CN117598041A - 一种发光器件、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种发光器件、显示装置，涉及显示技术领域，该发光器件包括：发光层，包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层设置在所述第一子层和所述第三子层之间；所述第二子层包括主体材料和客体材料；在外界能量的作用下，所述第二子层中复合有激子；其中，所述第一子层和所述第三子层均包括所述主体材料；所述激子在所述第二子层中的浓度大于所述激子在所述第一子层中的浓度、且所述激子在所述第二子层中的浓度大于所述激子在所述第三子层中的浓度。本申请提供的发光器通过激子在第二子层中的浓度最大，从而可以在外界能量的作用下，迫使主发光区位于第二子层中，即主发光区位于发光层的中间。

Description

一种发光器件、显示装置 技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示装置。

背景技术

随着科技的发展，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置得到广泛的应用。目前用户对OLED显示装置的产品性能要求越来越高，例如希望产品的寿命更长等。

但是，由于现有的材料、器件结构等差异，导致实际使用过程中OLED显示装置无法实现较高的寿命等，造成用户体验差。

发明内容

本申请的实施例采用如下技术方案：

一方面，本申请的实施例提供了一种发光器件，包括：

发光层，包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层设置在所述第一子层和所述第三子层之间；所述第二子层包括主体材料和客体材料；在外界能量的作用下，所述第二子层中复合有激子；

其中，所述第一子层和所述第三子层均包括所述主体材料；所述激子在所述第二子层中的浓度大于所述激子在所述第一子层中的浓度、且所述激子在所述第二子层中的浓度大于所述激子在所述第三子层中的浓度。

可选地，所述第一子层和所述第三子层均为单层结构、且均包括所述主体材料。

可选地，所述发光器件还包括设置在所述第一子层远离所述第二子层一侧的空穴注入层；

所述第一子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值与所述第二子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值的差值的绝对值范围包括0.1-0.5eV。

可选地，所述发光器件还包括设置在所述第三子层远离所述第二子层一侧的电子注入层；

所述第三子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值与所述第二子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值的差值的绝对值范围包括 0.1-0.5eV。

可选地，沿垂直于所述发光层的方向，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度、且所述第二子层的厚度大于所述第三子层的厚度。

可选地，沿垂直于所述发光层的方向，所述第一子层的厚度与所述第三子层的厚度相同。

可选地，所述第一子层包括第一辅助子层和第一电子阻挡子层，所述第一电子阻挡子层设置在所述第一辅助子层和所述第二子层之间；

所述第三子层包括第二辅助子层和第一空穴阻挡子层，所述第一空穴阻挡子层设置在所述第二辅助子层和所述第二子层之间。

可选地，所述第一辅助子层和所述第二辅助子层均包括所述主体材料和所述客体材料；

所述第一空穴阻挡子层包括空穴阻挡材料；所述第一电子阻挡子层包括电子阻挡材料。

可选地，所述第一辅助子层和所述第二辅助子层均包括所述主体材料和所述客体材料；

所述第一空穴阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和空穴阻挡材料；所述第一电子阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和电子阻挡材料。

可选地，沿垂直于所述发光层的方向，所述第二子层的厚度大于所述第一空穴阻挡子层的厚度、且所述第二子层的厚度大于所述第一电子阻挡子层的厚度。

可选地，沿垂直于所述发光层的方向，所述第一空穴阻挡子层的厚度与所述第一电子阻挡子层的厚度相同。

可选地，所述第一子层还包括第二电子阻挡子层，所述第二电子阻挡子层设置在所述第一电子阻挡子层远离所述第二子层的一侧、且将所述第一辅助子层分成两部分。

可选地，所述第二电子阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和所述电子阻挡材料；

所述第二电子阻挡子层中的所述电子阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度，大于所述第一电子阻挡子层中的所述电子阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度。

可选地，所述第三子层还包括第二空穴阻挡子层，所述第二空穴阻 挡子层设置在所述第一空穴阻挡子层远离所述第二子层的一侧、且将所述第二辅助子层分成两部分。

可选地，所述第二空穴阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和所述空穴阻挡材料；

所述第二空穴阻挡子层中的所述空穴阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度，大于所述第一空穴阻挡子层中的所述空穴阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度。

可选地，所述发光器件还包括电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述第一子层远离所述第二子层的一侧，所述空穴阻挡层设置在所述第三子层远离所述第二子层的一侧；

所述第一电子阻挡子层与所述第一辅助子层和所述电子阻挡层界面之间的距离，与所述第一空穴阻挡子层与所述第二辅助子层和所述空穴阻挡层界面之间的距离相同。

另一方面，本申请的实施例提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请实施例提供的一种相关技术中发光器件的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种相关技术中发光器件的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种发光器件的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种对比例与本申请实施例的LT95时长对比图；

图7为本申请实施例提供的一种对比例与本申请实施例的overshoot现象对比图；

图8为本申请实施例提供的一种对比例与本申请实施例的加速因子对比图；

图9为本申请实施例提供的一种相关技术的蒸镀示意图；

图10为本申请实施例提供的一种蒸镀示意图。

具体实施例

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本申请的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

在本申请的实施例中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材 料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

