CN117636939A - 获取行锤刷新地址的方法和设备 - Google Patents

获取行锤刷新地址的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN117636939A
CN117636939A CN202210981462.0A CN202210981462A CN117636939A CN 117636939 A CN117636939 A CN 117636939A CN 202210981462 A CN202210981462 A CN 202210981462A CN 117636939 A CN117636939 A CN 117636939A
Authority
CN
China
Prior art keywords
address
order
access frequency
low
order address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210981462.0A
Other languages
English (en)
Inventor
刘璐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202210981462.0A priority Critical patent/CN117636939A/zh
Priority to PCT/CN2022/123950 priority patent/WO2024036720A1/zh
Priority to EP22922576.8A priority patent/EP4350696A1/en
Priority to US18/446,513 priority patent/US20240055039A1/en
Publication of CN117636939A publication Critical patent/CN117636939A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408—Address circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

本申请提供一种获取行锤刷新地址的方法和设备，包括在上一个行锤刷新信号到来之后，获取当前采样地址，判断在当前行锤刷新周期内是否已经锁定高位地址，若已经锁定，则判断当前采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同，若相同，则更新已锁定的高位地址的访问频次，以及使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次，在下一个行锤刷新信号到来时，将访问频次最高的低位地址作为行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址。通过如此设置，无需对所有采样地址进行计数，方法更简单，所需电路简单，还可以准确获得行锤刷新地址。

Description

获取行锤刷新地址的方法和设备
技术领域
本申请涉及但不限于一种获取行锤刷新地址的方法和设备。
背景技术
在半导体存储器中，当存储单元中某一行地址对应的字线被频繁开启时，可能引发相邻地址(一般称为“行锤地址”)的电容器的漏电速率高于自然漏电速率，进而导致相邻地址的电容器在刷新信号到来之前因丢失过多电荷而发生数据丢失，这种情况一般称之为“行锤效应”。为抑制行锤效应，需要对行锤地址进行及时的刷新命令，以重新补充电荷，避免存储数据发生错误。
通常有两种获取行锤地址的方式，一种是随机选择一个行地址作为行锤地址，另一种是对每个完整的行地址进行计数。随机选择行地址的方式准确性不高，对每个完整的行地址进行计数方式比较复杂，所需电路结构复杂，对芯片面积消耗较大。
发明内容
本申请一实施例提供一种获取行锤刷新地址的方法，包括：
在上一个行锤刷新信号到来之后，获取当前采样地址，判断在当前行锤刷新周期内是否已经锁定高位地址；
若已经锁定，则判断当前采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同；
若相同，则更新已锁定的高位地址的访问频次，以及使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次；
在下一个行锤刷新信号到来时，将访问频次最高的低位地址作为行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址。
在一些实施例中，方法还包括：
若当前采样地址的高位地址与已锁定的高位地址不相同，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；
在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，判断下一个采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同。
在一些实施例中，方法还包括：
若在当前行锤刷新周期内未锁定高位地址，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；
根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址，若是，锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
在一些实施例中，方法还包括：
若记录访问频次的高位地址中没有高位地址满足高位频次条件，在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址。
在一些实施例中，高位频次条件包括：
高位地址的访问频次大于或者等于第一频次阈值。
在一些实施例中，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器；
使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次，具体包括：
确定低位寄存器组中是否已存储当前采样地址的低位地址；
若有当前采样地址的低位地址，更新当前采样地址的低位地址的访问频次；
若没有存储当前采样地址的低位地址，判断低位寄存器组中是否有空闲的低位寄存器；
若有空闲的低位寄存器，则在空闲的低位寄存器中存储当前采样地址的低位地址，并更新当前采样地址的低位地址的访问频次。
在一些实施例中，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器；
使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，具体包括：
确定高位寄存器组是否已存储当前采样地址的高位地址；
若存储有当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次；
若没有存储当前采样地址的高位地址，判断高位寄存器组中是否有空闲的高位寄存器；
若是，则在空闲的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
在一些实施例中，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，还包括：
若高位寄存器组中没有空闲的高位寄存器，判断是否满足清除条件，若满足清除条件，判断访问频次最小的高位地址是否为已锁定的高位地址；若不是已锁定的高位地址，删除访问频次最小的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；
在删除地址数据的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
在一些实施例中，方法还包括：
在执行当前行锤刷新周期的行锤刷新操作时，删除访问频次小于第二频次阈值的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；其中，第二频次阈值和已执行的行锤刷新操作的次数正相关。
在一些实施例中，方法还包括：
