CN117647175A - 测定方法、测定系统以及测定器 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种测定方法、测定系统以及测定器，能够高精度地求出测定器的偏离量。测定方法包括以下工序：通过被搬送到区域内的测定器的四个以上的传感器电极来获取测定值。测定方法包括以下工序：确定四个以上的传感器电极中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极。测定方法包括以下工序：基于确定出的两个以上的传感器电极的测定值来计算偏离量。

Description

测定方法、测定系统以及测定器
技术领域
本公开的例示性的实施方式涉及一种测定方法、测定系统以及测定器。
背景技术
在专利文献1中记载有一种静电电容测定用的测定器。该测定器被搬送到等离子体处理装置内被边缘环包围的静电保持盘上，测定与边缘环之间形成的静电电容值。测定器能够基于测定出的静电电容值来导出边缘环的中心与测定器的中心之间的偏离量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-3557号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种更高精度地测定边缘环的中心与测定器的中心之间的偏离量的技术。
用于解决问题的方案
在一个例示性的实施方式中，提供一种通过搬送装置进行了搬送的测定器的偏离量的测定方法。测定器具备：圆板状的基底基板；以及四个以上的传感器电极，所述四个以上的传感器电极沿基底基板的周缘在周向上等间隔地排列，用于测定表示与配置于侧方的对象物之间的静电电容的测定值。搬送装置是基于搬送位置数据向被边缘环包围的区域内搬送被加工物的装置。偏离量是配置于区域内的测定器的中心位置相对于该区域的中心位置的偏离量。测定方法包括以下工序：使用搬送装置向根据搬送位置数据确定的区域内的位置搬送测定器。测定方法包括以下工序：通过被搬送到区域内的测定器的四个以上的传感器电极来获取测定值。测定方法包括以下工序：确定出四个以上的传感器电极中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极。测定方法包括以下工序：基于确定出的两个以上的传感器电极的测定值来计算偏离量。
发明的效果
根据一个例示性的实施方式所涉及的测定方法，能够更高精度地测定边缘环的中心与测定器的中心之间的偏离量。
附图说明
图1是例示处理系统的图。
图2是例示对准器的立体图。
图3是示出等离子体处理装置的一例的图。
图4是从上表面侧观察测定器时示出的俯视图。
图5是示出传感器芯片的一例的立体图。
图6是沿着图5的VI-VI线取得的截面图。
图7是例示测定器的电路基板的结构的图。
图8是示意性地示出边缘环与测定器之间的位置关系的图。
图9是示出传感器芯片与边缘环之间的距离同所测定的静电电容值的关系的曲线图的一例。
图10是用于说明运算部的功能的框图。
图11是用于说明用于计算偏离量的运算的一例的图，示意性地示出边缘环与测定器之间的位置关系。
图12是用于说明用于计算偏离量的运算的一例的图，示意性地示出边缘环与传感器芯片之间的距离同测定器的坐标的关系。
图13是示出测定系统的测定方法的流程图。
图14是用于说明用于计算偏离量的运算的一例的图，示意性地示出边缘环与测定器之间的位置关系。
图15是用于说明用于计算偏离量的运算的一例的图，示意性地示出边缘环与传感器芯片之间的距离同测定器的坐标的关系。
具体实施方式
下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
在一个例示性的实施方式中，提供一种通过搬送装置进行了搬送的测定器的偏离量的测定方法。测定器具备：圆板状的基底基板；以及四个以上的传感器电极，所述四个以上的传感器电极沿基底基板的周缘在周向上等间隔地排列，用于测定表示与配置于侧方的对象物之间的静电电容的测定值。搬送装置是基于搬送位置数据向被边缘环包围的区域内搬送被加工物的装置。偏离量是测定器的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量。测定方法包括以下工序：使用搬送装置向根据搬送位置数据确定的区域内的位置搬送测定器。测定方法包括以下工序：通过被搬送到区域内的测定器的四个以上的传感器电极来获取测定值。测定方法包括以下工序：确定出四个以上的传感器电极中的、将满足可靠性基准的静电电容值作为测定值输出的两个以上的传感器电极。测定方法包括以下工序：基于确定出的两个以上的传感器电极的测定值来计算偏离量。
在一个例示性的实施方式中，提供一种测定系统。测定系统具备测定器、搬送装置以及运算装置。测定器具备圆板状的基底基板以及四个以上的传感器电极，所述四个以上的传感器电极沿基底基板的周缘在周向上等间隔地排列，用于测定表示与配置于侧方的对象物之间的静电电容的测定值。搬送装置向根据搬送位置数据确定的被边缘环包围的区域内搬送测定器。运算装置计算通过搬送装置进行了搬送的测定器的偏离量。偏离量是测定器的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量。运算装置获取通过被搬送到区域内的测定器的四个以上的传感器电极获取到的测定值。运算装置确定出四个以上的传感器电极中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极。运算装置基于确定出的两个以上的传感器电极的测定值来计算偏离量。
在一个例示性的实施方式中，提供一种测定器。测定器具备圆板状的基底基板、四个以上的传感器电极以及电路基板。四个以上的传感器电极沿基底基板的周缘在周向上等间隔地排列。四个以上的传感器电极用于在基底基板被载置于被边缘环包围的区域内的状态下测定表示与边缘环之间的静电电容的测定值。电路基板搭载于基底基板。电路基板获取由四个以上的传感器电极获取到的测定值。电路基板确定四个以上的传感器电极中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极。电路基板基于确定出的两个以上的传感器电极的测定值来计算基底基板的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量。