随着科技的发展，OLED显示装置由于具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度和对比度高、广视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，具有越来越广泛的应用。目前配备有OLED显示屏的手机等电子产品正逐渐从高端旗舰走向中端产品，以满足更多普通消费者的使用需求。各手机厂商为了追求利益最大化及产品差异化，对OLED显示屏的性能要求也越来越高，比如：要求OLED显示屏能有良好的色彩表现，并具有长寿命、高可靠性、长时间使用后各方面性能波动较小等优点。

但是，目前由于不同材料裂解差异、器件结构差异等，在实际使用过程中会出现各种各样的问题。在实际生产阶段，为了解决各类型的问题，会根据实际需要改变OLED显示装置中某些膜层的厚度等，这就导致又存在如图1和图2所示的问题，其中图1和图2均为相关技术中的OLED显示装置的结构示意图。参考图1所示，OLED显示装置包括HTL层(Hole Transporting Layer，空穴传输层)101、Prime层102、EML层(Emitting Layer，发光层)103和HBL层(Hole Blocking Layer，空穴阻挡层)104，在通电的情况下，EML层103中的空穴105和电子106主要在Prime层102和EML层103的界面处复合形成激子。同理，参考图2所示，OLED显示装置包括HTL层101、EML层103和HBL层104，在通电的情况下，EML层103中的空穴和电子主要在EML层103靠近HTL层101处复合形成激子107。图1和图2均使得主发光区靠近EML层103边缘(图1和图2中的虚线内均为主发光区)，从而引起很多屏幕缺陷，比如T95时长较短、出现LT overshoot现象、长时使用屏幕出现色偏等问题。其中，上述T95时长是指OLED显示装置的发光亮度降低到初始亮度的95％所用的时长；LT overshoot现象是指OLED显示装置的亮度随着时间的推移先上升后下降的现象。

另外，目前用户通常使用OLED显示屏时的亮度较低，但如果在低亮度下测试产品的寿命，测试时间非常漫长，可行性低。一般为了保 证寿命测试的准确性和测试效率，通常采用中、高亮度的画面进行OLED显示屏的老化测试，再通过中、高亮度和低亮度下的老化速率的比值(即加速因子)，计算得到低亮度下对应的OLED显示屏的寿命。那么在中、高亮度下OLED显示屏寿命相同的情况下，高加速因子也代表着低亮度下OLED显示屏的寿命越长。但是，由于目前OLED不同材料裂解差异、器件结构差异等影响因素，导致加速因子很低。

基于上述，本申请的实施例提供了一种发光器件，参考图3、图4和图5所示，包括：发光层1，包括第一子层11、第二子层12和第三子层13，第二子层12设置在第一子层11和第三子层13之间；第二子层12包括主体材料和客体材料；在外界能量的作用下，第二子层12中复合有激子107。

其中，参考图3、图4和图5所示，第一子层11和第三子层13均包括主体材料；激子107在第二子层12中的浓度大于激子107在第一子层11中的浓度、且激子107在第二子层12中的浓度大于激子107在第三子层13中的浓度。

上述发光层可以是红色发光层、绿色发光层或者蓝色发光层中的任一种，此时，该发光层可用于单一颜色的发光。发光器件可以同时包括红色发光层、绿色发光层或者蓝色发光层三种发光层；当然，也可以仅包括一种发光层，例如：仅包括多个红色发光层，或者仅包括多个绿色发光层，或者仅包括多个蓝色发光层。具体可以根据实际要求确定。

这里对于上述第一子层的结构不做具体限定，示例的，上述第一子层可以包括单层结构；或者，上述第一子层可以包括多层结构。图3以第一子层11包括两层结构为例进行绘示；图4以第一子层11包括一层结构为例进行绘示；图5以第一子层11包括四层结构为例进行绘示。在上述第一子层包括多层结构的情况下，对于各层结构不做限定，具体以实际应用为准。

这里对于上述第二子层的结构不做具体限定，示例的，上述第二子层可以包括如图3-5所示的单层结构，具体以实际应用为准。

这里对于上述第三子层的结构不做具体限定，示例的，上述第三子层可以包括单层结构；或者，上述第三子层可以包括多层结构。图3以第三子层13包括两层结构为例进行绘示；图4以第三子层13包括一 层结构为例进行绘示；图5以第三子层13包括四层结构为例进行绘示。在上述第三子层包括多层结构的情况下，对于各层结构不做限定，具体以实际应用为准。

上述第二子层包括主体材料和客体材料，一般客体材料掺杂于主体材料中。这里以蓝色发光层为例进行说明，其他颜色发光层可以参照蓝色发光层，这里不再具体赘述。蓝色发光层包括主体材料和发蓝光的客体材料。

这里对于上述主体材料不做具体限定，示例的，上述主体材料可以包括空穴型主体材料，该空穴型主体材料为当有空穴注入时，在电场作用下可以实现载流子的定向有序的可控迁移，从而达到传输电荷的有机半导体材料；或者，示例的，上述主体材料可以包括电子型主体材料，该电子型主体材料为当有电子注入时，在电场作用下可以实现载流子的定向有序的可控迁移，从而达到传输电荷的有机半导体材料。

这里对于上述客体材料在主体材料中的掺杂比例范围不做具体限定，示例的，上述客体材料在主体材料中的掺杂比例范围可以包括1-10％，具体的，该掺杂比例可以为2％、4％、6％、8％或者10％等。