在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除低位寄存器组中存储的行锤刷新地址的低位地址，并清除行锤刷新地址的低位地址的访问频次，并在行锤刷新地址中高位地址的访问频次中扣除行锤刷新地址的低位地址的访问频次。
在一些实施例中，方法还包括：
在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除访问频次小于第三频次阈值的低位地址所在的低位寄存器内的地址数据；清除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的访问频次；并当前行锤刷新周期内的已锁定的高位地址的访问频次中扣除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的总访问频次。
在一些实施例中，方法还包括：
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址为在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且上一个行锤刷新周内锁定的高位地址的访问频次满足高位频次条件时，将上一个行锤刷新周内锁定的高位地址作为当前行锤刷新周内的锁定的高位地址，获取下一个采样地址；
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且访问频次最高的高位地址满足高位频次条件时，将访问频次最高的高位地址作为当前行锤刷新周内锁定的高位地址，获取下一个采样地址。
在一些实施例中，方法还包括：
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且访问频次最高的高位地址无法满足高位频次条件时，获取下一个采样地址，并使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；并根据高位地址的访问频次判断是否有高位地址满足高位频次条件，若满足，锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
本申请一实施例提供一种控制设备，用于实现上述实施例所涉及的方法。
本申请一实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现上述实施例所涉及的方法。
本申请一实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例所涉及的方法。
本申请提供一种获取行锤刷新地址的方法和设备，在每个行锤刷新周内，将采样地址划分为高位地址和低位地址，在确定已经锁定高位地址时，判断当前采样地址的高位地址是否和已锁定的高位地址相同，相同则使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次。在前期锁定访问频次较高的高位地址，再在锁定的高位地址的基础上记录低位地址的访问频次，通过如此设置，可实现无需记录所有采样地址的访问频次，所需的电路结构简单，面积消耗比较小。并且，通过记录高位地址和低位地址的访问频次，可以实现准确抓取行锤刷新地址，减少行锤攻击的风险。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1为本申请一实施例提供的半导体存储器的示意图；
图2为本申请一实施例提供的高位寄存器连接低位寄存器的示意图；
图3为本申请一实施例提供的获取行锤刷新地址的方法的流程示意图；
图4为本申请一实施例提供的更新低位地址的访问频次的流程示意图；
图5为本申请一实施例提供的更新高位地址的访问频次的流程示意图；
图6为本申请一实施例提供的锁定高位地址的流程示意图；
图7为本申请一实施例提供的获取行锤刷新地址的装置的示意图。
通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
如图1所示，本申请一实施例提供一种半导体存储器，该半导体存储器包括采样电路10、地址锁存器20、高位寄存器30、低位寄存器50以及控制设备(图未示)。
地址锁存器20的输入端持续接收行地址，采样电路20用于控制地址锁存器20将输入端接收的行地址锁存，实现对连续输入的行地址进行采样，并经由地址锁存器20的输出端输出采样地址。
高位寄存器组中包括m个高位寄存器30，每个高位寄存器30用于存储采样地址的高位地址。每个高位寄存器30配置有一个计数器40，用于记录高位寄存器30中存储高位地址的访问频次。
低位寄存器组中包括n个低位寄存器50，每个低位寄存器50用于存储采样地址的低位地址。每个低位寄存器50配置有一个计数器60，用于记录低位寄存器50中存储低位地址的访问频次。
例如：行地址的位数为16位，标记为RA<15:0>。将行地址分为高位地址RA<15:8>和低位地址RA<7:0>，高位寄存器30用于存储地址RA<15:8>，高位寄存器30对应的计数器40的计数为9位，标记为Cnt<8:0>，低位寄存器50用于存储地址RA<7:0>，低位寄存器50对应的计数器60的计数为4位，标记为Cnt<3:0>。
控制设备用于实现如下方法实施例中描述的获取行锤刷新地址的方法。
如图1所示，在上一个行锤刷新信号到来后，地址锁存器20每输出一个采样地址，将采样地址的高位地址按照顺序存储在高位寄存器30中，存储的原则为：将当前采样地址的高位地址与所有已存储地址的高位寄存器30中地址数据比较，若有相同，则对应的高位寄存器30的计数器加1。若均不相同，则存储在没有存储地址的高位寄存器30内。若高位寄存器30已用完，则确定是否可以删除高位寄存器30中地址数据后，再存储当前采样地址的高位地址。确定是否可以删除高位寄存器30中地址的实现方式已经在如下方法实施例中详细描述，此处不再说明。若无法删除高位寄存器30中地址数据则丢弃当前采样地址。其中，高位寄存器30是否用完可使用标志信号或计数器数量为0来表示。
如图2所示，在下一个行锤刷新信号到来之前，若某个高位寄存器30的计数器的计数值先到第一频次阈值，将该高位寄存器30中存储高位地址作为锁定的高位地址。并将低位寄存器组与该高位寄存器30相连。在连接后，将采样地址的高位地址与高位寄存器30中地址数据比较，若采样地址的高位地址与锁定后的高位地址相同，则将当采样地址的低位地址按照顺序存储到低位寄存器50中。在向低位寄存器50存储低位地址时，存储原则为：采样地址的低位地址与已使用的低位寄存器50比较，若相同，对应计数器加1。不相同，则存储在未使用的低位寄存器50中，若低位寄存器50均用完，则丢弃当前采样地址的低位地址。
在下一个行锤刷新信号到来时，将锁定的高位地址和计数器值最大的低位寄存器50中存储的低位地址作为行锤刷新地址输出。
如图3所示，本申请一实施例提供一种获取行锤刷新地址的方法，该方法包括如下步骤：
S101、在上一个行锤刷新信号到来之后，获取当前采样地址。
其中，行锤刷新信号用于指示在获取行锤地址后，对行锤地址对应的受害行字线进行刷新。
在上一个行锤刷新信号到来之后，按照先后顺序接收多个行地址，并对多个行地址进行采样获得多个采样地址。
例如：在上一个行锤刷新信号到来之后，接收m个行地址，对m个行地址进行采样获得n个采样地址。将n个采样地址按照先后顺序标记为采样地址1、采样地址2、……、采样地址n。当前采样地址为采样地址i，1≤i≤n，i为正整数。
S102、判断在当前行锤刷新周期内是否已经锁定高位地址，若是，进入S103，否则，进入S106。
其中，当前行锤刷新周期是指上一个行锤刷新信号和下一个行锤刷新信号之间时间段。
在每个行锤刷新周期一般都有一个锁定的高位地址，但每个行锤刷新周期内的锁定时间不同。若行锤刷新周期内没有锁定的高位地址，则在行锤刷新信号到来时，不生成行锤地址。
锁定的高位地址是最先满足高位频次条件的高位地址。满足高位频次条件包括高位地址的访问频次大于或等于第一频次阈值。不满足高位频次条件包括高位地址的访问频次小于第一频次阈值。
例子1：在某一个采样时刻，第1个高位寄存器到第5个高位寄存器中地址和访问频次，如下表1所示：
表1例子1的高位地址的访问频次
高位寄存器1 高位寄存器2 高位寄存器3 高位寄存器4 高位寄存器5
地址 高位地址1 高位地址2 高位地址3 高位地址4 高位地址5
