，但是本公开的实施例不限于此。例如，裂缝坝CRD还可以包括包含与第二有机膜180相同的材料的另一有机膜层。可选地，裂缝坝CRD还可以包括包含与堤190相同的材料的另一有机膜层。可选地，裂缝坝CRD还可以包括包含与间隔件191(见图5)相同的材料的又一有机膜层。
第一电源电压线VSL可以包括与包含第一连接电极CE1和数据线的第一数据金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。第一电源电压线VSL可以定位在第二层间介电膜142上。第一电源电压线VSL可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第一坝DAM1和第二坝DAM2可以定位在第一电源电压线VSL上。第一坝DAM1可以包括第一子坝SDAM1和第二子坝SDAM2，第二坝DAM2可以包括第一子坝SDAM1、第二子坝SDAM2和第三子坝SDAM3。第一子坝SDAM1可以包括与第一有机膜160相同的材料，并且可以定位在同一层。第二子坝SDAM2可以包括与第二有机膜180相同的材料，并且可以定位在同一层。第三子坝SDAM3可以包括与堤190相同的材料，并且可以定位在同一层。
第一坝DAM1的高度可以低于第二坝DAM2的高度，但是本公开的实施例不限于此。第一坝DAM1的高度可以基本上等于或高于第二坝DAM2的高度。
共电极173可以连接到第一电源电压线VSL的暴露而未被第一有机膜160、第二有机膜180和第一坝DAM1覆盖的部分。因此，共电极173可以从第一电源电压线VSL接收第一电源电压。
第一无机封装膜TFE1可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中覆盖第一坝DAM1、第二坝DAM2和裂缝坝CRD。第一无机封装膜TFE1可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中延伸到显示面板100的边缘EG附近。第一无机封装膜TFE1的侧表面可以与基底SUB的侧表面对准。
有机封装膜TFE2可以布置为覆盖第一坝DAM1的顶表面，但不覆盖第二坝DAM2的顶表面。然而，应当理解的是，本公开不限于此。有机封装膜TFE2可以既不覆盖第一坝DAM1的顶表面也不覆盖第二坝DAM2的顶表面。借助于第一坝DAM1和第二坝DAM2，防止或减少有机封装膜TFE2溢出到显示面板100的边缘EG的情况可以是可能的。
第二无机封装膜TFE3可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中覆盖第一坝DAM1、第二坝DAM2和裂缝坝CRD。第二无机封装膜TFE3可以在显示面板100的右侧上在非显示区域NDA中延伸到显示面板100的边缘EG附近。第二无机封装膜TFE3的侧表面可以与基底SUB的侧表面对准。
可以形成从第二坝DAM2到显示面板100的边缘EG的无机封装区域，在无机封装区域中第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3彼此接触。无机封装区域可以围绕第二坝DAM2。
顺便提及，在图12中示出了扫描驱动电路SDC的扫描薄膜晶体管STFT(包括扫描沟道区STCH、扫描源区STS、扫描漏区STD和扫描栅电极STG)。由于扫描薄膜晶体管STFT与上面参照图5描述的薄膜晶体管TFT基本上相同；因此，将不描述扫描薄膜晶体管STFT。
图13是更详细地示出图10的区域F的示例的放大剖视图。
参照图13，显示垫PD、第一驱动垫DPD1和第二驱动垫DPD2中的每个可以包括第一辅助垫SPD1、第二辅助垫SPD2和第三辅助垫SPD3。
第一辅助垫SPD1可以包括与包含栅电极TG、电容器Cst的第一电容器电极CAE1和扫描线的第一栅极金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。第一辅助垫SPD1可以定位在栅极绝缘体130上。第一辅助垫SPD1可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第二辅助垫SPD2可以包括与包含第二电容器电极CAE2的第二栅极金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。第二辅助垫SPD2可以定位在第一层间介电膜141上。第二辅助垫SPD2可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第三辅助垫SPD3可以包括与包含第一连接电极CE1和数据线的第一数据金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。第三辅助垫SPD3可以定位在第二层间介电膜142上。第三辅助垫SPD3可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
显示垫PD的第三辅助垫SPD3可以通过诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件电连接到电路板300。第一驱动垫DPD1的第三辅助垫SPD3可以通过诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件电连接到驱动IC 200的输入凸块IBP。第二驱动垫DPD2的第三辅助垫SPD3可以通过诸如各向异性导电膜和各向异性导电粘合剂的导电粘合构件电连接到驱动IC 200的输出凸块OBP。在图13中，为了便于说明，简要地示出了驱动IC 200和电路板300。
第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以布置为覆盖第一坝DAM1并部分地覆盖第二坝DAM2。例如，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以布置为使得其不覆盖第二坝DAM2的上表面的一部分。可选地，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以覆盖第一坝DAM1和第二坝DAM2，但是在这种情况下，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以不覆盖第二驱动垫DPD2的第三辅助垫SPD3。也就是说，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以不延伸到与显示面板100的边缘EG相邻定位的显示垫PD、第一驱动垫DPD1和第二驱动垫DPD2。
