CN117637762A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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sub
disposed
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金张大
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LG Display Co Ltd
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Abstract

本公开涉及显示面板和显示装置。一种显示装置包括：发光元件；驱动晶体管，其连接到发光元件，驱动晶体管包括第一氧化物半导体层和第一栅极电极；开关晶体管，其包括第二氧化物半导体层和第二栅极电极；数据线，其提供数据电压；第一绝缘层，其设置在第一栅极电极和第二栅极电极上；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层和数据线之间。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示面板和显示装置，并且更具体地，涉及包括至少一种氧化物半导体的显示面板和显示装置。
背景技术
包括有机发光二极管(OLED)的显示装置已经由于优异的薄膜特性和图像质量而在显示领域中成为一种趋势。
在包括有机发光二极管的显示装置中，发光元件可以形成在柔性基板上，从而可以以诸如弯曲或折叠之类的各种形式构成屏幕。此外，包括有机发光二极管的显示装置可以具有优异的薄膜特性。由于包括有机发光二极管的显示装置的这些优点，包括有机发光二极管的显示装置可以用于各种需要薄厚度的电子产品(例如，移动电话和电视)以及小型电子产品(例如，智能手表)。
近来，显示装置越来越多地在静止画面的状态下传递信息，以实现息屏显示(AOD)功能等。随着静止画面的状态持续，可能会出现漏电流，因此越来越需要设置有能够防止漏电流出现的新型驱动元件的显示装置。
发明内容
因此，本公开的实施方式旨在提供一种包括至少一种氧化物半导体的显示面板和显示装置。
本公开的一个方面提供一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，该显示面板通过使用包括氧化物半导体层的晶体管来有效地阻止漏电流。
本公开的另一方面提供一种显示面板和显示装置，该显示面板通过使用绝缘层使得数据线和晶体管之间的串扰最小化来确保均匀的可视性。
附加的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可以通过本文提供的发明构思的实践来获知。发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的结构或可从其导出的结构、其权利要求以及附图来实现和获得。
为了实现发明构思的这些和其他方面，如本文体现和宽泛地描述的那样，一种显示装置可以包括：发光元件；驱动晶体管，其连接到发光元件并且包括第一氧化物半导体层；开关晶体管，其包括第二氧化物半导体层；数据线，其提供数据电压；第一绝缘层，其设置在开关晶体管的栅极电极和驱动晶体管的栅极电极上；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层和数据线之间。
根据本公开的另一方面，一种显示面板可以包括：发光元件；驱动晶体管，其连接到发光元件并且包括第一氧化物半导体层；开关晶体管，其包括第二氧化物半导体层；数据线，其提供数据电压；第一绝缘层，其设置在开关晶体管的栅极电极和驱动晶体管的栅极电极上；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层和数据线之间。
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入到本申请中并构成本申请的一部分的附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的各种原理。
在附图中：
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的框图；
图2是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的像素的电路图；
图3是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的截面图；
图4是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的平面图；
图5是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的截面图；
图6是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的另一截面图；
图7是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的平面图；
图8是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的截面图；以及
图9是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的另一截面图。
具体实施方式
实施方式中使用的术语是考虑到在本公开中的功能而从当前广泛使用的一般术语中选择的，但是其可以根据本领域技术人员的意图或推广、新技术的出现等而变化。如有需要，申请人可以任意地选择特定术语。在这种情况下，将在对应描述中详细描述术语的含义。因此，应当基于术语的含义和整个公开的内容而不是简单的术语名称来定义本公开中使用的术语。
当整个公开内容的某个部分包括某个元件时，这意味着除非另有说明，否则不排除其他组件，而是可以进一步包括其他组件。
在整个公开内容中描述的表述“A、B和C中的至少一个”可以包括“单独的A”、“单独的B”、“单独的C”、“A和B”、“A和C”、“B和C”或“全部的A、B和C”。参照下面结合附图详细描述的实施方式，本公开的优点和特征及其实现方法将变得显而易见。