频次 10 20 50 30 40
设置第一频次阈值设置为50次，则最先满足高位频次条件的高位地址为高位地址3，在当前行锤刷新周期内锁定高位地址3，锁定时刻为高位地址3的计数频次等于50的时刻。
S103、判断当前采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址相同。若是，进入S104，否则，进入S110。
其中，将当前采样地址划分为高位地址和低位地址，使划分的高位地址的位数与高位寄存器中存储的高位地址的位数相同。将当前采样地址的高位地址与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址进行比较，确定两个高位地址是否相同。
需要说明的是，在其他实施例中，划分后的高位地址的位数和低位地址的位数可以不同，即高位地址的位数可以小于或大于低位地址的位数。
S104、更新已锁定的高位地址的访问频次，以及使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次。
其中，更新高位地址的访问频次是指将锁定的高位地址的访问频次加1。
低位地址的访问频次是在锁定高位地址后记录的，以便基于锁定后的高位地址和低位地址的访问频次确定行锤刷新地址。
使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次，具体包括：判断是否已经记录当前采样地址的低位地址的访问频次，若存在，则将当前采样地址的低位地址的访问频次加1。若不存在，则判断是否有存储当前采样地址的低位地址的存储空间，若有，则存储当前采样地址的低位地址，并将当前采样地址的低位地址的访问频次设为1。
继续以例子1说明，若当前采样地址的高位地址与高位地址3相同，且上一采样时刻高位地址3的访问频次为104，将高位地址3的访问频次更新为105次。
在锁定高位地址3后，在当前采样时刻，第1个低位寄存器到第5个低位寄存器记录了5个低位地址和访问频次，如下表2所示：
表2例子1的低位地址的访问频次
低位寄存器1 低位寄存器2 低位寄存器3 低位寄存器4 低位寄存器5
地址 低位地址1 低位地址2 低位地址3 低位地址4 低位地址5
频次 5 8 11 18 12
若当前采样地址的低位地址与低位地址1相同，则将低位地址1的访问频次更新为6次。
若当前采样地址的低位地址为低位地址6，当前没有存储的低位地址6的低位寄存器50。若有个6个低位寄存器，已经使用5个低位寄存器，则还剩1个空闲的低位寄存器，则用最后1个空闲的低位寄存器存储当前采样地址的低位地址。若仅有个5个低位寄存器，已经使用5个低位寄存器，没有空闲的低位寄存器，则丢弃当前采样地址的低位地址。
S105、在下一个行锤刷新信号到来时，将访问频次最高的低位地址作为行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址。
其中，在下一个行锤刷新信号到来时，获取行锤地址。将访问频次最高的低位地址作为行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址。
例如：继续以例子1说明，当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址为高位地址3，5个低位地址的访问频次中低位地址4的访问频次最高，则行锤刷新地址为高位地址3+低位地址4。
在上述技术方案中，在每个行锤刷新周内，将采样地址划分为高位地址和低位地址，在确定已经锁定高位地址时，判断当前采样地址的高位地址是否和已锁定的高位地址相同，相同则使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次。通过如此设置，在前期锁定访问频次较高的高位地址，再在锁定的高位地址的基础上记录低位地址的访问频次，通过如此设置，无需记录所有采样地址的访问频次，所需电路结构简单，面积消耗比较小。并且，通过记录高位地址和低位地址的访问次数，可以实现准确抓取行锤刷新地址，减少行锤攻击的风险。
S106、若在当前行锤刷新周期内未锁定高位地址，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次。
其中，在当前行锤刷新周期内未锁定高位地址，也就是所记录的高位地址的访问频次中没有一个高位地址的访问频次满足高位频次条件。
例子2：在当前采样时刻，第1个高位寄存器到第5个高位寄存器记录了5个高位地址和访问频次，如表3所示：
表3例子2的高位地址的访问频次
高位寄存器1 高位寄存器2 高位寄存器3 高位寄存器4 高位寄存器5
地址 高位地址1 高位地址2 高位地址3 高位地址4 高位地址5
频次 10 20 48 30 40
第一频次阈值设置为50次，则记录的5个高位地址的访问频次中没有一个能满足高位频次条件。则使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次。
其中，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，具体包括：判断是否已经记录当前采样地址的高位地址的访问频次，若存在，则将当前采样地址的高位地址的访问频次加1。若不存在，则判断是否有用于存储当前采样地址的高位地址的存储空间，若有，则存储当前采样地址的高位地址，则将当前采样地址的高位地址的访问频次设为1。若没有存储空间，则判断是否满足高位地址的清除条件，若满足高位地址的清除条件，则继续确定访问频次最小的高位地址是否为锁定的高位地址，若不是，删除访问频次最小的高位地址后，存储当前采样地址的高位地址，并将当前采样地址的高位地址的访问频次设为1。若不满足清除条件，则丢弃高位地址。
S107、根据更新后的高位地址的访问频次确定是否有满足高位频次条件的高位地址，若是，进入S108，否则，进入S109。
在S106中已经更新高位地址的访问频次，此处需要确定更新后的高位地址的访问频次中是否有满足高位频次条件的高位地址。
S108、锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次，S111。
其中，由于仅对一个高位地址的访问频次进行更新，故仅存在一个满足高位频次条件的高位地址。若有满足高位频次条件，则直接锁定该满足高位频次条件的高位地址。在锁定高位地址后，开始记录低位地址的访问频次。此时，仅有当前采样地址的低位地址的访问记录，故仅需将当前采样地址的低位地址的访问频次设为1。完成对当前采样地址的频次记录后，由于已经锁存高位地址，则进入S111。
S109、若当前采样地址的高位地址无法满足高位频次条件，在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，并返回S106。
其中，若当前采样地址的高位地址无法满足高位频次条件，在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，继续执行S106和S107，直到锁定高位地址。
也就是，获取下一个采样地址后，使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，根据更新后的高位地址的访问频次确定是否有满足高位频次条件的高位地址，若有满足高位频次条件的高位地址时，则锁定高位地址，否则，继续获取新的下一个采样地址，使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，根据更新后的高位地址的访问频次确定是否有满足高位频次条件的高位地址，直到锁定高位地址为止。
在上述技术方案中，在确定当前行锤周期内没有锁定高位地址时，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，并确定是否有满足高位频次条件的高位地址，若有，则锁定高位地址。若没有，则继续进行地址采样，并使用下一个采样更新高位地址的访问频次，直到有满足高位频次条件的高位地址，通过如此设置，实现高位地址的锁定，为后续低位地址的访问频次记录奠定基础。
S110、若当前采样地址的高位地址与已锁定的高位地址不相同，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次。