图14是更详细地示出图11的区域G的示例的放大剖视图。
参照图14，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以布置为使得其在显示面板100的上侧上在非显示区域NDA中不覆盖裂缝坝CRD。也就是说，在显示面板100的上侧上在非显示区域NDA中，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以不延伸到显示面板100的边缘EG。
另外，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以布置为使得除了在显示面板100的上侧上的非显示区域NDA之外，它们在显示面板100的左侧和右侧上在非显示区域NDA中覆盖裂缝坝CRD。也就是说，除了在显示面板100的上侧上的非显示区域NDA之外，第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以在显示面板100的左侧和右侧上在非显示区域NDA中延伸到显示面板100的边缘EG。
图15是示出根据一些实施例的图2的区域I的显示面板的通孔、无机封装区域、布线区域和显示区域的示例的布局图。图16是示出沿着图15的线V-V'截取的显示面板的示例的剖视图。图17是更详细地示出图16的区域K的示例的放大剖视图。图18至图22是示出图16的区域L的各种示例的放大剖视图。
参照图15至图17，根据本公开的一些实施例的显示面板100包括围绕通孔TH的无机封装区域IEA和围绕无机封装区域IEA的布线区域WLA。
在无机封装区域IEA中，封装层ENC的第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3彼此接触，以防止或减少氧或湿气由于通孔TH而渗透到显示层DISL的发光元件层EML中的情况。
无机封装区域IEA可以包括至少一个坝、至少一个尖端和至少一个凹槽。例如，如图17中所示，无机封装区域IEA可以包括第一坝HDAM1、第二坝HDAM2、第一尖端T1至第八尖端T8以及第一凹槽GR1至第三凹槽GR3，这将稍后描述。
第一尖端T1和第二尖端T2可以定位为比第一坝HDAM1靠近布线区域WLA。第一尖端T1可以定位为比第二尖端T2靠近布线区域WLA。第二尖端T2可以定位在第一尖端T1与第一坝HDAM1之间。
第三尖端T3、第四尖端T4、第五尖端T5和第六尖端T6可以定位在第一坝HDAM1与第二坝HDAM2之间。第三尖端T3的至少一部分可以在第三方向(Z轴方向)上与第一坝HDAM1叠置。
第七尖端T7和第八尖端T8可以定位为比第二坝HDAM2靠近通孔TH。第七尖端T7的至少一部分可以在第三方向(Z轴方向)上与第二坝HDAM2叠置。第八尖端T8与通孔TH之间的距离可以是近似50μm。
第一凹槽GR1可以定位在第一尖端T1与第二尖端T2之间。第二凹槽GR2可以定位在第三尖端T3与第四尖端T4之间。第三凹槽GR3可以定位在第五尖端T5与第六尖端T6之间。
在布线区域WLA中，线在通孔TH周围延伸。这些线中的一些可以连接到数据线，而它们中的一些其他线可以连接到高于第一电源电压的第二电源电压从其施加的第二电源电压线。它们中的又一些其他线可以连接到扫描线。布线区域WLA可以被显示区域DA围绕。
在图16的剖视图中示出了当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时的通孔TH的边缘TEG。
参照图16，当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割基底SUB时，通过蚀刻剂可以在基底SUB的上表面US上在通孔边缘区域TEGA中形成处理标记。通孔边缘区域TEGA可以在近似30μm内。
通孔边缘区域TEGA可以包括第一表面IS1、第二表面IS2和在第一表面IS1与第二表面IS2之间的第三表面IS3，这些表面是在照射激光之后通过喷射蚀刻剂而形成的。第一表面IS1和第二表面IS2可以是倾斜表面。第一表面IS1和第二表面IS2可以彼此间隔开，且第三表面IS3在其间。换句话说，基底SUB可以包括彼此间隔开的多个倾斜表面。
侧表面SS1与上表面US之间的角度θ4可以是近似90度。换句话说，侧表面SS1可以与上表面US基本上垂直。底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5和第三表面IS3与第二表面IS2之间的角度θ6可以是钝角。形成在基底SUB的上表面US上的处理标记可以在第三方向(Z轴方向)上与第二表面IS2叠置。然而，应当理解的是，本公开不限于此。形成在基底SUB的上表面US上的处理标记可以与第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3叠置。
当通过照射激光然后喷射蚀刻剂来切割显示面板100的基底SUB时，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5和第三表面IS3与第二表面IS2之间的角度θ6可以根据通过激光形成的激光照射区域的深度而变化。用于沿着显示面板100的边缘EG切割而通过激光形成的激光照射区域的深度可以与用于沿着通孔TH的边缘TEG切割而通过激光形成的激光照射区域的深度不同。将参照稍后将要描述的图18至图22更详细地描述第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3。