在上述的测定方法、测定系统以及测定器中，通过被搬送到被边缘环包围的区域的测定器的四个以上的传感器电极来获取测定值。该测定值表示各个传感器电极与所面对的边缘环之间的静电电容值，因此反映传感器电极与所面对的边缘环之间的距离。因而，能够基于这样的测定值来计算测定器的中心位置相对于被边缘环包围的区域的中心位置的偏离量。在一例中，基于四个以上的传感器电极中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极的测定值来计算偏离量。因此，能够更高精度地测定边缘环的中心与测定器的中心之间的偏离量。
在一个例示性的实施方式中，也可以是，在进行确定的工序中，将四个以上的传感器电极中的、测定值大的前两位的传感器电极确定为两个以上的传感器电极。在该结构中，能够容易地确定出满足可靠性基准的传感器电极。
在一个例示性的实施方式中，四个以上的传感器电极可以是偶数个传感器电极。在该情况下，也可以是，在进行确定的工序中，将隔着测定器的中心彼此相向的一对传感器电极中的测定值大的传感器电极确定为两个以上的传感器电极。在该结构中，能够容易地确定出满足可靠性基准的传感器电极。
在一个例示性的实施方式中，也可以是，在进行确定的工序中，将输出了规定的阈值以上的测定值的传感器电极确定为两个以上的传感器电极。在该情况下，可以基于在区域的中心位置与测定器的中心位置一致的状态下由四个以上的传感器电极测定出的测定值来决定规定的阈值。在该结构中，能够容易地确定出满足可靠性基准的传感器电极。
在一个例示性的实施方式中，测定方法还可以包括以下工序：判定输出成为规定的阈值以上的测定值的传感器电极是否有两个以上。在沿周向等间隔地具有四个以上的传感器电极的结构中，至少两个以上的传感器电极满足可靠性基准。因此，在上述结构中，在相应的传感器电极少于两个的情况下，能够进行错误探测。
在一个例示性的实施方式中，也可以是，在进行计算的工序中，在确定出的两个以上的传感器电极为三个以上的传感器电极时，计算基于从三个以上的传感器电极中选择的两个传感器电极的多个组合计算出的多个偏离量的平均值。在该结构中，能够抑制计算结果的偏差，从而更高精度地测量偏离量。
在一个例示性的实施方式中，偏离量的平均值也可以是加权平均。在该结构中，能够抑制计算结果的偏差，并且容易反映可靠性高的测定结果，因此能够更高精度地测量偏离量。
下面，参照附图来详细地说明各种实施方式。此外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的标记。
图1是例示处理系统的图。处理系统1具备台2a～2d、容器4a～4d、加载模块LM、对准器AN、加载互锁模块LL1、LL2、工艺模块PM1～PM6、传递模块TF以及控制部MC。此外，关于台2a～2d的个数、容器4a～4d的个数、加载互锁模块LL1、LL2的个数以及工艺模块PM1～PM6的个数并无限定，能够是一个以上的任意个数。
台2a～2d沿加载模块LM的一边排列。容器4a～4d分别搭载于台2a～2d上。各容器4a～4d例如是被称为FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)的容器。容器4a～4d分别构成为收容被加工物W。被加工物W如晶圆那样具有大致圆盘形状。
加载模块LM具有在内部划分出大气压状态的搬送空间的腔室壁。在该搬送空间内设置有搬送装置TU1。搬送装置TU1例如是多关节机器人，由控制部MC进行控制。搬送装置TU1构成为在容器4a～4d与对准器AN之间、对准器AN与加载互锁模块LL1～LL2之间、以及加载互锁模块LL1～LL2与容器4a～4d之间搬送被加工物W。
对准器AN与加载模块LM连接。对准器AN构成为进行被加工物W的位置的调整(位置的校准)。图2是例示对准器的立体图。对准器AN具有支承台6T、驱动装置6D以及传感器6S。支承台6T是能够以沿铅垂方向延伸的轴线为中心旋转的台，构成为在支承台6T上支承被加工物W。支承台6T通过驱动装置6D而旋转。驱动装置6D由控制部MC进行控制。当支承台6T通过来自驱动装置6D的动力而旋转时，载置于该支承台6T上的被加工物W也旋转。
传感器6S是光学传感器，在被加工物W被旋转的期间检测被加工物W的边缘。传感器6S根据边缘的检测结果来检测被加工物W的槽口WN(或另外的标记)的角度位置相对于基准角度位置的偏离量、以及被加工物W的中心位置相对于基准位置的偏离量。传感器6S将槽口WN的角度位置的偏离量和被加工物W的中心位置的偏离量输出到控制部MC。控制部MC基于槽口WN的角度位置的偏离量，来计算用于将槽口WN的角度位置校正为基准角度位置的支承台6T的旋转量。控制部MC控制驱动装置6D，以使支承台6T旋转与该旋转量相应的旋转量。由此，能够将槽口WN的角度位置校正为基准角度位置。另外，控制部MC能够基于被加工物W的中心位置的偏离量来控制从对准器AN接受被加工物W时的搬送装置TU1的末端执行器(end effector)的位置。在该情况下，可以使被加工物W的中心位置与搬送装置TU1的末端执行器上的规定位置一致。
返回到图1，加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2的各模块设置于加载模块LM与传递模块TF之间。加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2的各模块提供预备减压室。
传递模块TF经由闸阀而与加载互锁模块LL1及加载互锁模块LL2连接。传递模块TF提供能够减压的减压室。在该减压室设置有搬送装置TU2。搬送装置TU2例如是多关节机器人，由控制部MC进行控制。搬送装置TU2构成为在加载互锁模块LL1～LL2与工艺模块PM1～PM6之间、以及工艺模块PM1～PM6中的任意两个工艺模块间搬送被加工物W。
工艺模块PM1～PM6经由闸阀而与传递模块TF连接。各工艺模块PM1～PM6是构成为对被加工物W进行等离子体处理之类的专用的处理的处理装置。
在该处理系统1中进行被加工物W的处理时的一系列的动作例示如下。加载模块LM的搬送装置TU1从容器4a～4d中的任一容器取出被加工物W，并将该被加工物W搬送到对准器AN。接下来，搬送装置TU1将其位置被调整后的被加工物W从对准器AN取出，并将该被加工物W搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。接下来，一个加载互锁模块将预备减压室的压力减压为规定的压力。接下来，传递模块TF的搬送装置TU2从一个加载互锁模块取出被加工物W，并将该被加工物W搬送到工艺模块PM1～PM6中的任一工艺模块。然后，工艺模块PM1～PM6中的一个以上的工艺模块对被加工物W进行处理。然后，搬送装置TU2将处理后的被加工物W从工艺模块搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。接下来，搬送装置TU1将被加工物W从一个加载互锁模块搬送到容器4a～4d中的任一容器。
