CN117641987A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底，包括像素区域和与像素区域相邻的非像素区域；平坦化层，设置在基底上，并且包括多个突起，每个突起具有围绕像素区域的中心的平面形状；像素电极，设置在平坦化层上，并且与像素区域叠置；像素限定层，设置在平坦化层上，与非像素区域叠置，并且暴露像素电极的一部分；下发光层，设置在像素电极上；电荷产生层，设置在下发光层上；以及上发光层，设置在电荷产生层上。

Description

显示装置
技术领域
实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种用于提供视觉信息的显示装置。
背景技术
随着信息技术发展，作为用户与信息之间的通信介质的显示装置的重要性日益突出。因此，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等的显示装置广泛地用于各种领域。
显示装置可以包括发光二极管，并且发光二极管包括像素电极、共电极和设置在像素电极与共电极之间的发光层。在这种显示装置中，功能层(例如，空穴传输层、电子传输层、辅助层等)可以进一步设置在发光层上方和下方，以改善发光二极管的发光效率。
发明内容
实施例提供了一种具有改善的显示质量的显示装置。
根据实施例的显示装置包括：基底，包括像素区域和与像素区域相邻的非像素区域；平坦化层，设置在基底上，并且包括多个突起，每个突起具有围绕像素区域的中心的平面形状；像素电极，设置在平坦化层上，并且与像素区域叠置；像素限定层，设置在平坦化层上，与非像素区域叠置，并且暴露像素电极的一部分；下发光层，设置在像素电极上；电荷产生层，设置在下发光层上；以及上发光层，设置在电荷产生层上。
在实施例中，电荷产生层可以遍及像素区域和非像素区域连续地设置。
在实施例中，像素电极可以沿着平坦化层的轮廓设置。
在实施例中，像素限定层可以包括：第一像素限定层，接触像素电极的一部分；以及第二像素限定层，在平面上围绕第一像素限定层，并且第一像素限定层和第二像素限定层可以彼此间隔开。
在实施例中，第一像素限定层可以接触突起之中的突起的一个侧表面，并且第二像素限定层可以与突起之中的另一突起叠置。
在实施例中，下发光层和上发光层可以与像素区域叠置。
在实施例中，下发光层可以沿着像素电极的轮廓设置。
在实施例中，上发光层可以沿着电荷产生层的轮廓设置。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在上发光层上的共电极。
在实施例中，共电极可以遍及像素区域和非像素区域连续地设置。
在实施例中，突起可以包括：第一突起，与像素区域的中心叠置；至少一个第二突起，围绕第一突起；以及第三突起，围绕第二突起。
在实施例中，突起中的每个可以具有多边形剖面形状。
在实施例中，突起中的每个可以具有半圆形或半椭圆形剖面形状。
在实施例中，电荷产生层可以包括设置在下发光层上的第一电荷产生层和设置在第一电荷产生层上的第二电荷产生层。
在实施例中，显示装置还可以包括分别设置在下发光层和上发光层上的电子传输层。
在实施例中，显示装置还可以包括分别设置在下发光层下方和上发光层下方的空穴传输层。
根据实施例的显示装置包括：基底，包括发射第一光的第一像素区域、发射与第一光不同的第二光的第二像素区域、以及与第一像素区域和第二像素区域相邻的非像素区域；平坦化层，设置在基底上，并且包括多个突起，每个突起具有围绕第一像素区域的中心和第二像素区域的中心的平面形状；第一像素电极，设置在平坦化层上，并且与第一像素区域叠置；第二像素电极，设置在平坦化层上并且与第二像素区域叠置；像素限定层，设置在平坦化层上，与非像素区域叠置，并且暴露第一像素电极和第二像素电极中的每个的一部分；第一下发光层，设置在第一像素电极上；第二下发光层，设置在第二像素电极上；电荷产生层，设置在第一下发光层和第二下发光层上；第一上发光层，设置在电荷产生层上，并且与第一下发光层叠置；以及第二上发光层，设置在电荷产生层上，并且与第二下发光层叠置。
在实施例中，电荷产生层可以遍及第一像素区域和第二像素区域以及非像素区域连续地设置。
在实施例中，第一像素电极和第二像素电极可以沿着平坦化层的轮廓设置。
在实施例中，像素限定层可以包括：第一像素限定层，接触第一像素电极和第二像素电极的一部分；以及第二像素限定层，在平面上围绕第一像素限定层，并且第一像素限定层和第二像素限定层可以彼此间隔开。
在根据公开的实施例的显示装置中，显示装置可以包括顺序地设置在基底上的平坦化层、像素限定层、下发光层、电荷产生层和上发光层，并且平坦化层可以包括多个突起。在这样的实施例中，由于设置在平坦化层上的电荷产生层的面积增加并且下发光层与上发光层之间的电荷产生层的电阻减小，因此可以改善下发光层和上发光层的发光效率。
在这样的实施例中，由于平坦化层包括多个突起并且第一像素限定层和第二像素限定层彼此间隔开，所以电荷产生层的长度可以增加。因此，相邻的子像素之间的电荷产生层的电阻增加，并且阻挡在相邻的子像素之间流动的漏电流，从而有效地防止相邻的子像素之间的颜色混合缺陷。
附图说明
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1的显示装置的第一子像素的实施例的电路图。
图3是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
图4是图3的第一发光元件的实施例的放大剖视图。
图5是图3的第二发光元件的实施例的放大剖视图。
图6至图16是用于示出制造图3的显示装置的方法的实施例的视图。
图17是与图3对应的剖视图，示出了替代实施例。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了各种实施例。然而，该发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。同样的附图标记始终指代同样的元件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者其间可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不旨在成为限制。如这里所使用的，“一”、“一个(种/者)”、“该(所述)”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外清楚地指出。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“一个元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种/者)”将不被解释为限制的“一”或“一个(种/者)”。“或”意指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在该说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指定存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
