CN117441419A - 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117441419A CN117441419A CN202280000106.4A CN202280000106A CN117441419A CN 117441419 A CN117441419 A CN 117441419A CN 202280000106 A CN202280000106 A CN 202280000106A CN 117441419 A CN117441419 A CN 117441419A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- conductive
- conductive line
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 283
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006854 communication Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示面板、显示装置以及显示基板的制备方法,其中,显示基板包括透光显示区(211)、主显示区(212)以及过渡区(213),显示基板包括:衬底基板(22);位于透光显示区(211)的第一发光单元(P21);位于过渡区(213)的第一像素电路(D21);多个透光导电线(23)包括第一导电线(2311)和第二导电线(2321);位于过渡区(213)的多个导电部,多个导电部包括第一导电部(2411)和第二导电部(2421);第一过孔(V1)贯穿第一平坦层(251),第一导电部(2411)和第二导电部(2421)通过第一过孔(V1)电连接;其中,第一导电线(2311)在衬底基板(22)上的正投影与第二导电线(2321)在衬底基板(22)上的正投影至少部分交叠;第一导电线(2311)和第二导电线(2321)中的每一个在衬底基板(22)上的正投影与第一过孔(V1)在衬底基板(22)上的正投影间隔设置。
Description
本公开涉及显示技术领域,具体地涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
随着显示技术的不断迭代,全面屏逐渐成为显示产品发展的新趋势。
全面屏最关键的问题就是如何处理前置摄像头。为了达到更高的屏占比,陆续出现了例如刘海屏、水滴屏和挖孔屏等显示产品,这几种显示产品虽然提高了屏占比,但是为保证前置摄像头的进光量,屏幕上仍需设置摄像孔,而屏幕上对应摄像孔的位置不具有显示功能,因此,这几种显示产品无法称作真正的全面屏。
目前,可以通过屏下摄像头技术实现真正的全面屏。具体地,屏下摄像头技术是指将前置摄像头设置于屏幕下方且前置摄像头上方的屏幕仍能进行显示的技术。当使用前置摄像头时,摄像头上方的屏幕允许外界光通过,以使摄像头能够获取足够的进光量,进而实现摄像功能;当不使用前置摄像头时,由于屏下摄像头上方的屏幕中布置有多个发光单元,因此,屏下摄像头上方的屏幕可以正常显示图像。所以,从外观上看,采用屏下摄像头的显示屏不会有任何摄像孔,从而真正的达到了全面屏的显示效果。
发明内容
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
根据本公开的第一个方面,提供了一种显示基板,包括透光显示区、至少部分环绕所述透光显示区的主显示区以及位于所述透光显示区和所述主显示区之间的过渡区,其中,所述显示基板包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板上且位于所述透光显示区的第一发光单元;
设置在所述衬底基板上且位于所述过渡区的第一像素电路;
设置在衬底基板上的多个透光导电线,至少一个所述透光导电线的第一端与所述第一像素电路电连接,第二端与所述第一发光单元电连接,所述多个透光导 电线包括位于第一导电线层的第一导电线和位于第二导电线层的第二导电线,所述第一导电线和所述第二导电线均沿第一方向从所述过渡区延伸至所述透光显示区;
设置在所述衬底基板上且位于所述过渡区的多个导电部,所述多个导电部包括位于第一源漏金属层的第一导电部和位于第二源漏金属层的第二导电部;以及
第一过孔,所述第一过孔贯穿位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层,所述第一导电部和所述第二导电部通过所述第一过孔电连接;
其中,所述第一源漏金属层位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导电线层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第一导电线层位于所述第二导电线层远离所述衬底基板的一侧;
所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及
所述第一导电线和所述第二导电线中的每一个在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
根据本公开的实施例,所述多个透光导电线还包括位于第三导电线层的第三导电线,所述第三导电线沿所述第一方向从所述过渡区延伸至所述透光显示区;
其中,所述第三导电线层位于所述第二导电线层与所述第一源漏金属层之间;
所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影和所述第三导电线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及
所述第三导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
根据本公开的实施例,所述显示基板还包括:
设置在所述第二导电线层和所述第三导电线层之间的第二平坦层;
设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一导电线和所述第二导电线的第三平坦层;
设置在所述衬底基板上且位于第一电极层的第一转接部;
设置在所述衬底基板上且位于第四导电线层的第二转接部;以及
设置在所述第四导电线层与所述第一源漏金属层之间的第四平坦层;
其中,所述第一电极层位于所述第三平坦层远离所述衬底基板的一侧,所述 第四导电线层位于所述第二平坦层靠近所述衬底基板的一侧;以及
对于至少一条所述第一导电线,所述第一转接部的第一端通过贯穿所述第三平坦层的第二过孔与所述第一导电线的第一端电连接,所述第一转接部的第二端通过贯穿所述第二平坦层和所述第三平坦层的第三过孔与所述第二转接部的第一端电连接,所述第二转接部的第二端通过贯穿所述第四平坦层的第四过孔与所述第一导电部电连接。
根据本公开的实施例,所述第四导电线层与所述第三导电线层同层设置。
根据本公开的实施例,所述显示基板还包括:
设置在所述衬底基板上且位于第二电极层的连接电极;
所述第一发光单元包括:
设置在所述衬底基板上且位于所述第二电极层的第一电极;
设置在所述衬底基板上且位于第三电极层的第二电极;
其中,所述第二电极层和所述第一电极层同层设置,所述第三电极层位于所述第二电极层远离所述衬底基板的一侧;以及
所述第一电极和所述第二电极中的一者为阳极,另一者为阴极,所述透光导电线的第二端通过所述连接电极与所述第一发光单元的所述第一电极电连接。
根据本公开的实施例,所述显示基板还包括:
设置在所述第二导电线层和所述第三导电线层之间的第二平坦层;
设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一导电线和所述第二导电线的第三平坦层;
设置在所述衬底基板上且位于第五导电线层的第三转接部和第四转接部;以及
设置在所述第五导电线层与所述第二源漏金属层之间的第五平坦层;
其中,所述第五导电线层位于所述第二平坦层靠近所述衬底基板的一侧;以及
对于至少一条所述第二导电线,所述第三转接部的第一端通过贯穿所述第二平坦层的第五过孔与所述第二导电线的第一端电连接,所述第三转接部的第二端通过贯穿所述第五平坦层的第六过孔与所述第一导电部电连接;所述第四转接部的第一端通过贯穿所述第二平坦层的第七过孔与所述第二导电线的第二端电连接,所述第四转接部的第二端通过贯穿所述第二平坦层和所述第三平坦层的第八 过孔与所述第一发光单元电连接。
根据本公开的实施例,所述第五导电线层与所述第三导电线层同层设置。
根据本公开的实施例,所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影重叠设置。
根据本公开的实施例,所述显示基板还包括:
设置在所述衬底基板上且位于无机绝缘层的无机绝缘部;
其中,所述无机绝缘层位于所述第一导电线层和所述第二导电线层之间;以及
所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影和所述无机绝缘部在所述衬底基板上的正投影重叠设置。
根据本公开的实施例,所述第一导电线、所述第二导电线和所述无机绝缘部通过一道构图工艺形成。
本公开的第二方面提供了一种显示面板,其中,包括上述的显示基板。
本公开的第三方面提供了一种显示装置,其中,包括上述的显示面板。
本公开的第四方面提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括透光显示区、至少部分环绕所述透光显示区的主显示区以及位于所述透光显示区和所述主显示区之间的过渡区,其中,所述制备方法包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上位于所述过渡区的位置形成第一像素电路、多个导电部和第一过孔;所述多个导电部包括位于第一源漏金属层的第一导电部和位于第二源漏金属层的第二导电部,所述第一过孔贯穿位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层,所述第一导电部和所述第二导电部通过所述第一过孔电连接;
在所述衬底基板上位于所述透光显示区的位置形成第一发光单元;
在所述衬底基板上形成多个透光导电线,至少一个所述透光导电线的第一端与所述第一像素电路电连接,第二端与所述第一发光单元电连接,所述多个透光导电线包括位于第一导电线层的第一导电线和位于第二导电线层的第二导电线,所述第一导电线和所述第二导电线均沿第一方向从所述过渡区延伸至所述透光显示区;
其中,所述第一源漏金属层位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板的一 侧,所述第二导电线层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第一导电线层位于所述第二导电线层远离所述衬底基板的一侧;
所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及
所述第一导电线和所述第二导电线中的每一个在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
根据本公开的实施例,所述显示基板还包括设置在所述第二导电线层靠近所述衬底基板一侧的第二平坦层,所述在所述衬底基板上形成多个透光导电线,包括:
在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧形成第一透光导电材料层;
在所述第一透光导电材料层远离所述衬底基板的一侧形成无机绝缘材料层;
在所述无机绝缘材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二透光导电材料层;
通过一道构图工艺对所述第一透光导电材料层、所述无机绝缘材料层和所述第二透光导电材料层进行图案化处理,以得到所述第一导电线、所述第二导电线以及位于无机绝缘层中的无机绝缘部;
其中,所述无机绝缘层位于所述第一导电线层和所述第二导电线层之间;以及
所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影和所述无机绝缘部在所述衬底基板上的正投影重叠设置。
通过以下参照附图对本公开实施例的描述,本公开的上述内容以及其他目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:
图1示意性示出了一对比例中显示基板的平面图;
图2示意性示出了一对比例中透光导电区和过渡区的平面图;
图3示意性示出了一对比例中过渡区中透光导电线的平面图;
图4示意性示出了图3沿剖线AA'的剖视图;
图5示意性示出了本公开实施例中显示基板中透光显示区和过渡区的平面图;
图6示意性示出了本公开实施例中过渡区中的透光导电线的平面图之一;
图7示意性示出了图6沿剖线BB'的剖视图;
图8示意性示出了本公开实施例中过渡区中的透光导电线的平面图之二;
图9示意性示出了本公开实施例中过渡区中的透光导电线的平面图之三;
图10示意性示出了本公开实施例中第一导电线通过转接部进行电连接的示意图之一;
图11示意性示出了本公开实施例中第一导电线通过转接部进行电连接的示意图之二;
图12示意性示出了本公开实施例中第二导电线通过转接部进行电连接的示意图之一;
图13示意性示出了本公开实施例中第二导电线通过转接部进行电连接的示意图之二;
图14示意性示出了本公开实施例中显示基板的制备方法的流程图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开的保护范围。
需要说明的是,在附图中,为了清楚和/或描述的目的,可以放大元件的尺寸和相对尺寸。如此,各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于图中所示的尺寸和相对尺寸。在说明书和附图中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。
当元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时,所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到所述另一元件或直接结合到所述另一元件,或者可以存在中间元件。然而,当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时,不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或表述应当以类似的方式解释,例如,“在……之间”对“直接在……之间”、“相邻”对“直接相邻”或“在……上”对“直接在……上”等。此外,术语“连接”可指的是物理连接、电连接、通信连接和/或流体连接。此外,X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广 泛的含义解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直,或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者诸如XYZ、XYY、YZ和ZZ的X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的,术语“和/或”包括所列相关项中的一个或多个的任何组合和所有组合。
需要说明的是,虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分,但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是,这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而,例如,下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分,而不背离本公开的教导。
为了便于描述,空间关系术语,例如,“上”、“下”、“左”、“右”等可以在此被使用,来描述一个元件或特征与另一元件或特征如图中所示的关系。应理解,空间关系术语意在涵盖除了图中描述的取向外,装置在使用或操作中的其它不同取向。例如,如果图中的装置被颠倒,则被描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将取向为“在”其它元件或特征“之上”或“上面”。
本领域技术人员应该理解,在本文中,除非另有说明,表述“厚度”指的是沿垂直于显示面板设置有各个膜层的表面的尺寸,即沿显示面板的出光方向的尺寸。
在本文中,除非另有说明,表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
需要说明的是,表述“同一层”,“同层设置”或类似表述,指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层,然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同,一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺,而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在本文中,除非另有说明,表述“电连接”可以表示两个部件或元件直接电连接,例如,部件或元件A与部件或元件B直接接触,并且二者之间可以传递电信号;也可以表示两个部件或元件通过例如导电线的导电媒介电连接,例如,部件或元件A通过导电线与部件或元件B电连接,以在两个部件或元件之间传递 电信号;还可以表示两个部件或元件通过至少一个电子元器件电连接,例如,部件或元件A通过至少一个薄膜晶体管与部件或元件B电连接,以在两个部件或元件之间传递电信号。
图1示意性示出了一对比例中显示基板的平面图,如图1所示,在该对比例中,显示基板包括透光显示区11、环绕透光显示区11的主显示区12和位于透光显示区11和主显示区12之间的过渡区13。在该对比例中,为使布置在透光显示区11中的摄像模块能够获取到足够的外界光,故将透光显示区11中的像素电路转移至过渡区13中,通过透光导电线实现过渡区13中的像素电路与透光显示区11中的发光单元的电连接。具体地,图2示意性示出了一对比例中透光导电区和过渡区的平面图,如图2所示,透光显示区11包括多个第一发光单元P11,过渡区13包括多个第一像素电路D11,示例性地,每个第一发光单元P11与一个第一像素电路D11对应设置。其中,过渡区13中的每个第一像素电路通过透光导电线14与透光显示区11中与该第一像素电路D11对应设置的第一发光单元P11电连接,从而使得透光显示区11通过第一发光单元和第一像素电路实现显示功能。
可选地,在过渡区13中,还设置有多个第二像素电路(图中未示出)和多个第二发光单元(图中未示出),示例性地,沿第一方向相邻的两个第一像素电路D11之间设置有至少一个第二像素电路,第二发光单元与第二像素电路一一对应电连接,从而使得过渡区13通过第二发光单元和第二像素电路实现显示功能。
图3示意性示出了一对比例中过渡区中透光导电线的平面图,图4示意性示出了图3沿剖线AA'的剖视图,结合图1至图4所示,在该对比例中,显示基板包括衬底基板15,多个透光导电线14包括:设置在衬底基板15上且位于第一导电线层141中的第一导电线1411、设置在衬底基板15上且位于第二导电线层142中的第二导电线1421和设置在衬底基板15上且位于第三导电线层143中的第三导电线1431。第一导电线层141、第二导电线层142和第三导电线层143沿靠近衬底基板15的方向依次设置。可选地,显示基板还包括:设置在第一导电线层141和第二导电线层142之间的第一平坦层171,设置在第二导电线层142和第三导电线层143之间的第二平坦层172。
其中,第一导电线1411、第二导电线1421和第三导电线1431均沿第一方 向延伸,并且,第一导电线1411在衬底基板15上的正投影、第二导电线1421在衬底基板15上的正投影和第三导电线1431在衬底基板15上的正投影不交叠,例如,第一导电线1411、第二导电线1421和第三导电线1431中的任一者在衬底基板15上的正投影,位于其他透光导电线14在衬底基板15上的正投影的间隙中。其中,第一方向可以是指显示基板的行方向,也即图2中的水平方向。
在该对比例中,显示基板还包括设置在衬底基板15上且位于第一源漏金属层161的第一导电部1611、设置在衬底基板15上且位于第二源漏金属层162的第二导电部1621、位于第三导电线层143与第一源漏金属层161之间的第三平坦层173以及位于第一源漏金属层161和第二源漏金属层162之间的第四平坦层174。第一导电部1611通过设置在第一平坦层17上的第一过孔18与第二导电部1621电连接。其中,第一源漏金属层161位于第二源漏金属层162远离衬底基板15的一侧。
可选地,第一导电部1611可以与显示基板上的各种信号线电连接,第二导电部1621可以与第一像素电路D11中相应的晶体管电连接,从而使得信号线所提供的用于显示的电信号能够经过第一导电部1611、第二导电部1621传输至第一像素电路D11。
可选地,第一导电部1611还可以与透光导电线14电连接,第二导电部1621与第一像素电路D11中相应的晶体管电连接,从而使得第一像素电路D11输出的电信号能够通过第二导电部1621、第一导电部1611和透光导电线14传输至相应的第一发光单元P11。
随着对透光显示区11的像素密度的更高需求,透光显示区11中第一发光单元P11的增多,起到电连接作用的透光导电线14也随之增多,由于第一导电线1411在衬底基板15上的正投影、第二导电线1421在衬底基板15上的正投影和第三导电线1431在衬底基板15上的正投影不交叠,因此,如图3所示,透光导电线14将不可避免地覆盖在第一过孔18上,也即,透光导电线14在衬底基板15上的正投影与第一过孔18在衬底基板15上的正投影相互交叠。
发明人在研究中发现,如图4所示,第一导电部1611位于第一过孔18上方(也即第一过孔18远离衬底基板15的一侧)的部分会发生一定程度的凹陷,由于第一导电部1611通常采用金属材料制备,因此,第一导电部1611具有一定程度的反射光线的能力,这就使得第一导电部1611发生凹陷的部分具有类似于凹 透镜汇聚光线的作用,而这会导致第一导电部1611反射的光线汇聚在透光导电线14上,进而使得透光导电线14被烧断,引起显示不良。
有鉴于此,本公开实施例提供一种显示基板,图5示意性示出了本公开实施例中显示基板中透光显示区和过渡区的平面图,如图5所示,本公开实施例的显示基板包括透光显示区211、至少部分环绕透光显示区211的主显示区212以及位于透光显示区211和主显示区212之间的过渡区213。请继续参见图4,显示基板还包括:衬底基板22、设置在衬底基板22上且位于透光显示区211的第一发光单元P21、设置在衬底基板22上且位于过渡区213的第一像素电路D21、设置在衬底基板22上的多个透光导电线23。可选地,透光导电线23的材料可以包括透明导电材料,例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
图6示意性示出了本公开实施例中过渡区中的透光导电线的平面图之一,图7示意性示出了图6沿剖线BB'的剖视图,结合图5至图7所示,显示基板还包括设置在衬底基板22上且位于过渡区213的多个导电部、以及第一过孔V1,多个导电部包括位于第一源漏金属层241的第一导电部2411和位于第二源漏金属层242的第二导电部2421,第一过孔V1贯穿位于第一源漏金属层241和第二源漏金属层242之间的第一平坦层251,第一导电部2411和第二导电部2421通过第一过孔V1电连接。
请继续参见图5至图7,至少一个透光导电线23的第一端与第一像素电路D21电连接,第二端与第一发光单元P21电连接,多个透光导电线23包括位于第一导电线层231的第一导电线2311和位于第二导电线层232的第二导电线2321,第一导电线2311和第二导电线2321均沿第一方向从过渡区213延伸至透光显示区211。
第一源漏金属层241位于第二源漏金属层242远离衬底基板22的一侧,第二导电线层232位于第一源漏金属层241远离衬底基板22的一侧,第一导电线层231位于第二导电线层232远离衬底基板22的一侧。
第一导电线2311在衬底基板22上的正投影与第二导电线2321在衬底基板22上的正投影至少部分交叠。以及,第一导电线2311和第二导电线2321中的每一个在衬底基板22上的正投影与第一过孔V1在衬底基板22上的正投影间隔设置。
在本公开实施例中,透光显示区211包括显示基板中布置有屏下摄像头的区 域,当使用屏下摄像头时,透光显示区211允许外界光线通过,从而使得屏下摄像头可以获取足够的进光量,以实现摄像功能。当不使用屏下摄像头时,透光显示区211中的第一发光单元P21可以进行显示。
示例性地,第一发光单元P21与第一像素电路D21一一对应设置。在本公开实施例中,每条透光导电线23的第一端与一个第一像素电路D21电连接,第二端和与该第一像素电路D21相对应的第一发光单元P21电连接,不同的透光导电线23与不同的第一像素电路D21电连接。
可选地,第一发光单元P21包括发光器件,发光器件可以包括有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)等。
可选地,第一导电部2411可以与显示基板上的各种信号线电连接,第二导电部2421可以与第一像素电路D21中相应的晶体管电连接,从而使得信号线所提供的用于显示的电信号能够经过第一导电部2411、第二导电部2421传输至第一像素电路D21。例如,信号线可以包括高电平电压信号线(ELVDD),其他晶体管可以包括输入晶体管等等,具体可以根据实际需要确定,在此不作限制。
可选地,第一导电部2411还可以与透光导电线23电连接,第二导电部2421与第一像素电路D21中相应的晶体管电连接,从而使得第一像素电路D21输出的电信号能够通过第二导电部2421、第一导电部2411和透光导电线23传输至相应的第一发光单元P21。
例如,第一像素电路D21包括设置在衬底基板上的驱动晶体管,驱动晶体管配置为,响应于其栅极和第一极之间的电压差提供驱动电流。如图6所示,第二导电部2421可以与驱动晶体管的第二极电连接,每个透光导电线23的第一端可以通过与该透光导电线23同层设置的连接线与第一导电部2421电连接,进而实现与第一像素电路D21的电连接。这样一来,驱动晶体管产生的驱动电流能够通过第二导电部2421、第一导电部2411、连接线传输至透光导电线23上,进而通过透光导电线23传输至相应的第一发光单元P11,以驱动该第一发光单元P11进行发光。
例如,图8示意性示出了本公开实施例中过渡区中的透光导电线的平面图之二,图9示意性示出了本公开实施例中过渡区中的透光导电线的平面图之三,与图6不同的是,图8中隐去了第一导电线层231,图9隐去了第一导电线层231和第二导电线层232。结合图6、图8和图9所示,显示基板包括第一连接线L1、 第一连接线L2和第一连接线L3,第一连接线L1、第一连接线L2和第一连接线L3均沿第二方向延伸,第二方向与第一方向延伸,例如,第二方向与第一方向垂直。其中,第一连接线L1位于第一导电线层231中,第一连接线L2位于第二导电线层232中,第一连接线L3位于第三导电线层233中,第一透光导电线2311的第一端通过第一连接线L1与第一导电部2421电连接,第二透光导电线2321的第一端通过第一连接线L2与第一导电部2421电连接,第三透光导电线2331的第一端通过第一连接线L3与第一导电部2421电连接。
可选地,第一像素电路可以包括7T2C电路,所谓7T2C电路是指,具有7个薄膜晶体管(7T)和两个存储电容(2C)的像素电路,其结构可以根据实际需要确定,在此不作限制。可选地,第二导电部2421与驱动晶体管的第二极电连接具体可以是:第二导电部2421通过发光控制晶体管与驱动晶体管的第二极电连接,发光控制晶体管配置为响应于发光控制信号,将第二导电部2421与驱动晶体管的第二极导通或断开。
在本公开实施例中,第一导电线2311和第二导电线2321均沿第一方向延伸,并且,第一导电线2311在衬底基板22上的正投影与第二导电线2321在衬底基板22上的正投影至少部分交叠。例如,第一方向可以是指显示基板的行方向,也即图2中的水平方向,第二导电线2321在衬底基板22上的正投影位于第一导电线2311在衬底基板上的正投影之内;或者,第一导电线2311在衬底基板22上的正投影和第二导电线2321在衬底基板22上的正投影重叠设置。
如前文所述,在本公开实施例中,第一导电线2311和第二导电线2321均沿第一方向延伸,并且,第一导电线2311在衬底基板22上的正投影与第二导电线2321在衬底基板22上的正投影至少部分交叠,也就是说,在显示基板的厚度方向上,第一导电线2311和第二导电线2321叠置。因此,相较于对比例中第一导电线141在衬底基板上的正投影与第二导电线142在衬底基板上的正投影不交叠的方案而言,本公开实施例的显示基板能够在不降低透光显示区211的像素密度的基础上,减小透光导电线23在过渡区23中所占的面积。在此基础上,通过使第一导电线2311和第二导电线2321中的每一个在衬底基板22上的正投影与第一过孔V1在衬底基板22上的正投影间隔设置,从而能够使得过渡区23中的透光导电线23将第一过孔V1露出,进而防止位于第一过孔V1上方(也即第一过孔V1远离衬底基板22一侧)的第一导电部2411的光线汇聚在透光导电线23 上,避免了由此导致的透光导电线23被烧断的问题,提高了产品质量。
下面对本公开实施例的显示基板进行进一步的说明。
在一些具体实施例中,多个透光导电线23还包括位于第三导电线层233的第三导电线2331,第三导电线2331沿第一方向从过渡区213延伸至透光显示区211。
其中,第三导电线层233位于第二导电线层232与第一源漏金属层241之间。第一导电线2311在衬底基板22上的正投影、第二导电线2321在衬底基板22上的正投影和第三导电线2331在衬底基板22上的正投影至少部分交叠。第三导电线2331在衬底基板22上的正投影与第一过孔V1在衬底基板22上的正投影间隔设置。
在本公开实施例中,显示基板还可以包括更多的透光导电线23,更多的透光导电线23可以与前述的第一导电线2311、第二导电线2321和第三导电线2331位于不同层。例如,显示基板还可以包括第四导电线,第四导电线的所在层可以位于第一导电线层231远离衬底基板22的一侧。