该处理系统1如上述那样具备控制部MC。控制部MC能够是具备处理器、存储器之类的存储装置、显示装置、输入输出装置、通信装置等的计算机。通过由控制部MC按照存储装置中存储的程序对处理系统1的各部进行控制，来实现上述的处理系统1的一系列动作。
图3是示出能够作为工艺模块PM1～PM6中的任一容器采用的等离子体处理装置的一例的图。图3所示的等离子体处理装置10是电容耦合型等离子体蚀刻装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒形状的腔室主体12。腔室主体12例如由铝形成，能够对腔室主体12的内壁面实施阳极氧化处理。该腔室主体12保护接地。
在腔室主体12的底部上设置有大致圆筒形状的支承部14。支承部14例如由绝缘材料构成。支承部14设置于腔室主体12内，从腔室主体12的底部向上方延伸。另外，在由腔室主体12提供的腔室S内设置有工作台ST。工作台ST由支承部14进行支承。
工作台ST具有下部电极LE和静电保持盘(chuck)ESC。下部电极LE包括第一板18a和第二板18b(载置台)。第一板18a和第二板18b例如由铝之类的金属构成，呈大致圆盘形状。第二板18b设置于第一板18a上，与第一板18a电连接。
在第二板18b上设置有静电保持盘ESC。静电保持盘ESC具有在一对绝缘层或绝缘片间配置有作为导电膜的电极的构造，具有大致圆盘形状。静电保持盘ESC的电极经由开关23而与直流电源22电连接。该静电保持盘ESC通过基于来自直流电源22的直流电压而产生的库伦力等静电力来吸附被加工物W。由此，静电保持盘ESC能够保持被加工物W。
在第二板18b的周缘部上设置有边缘环ER。该边缘环ER以包围被加工物W的边缘和静电保持盘ESC的方式设置。边缘环ER具有第一部分P1和第二部分P2(参照图6)。第一部分P1和第二部分P2具有环状板形状。第二部分P2是比第一部分P1靠外侧的部分。第二部分P2在高度方向上具有比第一部分P1的厚度大的厚度。第二部分P2的内缘P2i具有比第一部分P1的内缘P1i的直径大的直径。被加工物W以其边缘区域位于边缘环ER的第一部分P1上的方式载置于静电保持盘ESC上。该边缘环ER能够由硅、碳化硅、氧化硅之类的各种材料中的某种材料形成。
在第二板18b的内部设置有制冷剂流路24。制冷剂流路24构成了温度调节机构。从设置于腔室主体12的外部的冷却单元经由配管26a向制冷剂流路24供给制冷剂。供给到制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b返回到冷却单元。像这样，使制冷剂在制冷剂流路24与冷却单元之间循环。通过控制该制冷剂的温度，来控制由静电保持盘ESC支承的被加工物W的温度。
在工作台ST形成有贯穿该工作台ST的多个(例如三个)贯通孔25。在这些多个贯通孔25中分别插入有多根(例如三根)升降销25a。此外，在图3中，绘制出插入有一根升降销25a的一个贯通孔25。
另外，在等离子体处理装置10设置有气体供给线路28。气体供给线路28用于向静电保持盘ESC的上表面与被加工物W的背面之间供给来自传热气体供给机构的传热气体、例如He气体。
另外，等离子体处理装置10具备上部电极30。上部电极30在工作台ST的上方与该工作台ST相向配置。上部电极30经由绝缘性遮蔽构件32支承于腔室主体12的上部。上部电极30能够包括顶板34和支承体36。顶板34面对腔室S，在该顶板34设置有多个气体喷出孔34a。该顶板34能够由硅或石英形成。或者，顶板34能够通过在铝制的母材的表面形成氧化钇之类的耐等离子体性的膜来构成。
支承体36将顶板34以装卸自如的方式支承，支承体36例如能够由铝之类的导电性材料构成。该支承体36能够具有水冷构造。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。从该气体扩散室36a向下方延伸出与气体喷出孔34a连通的多个气体流通孔36b。另外，在支承体36形成有用于向气体扩散室36a导入处理气体的气体导入口36c，在该气体导入口36c连接有气体供给管38。
气体供给管38经由阀组42及流量控制器组44而与气体源组40连接。气体源组40包括多种气体用的多个气体源。阀组42包括多个阀，流量控制器组44包括质量流量控制器之类的多个流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42中的对应的阀以及流量控制器组44中的对应的流量控制器而与气体供给管38连接。
另外，在等离子体处理装置10中，沿腔室主体12的内壁以装卸自如的方式设置有沉积物屏蔽件46。沉积物屏蔽件46还设置于支承部14的外周。沉积物屏蔽件46用于防止在腔室主体12附着蚀刻副产物(沉积物)，能够通过对铝构件覆盖氧化钇等陶瓷来构成。
在腔室主体12的底部侧、且腔室主体12的侧壁与支承部14之间设置有排气板48。排气板48例如能够通过对铝构件覆盖氧化钇等陶瓷来构成。在排气板48形成有沿其板厚方向贯穿该排气板48的多个孔。在该排气板48的下方且腔室主体12设置有排气口12e。排气口12e经由排气管52而与排气装置50连接。排气装置50具有压力调整阀以及涡轮分子泵等真空泵，能够将腔室主体12内的空间减压到期望的真空度为止。另外，在腔室主体12的侧壁设置有被加工物W的搬入搬出口12g，该搬入搬出口12g能够通过闸阀54进行开闭。
另外，等离子体处理装置10还具备第一高频电源62和第二高频电源64。第一高频电源62是产生用于生成等离子体的第一高频的电源，例如产生具有27MHz～100MHz的频率的高频。第一高频电源62经由匹配器66而与上部电极30连接。匹配器66具有用于使第一高频电源62的输出阻抗与负载侧(上部电极30侧)的输入阻抗匹配的电路。此外，第一高频电源62也可以经由匹配器66而与下部电极LE连接。
第二高频电源64是产生用于向被加工物W吸引离子的第二高频的电源，例如产生400kHz～13.56MHz的范围内的频率的高频。第二高频电源64经由匹配器68而与下部电极LE连接。匹配器68具有用于使第二高频电源64的输出阻抗与负载侧(下部电极LE侧)的输入阻抗匹配的电路。
