CN117631741A - 一种具有限流输出的ldo电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及LDO技术领域,公开了一种具有限流输出的LDO电路，包括误差放大器和输出电路，输出电路包括输出功率管和电压反馈单元；还包括电流复制单元、电压调整单元、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、MOS管MN2与MOS管MN3；在使用时本发明通过设置电流复制单元复制流过输出功率管的电流大小，并向第二电流镜的第二主支路输入复制电流，由于第二电流镜的第四从支路与电压调整单元电连接，这样流过输出功率管的电流变化就可以传递到电压调整单元，电压调整单元依据该电流变化调整输出功率管的控制端的电压大小，从而能限制流过输出功率管的电流大小。

Description

一种具有限流输出的LDO电路

技术领域

本发明涉及LDO技术领域，具体涉及一种具有限流输出的LDO电路。

背景技术

对于片上集成电路，由于外部电源供电的电压变化范围大，加上应用范围复杂，因此集成电路上很容易引入各种噪声干扰，而集成电路内部的各种电路模块的工作又需要稳定的供电电源来保证其能正常工作。

为了向集成电路提供稳定的电压，目前大多通过低压差稳压器（Low DropoutRegulator，简称LDO）来对外部电压进行稳压，从而提供稳定的供电电压。其中，LDO的主要工作原理为通过误差放大器的负反馈功能来将变化的输入电压转变为稳定的输出电压。

对于LDO，其主要功能是稳压，但是在实际应用中，由于外部条件多变，比如在启动或者短路时，如果不对LDO的输出电流进行限制，那么在出现类似启动或者短路的情况时有可能在LDO内部通过大电流，从而对LDO造成不可逆的损伤，而现有的LDO电路中缺少限制输出电流的电路。

发明内容

鉴于背景技术的不足，本发明是提供了一种具有限流输出的LDO电路，所要解决的技术问题是现有LDO电路不能限制其输出电流。

为解决以上技术问题，本发明提供了如下技术方案：一种具有限流输出的LDO电路，包括误差放大器和输出电路，所述输出电路包括输出功率管和电压反馈单元，所述输出功率管的输出端与所述电压反馈单元电连接，所述电压反馈单元的一个电压反馈节点与所述误差放大器的第一输入端电连接，所述误差放大器的第二输入端用于输入基准电压VREF；还包括电流复制单元、电压调整单元、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜和组成输入对管的MOS管MN2与MOS管MN3；

所述第一电流镜包括第一主支路、第一从支路、第二从支路和第三从支路，所述第一从支路、第二从支路和第三从支路分别按照镜像比例复制流过所述第一主支路的电流；

所述第二电流镜包括第二主支路、第四从支路、第五从支路和第六从支路；所述第四从支路、第五从支路和第六从支路分别按照镜像比例复制流过所述第二主支路的电流；

所述第三电流镜包括第三主支路和第七从支路，所述第七从支路按照镜像比例复制流过所述第三主支路的电流；

所述第一主支路用于输入偏置电流，所述第一从支路与所述误差放大器电连接，为所述误差放大器提供尾电流；所述第二从支路通过MOS管MN7分别与MOS管MN2的源极和MOS管MN3的源极电连接，MOS管MN2的漏极用于输入电源电压，MOS管MN2的栅极与误差放大器的输出端电连接，MOS管MN3的栅极分别与MOS管MN3的漏极、输出功率管的控制端和第七从支路电连接；所述第三从支路通过MOS管MN9与第三主支路电连接；

所述电流复制单元与所述输出功率管电连接，用于比例复制流过输出功率管的电流，并向第二主支路输入复制电流；所述第四从支路通过MOS管MN11与所述电压调整单元电连接，所述电压调整单元基于流过第四从支路的电流调整所述输出功率管的控制端的电压大小；所述第五从支路通过MOS管MN10与第三主支路电连接，所述第六从支路通过MOS管MN8分别与MOS管MN2的源极和MOS管MN3的源极电连接；

所述MOS管MN7的栅极、MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极分别用于输入偏置电压。

在某种实施方式中，所述MOS管MN7的栅极分别与MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极电连接。

在某种实施方式中，所述误差放大器包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MN12和MOS管MN13；