此外，这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语旨在包括装置的除了图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，那么被描述为在其他元件“下”侧上的元件将随后被定向为在所述其他元件“上”侧上。因此，根据图的具体方位，术语“下”可以包括“下”和“上”两个方位。类似地，如果一幅图中的装置被翻转，那么被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”所述其他元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……之下”可以包括上方和下方两个方位。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与该公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义相一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
这里参照作为理想化的实施例的示意性示图的剖面示图来描述实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为限于如这里示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，被示出或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是倒圆的。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状且不旨在限制权利要求的范围。
在下文中，将参照附图详细地描述发明的实施例。相同的附图标记用于附图中的相同组件，并且将省略或简化相同组件的任何重复详细描述。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据公开的实施例的显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其中通过生成光或调节从外部光源提供的光的透射率来显示图像的区域。非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。非显示区域NDA可以定位在显示区域DA周围。在实施例中，例如，非显示区域NDA可以完全地围绕显示区域DA。
在平面上或当在平面图中观察时，显示装置10可以具有具备倒圆的角的矩形形状。然而，公开的构造不限于此。在实施例中，例如，在平面上，显示装置10可以具有各种形状(例如，拥有直角的矩形形状)。
多个像素PX可以设置在显示区域DA中。在这样的实施例中，显示区域DA可以通过从多个像素PX发射光来显示图像。
多个像素PX中的每个可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以发射彼此不同的颜色的光或彼此基本上相同的颜色的光。
在实施例中，第一子像素SPX1可以是发射红光的红色子像素，第二子像素SPX2和第三子像素SPX3可以是发射绿光的绿色子像素，第四子像素SPX4可以是发射蓝光的蓝色子像素。然而，从第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4中的每个发射的光的颜色不限于此。另外，尽管图1示出了多个像素PX中的每个包括四个子像素SPX1、SPX2、SPX3和SPX4的实施例，但是公开不限于此。
第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以以各种形状布置在平面上。在实施例中，例如，如图1中所示，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以布置为与虚拟四边形(未示出)的四个顶点叠置。然而，公开不限于此，并且第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4的布置可以不同地改变。
多个像素PX可以沿着第一方向D1和与第一方向D1交叉的第二方向D2重复地布置。因此，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4中的每个可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置。
显示装置10可以包括设置在非显示区域NDA中的驱动单元。在实施例中，例如，驱动单元可以包括栅极驱动单元、数据驱动单元等。驱动单元可以电连接到多个像素PX。驱动单元可以将用于发光的信号和电压提供到多个像素PX。
图2是示出图1的显示装置的第一子像素的实施例的电路图。
参照图1和图2，第一子像素SPX1的实施例可以包括第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2以及用于驱动第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的子像素电路SPC。
尽管图2中未示出，但是第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以具有与第一子像素SPX1相同的电路结构。也就是说，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以具有彼此相同的电路结构。
子像素电路SPC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3-1、T3-2、第四晶体管T4-1、T4-2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、存储电容器CST、驱动电压线、共电压线、初始化电压线、数据信号线、扫描信号线、数据初始化信号线和发光控制信号线。
第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2可以形成或共同地限定一个(或单个)发光二极管。因此，在下文中，第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2将被认为是一种构造。
第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2可以基于驱动电流输出光。第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2可以包括第一端子和第二端子。第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的第一端子可以连接到第七晶体管T7的第二端子。第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的第二端子可以接收共电压ELVSS。
第一晶体管T1可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。在实施例中，例如，第一晶体管T1的第一端子可以是源极端子，并且第一晶体管T1的第二端子可以是漏极端子。可选地，第一晶体管T1的第一端子可以是漏极端子，并且第一晶体管T1的第二端子可以是源极端子。
第一晶体管T1可以生成驱动电流。在实施例中，例如，第一晶体管T1可以在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管T1可以基于栅极端子与源极端子之间的电压差来生成驱动电流。另外，可以基于供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的驱动电流的大小来表示灰度。在这种情况下，灰度可以基于在一帧内将驱动电流供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2期间的时间之和来表示。
第二晶体管T2可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第二晶体管T2的栅极端子可以接收扫描信号GW。第二晶体管T2的第一端子可以接收数据信号DATA。第二晶体管T2的第二端子可以连接到第一晶体管T1的第一端子。在实施例中，例如，第二晶体管T2的第一端子可以是源极端子，并且第二晶体管T2的第二端子可以是漏极端子。可选地，第二晶体管T2的第一端子可以是漏极端子，并且第二晶体管T2的第二端子可以是源极端子。
第二晶体管T2可以在扫描信号GW的激活时段期间将数据信号DATA供应到第一晶体管T1的第一端子。在这样的实施例中，第二晶体管T2可以在线性区域中操作。
第三晶体管T3-1和T3-2可以包括第一第三晶体管T3-1(在下文中，将被称为“第3-1晶体管”)和第二第三晶体管T3-2(在下文中，将被称为“第3-2晶体管”)。在实施例中，例如，第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2可以彼此串联连接，并且可以作为双晶体管操作。在实施例中，例如，当双晶体管截止时，可以减小漏电流。
第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2中的每个可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2中的每个的栅极端子可以接收扫描信号GW。第3-1晶体管T3-1的第一端子连接到第一晶体管T1的第二端子。第3-1晶体管T3-1的第二端子可以连接到第3-2晶体管T3-2的第一端子。第3-2晶体管T3-2的第二端子可以连接到第一晶体管T1的栅极端子。在实施例中，例如，第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2中的每个的第一端子可以是源极端子，并且第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2中的每个的第二端子可以是漏极端子。可选地，第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2中的每个的第一端子可以是漏极端子，并且第3-1晶体管T3-1和第3-2晶体管T3-2中的每个的第二端子可以是源极端子。
第三晶体管T3-1和T3-2可以在扫描信号GW的激活时段期间将第一晶体管T1的栅极端子和第一晶体管T1的第一端子彼此连接。在这种情况下，第三晶体管T3-1和T3-2可以在扫描信号GW的激活时段期间二极管连接第一晶体管T1。由于第一晶体管T1二极管连接，因此在第一晶体管T1的第一端子与第一晶体管T1的栅极端子之间可能出现等于第一晶体管T1的阈值电压的电压差。结果，可以将通过将电压差(即，阈值电压)与在扫描信号GW的激活时段期间供应到第一晶体管T1的第一端子的数据信号DATA的电压相加而获得的电压供应到第一晶体管T1的栅极端子。因此，数据信号DATA可以由第一晶体管T1的阈值电压补偿，并且补偿的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管T1的栅极端子。
第四晶体管T4-1和T4-2可以包括第一第四晶体管T4-1(在下文中，将被称为“第4-1晶体管”)和第二第四晶体管T4-2(在下文中，将被称为“第4-2晶体管”)。在实施例中，例如，第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2可以彼此串联连接，并且可以作为双晶体管操作。在实施例中，例如，当双晶体管截止时，可以减小漏电流。
第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的栅极端子可以接收数据初始化信号GB。第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的第一端子可以接收初始化电压VINT。第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的第二端子可以连接到第一晶体管T1的栅极端子。在实施例中，例如，第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的第一端子可以为源极端子，并且第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的第二端子可以为漏极端子。可选地，第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的第一端子可以为漏极端子，并且第4-1晶体管T4-1和第4-2晶体管T4-2中的每个的第二端子可以为源极端子。
第四晶体管T4-1和T4-2可以在数据初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一晶体管T1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管T4-1和T4-2可以在线性区域中操作。也就是说，第四晶体管T4-1和T4-2可以在数据初始化信号GB的激活时段期间将第一晶体管T1的栅极端子初始化为具有初始化电压VINT。
第五晶体管T5可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第五晶体管T5的栅极端子可以接收发光控制信号EM。第五晶体管T5的第一端子可以接收驱动电压ELVDD。第五晶体管T5的第二端子可以连接到第一晶体管T1的第一端子。在实施例中，例如，第五晶体管T5的第一端子可以是源极端子，并且第五晶体管T5的第二端子可以是漏极端子。可选地，第五晶体管T5的第一端子可以是漏极端子，并且第五晶体管T5的第二端子可以是源极端子。
第五晶体管T5可以在发光控制信号EM的激活时段期间将驱动电压ELVDD供应到第一晶体管T1的第一端子。在这样的实施例中，第五晶体管T5可以在发光控制信号EM的失活时段期间切断驱动电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五晶体管T5可以在线性区域中操作。由于第五晶体管T5在发光控制信号EM的激活时段期间将驱动电压ELVDD供应到第一晶体管T1的第一端子，因此第一晶体管T1可以生成驱动电流。