在该等离子体处理装置10中，从自多个气体源中选择出的一个以上的气体源向腔室S供给气体。另外，通过排气装置50将腔室S的压力设定为规定的压力。并且，通过来自第一高频电源62的第一高频对腔室S内的气体进行激励。由此，生成等离子体。而且，通过所产生的活性种对被加工物W进行处理。此外，也可以根据需要，通过基于第二高频电源64的第二高频的偏压来向被加工物W吸引离子。
下面，对测定器进行说明。图4是从上表面侧观察测定器时示出的俯视图。图4所示的测定器100具备具有上侧部分102b和下侧部分102a的基底基板102。基底基板102例如由硅形成，具有与被加工物W的形状同样的形状、即大致圆盘形状。基底基板102的直径是与被加工物W的直径同样的直径，例如是300mm。根据该基底基板102的形状和尺寸来规定测定器100的形状和尺寸。因而，测定器100具有与被加工物W的形状同样的形状，并且具有与被加工物W的尺寸同样的尺寸。另外，在基底基板102的边缘形成有槽口102N(或另外的标记)。
在基底基板102的上侧部分102b设置有多个传感器芯片104A～104D。多个传感器芯片104A～104D沿基底基板102的边缘例如在该边缘的整周上等间隔地排列。即，传感器芯片104A与传感器芯片104C配置于以中心轴线AX100为中心对称的位置。传感器芯片104B与传感器芯片104D配置于以中心轴线AX100为中心对称的位置。另外，在在图示例中，在传感器芯片104A与传感器芯片104D的周向上的中间位置处形成有槽口102N。
在基底基板102的上侧部分102b的上表面设置有电路基板106。在电路基板106设置有用于与多个传感器芯片104A～104D电连接的布线组108A～108D。
图5是一个实施方式所涉及的传感器芯片的立体图。图6是沿着图5的VI-VI线取得的截面图。图5～图6所示的传感器芯片104是用作测定器100的多个传感器芯片104A～104D的传感器芯片。此外，在以下的说明中，适当参照XYZ正交坐标系。X方向表示传感器芯片104的前方向，Y方向是与X方向正交的一个方向，表示传感器芯片104的宽度方向，Z方向是与X方向及Y方向正交的方向，表示传感器芯片104的上方向。在图6中，将边缘环ER与传感器芯片104一同示出。
传感器芯片104具有电极141、保护电极142、传感器电极143、基板部144以及绝缘区域147。
基板部144例如由硼硅酸玻璃或者石英形成。基板部144具有上表面144a、下表面144b以及前侧端面144c。保护电极142设置于基板部144的下表面144b的下方，沿X方向和Y方向延伸。另外，电极141隔着绝缘区域147设置于保护电极142的下方，沿X方向和Y方向延伸。绝缘区域147例如由SiO2、SiN、Al2O3或聚酰亚胺形成。
基板部144的前侧端面144c形成为阶梯状。前侧端面144c的下侧部分144d比该前侧端面144c的上侧部分144u更朝向边缘环ER侧突出。传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u延伸。在一个实施方式中，前侧端面144c的上侧部分144u和下侧部分144d分别为具有规定的曲率的曲面。即，前侧端面144c的上侧部分144u在该上侧部分144u的任意位置处呈固定的曲率，该上侧部分144u的曲率是测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的上侧部分144u之间的距离的倒数。另外，前侧端面144c的下侧部分144d在该下侧部分144d的任意位置处呈固定的曲率，该下侧部分144d的曲率是测定器100的中心轴线AX100与前侧端面144c的下侧部分144d之间的距离的倒数。
传感器电极143沿前侧端面144c的上侧部分144u设置。在一个实施方式中，该传感器电极143的前表面143f也为曲面。即，传感器电极143的前表面143f在该前表面143f的任意位置处具有固定的曲率，该曲率是测定器100的中心轴线AX100与前表面143f之间的距离的倒数。
在将该传感器芯片104用作测定器100的传感器的情况下，如后述那样，电极141与布线181连接，保护电极142与布线182连接，传感器电极143与布线183连接。
在传感器芯片104中，通过电极141和保护电极142使传感器电极143相对于传感器芯片104的下方被遮蔽。因而，根据该传感器芯片104，能够在特定方向、即传感器电极143的前表面143f所朝向的方向(X方向)具有高指向性地测定静电电容。
下面，对电路基板106的结构进行说明。图7是例示测定器的电路基板的结构的图。如图7所示，电路基板106具有高频振荡器171、多个C/V变换电路172A～172D、A/D变换器173、运算部174、存储装置175、通信装置176以及电源177。
多个传感器芯片104A～104D各自经由多个布线组108A～108D中的对应的布线组而与电路基板106连接。另外，多个传感器芯片104A～104D各自经由对应的布线组中包括的几个布线而与多个C/V变换电路172A～172D中的对应的C/V变换电路连接。下面，对与多个传感器芯片104A～104D的各个传感器芯片结构相同的一个传感器芯片104进行说明。另外，对与多个布线组108A～108D的各个布线组结构相同的一个布线组108进行说明。另外，对与多个C/V变换电路172A～172D的各个C/V变换电路结构相同的一个C/V变换电路172进行说明。
布线组108包括布线181～183。布线181的一端与电极141连接。该布线181与连接于电路基板106的接地G的地电位线GL连接。此外，布线181也可以经由开关SWG而与地电位线GL连接。另外，布线182的一端与保护电极142连接，布线182的另一端与C/V变换电路172连接。另外，布线183的一端与传感器电极143连接，布线183的另一端与C/V变换回路172连接。
高频振荡器171与电池之类的电源177连接，构成为接受来自该电源177的电力来产生高频信号。此外，电源177还与运算部(处理器)174、存储装置175以及通信装置176连接。高频振荡器171具有多个输出线。高频振荡器171经由多个输出线来向布线182和布线183提供所产生的高频信号。因而，高频振荡器171与传感器芯片104的保护电极142及传感器电极143电连接，以将来自该高频振荡器171的高频信号提供给保护电极142和传感器电极143。