所述MOS管MP1的源极与MOS管MP2的源极电连接，用于输入所述电源电压，所述MOS管MP1的栅极分别与MOS管MP2的栅极、MOS管MP1的漏极和MOS管MN5的漏极电连接，所述MOS管MP2的漏极为误差放大器的输出端，且与MOS管MN6的漏极电连接，MOS管MN5的栅极分别与MOS管MN6的栅极和MOS管MN7的栅极电连接；MOS管MN5的源极与MOS管MN12的漏极电连接，MOS管MN6的源极与MOS管MN13的漏极电连接；MOS管MN12的栅极为误差放大器的第一输入端，MOS管MN13的栅极为误差放大器的第二输入端；MOS管MN12的源极和MOS管MN13的源极分别与第一从支路电连接。

在某种实施方式中，本发明还包括偏置电压产生单元，所述偏置电压产生单元与所述误差放大器电连接，用于向所述MOS管MN5的栅极提供偏置电压。

在某种实施方式中，所述误差放大器还包括电阻R3和电容C1，所述电容C1一端用于输入所述电源电压，所述电容C1另一端通过电阻R3与误差放大器的输出端电连接。

在某种实施方式中，所述MOS管MN2的漏极与电阻R4一端电连接，电阻R4另一端用于输入所述电源电压，所述MOS管MN2的栅极与稳压二极管DZ2的正极电连接，稳压二极管DZ2的负极与电阻R4另一端电连接。

在某种实施方式中，所述电压调整单元包括MOS管MP5和电阻R5，所述MOS管MP5的源极与电阻R5一端电连接，用于输入所述电源电压，所述MOS管MP5的栅极分别与电阻R5另一端和MOS管MN11的漏极电连接，MOS管MP5的漏极与输出功率管的控制端电连接。

在某种实施方式中，所述输出功率管为PMOS管，PMOS管的源极为输出功率管的控制端，PMOS管的栅极为输出功率管的控制端，PMOS管的漏极为输出功率管的控制端；

所述电流复制单元包括MOS管MP6，MOS管MP6的源极用于输入所述电源电压，MOS管MP6的栅极与MOS管MP7的栅极电连接，MOS管MP6的漏极与第二主支路电连接。

在某种实施方式中，所述输出功率管的控制端与稳压二极管DZ3的正极电连接，稳压二极管DZ3的负极与输出功率管的输入端电连接。

在某种实施方式中，所述MOS管MP6的漏极通过MOS管MP8与第二主支路电连接，MOS管MP8的源极与稳压二极管DZ4的负极电连接，稳压二极管DZ4的正极与MOS管MP8的栅极电连接；

所述电压反馈单元包括依次串联的电阻R6、电阻R7和电阻R8；电阻R6一端与输出功率管的输出端电连接，电阻R6另一端与MOS管MP8的栅极电连接，电阻R7与电阻R8电连接的一端与误差放大器的第一输入端电连接。

本发明与现有技术相比所具有的有益效果是：本发明通过设置电流复制单元复制流过输出功率管的电流大小，并向第二电流镜的第二主支路输入复制电流，由于第二电流镜的第四从支路与电压调整单元电连接，这样流过输出功率管的电流变化就可以传递到电压调整单元，电压调整单元依据该电流变化调整输出功率管的控制端的电压大小，从而能限制流过输出功率管的电流大小；另外通过设置第一电流镜、第二电流镜和第三电流镜，依据基尔霍夫电流公式可以设置输出功率管能流过的最大电流大小。

附图说明

图1为实施例中本发明的电路图；

图2为实施例中的本发明的偏置电压产生单元的电路图。

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

如图1所示，一种具有限流输出的LDO电路，包括误差放大器1和输出电路，输出电路包括输出功率管MP7和电压反馈单元2，输出功率管MP7的输出端与电压反馈单元2电连接，电压反馈单元2的一个电压反馈节点与误差放大器1的第一输入端电连接，误差放大器1的第二输入端用于输入基准电压V_REF；

还包括电流复制单元3、电压调整单元4、第一电流镜5、第二电流镜6、第三电流镜7和组成输入对管的MOS管MN2与MOS管MN3；

第一电流镜5包括第一主支路50、第一从支路51、第二从支路52和第三从支路53，第一从支路51、第二从支路52和第三从支路53分别按照镜像比例复制流过第一主支路50的电流；

第二电流镜6包括第二主支路60、第四从支路61、第五从支路62和第六从支路63；第四从支路61、第五从支路62和第六从支路63分别按照镜像比例复制流过第二主支路60的电流；