用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，并且因此本公开不限于所示细节。相同的附图标记始终表示相同的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时，将省略该详细描述或者可以对其进行简要讨论。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用了“仅”，否则也可以存在另一部件。除非有相反的说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。在解释元件时，尽管没有对其进行明确的描述，也将该元件解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，在将位置顺序描述为“上”、“上方”、“下方”、“之下”和“旁边”等时，除非使用了“直接”，否则可以包括其间无接触的情况。例如，如果提到第一元件位于第二元件“上”，这并不意味着在图中第一元件实质上或直接地位于第二元件上方。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件，而不能定义任何顺序或次序。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，可以将第一元件称为第二元件，并且同理，可以将第二元件称为第一元件。
说明书中描述的每个元件的面积、长度或厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开不一定限于所示配置的面积和厚度。
如本领域技术人员能够充分地理解的那样，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以以各种方式彼此互操作并在技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地实施，或者可以以相互依赖的关系一起实施。
考虑到稍后将描述的术语在本公开中的功能，从一般已知和使用的术语中选择这些术语，并且可以根据用户或操作者的意图、实践等对其进行修改。因此，应当由本文公开的描述来定义本文使用的术语。
构成本公开中的像素电路的晶体管可以包括氧化物薄膜晶体管(TFT)、非晶硅TFT(a-Si TFT)和低温多晶硅(LTPS)TFT中的至少一种。
将基于有机发光显示装置来描述以下实施方式。然而，本公开的实施方式不限于有机发光显示装置，并且可以应用于包括无机发光材料的无机发光显示装置。例如，本公开的实施方式可以应用于量子点显示装置。
应当理解，诸如“第一”、“第二”和“第三”之类的术语仅用于在每个实施方式中将一个元件与另一元件区分开，并且实施方式不受这些术语的限制。因此，根据实施方式，相同的术语可以表示不同的元件。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施方式。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的框图。
电致发光显示装置可以应用为根据本公开的一个实施方式的显示装置100。电致发光显示装置可以是有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点发光二极管显示装置或无机发光二极管显示装置。
参照图1，显示装置100包括基板101、显示面板102、选通驱动器103和数据驱动器104。
显示面板102包括设置在基板101上的有效区域AA和设置在有效区域AA周围的非有效区域NA。基板101由具有柔性的塑料材料制成，以便能够弯曲。例如，基板101可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚砜(PSF)或环烯烃共聚物(COC)之类的材料形成，但是本公开的实施方式不限于此。然而，基板101的材料也不排除玻璃。
有效区域AA的子像素包括晶体管(例如，包括氧化物半导体层作为有源层的薄膜晶体管(TFT))。
选通驱动器103或数据驱动器104中的至少一个可以设置在非有效区域NA中。非有效区域NA还可以包括弯曲区域BA，基板101在弯曲区域BA中被弯曲。
在该实施方式中，可以通过使用其中多晶半导体材料被用作有源层的晶体管而直接地在基板101中形成选通驱动器103。在另一实施方式中，可以通过将其中多晶半导体材料被用作有源层的晶体管和其中氧化物半导体材料被用作有源层的晶体管构成为C-MOS来形成选通驱动器103。具有氧化物半导体层的晶体管和具有多晶半导体层的晶体管由于沟道中的高电子迁移率而能够实现高分辨率和低功率。
多条数据线和多条选通线可以设置在有效区域AA中。例如，多条数据线可以设置成行或列，并且多条选通线可以设置成列或行。子像素PX可以设置在由数据线和选通线限定的区域中。
基本像素可以包括用于发射白色(W)光、红色(R)光、绿色(G)光或蓝色(B)光的子像素中的至少三个子像素。例如，基本像素可以包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的组合的子像素，或白色(W)、红色(R)和绿色(G)的组合的子像素，或蓝色(B)、白色(W)和红色(R)的组合的子像素，或绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)的组合的子像素，或者可以包括白色(W)、红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的组合的子像素，但是本公开的实施方式不限于此。
包括在选通驱动器103中的选通驱动电路可以设置在非有效区域NA中。选通驱动器103的选通驱动电路通过向多条选通线GL依次提供扫描信号而依次驱动有效区域的每个像素行。在这种情况下，选通驱动电路可以是扫描驱动电路。像素行可以是由连接到一条选通线的像素形成的行。
选通驱动电路可以包括具有多晶半导体层的晶体管或具有氧化物半导体层的晶体管。在选通驱动电路中，具有多晶半导体层的晶体管和具有氧化物半导体层的晶体管可以成对配置。当设置在非有效区域NA和有效区域AA中的晶体管使用相同的半导体材料时，可以通过相同的工艺来形成设置在非有效区域NA和有效区域AA中的晶体管。
在实施方式中，选通驱动电路可以包括移位寄存器、电平移位器等。选通驱动电路可以以面板内栅极(GIP)类型实现，并且于是可以被直接地设置在基板101中。
选通驱动器103可以依次向多条选通线提供导通电压或截止电压的扫描信号。
根据本公开的一个实施方式的显示装置100还可以包括数据驱动电路。当特定的选通线通过选通驱动器103导通时，数据驱动电路可以将图像数据转换成模拟数据电压，并且将数据电压提供给多条数据线。
在实施方式中，设置在基板101中的多条选通线GL中的每一条可以包括至少一条扫描线和至少一条发光控制线。扫描线和发光控制线包括用于将不同类型的选通信号(例如，扫描信号或发光控制信号)传输到不同类型的晶体管(例如，扫描晶体管或发光控制晶体管)的栅极节点的线路。
选通驱动器103可以包括用于将扫描信号输出到作为一种类型的选通线GL的扫描线的扫描驱动电路，以及用于将发光控制信号输出到作为另一种类型的选通线的多条发光控制线的发光驱动电路。