C/V变换电路172的输入与布线182及布线183连接。即，C/V变换电路172的输入与传感器芯片104的保护电极142及传感器电极143连接。C/V变换电路172构成为生成具有与该输入处的电位差相应的振幅的电压信号并输出该电压信号。此外，与C/V变换电路172连接的传感器电极的静电电容越大，则由该C/V变换回路172输出的电压信号的电压的大小越大。
A/D变换器173的输入与C/V变换电路172的输出连接。另外，A/D变换器173与运算部174连接。通过来自运算部174的控制信号来控制A/D变换器173，A/D变换器173将C/V变换电路172的输出信号(电压信号)变换为数字值，并作为检测值输出到运算部174。
运算部174与存储装置175连接。存储装置175是易失性存储器之类的存储装置，构成为存储后述的测定数据。另外，运算部174与另外的存储装置178连接。存储装置178是非易失性存储器之类的存储装置，存储有由运算部174读入并执行的程序。
通信装置176是依据任意的无线通信标准的通信装置。例如，通信装置176依据Bluetooth(注册商标)。通信装置176构成为无线发送存储于存储装置175的测定数据。
运算部174构成为通过执行上述的程序来控制测定器100的各部。例如，运算部174控制从高频振荡器171对保护电极142、传感器电极143以及电极141的高频信号的供给。另外，运算部174控制从电源177对存储装置175的电力供给、从电源177对通信装置176的电力供给等。并且，运算部174通过执行上述的程序，来基于从A/D变换器173输入的检测值获取传感器芯片104的测定值。
在测定器100中，在测定器100配置于被边缘环ER包围的区域的状态下，多个传感器电极143及保护电极142面对边缘环ER的内缘。基于这些传感器电极143的信号与保护电极142的信号的电位差生成的测定值表示反映多个传感器电极143的各传感器电极143与边缘环ER之间的距离的静电电容。此外，静电电容C用C＝εS/d来表示。ε是传感器电极143的前表面143f与边缘环ER的内缘之间的介质的介电常数，S是传感器电极143的前表面143f的面积，d能够视为传感器电极143的前表面143f与边缘环ER的内缘之间的距离。因而，根据测定器100，得到反映模仿被加工物W的该测定器100与边缘环ER之间的相对的位置关系的测定数据。例如，传感器电极143的前表面143f与边缘环ER的内缘之间的距离越大，则由测定器100获取的多个测定值越小。
下面，对用于求出配置于被边缘环ER包围的区域的测定器100的中心位置(中心轴线AX100)相对于该区域的中心位置的偏离量的方法的一例与运算部174的功能一同进行说明。
图8示意性地示出边缘环ER与配置于边缘环ER的内侧的测定器100之间的位置关系。在图8中，示出边缘环ER的内周和测定器100的边缘。另外，在图8中，示出以边缘环ER的中心位置为原点的基于X轴和Y轴的正交坐标系。在图示例中，示出测定器100相对于基准位置偏离地配置的状态。此外，基准位置是指测定器100的中心轴线AX100与直交坐标系的原点一致且测定器100的槽口102N重叠在Y轴上。
图9是示出从传感器芯片104到边缘环ER的距离与由传感器芯片104测定的静电电容值之间的关系(传感器特性)的曲线图的一例。在该曲线图中，从处于基准位置的传感器芯片104到边缘环ER的距离为零。即，曲线图的横轴表示传感器芯片的相对于基准位置的偏离量。另外，传感器芯片104靠近边缘环ER的方向为负，传感器芯片104远离边缘环ER的方向为正。如上述那样，传感器芯片104与边缘环ER之间的距离越大，则测定值越小。测定值的变化相对于距离的变化的比例如如图9所示，传感器芯片104靠近边缘环ER时的该比例比远离边缘环ER时的该比例大。即，关于通过传感器芯片104来检测距离时的可靠性，距边缘环ER越近，则可靠性越高。另外，由于由远离边缘环ER的传感器芯片104得到的测定值的噪声的比例变高，因此可靠性下降。因此，在作为一例的例示性的实施方式的测定系统中，基于由检测的可靠性高的传感器芯片104获取的静电电容值来计算测定器的偏离量。
图10是用于说明搭载于测定器100的电路基板106的运算部174的功能的框图。如图10所示，运算部174具备获取部174a、确定部174b以及计算部174c。获取部174a获取表示由传感器芯片104A～104D检测出的静电电容的测定值。例如，获取部174a能够在由搬送装置TU2将测定器100搬送到边缘环ER的内侧区域时从传感器芯片104A～104D获取测定值。
确定部174b确定出传感器芯片104A～104D中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器芯片。在此，可靠性基准可以是在计算偏离量时是否能够信赖测定值的基准，也可以是用于估计为在设置于测定器100的多个传感器芯片104中噪声相对少的基准。在该情况下，噪声少这个基准能够置换为测定值大这个基准。即，作为一例的可靠性基准可以是用于在设置于测定器100的多个传感器芯片104中选择测定值相对大的传感器芯片104的基准。此外，“测定值相对大”例如可以是在以测定值的大小为基准将多个传感器芯片104划分为大中小三组时至少不是小组。
作为一例的确定部174b也可以将四个传感器芯片104A～104D中的测定值大的前两位的传感器芯片确定为满足可靠性基准的传感器芯片。在图8的例子中，传感器芯片104A、104B比传感器芯片104C、104D更靠近边缘环ER，因此传感器芯片104A、104B的测定值比传感器芯片104C、104D的测定值大。因此，将传感器芯片104A、104B确定为满足可靠性基准的传感器芯片。
另外，确定部174b也可以将隔着测定器100的中心彼此相向的一对传感器芯片中的测定值大的传感器芯片确定为满足可靠性基准的传感器芯片。能够在沿周向等间隔地配置有偶数个传感器芯片时采用该方法。在图8的例子中，在彼此相向的传感器芯片104A和传感器芯片104C中，传感器芯片104A更靠近边缘环ER。另外，在彼此相向的传感器芯片104B和传感器芯片104D中，传感器芯片104B更靠近边缘环ER。因此，将传感器芯片104A、104B确定为满足可靠性基准的传感器芯片。
另外，确定部174b也可以将输出规定的阈值以上的测定值的传感器芯片确定为满足可靠性基准的传感器芯片。在该情况下，可以基于在边缘环ER的中心位置与测定器100的中心位置一致的状态(基准状态)下由传感器芯片104测定出的测定值来决定规定的阈值。在基准状态下，通过全部的传感器芯片104获取到相同的测定值，因此可以基于任一个传感器芯片104的测定值来决定阈值。另外，也可以基于全部的传感器芯片104的测定值的平均值来决定阈值。