参照图17，第一虚设图案DP1可以包括与包含电容器Cst的第二电容器电极CAE2的第二栅极金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。例如，第一虚设图案DP1可以定位在第一层间介电膜141上。第一虚设图案DP1可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第二虚设图案DP2可以包括与包含第一连接电极CE1和数据线的第一数据金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。例如，第二虚设图案DP2可以定位在第二层间介电膜142上。第二虚设图案DP2可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第二虚设图案DP2可以在第三方向(Z轴方向)上与第一虚设图案DP1叠置。
第一尖端T1至第八尖端T8可以包括与包含第二连接电极CE2的第二数据金属层相同的材料，并且可以定位在同一层。例如，第一尖端T1至第八尖端T8可以定位在第一有机膜160上。第一尖端T1至第八尖端T8可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层构成。
第一尖端T1至第八尖端T8中的每个可以通过穿透第一有机膜160的接触孔连接到第二虚设图案DP2。第一尖端T1至第八尖端T8中的每个可以包括檐结构，檐结构具有未被第一有机膜160、第二有机膜180、第一坝HDAM1和第二坝HDAM2覆盖而暴露的下表面(或底表面)和上表面。第四尖端T4和第五尖端T5可以一体地形成。第一尖端T1至第八尖端T8中的每个可以是用于形成凹槽(或沟槽)的突起图案或沟槽图案。第八尖端T8可以是与通孔TH的边缘TEG相邻的最外结构。尽管第八尖端T8在图17中被描绘为与通孔TH的边缘TEG相邻的最外结构，但是本公开的实施例不限于此。例如，如果去除第七尖端T7和第八尖端T8，则第二坝HDAM2可以是与通孔TH的边缘TEG相邻的最外结构，该最外结构可以防止或减少封装层ENC的有机封装膜TFE2溢出的情况。可选地，如果去除第七尖端T7和第八尖端T8，则将发射层172与共电极173分离的凹槽可以是与通孔TH的边缘TEG相邻的最外结构。
从第八尖端T8到通孔TH的边缘TEG的距离可以是近似300μm。通孔边缘区域TEGA可以定位在第八尖端T8与通孔TH的边缘TEG之间。
第一凹槽GR1可以形成在第一尖端T1与第二尖端T2之间，第二凹槽GR2可以形成在第三尖端T3与第四尖端T4之间，第三凹槽GR3可以形成在第五尖端T5与第六尖端T6之间。第一凹槽GR1可以具有由第一尖端T1和第二尖端T2形成的檐结构，第二凹槽GR2可以具有由第三尖端T3和第四尖端T4形成的檐结构，第三凹槽GR3可以具有由第五尖端T5和第六尖端T6形成的檐结构。
由于通过蒸发沉积发射层172，而通过溅射沉积共电极173，因此台阶覆盖度低，因而其可能在第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3的每个中断裂。另一方面，由于通过化学气相沉积、原子层沉积等沉积第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3，因此它们具有高台阶覆盖度，并因而在第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3中的每个中不会断裂。这里，台阶覆盖度指施用在倾斜部分上的薄膜与施用在平坦部分上的薄膜的比率。在第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3中的每个中，可以存在与发射层172断开的残留物172_D和与共电极173断开的残留物173_D。
第一坝HDAM1可以包括第一子坝HDA1、第二子坝HDA2、第三子坝HDA3和第四子坝HDA4。第一子坝HDA1可以定位在第一有机膜160上，并且可以包括与第二有机膜180相同的材料。第一子坝HDA1可以定位在第二尖端T2和第三尖端T3上。第二子坝HDA2可以定位在第一子坝HDA1上，并且可以包括与堤190相同的材料。第三子坝HDA3和第四子坝HDA4可以定位在第二子坝HDA2上，并且可以包括与间隔件191相同的材料。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第四子坝HDA4可以定位为比第三子坝HDA3靠近通孔TH。第四子坝HDA4的厚度可以大于第三子坝HDA3的厚度。
第二坝HDAM2可以包括第五子坝HDA5、第六子坝HDA6和第七子坝HDA7。第五子坝HDA5可以定位在第一有机膜160上，并且可以包括与第二有机膜180相同的材料。第五子坝HDA5可以定位在第七尖端T7上。第六子坝HDA6可以定位在第五子坝HDA5上，并且可以包括与堤190相同的材料。第七子坝HDA7可以定位在第六子坝HDA6上，并且可以包括与间隔件191相同的材料。然而，应当理解的是，本公开不限于此。
借助于第一坝HDAM1和第二坝HDAM2，防止或减少有机封装膜TFE2溢出到通孔TH中可以是可能的。
残留物172_D、残留物173_D、第一无机封装膜TFE1和第二无机封装膜TFE3可以延伸到通孔TH的边缘TEG。残留物172_D的端部、残留物173_D的端部、第一无机封装膜TFE1的端部和第二无机封装膜TFE3的端部可以与通孔TH的边缘TEG对准。
如图17中示出的，发射层172和共电极173在由第一尖端T1至第八尖端T8形成的第一凹槽GR1、第二凹槽GR2和第三凹槽GR3中的每个中断开，防止或减少氧、湿气等渗透通过经由通孔TH暴露的发射层172和共电极173的情况可以是可能的。
根据如图18中示出的一些实施例，在基底SUB的通孔TH中在侧表面SS1与底表面BS之间可以存在台阶边缘。例如，基底SUB可以包括在侧表面SS1与底表面BS之间的第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3。第一表面IS1可以与底表面BS相交，并且可以以预定的角度从底表面BS延伸。第二表面IS2可以与侧表面SS1相交，并且可以以预定的角度从侧表面SS1延伸。第三表面IS3可以定位在第一表面IS1与第二表面IS2之间，并且一端可以与第一表面IS1相交，另一端可以与第二表面IS2相交。
