CN117478100B - 一种带谐振腔体声波滤波器多工器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种带谐振腔体声波滤波器多工器及其制备方法，属于滤波器技术领域。包括衬底层和设置在所述衬底层表面的带谐振腔体声波滤波单元，所述带谐振腔体声波滤波单元的个数≥2，所述带谐振腔体声波滤波单元包括依次层叠设置的支撑层、下电极、压电层和上电极，所述支撑层位于所述衬底层的表面，所述支撑层的上表面与所述下电极的下表面形成空腔；所述带谐振腔体声波滤波单元在空间位置上相对垂直。本发明限定了带谐振腔体声波滤波单元的个数≥2，将多颗滤波器集成在一颗芯片中，纵向堆叠多颗滤波器可一次完成流片测试，节约成本，且缩短产品开发周期、节约光罩数量、减小芯片面积，进一步降低生产成本，同时能够提高器件稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种带谐振腔体声波滤波器多工器及其制备方法。
背景技术
BAW滤波器（Bulk Acoustic Wave Filter），中文全称为带谐振腔体声波滤波器，是一种声学滤波器。它主要由BAWSMR-固体安装谐振器和FBAR-薄膜体声波谐振器两种类别，拥有优异性能且支持高频，可用于组成射频前端模块，可在无线通信的各类场景下获得使用。
BAW滤波器的基本原理是基于频率的滤波方法，通过将输入信号与一个窗函数进行卷积运算，从而实现对特定频段的滤波，在窗函数内的信号被保留，而窗函数外的信号被抑制或滤除。BAW通常利用布置在压电材料的相对的顶部表面和底部表面上的电极对声波进行换能。
现有的BAW多工器需先制造出单颗滤波器产品，再将多颗滤波器封装到一起，存在多款产品需单独流片、多颗产品需要配套使用的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种带谐振腔体声波滤波器多工器及其制备方法。本发明的带谐振腔体声波滤波器多工器将多颗滤波器集成在一颗芯片中，纵向堆叠多颗滤波器，可一次完成流片测试。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种带谐振腔体声波滤波器多工器，包括衬底层和设置在所述衬底层表面的带谐振腔体声波滤波单元，所述带谐振腔体声波滤波单元的个数≥2，所述带谐振腔体声波滤波单元在空间位置上相对垂直；每个带谐振腔体声波滤波单元包括依次层叠设置的支撑层、下电极、压电层和上电极，所述支撑层位于所述衬底层的表面；每个带谐振腔体声波滤波单元中设置有空腔，以所述衬底层为内，单侧按照由内到外的延伸顺序第n个带谐振腔体声波滤波单元中的空腔由第n个带谐振腔体声波滤波单元中下电极、支撑层和底层结构围成，n为1时所述底层结构为衬底层，n≥2时所述底层结构为第n-1个带谐振腔体声波滤波单元中的下电极。
优选地，所述带谐振腔体声波滤波单元设置于所述衬底层的一侧。
优选地，当所述带谐振腔体声波滤波单元的个数为2时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器包括衬底层以及在所述衬底层表面由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一下电极、第一压电层、第一上电极、第二支撑层、第二下电极、第二压电层和第二上电极；
所述第一支撑层、第一下电极和衬底层围成第一空腔；所述第二支撑层、第二下电极和第一下电极围成第二空腔，所述第一压电层和第一上电极位于所述第二空腔内。
优选地，所述带谐振腔体声波滤波单元设置于所述衬底层的两侧。
优选地，当所述带谐振腔体声波滤波单元的个数为2时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器包括衬底层；在所述衬底层一侧表面由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一下电极、第一压电层和第一上电极；在所述衬底层另一侧表面由上到下依次层叠设置的第二支撑层、第二下电极、第二压电层和第二上电极；
所述第一支撑层、第一下电极和衬底层围成第一空腔；所述第二支撑层、第二下电极和衬底层围成第二空腔。
优选地，所述支撑层的厚度为2~10μm。
优选地，所述支撑层的材质为多晶硅。
优选地，所述压电层的材质为氮化铝或铝钪氮。
本发明还提供了上述技术方案所述的带谐振腔体声波滤波器多工器的制备方法，包括以下步骤：
在衬底层表面沉积牺牲层后部分刻蚀所述牺牲层，在所述部分刻蚀后的位置沉积形成支撑层，在所述支撑层的表面依次沉积下电极、压电层和上电极后，刻蚀剩余所述牺牲层形成空腔，得到所述带谐振腔体声波滤波器多工器。
优选地，所述牺牲层的材质为硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃。
本发明提供了一种带谐振腔体声波滤波器多工器，包括衬底层和设置在所述衬底层表面的带谐振腔体声波滤波单元，所述带谐振腔体声波滤波单元的个数≥2，所述带谐振腔体声波滤波单元在空间位置上相对垂直；每个带谐振腔体声波滤波单元包括依次层叠设置的支撑层、下电极、压电层和上电极，所述支撑层位于所述衬底层的表面；每个带谐振腔体声波滤波单元中设置有空腔，以所述衬底层为内，单侧按照由内到外的延伸顺序第n个带谐振腔体声波滤波单元中的空腔由第n个带谐振腔体声波滤波单元中下电极、支撑层和底层结构围成，n为1时所述底层结构为衬底层，n≥2时所述底层结构为第n-1个带谐振腔体声波滤波单元中的下电极。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明限定了带谐振腔体声波滤波单元的个数≥2，将多颗滤波器集成在一颗芯片中，纵向堆叠多颗滤波器可一次完成流片测试，节约成本，且缩短产品开发周期、节约光罩数量、减小芯片面积，进一步降低生产成本，同时能够提高器件稳定性。
本发明还提供了上述技术方案所述带谐振腔体声波滤波器多工器的制备方法，本发明的方法简便，易于实现工业化应用。
附图说明
图1为本发明带谐振腔体声波滤波单元设置于衬底层的一侧时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器的结构示意图；
图2为本发明带谐振腔体声波滤波单元设置于衬底层的两侧时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器的结构示意图；
图3为部分刻蚀第一牺牲层011-1后的示意图；
图4为沉积第一支撑层012的示意图；
图5为沉积第一下电极013、第一压电层014和第一上电极015的示意图；
图6为刻蚀第一上电极015的示意图；
图7为刻蚀第一压电层014的示意图；
图8为刻蚀第一下电极013的示意图；
图9为沉积第二牺牲层016-1的示意图；
图10为部分刻蚀第二牺牲层016-1后的示意图；
图11为沉积第二支撑层017的示意图；
图12为刻蚀第二上电极020、第二压电层019和第二下电极018后的示意图；
图1~12中010为衬底层，011为第一空腔，012为第一支撑层，013为第一下电极，014为第一压电层，015为第一上电极，016为第二空腔，017为第二支撑层，018为第二下电极，019为第二压电层，020为第二上电极，011-1为第一牺牲层，016-1为第二牺牲层。
具体实施方式
本发明提供了一种带谐振腔体声波滤波器多工器，包括衬底层和设置在所述衬底层表面的带谐振腔体声波滤波单元，所述带谐振腔体声波滤波单元的个数≥2，所述带谐振腔体声波滤波单元在空间位置上相对垂直；每个带谐振腔体声波滤波单元包括依次层叠设置的支撑层、下电极、压电层和上电极，所述支撑层位于所述衬底层的表面；每个带谐振腔体声波滤波单元中设置有空腔，以所述衬底层为内，单侧按照由内到外的延伸顺序第n个带谐振腔体声波滤波单元中的空腔由第n个带谐振腔体声波滤波单元中下电极、支撑层和底层结构围成，n为1时所述底层结构为衬底层，n≥2时所述底层结构为第n-1个带谐振腔体声波滤波单元中的下电极。
在本发明中，所述带谐振腔体声波滤波单元优选设置于所述衬底层的一侧，当所述带谐振腔体声波滤波单元的个数优选为2时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器优选包括衬底层以及在所述衬底层表面由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一下电极、第一压电层、第一上电极、第二支撑层、第二下电极、第二压电层和第二上电极；所述第一支撑层、第一下电极和衬底层围成第一空腔；所述第二支撑层、第二下电极和第一下电极围成第二空腔，所述第一压电层和第一上电极位于所述第二空腔内。下面结合图1对本发明所述带谐振腔体声波滤波器多工器的结构进行说明。
图1为本发明带谐振腔体声波滤波单元设置于衬底层的一侧时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器的结构示意图，图1中010为衬底层，011为第一空腔，012为第一支撑层，013为第一下电极，014为第一压电层，015为第一上电极，016为第二空腔，017为第二支撑层，018为第二下电极，019为第二压电层，020为第二上电极，011-1为第一牺牲层，016-1为第二牺牲层。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括衬底层010。
本发明对所述衬底层010的材料和厚度不做要求，在本发明中的具体实施例中，所述衬底层010的材质为硅。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述衬底层010上的第一支撑层012。
在本发明中，所述第一支撑层012的厚度优选为2~10μm。
在本发明中，所述第一支撑层012的材质优选为多晶硅。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第一支撑层012上的第一下电极013。
在本发明中，所述第一下电极013的厚度优选为500~10000Å，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
在本发明中，所述第一下电极013的材质优选为钼、钨或铜。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括第一空腔011，所述第一空腔011是第一支撑层012、第一下电极013和衬底层010围成的。
在本发明中，所述第一空腔011的厚度优选为2~10μm。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第一下电极013上的第一压电层014。
在本发明中，所述第一压电层014的材质优选为氮化铝（AlN）或铝钪氮（AlScN）。
在本发明中，所述第一压电层014的厚度优选为1000~20000Å，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第一压电层014上的第一上电极015。
在本发明中，所述第一上电极015的厚度优选为500~10000Å，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
在本发明中，所述第一上电极015的材质优选为钼、钨或铜。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括第二支撑层017。
在本发明中，所述第二支撑层017优选层叠到所述的第一下电极013上。
在本发明中，所述第二支撑层017优选部分层叠到所述的第一下电极013上，剩余部分层叠到所述的第一支撑层012上。
在本发明中，所述第二支撑层017的厚度优选为2~10μm，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
在本发明中，所述第二支撑层017的材质优选与第一支撑层012的材质一致。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第二支撑层017上的第二下电极018。
在本发明中，所述第二下电极018的厚度优选为500~10000Å，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
在本发明中，所述第二下电极018的材质优选为钼、钨或铜。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括第二空腔016，所述第二空腔016是第二支撑层017、第二下电极018和第一下电极013围成的，所述第一压电层014和第一上电极015位于所述第二空腔016内。
在本发明中，所述第二空腔016的厚度优选为2~10μm。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第二下电极018上的第二压电层019。
在本发明中，所述第二压电层019的材质优选为氮化铝（AlN）或铝钪氮（AlScN）。
在本发明中，所述第二压电层019的厚度优选为1000~20000Å，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第二压电层019上的第二上电极020。
在本发明中，所述第二上电极020的厚度优选为500~10000Å，薄膜厚度的片内均匀性优选<1%。
在本发明中，所述第二上电极020的材质优选为钼、钨或铜。
在本发明中，所述带谐振腔体声波滤波单元优选设置于所述衬底层的两侧，当所述带谐振腔体声波滤波单元的个数优选为2时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器优选包括衬底层；在所述衬底层一侧表面由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一下电极、第一压电层和第一上电极；在所述衬底层另一侧表面由上到下依次层叠设置的第二支撑层、第二下电极、第二压电层和第二上电极；所述第一支撑层、第一下电极和衬底层围成第一空腔；所述第二支撑层、第二下电极和衬底层围成第二空腔。下面结合图2对本发明所述带谐振腔体声波滤波器多工器的结构进行说明。
图2为本发明带谐振腔体声波滤波单元设置于衬底层的两侧时，所述带谐振腔体声波滤波器多工器的结构示意图。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括衬底层010。本发明对所述衬底层010的材质、厚度没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括第一支撑层012和第二支撑层017。
在本发明中，所述第一支撑层012和第二支撑层017优选分别设置于所述衬底层010的两侧。
本发明对所述第一支撑层012和第二支撑层017的材质、厚度没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠在所述第一支撑层012上的第一下电极013。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠在所述第二支撑层017上的第二下电极018。
在本发明中，所述第一下电极013和第二下电极018的材质、厚度没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括第一空腔011和第二空腔016，所述第一空腔011是第一支撑层012、第一下电极013和衬底层010围成的，所述第二空腔016是第二支撑层017、第二下电极018和衬底层010围成的。
本发明对所述第一空腔011和第二空腔016没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠在所述第一下电极013上的第一压电层014。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠在所述第二下电极018上的第二压电层019。
本发明对所述第一压电层014和第二压电层019的材质、厚度没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第一压电层014上的第一上电极015。
本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器包括层叠到所述第二压电层019上的第二上电极020。
本发明对所述第一上电极015和第二上电极020的材质、厚度没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。
本发明还提供了上述技术方案所述的带谐振腔体声波滤波器多工器的制备方法，包括以下步骤：
在衬底层表面沉积牺牲层后部分刻蚀所述牺牲层，在所述部分刻蚀后的位置沉积形成支撑层，在所述支撑层的表面依次沉积下电极、压电层和上电极后，刻蚀剩余所述牺牲层形成空腔，得到所述带谐振腔体声波滤波器多工器。
以带谐振腔体声波滤波单元优选设置于所述衬底层的一侧为例，结合图3~12，对本发明的制备方法进行说明。
本发明在所述衬底层010表面沉积第一牺牲层011-1。
在本发明中，所述第一牺牲层011-1的厚度优选为2~10μm。
在本发明中，所述第一牺牲层011-1的材质优选为硅酸盐玻璃（USG）或磷硅酸盐玻璃（PSG）。当形成所述第二上电极020后，对所述第一牺牲层011-1进行部分刻蚀，形成所述第一空腔011，所述部分刻蚀的作用是为了沉积所述第一支撑层012作准备，所述部分刻蚀的示意图如图3所示。
形成所述第一牺牲层011-1后，本发明优选沉积所述第一支撑层012，沉积所述第一支撑层012的示意图如图4所示。
沉积所述第一支撑层012完成后，本发明优选进行化学机械抛光使所述第一支撑层012与第一牺牲层011-1的水平面相同。
形成所述第一支撑层012后，本发明依次沉积形成第一下电极013、第一压电层014和第一上电极015，示意图如图5所示。
本发明优选依次刻蚀所述第一上电极015、第一压电层014和第一下电极013，刻蚀所述第一上电极015的示意图如图6所示，刻蚀所述第一压电层014的示意图如图7所示，刻蚀所述第一下电极013的示意图如图8所示。
本发明对所述刻蚀的具体参数没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的方式即可。
刻蚀完成后，本发明沉积第二牺牲层016-1，沉积所述第二牺牲层016-1的示意图如图9所示。
在本发明中，所述第二牺牲层016-1的厚度优选为2~10μm。
在本发明中，所述第二牺牲层016-1的材质优选为硅酸盐玻璃（USG）或磷硅酸盐玻璃（PSG）。当形成所述第二上电极020后，对所述第二牺牲层016-1进行刻蚀，形成所述第二空腔016。
所述沉积第二牺牲层016-1完成后，本发明优选还包括部分刻蚀，所述部分刻蚀的作用是为了沉积所述第二支撑层017作准备，所述部分刻蚀的示意图如图10所示。
形成所述第二牺牲层016-1后，本发明优选沉积所述第二支撑层017，沉积所述第二支撑层017的示意图如图11所示。
沉积所述第二支撑层017完成后，本发明优选进行化学机械抛光使所述第二支撑层017与第二牺牲层016-1的水平面相同。
形成所述第二支撑层017后，本发明依次沉积形成第二下电极018、第二压电层019和第二上电极020。
本发明优选依次刻蚀所述第二上电极020、第二压电层019和第二下电极018，刻蚀后示意图如图12所示。
刻蚀所述第二下电极018完成后，本发明优选还刻蚀所述第一牺牲层011-1形成所述第一空腔011，刻蚀所述第二牺牲层016-1形成所述第二空腔016。
以带谐振腔体声波滤波单元优选设置于所述衬底层的两侧为例，对本发明的制备方法进行说明。
本发明在所述衬底层010的两侧表面分别沉积第一牺牲层011-1和第二牺牲层016-1。
在本发明中，所述第一牺牲层011-1和第二牺牲层016-1的厚度、材质没有特殊的限定，优选与上述方案一致，在此不再赘述。当形成所述第二上电极020后，对所述第一牺牲层011-1进行刻蚀，形成所述第一空腔011，对所述第二牺牲层016-1进行刻蚀，形成所述第二空腔016。
所述沉积第一牺牲层011-1和第二牺牲层016-1完成后，本发明优选还包括部分刻蚀，所述部分刻蚀的作用是为了沉积所述第一支撑层012和第二支撑层017作准备。
形成所述第一牺牲层011-1和第二牺牲层016-1后，本发明优选在所述第一牺牲层011-1上沉积所述第一支撑层012，在所述第二牺牲层016-1上沉积所述第二支撑层017。
沉积所述第一支撑层012和第二支撑层017完成后，本发明优选进行化学机械抛光使所述第一支撑层012与第一牺牲层011-1的水平面相同，使所述第二支撑层017与第二牺牲层016-1的水平面相同。
形成所述第一支撑层012和第二支撑层017后，本发明依次在所述第一支撑层012表面沉积形成第一下电极013、第一压电层014和第一上电极015，在所述第二支撑层017表面沉积形成第二下电极018、第二压电层019和第二上电极020。
本发明优选依次刻蚀所述第一上电极015、第一压电层014和第一下电极013，优选依次刻蚀所述第二上电极020、第二压电层019和第二下电极018。
刻蚀所述第二下电极018完成后，本发明优选还刻蚀所述第一牺牲层011-1形成所述第一空腔011，刻蚀所述第二牺牲层016-1形成所述第二空腔016。
在本发明中，所述沉积优选为化学气相沉积或气相沉积，本发明对所述沉积的具体参数没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的方式即可。
为了进一步说明本发明，下面结合实例对本发明提供的带谐振腔体声波滤波器多工器及其制备方法进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
一种带谐振腔体声波滤波器多工器，结构如图1所示，制备过程如下：
在衬底层010（硅）表面沉积第一牺牲层011-1（厚度为10μm，材质为硅酸盐玻璃），然后对第一牺牲层011-1部分刻蚀后，沉积第一支撑层012（多晶硅，厚度为10μm），然后对第一支撑层012进行化学机械抛光使第一支撑层012与第一牺牲层011-1的水平面相同，再依次沉积形成第一下电极013（铜，500Å）、第一压电层014（氮化铝，1000Å）和第一上电极015（铜，500Å），然后依次刻蚀第一上电极015、第一压电层014和第一下电极013，刻蚀完成后，沉积第二牺牲层016-1（厚度为10μm，材质为硅酸盐玻璃），然后对第二牺牲层016-1部分刻蚀后，沉积第二支撑层017（多晶硅，厚度为10μm），然后对第二支撑层017进行化学机械抛光使第二支撑层017与第二牺牲层016-1的水平面相同，再依次沉积形成第二下电极018（铜，500Å）、第二压电层019（氮化铝，1000Å）和第二上电极020（铜，500Å），然后依次刻蚀第二上电极020、第二压电层019和第二下电极018，再刻蚀第一牺牲层011-1形成第一空腔011，刻蚀第二牺牲层016-1形成第二空腔016。
实施例2
一种带谐振腔体声波滤波器多工器，结构如图2所示，采用双面堆叠，制备过程如下：
在衬底层010（硅）的两侧表面分别沉积第一牺牲层011-1（厚度为2μm，材质为磷硅酸盐玻璃）和第二牺牲层016-1（厚度为2μm，材质为磷硅酸盐玻璃），再进行部分刻蚀，然后沉积第一支撑层012（多晶硅，厚度为2μm）和第二支撑层017（多晶硅，厚度为2μm），对第一支撑层012和第二支撑层017进行化学机械抛光使第一支撑层012与第一牺牲层011-1的水平面相同，第二支撑层017与第二牺牲层016-1的水平面相同，然后依次在第一支撑层012表面沉积形成第一下电极013（钨，10000Å）、第一压电层014（铝钪氮，20000Å）和第一上电极015（钨，10000Å），在第二支撑层017表面沉积形成第二下电极018（钨，10000Å）、第二压电层019（铝钪氮，20000Å）和第二上电极020（钨，10000Å），再依次刻蚀第一上电极015、第一压电层014和第一下电极013，再依次刻蚀所述第二上电极020、第二压电层019和第二下电极018，最后再刻蚀第一牺牲层011-1形成第一空腔011，刻蚀第二牺牲层016-1形成第二空腔016。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并非对本发明作任何形式上的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种带谐振腔体声波滤波器多工器，其特征在于，包括衬底层和设置在所述衬底层表面的带谐振腔体声波滤波单元，所述带谐振腔体声波滤波单元的个数为2，所述带谐振腔体声波滤波单元在空间位置上相对垂直；每个带谐振腔体声波滤波单元包括依次层叠设置的支撑层、下电极、压电层和上电极，所述支撑层位于所述衬底层的表面；
所述带谐振腔体声波滤波单元设置于所述衬底层的两侧；
所述带谐振腔体声波滤波器多工器包括在所述衬底层一侧表面由下到上依次层叠设置的第一支撑层、第一下电极、第一压电层和第一上电极；在所述衬底层另一侧表面由上到下依次层叠设置的第二支撑层、第二下电极、第二压电层和第二上电极；
所述第一支撑层、第一下电极和衬底层围成第一空腔；所述第二支撑层、第二下电极和衬底层围成第二空腔；
所述支撑层的厚度为2~10μm。
2.根据权利要求1所述的带谐振腔体声波滤波器多工器，其特征在于，所述支撑层的材质为多晶硅。
3.根据权利要求1所述的带谐振腔体声波滤波器多工器，其特征在于，所述压电层的材质为氮化铝或铝钪氮。
4.一种权利要求1~3任一项所述的带谐振腔体声波滤波器多工器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底层表面沉积牺牲层后部分刻蚀所述牺牲层，在所述部分刻蚀后的位置沉积形成支撑层，在所述支撑层的表面依次沉积下电极、压电层和上电极后，刻蚀剩余所述牺牲层形成空腔，得到所述带谐振腔体声波滤波器多工器；
所述牺牲层的材质为硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃；所述牺牲层的厚度为2~10μm；
所述沉积牺牲层完成后，还包括部分刻蚀，所述部分刻蚀的作用是为了沉积所述支撑层作准备。
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