阈值可以是基准状态下的传感器芯片104的测定值。此外，在将基准状态下的传感器芯片104的测定值直接设为阈值的情况下，在偏离量小时有可能不存在超过阈值的传感器芯片104。因此，如图9中用虚线所示，阈值可以是比基准状态下的传感器芯片104的测定值小的值。
在确定部174b具有阈值的情况下，确定部174b也可以判定输出了阈值以上的测定值的传感器芯片是否有两个以上。在沿周向等间隔地配置有四个以上的传感器芯片104的情况下，无论测定器100如何载置，一定有两个以上的传感器芯片104的测定值为阈值以上。因此，在将测定器100搬送到被边缘环ER包围的区域内的状态下，当判定为输出阈值以上的测定值的传感器芯片不存在两个以上的情况下，认为发生了某种错误。确定部174b可以报告发生了错误。也可以在电路基板106设置有用于报告错误的报告部179。报告部179可以是例如通过无线等方式向外部的系统发送错误通知的通信设备。
计算部174c基于由确定部174b确定出的两个以上的传感器芯片104的测定值来计算偏离量。在图8的例子中，基于传感器芯片104A和传感器芯片104B的测定值来计算偏离量。图11和图12是用于说明用于计算偏离量的运算的一例的图。在图11中，与图8同样地示出边缘环ER的内周、测定器100的边缘、以及以边缘环ER的中心位置为原点的基于X轴和Y轴的正交坐标系。此外，用实线来描绘基准位置的测定器100，用虚线来描绘相对于基准位置偏离的测定器。另外，在图11中，示出与基准位置处的测定器100的传感器芯片104A相切的切线T1、以及与偏离的位置处的测定器100的传感器芯片104A相切的切线T2。另外，示出边缘环ER的内周缘的面对传感器芯片104A的位置处的切线T3。
图12是着眼于图11的传感器芯片104A的图，示出传感器芯片104A与边缘环ER之间的距离同测定器100的中心的坐标的关系。在图12中，示出图11所示的切线T1、T2、T3。在该情况下，径向上的从切线T1到切线T3的距离是从边缘环ER的内周的半径R减去测定器100的半径r后的长度。另外，径向上的从切线T2到切线T3的距离是传感器芯片104A与边缘环ER之间的距离La。在测定器100的中心轴线AX100的坐标为(X，Y)时，通过以下的式(1)来表示距离La。此外，在式(1)中，未考虑由于向切线T2方向上的测定器100的移动而产生的传感器芯片104A与边缘环ER之间的距离的变化。此外，在图12所示的例子中，角度θ为45°，以下的式(1)～(12)与该角度对应。
【数1】
同样地，通过以下的式子分别表示传感器芯片104B与边缘环ER之间的距离Lb、传感器芯片104C与边缘环ER之间的距离Lc、以及传感器芯片104D与边缘环ER之间的距离Ld。
【数2】
【数3】
【数4】
因而，基于上述的式(1)和式(2)，通过以下的式子求出表示测定器100的偏离量的X坐标和Y坐标。
【数5】
【数6】
另外，基于上述的式(2)和式(3)，通过以下的式子求出表示测定器100的偏离量的X坐标和Y坐标。
【数7】
【数8】
另外，基于上述的式(3)和式(4)，通过以下的式子求出表示测定器100的偏离量的X坐标和Y坐标。
【数9】
【数10】
另外，基于上述的式(4)和式(1)，通过以下的式子求出表示测定器100的偏离量的X坐标和Y坐标。
【数11】
【数12】
在图8的例子中，将传感器芯片104A、104B确定为满足可靠性基准的传感器芯片。因而，计算部174c基于上述的式(5)和式(6)来计算表示测定器100的偏离量的坐标数据。此外，在一例中，运算部174存储有图9所示的数据那样的表示传感器特性的数据。运算部174也可以存储有具有事先针对每个传感器芯片104A～104D获取到的传感器特性的数据的表。计算部174c能够基于所存储的传感器特性的数据，将传感器芯片104的测定值变换为从传感器芯片104到边缘环ER的距离。例如，计算部174c基于传感器芯片104A的传感器特性的数据和由传感器芯片104A获取到的检测值，来获取距离La的值。此外，计算部174c也可以通过对传感器特性的数据进行线性插值，来导出与传感器芯片的测定值对应的距离的值。
如以上那样，在一个例示性的实施方式中，能够将边缘环ER的中心位置与配置于边缘环ER的内侧的测定器100的中心轴线AX100之间的偏离量计算为X坐标和Y坐标。
下面，对由处理系统1和测定器100构成的测定系统的动作方法进行说明。此外，如上述那样，处理系统1中的搬送装置TU2由控制部MC进行控制。在一个实施方式中，搬送装置TU2能够基于从控制部MC发送的搬送位置数据来向边缘环ER的内侧的区域搬送被加工物W和测定器100。图13是示出由测定系统进行的测定方法的流程的流程图。
如图13所示，在测定系统中，进行使用搬送装置向根据搬送位置数据确定的区域内的位置搬送测定器的搬送工序(步骤ST1)。在步骤ST1中，通过搬送装置TU2向根据搬送位置数据确定的边缘环ER的内侧的位置搬送测定器100。具体地说，搬送装置TU1将测定器100搬送到加载互锁模块LL1和加载互锁模块LL2中的一个加载互锁模块。然后，搬送装置TU2基于搬送位置数据，将测定器100从一个加载互锁模块搬送到工艺模块PM1～PM6中的任一模块，并将该测定器100载置于静电保持盘ESC的载置区域上。搬送位置数据是例如以使测定器100的中心轴线AX100的位置与边缘环ER的中心位置一致的方式预先决定的坐标数据。
接下来，进行通过被搬送到区域内的测定器100的四个以上的传感器芯片104来获取测定值的获取工序(步骤ST2)。具体地说，测定器100获取同边缘环ER与传感器芯片104A～104D各自的传感器电极143之间的静电电容的大小相应的多个数字值(测定值)，并将该多个数字值存储于存储装置175。此外，能够在运算部174的控制下在预先决定的时刻获取多个数字值。
接下来，进行确定出四个以上的传感器芯片104中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器芯片104的确定工序(步骤ST3)。在步骤ST3中，确定出四个传感器芯片104A～104D中的测定值大的前两位以上的传感器芯片。
接下来，进行基于确定出的两个以上的传感器芯片104的测定值来计算偏离量的计算工序(步骤ST4)。在步骤ST4中，使用上述的用于求出偏离量的方法，根据在步骤ST3中确定出的传感器芯片104的测定值来导出边缘环ER的中心位置与测定器100的中心位置之间的偏离量。此外，在步骤ST4中，也可以向控制部MC发送导出的偏离量的数据。在该情况下，控制部MC也可以基于接收到的偏离量的数据来修正搬送位置数据，以抵消偏离量。