数据线DL可以设置成穿过弯曲区域BA，并且各个数据线DL可以设置成连接到数据焊盘PAD。弯曲区域BA可以是基板101在其中被弯曲的区域。基板101可以在除了弯曲区域BA之外的区域中保持平坦状态。
图2是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的像素的电路图。具体而言，图2是示出用于驱动包括在显示装置中的一个子像素的像素电路的电路图。
参照图2，像素电路200包括七个晶体管(薄膜晶体管)和一个存储电容器Cst。七个晶体管中的一个晶体管可以是驱动晶体管，而其他晶体管可以是用于内部补偿的开关晶体管，并且本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，驱动晶体管D-TFT可以使用氧化物半导体层(或氧化物半导体图案)作为有源层。与驱动晶体管D-TFT相邻的第三开关晶体管T3也可以使用氧化物半导体层作为有源层。另一开关晶体管(例如，第二开关晶体管T2、第四开关晶体管T4、第五开关晶体管T5、第六开关晶体管T6或第七开关晶体管T7中的至少一个)可以使用多晶半导体层(或多晶半导体图案)作为有源层，但是这仅仅是示例性的并且不限于此。包括在像素电路200中的至少一个晶体管可以包括氧化物半导体层，并且其他至少一个晶体管可以包括多晶半导体层。
在实施方式中，像素电路200可以连接到提供数据电压Vdata、高电位电压VDDEL、低电位电压VSSEL、复位电压VAR、初始化电压Vin、发光信号EM以及扫描信号Scan1[n]、Scan2[n]、Scan3[n]和Scan3[n+1]的每条线路。因此，像素电路200可以接收数据电压Vdata、高电位电压VDDEL、低电位电压VSSEL、复位电压VAR、初始化电压Vin、发光信号EM以及扫描信号Scan1[n]、Scan2[n]、Scan3[n]和Scan3[n+1]。数据电压Vdata可以是AC电压，并且复位电压VAR、初始化电压Vin、高电位电压VDDEL和低电位电压VSSEL可以是DC电压。
像素电路200包括发光元件OLED。发光元件OLED可以包括阳极电极、发光层和阴极电极。阳极电极可以是设置在每个子像素PX中的像素电极，并且可以电连接到每个子像素PX的驱动晶体管D-TFT。阴极电极可以是公共地设置在多个子像素PX中的公共电极，并且可以向阴极电极施加低电位电压VSSEL。
图3是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的截面图。具体而言，图3是示出一个驱动晶体管360、两个开关晶体管330和340以及一个存储电容器350的截面图。
将简要地基于一个子像素PX进行描述。如图3所示，子像素PX包括基板101上的驱动元件部370和发光元件部380，其中发光元件部380电连接到驱动元件部370。驱动元件部370和发光元件部380通过平坦化层320和322而彼此绝缘。
驱动元件部370可以指包括驱动晶体管360、开关晶体管330和340以及存储电容器350以驱动一个子像素的阵列部。发光元件部380可以指包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极和阴极电极之间的发光层以发光的阵列部。
在图3中，示出了一个驱动晶体管360、两个开关晶体管330和340以及一个存储电容器350作为驱动元件部370的示例，但是本公开不限于此。
在实施方式中，驱动晶体管360和至少一个开关晶体管使用氧化物半导体层作为有源层。与使用多晶半导体层的晶体管相比，氧化物半导体层是由氧化物半导体材料制成的层，其具有优异的漏电流阻止效果，并且具有较低的制造成本。例如，氧化物半导体层可以是IGZO、ZnO、SnO2、Cu2O、NiO、ITZO、IAZO等，并且本公开的实施方式不限于此。因此，为了减少功耗和降低制造成本，本公开的一个实施方式可以通过使用氧化物半导体层来实现驱动晶体管360和至少一个开关晶体管。
使用包含多晶半导体材料(例如，多晶硅(poly-Si))的多晶半导体层的晶体管具有快速的操作速度和优异的可靠性。基于多晶半导体层的这些优点，图3示出了使用多晶半导体层来制造一个开关晶体管的示例。其他晶体管可以由包括氧化物半导体层的晶体管构成，但是本公开不限于图3所示的实施方式。
在实施方式中，基板101可以由其中至少一个有机层和至少一个无机层交替地层叠的多层构成。例如，可以通过交替地层叠诸如聚酰亚胺之类的有机层和诸如氧化硅(SiO2)之类的无机层来形成基板101，并且本公开的实施方式不限于此。
参照图3，可以在基板101上形成下缓冲层301。下缓冲层301可以用于阻止能够从外部渗透的材料(例如，湿气)。可以通过层叠多个氧化硅层(SiO2)等来使用下缓冲层301。根据实施方式，还可以在下缓冲层301上形成第二缓冲层，以保护基板101免受湿气渗透的影响。
第一开关晶体管330形成在基板101上。第一开关晶体管330可以使用多晶半导体层作为有源层。第一开关晶体管330可以包括第一有源层303，第一有源层303包括电子或空穴移动通过的沟道。开关晶体管330可以包括第一栅极电极306、第一源极电极317S和第一漏极电极317D。
第一有源层303可以由多晶半导体材料制成。第一有源层303可以包括位于中央的第一沟道区域303C，并且可以包括第一源极区域303S和第一漏极区域303D，其中第一沟道区域303C被插设在第一源极区域303S和第一漏极区域303D之间。
第一源极区域303S和第一漏极区域303D可以包括其中第5族或第3族的杂质离子(例如，磷(P)或硼(B))以预定浓度掺杂在本征多晶半导体图案中并且于是被导体化的区域。
第一沟道区域303C可以通过将多晶半导体材料保持在本征状态来提供电子或空穴移动通过的路径。
在实施方式中，第一开关晶体管330可以包括与第一有源层303的第一沟道区域303C交叠的第一栅极电极306。第一栅极绝缘层302可以设置在第一栅极电极306和第一有源层303之间。
在实施方式中，第一开关晶体管330可以以第一栅极电极306位于第一有源层303上方的顶栅方式来实现。在这种情况下，可以通过一次掩模工艺形成由第一栅极电极材料制成的第一电容器电极305和第二开关晶体管340的第二遮光层304。因此，可以减少掩模工艺。
在实施方式中，第一栅极电极306可以由金属材料制成。例如，第一栅极电极306可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层，但不限于此。
在实施方式中，可以在第一栅极电极306上沉积第一层间绝缘层307。第一层间绝缘层307可以由氮化硅(SiNx)制成。由氮化硅(SiNx)制成的第一层间绝缘层307可以包括氢粒子。当在形成第一有源层303并且在第一有源层303上沉积第一层间绝缘层307之后执行热处理工艺时，第一层间绝缘层307中包含的氢粒子可以渗透到第一源极区域303S和第一漏极区域303D中，以提高并且稳定多晶半导体材料的导电性。这可以被称为氢化工艺。