底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5和第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6可以是钝角。第一表面IS1与第三表面IS3之间的角度θ7可以等于底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5。第一表面IS1与第三表面IS3之间的角度θ7可以是基底SUB的外角。
根据本公开的一些实施例，在侧表面SS1与底表面BS之间的第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3可以形成在基底SUB上。在底表面BS与第三表面IS3之间和在第三表面IS3与侧表面SS1之间可以存在台阶边缘(即，两个台阶)。这些台阶可以通过激光照射区域形成，激光照射区域通过激光照射两次或更多次形成，这将稍后描述。下面将给出对其更详细的描述。
第一表面IS1和第二表面IS2可以是倾斜表面。第一表面IS1在倾斜方向上的长度可以等于第二表面IS2在倾斜方向上的长度。第一表面IS1和第二表面IS2的长度可以根据激光照射区域的间隔或深度来调节，这将稍后描述。第三表面IS3可以延伸为与底表面BS或上表面US平行。第三表面IS3在第一表面IS1与第二表面IS2之间的长度可以小于第一表面IS1和第二表面IS2中的每个的长度。然而，应当理解的是，本公开不限于此。
另外，由第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3在侧表面SS1与底表面BS之间形成的长度TAL可以是近似100μm至500μm。例如，当从顶部观看时，底表面BS的端部与侧表面SS1之间的长度TAL可以是近似100μm至500μm。然而，将要理解的是，本公开不限于此。随着由第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3形成的长度TAL增加，基底SUB可以容易地在通孔TH处与母基底分离。如果基底SUB不容易与母基底分离，则可以考虑通过物理撞击来分离基底SUB。然而，可能出现基底SUB在通孔TH的边缘处被损坏的破裂问题。根据一些实施例，通过形成包括第一表面IS1、第二表面IS2和第三表面IS3的基底SUB，使基底SUB在通孔TH处容易地分离可以是可能的。
根据本公开的一些实施例，基底SUB具有在底表面BS与第三表面IS3之间的台阶以及在第三表面IS3与侧表面SS1之间的台阶，从而减小基底SUB的侧表面的边缘的角度。以这种方式，防止或减少由于基底SUB的侧表面上的尖锐边缘而导致基底SUB被外部冲击容易地损坏的情况可以是可能的。
参照图19和图20，在根据一些实施例的基底SUB中，第一表面IS1在倾斜方向上的长度可以与第二表面IS2在倾斜方向上的长度不同，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5可以与第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6不同。
如图19中所示，第二表面IS2在倾斜方向上的长度可以大于第一表面IS1在倾斜方向上的长度。第二表面IS2在倾斜方向上的长度可以通过增加稍后将要描述的第二激光照射区域的深度来形成，第二激光照射区域通过照射第二激光而形成。另外，第二表面IS2在倾斜方向上的长度可以通过增加稍后将要描述的第三激光照射区域与第二激光照射区域之间的间隔来形成，第三激光照射区域通过照射第三激光而形成。
另外，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5可以大于第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6。这样的结构特征可以通过调节如上所述的激光照射区域的间隔或深度来形成。
在图19中所示的示例中，第二表面IS2在倾斜方向上的长度大于第一表面IS1在倾斜方向上的长度，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5大于第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第二表面IS2在倾斜方向上的长度可以大于第一表面IS1在倾斜方向上的长度，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5可以等于第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6。另外，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5可以大于第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6，第二表面IS2在倾斜方向上的长度可以等于第一表面IS1在倾斜方向上的长度。
如图20中所示，第一表面IS1在倾斜方向上的长度可以大于第二表面IS2在倾斜方向上的长度。第一表面IS1在倾斜方向上的长度可以通过增加稍后将要描述的第三激光照射区域的深度来形成，第三激光照射区域通过照射第三激光而形成。另外，第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6可以大于底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5。这样的结构特征可以通过调节如上所述的激光照射区域的深度来形成。