这里对于上述外界能量的类型不做具体限定，示例的，上述外界能量可以包括光、电等等。

这里对于上述激子在第一子层中的浓度不做具体限定，示例的，上述第一子层中可以没有激子；或者，上述第一子层中可以激子、且激子在第一子层中的浓度小于激子在第二子层中的浓度。

这里对于上述激子在第三子层中的浓度不做具体限定，示例的，上述第三子层中可以没有激子；或者，上述第三子层中可以激子、且激子在第三子层中的浓度小于激子在第二子层中的浓度。

这里对于上述第一子层、第二子层和第三子层的制备工艺不做具体限定，示例的，上述制备工艺可以包括蒸镀工艺、涂布工艺等。其中，蒸镀工艺的可实施性高，对发光器件的其他特性均无明显不良影响。

这里对于上述发光器件的类型不做具体限定，示例的，上述发光器件可以包括single OLED发光器件，即单个OLED；或者，上述发光器件可以包括Tandem OLED发光器件，即串联式OLED。

当今量产的OLED发光器件通常包括主体材料(RH)和客体材料(RD)，主体材料在光、电等外界能量的作用下可以向客体材料进行 能量传递，以使得客体材料辐射跃迁发光。具体的，OLED发光器件在电致激发下，空穴和电子会在主体材料上形成激子，激子的能级从主体材料上传递到客体材料上，然后再通过客体材料辐射跃迁发光，从而实现了发光器件的发光。

本申请实施例提供的发光器件包括发光层，该发光层包括第一子层、第二子层和第三子层，第二子层设置在第一子层和第三子层之间；第二子层包括主体材料和客体材料；在外界能量的作用下，第二子层中复合有激子；其中，第一子层和第三子层均包括主体材料；激子在第二子层中的浓度大于激子在第一子层中的浓度、且激子在第二子层中的浓度大于激子在第三子层中的浓度。由于第一子层和第三子层均未包括客体材料、且激子在第二子层中的浓度最大，那么在外界能量的作用下，迫使如图3和图5所示的大部分的空穴105和电子106在第二子层12内复合，形成如图4所示的激子107，即第二子层内的激子含量最高。在第二子层中的激子的能级从主体材料上传递到客体材料上，然后再通过客体材料辐射跃迁发光，从而使得本申请实施例提供的发光器件中的主发光区位于第二子层中，即主发光区位于发光层的中间，这样使得电子和空穴的相对比例更加平衡，进而能够有效提升发光器件的寿命，如增加LT95时长、减小甚至避免LT overshoot现象等。

此外，由于本申请实施例提供的发光器件的寿命显著提高，在很大程度上改善了OLED寿命加速因子较低的问题，有效提高了加速因子，进而保证了发光器件在低亮度下的寿命水平。

上述LT95时长可以从图6看出，图6为对比例(图1所示的发光器件结构)和本申请实施例的发光器件的LT95时长对比图，其中L1曲线为本申请实施例提供的发光器件的LT95时长曲线，L2曲线为对比例的LT95时长曲线。在图6中，横坐标代表时长、单位为hrs，纵坐标代表亮度百分比。参考图6所示，在相同的亮度下，本申请实施例提供的发光器件的LT95时长远大于对比例的LT95时长。

上述LT overshoot现象可以从图7看出，图7为对比例(图1所示的发光器件结构)和本申请实施例的发光器件的LT overshoot现象对比图，其中L4曲线为本申请实施例提供的发光器件的曲线，L3曲线为对比例的曲线。在图7中，横坐标代表时长、单位为hrs，纵坐标代表亮度百分比。参考图7所示，L3曲线从时长0到时长500-600hrs时间段 内有明显的overshoot现象，而L4曲线从时长0到时长500-600hrs时间段内亮度一直降低，没有overshoot现象。

上述加速因子可以从图8看出，图8为对比例(图2所示的发光器件结构)和本申请实施例的发光器件的加速因子对比图，其中L5曲线为本申请实施例提供的发光器件(改善后)的曲线，L6曲线为对比例(改善前)的曲线。在图8中，横坐标代表亮度的对数，纵坐标代表寿命的对数。参考图8所示，拟合L5曲线后得到改善后的加速因子n＝1.0，拟合L6曲线后得到改善前的加速因子n＝0.62，显然改善后的发光器件的加速因子显著增大。

可选地，参考图4所示，第一子层11和第三子层13均为单层结构、且均包括主体材料。从而将传统的发光层分为三个部分，即本申请的第一子层、第二子层和第三子层。通过在靠近发光层与相邻层界面处设计一层无客体发光分子掺杂的主体材料层，使得在外界能量的作用下可以迫使大部分激子位于第二子层中，从而使得本申请实施例提供的发光器件的主发光区位于发光层的中间，使得电子和空穴的相对比例更加平衡，避免由于激子靠近光层与相邻层界面处而打破电子和空穴平衡，进而能够有效提升发光器件的寿命，如增加LT95时长、减小甚至避免LT overshoot现象等，并保证较高的加速因子，使得发光器件在低亮度下的寿命保持在较高水平。

这里对于上述第一子层、第二子层和第三子层的制作工艺不做具体限定，示例的，上述制备工艺可以包括蒸镀工艺、涂布工艺等。其中，蒸镀工艺的可实施性高，对发光器件的其他特性均无明显不良影响。

下面以蒸镀工艺为例，说明本发明实施例的发光器件的一种具体制作工艺。图9为相关技术中的蒸镀工艺，目前采用主体材料(BH)和客体材料(BD)的蒸镀源同时蒸镀，调整蒸镀的角度板使两种材料按一定蒸镀速率和比例蒸镀在相同的区域。参考图9所示，包括主体材料(BH)蒸镀源和客体材料(BD)蒸镀源，沿着Scan Direction(扫描方向)例如先向左扫描再向右扫描，在向左扫描阶段，相关技术中由于BH蒸镀源和BD蒸镀源同时蒸镀，使得形成的层中同时具有BH材料和BD材料。

图10为本申请实施例的蒸镀工艺，通过调整BH材料和BD材料的蒸镀角度板，当沿着扫描方向移动时，可以在扫描往返的初始和结束 时刻，存在一部分膜层只有BH材料或BD材料中的一种材料。具体参考图10所示，例如在向左扫描阶段，可以先蒸镀BH材料形成第一子层，经过一段时间例如2s后，同时蒸镀BD材料形成第二子层；在向右扫描阶段，仍蒸镀BH材料和BD材料形成第二子层；在快结束前一段时间例如2s时，仅蒸镀BH材料形成第三子层，如此往复。

可选地，参考图4所示，发光器件还包括设置在第一子层11远离第二子层12一侧的空穴注入层18；第一子层11的最高分子占据轨道HOMO的能量值与第二子层12的最高分子占据轨道HOMO的能量值的差值的绝对值范围包括0.1-0.5eV。从而通过第一子层的HOMO能量值与第二子层的HOMO能量值配合，在外界能量的作用下，进一步迫使更多的激子位于第二子层，也就是说本申请实施例提供的发光器件的主发光区位于发光层的中间，避免靠近界面处打破电子和空穴平衡，使得电子和空穴的相对比例更加平衡，从而进一步有效提升发光器件的寿命，并进一步增大加速因子。

上述最高分子占据轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)是指在电子占有的分子轨道中，能量最高的分子轨道。最高分子占据轨道的能量值又称HOMO值。

这里对于上述第一子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值与第二子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值的差值的绝对值不做具体限定，示例的，上述第一子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值与第二子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值的差值的绝对值可以为0.1eV、0.2eV、0.3eV、0.4eV或者0.5eV等等。

可选地，参考图4所示，发光器件还包括设置在第三子层13远离第二子层12一侧的电子注入层19；第三子层13的最低分子未占据轨道LUMO的能量值与第二子层12的最低分子未占据轨道LUMO的能量值的差值的绝对值范围包括0.1-0.5eV。从而通过第三子层的LUMO能量值与第二子层的LUMO能量值配合，在外界能量的作用下，进一步迫使更多的激子位于第二子层，也就是说本申请实施例提供的发光器件的主发光区位于发光层的中间，避免靠近界面处打破电子和空穴平衡，使得电子和空穴的相对比例更加平衡，从而进一步有效提升发光器件的寿命，并进一步增大加速因子。

上述最低分子未占据轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO) 是指在电子未占有的分子轨道中，能量最低的分子轨道。最低分子未占据轨道的能量值又称LUMO值。

这里对于上述第三子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值与第二子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值的差值的绝对值不做具体限定，示例的，上述第三子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值与第二子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值的差值的绝对值可以为0.1eV、0.2eV、0.3eV、0.4eV或者0.5eV等等。

可选地，参考图4所示，沿垂直于发光层的方向(图中所示的OA方向)，第二子层12的厚度大于第一子层11的厚度、且第二子层12的厚度大于第三子层13的厚度。从而使得第一子层的厚度和第三子层的厚度与第二子层的厚度相比均很薄，第一子层中的主体材料和第三子层中的主体材料与第二子层相比均较少。在外界能量的作用下，能够迫使更多的激子位于第二子层，也就是说本申请实施例提供的发光器件的主发光区位于发光层的中间，避免靠近界面处打破电子和空穴平衡，使得电子和空穴的相对比例更加平衡，从而有效提升发光器件的寿命，并增大加速因子。

这里对于上述第一子层、第二子层和第三子层的厚度均不做具体限定，示例的，第一子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括20-30％，具体的，第一子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括20％、25％或者30％等等。示例的，第三子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括20-30％，具体的，第三子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括20％、25％或者30％等等。例如第二子层的厚度为 时，第一子层的厚度和第三子层的厚度可以均为

这里对于上述第一子层的厚度与第三子层的厚度的大小不做具体限定，示例的，上述第一子层的厚度与第三子层的厚度可以相同；或者，上述第一子层的厚度与第三子层的厚度可以不同。

可选地，为了便于制作，节省工艺，参考图4所示，沿垂直于发光层的方向，第一子层11的厚度与第三子层13的厚度相同。

可选地，参考图3和图5所示，第一子层11包括第一辅助子层111和第一电子阻挡子层112，第一电子阻挡子层112设置在第一辅助子层111和第二子层12之间。

参考图3和图5所示，第三子层13包括第二辅助子层131和第一 空穴阻挡子层132，第一空穴阻挡子层132设置在第二辅助子层131和第二子层12之间。这样使得发光器件的发光层包括五层结构，该五层结构中的第一电子阻挡子层可以限制电子从第二子层中穿出、且第一空穴阻挡子层可以限制空穴从第二子层中穿出，从而迫使大部分电子和空穴在第二子层中复合，使得发光器件的主发光区位于第二子层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