其中，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，具体包括：判断高位地址的访问频次中是否存在当前采样地址的高位地址的访问频次，若存在，则将当前采样地址的高位地址的访问频次加1。若不存在，则判断是否有用于存储当前采样地址的高位地址的存储空间，若有，则存储当前采样地址的高位地址，将当前采样地址的高位地址的访问频次设为1。若没有存储空间，则判断是否满足清除条件，若满足清除条件，继续确定访问频次最小的高位地址是否为锁定的高位地址，若不是，则删除访问频次最小的高位地址后，存储当前采样地址的高位地址，并将当前采样地址的高位地址的访问频次设为1。若不满足清除条件，则丢弃高位地址。
S111、在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，返回S103。
其中，若当前采样地址的高位地址与已锁定的高位地址不相同，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，完成当前采样地址的访问频次记录。在确定下一个行锤刷新信号没有到来时继续获取下一个采样地址，对下一个采样地址进行访问频次记录。在下一个采样地址的高位地址与当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址不相同时，进入S110，也就是仅记录下一个采样地址的高位地址的访问频次。若相同，进入S104，记录下一个采样地址的高位地址和低位地址。
在上述技术方案中，在锁定高位地址后，将当前采样地址的高位地址与锁定的高位地址进行比较，在相同时更新锁定的高位地址和低位地址的访问频次，在不相同时，仅更新高位地址的访问频次。通过如此设置，实现对锁定的高位地址所对应的低位地址的访问频次的记录，在将锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址时，根据低位地址的访问频次确定行锤刷新地址的低位地址，可以实现准确抓取行锤刷新地址，减少行锤攻击的风险，同时有利于减少访问地址的寄存数量，减少寄存器的用量。
在一些实施例中，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器。每个低位寄存器存储一个低位地址。每个低位寄存器对应的计数器用于记录低位地址的访问频次。
如图4所示，使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次，具体包括：
S201、确定低位寄存器组中是否已存储当前采样地址的低位地址，若是，进入S202，否则，进入S203。
其中，对已存储有低位地址的低位寄存器，判断低位寄存器中存储的低位地址是否和当前采样地址的低位地址相同，若相同，则确定已经存储当前采样地址的低位地址。若不相同，则确定没有存储当前采样地址的低位地址。
S202、若有当前采样地址的低位地址，更新当前采样地址的低位地址的访问频次。
其中，若确定已经存储有当前采样地址的低位地址，则直接在当前采样地址的低位地址的访问频次上加1。
S203、若没有存储当前采样地址的低位地址，判断低位寄存器组中是否有空闲的低位寄存器。
S204、若有空闲的低位寄存器，则在空闲的低位寄存器中存储当前采样地址的低位地址中，并更新当前采样地址的低位地址的访问频次。
其中，若存在空闲的低位寄存器，将当前采样地址的低位地址存储在空闲的低位寄存器，并将当前采样地址的低位地址的访问频次设置为1。
S205、若没有空闲的低位寄存器，则丢弃当前采样地址的低位地址。
需要说明的是，在一些实施例中，可以在高位地址设置清除条件的情况下，在低位地址部分也设置清除条件，从而使得在没有空闲的低位寄存器时，先判断是否满足清除条件，若满足清除条件，则清除计数值最小的低位地址，将当前采样地址的低位地址存入并计数为1。需要说明的是，上述清除条件可以通过设置时间间隔、通过设置接收的采样地址的数量或通过设置寄存的低位地址的访问总频次来实现。
具体来说，可以每隔一段时间设置一段时间窗口，若在这个窗口内存在新的低位地址没有寄存器可用，则删除计数值最小的低位地址，不在这个窗口内则只能丢弃；或者每个一段时间设置一个时间窗口，这个窗口会持续到新的低位地址没有寄存器可用，从而需要删除计数值最小的低位地址的时候，在删除计数值最小的低位地址之后，刷新窗口的时间间隔重新计算，即再隔预设的一段时间后生成上述时间窗口；或者，每接收第一预设数量个采样地址设置一段上述时间窗口，可以理解的，该第一预设数量可以为固定值，也可以是一个递增值，随着接收的采样地址的增多而增大；或者，统计低位地址的总访问频次，总访问频次每隔第二预设数量个设置一段上述时间窗口。
此外，还可以设置清除次数阈值，当清除次数等于清除次数阈值时，即使满足清除条件，也不再清除最小的低位地址，从而提升数据的稳定性。
在另一些实施例中，还可以仅高位地址设置清除条件而低位地址不设置，或者低位地址设置清除条件而高位地址不设置，从而进一步提高低位地址或高位地址的稳定性和准确性。
在一些实施例中，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器。每个高位寄存器存储一个高位地址。每个高位寄存器对应的计数器用于记录高位地址的访问频次。
如图5所示，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，具体包括：
S301、确定高位寄存器组是否已存储当前采样地址的高位地址。若是，进入S302，否则，进入S303。
其中，对已存储有高位地址的高位寄存器，判断高位寄存器中存储的高位地址是否和当前采样地址的高位地址相同，若相同，则确定已经存储当前采样地址的高位地址。若不相同，则确定没有存储当前采样地址的高位地址。
S302、若存储有当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
其中，若确定已经存储有当前采样地址的高位地址，则直接在当前采样地址的高位地址的访问频次上加1。
例子3：在当前采样时刻，第1个高位寄存器到第5个高位寄存器记录了5个高位地址和访问频次如表4所示。在当前行锤刷新周期内锁定高位地址3。
表4例子3的高位地址的访问频次
高位寄存器1 高位寄存器2 高位寄存器3 高位寄存器4 高位寄存器5
地址 高位地址1 高位地址2 高位地址3 高位地址4 高位地址5
频次 20 20 56 40 43
若当前采样地址的高位地址与高位地址3相同时，将高位地址3的访问频次更新为57次。
S303、若没有有当前采样地址的高位地址，判断高位寄存器组中是否有空闲的高位寄存器，若是，进入S304，否则，进入S305。
S304、若有空闲的高位寄存器，在空闲的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
其中，若存在空闲的高位寄存器，将当前采样地址的高位地址存储在空闲的高位寄存器，并将当前采样地址的高位地址的访问频次设置为1。
继续以例子3说明，若当前采样地址的高位地址为高位地址6，当前没有存储的高位地址6的访问频次。若有个6个高位寄存器，已经使用5个高位寄存器，则还剩1个空闲的高位寄存器，则用最后1个空闲的高位寄存器存储当前采样地址的高位地址。
S305、若没有空闲的高位寄存器，判断是否满足清除条件。若是，进入S306，否则，进入S309。
在一些实施例中，满足清除条件包括当前采样时刻和上一次清除访问频次最小的高位地址的时刻之间时间长度大于或者等于预设时长阈值。无法满足清除条件包括当前采样时刻和上一次清除访问频次最小的高位地址的时刻之间时间长度小于预设时长阈值。
在又一些实施例中，还可以每隔一段时间设置一段时间窗口，若在这个窗口内存在新的高位地址没有寄存器可用，则删除计数值最小的高位地址，不在这个窗口内则只能丢弃；或者，每接收第一预设数量个采样地址设置一段上述时间窗口，可以理解的，该第一预设数量可以为固定值，也可以是一个递增值，随着接收的采样地址的增多而增大。可以理解的是，上述表达的时间窗口有两种形式，一种是持续到删除计数值最小的高位地址，一种是固定持续时间，错过了就只能丢弃，在实际控制时，可以根据实际需要设置和选择。
在一些实施例中，满足清除条件包括已执行的行锤刷新操作的次数大于或者等于清除次数阈值。无法满足清除条件包括已执行的行锤刷新操作的次数小于清除次数阈值。