在这样的实施例中，由于第五晶体管T5在发光控制信号EM的失活时段期间切断驱动电压ELVDD的供应，因此供应到第一晶体管T1的第一端子的数据信号DATA可以被供应到第一晶体管T1的栅极端子。
第六晶体管T6可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第六晶体管T6的栅极端子可以接收发光控制信号EM。第六晶体管T6的第一端子可以连接到第一晶体管T1的第二端子。第六晶体管T6的第二端子可以连接到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的第一端子。在实施例中，例如，第六晶体管T6的第一端子可以是源极端子，并且第六晶体管T6的第二端子可以是漏极端子。可选地，第六晶体管T6的第一端子可以是漏极端子，并且第六晶体管T6的第二端子可以是源极端子。
第六晶体管T6可以在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管T1生成的驱动电流供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2。在这种情况下，第六晶体管T6可以在线性区域中操作。也就是说，由于第六晶体管T6在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管T1生成的驱动电流供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2，因此第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2可以发光。另外，由于第六晶体管T6在发光控制信号EM的失活时段期间将第一晶体管T1与第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2彼此电分离，因此可以将供应到第一晶体管T1的第一端子的数据信号DATA供应到第一晶体管T1的栅极端子。
第七晶体管T7可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第七晶体管T7的栅极端子可以接收数据初始化信号GB。第七晶体管T7的第一端子可以接收初始化电压VINT。第七晶体管T7的第二端子可以连接到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的第一端子。在实施例中，例如，第七晶体管T7的第一端子可以是源极端子，并且第七晶体管T7的第二端子可以是漏极端子。可选地，第七晶体管T7的第一端子可以是漏极端子，并且第七晶体管T7的第二端子可以是源极端子。
第七晶体管T7可以在数据初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的第一端子。在这种情况下，第七晶体管T7可以在线性区域中操作。也就是说，第七晶体管T7可以在数据初始化信号GB的激活时段期间将第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2的第一端子初始化为具有初始化电压VINT。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在驱动电压线与第一晶体管T1的栅极端子之间。在实施例中，例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管T1的栅极端子，并且存储电容器CST的第二端子可以连接到驱动电压线。
存储电容器CST可以在扫描信号GW的失活时段期间保持第一晶体管T1的栅极端子的电压电平。扫描信号GW的失活时段可以包括发光控制信号EM的激活时段，并且在发光控制信号EM的激活时段期间由第一晶体管T1生成的驱动电流可以被供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2。因此，基于由存储电容器CST保持的电压电平由第一晶体管T1生成的驱动电流可以被供应到第一发光二极管LD1和第二发光二极管LD2。
尽管上面描述了包括七个晶体管和一个存储电容器的第一子像素SPX1的实施例，但是公开的构造不限于此。在实施例中，例如，第一子像素SPX1可以包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器。
图3是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。具体地，图3可以是示出图1的显示装置10的显示区域DA的实施例的剖视图。
参照图3，显示装置10的实施例可以包括基底SUB、缓冲层BFR、第一半导体元件SD1、第二半导体元件SD2、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、平坦化层PL、第一像素电极PE1和第二像素电极PE2、像素限定层PDL、第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1、电荷产生层CGL、第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2、共电极CE和封装层TFE。
基底SUB可以包括透明材料或不透明材料。在实施例中，例如，基底SUB可以包括玻璃、石英、塑料等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
在实施例中，像素区域PA和与像素区域PA相邻的非像素区域NPA可以限定在基底SUB中。在实施例中，例如，像素区域PA可以是发光的区域，非像素区域NPA可以是不发光的区域。像素区域PA可以包括发射第一光的第一像素区域PA1和发射与第一光不同的第二光的第二像素区域PA2。
缓冲层BFR可以设置在基底SUB上。缓冲层BFR可以防止金属原子或杂质从基底SUB扩散到第一半导体元件SD1和第二半导体元件SD2。另外，当基底SUB的表面不均匀时，缓冲层BFR可以改善基底SUB的表面的平坦度。缓冲层BFR可以包括无机绝缘材料。在实施例中，例如，可以用于缓冲层BFR的无机绝缘材料可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一半导体元件SD1可以包括第一有源图案ACT1、第一栅电极GAT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第二半导体元件SD2可以包括第二有源图案ACT2、第二栅电极GAT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个可以设置在缓冲层BFR上。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个可以包括硅半导体材料或氧化物半导体材料。在实施例中，例如，可以用于第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个的硅半导体材料可以包括非晶硅、多晶硅等。在实施例中，例如，可以用于第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个的氧化物半导体材料可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个可以包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。