上述第一辅助子层是指用于发光的层，这里对于上述第一辅助子层的材料不做具体限定，示例的，上述第一辅助子层的材料可以包括主体材料和客体材料；或者，上述第一辅助子层的材料可以仅包括主体材料。

这里对于上述第一辅助子层的厚度不做具体限定，示例的，沿垂直于发光层的方向，第一辅助子层的厚度可以小于第二子层的厚度；或者，沿垂直于发光层的方向，第一辅助子层的厚度可以与第二子层的厚度相同。

上述第一电子阻挡子层对电子有较强的阻挡能力，对空穴迁移几乎无影响，能够阻挡第二子层中的电子穿出第二子层，保证更多地电子在第二子层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。这里对于上述第一电子阻挡子层的材料不做具体限定，示例的，上述第一电子阻挡子层的材料可以仅包括电子阻挡材料；或者，上述第一电子阻挡子层的材料可以包括电子阻挡材料、主体材料；或者，上述第一电子阻挡子层的材料可以包括电子阻挡材料、主体材料和客体材料。

这里对于上述第一电子阻挡子层的厚度不做具体限定，示例的，沿垂直于发光层的方向，第一电子阻挡子层的厚度可以远小于第二子层的厚度，此时不仅能够保证阻挡电子从第二子层穿过，从而将更多电子限制在第二子层中与空穴复合，使得发光器件的主发光区位于第二子层中间，还能够避免由于第一电子阻挡子层的厚度过厚导致电子阻挡子层与第二子层的界面产生能级差，导致激子在第一电子阻挡子层与第二子层的界面复合，降低发光器件的寿命。

上述第二辅助子层是指用于发光的层，这里对于上述第二辅助子层的材料不做具体限定，示例的，上述第二辅助子层的材料可以包括主体材料和客体材料；或者，上述第二辅助子层的材料可以仅包括主体材料。

这里对于上述第二辅助子层的厚度不做具体限定，示例的，沿垂直于发光层的方向，第二辅助子层的厚度可以小于第二子层的厚度；或者， 沿垂直于发光层的方向，第二辅助子层的厚度可以与第二子层的厚度相同。

上述第一空穴阻挡子层对空穴有较强的阻挡能力，对空穴迁移几乎无影响，能够阻挡第二子层中的空穴穿出第二子层，保证更多地空穴在第二子层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。这里对于上述第一空穴阻挡子层的材料不做具体限定，示例的，上述第一空穴阻挡子层的材料可以仅包括空穴阻挡材料；或者，上述第一空穴阻挡子层的材料可以包括空穴阻挡材料、主体材料；或者，上述第一空穴阻挡子层的材料可以包括空穴阻挡材料、主体材料和客体材料。

这里对于上述第一空穴阻挡子层的厚度不做具体限定，示例的，沿垂直于发光层的方向，第一空穴阻挡子层的厚度可以远小于第二子层的厚度，此时不仅能够保证阻挡空穴从第二子层穿过，从而将更多空穴限制在第二子层中与电子复合，使得发光器件的主发光区位于第二子层中间，还能够避免由于第一空穴阻挡子层的厚度过厚导致第一空穴阻挡子层与第二子层的界面产生能级差，导致激子在第一空穴阻挡子层与第二子层的界面复合，降低发光器件的寿命。

可选地，第一辅助子层和第二辅助子层均包括主体材料和客体材料。

第一空穴阻挡子层包括空穴阻挡材料；第一电子阻挡子层包括电子阻挡材料。此时的第一电子阻挡子层可以有效限制电子从第二子层中穿出、且第一空穴阻挡子层可以有效限制空穴从第二子层中穿出，从而迫使大部分电子和空穴在第二子层中复合，使得发光器件的主发光区位于第二子层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

这里对于上述第一辅助子层、第二辅助子层、第一电子阻挡子层和第一空穴阻挡子层的制作工艺不做具体限定，示例的，上述制备工艺可以包括蒸镀工艺、涂布工艺等。其中，蒸镀工艺的可实施性高，对发光器件的其他特性均无明显不良影响。

下面以蒸镀工艺为例，说明本发明实施例的发光器件的一种制作工艺。

首先同时打开主体材料(BH)和客体材料(BD)的蒸镀源，同时蒸镀BH材料和BD材料形成第一辅助子层；待形成预设厚度的第一辅助子层后，同时关闭BH材料和BD材料的蒸镀源，打开电子阻挡材料的蒸镀源，形成第一电子阻挡层；待形成预设厚度的第一电子阻挡子层 后，关闭电子阻挡材料的蒸镀源，同时打开BH材料和BD材料的蒸镀源，形成第二子层；待形成预设厚度的第二子层后，同时关闭BH材料和BD材料的蒸镀源，打开空穴阻挡材料的蒸镀源，形成第一空穴阻挡子层；待形成预设厚度的第一空穴阻挡子层后，关闭空穴阻挡材料的蒸镀源，同时打开BH材料和BD材料的蒸镀源，形成第二辅助子层。