在图20中所示的示例中，第一表面IS1在倾斜方向上的长度大于第二表面IS2在倾斜方向上的长度，第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6大于底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第一表面IS1在倾斜方向上的长度可以大于第二表面IS2在倾斜方向上的长度，底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5可以等于第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6。另外，第二表面IS2与第三表面IS3之间的角度θ6可以大于底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5，第一表面IS1在倾斜方向上的长度可以等于第二表面IS2在倾斜方向上的长度。
顺便提及，基底SUB的第三表面IS3可以不与底表面BS或上表面US平行。
参照图21，根据一些实施例，第三表面IS3可以是倾斜表面。例如，第三表面IS3与第一表面IS1之间的角度θ7可以不同于底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5。第三表面IS3与第一表面IS1之间的角度θ7可以大于底表面BS与第一表面IS1之间的角度θ5。另外，第三表面IS3与第一表面IS1之间的角度θ7可以大于第三表面IS3与第二表面IS2之间的角度θ6。
另外，与根据图18至图21的上述实施例的平坦表面不同，基底SUB的第一表面IS1和第二表面IS2可以是弯曲表面。
参照图22，根据一些实施例，基底SUB的第一表面IS1和第二表面IS2可以是弯曲表面。例如，第一表面IS1可以是底表面BS与第三表面IS3之间的凸出表面。第二表面IS2可以是侧表面SS1与第三表面IS3之间的凸出表面。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第一表面IS1和第二表面IS2中的一个可以是弯曲表面，而另一个可以是平坦表面。
尽管在图22中第一表面IS1和第二表面IS2是凸出表面，但是本公开不限于此。第一表面IS1和第二表面IS2中的至少一个可以是凹进表面。另外，尽管第三表面IS3是平坦表面，但是本公开不限于此。第三表面IS3可以不与底表面BS平行，并且可以是凸出表面。
在下文中，将参照其他附图描述制造上述显示装置的方法。
图23是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的流程图。图24至图39是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的视图。在制造显示装置的方法的描述中，图27是沿着图26的线VII-VII'截取的剖视图，除此之外，剩余的剖视图是沿着相应的平面图的线VI-VI'截取的剖视图。
首先，如图24和图25中所示，在母基底MSUB的第一表面上形成多个显示单元DPC(图23的S110)。
在母基底MSUB的第一表面上形成多个显示单元DPC中的每个的显示层DISL。显示层DISL包括薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层ENC和传感器电极层SENL。
其次，如图26和图27中所示，将多个第一保护膜PRF1附着在多个显示单元DPC上，并检查多个显示单元DPC(图23的S120)。
首先，附着第一保护膜层以覆盖多个显示单元DPC和多个显示单元DPC之间的母基底MSUB。然后，通过部分地去除定位在母基底MSUB上的第一保护膜层，多个第一保护膜PRF1可以分别定位在多个显示单元DPC上。也就是说，可以部分地去除第一保护膜层，并且剩余部分可以是多个第一保护膜PRF1。因此，多个第一保护膜PRF1可以分别定位在多个显示单元DPC上。换句话说，第一保护膜PRF1的数量可以等于多个显示单元DPC的数量。
多个第一保护膜PRF1中的每个可以是用于保护显示单元DPC免受外部冲击的缓冲膜。多个第一保护膜PRF1可以由透明材料制成。
第三，如图26和图27中所示，将第一激光LR1照射到母基底MSUB的第二表面上，使得沿着多个显示单元DPC的边缘形成多个第一激光照射区域CH1(图23的S130)。
根据本公开的一些实施例，可以使用各种激光中的任一种作为第一激光LR1。这里，作为示例，第一激光LR1是具有近似1030nm的波长的红外贝塞尔光束。
第一切割线CL1可以定义为通过连接多个第一激光照射区域CH1而形成的假想线。可以通过照射由第一激光模块LD1发射的第一激光LR1以沿着多个显示单元DPC的边缘形成多个第一激光照射区域CH1来形成第一切割线CL1。
当将第一激光LR1照射在母基底MSUB的第二表面上时，可以通过调节重复率、处理速度和脉冲能量来调节如图28中所示的通过第一激光LR1形成的多个第一激光照射区域CH1中的每个的深度(或概略长度)TCH1。例如，如图28中的a中所示，多个第一激光照射区域CH1中的每个的深度TCH1可以距母基底MSUB的第一表面至少200μm。另外，由于母基底MSUB的厚度是近似500μm，因此如图28中的b中所示多个第一激光照射区域CH1中的每个的深度TCH1可以高达500μm。也就是说，多个第一激光照射区域CH1中的每个的深度TCH1可以距母基底MSUB的第一表面近似225μm至500μm。根据一些实施例，第一激光照射区域CH1的深度TCH1等于母基底MSUB的厚度。
可以以10kHz至250kHz的重复率、10mm/s至250mm/s的处理速度和10μJ至300μJ的脉冲能量照射用于形成第一激光照射区域CH1的第一激光LR1。为了使第一激光LR1具有距母基底MSUB的第一表面近似225μm的深度，期望的是，以近似17.5kHz至125kHz的重复率、17.5mm/s至125mm/s的处理速度和25μJ至178μJ的脉冲能量照射第一激光LR1。
第四，如图29至图32中所示，通过在母基底MSUB的第二表面上照射第二激光LR2和第三激光LR3，形成用于在多个显示单元DPC中的每个中形成通孔的多个第二激光照射区域CH2和第三激光照射区域CH3(图23的S140)。
尽管在图29中所示的示例中在执行步骤S130之后执行步骤S140，但是本公开的实施例不限于此。为了缩短工艺时间，可以利用多个激光模块(例如，第二激光模块LD2和第三激光模块LD3)同时进行步骤S130和步骤S140。
第二切割线CL2可以定义为通过连接多个第二激光照射区域CH2而形成的假想线。可以通过照射第二激光LR2以沿着通孔TH的边缘形成多个第二激光照射区域CH2来形成第二切割线CL2。第二切割线CL2可以取决于通孔的形状。例如，当在从顶部观看时通孔TH具有圆形形状时，第二切割线CL2可以形成为圆形形状。
第三切割线CL3可以定义为通过连接多个第三激光照射区域CH3而形成的假想线。可以通过照射第三激光LR3以沿着第二切割线CL2的边缘形成多个第三激光照射区域CH3来形成第三切割线CL3。第三切割线CL3可以取决于通孔的形状。例如，当在从顶部观看时通孔TH具有圆形形状时，第三切割线CL3可以形成为圆形形状。
根据本公开的一些实施例，可以使用各种激光中的任一种作为第二激光LR2和第三激光LR3。这里，作为示例，第二激光LR2和第三激光LR3中的每个是具有近似1030nm的波长的红外贝塞尔光束。
通过第二激光LR2形成的第二激光照射区域CH2中的每个的深度可以与通过第三激光LR3形成的第三激光照射区域CH3中的每个的深度(概略长度)不同。第二激光照射区域CH2的深度可以定义为第二激光照射区域CH2的深度(或概略长度)，第三激光照射区域CH3的深度可以定义为第三激光照射区域CH3的深度(或概略长度)。
多个第二激光照射区域CH2中的每个可以具有距母基底MSUB的第一表面约500μm的深度。由于母基底MSUB的厚度是近似500μm，因此多个第二激光照射区域CH2中的每个可以具有距母基底MSUB的第一表面近似500μm的深度。也就是说，多个第二激光照射区域CH2中的每个的深度可以等于母基底MSUB的厚度。
多个第三激光照射区域CH3中的每个可以具有距母基底MSUB的第一表面近似225μm的深度。由于母基底MSUB的厚度是近似500μm，因此多个第三激光照射区域CH3中的每个可以具有距母基底MSUB的第一表面近似200μm至500μm的深度。根据本公开的一些实施例，第二激光照射区域CH2距母基底MSUB的第一表面的深度可以大于第三激光照射区域CH3距母基底MSUB的第一表面的深度。
如图32中所示，可以根据第二激光LR2和第三激光LR3的重复率、处理速度和脉冲能量来调节激光照射区域CH2和CH3的深度(或概略长度)。如果通过第二激光LR2形成的第二激光照射区域CH2的深度(或概略长度)与通过第三激光LR3形成的第三激光照射区域CH3的深度(或概略长度)不同，则第二激光LR2和第三激光LR3具有不同的重复率、处理速度、脉冲能量等。
例如，可以以1kHz至50kHz的重复率、1mm/s至50mm/s的处理速度和10μJ至300μJ的脉冲能量照射第二激光LR2。为了使第二激光LR2具有距母基底MSUB的第一表面近似400μm至500μm的深度，可以以近似10kHz的重复率、10mm/s的处理速度和60μJ至178μJ的脉冲能量照射第二激光LR2。
例如，可以以10kHz至250kHz的重复率、10mm/s至250mm/s的处理速度和10μJ至300μJ的脉冲能量照射第三激光LR3。为了使第三激光LR3具有距母基底MSUB的第一表面近似225μm或更高的深度，期望的是，以近似17.5kHz至125kHz的重复率、17.5mm/s至125mm/s的处理速度和25μJ至178μJ的脉冲能量照射第三激光LR3。
第二激光LR2和第三激光LR3中的每个的单侧公差可以在近似50μm内，并且双侧公差可以在近似100μm内。这里，单侧公差可以指当用激光形成激光照射区域时在一方向(例如，X轴方向)上的切割误差。
另外，通过第二激光LR2形成的第二激光照射区域CH2与通过第三激光LR3形成的第三激光照射区域CH3之间的间隔SDL可以是近似50μm。第二激光照射区域CH2与第三激光照射区域CH3之间的间隔SDL可以确定基底SUB的第一表面IS1和第二表面IS2的长度。例如，随着第二激光照射区域CH2与第三激光照射区域CH3之间的间隔SDL增加，第二表面IS2在倾斜方向上的长度可以变得大于第一表面IS1在倾斜方向上的长度。
第五，如图33中所示，将第二保护膜PRF2附着在多个第一保护膜PRF1上(图23的S150)。
可以将第二保护膜PRF2附着在第一保护膜PRF1以及母基底MSUB的未被多个第一保护膜PRF1覆盖的暴露部分上。第二保护膜PRF2可以覆盖多个第一激光照射区域CH1、多个第二激光照射区域CH2和多个第三激光照射区域CH3。第二保护膜PRF2可以是用于在蚀刻母基底MSUB的后续工艺中保护多个显示单元DPC免受蚀刻剂的影响的耐酸膜。
第六，如图34至图37中所示，在没有附加掩模的情况下在母基底MSUB的第二表面上喷射蚀刻剂，使得减小母基底MSUB的厚度。另外，沿着多个第一激光照射区域CH1和第二激光照射区域CH2切割母基底MSUB，并且使第二保护膜PRF2分离(图23的S160)。
当在母基底MSUB的第二表面上喷射蚀刻剂时，母基底MSUB可以从第一厚度T1'(见图24)减小到第二厚度T2'。由于母基底MSUB在没有附加掩模的情况下被蚀刻，因此母基底MSUB可以遍及第二表面的整个区域被均匀地蚀刻。
第一激光照射区域CH1中的每个可以包括通过第一激光LR1形成的物理孔和作为物理孔的外围的其中物理性质被激光改变的区域。可选地，多个第一激光照射区域CH1中的每个可以是其中物理性质被第一激光LR1改变而没有物理孔的区域。因此，蚀刻剂在多个第一激光照射区域CH1中的每个中的蚀刻速率可以高于母基底MSUB的未照射激光的其他区域中的蚀刻速率。
第二激光照射区域CH2中的每个可以包括通过第二激光LR2形成的物理孔和作为物理孔的外围的其中物理性质被激光改变的区域。可选地，多个第二激光照射区域CH2中的每个可以是其中物理性质被第二激光LR2改变而没有物理孔的区域。因此，蚀刻剂在多个第二激光照射区域CH2中的每个中的蚀刻速率可以高于母基底MSUB的未照射激光的其他区域中的蚀刻速率。
第三激光照射区域CH3中的每个可以包括通过第三激光LR3形成的物理孔和作为物理孔的外围的其中物理性质被激光改变的区域。可选地，多个第三激光照射区域CH3中的每个可以是其中物理性质被第三激光LR3改变而没有物理孔的区域。因此，蚀刻剂在多个第三激光照射区域CH3中的每个中的蚀刻速率可以高于母基底MSUB的未照射激光的其他区域中的蚀刻速率。第三激光照射区域CH3可以围绕第二激光照射区域CH2。
