CN117626173A - 一种掩膜条及掩膜板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜条及掩膜板的制作方法，涉及掩膜板技术领域。所述掩膜条的制作方法包括：对掩膜条的第一面进行蚀刻，得到子像素孔及凹陷区，所述第一面为掩膜条与显示基板的贴合面，所述凹陷区用于掩膜条与显示基板贴合时容纳显示基板的支撑图形；对掩膜条的第二面进行蚀刻，使子像素孔蚀刻至与第一面子像素孔贯穿且达到子像素开孔设计大小，贯穿孔即供蒸镀材料穿过并沉积至TFT基板电路形成有效显示区域。本发明通过在掩膜条上蚀刻用于嵌入支撑图形的凹陷区，使掩膜板与显示基板贴合间隙减小，从而减小了蒸镀阴影的面积，减少相邻子像素混色风险，有易于产品分辨率提高，并且该方案非常易于实现，无需增加额外的工序，实现成本低。
Description
技术领域
本发明涉及掩膜板技术领域，特别涉及一种掩膜条及掩膜板的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)目前采用蒸镀工艺，其中高精细金属掩膜板(FMM)用于红、绿、蓝(R、G、B)发光层材料蒸镀，材料蒸汽各自到达OLED显示基板子像素阳极表面凝结，避免了像素间混色。现有技术中的高精细金属掩膜板的掩膜条湿式蚀刻制作流程如图1所示，包括涂布(光阻A)、显影(光罩B)、蚀刻、清洗四个步骤。
为了避免盖板与基板完全贴合引起的显示不良，OLED显示基板于子像素阳极间会设置一定高度的支撑图形(PS)，但是也导致FMM和阳极间的间隙增大。在蒸镀过程中，由于蒸镀角度并不是90°，因而材料蒸汽会通过该间隙渗透到FMM上的蒸镀孔以外的区域，由于FMM掩膜板100和阳极间的间隙增大，使得OLED显示基板200上的蒸镀阴影(shadow)也随之增大，如图2所示。该蒸镀阴影可能会造成R，G，B子像素之间的交叉污染，导致混色。同时该阴影也限制了R，G，B子像素之间的距离不能过小，不便制造高分辨率的OLED显示基板。
发明内容
本发明要解决的技术问题，在于提供一种掩膜条及掩膜板的制作方法，在掩膜条与显示基板贴合面的子像素开孔间设计凹陷区，凹陷区与显示基板支撑图形位置对应，使掩膜板与显示基板贴合后两者间隙减小，从而减小蒸镀阴影。
第一方面，本发明提供了一种掩膜条的制作方法，包括如下步骤：
对掩膜条的第一面进行蚀刻，得到子像素孔及凹陷区，所述第一面为掩膜条与显示基板的贴合面，所述凹陷区用于掩膜条与显示基板贴合时容纳显示基板的支撑图形；
对掩膜条的第二面进行蚀刻，使子像素孔蚀刻至与第一面子像素孔贯穿且达到子像素开孔设计大小，贯穿孔即供蒸镀材料穿过并沉积至TFT基板电路形成有效显示区域。
进一步地，所述凹陷区位于子像素孔中间，且与显示基板支撑图形一一对应，凹陷区与掩膜条第一面的子像素孔的蚀刻深度一致，凹陷区的面积大于支撑图形。
进一步地，对掩膜条的第一面的蚀刻及对掩膜条的第二面的蚀刻同时进行，或者分别进行，或者先同时蚀刻第一面及第二面，再对第二面进行二次蚀刻
进一步地，所述对掩膜条的第一面进行蚀刻，具体包括：通过第一光罩对涂布有光阻的掩膜条第一面显影，然后蚀刻、清洗，所述第一光罩的开孔与子像素孔及凹陷区对应设置。
进一步地，所述对掩膜条的第二面进行蚀刻，具体包括：通过第二光罩对涂布有光阻的掩膜条第二面显影，然后蚀刻、清洗，所述第二光罩的开孔与子像素孔对应设置。
进一步地，所述掩膜条采用INVAR36材质。
进一步地，所述掩膜条的厚度范围为30-100um。
第二方面，本发明提供了一种掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括掩膜条和掩膜框，所述掩膜条采用如第一方面所述的方法制作。
本发明具有如下优点：
通过在掩膜条上蚀刻用于嵌入支撑图形的凹陷区，使掩膜板与显示基板贴合间隙减小，从而减少有机发光材料向子像素蒸镀区域以外的区域扩散，减小了蒸镀阴影的面积，减少相邻子像素混色风险，有易于产品分辨率提高，并且该方案非常易于实现，无需增加额外的工序，实现成本低。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。
图1为现有技术中湿式蚀刻制作过程示意图；
图2为现有技术中蒸镀阴影示意图；
图3为本发明实施例一中湿式蚀刻制作过程示意图；
图4为本发明实施例一中蚀刻制作流程示意图；
图5为本发明实施例一中蒸镀阴影改善示意图；
图6为本发明实施例二中掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种掩膜条及掩膜板的制作方法，在掩膜条与显示基板贴合面的子像素开孔间设计凹陷区，凹陷区与显示基板支撑图形位置对应，使掩膜板与显示基板贴合后两者间隙减小，从而减小蒸镀阴影。