栅极绝缘层GI可以设置在第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2上。栅极绝缘层GI可以与第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个的沟道区叠置。栅极绝缘层GI可以不与第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每个的源区和漏区叠置。栅极绝缘层GI可以包括无机绝缘材料。在实施例中，例如，可以用于栅极绝缘层GI的无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2中的每个可以设置在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2中的每个可以与栅极绝缘层GI叠置。第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2中的每个可以包括导电材料。在实施例中，例如，可以用于第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2中的每个的导电材料可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
层间绝缘层ILD可以设置在缓冲层BFR上。层间绝缘层ILD可以覆盖第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2、栅极绝缘层GI以及第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2。在实施例中，例如，层间绝缘层ILD可以充分地覆盖第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2，并且可以具有基本上平坦的上表面，而不在第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2周围产生台阶结构。可选地，层间绝缘层ILD可以覆盖第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2，并且可以沿着第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2中的每个的轮廓以均匀的厚度设置。层间绝缘层ILD可以包括无机绝缘材料。在实施例中，例如，可以用于层间绝缘层ILD的无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一源电极SE1和第二源电极SE2中的每个可以设置在层间绝缘层ILD上。第一源电极SE1可以通过穿过层间绝缘层ILD限定的接触孔连接到第一有源图案ACT1的源区。第二源电极SE2可以通过穿过层间绝缘层ILD限定的接触孔连接到第二有源图案ACT2的源区。
第一漏电极DE1和第二漏电极DE2中的每个可以设置在层间绝缘层ILD上。第一漏电极DE1可以通过穿过层间绝缘层ILD限定的接触孔连接到第一有源图案ACT1的漏区。第二漏电极DE2可以通过穿过层间绝缘层ILD限定的接触孔连接到第二有源图案ACT2的漏区。
第一源电极SE1和第二源电极SE2中的每个可以包括导电材料。在实施例中，例如，可以用于第一源电极SE1和第二源电极SE2中的每个的导电材料可以包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。第一漏电极DE1和第二漏电极DE2中的每个可以包括与第一源电极SE1和第二源电极SE2相同的材料。
因此，包括第一有源图案ACT1、第一栅电极GAT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1的第一半导体元件SD1可以在基底SUB上设置在第一像素区域PA1中，包括第二有源图案ACT2、第二栅电极GAT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2的第二半导体元件SD2可以在基底SUB上设置在第二像素区域PA2中。
平坦化层PL可以设置在层间绝缘层ILD上。平坦化层PL可以充分地覆盖第一源电极SE1和第二源电极SE2以及第一漏电极DE1和第二漏电极DE2。平坦化层PL可以包括有机绝缘材料。在实施例中，例如，可以用于平坦化层PL的有机绝缘材料可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
在实施例中，平坦化层PL可以包括多个突起PR。在实施例中，例如，平坦化层PL可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置，并且可以包括在厚度方向(例如，第三方向D3)上从平坦化层PL的上表面突出的多个突起PR。这里，第三方向D3可以与第一方向D1和第二方向D2中的每个垂直。
突起PR中的每个可以具有多边形剖面形状。在实施例中，例如，突起PR中的每个可以具有矩形剖面形状。然而，突起PR中的每个的剖面形状不限于此，并且突起PR中的每个可以具有各种剖面形状。
第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以设置在平坦化层PL上。第一像素电极PE1可以与第一像素区域PA1叠置，第二像素电极PE2可以与第二像素区域PA2叠置。在实施例中，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以沿着平坦化层PL的轮廓设置。在这样的实施例中，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以沿着平坦化层PL的突起PR的轮廓设置。
第一像素电极PE1可以通过穿过平坦化层PL限定的接触孔连接到第一漏电极DE1，第二像素电极PE2可以通过穿过平坦化层PL限定的接触孔连接到第二漏电极DE2。第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以包括导电材料。在实施例中，例如，可以用于第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个的导电材料可以包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
像素限定层PDL可以设置在平坦化层PL上。像素限定层PDL可以与非像素区域NPA叠置，并且可以暴露第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个的一部分。
在实施例中，像素限定层PDL可以包括第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2。在实施例中，例如，第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2可以彼此间隔开。
在实施例中，第一像素限定层PDL1可以接触第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个的部分。也就是说，第一像素限定层PDL1可以接触第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个的端部。另外，第一像素限定层PDL1可以接触突起PR之中的突起的一个侧表面。
在实施例中，第二像素限定层PDL2可以与突起PR之中的另一突起叠置。在这样的实施例中，第二像素限定层PDL2可以接触另一突起的上表面。在这样的实施例中，第二像素限定层PDL2可以不接触另一突起的侧表面。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。在实施例中，例如，可以用于像素限定层PDL的有机绝缘材料可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一下发光层EML1-1可以设置在第一像素电极PE1上，并且第二下发光层EML2-1可以设置在第二像素电极PE2上。也就是说，第一下发光层EML1-1可以与第一像素区域PA1叠置，第二下发光层EML2-1可以与第二像素区域PA2叠置。第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1中的每个可以沿着第一像素电极PE1和第二像素电极PE2的相应轮廓设置。
第一下发光层EML1-1可以发射第一光。在实施例中，例如，第一光可以是红光，并且第一下发光层EML1-1可以包括发射红光的有机材料。第二下发光层EML2-1可以发射与第一光不同的第二光。在实施例中，例如，第二光可以是绿光，并且第二下发光层EML2-1可以包括发射绿光的有机材料。然而，公开不限于此。
电荷产生层CGL可以设置在第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1上。电荷产生层CGL可以设置在像素区域PA中，并且可以从像素区域PA连续地延伸到非像素区域NPA或遍及像素区域PA和非像素区域NPA连续地延伸。电荷产生层CGL可以沿着第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1、像素限定层PDL和平坦化层PL的轮廓设置。
第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2中的每个可以设置在电荷产生层CGL上。第一上发光层EML1-2可以与第一像素区域PA1叠置，第二上发光层EML2-2可以与第二像素区域PA2叠置。也就是说，第一上发光层EML1-2可以与第一下发光层EML1-1叠置，第二上发光层EML2-2可以与第二下发光层EML2-1叠置。第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2中的每个可以沿着电荷产生层CGL的轮廓设置。
第一上发光层EML1-2可以发射第一光。在实施例中，例如，第一光可以是红光，并且第一上发光层EML1-2可以包括发射红光的有机材料。第二上发光层EML2-2可以发射第二光。在实施例中，例如，第二光可以是绿光，并且第二上发光层EML2-2可以包括发射绿光的有机材料。然而，公开不限于此。
共电极CE可以设置在第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2上。共电极CE可以设置在像素区域PA中，并且可以从像素区域PA连续地延伸到非像素区域NPA或者遍及像素区域PA和非像素区域NPA连续地延伸。共电极CE可以沿着第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2以及电荷产生层CGL的轮廓设置。共电极CE可以包括导电材料。在实施例中，例如，可以用于共电极CE的导电材料可以包括锂、钙、铝、银、镁等。这些可以单独地使用或彼此组合地使用。
第一像素电极PE1、第一下发光层EML1-1、电荷产生层CGL、第一上发光层EML1-2和共电极CE可以形成(或共同地限定)第一发光元件EE1。第一发光元件EE1可以与第一像素区域PA1叠置。
第二像素电极PE2、第二下发光层EML2-1、电荷产生层CGL、第二上发光层EML2-2和共电极CE可以形成(或共同地限定)第二发光元件EE2。第二发光元件EE2可以与第二像素区域PA2叠置。
封装层TFE可以设置在共电极CE上。封装层TFE可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置。封装层TFE可以防止杂质、湿气、外部空气等从外部渗透第一发光元件EE1和第二发光元件EE2。封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
图4是图3的第一发光元件的实施例的放大剖视图。图5是图3的第二发光元件的实施例的放大剖视图。
参照图3、图4和图5，第一发光元件EE1可以包括第一像素电极PE1、第一第一发光结构单元EU1-1(在下文中，将被称为“第1-1发光结构单元”)、电荷产生层CGL、第二第一发光结构单元EU1-2(在下文中，将被称为“第1-2发光结构单元”)和共电极CE。第二发光元件EE2可以包括第二像素电极PE2、第一第二发光结构单元EU2-1(在下文中，将被称为“第2-1发光结构单元”)、电荷产生层CGL、第二第二发光结构单元EU2-2(在下文中，将被称为“第2-2发光结构单元”)和共电极CE。
发光结构单元中的每个可以包括根据施加的电流生成光的发光层。在实施例中，例如，第1-1发光结构单元EU1-1可以包括空穴传输层HTL、第一下发光层EML1-1和电子传输层ETL，第1-2发光结构单元EU1-2可以包括空穴传输层HTL、第一上发光层EML1-2和电子传输层ETL。另外，第2-1发光结构单元EU2-1可以包括空穴传输层HTL、第二下发光层EML2-1和电子传输层ETL，并且第2-2发光结构单元EU2-2可以包括空穴传输层HTL、第二上发光层EML2-2和电子传输层ETL。
第1-1发光结构单元EU1-1和第2-1发光结构单元EU2-1的空穴传输层HTL中的每个可以设置在第一像素电极PE1和第二像素电极PE2上。空穴传输层HTL可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置。在实施例中，例如，空穴传输层HTL可以包括选自空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。可选地，空穴传输层HTL还可以包括空穴缓冲层、电子阻挡层等。
第一下发光层EML1-1可以设置在第1-1发光结构单元EU1-1的空穴传输层HTL上，并且可以与第一像素区域PA1叠置。当电子和空穴注入到第一下发光层EML1-1中时，第一下发光层EML1-1可以发射第一光。第二下发光层EML2-1可以设置在第2-1发光结构单元EU2-1的空穴传输层HTL上，并且可以与第二像素区域PA2叠置。当电子和空穴注入到第二下发光层EML2-1中时，第二下发光层EML2-1可以发射第二光。