S306、在满足清除条件时，判断访问频次最小的高位地址是否为已锁定的高位地址。若是，进入S309，若否，进入S307。
S307、删除访问频次最小的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次。
在一些实施例中，若有多个访问频次最小的高位地址，且多个访问频次最小的高位地址均不是锁定的高位地址，则随机一个高位地址进行删除。
例如：继续以例子3说明，访问频次最小的为高位地址1和高位地址2，锁定的高位地址为高位地址3，不相同，则从第一个高位寄存器和第二高位寄存器中随机选一个，并清除对应计数器的技术频次。若选择第一个高位寄存器，删除第一个高位寄存器内地址数据，并清除第一个高位寄存器对应的计数器的访问频次。
S308、在删除地址数据的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
其中，若选择第一个高位寄存器中地址数据进行删除，则在第一个高位寄存器中存入当前采样地址的高位地址。并设置第一个高位寄存器对应的计数器的访问频次为1。
S309、丢弃当前采样地址的高位地址。
其中，在既没有记录当前采样地址的高位地址，又没有空闲的低位寄存器存储低位地址，以及不满足清除条件时，丢弃当前采样地址的高位地址。或者，在既没有记录当前采样地址的高位地址，又没有空闲的低位寄存器存储低位地址，满足清除条件，但访问频次最小的高位地址为锁定的高位地址时，丢弃当前采样地址的高位地址。
在上述技术方案中，在既没有记录当前采样地址的高位地址，又没有空闲的低位寄存器存储低位地址时，继续判断是否满足清除条件以及要清除的高位地址是否为已锁定的高位地址，在满足清除条件并且不是已锁定的高位地址时，存储当前采样地址的高位地址。通过如此设置，可以记录更多的高位地址的访问频次，避免在先出现的高位地址一直占用存储空间，而在后出现的高频访问的高位地址无法被存储，而一直未被记录，影响行锤地址的准确性。
在一些实施例中，本申请提供的获取行锤刷新地址的方法还包括如下步骤：
S112、在执行当前行锤刷新周期的行锤刷新操作时，删除访问频次小于第二频次阈值的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次。
其中，第二频次阈值是与已执行的行锤刷新操作的次数正相关的。例如：根据公式TH＝10*a计算第二频次阈值，a表示已执行的行锤刷新操作的次数，TH为第二频次阈值。
在执行当前行锤刷新周期的行锤刷新操作时，根据已经执行的行锤刷新操作的次数更新第二频次阈值。获得各个高位寄存器内存储的高位地址的频次计数。将每个高位地址的频次计数与第二频次阈值进行比较，若小若小于第二频次阈值，则删除该高位寄存器内地址数据，并清除对应计数器内访问频次。
在上述技术方案中，每次在执行行锤刷新操作时，删除访问频次小于第二频次阈值的高位寄存器内地址数据，可以记录更多的高位地址的访问频次，避免在先出现的高位地址一直占用存储空间，而在后出现的高频访问的高位地址无法被存储，而一直未被记录，影响行锤地址的准确性。在执行完一次行锤刷新操作后进行删除操作，可以减少删除操作对访问频次的累积过程的影响。并设置第二频次阈值是与已经执行的行锤刷新操作的次数正相关，以适应不断增加的高位地址的频次，避免由于采用固定的频次阈值，而导致始终不能删除访问频次增加缓慢甚至不增加但高于固定频次阈值的高位地址。
在一些实施例中，本申请提供的获取行锤刷新地址的方法还包括如下步骤：
S113、在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除低位寄存器组中存储的行锤刷新地址的低位地址，清除行锤刷新地址的低位地址的访问频次，并在行锤刷新地址中高位地址的访问频次中扣除行锤刷新地址的低位地址的访问频次。
例子4：第1个高位寄存器到第5个高位寄存器记录了5个高位地址和访问频次如下表5所示。在当前行锤刷新周期内锁定高位地址3。
表5例子4的高位地址的访问频次
高位寄存器1 高位寄存器2 高位寄存器3 高位寄存器4 高位寄存器5
地址 高位地址1 高位地址2 高位地址3 高位地址4 高位地址5
频次 10 20 84 30 43
第1个低位寄存器到第5个低位寄存器记录了5个低位地址和访问频次依次如下表6所示：
表6例子4的低位地址的访问频次
低位寄存器1 低位寄存器2 低位寄存器3 低位寄存器4 低位寄存器5
地址 低位地址1 低位地址2 低位地址3 低位地址4 低位地址5
频次 4 6 7 9 8
选定行锤刷新地址为高位地址3+低位地址4。在对该行锤刷新地址进行刷新操作后，删除第四个低位寄存器内地址数据，清除第四低位寄存器对应的计数器的访问频次，将高位地址3的访问频次扣除低位地址4的访问频次，更新后的高位地址3的访问频次为(84-9)＝75次。
清除行锤刷新地址的影响后，高位地址和低位地址的访问频次如下表7和表8：
表7例子4中进行一次删除操作后的高位地址的访问频次
高位寄存器1 高位寄存器2 高位寄存器3 高位寄存器4 高位寄存器5
地址 高位地址1 高位地址2 高位地址3 高位地址4 高位地址5
频次 10 20 75 30 43
第1个低位寄存器到第5个低位寄存器记录了5个低位地址和访问频次依次如下表8所示：
表8例子4中进行一次删除操作后的低位地址的访问频次
低位寄存器1 低位寄存器2 低位寄存器3 低位寄存器4 低位寄存器5
地址 低位地址1 低位地址2 低位地址3 空闲 低位地址5
频次 4 6 7 - 8
在上述技术方案中，在获得当前行锤刷新周期内的行锤刷新地址，对行锤刷新地址进行行锤刷新操作后，清除行锤刷新地址在高位地址的访问频次和低位地址的访问频次中记录，避免行锤刷新地址的访问频次继续影响记录的其他高位地址和低位地址的访问频次，导致重复刷新该行锤刷新地址，通过清除行锤刷新地址的影响，为下一次的行锤刷新地址获取做准备。
在一些实施例中，本申请提供的获取行锤刷新地址的方法还包括如下步骤：
S114、在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除访问频次小于第三频次阈值的低位地址所在的低位寄存器内的地址数据；清除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的访问频次；并在当前行锤刷新周期内的已锁定的高位地址的访问频次中扣除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的总访问频次。
继续以例子4为例说明，设置第三频次阈值为7次。则对表7和表8中访问频次进行修改。访问频次小于7的低位地址包括低位地址1和低位地址2。删除第一个低位寄存器和第二个低位寄存器内地址数据，并清除第一个低位寄存器对应的计数器的访问频次，以及清除第二个低位寄存器对应的计数器的访问频次。从高位地址3的访问频次扣第一个低位寄存器对应的访问频次和第二个低位寄存器对应的访问频次，高位地址3的访问频次更新为(75-(4+6))＝65。
在上述技术方案中，在执行完一次行锤刷新操作后，删除访问频次比较小的低位地址，并清除低位地址对高位地址的访问频次的影响，可以记录更多的低位地址的访问频次，避免在先出现的低位地址一直占用存储空间，而在后出现的高频访问的低位地址无法被存储，而一直未被记录，影响行锤地址的准确性。在执行完一次行锤刷新操作后进行删除操作，可以减少删除操作对访问频次的累积过程的影响。
在一些实施例中，如图6所示，本申请提供的获取行锤刷新地址的方法还包括如下步骤：
S401、在下一个行锤刷新信号到来之后，判断在上一个行锤刷新周期内锁定的高位地址是否为访问频次最高的高位地址，若是，进入S402，否则，进入S404。
其中，访问频次最高的高位地址可以为一个或者多个，若仅有一个访问频次最高的高位地址，则确定该高位地址是否为上一个行锤刷新周内锁定的高位地址。若有多个访问频次最高的高位地址，则确定多个访问频次最高的高位地址中是否有上一个行锤刷新周内锁定的高位地址。
继续以例子4为例说明，在对表5和表6中访问频次进行两次删除操作后，也就是进行消除行锤刷新地址的影响的删除操作和删除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的操作后，访问频次更新为下表9和表10，锁定的高位地址为高位地址3。