在实施方式中，第一开关晶体管330还可以包括以适当的顺序位于第一层间绝缘层307上的上缓冲层310、第二栅极绝缘层313和第二层间绝缘层316，并且包括形成在第二层间绝缘层316上并且分别与第一源极区域303S和第一漏极区域303D连接的第一源极电极317S和第一漏极电极317D。
在实施方式中，上缓冲层310可以将由多晶半导体材料制成的第一有源层303与第二开关晶体管340的由氧化物半导体层制成的第二有源层312和驱动晶体管360的第三有源层311间隔开。上缓冲层310可以提供形成第二有源层312和第三有源层311的基础。
在实施方式中，第二层间绝缘层316可以包括覆盖第二开关晶体管340的第二栅极电极315和驱动晶体管360的第三栅极电极314的层间绝缘层。由于第二层间绝缘层316形成在由氧化物半导体材料制成的第二有源层312和第三有源层311上，所以第二层间绝缘层316可以由不包括氢粒子的无机层构成。
在实施方式中，第一源极电极317S和第一漏极电极317D可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层，但是不限于此。
在实施方式中，第二开关晶体管340可以包括形成在上缓冲层310上并且由第二氧化物半导体层构成的第二有源层312、覆盖第二有源层312的第二栅极绝缘层313、形成在第二栅极绝缘层313上的第二栅极电极315、覆盖第二栅极电极315的第二层间绝缘层316以及形成在第二层间绝缘层316上的第二源极电极318S和第二漏极电极318D。
根据实施方式，第二开关晶体管340还可以包括位于上缓冲层310下方并且与第二有源层312交叠的第二遮光层304。在这种情况下，第二遮光层304可以由与第一栅极电极306的材料相同的材料制成，并且可以形成在第一栅极绝缘层302的上表面上。
根据实施方式，第二遮光层304可以电连接(参见虚线)到第二栅极电极315以形成双栅极。当第二开关晶体管340具有双栅极结构时，可以更精确地控制流向第二沟道区域312C的电流的流动，并且可以将显示装置制造成具有更小的尺寸，由此可以以高分辨率实现显示装置。
在实施方式中，第二有源层312可以由氧化物半导体材料制成，并且可以包括未掺杂有杂质的本征状态的第二沟道区域312C，以及通过掺杂有杂质而被导体化的第二源极区域312S和第二漏极区域312D。
在实施方式中，以与第一源极电极317S和第一漏极电极317D相同的方式，第二源极电极318S和第二漏极电极318D可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金制成的单层或多层，并且本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，第二源极电极318S和第二漏极电极318D以及第一源极电极317S和第一漏极电极317D可以由相同的材料同时形成在第二层间绝缘层316上，并且在这种情况下，可以减少掩模工艺的次数。
在实施方式中，驱动晶体管360可以形成在上缓冲层310上方。驱动晶体管360可以包括由第一氧化物半导体层构成的第三有源层311。在这种情况下，第一氧化物半导体层和第三有源层311基本上彼此相同，并且相同的附图标记用于描述第一氧化物半导体层和第三有源层。
传统地，驱动晶体管将有利于高速操作的多晶半导体层用作有源层。然而，包括多晶半导体层的驱动晶体管的问题在于，由于在截止状态下产生的漏电流而产生高功耗。因此，本公开的一个实施方式提出了一种将有利于阻止漏电流出现的氧化物半导体层用作有源层的驱动晶体管。
在将氧化物半导体层用作有源层的晶体管的情况下，考虑到氧化物半导体的材料特性，针对单位电压变化值的电流变化值较大，由此在需要精确电流控制的低灰度级区域中可能出现缺陷。因此，本公开的实施方式可以提供一种有源层中的电流变化值对施加到栅极电极的电压的变化值相对不敏感的驱动晶体管。
参照图3，驱动晶体管360可以包括由位于上缓冲层310上的第一氧化物半导体层构成的第三有源层311、覆盖第三有源层311的第二栅极绝缘层313、形成在第二栅极绝缘层313上并且与第三有源层311交叠的第三栅极电极314、覆盖第三栅极电极314的第二层间绝缘层316以及设置在第二层间绝缘层316上的第三源极电极319S和第三漏极电极319D。
根据实施方式，驱动晶体管360还可以包括设置在上缓冲层310的内部并且与第三有源层311交叠的第一遮光层308。第一遮光层308可以实现为插入到上缓冲层310中。
将考虑工艺特性来描述第一遮光层308设置在上缓冲层310的内部的布置类型。第一遮光层308可以形成在上第一子缓冲层310a上，上第一子缓冲层310a被设置在第一层间绝缘层307上。上第二子缓冲层310b从上部完全地覆盖第一遮光层308，并且上第三子缓冲层310c形成在上第二子缓冲层310b上。也就是说，上缓冲层310具有其中上第一子缓冲层310a、上第二子缓冲层310b和上第三子缓冲层310c依次层叠的结构。
在实施方式中，第一子缓冲层310a和第三子缓冲层310c可以由氧化硅(SiO2)制成。第一子缓冲层310a和第三子缓冲层310c由不包括氢粒子的氧化硅(SiO2)制成，从而可以用作其中可靠性可能被氢粒子损坏的氧化物半导体层被用作有源层的第二开关晶体管340和驱动晶体管360的基底。
上第二子缓冲层310b可以由针对氢粒子具有优异采集能力的氮化硅(SiNx)制成。第二子缓冲层310b可以形成为围绕第一遮光层308的上表面和侧面两者，以完全地密封第一遮光层308。
在其中多晶半导体层被用作有源层的第一开关晶体管330的氢化工艺期间产生的氢粒子可能通过穿过上缓冲层310而损坏位于上缓冲层310上的氧化物半导体层的可靠性。也就是说，当氢粒子渗透到氧化物半导体层中时，可能发生的问题在于，包括氧化物半导体层的晶体管根据其位置而具有不同的阈值电压或可变的沟道导电率。
然而，由于与氧化硅(SiO2)相比，包括在上缓冲层310中的氮化硅(SiNx)针对氢粒子具有优异的采集能力，所以可以避免当氢粒子渗透到氧化物半导体层中时产生的对驱动晶体管360的可靠性损坏。
在实施方式中，第一遮光层308可以由包含针对氢粒子具有优异的采集能力的钛(Ti)材料的金属层构成。例如，第一遮光层308可以包括钛(Ti)的单层、钼(Mo)和钛(Ti)的多层、或者钼(Mo)和钛(Ti)的合金，但是不限于此。第一遮光层308可以包括包含钛(Ti)的另一金属层。
在这种情况下，钛(Ti)可以采集在上缓冲层310中扩散的氢粒子，以防止氢粒子到达第一氧化物半导体层311。驱动晶体管360的第一遮光层308可以由具有采集氢粒子的能力的诸如钛之类的金属层来形成，并且可以被针对氢粒子具有采集能力的氮化硅(SiNx)围绕，从而确保氧化物半导体图案针对氢粒子的可靠性。