可选地，第一辅助子层和第二辅助子层均包括主体材料和客体材料；

第一空穴阻挡子层包括主体材料、客体材料和空穴阻挡材料；第一电子阻挡子层包括主体材料、客体材料和电子阻挡材料。此时的第一电子阻挡子层可以有效限制电子从第二子层中穿出、且第一空穴阻挡子层可以有效限制空穴从第二子层中穿出，从而迫使大部分电子和空穴在第二子层中复合，使得发光器件的主发光区位于第二子层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

这里对于上述第一辅助子层、第二辅助子层、第一电子阻挡子层和第一空穴阻挡子层的制作工艺不做具体限定，示例的，上述制备工艺可以包括蒸镀工艺、涂布工艺等。其中，蒸镀工艺的可实施性高，对发光器件的其他特性均无明显不良影响。

下面以蒸镀工艺为例，说明本发明实施例的发光器件的一种制作工艺。

首先同时打开主体材料(BH)和客体材料(BD)的蒸镀源，同时蒸镀BH材料和BD材料形成第一辅助子层；待形成预设厚度的第一辅助子层后，还打开电子阻挡材料的蒸镀源，形成第一电子阻挡层；待形成预设厚度的第一电子阻挡子层后，关闭电子阻挡材料的蒸镀源，形成第二子层；待形成预设厚度的第二子层后，还打开空穴阻挡材料的蒸镀源，形成第一空穴阻挡子层；待形成预设厚度的第一空穴阻挡子层后，关闭空穴阻挡材料的蒸镀源，形成第二辅助子层。

可选地，参考图3和图5所示，沿垂直于发光层的方向，第二子层12的厚度大于第一空穴阻挡子层132的厚度、且第二子层12的厚度大于第一电子阻挡子层112的厚度。从而使得第一空穴阻挡子层的厚度和第一电子阻挡子层的厚度与第二子层的厚度相比均较薄，这样在外界能量的作用下，迫使更多的激子位于第二子层；同时避免由于第一空穴阻挡子层的厚度和第一电子阻挡子层的厚度过厚，造成第二子层分别与第一空穴阻挡子层和第一电子阻挡子层的界面产生能级，从而使得本申请 实施例提供的发光器件的主发光区位于发光层的中间，避免靠近界面处打破电子和空穴平衡，使得电子和空穴的相对比例更加平衡，从而有效提升发光器件的寿命，并增大加速因子。

这里对于上述第一空穴阻挡子层、第二子层和第一电子阻挡子层的厚度均不做具体限定，示例的，第一空穴阻挡子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括1-5％，具体的，第一空穴阻挡子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括1％、2％、3％、4％或者5％等等。示例的，第一电子阻挡子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括1-5％，具体的，第一电子阻挡子层的厚度与第二子层的厚度的比值范围包括1％、2％、3％、4％或者5％等等。例如第二子层的厚度为 时，第一空穴阻挡子层的厚度和第一电子阻挡子层的厚度可以均为

这里对于上述第一空穴阻挡子层的厚度与第一电子阻挡子层的厚度的大小不做具体限定，示例的，上述第一空穴阻挡子层的厚度与第一电子阻挡子层的厚度可以相同；或者，上述第一空穴阻挡子层的厚度与第一电子阻挡子层的厚度可以不同。

可选地，为了便于制作，节省工艺，参考图3和图5所示，沿垂直于发光层的方向，第一空穴阻挡子层132的厚度与第一电子阻挡子层112的厚度相同。

可选地，参考图5所示，第一子层11还包括第二电子阻挡子层1111，第二电子阻挡子层1111设置在第一电子阻挡子层112远离第二子层12的一侧、且将第一辅助子层111分成两部分。这样使得发光器件的发光层包括七层结构，该七层结构中的第一电子阻挡子层可以限制电子从第二子层中穿出，但是仍可能会有少量电子从第二子层中穿出进入第一辅助子层，那么第二电子阻挡子层可以限制电子从第一辅助子层中穿出，从而尽可能使得发光器件的主发光区位于发光层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

上述第二电子阻挡子层对电子有较强的阻挡能力，对空穴迁移几乎无影响，能够阻挡第一辅助子层中的电子穿出第一辅助子层，保证更多地电子在第一辅助子层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。这里对于上述第二电子阻挡子层的材料不做具体限定，示例的，上述第二电子阻挡子层的材料可以仅包括电子阻挡材料；或者，上述第二电子阻挡子层的材料可以包括电子阻挡材料、主体材料；或者， 上述第二电子阻挡子层的材料可以包括电子阻挡材料、主体材料和客体材料。

这里对于上述第二电子阻挡子层的厚度不做具体限定，示例的，沿垂直于发光层的方向，第二电子阻挡子层的厚度可以远小于第二子层的厚度；或者，第二电子阻挡子层的厚度可以与第一电子阻挡子层的厚度相同，具体以实际应用为准。

需要说明的是，参考图5所示，第二电子阻挡子层1111将第一辅助子层111分成两部分，一部分为第一部分1112、另一部分为第二部分1113。这里对于第一部分1112和第二部分1113的具体材料不做限定，示例的，第一部分1112和第二部分1113的材料可以均包括主体材料和客体材料；或者，第一部分1112和第二部分1113的材料可以均包括主体材料，具体以实际应用为准。