表9例子4中进行两次删除操作后的高位地址的访问频次
高位寄存器1 高位寄存器2 高位寄存器3 高位寄存器4 高位寄存器5
地址 高位地址1 高位地址2 高位地址3 高位地址4 高位地址5
频次 10 20 65 30 43
表10例子4中进行两次删除操作后的低位地址的访问频次
低位寄存器1 低位寄存器2 低位寄存器3 低位寄存器4 低位寄存器5
地址 空闲 空闲 低位地址3 空闲 低位地址5
频次 - - 7 - 8
在例子4中，锁定后的高位地址的访问频次是最高的，跳转到S402。
S402、判断上一个行锤刷新周内锁定的高位地址的访问频次是否满足高位频次条件，若是，进入S403，否则，进入S407。
其中，满足高位频次要求包括高位地址的访问频次大于或等于第一频次阈值。
S403、将上一个行锤刷新周内锁定的高位地址作为当前行锤刷新周内的锁定的高位地址。
若确定上一个行锤刷新周内锁定的高位地址在当前行锤刷新周内仍为访问频次最高，且也满足高位频次条件时，则继续使用上一个行锤刷新周内的锁定的高位地址。
继续以例子4说明，上一行锤刷新周期锁定的高位地址3仍满足高位频次条件，继续将高位地址3作为当前行锤刷新周内的锁定的高位地址。
S404、获取访问频次最高的高位地址。
其中，访问频次最高的高位地址可以为一个或者多个，若访问频次最高的高位地址有多个时，按照高位地址的出现时间先后顺序选择其中一个，既可以选择先出现的，也可以选择后出现的，判断该高位地址的访问地址是否满足高位频次条件，若满足，则将锁定该高位地址。
S405、判断访问频次最高的高位地址是否满足高位频次条件，若是，进入S406，否则，S407。
S406、将访问频次最高的高位地址作为当前行锤刷新周内锁定的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
其中，初始化低位地址的访问频次是指清除之前的低位地址和低位地址的访问频次。
S407、获取下一个采样地址，并使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次。
其中，更新高位地址的访问频次已经在步骤S301至S309中详细说明，此处不再说明。
S408、根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址，若是，进入S409，否则，进入S407。
S409、锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
其中，初始化低位地址的访问频次是指清除之前的低位地址和低位地址的访问频次，并记录下一个采样地址的低位地址，设置访问频次为1。
在上述方案中，在下一个行锤刷新信号到来后，需要重新锁定高位地址。若有多个满足高位频次条件的高位地址，且同时满足高位频次条件的多个高位地址的访问频次不同，则选择访问频次最大作为锁定的高位地址。若上一个行锤刷新周内锁定的高位地址满足高位频次条件，且访问频次也最高，则可以继续选择该高位地址。通过如此设置，可以锁定访问频次最高的高位地址，为确定行锤刷新地址做准备。
可以理解的是，在上述锁定高位地址的过程中，若在行锤刷新周期内始终没有高位地址的访问频次达到访问频次，则在后续行锤刷新信号到来时，不执行行锤刷新；或者，在下一个行锤刷新信号到来之后，直接锁定上一行锤刷新周期内的已更新访问频次(更新高位地址和低位地址的访问频次，例如上述的高低地址3的访问频次为65和低位地址3的访问频次为7即为更新后的访问频次)中访问频次最高的高位地址作为锁定地址，若存在多个访问频次相同且均为最高的高位地址，则判断是否包含上一周期内的锁定地址，若包含，则将上一周期内的锁定地址作为本周期的高位锁定地址，若不包含，则随机选择一高位地址作为高位锁定地址，或者，选择最先达到该访问频次的高位地址作为锁定地址，或者，不判断是否包含上一周期内的锁定地址，直接随机选择一高位地址作为锁定地址或者直接选择最先达到当前访问频次的高位地址作为锁定地址。
如图7所示，本申请一实施例提供一种获取行锤刷新地址的装置，包括：
获取模块501，用于在上一个行锤刷新信号到来之后，获取当前采样地址；
处理模块601，用于判断在当前行锤刷新周期内是否已经锁定高位地址；
若已经锁定，则判断当前采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同；
若相同，则更新已锁定的高位地址的访问频次，以及使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次；
在下一个行锤刷新信号到来时，将访问频次最高的低位地址作为行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的高位地址作为行锤刷新地址的高位地址。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
若当前采样地址的高位地址与已锁定的高位地址不相同，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；
在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，判断下一个采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的高位地址是否相同。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
若在当前行锤刷新周期内未锁定高位地址，使用当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；
根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址，若是，锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
若记录访问频次的高位地址中没有高位地址满足高位频次条件，在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，根据高位地址的访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址。
在一些实施例中，高位频次条件包括：
高位地址的访问频次大于或者等于第一频次阈值。
在一些实施例中，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器；
处理模块601还用于：
确定低位寄存器组中是否已存储当前采样地址的低位地址；
若有当前采样地址的低位地址，更新当前采样地址的低位地址的访问频次；
若没有存储当前采样地址的低位地址，判断低位寄存器组中是否有空闲的低位寄存器；
若有空闲的低位寄存器，则在空闲的低位寄存器中存储当前采样地址的低位地址，并更新当前采样地址的低位地址的访问频次。
在一些实施例中，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器；
处理模块601还用于：
确定高位寄存器组是否已存储当前采样地址的高位地址；
若存储有当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次；
若没有存储当前采样地址的高位地址，判断高位寄存器组中是否有空闲的高位寄存器；
若是，则在空闲的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
若高位寄存器组中没有空闲的高位寄存器，判断是否满足清除条件，若满足清除条件，判断访问频次最小的高位地址是否为已锁定的高位地址；若不是已锁定的高位地址，删除访问频次最小的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；
在删除地址数据的高位寄存器中存储当前采样地址的高位地址，更新当前采样地址的高位地址的访问频次。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