在实施方式中，包含氮化硅(SiNx)的上第二子缓冲层310b可以仅沉积在第一子缓冲层310a的上表面的部分上，以选择性地仅覆盖第一遮光层308，而不像上第一子缓冲层310a那样沉积在显示区域的整个表面上。由于第二子缓冲层310b由与第一子缓冲层310a的材料不同的材料(即，氮化硅层(SiNx))形成，因此当第二子缓冲层310b沉积在显示区域的整个表面上时，会出现膜间隙。为了解决这个问题，第二子缓冲层310b可以仅选择性地形成在形成第一遮光层308的位置中，考虑到第二子缓冲层310b的功能，这是所需的。
在实施方式中，考虑到第一遮光层308和上第二子缓冲层310b的功能，第一遮光层308和上第二子缓冲层310b可以垂直地形成在第一氧化物半导体层311的下方，从而与第一氧化物半导体层311交叠。第一遮光层308和第二子缓冲层310b可以形成为大于第一氧化物半导体层311，以与第一氧化物半导体层311完全地交叠。
在实施方式中，驱动晶体管360的第三源极电极319S可以电连接到第一遮光层308。
在实施方式中，存储电容器350可以在预定时段内存储通过数据线施加的数据电压，并且将存储的数据电压提供给发光元件。存储电容器350可以包括彼此对应的两个电极和设置在两个电极之间的电介质。存储电容器350可以包括由与第一栅极电极306的材料相同的材料形成并且与第一栅极电极306设置在同一层上的第一电容器电极305，以及由与第一遮光层308的材料相同的材料形成并且与第一遮光层308设置在同一层上的第二电容器电极309。第一层间绝缘层307和上第一子缓冲层310a可以位于第一电容器电极305和第二电容器电极309之间。存储电容器350的第二电容器电极309可以电连接到第三源极电极319S。
图3示出了存储电容器350和驱动晶体管360形成为在一侧上彼此区分开的示例，但是本公开不限于此。根据实施方式，可以以与驱动晶体管360层叠的形式来形成存储电容器350。在这种情况下，可以省略连接到第二电容器电极309的第三源极电极319S的至少一部分。例如，可以进一步在驱动晶体管360的第三栅极电极314上形成第四栅极电极。此时，第三栅极电极314和第四栅极电极可以以预定距离彼此间隔开，并且可以在此基础上形成电容器。将参照图6或图9描述与这种情况相关的详细示例。
在实施方式中，可以在驱动元件部370上设置使驱动元件部370的上端平坦化的第一平坦化层320和第二平坦化层322。第一平坦化层320和第二平坦化层322可以由诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂之类的有机层制成。
发光元件部380形成在第二平坦化层322上。发光元件部380包括作为阳极电极的第一电极323、作为与第一电极323相对应的阴极电极的第二电极327以及插设在第一电极323和第二电极327之间的发光层325。可以针对每个子像素形成第一电极323。
在实施方式中，发光元件部380可以通过形成在第一平坦化层320上的连接电极321连接到驱动元件部370。例如，发光元件部380的第一电极323和构成驱动元件部370的驱动晶体管360的第三漏极电极319D可以通过连接电极321彼此连接。
在实施方式中，第一电极323可以连接到通过穿过第二平坦化层322的接触孔CH1暴露的连接电极321。此外，连接电极321可以连接到通过穿过第一平坦化层320的接触孔CH2暴露的第三漏极电极319D。
第一电极323可以形成为包括透明导电膜和具有高反射效率的不透明导电膜的多层结构。透明导电膜由具有较大功函数值的材料(例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))制成。不透明导电膜可以具有单层结构或多层结构，其包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金，并且本公开的实施方式不限于此。例如，第一电极323可以形成为其中透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜依次层叠的结构，或者可以形成为其中透明导电膜和不透明导电膜依次层叠的结构，并且本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，可以通过在第一电极323上以适当的顺序或相反的顺序层叠空穴相关层、有机发光层和电子相关层来形成发光层325。堤层324可以暴露每个子像素的第一电极323，并且可以称为像素限定层。根据实施方式，堤层324可以由不透明(例如，黑色)材料形成，以避免相邻子像素之间的光学干扰。在这种情况下，堤层324可以包括由彩色颜料、有机黑或碳中的至少一者制成的遮光材料，并且本公开的实施方式不限于此。可以在堤层324上设置间隔物326。
在实施方式中，作为阴极电极的第二电极327面对第一电极323，其中发光层325插设在第二电极327和第一电极323之间，并且第二电极327形成在发光层325的上表面和侧面上。第二电极327可以一体地形成在有效区域的整个表面上。当第二电极327应用于顶部发光型有机发光显示装置时，第二电极327可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电膜制成，但是本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，还可以在第二电极327上设置用于抑制湿气渗透的封装部328。封装部328可以包括依次层叠的第一无机封装层328a、第二有机封装层328b和第三无机封装层328c。
封装部328的第一无机封装层328a和第三无机封装层328c可以由诸如氧化硅(SiOx)之类的无机材料形成。封装部328的第二有机封装层328b可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机材料形成，但是本公开的实施方式不限于此。
图4是根据本公开的一个实施方式的显示装置的平面图。具体而言，图4是显示装置的其中设置有像素电路401的一个区域的平面图。
参照图4，用于提供数据电压Vdata的数据线402可以设置在显示装置中。绝缘层405可以设置成与数据线402交叠。例如，绝缘层405可以设置在数据线402的下端，以与数据线402交叠。如图所示，绝缘层405的宽度(或面积)可以大于数据线402的宽度(或面积)。
在实施方式中，数据线402可以设置在像素电路401的两侧。在这种情况下，绝缘层405可以在设置在像素电路401的两侧的数据线402中的每一条的下端处设置。
像素电路401可以包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管。驱动晶体管可以包括第一栅极电极410和第二栅极电极420中的至少一个。例如，驱动晶体管可以包括第一栅极电极410。又例如，驱动晶体管可以包括第一栅极电极410和第二栅极电极420。
当驱动晶体管包括第一栅极电极410和第二栅极电极420时，第二栅极电极420可以设置在第一栅极电极410上。第一栅极电极410的至少一部分和第二栅极电极420的至少一部分可以彼此交叠。例如，第二栅极电极420可以设置在第一栅极电极410上，从而以比第一栅极电极410更大的面积覆盖第一栅极电极410。
图5是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的截面图。在下文中，可以省略与图3重复的描述。
为了便于描述，图5是将图3的驱动晶体管360示出为驱动晶体管500并且将开关晶体管340示出为开关晶体管550的概念图。在下面的附图以及图5中，可以省略或者以其他实施方式实现图3中描述的一些元件(例如，存储电容器350的布置)。与图3相比，在图5中对驱动晶体管500和开关晶体管550的位置进行不同的布置，但是本公开的实施方式不限于此。
参照图5，可以在基板上设置第一下缓冲层501、第二下缓冲层502和下绝缘层503。第一下缓冲层501和第二下缓冲层502可以用于阻止能够从外部渗透的材料(例如，湿气)。第一下缓冲层501和第二下缓冲层502可以由例如氧化硅(SiO2)层形成。下绝缘层503是用于使不同的层彼此绝缘的元件，并且可以由例如氮化硅(SiNx)构成。
在实施方式中，可以在基板上形成半导体层504。半导体层504可以包括氧化物半导体层或多晶半导体层。半导体层504可以用于驱动开关晶体管550。第一下缓冲层501可以形成为覆盖半导体层504。
可以在第一下缓冲层501上形成第一金属层(或遮光层)505。第一金属层505可以电连接到开关晶体管550的第二氧化物半导体层521。第一金属层505可以由例如钼(Mo)制成，但是不限于此。第一金属层505可以实现为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层，并且本公开的实施方式不限于此。第二下缓冲层502可以形成为覆盖第一金属层505。
在实施方式中，可以在下绝缘层503上形成上缓冲层506。上缓冲层506可以包括上第一子缓冲层506a、上第二子缓冲层506b和上第三子缓冲层506c。可以在上第一子缓冲层506a上形成第二金属层507。第二金属层507可以由例如钛(Ti)制成，但是不限于此。第二金属层507可以实现为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(nd)和铜(Cu)中的任何一种或者其合金制成的单层或多层，并且本公开的实施方式不限于此。
在实施方式中，第二金属层507可以电连接到驱动晶体管500的源极电极515。第二金属层507可以形成为与第一氧化物半导体层509交叠。上第二子缓冲层506b可以形成为覆盖第二金属层507。上第三子缓冲层506c可以形成在上第二子缓冲层506b上。
驱动晶体管500的第一氧化物半导体层509和开关晶体管550的第二氧化物半导体层521可以形成在上第三子缓冲层506c上。驱动晶体管500的第一氧化物半导体层509可以与第二金属层507的至少一部分交叠。开关晶体管550的第二氧化物半导体层521可以与第一金属层505的至少一部分交叠。
在实施方式中，第一氧化物半导体层509可以用作驱动晶体管500的有源层。根据实施方式，第一氧化物半导体层509可以称为有源层或氧化物有源层，但是不限于此。
栅极绝缘层511可以形成为覆盖第一氧化物半导体层509。如图5所示，栅极绝缘层511可以形成为对应于第一氧化物半导体层509的上表面的形状，但是不限于此。栅极绝缘层511可以形成为使得其上部可以是平坦的。可以在栅极绝缘层511上形成驱动晶体管500和开关晶体管550中的每一个的栅极电极。具体而言，驱动晶体管500的第一栅极电极510可以形成在栅极绝缘层511上，以与驱动晶体管500的第一氧化物半导体层509交叠。开关晶体管550的第二栅极电极520可以形成在栅极绝缘层511上，以与开关晶体管550的第二氧化物半导体层521交叠。
第一绝缘层513可以设置成覆盖第一栅极电极510和第二栅极电极520。可以使第一绝缘层513的上表面平坦化。第二绝缘层522可以设置在第一绝缘层513上。第二绝缘层522可以设置成与驱动晶体管500区分开。例如，第二绝缘层522可以设置成不与驱动晶体管500的至少一部分交叠。又例如，第二绝缘层522可以设置成与数据线525交叠。数据线525包括与驱动晶体管500相邻设置并且电连接到驱动晶体管500以提供数据电压Vdata的线路。
在实施方式中，第二绝缘层522的宽度W1可以等于或大于数据线525的宽度W2。第二绝缘层522的面积可以等于或大于数据线525的面积。在这种情况下，数据线525可以与第二绝缘层522交叠。第二绝缘层522的至少一部分可以与数据线525交叠。
在实施方式中，第一绝缘层513的厚度可以是或更大且/>或更小，并且本公开的实施方式不限于此。由于第一绝缘层513的厚度大于或等于/>因此可以确保第一栅极电极510和数据线525之间的距离。第二绝缘层522的厚度可以是/>或更大且或更小，并且本公开的实施方式不限于此。由于第二绝缘层522的厚度大于或等于因此可以进一步确保第一栅极电极510和数据线525之间的距离。
在实施方式中，可以通过设置在数据线525下方的第二绝缘层522有效地确保数据线525和驱动晶体管500的第一栅极电极510之间的间隔。在这种情况下，可以阻止(或最小化)第一栅极电极510和数据线525之间的垂直串扰。结果，阻止了显示装置的串扰，由此可以确保亮度均匀性。
在实施方式中，驱动晶体管500的源极电极515和漏极电极516可以通过穿过第一绝缘层513和栅极绝缘层511而连接到第一氧化物半导体层509。开关晶体管550的源极电极527和漏极电极528可以通过穿过第一绝缘层513和栅极绝缘层511而连接到第二氧化物半导体层521。
第一平坦化层517可以设置在驱动晶体管500的源极电极515和漏极电极516、开关晶体管550的源极电极527和漏极电极528以及数据线525上。可以通过穿过第一平坦化层517来设置连接电极518。第二平坦化层519可以设置在连接电极518上。可以通过穿过第二平坦化层519来设置发光元件的第一电极529。第一电极529可以对应于阴极电极。发光元件的其余元件(例如，发光层、阳极电极、触摸元件、触摸电极或触摸线)可以设置在第一电极529上。触摸元件可以设置在高于发光元件的层上。
图6是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的另一截面图。在下文中，在图6中可以省略与前述描述重复的描述。
参照图6，驱动晶体管(例如，图5的驱动晶体管500)的第二栅极电极610和第二绝缘层612(例如，图5的第二绝缘层522)可以设置在第一绝缘层611(例如，图5的第一绝缘层513)上。第三绝缘层613可以设置为覆盖第二栅极电极610和第二绝缘层612。
驱动晶体管的源极电极615(例如，图5的源极电极515)和漏极电极616(例如，图5的漏极电极516)以及开关晶体管(例如，图5的开关晶体管550)的源极电极627(例如，图5的源极电极517)和漏极电极628(例如，图5的漏极电极518)可以设置在第三绝缘层613上。驱动晶体管的源极电极615和漏极电极616可以通过穿过第三绝缘层613和第一绝缘层611而连接到驱动晶体管的第一氧化物半导体层609(例如，图5的第一氧化物半导体层509)。开关晶体管的源极电极627和漏极电极628可以通过穿过第三绝缘层613、第一绝缘层611和栅极绝缘层608(例如，图5的栅极绝缘层511)而连接到开关晶体管的第二氧化物半导体层621(例如，图5的第二氧化物半导体层521)。
如图6所示，当在第一栅极电极601上方形成第二栅极电极610时，可以形成基于第一栅极电极601和第二栅极电极610的存储电容器。在这种情况下，与存储电容器设置在驱动晶体管的侧面的情况相比，显示装置可以更加小型化。此外，可以通过控制现有元件(例如，第一栅极电极601(例如，图5的第一栅极电极510)、第二栅极电极610和第一绝缘层611)中的第一绝缘层611的厚度来控制存储电容器而不需要额外的元件。例如，随着第一绝缘层611的厚度减小，可以增大存储电容器。随着第一绝缘层611的厚度增大，可以减小存储电容器。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的平面图。具体而言，图7是示出显示装置的其中设置有像素电路401的一个区域的平面图。在下文中，可以省略与参照图4进行的描述重复的描述。
参照图7，数据线402可以设置在像素电路401的两侧。绝缘层405可以设置在数据线402的下端。绝缘层405可以设置成与像素电路401的元件中除了驱动晶体管的第一栅极电极410和第二栅极电极420之外的其他区域交叠。例如，绝缘层405可以设置成与像素电路401的至少一个开关晶体管交叠。其中设置有绝缘层405的区域可以定位成高于开关晶体管的一些元件，并且可以定位成低于开关晶体管的其他一些元件。将参照图8或图9描述与这种情况相关的详细示例。
图8是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的截面图。在下文中，可以省略与前述描述重复的描述。
参照图8，第二绝缘层820(例如，图5的第二绝缘层522)可以设置在第一绝缘层813(例如，图5的第一绝缘层513)上。第二绝缘层820可以设置成与驱动晶体管850(例如，图5的驱动晶体管500)区分开。
作为一示例，第二绝缘层820可以设置成不与驱动晶体管850中包括的元件的至少一部分交叠。例如，第二绝缘层820可以设置成不与第一栅极电极840(例如，图5的第一栅极电极510)交叠。又例如，第二绝缘层820可以设置成不与第一栅极电极840和第一氧化物半导体层845(例如，图5的第一氧化物半导体层509)交叠。
作为另一示例，考虑到驱动晶体管850中包括的元件，第二绝缘层820可以设置成与驱动晶体管850区分开。例如，第二绝缘层820可以相对于第一栅极电极840沿着斜向方向设置在横向顶端。
当第二绝缘层820设置成与驱动晶体管850相区分时，驱动晶体管的源极电极851(例如，图5的源极电极515)和漏极电极852(例如，图5的漏极电极516)可以设置在低于开关晶体管的源极电极853(例如，图5的源极电极527)和漏极电极854(例如，图5的漏极电极528)的层中。例如，从第一绝缘层813的上表面到驱动晶体管的源极电极851和漏极电极852中的每一个的距离(下文中称为第一距离)可以短于从第一绝缘层813的上表面到开关晶体管的源极电极853和漏极电极854中的每一个的距离(下文中称为第二距离)。第二距离和第一距离之差可以对应于第二绝缘层820的厚度。
驱动晶体管的源极电极851和漏极电极852可以通过穿过第一绝缘层813和栅极绝缘层855(例如，图5的栅极绝缘层511)而连接到第一氧化物半导体层845(例如，图5的第一氧化物半导体层509)。开关晶体管的源极电极853和漏极电极854可以通过穿过第一绝缘层813、第二绝缘层820和栅极绝缘层855而连接到第二氧化物半导体层847(例如，图5的第二氧化物半导体层521)。
数据线830(例如，图5的数据线525)可以设置在第二绝缘层820上，以与第二绝缘层820交叠。驱动晶体管的源极电极851和漏极电极852可以与第一氧化物半导体层845交叠，并且可以设置在第一绝缘层813上。开关晶体管的源极电极853和漏极电极854可以与第二氧化物半导体层847交叠，并且可以设置在第二绝缘层820上。
图9是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的驱动晶体管和开关晶体管的另一截面图。
参照图9，第二绝缘层920和子栅极电极917可以设置在第一绝缘层913上。第二绝缘层920和子栅极电极917可以彼此间隔开。子栅极电极917可以设置在驱动晶体管950的区域中。子栅极电极917可以设置成与驱动晶体管950的第一栅极电极940交叠。
在实施方式中，第二绝缘层920可以设置成与驱动晶体管950的区域相区分。例如，第二绝缘层920可以设置成与驱动晶体管950的区域间隔开。在这种情况下，第二绝缘层920可以设置成包括开关晶体管的区域中的至少一部分。驱动晶体管950的区域对应于其中设置有驱动晶体管950中包括的元件的区域。开关晶体管的区域对应于其中设置有开关晶体管中包括的元件的区域。在这种情况下，开关晶体管的至少一部分和第二绝缘层920的至少一部分可以彼此交叠。
根据本公开，可以获得以下有益效果。
根据本公开的显示面板和显示装置可以通过使用包括氧化物半导体层的晶体管而有效地阻止漏电流。
此外，根据本公开的显示面板和显示装置可以通过使用绝缘层使得数据线与晶体管之间的串扰最小化来确保显示面板的可视性。
根据本公开的一些实施方式的一种显示装置可以包括：发光元件；驱动晶体管，其连接到发光元件并且包括第一氧化物半导体层和第一栅极电极；开关晶体管，其包括第二氧化物半导体层和第二栅极电极；数据线，其提供数据电压；第一绝缘层，其设置在第一栅极电极和第二栅极电极上；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层和数据线之间。