可选地，第二电子阻挡子层包括主体材料、客体材料和电子阻挡材料；第二电子阻挡子层中的电子阻挡材料在主体材料中的掺杂浓度，大于第一电子阻挡子层中的电子阻挡材料在主体材料中的掺杂浓度。从而使得第一电子阻挡子层可以限制电子从第二子层中穿出，但是仍可能会有少量电子从第二子层中穿出进入第一辅助子层，那么由于第二电子阻挡子层中的电子阻挡材料在主体材料中的掺杂浓度更大，通过第二电子阻挡子层可以进一步限制电子从第一辅助子层中穿出，从而尽可能使得发光器件的主发光区位于发光层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

可选地，参考图5所示，第三子层13还包括第二空穴阻挡子层1311，第二空穴阻挡子层1311设置在第一空穴阻挡子层132远离第二子层12的一侧、且将第二辅助子层131分成两部分。这样使得发光器件的发光层包括九层结构，该九层结构中的第一空穴阻挡子层可以限制空穴从第二子层中穿出，但是仍可能会有少量空穴从第二子层中穿出进入第二辅助子层，那么第二空穴阻挡子层可以限制电子从第二辅助子层中穿出，从而尽可能使得发光器件的主发光区位于发光层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

上述第二空穴阻挡子层对空穴有较强的阻挡能力，对电子迁移几乎无影响，能够阻挡第二辅助子层中的电子穿出第二辅助子层，保证更多地空穴在第二辅助子层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提 高发光效率。这里对于上述第二空穴阻挡子层的材料不做具体限定，示例的，上述第二空穴阻挡子层的材料可以仅包括空穴阻挡材料；或者，上述第二空穴阻挡子层的材料可以包括空穴阻挡材料、主体材料；或者，上述第二空穴阻挡子层的材料可以包括空穴阻挡材料、主体材料和客体材料。

这里对于上述第二空穴阻挡子层的厚度不做具体限定，示例的，沿垂直于发光层的方向，第二空穴阻挡子层的厚度可以远小于第二子层的厚度；或者，第二空穴阻挡子层的厚度可以与第一空穴阻挡子层的厚度相同，具体以实际应用为准。

需要说明的是，需要说明的是，参考图5所示，第二空穴阻挡子层1311将第二辅助子层131分成两部分，一部分为第三部分1312、另一部分为第四部分1313。这里对于第三部分1312和第四部分1313的具体材料不做限定，示例的，第三部分1312和第四部分1313的材料可以均包括主体材料和客体材料；或者，第三部分1312和第四部分1313的材料可以均包括主体材料，具体以实际应用为准。

可选地，第二空穴阻挡子层包括主体材料、客体材料和空穴阻挡材料；第二空穴阻挡子层中的空穴阻挡材料在主体材料中的掺杂浓度，大于第一空穴阻挡子层中的空穴阻挡材料在主体材料中的掺杂浓度。从而使得第一空穴阻挡子层可以限制空穴从第二子层中穿出，但是仍可能会有少量空穴从第二子层中穿出进入第二辅助子层，那么由于第二空穴阻挡子层中的空穴阻挡材料在主体材料中的掺杂浓度更大，通过第二空穴阻挡子层可以进一步限制空穴从第二辅助子层中穿出，从而尽可能使得发光器件的主发光区位于发光层的中间，有效延长发光器件的寿命，并提高加速因子。

可选地，参考图3和图5所示，发光器件还包括电子阻挡层14和空穴阻挡层15，电子阻挡层14设置在第一子层11远离第二子层12的一侧，空穴阻挡层15设置在第三子层13远离第二子层12的一侧。

第一电子阻挡子层与第一辅助子层和电子阻挡层界面之间的距离，与第一空穴阻挡子层与第二辅助子层和空穴阻挡层界面之间的距离相同。

上述电子阻挡层能够阻挡发光层中的电子穿出发光层，保证更多地电子在发光层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发 光效率。

上述空穴阻挡层能够阻挡发光层中的空穴穿出发光层，保证更多地空穴在发光层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。

这里对于上述第一电子阻挡子层与第一辅助子层和电子阻挡层界面之间的距离、以及第一空穴阻挡子层与第二辅助子层和空穴阻挡层界面之间的距离均不做具体限定，示例的，上述第一电子阻挡子层与第一辅助子层和电子阻挡层界面之间的距离范围可以包括10-30％，具体的，若发光层的厚度为 第一电子阻挡子层到第一辅助子层和电子阻挡层界面之间的距离可以为 或者 等等。示例的，上述第一空穴阻挡子层与第二辅助子层和空穴阻挡层界面之间的距离范围可以包括10-30％，具体的，若发光层的厚度为 第一空穴阻挡子层与第二辅助子层和空穴阻挡层界面之间的距离可以为 或者 等等。

可选地，参考图2、图3和图5所示，发光器件还包括阳极20和阴极21，阳极20设置在空穴注入层18远离第一子层11的一侧，阴极21设置在电子注入层19远离第三子层13的一侧。

参考图2、图3和图5所示，发光器件还包括空穴传输层16和电子传输层17，空穴传输层16设置在空穴注入层18和电子阻挡层14之间，电子传输层17设置在电子注入层19和空穴阻挡层15之间。

这里对于上述阳极的材料不做具体限定，示例的，上述阳极的材料可以包括ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)。

这里对于上述阳极的制作工艺不做具体限定，示例的，可以将带有ITO的玻璃板在去离子水中超声处理，然后在100℃下烘干，得到阳极。

可选地，发光器件还包括封装层，封装层设置在阴极远离发光层的一侧、并覆盖发光层。从而能够通过封装层对发光器件很好的进行封装，防止发光器件受到水汽、氧气的侵蚀。

这里对于上述封装层的结构不做具体限定，示例的，封装层可以为单层结构，例如封装层可以仅包括一层无机层；或者，封装层可以为多层结构，例如封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，具体以实际应用为准。

另一方面，本申请的实施例还提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。

上述显示装置可以是具有触控功能的显示装置，或者，还可以是具有折叠或卷曲功能的显示装置，或者还可以是同时具有触控功能和折叠功能的显示装置，这里不做限定。该显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示屏)，这里不做限定。

上述显示装置可以是OLED显示装置、Micro LED显示装置或者Mini LED显示装置。

上述显示装置可以是电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件；上述显示装置还可以应用于身份识别、医疗器械等领域，已推广或具有很好推广前景的产品包括安防身份认证、智能门锁、医疗影像采集等。该显示装置具有寿命长、成本低、显示效果好、稳定性高、对比度高、成像质量好、产品品质高等优点。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (17)

1. 一种发光器件，其中，包括：

   发光层，包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层设置在所述第一子层和所述第三子层之间；所述第二子层包括主体材料和客体材料；在外界能量的作用下，所述第二子层中复合有激子；

   其中，所述第一子层和所述第三子层均包括所述主体材料；所述激子在所述第二子层中的浓度大于所述激子在所述第一子层中的浓度、且所述激子在所述第二子层中的浓度大于所述激子在所述第三子层中的浓度。
2. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一子层和所述第三子层均为单层结构、且均包括所述主体材料。
3. 根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括设置在所述第一子层远离所述第二子层一侧的空穴注入层；

   所述第一子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值与所述第二子层的最高分子占据轨道HOMO的能量值的差值的绝对值范围包括0.1-0.5eV。
4. 根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括设置在所述第三子层远离所述第二子层一侧的电子注入层；

   所述第三子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值与所述第二子层的最低分子未占据轨道LUMO的能量值的差值的绝对值范围包括0.1-0.5eV。
5. 根据权利要求2所述的发光器件，其中，沿垂直于所述发光层的方向，所述第二子层的厚度大于所述第一子层的厚度、且所述第二子层的厚度大于所述第三子层的厚度。
6. 根据权利要求5所述的发光器件，其中，沿垂直于所述发光层的方向，所述第一子层的厚度与所述第三子层的厚度相同。
7. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一子层包括第一辅助子层和第一电子阻挡子层，所述第一电子阻挡子层设置在所述第一辅助子层和所述第二子层之间；

   所述第三子层包括第二辅助子层和第一空穴阻挡子层，所述第一空穴阻挡子层设置在所述第二辅助子层和所述第二子层之间。
8. 根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一辅助子层和 所述第二辅助子层均包括所述主体材料和所述客体材料；

   所述第一空穴阻挡子层包括空穴阻挡材料；所述第一电子阻挡子层包括电子阻挡材料。
9. 根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一辅助子层和所述第二辅助子层均包括所述主体材料和所述客体材料；

   所述第一空穴阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和空穴阻挡材料；所述第一电子阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和电子阻挡材料。
10. 根据权利要求7所述的发光器件，其中，沿垂直于所述发光层的方向，所述第二子层的厚度大于所述第一空穴阻挡子层的厚度、且所述第二子层的厚度大于所述第一电子阻挡子层的厚度。
11. 根据权利要求10所述的发光器件，其中，沿垂直于所述发光层的方向，所述第一空穴阻挡子层的厚度与所述第一电子阻挡子层的厚度相同。
12. 根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第一子层还包括第二电子阻挡子层，所述第二电子阻挡子层设置在所述第一电子阻挡子层远离所述第二子层的一侧、且将所述第一辅助子层分成两部分。
13. 根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第二电子阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和所述电子阻挡材料；

    所述第二电子阻挡子层中的所述电子阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度，大于所述第一电子阻挡子层中的所述电子阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度。
14. 根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第三子层还包括第二空穴阻挡子层，所述第二空穴阻挡子层设置在所述第一空穴阻挡子层远离所述第二子层的一侧、且将所述第二辅助子层分成两部分。
15. 根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述第二空穴阻挡子层包括所述主体材料、所述客体材料和所述空穴阻挡材料；

    所述第二空穴阻挡子层中的所述空穴阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度，大于所述第一空穴阻挡子层中的所述空穴阻挡材料在所述主体材料中的掺杂浓度。
16. 根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述第一子层远离所 述第二子层的一侧，所述空穴阻挡层设置在所述第三子层远离所述第二子层的一侧；

    所述第一电子阻挡子层与所述第一辅助子层和所述电子阻挡层界面之间的距离，与所述第一空穴阻挡子层与所述第二辅助子层和所述空穴阻挡层界面之间的距离相同。
17. 一种显示装置，其中，包括权利要求1-16任一项所述的发光器件。