实施例一
本实施例提供一种掩膜条的制作方法，如图3所示，包括如下步骤：
通过第一光罩B1(开孔与子像素孔及凹陷区对应设置)对涂布有光阻A的掩膜条1第一面显影，然后蚀刻、清洗，得到子像素孔11及凹陷区12，所述第一面为掩膜条1与显示基板200的贴合面，所述凹陷区12用于掩膜条1与显示基板200贴合时容纳显示基板200的支撑图形PS；所述凹陷区12位于子像素孔11中间，且与显示基板200的支撑图形PS一一对应，凹陷区12与子像素孔11的蚀刻深度一致，凹陷区12的面积大于支撑图形PS。
通过第二光罩B2(开孔与子像素孔对应设置)对涂布有光阻A的掩膜条1第二面显影，然后蚀刻、清洗，使子像素孔11蚀刻至与第一面子像素孔11贯穿且达到子像素开孔设计大小d，贯穿孔即供蒸镀材料穿过并沉积至TFT基板电路形成有效显示区域。
对蚀刻完成的掩膜条1进行清洗。
在一种可能的实现方式中，对掩膜条1的第一面的蚀刻及对掩膜1条的第二面的蚀刻同时进行。
在另一种可能的实现方式中，对掩膜条1的第一面的蚀刻及对掩膜条1的第二面的蚀刻分别进行，比如，先蚀刻第一面，再蚀刻第二面。
在第三种可能的实现方式中，如图4所示，对掩膜条1的第一面的蚀刻及对掩膜条1的第二面的蚀刻，先同时蚀刻第一面及第二面，再对第二面进行二次蚀刻，使第二面的子像素孔11蚀刻至与第一面的子像素孔11贯穿且达到子像素开孔设计大小d。
如图5所示，蒸镀有机发光材料时，支撑图形PS嵌入掩膜条1蚀刻的凹陷区12，掩膜板100与显示基板200贴合间隙减小，减少有机发光材料向子像素蒸镀区域以外的区域扩散，减小了蒸镀阴影shadow的面积，减少相邻子像素混色风险，有易于产品分辨率提高。
在一种可能的实现方式中，所述掩膜条1采用INVAR36材质，厚度范围为30-100um。
实施例二
本实施例提供一种掩膜板的100制作方法，在采用实施例一所述的制作方法得到掩膜条1后，将掩膜条1与掩膜框10焊接，如图6所示。依次焊接完所有的掩膜条1后，掩膜板100制作完成。
本发明通过在掩膜条上蚀刻用于嵌入支撑图形的凹陷区，使掩膜板与显示基板贴合间隙减小，从而减少有机发光材料向子像素蒸镀区域以外的区域扩散，减小了蒸镀阴影的面积，减少相邻子像素混色风险，有易于产品分辨率提高，并且该方案非常易于实现，无需增加额外的工序，实现成本低。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。
Claims (8)
1.一种掩膜条的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
对掩膜条的第一面进行蚀刻，得到子像素孔及凹陷区，所述第一面为掩膜条与显示基板的贴合面，所述凹陷区用于掩膜条与显示基板贴合时容纳显示基板的支撑图形；
对掩膜条的第二面进行蚀刻，使子像素孔蚀刻至与第一面子像素孔贯穿且达到子像素开孔设计大小，贯穿孔即供蒸镀材料穿过并沉积至TFT基板电路形成有效显示区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述凹陷区位于子像素孔中间，且与显示基板支撑图形一一对应，凹陷区与掩膜条第一面的子像素孔的蚀刻深度一致，凹陷区的面积大于支撑图形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对掩膜条的第一面的蚀刻及对掩膜条的第二面的蚀刻同时进行，或者分别进行，或者先同时蚀刻第一面及第二面，再对第二面进行二次蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对掩膜条的第一面进行蚀刻，具体包括：通过第一光罩对涂布有光阻的掩膜条第一面显影，然后蚀刻、清洗，所述第一光罩的开孔与子像素孔及凹陷区对应设置。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于：所述对掩膜条的第二面进行蚀刻，具体包括：通过第二光罩对涂布有光阻的掩膜条第二面显影，然后蚀刻、清洗，所述第二光罩的开孔与子像素孔对应设置。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜条采用INVAR36材质。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于：所述掩膜条的厚度范围为30-100um。
8.一种掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括掩膜条和掩膜框，其特征在于，所述掩膜条采用如权利要求1-7任一项所述的方法制作。
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