如图35中所示，用蚀刻剂进行减薄以减小母基底MSUB的厚度。同时，蚀刻剂渗透到通过第二激光LR2形成的多个第二激光照射区域CH2中。由于多个第二激光照射区域CH2中的每个的深度大于多个第三激光照射区域CH3中的每个的深度，因此蚀刻剂可以首先渗透到多个第二激光照射区域CH2中。当蚀刻剂渗透到第二激光照射区域CH2中时，第二激光照射区域CH2与未形成第二激光照射区域CH2的区域之间的蚀刻速率可能存在差异。结果，可以在第二激光照射区域CH2的附近以倾斜进行减薄。
如图36中所示，当蚀刻剂渗透到第三激光照射区域CH3中时，第三激光照射区域CH3与未形成第三激光照射区域CH3的区域之间的蚀刻速率可能存在差异。具体地，第三激光照射区域CH3与第二激光照射区域CH2之间的蚀刻速率可能存在差异。因此，在第二激光照射区域CH2和第三激光照射区域CH3的附近以倾斜执行减薄。当第三激光照射区域CH3与第二激光照射区域CH2之间的一些区域处可以减小倾斜度时，可以执行减薄。
如图37中所示，由于首先在第二激光照射区域CH2中进行蚀刻，因此可以在通过第二激光照射区域CH2形成的第二切割线CL2处切割基底SUB，使得基底SUB可以与母基底MSUB分离。因此，基底SUB可以形成通孔TH，并且在通孔TH中在侧表面SS1与底表面BS之间可以存在台阶，使得可以形成第一表面IS1、第二表面IS2以及在第一表面IS1与第二表面IS2之间的第三表面IS3。
另外，随着蚀刻剂渗透到通过第一激光LR1形成的多个第一激光照射区域CH1中，可以沿着第一切割线CL1使母基底MSUB分离。换句话说，多个显示单元DPC中的每个可以与母基底MSUB分离。
蚀刻剂因第二保护膜PRF2而不渗透到与母基底MSUB分离的基底SUB的第一表面中，而基底SUB的第二表面被蚀刻剂蚀刻。因此，基底SUB的第一表面和第二表面可以在粗糙度、硬度、透光率、光反射率、局部密度、表面化学结构等方面具有差异。
在完成蚀刻工艺之后，可以使第二保护膜PRF2分离。
第七，如图38和图39中所示，将驱动IC 200和电路板300附着到多个显示单元DPC中的每个，并且使第一保护膜PRF1与多个显示单元DPC中的每个分离(图23的S170)。
如上所述，通过使用蚀刻工艺，可以减小母基底MSUB的厚度，可以将多个显示单元DPC中的每个的基底SUB与母基底MSUB分离，并且可以形成通孔TH。以这种方式，提高制造工艺的效率可以是可能的。
图40至图42是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图40至图42，根据一些实施例，在照射上述第二激光LR2和第三激光LR3之后，可以通过照射第四激光LR4进一步形成第四激光照射区域CH4。
可以在第三激光照射区域CH3之间与第二激光照射区域CH2相邻地照射第四激光LR4。当通孔TH在从顶部观看时具有圆形形状时，通过第四激光LR4形成的第四激光照射区域CH4在从顶部观看时可以具有圆形形状。第四激光LR4与第三激光LR3类似可以是具有近似1030nm的波长的红外贝塞尔光束，并且可以在与第三激光LR3相同的条件下照射。
通过第四激光LR4形成的第四激光照射区域CH4的深度可以小于第三激光照射区域CH3的深度。这是因为如果第四激光照射区域CH4的深度相对大，则可能在第四激光照射区域CH4处切割基底SUB。
如图41中所示，当蚀刻剂渗透到第四激光照射区域CH4中时，第四激光照射区域CH4与未形成第四激光照射区域CH4的区域之间的蚀刻速率可能存在差异。具体地，第四激光照射区域CH4与第二激光照射区域CH2之间的蚀刻速率可能存在差异。因此，在第四激光照射区域CH4的附近以倾斜执行减薄。当第四激光照射区域CH4与第二激光照射区域CH2之间基本上没有倾斜时，可以执行减薄。
如图42中所示，由于首先在第二激光照射区域CH2中进行蚀刻，因此可以在通过第二激光照射区域CH2形成的第二切割线CL2处切割基底SUB，使得基底SUB可以与母基底MSUB分离。母基底MSUB的形成有通孔TH的侧表面形成与基底SUB类似的台阶边缘。母基底MSUB的侧表面的台阶边缘可以减小母基底MSUB的边缘的角度，并且可以增加台阶边缘的宽度。因此，当母基底MSUB与基底SUB分离时，通孔TH具有较大的宽度，从而可以更容易地使其分离。
图43是示出根据对比示例的显示装置的通孔的图像。图44是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的通孔的图像。
图43示出了经由激光烧蚀工艺形成的通孔。图44示出了通过上述激光照射和蚀刻剂形成的通孔。
从图43可以看出的是，根据对比示例的显示装置因通孔TH的附近的高热量而被损坏。相反，如图44中所示，在根据一些实施例的显示装置中，在通孔TH的附近几乎没有发生损坏。
鉴于上述情况，通过使用激光照射和蚀刻剂形成通孔的方式，防止或减少根据一些实施例的显示装置在通孔的附近被损坏可以是可能的。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本发明的原理的情况下，可以对示例实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的发明的示例实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。
Claims (25)
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括上表面、面向所述上表面的底表面以及穿透所述上表面和所述底表面的通孔；以及
发光元件层，在所述基底的所述上表面上，
其中，所述基底包括：侧表面，在所述通孔中与所述上表面相交；第一表面，与所述底表面相交；第二表面，与所述侧表面相交；以及第三表面，在所述第一表面与所述第二表面之间，并且