第三电流镜7包括第三主支路70和第七从支路71，第七从支路71按照镜像比例复制流过第三主支路70的电流；

第一主支路50用于输入偏置电流I_SOURCE，第一从支路51与误差放大器1电连接，为误差放大器1提供尾电流；第二从支路52通过MOS管MN7分别与MOS管MN2的源极和MOS管MN3的源极电连接，MOS管MN2的漏极用于输入电源电压VDD，MOS管MN2的栅极与误差放大器1的输出端电连接，MOS管MN3的栅极分别与MOS管MN3的漏极、输出功率管MP7的控制端和第七从支路71电连接；第三从支路53通过MOS管MN9与第三主支路70电连接；

电流复制单元3与输出功率管MP7电连接，用于复制流过输出功率管MP7的电流，并向第二主支路60输入复制电流；第四从支路61通过MOS管MN11与电压调整单元4电连接，电压调整单元4基于流过第四从支路61的电流调整输出功率管MP7的控制端的电压大小；第五从支路62通过MOS管MN10与第三主支路70电连接，第六从支路63通过MOS管MN8分别与MOS管MN2的源极和MOS管MN3的源极电连接；

MOS管MN7的栅极、MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极分别用于输入偏置电压。

对于本实施例中的LDO电路，其通过设置电流复制单元3复制流过输出功率管MP7的电流大小，并向第二电流镜6的第二主支路60输入复制电流，由于第二电流镜6的第四从支路61与电压调整单元4电连接，这样流过输出功率管MP7的电流变化就可以传递到电压调整单元4，电压调整单元4依据该电流变化调整输出功率管MP7的控制端的电压大小，从而能限制流过输出功率管MP7的电流大小；另外通过设置第一电流镜5、第二电流镜6和第三电流镜7，依据下文推导的电流方程可以设置输出功率管MP7能流过的最大电流大小。

具体地，本实施例中，偏置电流I_SOURCE可以由现有的电流源进行提供，这里不再论述。

具体地，本实施例中，MOS管MN7的栅极、MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极输入的偏置电压可以是同一个偏置电压，也可以是不同的偏置电压；当输入同一个偏置电压时，MOS管MN7的栅极分别与MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极电连接。

对本实施例中的LDO电路的误差放大器的结构进行说明，参照图1，误差放大器1包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MN12和MOS管MN13；

MOS管MP1的源极与MOS管MP2的源极电连接，用于输入电源电压VDD，MOS管MP1的栅极分别与MOS管MP2的栅极、MOS管MP1的漏极和MOS管MN5的漏极电连接，MOS管MP2的漏极为误差放大器1的输出端，且与MOS管MN6的漏极电连接，MOS管MN5的栅极分别与MOS管MN6的栅极和MOS管MN7的栅极电连接；MOS管MN5的源极与MOS管MN12的漏极电连接，MOS管MN6的源极与MOS管MN13的漏极电连接；MOS管MN12的栅极为误差放大器1的第一输入端，MOS管MN13的栅极为误差放大器1的第二输入端；MOS管MN12的源极和MOS管MN13的源极分别与第一从支路51电连接。

对于本实施例中的误差放大器，MOS管MN12和MOS管MN13为输入差分对管，MOS管MP1和MOS管MP2为误差放大器1的负载管，MOS管MN5和MOS管MN6为误差放大器1的开关管。

在实际使用时，通过让MOS管MN5的栅极分别与MOS管MN6的栅极和MOS管MN7的栅极电连接，这样只需通过一个偏置电压就能控制MOS管MN5、MOS管MN6、 MOS管MN7、MOS管MN8、MOS管MN9、MOS管MN10和MOS管MN11的通断，方便控制。

另外，本实施例中，本发明还包括如图2所示的偏置电压产生单元9，偏置电压产生单元9与误差放大器1电连接，用于向MOS管MN5的栅极提供偏置电压。

具体地，图2中，偏置电压产生单元9包括电阻R1、电阻R2、稳压二极管DZ1、电容C2、MOS管MN1、MOS管MN4和MOS管MN14，这些器件的连接关系参照图2，这里不再论述，其中MOS管MN1、MOS管MN4和MOS管MN14均为NMOS管，MOS管MN4的栅极输出偏置电压。在某种实施方式中，可以采用其余现有结构的偏置电压产生单元来提供偏置电压。

另外，在图1中，误差放大器1还包括电阻R3和电容C1，电容C1一端用于输入电源电压VDD，电容C1另一端通过电阻R3与误差放大器1的输出端电连接。在实际使用时，电阻R3为环路补偿电阻，电容C1为环路补偿电容，通过电阻R3和电容C1可以调整LDO的环路的零极点，以此满足相位裕度，从而能稳定输出电压。