如以上说明那样，在一个例示性的实施方式中，提供一种通过搬送装置TU2进行了搬送的测定器100的偏离量的测定方法。测定器100具备：圆板状的基底基板102；以及四个以上的传感器电极143，所述四个以上的传感器电极143沿着基底基板102的周缘在周向上等间隔地排列，用于测定表示与配置于侧方的对象物之间的静电电容的测定值。搬送装置TU2是基于搬送位置数据向被边缘环ER包围的区域内搬送被加工物W的装置。偏离量是测定器100的中心位置相对于区域的中心位置的偏离量。测定方法包括以下工序：使用搬送装置TU2向根据搬送位置数据确定的区域内的位置搬送测定器100。测定方法包括以下工序：通过被搬送到区域内的测定器100的四个以上的传感器电极143来获取测定值。测定方法包括以下工序：确定四个以上的传感器电极143中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极143。测定方法包括以下工序：基于确定出的两个以上的传感器电极143的测定值来计算偏离量。
在上述的测定方法中，通过被搬送到被边缘环ER包围的区域的测定器100的四个以上的传感器电极143来获取测定值。该测定值表示各个传感器电极143与所面对的边缘环ER之间的静电电容值，因此反映传感器电极143与所面对的边缘环ER之间的距离。因而，能够基于这样的测定值来计算测定器100的中心位置相对于被边缘环ER包围的区域的中心位置的偏离量。
然而，关于测定值的变化相对于到边缘环ER为止的距离的变化的比例，如图9所示，传感器电极143靠近边缘环ER时的该比例比远离边缘环ER时的该比例大。即，距边缘环ER越近，则由传感器电极143检测距离时的可靠性越高。另外，由离边缘环ER远的传感器电极143得到的测定值的噪声的比例高，因此可靠性下降。因此，在基于搭载于测定器100的全部的传感器电极143的测定值来计算偏离量的情况下，有可能计算精度低的偏离量。
在一个例示性的实施方式中，基于四个以上的传感器电极143中的、作为测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极143的测定值来计算偏离量。即，不将不满足可靠性基准的传感器电极143的测定值使用于偏离量的计算。因此，能够更高精度地测定边缘环ER的中心与测定器100的中心之间的偏离量。
在一个例示性的实施方式中，也可以是，在进行确定的工序中，将四个以上的传感器电极143中的、测定值大的前两位的传感器电极143确定为两个以上的传感器电极143。在该结构中，能够容易地确定出满足可靠性基准的传感器电极143。
在一个例示性的实施方式中，四个以上的传感器电极143可以是偶数个传感器电极143。在该情况下，也可以是，在进行确定的工序中，将隔着测定器100的中心彼此相向的一对传感器电极143中的测定值大的传感器电极143确定为两个以上的传感器电极143。在该结构中，能够容易地确定出满足可靠性基准的传感器电极143。
在一个例示性的实施方式中，也可以是，在进行确定的工序中，将输出规定的阈值以上的测定值的传感器电极143确定为两个以上的传感器电极143。在该情况下，规定的阈值可以是基于在区域的中心位置与测定器100的中心位置一致的状态下由四个以上的传感器电极143测定出的测定值来决定的。在该结构中，能够容易地确定出满足可靠性基准的传感器电极143。
在一个例示性的实施方式中，测定方法还可以包括以下工序：判定输出成为规定的阈值以上的测定值的传感器电极143是否有两个以上。在沿周向等间隔地具有四个以上的传感器电极143的结构中，至少两个以上的传感器电极143满足可靠性基准。因此，在上述结构中，在相应的传感器电极143少于两个的情况下，能够进行错误探测。
以上，对实施方式进行了说明，但不限定于上述的实施方式，能够构成各种的变形方式。
例如，搭载于测定器100的传感器芯片104的个数不限定于四个。图14和图15是用于说明用于计算偏离量的运算的一例的图。在图14中，示出边缘环ER的内周、测定器100的边缘、以及以边缘环ER的中心位置为原点的基于X轴和Y轴的正交坐标系。如图14所示，测定器100具有沿周向等间隔地配置的N个传感器芯片104。N个传感器芯片104与边缘环ER之间的距离从12点的位置起顺时针方向地示出为距离L1、距离L2、…，距离LN。此外，在图14中，省略了与距离L3以后的距离对应的传感器芯片及距离的描绘。
图15是着眼于图14的任意的传感器芯片的图，示出传感器芯片104与边缘环ER之间的距离同测定器100的中心的坐标的关系。在图14中，与图12同样地示出了切线T1、T2、T3。在该情况下，在测定器100的中心轴线AX100的坐标为(X，Y)时，通过以下式(13)来表示第i个传感器芯片104与边缘环ER之间的距离Li。根据式(13)导出式(14)。
【数13】
【数14】
在基于第i个传感器芯片104的距离Li和第j个传感器芯片104的距离Lj来计算测定器100的坐标(X，Y)的情况下，以下式成立。此外，i和j是满足1≤i＜j≤N的自然数。
【数15】
即，【数16】
在此，当将A设为以下的式(17)时，矩阵成为式(18)。θ是第i个传感器芯片104与第j个传感器芯片104之间的角度。
【数17】
【数18】
如根据式(18)明确可知的那样，在j-i＝N/2的情况下，矩阵为0。即，在传感器芯片104为偶数个的情况下，在两个传感器芯片104之间的角度为180°时，矩阵为0。因而，在两个传感器芯片104处于那样的关系的情况下，无法计算中心位置的坐标，因此需要通过其它传感器芯片104的组合来进行运算。此外，在沿周向等间隔地配置有N个传感器芯片104的情况下，能够计算出坐标的传感器芯片104的组合在N为奇数时有种，在N为偶数时有/>种。
在两个传感器芯片104之间的角度为180°以外的情况下，存在A的逆矩阵，因此能够如以下式那样计算坐标(X，Y)。
【数19】
另外，在X与Y彼此独立的情况下，方差一般存在以下的式(20)的关系，因此能够根据式(19)导出以下的式(21)。
【数20】
【数21】
如根据式(21)可知的那样，根据用于运算的两个传感器芯片104间的角度θ，方差的系数成为大的值。因而，也可以根据测定的性能和要求精度来设定角度θ的范围。此外，在角度θ为90°和270°的情况下，方差最小，因此测定的精度最高。另一方面，随着角度θ接近0°和180°，方差变大，因此测定的精度下降。作为一例，在确定部174b确定出三个以上的传感器芯片104的情况下，计算部174c可以基于角度θ来决定作为坐标的计算对象的两个传感器芯片的组合。例如，计算部174c可以将方差的系数设为4以下，因此在两个传感器芯片104间的角度θ为30°以上且150°以下的情况下、以及210°以上且330°以下的情况下，采用测定值来作为运算对象。