在执行当前行锤刷新周期的行锤刷新操作时，删除访问频次小于第二频次阈值的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；其中，第二频次阈值是根据已执行的行锤刷新操作的次数确定的。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除低位寄存器组中存储的行锤刷新地址的低位地址，并清除行锤刷新地址的低位地址的访问频次，并在行锤刷新地址中高位地址的访问频次中扣除行锤刷新地址的低位地址的访问频次。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
在完成当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除访问频次小于第三频次阈值的低位地址所在的低位寄存器内的地址数据；清除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的访问频次；并当前行锤刷新周期内的已锁定的高位地址的访问频次中扣除访问频次小于第三频次阈值的低位地址的总访问频次。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址为在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且上一个行锤刷新周内锁定的高位地址的访问频次满足高位频次条件时，将上一个行锤刷新周内锁定的高位地址作为当前行锤刷新周内的锁定的高位地址，获取下一个采样地址；
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且访问频次最高的高位地址满足高位频次条件时，将访问频次最高的高位地址作为当前行锤刷新周内锁定的高位地址，获取下一个采样地址。
在一些实施例中，处理模块601还用于：
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且访问频次最高的高位地址无法满足高位频次条件时，获取下一个采样地址，并使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次；并根据高位地址的访问频次判断是否有高位地址满足高位频次条件，若满足，锁定满足高位频次条件的高位地址，并初始化低位地址的访问频次。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机指令，当处理器执行计算机指令时，实现上述实施例中方法中的各个步骤。
本申请实施例还提供一种计算机程序产品，包括计算机指令，该计算机指令被处理器执行时实现上述实施例中方法中的各个步骤。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求书指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求书来限制。

Claims (15)

1.一种获取行锤刷新地址的方法，其特征在于，包括：
在上一个行锤刷新信号到来之后，获取当前采样地址，判断在当前行锤刷新周期内是否已经锁定高位地址；
若已经锁定，则判断当前采样地址的所述高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的所述高位地址是否相同；
若相同，则更新已锁定的所述高位地址的访问频次，以及使用当前采样地址的低位地址更新低位地址的访问频次；
在下一个行锤刷新信号到来时，将访问频次最高的低位地址作为所述行锤刷新地址的低位地址，将已锁定的所述高位地址作为所述行锤刷新地址的高位地址。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若当前采样地址的所述高位地址与已锁定的所述高位地址不相同，使用当前采样地址的所述高位地址更新高位地址的所述访问频次；
在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，判断下一个采样地址的高位地址是否与在当前行锤刷新周期内已锁定的所述高位地址是否相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若在当前行锤刷新周期内未锁定高位地址，使用当前采样地址的所述高位地址更新高位地址的所述访问频次；
根据高位地址的所述访问频次判断是否有满足高位频次条件的高位地址，若是，锁定满足高位频次条件的所述高位地址，并初始化低位地址的所述访问频次。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若记录访问频次的高位地址中没有高位地址满足高位频次条件，在确定下一个行锤刷新信号没有到来时获取下一个采样地址，使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的所述访问频次，根据高位地址的所述访问频次判断是否有满足所述高位频次条件的高位地址。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述高位频次条件包括：
高位地址的访问频次大于或者等于第一频次阈值。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体存储器包括低位寄存器组和每个低位寄存器对应的计数器；
使用当前采样地址的所述低位地址更新低位地址的访问频次，具体包括：
确定低位寄存器组中是否已存储当前采样地址的所述低位地址；
若有当前采样地址的所述低位地址，更新当前采样地址的所述低位地址的访问频次；
若没有存储当前采样地址的所述低位地址，判断所述低位寄存器组中是否有空闲的低位寄存器；
若有空闲的低位寄存器，则在空闲的所述低位寄存器中存储当前采样地址的所述低位地址，并更新当前采样地址的所述低位地址的访问频次。
7.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，半导体存储器包括高位寄存器组和每个高位寄存器对应的计数器；
使用当前采样地址的所述高位地址更新高位地址的所述访问频次，具体包括：
确定高位寄存器组是否已存储当前采样地址的所述高位地址；
若存储有当前采样地址的所述高位地址，更新当前采样地址的所述高位地址的访问频次；
若没有存储当前采样地址的所述高位地址，判断所述高位寄存器组中是否有空闲的高位寄存器；
若是，则在空闲的所述高位寄存器中存储当前采样地址的所述高位地址，更新当前采样地址的所述高位地址的访问频次。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使用所述当前采样地址的高位地址更新高位地址的访问频次，还包括：
若所述高位寄存器组中没有空闲的高位寄存器，判断是否满足清除条件，若满足所述清除条件，判断访问频次最小的高位地址是否为已锁定的高位地址；若不是已锁定的高位地址，删除访问频次最小的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；
在删除地址数据的所述高位寄存器中存储当前采样地址的所述高位地址，更新当前采样地址的所述高位地址的访问频次。
9.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在执行当前行锤刷新周期的行锤刷新操作时，删除访问频次小于第二频次阈值的高位地址所在的高位寄存器内地址数据，并清除对应的访问频次；其中，所述第二频次阈值和已执行的行锤刷新操作的次数正相关。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在完成所述当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除低位寄存器组中存储的行锤刷新地址的低位地址，并清除行锤刷新地址的所述低位地址的访问频次，并在行锤刷新地址中高位地址的访问频次中扣除行锤刷新地址的所述低位地址的访问频次。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在完成所述当前行锤刷新周期的行锤刷新操作后，删除访问频次小于第三频次阈值的低位地址所在的低位寄存器内的地址数据；清除所述访问频次小于所述第三频次阈值的低位地址的访问频次；并当前行锤刷新周期内的已锁定的高位地址的访问频次中扣除访问频次小于所述第三频次阈值的所述低位地址的总访问频次。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的高位地址为在上一个行锤刷新周内锁定的高位地址，且上一个行锤刷新周内锁定的所述高位地址的访问频次满足高位频次条件时，将上一个行锤刷新周内锁定的所述高位地址作为当前行锤刷新周内的锁定的高位地址，获取下一个采样地址；