另外在图1中，MOS管MN2的漏极与电阻R4一端电连接，电阻R4另一端用于输入电源电压VDD，MOS管MN2的栅极与稳压二极管DZ2的正极电连接，稳压二极管DZ2的负极与电阻R4另一端电连接。在实际使用时，通过稳压二极管DZ2可以对MOS管MN2的栅漏电压进行钳位，对MOS管MN2进行保护。

对本实施例中的LDO电路的第一电流镜5、第二电流镜6和第三电流镜7的结构进行说明：

其中第一主支路50包括MOS管MN15，第一从支路51包括MOS管MN16，第二从支路52包括MOS管MN17，第三从支路53包括MOS管MN18，根据电流镜公式可以得到：I_MN15=a*I_MN16=b*I_MN17=c*I_MN18；

I_MN15、I_MN16、I_MN17和I_MN18分别为流过MOS管MN15、MOS管MN16、MOS管MN17和MOS管MN18的电流大小，a、b、c分别为MOS管MN15与MOS管MN16、MOS管MN17、MOS管MN18的宽/长的比例，a、b和c的公式如下：

a=(W_MN15/L_MN15)/(W_MN16/L_MN16)；

b=(W_MN15/L_MN15)/(W_MN17/L_MN17)；

c=(W_MN15/L_MN15)/(W_MN18/L_MN18)。

在实际使用时，通过分别调整MOS管MN16的宽长比、MOS管MN17的宽长比、MOS管MN18的宽长比与MOS管MN15的宽长比之比，可以分别调整第一从支路51、第二从支路52和第三从支路53的电流镜像比例。

其中第二主支路60包括MOS管MN22，第四从支路61包括MOS管MN21，第五从支路62包括MOS管MN20，第六从支路包括MOS管MN19；根据电流镜公式可以得到：I_MN22=d*I_MN19=e*I_MN20=f*I_MN21；

I_MN19、I_MN20、I_MN21和I_MN22分别为流过MOS管MN19、MOS管MN20、MOS管MN21和MOS管MN22的电流大小，d、e、f分别为MOS管MN22与MOS管MN19、MOS管MN20、MOS管MN21的宽/长的比例，d、e和f的公式如下：

d=(W_MN22/L_MN22)/(W_MN19/L_MN19)；

e=(W_MN22/L_MN22)/(W_MN20/L_MN20)；

f=(W_MN22/L_MN22)/(W_MN21/L_MN21)。

在实际使用时，通过分别调整MOS管MN19的宽长比、MOS管MN20的宽长比、MOS管MN21的宽长比与MOS管MN22的宽长比之比，可以分别调整第四从支路61、第五从支路62和第六从支路63的电流镜像比例。

其中第三主支路70包括MOS管MP4，第七从支路包括MOS管MP3；同样地，通过调整MOS管MP4与MOS管MP3的宽长比之比可以调整电流镜像比例；在本实施例中，流过MOS管MP3的电流和流过MOS管MP4的电流相同，即I_MP3=I_MP4。

具体地，本实施例中，电压调整单元4在流过第四从支路61的电流大于阈值电流时逐渐将输出功率管MP7的控制端的电压上拉，直至将输出功率管MP7的控制端的电压上拉至固定值，该固定值小于电源电压VDD。

其中，电压调整单元4包括MOS管MP5和电阻R5，MOS管MP5的源极与电阻R5一端电连接，用于输入电源电压，MOS管MP5的栅极分别与电阻R5另一端和MOS管MN11的漏极电连接，MOS管MP5的漏极与输出功率管的控制端电连接。

在实际使用时，当流过第四从支路61的电流变大时，该电流在电阻R5产生的压降越来越大，电阻R5上的压降变大到一定值时将MOS管MP5导通，从而将输出功率管MP7的控制端电压上拉。

在图1中，输出功率管MP7为PMOS管，PMOS管的源极为输出功率管MP7的控制端，PMOS管的栅极为输出功率管MP7的控制端，PMOS管的漏极为输出功率管MP7的控制端；在实际使用时，通过调整输出功率管MP7的控制端的电压可以调整其导通电阻大小，进而调整输出电压和电流大小；

电压反馈单元2包括依次串联的电阻R6、电阻R7和电阻R8；电阻R6一端与输出功率管MP7的输出端电连接，电阻R6另一端与MOS管MP8的栅极电连接，电阻R7与电阻R8电连接的一端与误差放大器1的第一输入端电连接；