根据本公开的一些实施方式，驱动晶体管还可以包括子栅极电极，并且子栅极电极可以设置在第一绝缘层上以至少部分地与第一栅极电极交叠。
根据本公开的一些实施方式，子栅极电极的宽度可以宽于第一栅极电极的宽度。
根据本公开的一些实施方式，子栅极电极可以与第二绝缘层设置在同一平面上。
根据本公开的一些实施方式，显示装置还可以包括覆盖子栅极电极和第二绝缘层的第三绝缘层，其中，数据线可以设置在第三绝缘层上。
根据本公开的一些实施方式，第二绝缘层的厚度可以大于子栅极电极的厚度。
根据本公开的一些实施方式，在第三绝缘层中，与第一栅极电极交叠的区域的上表面和与第二栅极电极交叠的区域的上表面可以位于不同的平面上。
根据本公开的一些实施方式，第二绝缘层还可以设置在与第二栅极电极交叠的第一绝缘层的至少一部分上。
根据本公开的一些实施方式的一种显示面板可以包括：发光元件；驱动晶体管，其连接到发光元件并且包括第一氧化物半导体层和第一栅极电极；开关晶体管，其包括第二氧化物半导体层和第二栅极电极；数据线，其提供数据电压；第一绝缘层，其设置在第一栅极电极和第二栅极电极上；以及第二绝缘层，其设置在第一绝缘层和数据线之间。
根据本公开的一些实施方式，驱动晶体管还可以包括子栅极电极，并且子栅极电极可以设置在第一绝缘层上以至少部分地与第一栅极电极交叠。
根据本公开的一些实施方式，子栅极电极的宽度可以宽于第一栅极电极的宽度。
根据本公开的一些实施方式，子栅极电极可以与第二绝缘层设置在同一平面上。
根据本公开的一些实施方式，显示面板还可以包括覆盖子栅极电极和第二绝缘层的第三绝缘层，其中，数据线可以设置在第三绝缘层上。
根据本公开的一些实施方式，第二绝缘层的厚度可以大于子栅极电极的厚度。
根据本公开的一些实施方式，在第三绝缘层中，与第一栅极电极交叠的区域的上表面和与第二栅极电极交叠的区域的上表面可以位于不同的平面上。
根据本公开的一些实施方式，第二绝缘层还可以设置在与第二栅极电极交叠的第一绝缘层的至少一部分上。
对于本领域技术人员将显而易见的是，上述本公开不受上述实施方式和附图的限制，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且从权利要求的含义、范围和等同构思得出的所有变化或修改都落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月24日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2022-0106100的权益，该韩国申请的全部内容通过引用明确地并入本申请。

Claims (16)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
发光元件；
驱动晶体管，所述驱动晶体管连接到所述发光元件并且包括第一氧化物半导体层和第一栅极电极；
开关晶体管，所述开关晶体管包括第二氧化物半导体层和第二栅极电极；
数据线，所述数据线提供数据电压；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极上；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述数据线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管还包括子栅极电极，并且
所述子栅极电极设置在所述第一绝缘层上以至少部分地与所述第一栅极电极交叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述子栅极电极的宽度宽于所述第一栅极电极的宽度。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述子栅极电极与所述第二绝缘层设置在同一平面上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述子栅极电极和所述第二绝缘层，
其中，所述数据线设置在所述第三绝缘层上。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层的厚度大于所述子栅极电极的厚度。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述第三绝缘层中，与所述第一栅极电极交叠的区域的上表面和与所述第二栅极电极交叠的区域的上表面位于不同的平面上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层还设置在与所述第二栅极电极交叠的所述第一绝缘层的至少一部分上。
9.一种显示面板，所述显示面板包括：
发光元件；
驱动晶体管，所述驱动晶体管连接到所述发光元件并且包括第一氧化物半导体层和第一栅极电极；
开关晶体管，所述开关晶体管包括第二氧化物半导体层和第二栅极电极；
数据线，所述数据线提供数据电压；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极上；以及
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层和所述数据线之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述驱动晶体管还包括子栅极电极，并且
所述子栅极电极设置在所述第一绝缘层上以至少部分地与所述第一栅极电极交叠。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述子栅极电极的宽度宽于所述第一栅极电极的宽度。
12.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述子栅极电极与所述第二绝缘层设置在同一平面上。
13.根据权利要求12所述的显示面板，所述显示面板还包括：第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述子栅极电极和所述第二绝缘层，
其中，所述数据线设置在所述第三绝缘层上。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第二绝缘层的厚度大于所述子栅极电极的厚度。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其中，在所述第三绝缘层中，与所述第一栅极电极交叠的区域的上表面和与所述第二栅极电极交叠的区域的上表面位于不同的平面上。
16.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第二绝缘层还设置在与所述第二栅极电极交叠的所述第一绝缘层的至少一部分上。
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