另外，计算部174c也可以基于包括未被确定部174b确定出的传感器芯片104的两个传感器芯片104的组合，来进一步计算测定器的坐标。
另外，计算部174c在基于多个由两个传感器芯片104构成的组合来计算出测定器的坐标的情况下，也可以计算基于多个组合的各个组合计算出的多个坐标的平均值。在该情况下，也可以通过加权平均来计算坐标的平均值。例如，坐标的平均值可以是将两个传感器芯片104间的角度作为权重的加权平均。在该情况下，可以是，角度越接近90°、270°，则使权重越大。在将角度为90°或270°以外的情况的权重设为了零的情况下，仅通过两个传感器芯片104间的角度为90°或270°的组合来计算坐标。另外，也可以是，测定值越大，则使权重越大。在该情况下，可以基于两个传感器芯片104的测定值的平均值或总和来对两个传感器芯片104的组合进行排序，按从高到低的顺序增大权重。当在排在第三位及以下的情况下将权重设为了零的情况下，通过前两位的组合来计算坐标。另外，当在排在第一位以外的情况下将权重设为了零的情况下，为由与确定部174b确定出测定值大的前两位的传感器芯片104时的计算结果相同的结果。在将通过传感器芯片的多个组合计算出的偏离量进行了平均化的情况下，有时能够抑制计算结果的偏差，从而更高精度地导出偏离量。
根据以上的说明应该可以理解的是，本公开的各种实施方式在本说明书进行了说明，能够不脱离本公开的范围和主旨地进行各种变更。因而，不意图限定本说明书中公开的各种实施方式，真正的范围和主旨通过所附的权利要求书来示出。
附图标记说明
1：处理系统；100：测定器；102：基底基板；104：传感器芯片；143：传感器电极；ER：边缘环；TU2：搬送装置。

Claims (9)

1.一种测定方法，是通过搬送装置进行了搬送的测定器的偏离量的测定方法，其中，
所述测定器具备：
圆板状的基底基板；以及
四个以上的传感器电极，所述四个以上的传感器电极沿所述基底基板的周缘在周向上等间隔地排列，用于测定表示与配置于侧方的对象物之间的静电电容的测定值，
所述搬送装置是基于搬送位置数据向被边缘环包围的区域内搬送被加工物的装置，
所述偏离量是所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量，
所述测定方法包括以下工序：
使用所述搬送装置向根据所述搬送位置数据确定的所述区域内的位置搬送所述测定器；
通过被搬送到所述区域内的所述测定器的所述四个以上的传感器电极来获取所述测定值；
确定所述四个以上的传感器电极中的、作为所述测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极；以及
基于确定出的所述两个以上的传感器电极的所述测定值来计算所述偏离量。
2.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于，
在进行确定的所述工序中，将所述四个以上的传感器电极中的、所述测定值大的前两位的传感器电极确定为所述两个以上的传感器电极。
3.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于，
所述四个以上的传感器电极是偶数个传感器电极，
在进行确定的所述工序中，将隔着所述测定器的中心彼此相向的一对传感器电极中的所述测定值大的传感器电极确定为所述两个以上的传感器电极。
4.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于，
在进行确定的所述工序中，将输出规定的阈值以上的所述测定值的传感器电极确定为所述两个以上的传感器电极，
所述规定的阈值是基于在所述区域的中心位置与所述测定器的中心位置一致的状态下由所述四个以上的传感器电极测定出的所述测定值来决定的。
5.根据权利要求4所述的测定方法，其特征在于，
还包括以下工序：判定输出成为所述规定的阈值以上的所述测定值的所述传感器电极是否有两个以上。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的测定方法，其特征在于，
在进行计算的工序中，在确定出的所述两个以上的传感器电极为三个以上的传感器电极时，计算基于从所述三个以上的传感器电极中选择的两个传感器电极的多个组合计算出的多个所述偏离量的平均值。
7.根据权利要求6所述的测定方法，其特征在于，
所述偏离量的平均值是加权平均。
8.一种测定系统，具备：
测定器，其具备圆板状的基底基板以及四个以上的传感器电极，所述四个以上的传感器电极沿所述基底基板的周缘在周向上等间隔地排列，用于测定表示与配置于侧方的对象物之间的静电电容的测定值；
搬送装置，其向根据搬送位置数据确定的被边缘环包围的区域内搬送所述测定器；以及
运算装置，其计算通过所述搬送装置进行了搬送的所述测定器的偏离量，
其中，所述偏离量是所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量，
所述运算装置获取通过被搬送到所述区域内的所述测定器的所述四个以上的传感器电极获取到的所述测定值，确定出所述四个以上的传感器电极中的、作为所述测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极，并基于确定出的所述两个以上的传感器电极的所述测定值来计算所述偏离量。
9.一种测定器，具备：
圆板状的基底基板；
四个以上的传感器电极，其沿所述基底基板的周缘在周向上等间隔地排列，用于在所述基底基板被载置于被边缘环包围的区域内的状态下测定表示与所述边缘环之间的静电电容的测定值；以及
电路基板，其搭载于所述基底基板，获取由所述四个以上的传感器电极获取到的所述测定值，确定所述四个以上的传感器电极中的、作为所述测定值输出满足可靠性基准的静电电容值的两个以上的传感器电极，并基于确定出的所述两个以上的传感器电极的所述测定值来计算所述基底基板的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量。
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