电流复制单元3包括MOS管MP6，MOS管MP6的源极用于输入电源电压VDD，MOS管MP6的栅极与MOS管MP7的栅极电连接，MOS管MP6的漏极与第二主支路60电连接；

将输出功率管MP7与MOS管MP6的宽长比之比设为n，在忽略电压反馈单元2的电流损耗时，则本发明的输出电流I_OUT=I_MP7=n*I_MP6。

另外，在图1中，输出功率管MP7的控制端与稳压二极管DZ3的正极电连接，稳压二极管DZ3的负极与输出功率管MP7的输入端电连接；在实际使用时，通过稳压二极管DZ3可以对输出功率管MP7的输入端和控制端的电压进行钳位，从而防止输出功率管MP7的控制端与输入端的电压超过耐压出现损坏的情况；

MOS管MP6的漏极通过MOS管MP8与第二主支路60电连接，MOS管MP8的源极与稳压二极管DZ4的负极电连接，稳压二极管DZ4的正极与MOS管MP8的栅极电连接。

本发明进行限流输出的原理如下：

MOS管MP6与MOS管MN22为同一支路，因此，流过MOS管MN22的电流与流过MOS管MP6的电流相同，MOS管MN22与MOS管MN19、MOS管MN20和MOS管MN21组成电流镜，MOS管MN21中的电流与MOS管MN22中电流成镜像比例，电阻R5两端电压为流过MOS管MN21的电流乘以电阻R5阻值，随着负载电流不断增加，电阻R5两端电压也相应增加，电阻R5两端电压决定了MOS管MP5的栅源电压；

当MOS管MP5的栅源电压增加到使得MOS管MP5打开，由于MOS管MP5的漏极连接到输出功率管MP7的控制端，对于PMOS管而言，负载电流增加则栅极电压需要下降，而随着负载电流的增加，MOS管MP5的栅源电压也不断增加，MOS管MP5的导通程度不断增加，从而将输出功率管MP7的控制端电位拉高，最终会在负反馈的作用下将输出功率管MP7的控制端电压稳定在一个固定的值，从而限制了LDO的最大输出电流。

当负载电流达到限流点，电压Vout将无法恒定输出，此时，反馈到误差放大器1的反馈电压V_FB将低于基准电压V_REF，误差放大器1的输出电压OUT降低到足以关断MOS管MN2，此时，MOS管MN17和MOS管MN19两支路所需的电流全部由MOS管MN3提供，而MOS管MN3的电流由MOS管MP3和MOS管MP5提供，可以得到如下公式：

（1）

其中，流过MOS管MP5的电流为

（2）

（3）

μ_p为P型载流子迁移率，C_OX为栅氧电容。W_MP5为MOS管MP5的栅宽，L_MP5为MOS管MP5的栅长，VGS_MP5为MOS管MP5的栅源电压，V_THP为PMOS管的开启阈值电压。

并且，由于同一电流支路流过电流相等，可以得到如下电流等式：

（4）

将公式（2）、（3）、（4）带入式（1）可得：

（5）

根据电流镜的比例分配原则，可知：

(6)

(7)

(8)

(9)

(10)

(11)

上述公式合并，可得：

（12）。

公式（12）中，只有I_OUT是未知量，求解公式（12）即可确定LDO的输出最大电流I_OUT。

另外需要说明的是，本实施例中带有MN的MOS管均为NMOS管，带有MP的MOS管均为PMOS管。

综上，本发明的输出电流I_OUT可以通过理论推导，因此通过改变电路参数可以对输出电流的最大值进行调整来使LDO电路适用于不同的使用场景；另外整个电路结构简单，易于在集成电路中实现。

上述依据本发明为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (10)

1.一种具有限流输出的LDO电路，包括误差放大器和输出电路，所述输出电路包括输出功率管和电压反馈单元，所述输出功率管的输出端与所述电压反馈单元电连接，所述电压反馈单元的一个电压反馈节点与所述误差放大器的第一输入端电连接，所述误差放大器的第二输入端用于输入基准电压VREF；其特征在于，还包括电流复制单元、电压调整单元、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜和组成输入对管的MOS管MN2与MOS管MN3；

所述第一电流镜包括第一主支路、第一从支路、第二从支路和第三从支路，所述第一从支路、第二从支路和第三从支路分别按照镜像比例复制流过所述第一主支路的电流；

所述第二电流镜包括第二主支路、第四从支路、第五从支路和第六从支路；所述第四从支路、第五从支路和第六从支路分别按照镜像比例复制流过所述第二主支路的电流；

所述第三电流镜包括第三主支路和第七从支路，所述第七从支路按照镜像比例复制流过所述第三主支路的电流；

所述第一主支路用于输入偏置电流，所述第一从支路与所述误差放大器电连接，为所述误差放大器提供尾电流；所述第二从支路通过MOS管MN7分别与MOS管MN2的源极和MOS管MN3的源极电连接，MOS管MN2的漏极用于输入电源电压，MOS管MN2的栅极与误差放大器的输出端电连接，MOS管MN3的栅极分别与MOS管MN3的漏极、输出功率管的控制端和第七从支路电连接；所述第三从支路通过MOS管MN9与第三主支路电连接；

所述电流复制单元与所述输出功率管电连接，用于比例复制流过输出功率管的电流，并向第二主支路输入复制电流；所述第四从支路通过MOS管MN11与所述电压调整单元电连接，所述电压调整单元基于流过第四从支路的电流调整所述输出功率管的控制端的电压大小；所述第五从支路通过MOS管MN10与第三主支路电连接，所述第六从支路通过MOS管MN8分别与MOS管MN2的源极和MOS管MN3的源极电连接；

所述MOS管MN7的栅极、MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极分别用于输入偏置电压。

2.根据权利要求1所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述MOS管MN7的栅极分别与MOS管MN8的栅极、MOS管MN9的栅极、MOS管MN10的栅极和MOS管MN11的栅极电连接。

3.根据权利要求2所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述误差放大器包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN5、MOS管MN6、MOS管MN12和MOS管MN13；

所述MOS管MP1的源极与MOS管MP2的源极电连接，用于输入所述电源电压，所述MOS管MP1的栅极分别与MOS管MP2的栅极、MOS管MP1的漏极和MOS管MN5的漏极电连接，所述MOS管MP2的漏极为误差放大器的输出端，且与MOS管MN6的漏极电连接，MOS管MN5的栅极分别与MOS管MN6的栅极和MOS管MN7的栅极电连接；MOS管MN5的源极与MOS管MN12的漏极电连接，MOS管MN6的源极与MOS管MN13的漏极电连接；MOS管MN12的栅极为误差放大器的第一输入端，MOS管MN13的栅极为误差放大器的第二输入端；MOS管MN12的源极和MOS管MN13的源极分别与第一从支路电连接。

4.根据权利要求3所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，还包括偏置电压产生单元，所述偏置电压产生单元与所述误差放大器电连接，用于向所述MOS管MN5的栅极提供偏置电压。

5.根据权利要求3所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述误差放大器还包括电阻R3和电容C1，所述电容C1一端用于输入所述电源电压，所述电容C1另一端通过电阻R3与误差放大器的输出端电连接。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述MOS管MN2的漏极与电阻R4一端电连接，电阻R4另一端用于输入所述电源电压，所述MOS管MN2的栅极与稳压二极管DZ2的正极电连接，稳压二极管DZ2的负极与电阻R4另一端电连接。

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述电压调整单元包括MOS管MP5和电阻R5，所述MOS管MP5的源极与电阻R5一端电连接，用于输入所述电源电压，所述MOS管MP5的栅极分别与电阻R5另一端和MOS管MN11的漏极电连接，MOS管MP5的漏极与输出功率管的控制端电连接。

8.根据权利要求6所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述输出功率管为PMOS管，PMOS管的源极为输出功率管的控制端，PMOS管的栅极为输出功率管的控制端，PMOS管的漏极为输出功率管的控制端；

所述电流复制单元包括MOS管MP6，MOS管MP6的源极用于输入所述电源电压，MOS管MP6的栅极与MOS管MP7的栅极电连接，MOS管MP6的漏极与第二主支路电连接。

9.根据权利要求8所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述输出功率管的控制端与稳压二极管DZ3的正极电连接，稳压二极管DZ3的负极与输出功率管的输入端电连接。

10.根据权利要求8所述的一种具有限流输出的LDO电路，其特征在于，所述MOS管MP6的漏极通过MOS管MP8与第二主支路电连接，MOS管MP8的源极与稳压二极管DZ4的负极电连接，稳压二极管DZ4的正极与MOS管MP8的栅极电连接；

所述电压反馈单元包括依次串联的电阻R6、电阻R7和电阻R8；电阻R6一端与输出功率管的输出端电连接，电阻R6另一端与MOS管MP8的栅极电连接，电阻R7与电阻R8电连接的一端与误差放大器的第一输入端电连接。