其中，所述第一表面和所述第二表面彼此间隔开，且所述第三表面在所述第一表面与所述第二表面之间，并且所述第一表面和所述第二表面是倾斜表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三表面的一端与所述第一表面相交，并且所述第三表面的相对端与所述第二表面相交。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底表面与所述第一表面之间的角度和所述第三表面与所述第二表面之间的角度是钝角。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底表面与所述第一表面之间的角度等于所述第三表面与所述第二表面之间的角度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底表面与所述第一表面之间的角度大于所述第三表面与所述第二表面之间的角度。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第三表面与所述第二表面之间的所述角度大于所述底表面与所述第一表面之间的所述角度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一表面在倾斜方向上的长度等于所述第二表面在所述倾斜方向上的长度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一表面在倾斜方向上的长度大于所述第二表面在所述倾斜方向上的长度。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二表面在倾斜方向上的长度大于所述第一表面在所述倾斜方向上的长度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三表面与所述底表面或所述上表面平行地延伸。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三表面是倾斜表面。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个是平坦表面或弯曲表面。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在由所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面形成的平面上在所述底表面与所述侧表面之间的长度为100μm至500μm。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括上表面、面向所述上表面的底表面以及穿透所述上表面和所述底表面的通孔；以及
发光元件层，在所述基底的所述上表面上，
其中，所述基底包括：侧表面，在所述通孔中与所述上表面相交；第一表面，与所述底表面相交；第二表面，与所述侧表面相交；以及第三表面，在所述第一表面与所述第二表面之间，
其中，所述底表面与所述第一表面之间的角度和所述第三表面与所述第二表面之间的角度是钝角，并且
其中，所述底表面和所述第三表面形成台阶边缘。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述底表面与所述第一表面之间的所述角度大于所述第三表面与所述第二表面之间的所述角度。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一表面在倾斜方向上的长度大于所述第二表面在所述倾斜方向上的长度。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，在由所述第一表面、所述第二表面和所述第三表面形成的平面上在所述底表面与所述侧表面之间的长度为100μm至500μm。
18.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：光学器件，至少部分地嵌入到所述通孔中。
19.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在母基底的第一表面上形成多个显示单元；
通过在所述母基底的面向所述第一表面的第二表面上照射第一激光来形成用于切割所述多个显示单元的第一激光照射区域；
在所述母基底的所述第二表面上照射第二激光和第三激光，以沿着所述多个显示单元中的每个显示单元的通孔的边缘形成第二激光照射区域和第三激光照射区域；以及
通过在所述母基底的所述第二表面上喷射蚀刻剂并沿着所述母基底的所述第一激光照射区域和所述第二激光照射区域切割所述母基底来使所述多个显示单元分离。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第三激光照射区域围绕所述第二激光照射区域。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二激光照射区域距所述母基底的所述第一表面的深度大于所述第三激光照射区域距所述母基底的所述第一表面的深度。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一激光和所述第三激光的重复率在10kHz至250kHz的范围内，并且所述第二激光的重复率在1kHz至50kHz的范围内。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一激光和所述第三激光的处理速度在10mm/s至250mm/s的范围内，并且所述第二激光的处理速度在1mm/s至50mm/s的范围内。
24.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一激光和所述第三激光的脉冲能量以及所述第二激光的脉冲能量在10μJ至300μJ的范围内。
25.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：通过沿着所述通孔的边缘在与所述第二激光照射区域间隔开并且在所述第二激光照射区域的内侧上的位置处照射第四激光来形成第四激光照射区域。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication |