CN117460978A - 光波导、量子运算装置及光波导的制造方法 - Google Patents

光波导、量子运算装置及光波导的制造方法 Download PDF

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Abstract

光波导具有：金刚石层，其具有第一面及第二面，且包含复合缺陷；第一包层，其与所述第一面相接；第二包层，其与所述第二面相接，且具有极性；以及金属层，其与所述第二包层进行肖特基接触。

Description

光波导、量子运算装置及光波导的制造方法
技术领域
本发明涉及光波导、量子运算装置及光波导的制造方法。
背景技术
对使用色心作为金刚石层中的复合缺陷的量子运算装置用的光波导进行了研究。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第8837544号说明书
专利文献2：日本特表2007-526639号公报
专利文献3：美国专利申请公开第2007/0277730号说明书
发明内容
发明所要解决的课题
量子运算装置在数K左右的极低温下使用，但在以往的光波导中，在极低温下复合缺陷的荷电状态容易变得不稳定。
本公开的目的在于提供一种能够提高复合缺陷的荷电状态的稳定性的光波导、量子运算装置及光波导的制造方法。
用于解决课题的手段
根据本公开的一方式，提供一种光波导，具有：金刚石层，其具有第一面及第二面，且包含复合缺陷；第一包层，其与所述第一面相接；第二包层，其与所述第二面相接，且具有极性；及金属层，其与所述第二包层进行肖特基接触。
发明效果
根据本公开，能够提高复合缺陷的荷电状态的稳定性。
附图说明
图1是示出第一实施方式的光波导的立体图。
图2是示出第一实施方式的光波导的剖视图。
图3是示出在第一实施方式的光波导中包层为AlN层的情况下的能带构造的图。
图4是示出第一实施方式的光波导的制造方法的剖视图(其1)。
图5是示出第一实施方式的光波导的制造方法的剖视图(其2)。
图6是示出第一实施方式的光波导的制造方法的剖视图(其3)。
图7是示出第一实施方式的光波导的制造方法的剖视图(其4)。
图8是示出第一实施方式的光波导的制造方法的剖视图(其5)。
图9是示出第一实施方式的光波导的制造方法的剖视图(其6)。
图10是示出在第一实施方式的光波导中包层为GaN层的情况下的能带构造的图。
图11是示出在第一实施方式的光波导中包层为BN层的情况下的能带构造的图。
图12是示出各种厚度的Au层中的光的波长与透射率的关系的图。
图13是示出各种金属层中的光的波长与透射率的关系的图。
图14是示出在金刚石层的垂直于长度方向的截面中的0阶横模中的传播光的强度分布的图(其1)。
图15是示出在金刚石层的垂直于长度方向的截面中的0阶横模中的传播光的强度分布的图(其2)。
图16是示出在金刚石层的垂直于长度方向的截面中的0阶横模中的传播光的强度分布的图(其3)。
图17是示出在金刚石层的垂直于长度方向的截面中的1阶模的传播光的强度分布的图(其1)。
图18是示出在金刚石层的垂直于长度方向的截面中的1阶模的传播光的强度分布的图(其2)。
图19是示出在金刚石层的垂直于长度方向的截面中的1阶模的传播光的强度分布的图(其3)。
图20是示出根据第二实施方式的量子运算装置的框图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式进行具体说明。此外，在本说明书以及附图中，对于实质上具有相同的功能结构的构成要素，有时通过标注相同的附图标记而省略重复的说明。
(第一实施方式)
首先，对第一实施方式进行说明。第一实施方式涉及光波导。第一实施方式的光波导例如用于量子计算机等量子运算装置。图1是示出第一实施方式的光波导的立体图。图2是示出第一实施方式的光波导的剖视图。
如图1及图2所示，第一实施方式的光波导1具有支承基板21、金刚石层10、包层22及金属层30。
支承基板21例如是蓝宝石基板。支承基板21的折射率低于金刚石层10的折射率。蓝宝石的折射率为1.76，金刚石的折射率为2.419。支承基板21例如可以是AlN基板、BN基板或GaN基板等。AlN的折射率为2.1，BN的折射率为2.17，GaN的折射率为2.38。支承基板21是第一包层的一例。
金刚石层10具有第一面11和第二面12。支承基板21与第一面11相接。第二面12是与第一面11相反的一侧的面。金刚石层10的厚度例如为250nm左右。金刚石层10包括色心13。色心13例如是由氮和空位构成的氮-空位中心(NV中心)。色心13可以是由硅和空位构成的硅-空位中心(SiV中心)、由锗和空位构成的锗-空位中心(GeV中心)、由锡和空位构成的锡-空位中心(SnV中心)、由铅和空位构成的铅-空位中心(PbV中心)或由硼和空位构成的硼-空位中心(BV中心)。色心13是复合缺陷的一例。
包层22与金刚石层10的第二面12相接。包层22可以覆盖金刚石层10的侧面，即，连接第一面11和第二面12的面。包层22的厚度例如为100nm左右。包层22在厚度方向上具有极性。即，包层22在厚度方向上不具有反向对称中心。包层22例如具有从金属层30侧向金刚石层10侧取向的自发极化。包层22例如包含氮化物半导体。该氮化物半导体的带隙优选在室温(300K)下为3.4eV以上6.4eV以下。包层22例如是AlN层。包层22的折射率低于金刚石层10的折射率。包层22例如可以是BN层或GaN层等。包层22的材料可以为包含Al、B和Ga中的2种或3种的混晶。包层22是第二包层的一例。
金属层30与包层22肖特基接触。金属层30例如由功函数比构成包层22的氮化物半导体的电子亲和能大的金属构成。金属层30的厚度例如为5nm左右。金属层30例如为Au层。金属层30也可以是Ag层或Cu层。金属层30也可以是Al层。
在此，说明第一实施方式的光波导1的特性。图3是示出在第一实施方式的光波导1中包层22为AlN层的情况下的能带构造的图。图3示出一维泊松模拟的结果。在该模拟中，环境温度为5K，支承基板21为蓝宝石基板，金刚石层10的厚度为250nm，包层22是厚度为100nm的AlN，金属层30是厚度为5nm的Au层。复合缺陷是NV中心。图3中的横轴表示以金属层30与包层22的界面为基准的深度方向的位置，纵轴表示电荷分布所形成的电子的势能。
如图3所示，通过金属层30与包层22的肖特基接触，在没有偏压的状态、即0偏压的状态下，在厚度方向上包层22大致整体空乏化。这表示，构成包层22的AlN的带隙大到6.4eV，在作为设定温度的5K下不存在能够放出充分的热电子的缺陷能级，因此通过肖特基接触在厚度方向上包层22大致整体空乏化。
另外，包层22在厚度方向上具有极性，包层22例如具有从金属层30侧向金刚石层10侧取向的自发极化。因此，包层22包含由自身的自发极化引起的极化电荷(σ+)。因此，为了满足电荷中性条件，需要在包层22与金刚石层10之间的界面感应出相当量的负电荷，但金刚石的带隙也大到5.4eV，在5K下，单独补偿包层22的极化电荷(σ+)的热电子不足。因此，在金刚石层10的第二面12的附近感应出负的固定电荷(σ-)。负的固定电荷的密度例如为1012/cm2。
进而，包层22与金刚石层10的界面处的能带偏移小，因此金刚石层10的费米能在厚度方向的大致整体上比色心13的活化能(-2.58eV)高。因此，形成色心13容易带负电的状态。
根据这样的第一实施方式，即使在5K左右的极低温下，也容易维持色心13带负电的状态。即，根据第一实施方式，能够提高色心13的带电状态的稳定性。
接着，对第一实施方式的光波导1的制造方法进行说明。图4～图9是示出第一实施方式的光波导1的制造方法的剖视图。
首先，如图4所示，准备金刚石基板41，在金刚石基板41上形成金刚石层10。作为金刚石基板41，例如使用氮浓度小于5ppb的IIa型金刚石基板。金刚石层10可以通过例如化学气相沉积(chemical vapor deposition：CVD)法形成。
通过在金刚石层10的形成中途暂时将包含杂质原子的气体添加到原料气体中，从而在所希望的深度形成色心13。在形成NV中心作为色心13的情况下，例如暂时添加NH3气体。这样，能够在in-situ形成色心13。
接着，如图5所示，例如使用聚焦离子束(focused ion beam：FIB)将金刚石层10加工成光波导的芯层的形状。
然后，如图6所示，在金刚石层10上形成包层22。包层22可以通过例如金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition:MOCVD)法形成。包层22形成为覆盖金刚石层10的第二面12。包层22可以覆盖金刚石层10的侧面。包层22也可以形成在金刚石基板41上。
接着，如图7所示，在包层22的上表面粘贴转印基板42。接着，通过磨削，除去金刚石基板41。
然后，如图8所示，将金刚石层10接合于支承基板21。金刚石层10的第一面11与支承基板21接触。接着，除去转印基板42。
接着，如图9所示，在包层22上形成金属层30。在金属层30的形成中，例如通过光刻技术形成在金属层30的形成预定区域具有开口部的抗蚀剂膜，将该抗蚀剂膜作为生长掩模通过蒸镀法形成Au层，将该抗蚀剂膜与其上的Au层一起除去。即，能够通过蒸镀和剥离来形成金属层30。
这样，能够制造第一实施方式的光波导1。
另外，也可以通过离子注入等在金刚石基板41形成色心13，将金刚石基板41加工成光波导的芯层的形状作为金刚石层10。
如上所述，包层22可以是GaN层或BN层。图10是示出在第一实施方式的光波导1中包层22为GaN层的情况下的能带构造的图。图11是示出在第一实施方式的光波导1中包层22为BN层的情况下的能带构造的图。
如图10所示，在包层22为GaN层的情况下，在没有偏压的状态下包层22大致整体空乏化，在金刚石层10的第二面12的附近诱发负的固定电荷，形成色心13容易带负电的状态。同样地，如图11所示，在包层22为BN层的情况下，在没有偏压的状态下包层22大致整体空乏化，在金刚石层10的第二面12的附近诱发负的固定电荷，形成色心13容易带负电的状态。
对于光波导1，可以通过支承基板21照射光，也可以通过金属层30及包层22照射光，还可以直接向金刚石层10照射光。在此，对Au层中的光的波长与透射率的关系进行说明。图12是示出各种厚度的Au层中的光的波长与透射率的关系的图。图12中的横轴表示照射的光的波长，纵轴表示透射率。
在使用光波导1传播的光的波长为520nm～740nm的情况下，如图12所示，如果Au层的厚度为10nm以下，则能够得到60％以上的透射率。因此，用于金属层30的Au层的厚度优选为10nm以下，更优选为5nm以下。例如，在Au层的厚度为5nm的情况下，对于波长为650nm的光能够得到80％左右的透射率。
如上所述，金属层30可以是Ag层、Cu层或Al层。在此，对金属层30的材料与透射率的关系进行说明。图13是示出各种金属层中的光的波长与透射率的关系的图。图13中的横轴表示照射的光的波长，纵轴表示透射率。另外，各金属层的厚度为5nm。
在使用光波导1传播的光的波长为520nm～740nm的情况下，如图13所示，在Au层、Ag层或Cu层中，得到70％以上的透射率。另一方面，Al层的透射率为40％以下。因此，在通过金属层30及包层22向金刚石层10照射光的情况下，金属层30优选为Au层、Ag层或Cu层。
接着，对第一实施方式的光波导1中的0次横模的传播特性的芯径依赖性进行说明。图14～图16是示出金刚石层10的与长度方向垂直的截面中的0阶横模下的传播光的强度的分布的图。图14示出金刚石层10的截面形状为一边的长度为500nm的情况下的传播光的强度的分布。图15示出金刚石层10的截面形状为一边的长度为250nm的情况下的传播光的强度的分布。图16示出金刚石层10的截面形状为一边的长度为150nm的情况下的传播光的强度的分布。图14～图16中的横轴表示以金刚石层10的中心为基准的、与第一面11平行的方向(宽度方向)上的位置，纵轴表示以金刚石层10的中心为基准的、与第一面11垂直的方向(厚度方向)上的位置。在该计算中，作为光，设想具有高斯的强度分布的连续波，即在与光波导1的截面垂直的方向上具有波数矢量的行波。
如图14至图16所示，在任意情况下，实现了在用作芯的金刚石层10中的单模传播。但是，当一边的长度小于150nm时，向支承基板21侧的泄漏电磁场(瞬逝场)变得显著，有可能产生传播损耗。因此，在金刚石层10的截面形状为正方形的情况下，一边的长度优选为150nm以上，一般而言，短径优选为150nm以上。
接着，对第一实施方式的光波导1中的高阶模(1阶模)的传播特性的芯径依赖性进行说明。图17～图19是示出金刚石层10的与长度方向垂直的截面中的1阶模下的传播光的强度的分布的图。图17示出金刚石层10的截面形状为一边的长度为250nm的情况下的传播光的强度的分布。图18示出金刚石层10的截面形状为一边的长度为200nm的情况下的传播光的强度的分布。图19示出金刚石层10的截面形状为一边的长度为150nm的情况下的传播光的强度的分布。图17～图19中的横轴表示以金刚石层10的中心为基准的、与第一面11平行的方向(宽度方向)上的位置，纵轴表示以金刚石层10的中心为基准的、与第一面11垂直的方向(厚度方向)上的位置。在该计算中，作为光，设想具有高斯的强度分布的连续波，即在与光波导1的截面垂直的方向上具有波数矢量的行波。
如图17～图19所示，若一边的长度超过250nm，则有可能无法忽略基于高阶模的波导传播。因此，在金刚石层10的截面形状为正方形的情况下，一边的长度优选为250nm以下，一般而言，短径优选为250nm以下。
根据以上，金刚石层10的与长度方向垂直的截面中的短径优选为150nm以上且250nm以下，更优选为170nm以上且230nm以下。
此外，金属层30不需要覆盖包层22的整个上表面。金属层30优选在从与第二面12垂直的方向俯视时至少与色心13重叠。
(第二实施方式)
接着，对第二实施方式进行说明。第二实施例涉及包括根据第一实施例的光波导1的量子运算装置。图20是示出根据第二实施例的量子运算装置的框图。
如图20所示，第二实施方式的量子运算装置2具有多个光波导1。量子运算装置2具有运算部51、He低温恒温器52、分束器53、第一单光子检测器54A、第二单光子检测器54B、比较器55以及A/D(模拟/数字)转换器56。量子运算装置2具有多个控制系统61和多个光波导62。
He低温恒温器52收容多个光波导1，将多个光波导1的温度冷却至极低温。控制系统61针对构成量子比特的每个色心13而设置，向色心13施加磁场、电场、微波、激光等。例如，磁场以及电场用于色心13的固有能量的调整(状态读出用光子的频率的调整)，微波用于色心13的量子状态的控制，激光用于状态读出(单光子的产生)。光波导62相对于各光波导1以任意的两个路径通过分束器53对置入射的方式设置。各光波导62构成为从色心13到分束器53的光路长度大致相等。
分束器53对入射的光进行分支，分别输出到第一单光子检测器54A、第二单光子检测器54B。第一单光子检测器54A和第二单光子检测器54B从分束器53输出的光中检测单光子。比较器55对第一单光子检测器54A中的单光子的检测信号和第二单光子检测器54B中的单光子的检测信号进行比较。例如，比较器55确定由第一单光子检测器54A、第二单光子检测器54B中的哪一个单光子检测器以何种顺序检测出。运算部51对来自比较器55的输出进行解析。A/D转换器56将从运算部51输出的模拟的控制信号转换为数字信号，并向各控制系统61输出。
量子运算装置2包含光波导1，色心13被用作量子比特。因此，即使在极低温下，色心13的带电状态也稳定，解析结果能够得到优异的可靠性。
以上，对优选的实施方式等进行了详细说明，但并不限制于上述的实施方式等，能够在不脱离权利要求书所记载的范围的情况下对上述的实施方式等施加各种变形以及置换。
附图标记说明
1:光波导
2:量子运算装置
10:金刚石层
13:色心
21:支承基板
22:包层
30:金属层

Claims (15)

1.一种光波导，其特征在于，该光波导具有：
金刚石层，其具有第一面及第二面，且包含复合缺陷；
第一包层，其与所述第一面相接；
第二包层，其与所述第二面相接，且具有极性；以及
金属层，其与所述第二包层进行肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的光波导，其特征在于，
所述第一包层的折射率和所述第二包层的折射率小于所述金刚石层的折射率。
3.根据权利要求1或2所述的光波导，其特征在于，
所述第二包层具有从所述金属层侧向所述金刚石层侧取向的自发极化。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光波导，其特征在于，
所述金属层在俯视时至少与所述复合缺陷重叠。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光波导，其特征在于，
所述复合缺陷由氮、硅、锗、锡、铅或硼以及空位构成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光波导，其特征在于，
所述第二包层包含氮化物半导体。
7.根据权利要求6所述的光波导，其特征在于，
所述氮化物半导体的带隙在室温下为3.4eV以上且6.4eV以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光波导，其特征在于，
所述金刚石层的与长度方向垂直的截面的短径为150nm以上且250nm以下。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光波导，其特征在于，
所述金属层包含Au、Cu或Ag，
所述金属层的厚度为10nm以下。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的光波导，其特征在于，
所述第一包层具有支承基板。
11.一种量子运算装置，其特征在于，
该量子运算装置包括权利要求1至10中任一项所述的光波导。
12.一种光波导的制造方法，其特征在于，该光波导的制造方法具有以下工序：
形成具有第一面及第二面且包含复合缺陷的金刚石层；
形成与所述第一面相接的第一包层和与所述第二面相接且具有极性的第二包层；以及
形成与所述第二包层进行肖特基接触的金属层。
13.根据权利要求12所述的光波导的制造方法，其特征在于，
所述第一包层的折射率及所述第二包层的折射率小于所述金刚石层的折射率。
14.根据权利要求12或13所述的光波导的制造方法，其特征在于，
所述第二包层具有从所述金属层侧向所述金刚石层侧取向的自发极化。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的光波导的制造方法，其特征在于，
所述金属层在俯视时至少与所述复合缺陷重叠。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2005219894A1 (en) 2004-03-02 2005-09-15 The University Of Melbourne A photon source
US7805030B2 (en) * 2007-03-08 2010-09-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical structures including selectively positioned color centers, photonic chips including same, and methods of fabricating optical structures
JP5193150B2 (ja) * 2009-09-24 2013-05-08 日本電信電話株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
US8837544B2 (en) * 2011-10-28 2014-09-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Quantum optical device
JP6346107B2 (ja) * 2015-02-23 2018-06-20 日本電信電話株式会社 発光素子
US10585243B2 (en) * 2015-12-02 2020-03-10 The Trustees Of The University Of Pennsylvania High refractive index waveguides and method of fabrication

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