第1-1发光结构单元EU1-1和第2-1发光结构单元EU2-1的电子传输层ETL中的每个可以设置在第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1上。电子传输层ETL可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置。在实施例中，例如，电子传输层ETL可以包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。可选地，电子传输层ETL还可以包括电子缓冲层、空穴阻挡层等。
电荷产生层CGL可以设置在第1-1发光结构单元EU1-1和第2-1发光结构单元EU2-1中的每个的电子传输层ETL上。电荷产生层CGL可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置。电荷产生层CGL可以增加电子朝向第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1的迁移率，并且可以增加空穴朝向第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2的迁移率。在实施例中，电荷产生层CGL可以包括第一电荷产生层nCGL和设置在第一电荷产生层nCGL上的第二电荷产生层pCGL，并且可以具有NP结结构。
第1-2发光结构单元EU1-2和第2-2发光结构单元EU2-2的空穴传输层HTL中的每个可以设置在电荷产生层CGL上。
第一上发光层EML1-2可以设置在第1-2发光结构单元EU1-2的空穴传输层HTL上，并且可以与第一像素区域PA1叠置。当电子和空穴注入到第一上发光层EML1-2中时，第一上发光层EML1-2可以发射第一光。第二上发光层EML2-2可以设置在第2-2发光结构单元EU2-2的空穴传输层HTL上，并且可以与第二像素区域PA2叠置。当电子和空穴注入到第二上发光层EML2-2中时，第二上发光层EML2-2可以发射第二光。
第1-2发光结构单元EU1-2和第2-2发光结构单元EU2-2的电子传输层ETL中的每个可以设置在第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2上。
尽管在图3、图4和图5中示出了第一发光元件EE1和第二发光元件EE2中的每个包括两个发光层的实施例，但是公开不限于此。在可选的实施例中，例如，第一发光元件EE1和第二发光元件EE2中的每个可以包括三个或更多个发光层。
在实施例中，两个或更多个发光层可以在第一发光元件EE1和第二发光元件EE2中的每个中彼此堆叠，并且电荷产生层可以设置在发光层之间以提高发光效率和二极管寿命。在这样的实施例中，由于电荷产生层的高导电性，可能在相邻的子像素之间生成漏电流，并且可能发生相邻的子像素之间的颜色混合缺陷。
根据公开的实施例的显示装置10可以包括顺序地设置在基底SUB上的平坦化层PL、像素限定层PDL、下发光层EML1-1和EML2-1、电荷产生层CGL、上发光层EML1-2和EML2-2，并且平坦化层PL可以包括多个突起PR。在这样的实施例中，由于设置在平坦化层PL上的电荷产生层CGL的面积增加，所以下发光层EML1-1和EML2-1与上发光层EML1-2和EML2-2之间的电荷产生层CGL的电阻减小，因此可以改善下发光层EML1-1和EML2-1以及上发光层EML1-2和EML2-2的发光效率。
在这样的实施例中，由于平坦化层PL包括多个突起PR并且第一像素限定层PDL1和第二像素限定层PDL2彼此间隔开，因此电荷产生层CGL的长度可以增加，并且相邻的子像素(例如，图1的第一子像素SPX1与第二子像素SPX2)之间的电荷产生层CGL的电阻可以增加。因此，可以阻挡在相邻的子像素之间流动的漏电流，从而有效地防止相邻的子像素之间的颜色混合缺陷。
图6至图16是用于示出制造图3的显示装置的方法的实施例的视图。具体地，图7可以是用于示出图6的平坦化层PL的平面图，图9可以是用于示出图8的第一像素电极PE1和第二像素电极PE2的平面图，图11可以是示出图10的像素限定层PDL的平面图，图13可以是示出图12的第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1的平面图。
参照图6和图7，可以在基底SUB上顺序地形成(或设置)缓冲层BFR、第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2、栅极绝缘层GI、第一栅电极GAT1和第二栅电极GAT2、层间绝缘层ILD、第一源电极SE1和第二源电极SE2、第一漏电极DE1和第二漏电极DE2以及平坦化层PL。
平坦化层PL可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置，并且可以包括在第三方向D3上突出的多个突起PR。
突起PR中的每个可以具有围绕像素区域PA的中心的平面形状。像素区域PA的中心可以沿着第一方向D1和第二方向D2重复地布置。在实施例中，突起PR可以包括与像素区域PA的中心叠置的第一突起PR1、围绕第一突起PR1的至少一个第二突起PR2以及围绕第二突起PR2的第三突起PR3。在实施例中，例如，第一突起PR1可以具有矩形平面形状，并且第二突起PR2中的每个可以具有中空四边形平面形状。
第一突起PR1、第二突起PR2和第三突起PR3可以彼此间隔开。在实施例中，例如，第三突起PR3可以形成为与非像素区域NPA叠置并围绕像素区域PA的中心中的每个。也就是说，第三突起PR3可以在平面上具有格子形状。
尽管在图7中示出了设置有两个第二突起PR2的实施例，但是公开不限于此。在实施例中，例如，每个像素区域中的第二突起PR2的数量可以是一个或三个或更多个。
参照图8和图9，可以在平坦化层PL上形成(或设置)第一像素电极PE1和第二像素电极PE2。第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以在像素区域PA中沿着平坦化层PL的轮廓形成。在实施例中，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以在像素区域PA中沿着平坦化层PL的突起PR的轮廓形成。
在实施例中，第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个可以形成为与像素区域PA叠置。在实施例中，第一像素电极PE1可以与第一像素区域PA1叠置，第二像素电极PE2可以与第二像素区域PA2叠置。
参照图10和图11，可以在平坦化层PL、第一像素电极PE1和第二像素电极PE2上形成初步像素限定层。可以通过将初步像素限定层图案化来形成像素限定层PDL。像素限定层PDL可以包括第一像素限定层PDL1和与第一像素限定层PDL1间隔开的第二像素限定层PDL2。
第一像素限定层PDL1可以在平面上形成为围绕第一像素电极PE1和第二像素电极PE2。另外，第一像素限定层PDL1可以形成为接触第一像素电极PE1和第二像素电极PE2中的每个的一部分以及突起PR之中的突起(例如，非像素区域NPA与像素区域PA之间的边界处的突起)的一个侧表面。在实施例中，例如，突起可以是第二突起PR2。也就是说，第一像素限定层PDL1可以形成为与第二突起PR2叠置。
第二像素限定层PDL2可以在平面上形成为围绕第一像素限定层PDL1，并且与突起PR之中的另一突起(例如，非像素区域NPA中的突起)叠置。在实施例中，例如，另一突起可以是第三突起PR3。也就是说，第二像素限定层PDL2可以形成为与第三突起PR3叠置。换句话说，第二像素限定层PDL2可以形成为与非像素区域NPA叠置，并且围绕像素区域PA的中心中的每个。也就是说，第二像素限定层PDL2可以在平面上具有格子形状。
参照图12和图13，可以在第一像素电极PE1上形成第一下发光层EML1-1，并且可以在第二像素电极PE2上形成第二下发光层EML2-1。第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1中的每个可以沿着第一像素电极PE1和第二像素电极PE2的相应轮廓形成。
在实施例中，第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1中的每个可以形成为与像素区域PA叠置。在这样的实施例中，第一下发光层EML1-1可以与第一像素区域PA1叠置，第二下发光层EML2-1可以与第二像素区域PA2叠置。
参照图14，可以在第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1上形成电荷产生层CGL。电荷产生层CGL可以从像素区域PA连续地延伸到非像素区域NPA。也就是说，电荷产生层CGL可以整个地形成在显示区域DA中。电荷产生层CGL可以沿着第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1、像素限定层PDL和平坦化层PL的轮廓形成。
参照图15，可以在电荷产生层CGL上形成第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2。第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2中的每个可以沿着电荷产生层CGL的轮廓形成。
在实施例中，第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2中的每个可以形成为与像素区域PA叠置。在这样的实施例中，第一上发光层EML1-2可以与第一像素区域PA1和第一下发光层EML1-1叠置，第二上发光层EML2-2可以与第二像素区域PA2和第二下发光层EML2-1叠置。
参照图16，可以在第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2上形成共电极CE。在实施例中，共电极CE可以整个地形成在像素区域PA和非像素区域NPA中。共电极CE可以沿着第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2以及电荷产生层CGL的轮廓形成。
返回参照图3，可以在共电极CE上形成封装层TFE。封装层TFE可以形成为充分地覆盖共电极CE。因此，可以制造图3中所示的显示装置10。
图17是与图3对应的剖视图，示出了替代实施例。
参照图17，显示装置10的实施例可以包括基底SUB、缓冲层BFR、第一半导体元件SD1、第二半导体元件SD2、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、平坦化层PL、第一像素电极PE1和第二像素电极PE2、像素限定层PDL、第一下发光层EML1-1和第二下发光层EML2-1、电荷产生层CGL、第一上发光层EML1-2和第二上发光层EML2-2、共电极CE和封装层TFE。
在下文中，将省略或简化与上面参照图3描述的显示装置10的元件相同或相似的元件的任何重复详细描述。
在实施例中，平坦化层PL可以包括多个突起PR。在这样的实施例中，平坦化层PL可以与像素区域PA和非像素区域NPA叠置，并且可以包括从平坦化层PL的上表面沿第三方向D3突出的多个突起PR。
在实施例中，例如，突起PR中的每个可以具有半圆形或半椭圆形剖面形状。然而，突起PR中的每个的剖面形状不限于此，并且突起PR中的每个可以具有各种剖面形状。
公开的实施例可以应用于各种显示装置。在实施例中，例如，公开可适用于诸如用于车辆、船舶和飞机的显示装置、便携式通信装置、用于展示或信息传输的显示装置、医疗显示装置等的各种显示装置。
发明不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的构思。
虽然已经参照发明的实施例具体地示出和描述了发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的发明的精神或范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括像素区域和与所述像素区域相邻的非像素区域；
平坦化层，设置在所述基底上，并且包括多个突起，每个突起具有围绕所述像素区域的中心的平面形状；
像素电极，设置在所述平坦化层上，并且与所述像素区域叠置；
像素限定层，设置在所述平坦化层上，与所述非像素区域叠置，并且暴露所述像素电极的一部分；
下发光层，设置在所述像素电极上；
电荷产生层，设置在所述下发光层上；以及
上发光层，设置在所述电荷产生层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电荷产生层遍及所述像素区域和所述非像素区域连续地设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素电极沿着所述平坦化层的轮廓设置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述像素限定层包括：第一像素限定层，接触所述像素电极的一部分；以及第二像素限定层，在平面上围绕所述第一像素限定层，并且
所述第一像素限定层和所述第二像素限定层彼此间隔开。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一像素限定层接触所述多个突起之中的突起的一个侧表面，并且所述第二像素限定层与所述多个突起之中的另一突起叠置。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下发光层和所述上发光层与所述像素区域叠置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述下发光层沿着所述像素电极的轮廓设置，并且所述上发光层沿着所述电荷产生层的轮廓设置。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个突起包括：
第一突起，与所述像素区域的中心叠置；
至少一个第二突起，围绕所述第一突起；以及
第三突起，围绕所述第二突起。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个突起中的每个具有多边形剖面形状。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个突起中的每个具有半圆形或半椭圆形剖面形状。
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