CN117498960A - 一种电压调试方法、设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种电压调试方法、设备，所述信号发射电路包括：获取参考功率回退值和参考电压；控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

Description

一种电压调试方法、设备

技术领域

本申请涉及终端控制技术，尤其涉及一种电压调试方法、设备。

背景技术

同一个频段不同的最大功率回退值(Maximum Power Reduction，MPR)和调制方式下都是使用同一组校准参数，其中，一组校准参数包括以下参数：校准电压、功率放大器(Power amplifier，PA)增益模式、校准信道、校准各电压等级对应的校准功率、功率反馈校准等等，其中，校准功率和校准电压相对应，不区分调制方式和资源块(Resource Block，RB)数量的多少，及PA线性区指标的考量。在最大功率情况下，电压值需要覆盖所有调制方式的性能，导致最大功率的功耗比较大，无法通过调整电压值来较好的优化最大功率情况下的功耗。

发明内容

本申请实施例提供一种电压调试方法、设备，能够通过电压值的校准来降低功耗和可靠性风险。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种电压调试方法，包括：

获取参考功率回退值和参考电压；

控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

本申请实施例提供一种电子设备，包括：

获取单元，配置为获取参考功率回退值和参考电压；

调试单元，配置为控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

本申请实施例提供一种电子设备，包括处理器，所述处理器被配置成：

获取参考功率回退值和参考电压；

控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

本申请实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现上述电压调试方法中的步骤。

本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，实现上述电压调试方法。

本申请实施例提供的芯片，用于实现上述的电压调试方法，所述芯片包括：处理器，用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有该芯片的设备执行上述的电压调试方法。

本申请实施例提供的电压调试方法、设备，控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，在信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，功率最高，可靠性要求也最高，但线性度要求不是最高的，因此，可以通过确定功率回退值为所述参考功率回退值下的电压，来降低功耗和可靠性风险。

附图说明

图1是本申请实施例提供的信号电压调试方法的一个可选的流程示意图；

图2是本申请实施例提供的信号电压调试方法的一个可选的流程示意图；

图3是本申请实施例提供的偏置参数文件的一个可选的示意示意图；

图4是本申请实施例提供的校准参数的一个可选的查看界面示意图；

图5是本申请实施例提供的发射参数示意图；

图6是本申请实施例提供的发射参数示意图；

图7是本申请实施例提供的电子设备的一个可选的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的电子芯片的一个可选的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的电子设备的一个可选的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的电子设备的一个可选的示意性结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，所描述的实施例不应视为对本申请的限制，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

下面，对本申请实施例提供的电压调试方法、设备的各实施例进行说明。

本申请实施例提供的电压调试方法如图1所示，包括：

S101、电子设备获取参考功率回退值和参考电压。

参考功率回退值为预先设置的功率回退值。电子设备中可设置多个参考功率回退值，在进行电压校正时，可从多个参考功率回退值中确定一个参考功率回退值用于当前的电压校正。本申请实施例中，参考功率回退值可为基于当前的发射参数确定的MPR，参考功率回退值可为0、1等，发射参数包括以下参数中的一个或多个：功率等级、波形、调试方式、带宽，其中，带宽可通过RB类型来确定，RB类型包括：边缘RB、外部RB、内部RB。其中，波形可包括：基于离散傅里叶变换的扩频正交频分复用(Disc rete Fourier Transform-Spread-Orthogonal Frequency Division Multiplexing，DFT-s-OFDM)、循环前缀正交频分复用(Cyclic Prefix Orthogonal Frequency Division Multiplexing，CP-OFDM)等，调制方式可包括：正交相移键控(Quadrature Phase Shift Keying，QPSK)、正交幅度调制即16进制正交幅度调制(16-ary Quadrature Amplitude Modulation，16QAM)、64QAM、256QAM等。

本申请实施例中，在参考功率回退值下，功率最高，可靠性要求也最高，但线性度要求不是最高的。

参考电压为预先设置的用于进行电压调试的初始电压。参考电压的取值可根据实际需求进行设置。

本申请实施例中，可在功率放大器的偏置文件中设置偏置参数，偏置参数作为功率放大器内部CMO S工作时使用的偏置电压值，作用是给PA加的偏置电压，通过PA COMS进行放大。

S102、电子设备控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

本申请实施例中，信号发射机中控制功率放大器的MRP为参考功率回退值的情况下，将参考电压作为初始电压输入至功率放大器，得到功率放大器的功率回退值为参考功率回退值且输入电压为参考电压的情况下的功率和信号发射机的发射指标，并基于该功率和发射指标来判断是继续对功率放大器输入的电压进行调整，直到得到目标电压。其中，功率放大器的功率回退值为参考功率回退值且输入电压为目标电压的情况下，功率放大器的功率满足设定的功率条件，且信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

本申请实施例中，功率条件可基于预设的校准功率设置，校准条件可基于设定的用于校准的发射指标设置。发射指标可包括指标至少之一：线性度邻道泄露比(AdjacentChannel Leakage Ratio，ACLR)、矢量幅度误差(error vector magnitude，EVM)、标准误差(Stand Error of Mean，SEM)、带内放射(In-Band Emission，IBE)等。

电子设备确定目标电压后，将目标电压和校准功率添加到一个校准参数组中，以进行电子设备的校准。其中，一个校准参数组除了包括有电压、校准功率外，还可包括以下参数：功率放大器增益。

实际应用中，电子设备可配置有校准文件，校准文件中可包括有多个校准参数组，不同校准参数组中的以下参数中的一个或多个的取值不同：电压、校准功率、功率放大器增益。校准文件中除了包括多个校准参数外，还可包括以下参数中的一个或多个：指示校准的射频通路的通路索引、校准温度、功率值数量(与包括的校准参数组的数量相同)、PA的增益模式的数量、最大功率补偿的参数，其中，校准文件所包括的参数可根据实际需求进行设置。对于不同的校准参数组，可根据校准参数中所包括的功率进行排序，从而设置为不同档位的校准参数。

本申请实施例中，电子设备可在校准文件中针对各校准参数组设置功能指示信息(usage)，以指示各校准参数组的功能。

在一示例中，在确定目标电压之前，功率等级2对应包括8个校准参数组，在确定目标电压后，可将目标电压对应的校准参数组添加至功率等级2对应的校准参数组中，使得功率等级2对应包括9个校准参数组。

在一示例中，在确定目标电压之前，功率等级3对应包括9个校准参数组，在确定目标电压后，可将目标电压对应的校准参数组添加至功率等级3对应的校准参数组中，使得功率等级3对应包括10个校准参数组。

本申请实施例中，对于不同的功率等级，确定的目标电压可独立。

本申请实施例提供的电压调试方法，控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，在信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，功率最高，可靠性要求也最高，但线性度要求不是最高的，因此，可以通过确定功率回退值为所述参考功率回退值下的电压，来降低功耗和可靠性风险。

在一些实施例中，S102中对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，包括：

确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

在所述校准功率不符合设定的功率条件或所述校准发射指标不满足校准条件的情况下，对所述参考电压进行调整，得到调整后的参考电压，并继续确定所述信号发射机的电压为所述调整后的参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

在所述校准功率符合设定的功率条件且所述校准发射指标满足校准条件的情况下，将所述信号发射机的电压确定为所述目标电压。

可理解的，如图2所示，包括：

S201、确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

S202、判断所述校准功率是否符合设定的功率条件并判断所述校准发射指标是否满足校准条件；

若所述校准功率不符合设定的功率条件或所述校准发射指标不满足校准条件，则执行S203。若所述校准功率符合设定的功率条件且所述校准发射指标满足校准条件，则执行S204。

S203、对所述参考电压进行调整，得到调整后的参考电压；

得到调整后的参考电压，继续基于调整后的参考电压执行S201。

S204、将所述信号发射机的电压确定为所述目标电压。

电子设备在确定PA当前输入的参考电压对应的校准功率不符合设定的功率条件且对应的校准发射指标不满足校准条件的情况下，可基于设定的电压步长对当前参考电压进行调整，得到调整后的参考电压。

本申请实施例提供的电压调试方法中，以参考电压为初始电压，通过电压的多次迭代来确定最终满足条件的目标电压，保证确定出的目标电压的准确性。

在一些实施例中，所述确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标，包括：

确定所述发射机被配置的至少两个带宽；

基于所述至少两个带宽确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标。

在针对一参考电压的一次迭代过程中，可确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下，所述发射机被配置的至少两个带宽中各带宽的校准功率和校准发射指标，也可确定所述至少两个带宽中部分带宽的校准功率和校准发射指标。

本申请实施例中，针对不同的带宽，可确定不同RB类型下的校准功率和校准发射指标。在一示例中，确定大带宽，可确定大RB下的校准功率和校准发射指标，针对小带宽，可确定小RB下的校准功率和校准发射指标。

在一些实施例中，所述方法还包括：

将目标功率和所述校准功率进行比较；

若所述目标功率和所述校准功率的功率差小于或等于设定的功率差门限，则确定所述校准功率满足所述设定的功率条件。

针对校准功率，将校准功率和预设的目标功率进行比较，确定二者的功率差，若二者之间的功率差小于或等于设定的功率差门限，则确定该校准功率满足设定的功率条件；若二者之间的功率差大于设定的功率差门限，则认为该校准功率不符合功率条件。

在实际应用中，针对多个带宽，可将各带宽对应的校准功率和目标功率进行比较，若各带宽对应的校准功率均满足设定的功率条件或第一数量的带宽中各带宽的校准功率满足设定的功率条件，则确定当前的参考电压的校准功率满足设定的功率条件，其中，第一数量可基于确定校准功率的带宽的数量来确定。

本申请实施例中，目标功率的取值可预先设置，其中，目标功率的取值可基于校准文件中各个校准参数组所包括的功率来确定，比如：目标功率为校准文件中各个校准参数组所包括的功率中的一个功率。目标功率也可为预定义的。

在一些实施例中，所述至少两个带宽包括第一带宽和第二带宽，所述校准发射指标包括所述第一带宽下的第一校准发射指标和所述第二带宽下的第二校准发射指标，所述第一带宽大于所述第二带宽，所述方法还包括：

若确定所述第一校准发射指标满足第一射频条件，且所述第二校准发射指标满足第二射频条件，则确定所述校准发射指标满足校准条件。

本申请实施例中，针对一参考电压，终端设备从至少两个带宽中确定两个带宽：第一带宽和第二带宽，其中，第一带宽的取值大于第二带宽的取值。终端设备确定第一带宽对应的校准发射指标即第一校准发射指标和第二带宽对应的校准发射指标即第二校准发射指标，判断第一校准发射指标是否满足第一射频条件，并判断第二校准发射指标是否满足第二射频条件。若第一校准发射指标满足第一射频条件，且第二校准发射指标满足第二射频条件，则确定该参考电压对应的校准发射指标满足校准条件；否则，认为该参考电压对应的校准发射指标不满足校准条件。

对于第一射频条件相对于第二射频条件，第一发射指标的射频性能要求高于第二发射指标的射频性能要求。

在一示例中，第一射频条件为第一校准发射指标大于目标发射指标且第一校准发射指标与目标发射指标的差值大于设定的发射指标差值门限，第二射频条件为第二校准发射指标大于或等于目标发射指标。

在一示例中，第一射频条件为第一校准发射指标大于或等于第一目标发射指标，第二射频条件为第二发射指标大于第二目标发射指标，其中，第一目标发射指标大于第二目标发射指标。

上述描述的目标发射指标、发射指标差值门限、第一目标发射指标、第二目标发射指标的取值可根据实际需求进行设置。

在一些实施例中，所述方法还包括：

获取校准参数组包括的至少两个带宽；

确定所述至少两个带宽中各带宽，得到至少两个带宽；

将所述至少两个带宽中最大的带宽确定为所述第一带宽；

将所述至少两个带宽中最小的带宽确定为所述第二带宽。

针对一参考电压，电子设备可在信号发射机被配置的至少两个带宽中选择最大的带宽和最小的带宽，从而基于最大带宽和最小带宽判断当前的参考电压是否需要继续调整。

在一些实施例中，所述方法还包括：

获取一个或多个校准参数组所包括的一个或多个功率；若获取一个功率，则将获取的所述功率作为所述目标功率；若获取多个功率，则将获取的所述多个功率中最大的功率作为所述目标功率。

本申请实施例中，电子设备基于校准文件所包括的功率确定目标功率，若校准文件目前仅有个校正参数组，则认为该校正参数组所包括的频率即校准文件所包括的一个功率为目标功率。若校正文件包括多个校正参数组，则校准文件包括多个功率，电子设备对校准文件所包括的多个功率进行排序，将校准文件所包括的功率中最大的功率确定为目标功率。

下面，以电子设备为手机为例，对本申请实施例提供的电压校准的方法进行进一步说明。

同一个频段不同的MPR和调制方式下都是使用同一组校准参数，其中，一组校准参数包括以下参数：校准电压、PA增益模式、校准信道、校准各电压等级对应的校准功率、功率反馈校准等等，其中，校准功率和校准电压相对应，不区分调制方式和RB数量的多少，及PA线性区指标的考量。

在一示例中，通路索引即校准索引为11的射频通路的校准参数如下：

校准索引(calibration idx)＝11；

温度索引(temperature index)＝4；

PA区域数量(pa section number)＝8；

PA模式数量(Pa mode number)＝3；

期望功率偏移(wanted power offset)＝1.000000；

发送补偿PA增益频率(1KHz)(Tx compensate pa gain frequency)＝2010000，2011100，2012100，2013200，2014300，2015400，2016400，2017500；

PA模式映射＝2，1，1，0，0，0，0，0；

PA控制电压等级(pa control dc2dc level)＝0.8V，0.9V，1.0V，1.3V，1.6V，1.8V，2.1V，2.9V，0.0V，0.0V；

PA控制发射功率(pa control prf)＝1.00000，6.00000，10.00000，13.00000，16.00000，18.00000，20.00000，23.00000，0.00000，0.00000；

PA控制PA增益(pa control pa gain)＝25.125000，28.71875，34.31250，35.37500，35.93750，36.31250，36.90625，37.90625，0.00000，0.00000；

256QAM usage＝0，0，0，0，0，0，0，0，0，0。

上述示例中，calibration idx是校准的射频通路，temperature index是校准温度，取值4代表常温，pa section number代表设置的功率值数量即包括的校准参数组的数量，对应的是pa control prf里设置的数量。Pa mode number代表PA的增益模式的数量，对应的是pa mode map里设置的值。wanted poweroffset是代表对最大功率的补偿，TX com是代表校准的信道。control dc2dc level是各功率段使用的电压值，和pa prf一一对应的。Pa gain代表增益值。256qam用于enable某些功能使用。Tx com power detector是功率反馈校准参数。

对于上述设置，存在以下技术缺陷：

1、针对调制方式较低，功率要求比较高时，但是对PA线性度要求不高的情况，使得性能较优，但是增加了PA可靠性风险。其中，PA线性度要求不高的情况，仍然使用比较高的电压，增加了PA的输出消耗，长期使用是处于电压比较高情况，对PA同样是损伤，所以导致pa的可靠性存在风险。

2、最大功率情况下，电压值需要覆盖所有调制方式的性能，导致最大功率的功耗比较大，无法通过调整电压值来较好的优化最大功率情况下的功耗。

MPR0是3GPP定义的功率回退为0的状态。PA的输出能力是有限的，功率要求越高，对PA的品质和工艺要求越高，同样对PA可靠性要求比较高。MPR0功率比较高时，QPSK低调制方式的性能是完全可以满足要求的，这种情况下对PA的线性度要求比较低。电压越高功耗会越高，同时可靠性风险也越高。

MPR0(一般是QPSK及以下的调制方式，部分partial RB)功率最高，可靠性要求也最高，但线性度要求不是最高的，因此，就可以通过单独降低MPR0下的电压(或者静态工作点)去降低功耗和可靠性风险，通过增加MPR0功率使能档位，配置相关校准脚本参数，单独进行电压值设置并校准，验证MPR0功率QPSK以下调制方式的性能，不断的迭代电压值，选取功率和发射指标都可以满足校准标准的同时功耗最优的电压值作为MPR0的最终电压参数。其中，校准标准包括功率条件和校准条件。

在迭代电压值过程中，可以参考电压作为初始电压，确定当前的电压对应的功率和发射指标，以判断当前的电压值是否满足校准标准。若不满足，则对电压值进行调整，知道确定满足校准标准的电压即目标电压。

表1和表2为3GPP要求的功率等级(Power Class，PC)2和PC3功率条件下的MPR功率回退标准，inner RB调制方式为QPSK以下的条件下，最大功率回退值为0dB。

表1 PC3的使用规则示例

表2 PC2的使用规则示例

实现方法如下：

1、MTK平台平均功率跟踪(Average power tracking，APT)共有10档，针对PC3用了8个档位，针对PC2用了9个档位，所以有没用到的档位可以用来做电压等校准参数的remapping重映射。PC3和PC2的使用规则如下所示：

256QAM usage＝2(指示256QAM被使能)；

只能使用index＝8或9(只能使用索引为8或9的档位)；

Prf只能使用已经使用过的档位；

PC3的带宽新增的prf使用index8对应的prf，可与256QAM usage＝1功能共用；

PC3的带宽新增的prf使用index9对应的prf，可与256QAM usage＝1功能2选1共用。

其中，256QAM usage＝1功能指usage取值为1时所使能的功能，该功能为usage＝2时使能的MPR0功能以外的功能，本申请实施例对该功能的具体内容不进行限定。

这里，PC3是index8新增一位prf值，其取值与index1值index7中各索引对应的功率值中的最大功率值相同，PC2是index9新增一位prf值，其取值与index1值index8中各索引对应的功率值中的最大功率值相同。

2、调试时这一档只需考虑最大带宽下partial RB最大RB下的线性度邻道泄露比(Adjacent ChannelLeakage Ratio，ACLR)、矢量幅度误差(error vector magnitude，EVM)等指标满足量产余量，以及小带宽小RB场景的指标没有问题，来降低电压或者静态工作点来优化功耗和降低可靠性风险。

3、配置新增档位对应的PA偏执(bias)文件中的参数(对于class 2，原始最高档位G8，新增档位为G9，对于class 3，原始最高档位G7，新增档位为G8)。在一示例中，如图3所示，新增的偏置参数为档位8即第9档的偏置参数8。其中，偏置参数是PA内部CMOS工作时使用的偏置电压值，通过PA COMS进行放大。

4、配置校准文件对应的新增档位的信息下所示：

修改前：

256QAM usage＝0，0，0，0，0，0，0，0，0，0；

校准索引(calibration idx)＝0；

PA控制电压等级(pa control dc2dc level)＝0.9V，1.0V，1.2V，1.4V，2.2V，2.6V，2.8V，3.4V；

PA控制PA增益(pa control pa gain)＝25.125000，28.71875，34.31250，35.37500，35.93750，36.31250，36.90625，37.90625，0.00000，0.00000；

PA控制发射功率(pa control prf)＝1.00000，6.00000，10.00000，13.00000，16.00000，18.00000，20.00000，23.00000，0.00000，0.00000；

PA模式映射＝2，1，1，0，0，0，0，0；

PA模式数量(Pa mode number)＝3；

PA模式prf索引＝7，2，0；

PA区域数量(pa section number)＝8。

修改后：

256QAM usage＝0，0，0，0，0，0，0，0，2，0；

校准索引(calibration idx)＝0；

PA控制电压等级(pa control dc2dc level)＝0.9V，1.0V，1.2V，1.4V，2.2V，2.6V，2.8V，3.4V，2.0V；

PA控制PA增益(pa control pa gain)＝25.125000，28.71875，34.31250，35.37500，35.93750，36.31250，36.90625，37.90625，38.10625，0.00000；

PA控制发射功率(pa control prf)＝1.00000，6.00000，10.00000，13.00000，16.00000，18.00000，20.00000，23.00000，23.00000，0.00000；

PA模式映射＝2，1，1，0，0，0，0，0；

PA模式数量(Pa mode number)＝3；

PA模式prf索引＝7，2，0；

PA区域数量(pa section number)＝9。

相对于修改前，新增档位的信息即新增校正参数组包括以下参数：256QAM usage中第9个取值为2的取值，PA控制电压等级中第9个即最后一个2.0V，PA控制发射功率中第9个功率：23.00000。其中，这里的23.000为修改前的最大功率，2.0V是迭代校准得到的目标电压，其中，新增的2.0V通过验证射频性能满足要求后最终选取的电压值，用于校准时使用的。

一个校正参数组中包括有：电压值、PA增益、发射功率大小，其中，PA控制电压等级、PA控制PA增益、PA控制发射功率中按照顺序，各参数分别属于不同的校正参数组，对于不同校正参数组，所包括的功率是从低功率到高功率，不同的功率对应不同的电压值。在实际射频通信时不同的功率发射时会自动调用对应的电压，校准参数都是在校准完成时写入手机保存的，用户使用是会不断的进行调用的。

5、多次校准并迭代直至功率符合预期没有异常，并查看校准结果是否符合预期有新增的档位校准信息，可以通过工具查看，查看工具的显式界面如图4所示，其中，通过设置的电压值校准完成后，在仪表端测试对应的功率值，如果测试出来的功率值准确，功率值跳动在目标功率值±0.8dBm范围内是满足要求的，即认为是没有异常的。

图5和图6分别为N1和N41的MPR0分电压校准功耗和电压收益结果：

1、功率越高，功耗收益越大，比如n41在目标功率26dBm时功耗收益有38％以上；其中，通过图5和图6中的实测功率值确定，功率越大，功耗收益比较高，其中，功耗收益为原始的功耗值(去除底电流)减去分压校准后测试的功耗值(去除底电流)。

2、同理电压收益也越高，n41电压最多可降低1.1V以上，大大降低了可靠性风险，电压收益可基于图5或图6所示的原始参数和分压校准后设置的电压值确定，其中，电压收益为原始参数和分压校准后设置的电压值的比值。

在图5中，针对N1，原始参数为第8档(G7)信息，其中，G7信息中电压为3.4V，分压校准优化后MRP0为增加的第9档(G8)信息，其中，增加的G8信息中电压为3V。

在图6中，针对N41，原始参数为第9档(G8)信息，其中，G8信息中针对20MHz的电压为4.1V，针对100MHz的电压为3.6V。分压校准优化后MRP0为增加的第10档(G9)信息，其中，增加的G9信息中，针对20MHz的电压为3V，针对100MHz的电压为3.6V电压为3.2V。

在本申请实施例提供的电压调试方法中，由于MPR0(一般是QPSK及以下的调制方式，partial RB)功率最高，可靠性要求也最高，但线性度要求不是最高的，因此就可以通过单独降低MPR0下的电压(或者静态工作点)去降低功耗和可靠性风险，通过增加MPR0功率使能档位，配置相关校准脚本参数，单独进行电压值设置并校准，验证MPR0功率QPSK以下调制方式的性能，不断的迭代电压值，选取功率和指标都可以满足标准的同时功耗最优的电压值作为MPR0的最终电压参数。

本申请实施例提供的电压调试方法中，通过采用MPR0分电压校准方式，进一步降低了PA的可靠性风险，确保了通信质量的可靠性和稳定性；另外，在大功率情况下可以使用较低电压满足射频通信性能，功耗大幅降低，为用户提供更好的续航和发热体验。

本申请实施例提供的电压调试方法，还适用于LTE制式QPSK以下调制方式，另外，16QAM、64QAM、256QAM调制方式要求线性度比较高，如果可靠性要求降低在满足射频性能的同时，也可以采用本申请实施例提供的电压调试方法分电压校准。

如图7所示，本申请实施例提供一种电子设备700，包括：

获取单元701，配置为获取参考功率回退值和参考电压；

调试单元702，配置为控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

在一些实施例中，调试单元702，还配置为：

确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

在所述校准功率不符合设定的功率条件或所述校准发射指标不满足校准条件的情况下，对所述参考电压进行调整，得到调整后的参考电压，并继续确定所述信号发射机的电压为所述调整后的参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

在所述校准功率符合设定的功率条件且所述校准发射指标满足校准条件的情况下，将所述信号发射机的电压确定为所述目标电压。

在一些实施例中，调试单元702，还配置为：

确定所述发射机被配置的至少两个带宽；

确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下，所述至少两个带宽中各带宽的校准功率和校准发射指标。

在一些实施例中，电子设备700还包括：第一确定单元，配置为：

将目标功率和所述校准功率进行比较；

若所述目标功率和所述校准功率的功率差小于或等于设定的功率差门限，则确定所述校准功率满足所述设定的功率条件。

在一些实施例中，电子设备700还包括：第二确定单元，配置为：

若确定第一校准发射指标满足第一射频条件，且所述第二校准发射指标满足第二射频条件，则确定所述校准发射指标满足校准条件；其中，所述至少两个带宽包括第一带宽和第二带宽，所述校准发射指标包括所述第一带宽下的第一校准发射指标和所述第二带宽下的第二校准发射指标，所述第一带宽大于所述第二带宽。

在一些实施例中，电子设备700还包括：第一选择单元，配置为：

获取校准参数组包括的至少两个带宽；

确定所述至少两个带宽中各带宽，得到至少两个带宽；

将所述至少两个带宽中最大的带宽确定为所述第一带宽；

将所述至少两个带宽中最小的带宽确定为所述第二带宽。

在一些实施例中，电子设备700还包括：第二选择单元，配置为：

获取一个或多个校准参数组所包括的一个或多个功率；

若获取一个功率，则将获取的所述功率作为所述目标功率；

若获取多个功率，则将获取的所述多个功率中最大的功率作为所述目标功率。

本领域技术人员应当理解，本申请实施例的上述电子设备的相关描述可以参照本申请实施例的电压调试方法的相关描述进行理解。

图8为本申请实施例提供的一种可选的电子设备的结构示意图，如图8所示，本申请实施例提供了一种电子设备800，包括有电子芯片801，电子芯片能够实施为如上述一个多个实施例所述的功率控制算法。

本申请实施例提供一种电子设备，图9为本申请实施例提供的另一种可选的电子设备的结构示意图，如图9所示，本申请实施例提供了一种电子设备900，包括：

处理器901以及存储有所述处理器901可执行指令的存储介质902，所述存储介质902通过通信总线903依赖所述处理器901执行操作，当所述指令被所述处理器901执行时，执行上述一个或多个实施例中所执行的所述电压调试方法。

需要说明的是，实际应用时，终端中的各个组件通过通信总线903耦合在一起。可理解，通信总线903用于实现这些组件之间的连接通信。通信总线903除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图9中将各种总线都标为通信总线903。

本申请实施例提供了一种计算机存储介质，所述计算机可读存储介质用于存储计算机程序，所述计算机程序使得计算机执行如上述一个或多个实施例所述电压调试方法的步骤。

本申请实施例提供的一种电子设备1000示意性结构图。图10所示的电子设备1000包括处理器1010。处理器1010被配置为：

获取参考功率回退值和参考电压；

控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

本申请实施例中，处理器1010可以从存储器中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的电压调试方法。

可选地，如图10所示，电子设备1000还可以包括存储器1020。其中，处理器1010可以从存储器1020中调用并运行计算机程序，以实现本申请实施例中的电压调试方法。

其中，存储器1020可以是独立于处理器1010的一个单独的器件，也可以集成在处理器1010中。

可选地，如图10所示，电子设备1000还可以包括收发器1030，处理器1010可以控制该收发器1030与其他设备进行通信，具体地，可以接收其他设备发送的信号。这里，收发器可包括至少两个天线。

可理解的，收发机中包括多条用于接收信号或发射信号的物理通路，一条或多条用于发射信号的物理通路上的物理元件构成一发射机。其中，发射机中各物理通路的MPR的取值独立。

可选地，该电子设备1000可以实现本申请实施例的各个方法中由电子设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。应理解，本申请实施例的处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法实施例的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field Programmable Gate Arra y，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。

可以理解，本申请实施例中的存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器，或可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable ROM，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable PROM，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically EPROM，EEPROM)或闪存。易失性存储器可以是随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(Static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(Dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(Synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data RateSDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(Enhanced SDR AM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(Synchlink DRAM，SLDRAM)和直接内存总线随机存取存储器(Direct Rambus RAM，DR RAM)。应注意，本文描述的系统和方法的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

应理解，上述存储器为示例性但不是限制性说明，例如，本申请实施例中的存储器还可以是静态随机存取存储器(static RAM，SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic RAM，DRAM)、同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM，SDRAM)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(doubledata rate SDRAM，DDR SDRAM)、增强型同步动态随机存取存储器(enhanced SDRAM，ESDRAM)、同步连接动态随机存取存储器(synch link DRAM，SLDRAM)以及直接内存总线随机存取存储器(Direct Ramb us RAM，DR RAM)等等。也就是说，本申请实施例中的存储器旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。

本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，用于存储计算机程序。

可选的，该计算机可读存储介质可应用于本申请实施例中的终端设备，并且该计算机程序使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

本申请实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序指令。

可选的，该计算机程序可应用于本申请实施例中的终端设备，当该计算机程序在计算机上运行时，使得计算机执行本申请实施例的各个方法中由终端设备实现的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Me mory，)ROM、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种电压调试方法方法，其特征在于，所述方法包括：

获取参考功率回退值和参考电压；

控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，包括：

确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

在所述校准功率不符合设定的功率条件或所述校准发射指标不满足校准条件的情况下，对所述参考电压进行调整，得到调整后的参考电压，并继续确定所述信号发射机的电压为所述调整后的参考电压情况下的校准功率和校准发射指标；

在所述校准功率符合设定的功率条件且所述校准发射指标满足校准条件的情况下，将所述信号发射机的电压确定为所述目标电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下的校准功率和校准发射指标，包括：

确定所述发射机被配置的至少两个带宽；

确定所述信号发射机的电压为所述参考电压情况下，所述至少两个带宽中各带宽的校准功率和校准发射指标。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将目标功率和所述校准功率进行比较；

若所述目标功率和所述校准功率的功率差小于或等于设定的功率差门限，则确定所述校准功率满足所述设定的功率条件。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述至少两个带宽包括第一带宽和第二带宽，所述校准发射指标包括所述第一带宽下的第一校准发射指标和所述第二带宽下的第二校准发射指标，所述第一带宽大于所述第二带宽，所述方法还包括：

若确定所述第一校准发射指标满足第一射频条件，且所述第二校准发射指标满足第二射频条件，则确定所述校准发射指标满足校准条件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取校准参数组包括的至少两个带宽；

确定所述至少两个带宽中各带宽，得到至少两个带宽；

将所述至少两个带宽中最大的带宽确定为所述第一带宽；

将所述至少两个带宽中最小的带宽确定为所述第二带宽。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取一个或多个校准参数组所包括的一个或多个功率；

若获取一个功率，则将获取的所述功率作为所述目标功率；

若获取多个功率，则将获取的所述多个功率中最大的功率作为所述目标功率。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：

获取单元，配置为获取参考功率回退值和参考电压；

调试单元，配置为控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

9.一种电子设备，包括处理器，其特征在于，所述处理器被配置成：

获取参考功率回退值和参考电压；

控制信号发射机的最大功率回退值为所述参考功率回退值的情况下，对所述参考电压进行迭代校准，得到目标电压，其中，所述信号发射机的电压为所述目标电压的情况下，所述信号发射机中功率放大器的功率符合设定的功率条件，且所述信号发射机的发射指标满足设定的校准条件。

10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时，实现权利要求1至7任一项所述电压调试方法中的步骤。

11.一种存储介质，存储有可执行程序，其特征在于，所述可执行程序被处理器执行时，实现权利要求1至7任一项所述的电压调试方法。

12.一种芯片，包括处理器，其特征在于，所述处理器配置成执行权利要求1至7中任一项所述的电压调试方法。