在本公开实施例中,可以使位于不同层的透光导电线23均采用上述的方式叠置。举例来说,当显示基板还包括第四导电线时,可以使第一导电线2311、第二导电线2321、第三导电线2331和第四导电线均沿第一方向延伸,并且,第一导电线2311在衬底基板22上的正投影、第二导电线2321在衬底基板22上的正投影、第三导电线2331在衬底基板22上的正投影和第四导电线在衬底基板22上的正投影至少部分交叠,并且,第四导电线在衬底基板22上的正投影与第一过孔V1在衬底基板22上的正投影间隔设置。这样一来,能够在使得过渡区213中透光导电线23所占面积不变的情况下,布设更多的透光导电线23,同时,对于任一条透光导电线23而言,均能够将第一过孔V1露出,防止第一导电部2411反射的光线将任一条透光导电线23烧断。
在本公开实施例中,过渡区213可以包括沿第一方向排列的第一子区、第二子区和第三子区,其中,第一子区位于第二子区远离透光显示区211的一侧,第三子区位于第二子区靠近透光显示区211的一侧。第一子区、第二子区和第三子区中均设置有第一像素电路D21。第一导电线2311可以与第一子区中的一个第一像素电路D21电连接,第一导电线2311可以沿第一方向,从第一子区连续地延伸至透光显示区211中,进而在透光显示区211中与相应的第一发光单元P21 电连接。第二导电线2321可以与第二子区中的一个第一像素电路D21电连接,第二导电线2321可以沿第一方向,从第二子区连续地延伸至透光显示区211中,进而在透光显示区211中与相应的第一发光单元P21电连接。第三导电线2331可以与第三子区中的一个第一像素电路D21电连接,第三导电线2331可以沿第一方向,从第三子区连续地延伸至透光显示区211中,进而在透光显示区211中与相应的第一发光单元P21电连接。
需要说明的是,第一导电线2311、第二导电线2321和第三导电线2331具体是哪一者从第一子区延伸至透光显示区211中可以根据实际需要确定,例如,还可以是第三导电线2331与第一子区中的一个第一像素电路D21电连接,第三导电线2331沿第一方向,从第一子区连续地延伸至透光显示区211中等等,本公开实施例不再一一列举。
在一些具体实施例中,第一导电线2311和第二导电线2321可以采用一步沟通工艺制备,也即,第一导电线2311和第二导电线2321的图案可以相同,此时,第一导电线2311和第二导电线2321可以通过转接部实现与第一像素电路D21和第一发光单元P21的连接。
下面首先对第一导电线2311通过转接部与第一像素电路D21和第一发光单元P21进行连接的方式进行说明。
图10示意性示出了本公开实施例中第一导电线通过转接部进行电连接的示意图之一,如图10所示,在一些具体实施例中,显示基板还包括:设置在第二导电线层232和第三导电线层233之间的第二平坦层252、设置在第二平坦层252远离衬底基板22一侧且覆盖第一导电线2311和第二导电线2321的第三平坦层253、设置在衬底基板22上且位于第一电极层261的第一转接部2611、设置在衬底基板22上且位于第四导电线层271的第二转接部2711、以及设置在第四导电线层271与第一源漏金属层241之间的第四平坦层254。
其中,第一电极层261位于第三平坦层253远离衬底基板22的一侧,第四导电线层271位于第二平坦层252靠近衬底基板22的一侧。对于至少一条第一导电线2311,第一转接部2611的第一端通过贯穿第三平坦层253的第二过孔与第一导电线2311的第一端电连接,可选地,第一转接部2611的第一端可以通过贯穿第三平坦层253的第二过孔先与上述的第一连接线L1电连接,进而通过第一连接线L1与第一导电线2311的第一端电连接。第一转接部2611的第二端通 过贯穿第二平坦层252和第三平坦层253的第三过孔V3与第二转接部2711的第一端电连接,第二转接部2711的第二端通过贯穿第四平坦层254的第四过孔V4与第一导电部2411电连接。
在一些具体实施例中,第四导电线层271与第三导电线层233同层设置,也就是说,第四导电线层271和第三导电线层233采用一步构图工艺形成。
图11示意性示出了本公开实施例中第一导电线通过转接部进行电连接的示意图之二,如图11所示,在一些具体实施例中,显示基板还包括:设置在衬底基板22上且位于第二电极层262的连接电极2621。
其中,透光导电线23的第二端通过连接电极2621与第一发光单元P21电连接,第二电极层262与第一电极层261同层设置。可选地,透光导电线23的第二端可以通过第二连接线(图中未示出)与连接电极2621电连接,第二连接线可以沿上述的第二方向延伸。
在本公开实施例中,多个第一发光单元P211可以包括多种颜色,例如,多个第一发光单元P21可以包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元。第一发光单元P21包括:设置在衬底基板22上且位于第二电极层262的第一电极(图中未示出)、设置在衬底基板22上且位于第三电极层的第二电极(图中未示出)、以及设置在衬底基板22上且位于发光功能层的发光部(图中未示出)。
其中,第三电极层位于第二电极层262远离衬底基板22的一侧,发光功能层位于第二电极层262与第三电极层之间。第一电极和第二电极中的一者为阳极,另一者为阴极。例如,第一电极为阳极,第二电极为阴极。透光导电线23的第二端可以通过连接电极2621与第一发光单元P21的第一电极电连接。发光部配置为,响应于第一电极和第二电极的电信号进行发光。发光部可以包括多层结构,例如,发光部可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层等。
下面再对第二导电线2321通过转接部与第一像素电路D21和第一发光单元P21进行连接的方式进行说明。
图12示意性示出了本公开实施例中第二导电线通过转接部进行电连接的示意图之一,图13示意性示出了本公开实施例中第二导电线通过转接部进行电连接的示意图之二,结合图12和图13所示,在一些具体实施例中,显示基板还包括:设置在第二导电线层232和第三导电线层233之间的第二平坦层252、设置 在第二平坦层252远离衬底基板22一侧且覆盖第一导电线2311和第二导电线2321的第三平坦层253、设置在衬底基板22上且位于第五导电线层272的第三转接部2721和第四转接部2722、以及设置在第五导电线层272与第二源漏金属层242之间的第五平坦层255。
其中,第五导电线层272位于第二平坦层252靠近衬底基板22的一侧。对于至少一条第二导电线2321,第三转接部2721的第一端通过贯穿第二平坦层252的第五过孔与第二导电线2321的第一端电连接,可选地,第三转接部2721的第一端可以通过第五过孔先与上述的第一连接线L2电连接,进而通过第一连接线L2与第二导电线2321的第一端电连接。第三转接部2721的第二端通过贯穿第五平坦层255的第六过孔与第一导电部2411电连接。第四转接部2722的第一端通过贯穿第二平坦层252的第七过孔与第二导电线2321的第二端电连接。可选地,第四转接部2722的第一端可以通过第二连接线与第二导电线2321的第二端电连接,第二连接线可以沿上述的第二方向延伸。第四转接部2722的第二端通过贯穿第二平坦层252和第三平坦层253的第八过孔与发光单元电连接。例如,第四转接部2722的第二端通过第八过孔与连接电极2621电连接,进而通过连接电极2621与第一发光单元P21的第一电极电连接。
在一些具体实施例中,第五导电线层272与第三导电线层233同层设置,也就是说,在本公开实施例中,第五导电线层、第四导电线层271和第三导电线层233采用一步构图工艺形成。
在本公开实施例中,在制备显示基板时,可以先在第四平坦层254远离衬底基板22的一侧通过一步构图工艺形成第二转接部2711和第三转接部2721。之后,再在第二转接部2711和第三转接部2721所在层远离衬底基板22的一侧形成第二平坦层252,以及在第二平坦层252上形成初始过孔。之后,在第二平坦层252远离衬底基板22的一侧形成用于制备第二导电线2321的第一导电材料,同时,使第一导电材料通过初始过孔与第二转接部2711和第三转接部2721接触。之后,在对第一导电材料进行构图工艺时,去除一部分初始过孔中的第一导电材料(也即去除与第二转接部2711接触的第一导电材料),这部分初始过孔用于在之后的步骤中与第三平坦层253上的过孔连通以形成第三过孔,而保留有第一导电材料的初始过孔则作为第五过孔。
在一些具体实施例中,第一导电线2311在衬底基板22上的正投影与第二导 电线2321在衬底基板22上的正投影重叠设置,也即,第一导电线2311与第二导电线2321的图案相同。
在一些具体实施例中,显示基板还包括设置在衬底基板22上且位于无机绝缘层28的无机绝缘部281。其中,无机绝缘层28位于第一导电线层231和第二导电线层232之间。第一导电线2311在衬底基板22上的正投影、第二导电线2321在衬底基板22上的正投影和无机绝缘部281在衬底基板22上的正投影重叠设置。
在本公开实施例中,无机绝缘层28的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。无机绝缘层28的厚度可以设置在500埃至5000埃之间。
在一些具体实施例中,第一导电线2311、第二导电线2321和无机绝缘部281通过一步构图工艺形成。
在本公开实施例中,可以利用无机绝缘部281将第一导电线2311和第二导电线2321绝缘间隔开,从而利用无机绝缘层28代替原本设置在第一导电线层231和第二导电线层232之间设置平坦化层,这样一来,由于无机绝缘部281可以与第一导电线2311和第二导电线2321可以采用相同的刻蚀方法等,因此,第一导电线2311、第二导电线2321和无机绝缘部281可以采用一道构图工艺形成,从而使得原本需要多道构图工艺形成的第一导电线2311和第二导电线2321可以合并至一道构图工艺形成,进而降低了生产成本。
本公开还提供一种显示基板的制备方法,显示基板包括透光显示区、至少部分环绕透光显示区的主显示区以及位于透光显示区和主显示区之间的过渡区,图14示意性示出了本公开实施例中显示基板的制备方法的流程图,如图14所示,本公开实施例的制备方法包括步骤S110至步骤S140。
在步骤S110,提供衬底基板。
在步骤S120,在衬底基板上且位于过渡区的位置形成第一像素电路、多个导电部和第一过孔。多个导电部包括位于第一源漏金属层的第一导电部和位于第二源漏金属层的第二导电部,第一过孔贯穿位于第一源漏金属层和第二源漏金属层之间的第一平坦层,第一导电部和第二导电部通过第一过孔电连接。
在步骤S130,在衬底基板上位于透光显示区的位置形成第一发光单元。
在步骤S140,在衬底基板上形成多个透光导电线,至少一个透光导电线的第一端与第一像素电路电连接,第二端与第一发光单元电连接,多个透光导电线 包括位于第一导电线层的第一导电线和位于第二导电线层的第二导电线,第一导电线和第二导电线均沿第一方向从过渡区延伸至透光显示区。
其中,第一源漏金属层位于第二源漏金属层远离衬底基板的一侧,第二导电线层位于第一源漏金属层远离衬底基板的一侧,第一导电线层位于第二导电线层远离衬底基板的一侧。
第一导电线在衬底基板上的正投影与第二导电线在衬底基板上的正投影至少部分交叠。以及
第一导电线和第二导电线中的每一个在衬底基板上的正投影与第一过孔在衬底基板上的正投影间隔设置。
采用本公开实施例的制备方法制备的显示基板能够在不降低透光显示区的像素密度的基础上,减小透光导电线在过渡区中所占的面积。在此基础上,通过使第一导电线和第二导电线中的每一个在衬底基板上的正投影与第一过孔在衬底基板上的正投影间隔设置,从而能够使得过渡区中的透光导电线将第一过孔露出,进而防止位于第一过孔上方(也即第一过孔远离衬底基板一侧)的第一导电部的光线汇聚在透光导电线上,避免了由此导致的透光导电线被烧断的问题,提高了产品质量。
在一些具体实施例中,显示基板还包括设置在第二导电线层靠近衬底基板一侧的第二平坦层,步骤S140包括步骤S141至步骤S144。
在步骤S141,在第二平坦层远离衬底基板的一侧形成第一透光导电材料层。
在步骤S142,在第一透光导电材料层远离衬底基板的一侧形成无机绝缘材料层。
在步骤S143,在无机绝缘材料层远离衬底基板的一侧形成第二透光导电材料层。
在步骤S144,通过一道构图工艺对第一透光导电材料层、无机绝缘材料层和第二透光导电材料层进行图案化处理,以得到第一导电线、第二导电线以及位于无机绝缘层中的无机绝缘部。
其中,无机绝缘层位于第一导电线层和第二导电线层之间,第一导电线在衬底基板上的正投影、第二导电线在衬底基板上的正投影和无机绝缘部在衬底基板上的正投影重叠设置。
采用本公开实施例的制备方法,可以使得原本需要多道构图工艺形成的第一 导电线和第二导电线可以合并至一道构图工艺形成,进而降低了生产成本。
需要说明的是,本公开实施例中的未详尽说明可以参见前述实施例,在此不再赘述。
本公开还提供一种显示面板,该显示装置包括上述的显示基板。
本公开还提供一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。
在本公开的其他实施方式中,显示装置可以包括平板个人计算机(PC)、智能手机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器、游戏机或腕表式电子装置等。然而,本公开的实施例并不意图限制显示装置的类型。在一些示例性实施例中,显示装置不仅可用于诸如电视机(TV)或外部广告牌等大型电子装置中,而且可用于诸如PC、笔记本式计算机、汽车导航装置或相机等中型或小型电子装置中。
本领域技术人员可以理解,本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合或/或结合,即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地,在不脱离本公开精神和教导的情况下,本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是,这些实施例仅仅是为了说明的目的,而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例,但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围,本领域技术人员可以做出多种替代和修改,这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。
Claims (14)
- 一种显示基板,包括透光显示区、至少部分环绕所述透光显示区的主显示区以及位于所述透光显示区和所述主显示区之间的过渡区,其中,所述显示基板包括:衬底基板;设置在所述衬底基板上且位于所述透光显示区的第一发光单元;设置在所述衬底基板上且位于所述过渡区的第一像素电路;设置在衬底基板上的多个透光导电线,至少一个所述透光导电线的第一端与所述第一像素电路电连接,第二端与所述第一发光单元电连接,所述多个透光导电线包括位于第一导电线层的第一导电线和位于第二导电线层的第二导电线,所述第一导电线和所述第二导电线均沿第一方向从所述过渡区延伸至所述透光显示区;设置在所述衬底基板上且位于所述过渡区的多个导电部,所述多个导电部包括位于第一源漏金属层的第一导电部和位于第二源漏金属层的第二导电部;以及第一过孔,所述第一过孔贯穿位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层,所述第一导电部和所述第二导电部通过所述第一过孔电连接;其中,所述第一源漏金属层位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导电线层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第一导电线层位于所述第二导电线层远离所述衬底基板的一侧;所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及所述第一导电线和所述第二导电线中的每一个在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
- 根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个透光导电线还包括位于第三导电线层的第三导电线,所述第三导电线沿所述第一方向从所述过渡区延伸至所述透光显示区;其中,所述第三导电线层位于所述第二导电线层与所述第一源漏金属层之间;所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电线在所述衬底基 板上的正投影和所述第三导电线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠;以及所述第三导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
- 根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:设置在所述第二导电线层和所述第三导电线层之间的第二平坦层;设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一导电线和所述第二导电线的第三平坦层;设置在所述衬底基板上且位于第一电极层的第一转接部;设置在所述衬底基板上且位于第四导电线层的第二转接部;以及设置在所述第四导电线层与所述第一源漏金属层之间的第四平坦层;其中,所述第一电极层位于所述第三平坦层远离所述衬底基板的一侧,所述第四导电线层位于所述第二平坦层靠近所述衬底基板的一侧;以及对于至少一条所述第一导电线,所述第一转接部的第一端通过贯穿所述第三平坦层的第二过孔与所述第一导电线的第一端电连接,所述第一转接部的第二端通过贯穿所述第二平坦层和所述第三平坦层的第三过孔与所述第二转接部的第一端电连接,所述第二转接部的第二端通过贯穿所述第四平坦层的第四过孔与所述第一导电部电连接。
- 根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第四导电线层与所述第三导电线层同层设置。
- 根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:设置在所述衬底基板上且位于第二电极层的连接电极;所述第一发光单元包括:设置在所述衬底基板上且位于所述第二电极层的第一电极;设置在所述衬底基板上且位于第三电极层的第二电极;其中,所述第二电极层和所述第一电极层同层设置,所述第三电极层位于所述第二电极层远离所述衬底基板的一侧;以及所述第一电极和所述第二电极中的一者为阳极,另一者为阴极,所述透光导 电线的第二端通过所述连接电极与所述第一发光单元的所述第一电极电连接。
- 根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:设置在所述第二导电线层和所述第三导电线层之间的第二平坦层;设置在所述第二平坦层远离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一导电线和所述第二导电线的第三平坦层;设置在所述衬底基板上且位于第五导电线层的第三转接部和第四转接部;以及设置在所述第五导电线层与所述第二源漏金属层之间的第五平坦层;其中,所述第五导电线层位于所述第二平坦层靠近所述衬底基板的一侧;以及对于至少一条所述第二导电线,所述第三转接部的第一端通过贯穿所述第二平坦层的第五过孔与所述第二导电线的第一端电连接,所述第三转接部的第二端通过贯穿所述第五平坦层的第六过孔与所述第一导电部电连接;所述第四转接部的第一端通过贯穿所述第二平坦层的第七过孔与所述第二导电线的第二端电连接,所述第四转接部的第二端通过贯穿所述第二平坦层和所述第三平坦层的第八过孔与所述第一发光单元电连接。
- 根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述第五导电线层与所述第三导电线层同层设置。
- 根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板,其中,所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影重叠设置。
- 根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:设置在所述衬底基板上且位于无机绝缘层的无机绝缘部;其中,所述无机绝缘层位于所述第一导电线层和所述第二导电线层之间;以及所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影和所述无机绝缘部在所述衬底基板上的正投影重叠设置。
- 根据权利要求9所述的显示基板,其中,所述第一导电线、所述第二导电线和所述无机绝缘部通过一道构图工艺形成。
- 一种显示面板,其中,包括如权利要求1至10中任一项所述的显示基板。
- 一种显示装置,其中,包括如权利要求11所述的显示面板。
- 一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括透光显示区、至少部分环绕所述透光显示区的主显示区以及位于所述透光显示区和所述主显示区之间的过渡区,其中,所述制备方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上位于所述过渡区的位置形成第一像素电路、多个导电部和第一过孔;所述多个导电部包括位于第一源漏金属层的第一导电部和位于第二源漏金属层的第二导电部,所述第一过孔贯穿位于所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层之间的第一平坦层,所述第一导电部和所述第二导电部通过所述第一过孔电连接;在所述衬底基板上位于所述透光显示区的位置形成第一发光单元;在所述衬底基板上形成多个透光导电线,至少一个所述透光导电线的第一端与所述第一像素电路电连接,第二端与所述第一发光单元电连接,所述多个透光导电线包括位于第一导电线层的第一导电线和位于第二导电线层的第二导电线,所述第一导电线和所述第二导电线均沿第一方向从所述过渡区延伸至所述透光显示区;其中,所述第一源漏金属层位于所述第二源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第二导电线层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧,所述第一导电线层位于所述第二导电线层远离所述衬底基板的一侧;所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电线在所述衬底 基板上的正投影至少部分交叠;以及所述第一导电线和所述第二导电线中的每一个在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影间隔设置。
- 根据权利要求13所述的制备方法,其中,所述显示基板还包括设置在所述第二导电线层靠近所述衬底基板一侧的第二平坦层,所述在所述衬底基板上形成多个透光导电线,包括:在所述第二平坦层远离所述衬底基板的一侧形成第一透光导电材料层;在所述第一透光导电材料层远离所述衬底基板的一侧形成无机绝缘材料层;在所述无机绝缘材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二透光导电材料层;通过一道构图工艺对所述第一透光导电材料层、所述无机绝缘材料层和所述第二透光导电材料层进行图案化处理,以得到所述第一导电线、所述第二导电线以及位于无机绝缘层中的无机绝缘部;其中,所述无机绝缘层位于所述第一导电线层和所述第二导电线层之间;以及所述第一导电线在所述衬底基板上的正投影、所述第二导电线在所述衬底基板上的正投影和所述无机绝缘部在所述衬底基板上的正投影重叠设置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2022/074978 WO2023142036A1 (zh) | 2022-01-29 | 2022-01-29 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117441419A true CN117441419A (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=87470168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280000106.4A Pending CN117441419A (zh) | 2022-01-29 | 2022-01-29 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117441419A (zh) |
WO (1) | WO2023142036A1 (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113764462A (zh) * | 2020-06-04 | 2021-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN211789021U (zh) * | 2020-06-08 | 2020-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN214043706U (zh) * | 2020-11-05 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113241358B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-07-12 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2022
- 2022-01-29 CN CN202280000106.4A patent/CN117441419A/zh active Pending
- 2022-01-29 WO PCT/CN2022/074978 patent/WO2023142036A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023142036A1 (zh) | 2023-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111326560B (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN109817672B (zh) | 有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置 | |
CN109786421B (zh) | 一种显示装置、显示背板及制作方法 | |
US11963378B2 (en) | Display panel and method for manufacturing the same, and display device | |
CN109857279B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN110890406B (zh) | 一种有机发光显示背板、其制作方法及显示装置 | |
US20220037616A1 (en) | Display substrate, manufacturing method thereof and display device | |
CN115148155B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN112714955B (zh) | 显示基板、显示面板及显示基板的制备方法 | |
CN109192144B (zh) | 补偿子像素单元、制作及驱动方法、像素结构及显示面板 | |
US20240266387A1 (en) | Micro light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
CN114497118A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
US20220293704A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
CN112740434A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN110047896B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
US10930727B2 (en) | Organic light-emitting diode display screen and electronic device | |
CN110047879B (zh) | 一种显示面板以及电子装置 | |
CN117441419A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
CN113113462B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US12002817B2 (en) | Display substrate, method for manufacturing same, and display device | |
US20240276802A1 (en) | Display substrate and method of manufacturing the same, display panel, and display device | |
KR20220078380A (ko) | 표시장치 | |
CN114846605B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20240172481A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US11925087B2 (en) | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |