CN117637492A - 一种基于散热水道的功率模块封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于散热水道的功率模块封装方法,包括如下步骤:准备散热器,散热器的结构包括内部中空的壳体;在壳体的顶部端面依次层叠放置第一焊片、DBC板、第二焊片和对应的功率芯片,从而得到焊接组件;通过真空炉对焊接组件进行焊接;随后通过数根第一连接线进行电路连接,从而得到功率组件;在散热器顶部端面放置侧框,侧框的侧壁面上设置有数个端子,功率组件通过第二连接线与对应的端子连接;在侧框内灌封绝缘胶,在侧框顶部安装顶盖,从而完成封装。通过在散热器顶部直接进行模块封装,减少了传统功率模块封装中使用的铜底板和导热硅脂两个封装界面,有效降低热阻,从而使得本发明的封装结构的散热能力提升了30%,有效提高散热效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是一种基于散热水道的功率模块封装方法。
背景技术
随着功率芯片的发展,大功率模块逐渐成为行业发展的趋势。但是功率越大,对功率模块的散热性能要求越高。
现有技术中,功率模块通过设置铜底板,并在铜底板底部涂覆导热硅脂,通过导热硅脂与水冷散热器连接。但是,由于导热硅脂的散热系统较低,不到铜材质的1/100,从而极大地影响了功率模块的散热性能,导致功率模块散热性能不佳,使得功率模块的散热效率降低。
发明内容
本申请人针对上述现有生产技术中的缺点,提供一种基于散热水道的功率模块封装方法,通过在散热器顶部直接进行模块封装,减少了传统功率模块封装中使用的铜底板和导热硅脂两个封装界面,有效降低热阻,从而使得本发明的封装结构的散热能力提升了30%,有效提高散热效率。
本发明所采用的技术方案如下:
一种基于散热水道的功率模块封装方法,包括如下步骤:
S1.准备散热器,所述散热器的结构为:包括内部中空的壳体,所述壳体内部配合安装有数个平行间隔布置的散热翅片,壳体的底部壁面上分别开有进水口和出水口,外部水源通过进水口流入壳体内部,通过出水口从壳体内部流出,从而形成散热水道;
S2.在壳体的顶部端面放置第一焊片,在第一焊片的表面放置DBC板,在DBC板表面放置数个第二焊片,在单个第二焊片表面放置对应的功率芯片,从而得到焊接组件;
S3.通过真空炉对焊接组件进行焊接;
S4.随后通过数根第一连接线进行电路连接,从而得到功率组件;
S5.在散热器顶部端面放置侧框,所述侧框的侧壁面上设置有数个向外延伸的端子,所述功率组件通过第二连接线与对应的端子连接;
S6.随后在侧框内灌封绝缘胶,绝缘胶固化后,在侧框顶部安装顶盖,从而完成封装。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述壳体采用摩擦焊进行密封。
所述散热器采用铜或铝合金材质。
所述壳体的顶部端面呈平面状。
S3.中,焊接方式采用回流焊。
所述第一连接线和第二连接线均通过超声焊接设备进行固定。
所述侧框呈立方体状且内部中空,侧框包围散热器顶部的功率组件。
所述绝缘胶采用环氧树脂材料。
所述绝缘胶的厚度为3mm。
本发明的有益效果如下:
本发明结构紧凑、合理,操作方便,通过在散热器顶部直接进行模块封装,取消传统功率模块封装中使用的铜底板,从而减少了铜底板和导热硅脂之间、导热硅脂与散热器之间的两个封装界面,能够有效提升散热效率,进而提高功率模块的可靠性。
本发明的基于散热水道的功率模块封装方法,其得到的封装结构紧凑,重量轻,具有更高的散热能力、更长的使用寿命和更低的制造成本。
附图说明
图1为本发明的封装结构示意图。
图2为本发明的流程图。
其中:1、散热器;2、DBC板;3、功率芯片;4、端子;5、侧框;6、第一焊片;7、第二焊片;8、第一连接线;9、第二连接线;10、顶盖;
101、壳体;102、散热翅片;103、进水口;104、出水口。
具体实施方式
下面结合附图,说明本发明的具体实施方式。
如图1-图2所示,本实施例的基于散热水道的功率模块封装方法,包括如下步骤:
S1.准备散热器1,散热器1的结构为:包括内部中空的壳体101,壳体101内部配合安装有数个平行间隔布置的散热翅片102,壳体101的底部壁面上分别开有进水口103和出水口104,外部水源通过进水口103流入壳体101内部,通过出水口104从壳体101内部流出,从而形成散热水道;
S1.1.壳体101采用摩擦焊进行密封;
S1.2.散热器1采用铜或铝合金材质;
S1.3.在散热器1顶部直接进行模块封装,通过散热器1替代传统的铜底板,能够有效提高功率模块的散热效率;
外部水源通过进水口103和出水口104流过壳体101的内部,从而带走散热翅片102传导的热量,能够增强散热器1的散热效率,保证产品可靠性;
S2.在壳体101的顶部端面放置第一焊片6,在第一焊片6的表面放置DBC板2,在DBC板2表面放置数个第二焊片7,在单个第二焊片7表面放置对应的功率芯片3,从而得到焊接组件;
S2.1.壳体101的顶部端面呈平面状;
S3.通过真空炉对焊接组件进行焊接;
S3.1.焊接方式采用回流焊;
S4.随后通过数根第一连接线8进行电路连接,从而得到功率组件;
S4.1.第一连接线8通过超声焊接设备进行固定;
S5.在散热器1顶部端面放置侧框5,侧框5的侧壁面上设置有数个向外延伸的端子4,功率组件通过第二连接线9与对应的端子4连接;
S5.1.侧框5呈立方体状且内部中空,侧框5包围散热器1顶部的功率组件;
S5.2.第二连接线9通过超声焊接设备进行固定;
S6.随后在侧框5内灌封绝缘胶,绝缘胶固化后,在侧框5顶部安装顶盖10,从而完成封装;
S6.1.绝缘胶采用环氧树脂材料;
S6.2.绝缘胶的厚度为3mm。
本发明的基于散热水道的功率模块封装方法,具有较高的实用性和广泛的应用前景,制程简单,能够适用于多种类型的功率模块;同时,根据实际使用需求,能够对散热翅片102的数量、尺寸,以及外部水源流过散热器1的流量进行设计调整,能够满足不同功率模块应用端的需求。
以上描述是对本发明的解释,不是对发明的限定,本发明所限定的范围参见权利要求,在本发明的保护范围之内,可以作任何形式的修改。
Claims (9)
1.一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1.准备散热器(1),所述散热器(1)的结构为:包括内部中空的壳体(101),所述壳体(101)内部配合安装有数个平行间隔布置的散热翅片(102),壳体(101)的底部壁面上分别开有进水口(103)和出水口(104),外部水源通过进水口(103)流入壳体(101)内部,通过出水口(104)从壳体(101)内部流出,从而形成散热水道;
S2.在壳体(101)的顶部端面放置第一焊片(6),在第一焊片(6)的表面放置DBC板(2),在DBC板(2)表面放置数个第二焊片(7),在单个第二焊片(7)表面放置对应的功率芯片(3),从而得到焊接组件;
S3.通过真空炉对焊接组件进行焊接;
S4.随后通过数根第一连接线(8)进行电路连接,从而得到功率组件;
S5.在散热器(1)顶部端面放置侧框(5),所述侧框(5)的侧壁面上设置有数个向外延伸的端子(4),所述功率组件通过第二连接线(9)与对应的端子(4)连接;
S6.随后在侧框(5)内灌封绝缘胶,绝缘胶固化后,在侧框(5)顶部安装顶盖(10),从而完成封装。
2.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述壳体(101)采用摩擦焊进行密封。
3.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述散热器(1)采用铜或铝合金材质。
4.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述壳体(101)的顶部端面呈平面状。
5.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:S3.中,焊接方式采用回流焊。
6.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述第一连接线(8)和第二连接线(9)均通过超声焊接设备进行固定。
7.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述侧框(5)呈立方体状且内部中空,侧框(5)包围散热器(1)顶部的功率组件。
8.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述绝缘胶采用环氧树脂材料。
9.如权利要求1所述的一种基于散热水道的功率模块封装方法,其特征在于:所述绝缘胶的厚度为3mm。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103936A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置およびその製造方法 |
CN207009436U (zh) * | 2017-05-12 | 2018-02-13 | 苏州汇川联合动力系统有限公司 | 功率模块及电机控制器 |
CN111696936A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-09-22 | 浙江天毅半导体科技有限公司 | 一种集成散热器的功率模块及其制作方法 |
CN113782504A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-10 | 中国矿业大学 | 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法 |
CN114334674A (zh) * | 2021-08-16 | 2022-04-12 | 华为数字能源技术有限公司 | 功率半导体模块制备方法及功率半导体模块 |
CN114823644A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-07-29 | 浙江大学 | 一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构 |
CN116153883A (zh) * | 2023-04-10 | 2023-05-23 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种igbt封装方法及igbt封装结构 |
CN219351992U (zh) * | 2023-03-01 | 2023-07-14 | 蔚来动力科技(合肥)有限公司 | 一种车载功率模块封装结构和车载电机控制器 |
-
2023
- 2023-12-01 CN CN202311644245.3A patent/CN117637492A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103936A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置およびその製造方法 |
CN207009436U (zh) * | 2017-05-12 | 2018-02-13 | 苏州汇川联合动力系统有限公司 | 功率模块及电机控制器 |
CN111696936A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-09-22 | 浙江天毅半导体科技有限公司 | 一种集成散热器的功率模块及其制作方法 |
CN114334674A (zh) * | 2021-08-16 | 2022-04-12 | 华为数字能源技术有限公司 | 功率半导体模块制备方法及功率半导体模块 |
CN113782504A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-10 | 中国矿业大学 | 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法 |
CN114823644A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-07-29 | 浙江大学 | 一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构 |
CN219351992U (zh) * | 2023-03-01 | 2023-07-14 | 蔚来动力科技(合肥)有限公司 | 一种车载功率模块封装结构和车载电机控制器 |
CN116153883A (zh) * | 2023-04-10 | 2023-05-23 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种igbt封装方法及igbt封装结构 |
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