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的所述高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的所述高位地址，且访问频次最高的所述高位地址满足所述高位频次条件时，将访问频次最高的所述高位地址作为当前行锤刷新周内锁定的高位地址，获取所述下一个采样地址。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在下一个行锤刷新信号到来之后，若访问频次最高的所述高位地址不是在上一个行锤刷新周内锁定的所述高位地址，且访问频次最高的所述高位地址无法满足所述高位频次条件时，获取所述下一个采样地址，并使用下一个采样地址的高位地址更新高位地址的所述访问频次；并根据高位地址的所述访问频次判断是否有高位地址满足所述高位频次条件，若满足，锁定满足高位频次条件的所述高位地址，并初始化低位地址的所述访问频次。
14.一种控制设备，其特征在于，包括：用于实现如权利要求1至13中任一项所述的方法。
15.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如权利要求1至13任一项所述的方法。
CN202210981462.0A 2022-08-15 2022-08-15 获取行锤刷新地址的方法和设备 Pending CN117636939A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210981462.0A CN117636939A (zh) 2022-08-15 2022-08-15 获取行锤刷新地址的方法和设备
PCT/CN2022/123950 WO2024036720A1 (zh) 2022-08-15 2022-10-09 获取行锤刷新地址的方法和设备
EP22922576.8A EP4350696A1 (en) 2022-08-15 2022-10-09 Method for acquiring row hammer refresh address, and device
US18/446,513 US20240055039A1 (en) 2022-08-15 2023-08-09 Method and device for obtaining row hammer refresh address, and storage medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210981462.0A CN117636939A (zh) 2022-08-15 2022-08-15 获取行锤刷新地址的方法和设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117636939A true CN117636939A (zh) 2024-03-01

Family

ID=87748216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210981462.0A Pending CN117636939A (zh) 2022-08-15 2022-08-15 获取行锤刷新地址的方法和设备

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN117636939A (zh)
WO (1) WO2024036720A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10943637B2 (en) * 2018-12-27 2021-03-09 Micron Technology, Inc. Apparatus with a row-hammer address latch mechanism
US11139015B2 (en) * 2019-07-01 2021-10-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for monitoring word line accesses
KR20220036752A (ko) * 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 로우 해머 리프레쉬 동작을 수행하는 메모리 장치 및 이의 동작 방법
CN114446354A (zh) * 2020-11-04 2022-05-06 长鑫存储技术有限公司 刷新电路及存储器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024036720A1 (zh) 2024-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bartlett Sub-sampling for attributes
US7987215B2 (en) Efficiently marking objects with large reference sets
CN105164675A (zh) 增量式地更新统计
Krasnobayev et al. A method for operational diagnosis of data represented in a residue number system
CN110191109B (zh) 一种报文采样方法及装置
CN110489405A (zh) 数据处理的方法、装置和服务器
CN110532307A (zh) 一种流滑动窗口的数据存储方法及查询方法
CN117636939A (zh) 获取行锤刷新地址的方法和设备
CN115562587A (zh) 应用于存储介质的数据存储方法、装置、设备及存储介质
Aaman et al. Optimal decremental connectivity in non-sparse graphs
Li et al. Tight cell-probe lower bounds for dynamic succinct dictionaries
CN117237678A (zh) 用电行为异常检测方法、装置、设备及存储介质
US20240055039A1 (en) Method and device for obtaining row hammer refresh address, and storage medium
CN113626432B (zh) 一种支持任意Key值的自适应基数树的改进方法
CN111092611A (zh) 一种沿斜率小的信号处理装置及方法
TW202410040A (zh) 獲取行錘刷新地址的方法、設備及電腦可讀儲存媒體
CN107562695B (zh) 一种配电变压器的负载数据处理方法及装置
CN113793636B (zh) 一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘
Ranzato A more efficient simulation algorithm on Kripke structures
CN109062812A (zh) 基于多条件运行的软件的测试方法、设备及可读存储介质
KR20180046281A (ko) 리프레시 제어 장치
CN115249500A (zh) 攻击地址的获取方法及其电路、锤击刷新方法和存储器
CN109164424B (zh) 一种有序统计类恒虚警门限快速计算方法
WO2015172718A1 (zh) 在存储器中进行多访问的方法、装置和存储系统
CN111953352A (zh) 一种基于fpga系统的数据压缩显示方法、设备及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination