CN117422046A - 域控制器电路板热源芯片的结温校正方法和系统 - Google Patents

Abstract

本公开涉及域控制器电路板热源芯片的结温校正方法和系统。方法包括：在预设测试参数下基于热仿真模型对域控制器进行第一级别热性能测试，以得到电路板的第一温度云图，第一温度云图指示热源芯片的第一表面壳温值；基于测试平台进行第一级别热性能测试，以得到电路板上热源芯片的第一边角温度值；响应于确定到第一表面壳温值与第一边角温度值误差大于预定阈值，基于测试平台对域控制器进行第二级别热性能测试，以得到电路板的第二温度云图；以及基于第一边角温度值和第二温度云图对热仿真模型进行校正，以得到热源芯片的经校正结温。以此方式，能够保证域控制器散热系统设计的热可靠性，且提高域控制器散热性能测试一次通过率。

Description

域控制器电路板热源芯片的结温校正方法和系统

技术领域

本公开一般地涉及智能驾驶技术领域，特别地涉及域控制器电路板热源芯片的结温校正方法和系统。

背景技术

智能驾驶域控制器热设计通过热仿真或样品测试评估热可靠性，但系统仿真分析中无法获取详细芯片模型，且直接使用芯片模型计算网格数量过多，资源消耗大。此外，理论功耗预估误差导致热仿真芯片温度不准确。

专利CN116187113B进行芯片级别结温校正，但整机系统中芯片发热受电路板设计、散热方式以及附近芯片等多因素影响，直接移植其结果意义有限。在整机中，芯片安装于电路板并整体装入壳体，测试时红外成像仪无法穿透壳体，且电路板单体与整机上发热状态有差异，导致直接使用单体状态下的热成像仪测量结果校核准确度和精度不足。

专利CN104424374B利用测试时热成像仪温度校核电路板单体的热仿真功耗，属于单一电路板设计，未涉及壳体和散热结构，非整机产品的设计。而且，方案且缺乏具体校核指标和方法，导致热仿真和测试结果误差大，对实际结温评估准确性不足。

智能驾驶域控制器的主要热源芯片通常与散热器凸台接触，导致热电偶无法直接布置在芯片表面，只能布置在侧面或散热凸台，导致芯片温度测试存在较大误差。一些方法在散热凸台中间开孔，将热电偶穿过孔贴在芯片表面，但这样热源中心与散热器分离，对散热造成不利影响。由于这些原因，热仿真结果和热测试结果误差较大，导致传统热仿真分析误差不可控，对实际结温评估准确性偏低。

可见，传统的智驾域控制器热源芯片的壳温值主要通过较大误差的样品测试评估或误差不可控的仿真计算评估。通过样品测试由于热电偶位置的不当布置，导致实测结果存在误差，增加产品测试风险，产品散热性能一次通过性不可控。而传统的热仿真分析误差不可控，对实际结温的评估准确性低。

因此，需要一种域控制器电路板热源芯片的结温校正方案。

发明内容

本公开的目的是提供一种域控制器电路板热源芯片的结温校正方法和系统，以至少部分地解决现有技术中存在的问题。

根据本公开的第一方面，提供了一种域控制器电路板热源芯片的结温校正方法。方法包括：在预设测试参数下基于热仿真模型对域控制器进行第一级别热性能测试，以得到电路板的第一温度云图，第一温度云图指示热源芯片的第一表面壳温值；在预设测试参数下基于测试平台对域控制器进行第一级别热性能测试，以得到电路板上热源芯片的第一边角温度值；响应于确定到第一表面壳温值与第一边角温度值误差大于预定阈值，基于测试平台对域控制器进行第二级别热性能测试，以得到电路板的第二温度云图；以及基于第一边角温度值和第二温度云图对热仿真模型进行校正，以得到热源芯片的经校正结温。

在一些实施例中，第二温度云图指示热源芯片的第二表面壳温值和第二边角温度值，并且基于第一边角温度值和第二温度云图对热仿真模型进行校正，以得到热源芯片的经校正结温可以包括：基于第二表面壳温值与第二边角温度值的差值、以及第一边角温度值，得到热源芯片的功耗校正系数；利用功耗校正系数对热源芯片的功耗进行校正，以得到校正后的热仿真模型；以及基于校正后的热仿真模型对域控制器进行热性能测试，以得到热源芯片的经校正结温。

在一些实施例中，热仿真模型的建立方法可以包括：建立针对域控制器的热仿真模型；响应于确定到热源芯片设置有散热焊盘，将热源芯片简化为散热焊盘实际尺寸大小的体积热源或面热源；以及响应于确定到热源芯片未设置有散热焊盘，将热源芯片简化为热源芯片实际尺寸大小的体积热源或面热源。

在一些实施例中，利用功耗校正系数对热源芯片的功耗进行校正，以得到校正后的热仿真模型可以包括：对与体积热源或面热源相对应的各个热源芯片的功耗进行比例放大或缩小，使得误差小于或等于预定阈值，以得到校正后的热仿真模型。

在一些实施例中，响应于确定到第一表面壳温值与第一边角温度值误差大于预定阈值，基于测试平台对域控制器进行第二级别热性能测试，以得到电路板的第二温度云图可以包括：对电路板表面温度场进行实时观测；以及响应于观测到第一边角温度值与第一表面壳温值偏差满足预设条件，拍摄并且输出第二温度云图。

在一些实施例中，在预设测试参数下基于测试平台对域控制器进行第一级别热性能测试，以得到电路板上热源芯片的第一边角温度值可以包括：响应于确定到热源芯片与散热凸台接触，将热电偶贴附至热源芯片一角的表面；以及将散热凸台与热电偶的对应位置设置预定形状的缺口。

在一些实施例中，预定形状可以为扇形，并且扇形的面积可以不超过热源芯片面积的预设比例。

在一些实施例中，对电路板表面温度场进行实时观测可以包括：利用红外成像仪对电路板表面温度场进行实时观测，以得到热源芯片温度场分布。

在一些实施例中，第一级别热性能测试可以包括针对域控制器整机的热性能测试，第二级别热性能测试可以包括针对被去除外壳的域控制器的热性能测试。

根据本公开的第二方面，提供了一种域控制器电路板热源芯片的结温校正系统，系统用于执行根据本公开第一方面的方法。

根据本公开的各个实施例至少能够起到如下有益效果：

根据本公开的各个实施例对域控制器进行不同级别的热模拟和热测试，充分考虑电路板设计、散热方式以及附近芯片发热等因素对热源芯片散热性能的影响，避免单一电路板或者芯片级别的模拟带来的误差，能准确评估域控制器电路板热源芯片实际工况的壳温情况，保证域控制器散热系统设计的热可靠性。

根据本公开的各个实施例能够在产品开发阶段对电路板热源芯片的结温进行准确仿真计算及热测试评估，保证产品散热性能的一次通过率。

根据本公开的各个实施例在测量芯片表面温度时，充分考虑热源芯片是否与散热凸台接触等参数，对热电偶的位置进行针对性设计，最小化热测量误差，提升热模拟和热测试结果准确度。

根据本公开的各个实施例的经特殊设计热模型能够直接应用于系统热仿真计算评估，评价散热系统设计的可靠性，进一步提升提高散热性能一次通过率。

应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开的实施例的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例而非限制性的方式示出了本公开的若干实施例，其中：

图1示出了根据本公开的实施例的域控制器电路板热源芯片的结温校正方法流程图。

图2示出了根据本公开的实施例的控制器热仿真模型的结构示意图。

图3示出了根据本公开的实施例的用于进行第一级别热性能测试的域控制器热源芯片和散热凸台结构截面图示意图。

图4示出了根据本公开的实施例的域控制器整机热仿真的电路板及热源芯片的示意温度云图。

图5示出了根据本公开的实施例的用于进行第一级别热性能测试的域控制器芯片和散热凸台结构放大示意图。

图6示出了根据本公开的实施例的域控制器电路板及热源芯片上贴热电偶位置示意图。

图7示出了根据本公开的实施例的高倍红外热成像仪测试的电路板热源芯片的示意表面温度云图。

在各个附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。

在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。

如前所提及，目前自动驾驶域控制器芯片的热仿真和热测试对芯片结温的测量，通过较大误差的样品测试评估或误差不可控的仿真计算评估，对实际结温的评估准确性低。而且，通过样品测试由于热电偶位置的不当布置，导致实测结果存在误差，增加产品测试风险，产品散热性能一次通过性不可控。

基于此，本公开的各个实施例对域控制器进行不同级别的热模拟和热测试，充分考虑电路板设计、散热方式以及附近芯片发热等因素对热源芯片散热性能的影响，避免单一电路板或者芯片级别的模拟带来的误差，能准确评估域控制器电路板热源芯片实际工况的壳温情况，保证域控制器散热系统设计的热可靠性。

本公开的各个实施例通过测试值对仿真值进行校正，可以通过对域控制器的电路板上热源芯片的仿真值进行一定方式的校正计算得到相对准确的芯片壳温值，能准确评估域控制器电路板热源芯片实际工况的壳温情况，保证域控制器散热系统设计的热可靠性。另一方面，本公开的各个实施例得出的简化热模型，直接应用于域控制器的系统热仿真计算评估，用于评价最终产品的散热系统设计的可靠性，能够提高域控制器散热性能的一次通过率。本公开的各个实施例可以在产品开发阶段对电路板热源芯片的结温进行准确仿真计算及热测试评估。

下文将结合图1至图7介绍根据本公开的示例性实施例。

图1示出了根据本公开的实施例的域控制器电路板热源芯片的结温校正方法100流程图。如图1所示，整体地，方法100包括框101至104操作。

参照图1，在框101，在预设测试参数下基于热仿真模型对域控制器进行第一级别热性能测试，以得到电路板的第一温度云图，第一温度云图指示热源芯片的第一表面壳温值。在本文的实施例中，表面通常是指热源芯片上表面。

在一个实施例中，热仿真模型可以通过对各个热源芯片进行简化为建立。具体地，可以将热源芯片简化为器件实际尺寸大小的体积热源。例如，对于设置有散热焊盘的热源芯片，可以将热源芯片简化为与散热焊盘实际尺寸大小相对应的体积热源或面热源。而对于未设置有散热焊盘的热源芯片，可以将热源芯片简化为热源芯片实际尺寸大小的体积热源或面热源。至于将热源芯片简化为体积热源或面热源，可以根据热源芯片的厚度来确定。例如，对于厚度超过一定阈值的热源芯片，可以简化为体积热源，而对于厚度小于一定阈值的热源芯片，则可以简化为面热源。该阈值可以根据经验确定，也可以根据同一电路板上不同热源芯片的发热情况进行统计再确定，本公开对此不作限制。

进一步，可以对热仿真模型进行网格细化，并且预设测试参数，该测试参数即热仿真模型用来对域控制器进行仿真的仿真参数。进一步，在预设测试参数下基于热仿真模型对域控制器进行第一级别热性能测试，从而输出电路板的温度云图，即第一温度云图，该温度云图又称电路板表面温度云图，其能够指示热源芯片的第一表面壳温值。因此，热仿真模型第一级别热测试可以输出表面温度云图和热源芯片表面壳温值两者。该第一级别热性能测试是通过热仿真计算的方式来实现。

在一个实施例中，第一级别热性能测试可以包括针对所述域控制器整机的热性能测试。由此，建立的热仿真模型可以是如图2和图3所示的域控制器整机模型。

图2示出了根据本公开的实施例的用于进行第一级别热性能测试的控制器热仿真模型200的结构示意图。图3示出了根据本公开的实施例的用于进行第一级别热性能测试的域控制器热源芯片和散热凸台结构截面图示意图。

如图2和图3所示，热仿真模型200可以整体地包括壳体结构201和电路板203。在该实施例中，用于进行第一级别热测试的热仿真模型200需要对各个散热特征进行测试，因此也需要对所有的散热特征进行热仿真建模，即热仿真模型200可以包括各个散热特征。在该实施例中，各个特征除了包括电路上203上的各个热源芯片202外，还可以包括散热凸台206、风扇205、位于散热芯片202和散热凸台206的导热凝胶204、散热器等散热特征。这样一来，作为域控制器整机模型的热仿真模型200建立完成。对域控制器200整机系统进行热测试，可以得到如图4所示的第一温度云图。

图4示出了根据本公开的实施例的域控制器整机热仿真的电路板及热源芯片的示意温度云图。参照图4，仿真计算结果导出主要包含电路板及热源芯片表面温度云图，也即热仿真时通过电路板及芯片建模仿真计算导出热源芯片表面温度云图、表面壳温值和表面平均温度值。第一温度云图可以指示热源芯片的第一表面壳温值。表面壳温值和热源芯片结温是两个近似而又不完全相同的参数。表面壳温值通常是指芯片表面外壳的温度值，通常情况下会略小于芯片结温。由于两者的近似性，在某些特定场景下，表面壳温基本可以等同于热源芯片结温进行处理。因此，在一个实施例中，该表面壳温值可以大致等同于芯片结温，本公开的实施例最终输出的经校正结温因此可以近似等同于经校正第一表面壳温值。在另一实施例中，可以利用更容易直接获得的表面壳温值来对仿真热模型参数进行校正后，最终通过经校正的热仿真模型模拟输出准确的经校正芯片结温，从而在保证测量准确度的情况下提高热仿真测试和校正计算效率，这将在下文进行详细介绍。

应当理解，用于进行第一级别热测试的热仿真模型200也可以对部分散热特征进行测试，以简化测试流程，在保证测试精度的情况下满足特定场景的测试需要。

返回图1。在框103，在预设测试参数下基于测试平台对域控制器进行第一级别热性能测试，以得到电路板上热源芯片的第一边角温度值。具体地，可以在测试平台上对智驾域控制器整机上电进行第一级别热性能测试稳态热测试，使用热电偶检测并得到热源芯片表面边角温度值。其中，热电偶是温度测量仪表中常用的测温元件，直接测量温度，并把温度信号转换成热电动势信号，通过电气仪表(二次仪表)转换成被测介质的温度，热电偶通常由热电极、绝缘套保护管和接线盒等主要部分组成，通常和显示仪表、记录仪表及电子调节器配套使用。

在一个实施例中，测试平台是根据与热仿真模型200相同的仿真条件和测试参数而建立的，第一级别热性能测试例如可以是如前文所述的域控制器整机热性能测试或接近整机热性能测试。

在一个实施例中，对于不需要和散热凸台206接触的热源芯片202，可以直接将热电偶粘贴到芯片表面的边角处，来直接测量得到电路板上各个热源芯片202的第一边角温度值。而对于需要和散热凸台206接触的热源芯片202，则可以将散热凸台206与热电偶的对应位置设置预定形状的缺口。

图5示出了根据本公开的实施例的域控制器芯片和散热凸台结构放大示意图。图6示出了根据本公开的实施例的域控制器电路板及热源芯片上贴热电偶位置示意图。

在图5和图6所示的实施例中，对于需要和散热凸台206接触的热源芯片202，热电偶无法直接粘贴到芯片表面，可以将热电偶贴在芯片的一角的表面，同时在散热凸台207对应位置的一角去掉扇形的肉。扇形例如可以为四分之一圆，圆半径可以是1mm～3mm，挖掉肉的扇形的面积占芯片表面积的比例不超过预设比例，该预设比例例如为10％。图6则示意性地示出了示例域控制器电路板上有散热凸台的芯片上贴热电偶的位置209。

在一个实施例中，如果通过热仿真模型热仿真得到的热源芯片表面壳温值与测试平台上测试得到的表面边角温度值的误差不小于预定阈值，例如2％或3％，则可以仿真热模型热测试结果准确，无需校正；若误差大于预定阈值，例如2％或3％，则需要基于测试平台对域控制器进行进一步测试，以对热仿真模型进行校正。

返回图1。在框105，响应于确定到第一表面壳温值与第一边角温度值误差大于预定阈值，基于测试平台对域控制器进行第二级别热性能测试，以得到电路板的第二温度云图。第二温度云图可以指示热源芯片的第二表面壳温值和第二边角温度值。

在一个实施例中，该预定阈值例如可以是2％或3％或者其他任意合适的数值。第二级别热性能测试例如可以是针对被去除外壳的所述域控制器的热性能测试，因此其热性能测试级别不同于第一级别热能行测试，并且可以通过不同于第一级别热性能测试的方法来实现。

在一个实施例中，可以对电路板表面温度场进行实时观测，并且响应于观测到第一边角温度值与第一表面壳温值偏差满足预设条件，拍摄并且输出第二温度云图。其中，预设条件可以指是芯片温度与框103获得的对应芯片表面边角温度接近，例如在该框105中获得的第二温度云图指示的热源芯片温度与对应框103获得的热源芯片表面边角温度偏差＜10％。

具体地，在一个实施例中，可以利用红外成像仪对电路板表面温度场进行实时观测，以得到热源芯片温度场分布，从而在满足条件时拍摄并且输出第二温度云图，获得对应热源芯片的结温值。

在该实施例中，在测试台架上对智能驾驶域控制器的电路板不带外壳进行测试，可以使用高倍红外热成像仪实时观测电路板表面及热源芯片表面温度场，待芯片表面壳温值与框103中获得的对应芯片表面边角温度接近时，例如在该框105中获得的第二温度云图指示的热源芯片温度与对应框103获得的热源芯片表面边角温度偏差小于10％时，拍摄并输出电路板和芯片的表面温度云图，得到芯片表面壳温值(或外壳表面中心温度)。

红外热成像技术是根据物体红外辐射的能量与物体的表面温度相关。物体表面温度越高，其表面辐射的能量越大。因此通过测量辐射能量的强弱就可以检测出被测物体表面温度。红外热成像技术操作相对简单方便、测量精度高、测量响应快、可以实时检测等特点因为红外热成像仪能够测试电路板及芯片表面温度场，因此可以导出电路板及热源芯片表面温度云图，用于校核计算。通过高倍红外热成像仪可以测试出集成电路芯片表面温度云图。

图7示出了根据本公开的实施例的高倍红外热成像仪测试的电路板热源芯片的示意表面温度云图。如图7所示，采用高倍红外热成像仪对热源芯片表面温度场进行测试，可以对芯片区域进行高倍放大至高分辨率的清晰状态并通过红外热成像仪转化成对应温度场，得到芯片表面区域准确的温度场分布、及芯片表面贴热电偶的一角处温度值。其中清晰状态可以不设置具体量化指标，肉眼判断能看清楚热源芯片区域温度场即可。

这样一来，通过高倍红外热成像仪可以测试出集成电路芯片表面温度云图，热仿真时通过电路板及芯片建模仿真计算可以导出芯片表面温度云图、表面壳温值，通过测试的热源芯片表面最高温度(中心温度)、贴热电偶的边角表面温度值和表面壳温值对仿真的热源芯片结温或表面温度值进行校正，然后得出整个芯片表面结温校正后的值，这将在下文进行详细介绍。

在框107，基于第一边角温度值和第二温度云图对热仿真模型进行校正，以得到热源芯片的经校正结温。在一个实施例中，经校正结温可以是热仿真模型得到的热源芯片最终结温，也可以约等于经校正的第一表面壳温值。

在一个实施例中，可以基于第二表面壳温值与第二边角温度值的差值、以及第一边角温度值，得到热源芯片的功耗校正系数，并且利用功耗校正系数对热源芯片的功耗进行校正，以得到校正后的热仿真模型，最后基于校正后的热仿真模型对域控制器进行热性能测试，以得到热源芯片的经校正结温或经校正的第一表面壳温值。

在一个具体实施例中，可以对与体积热源或面热源相对应的各个热源芯片的功耗进行比例放大或缩小，使得误差小于或等于预定阈值，以得到校正后的热仿真模型。预定阈值例如可以是如前所述的2％、3％或者其他任意合适的预定阈值，本公开对此不作限制。也即，对热源芯片的发热功耗进行比例放大或者缩小使得仿真后芯片表面温度值与实测值误差小于预定阈值，得出仿真计算时通过热耗校正计算方式。

在一个特定实施例中，可以根据框103得到的热源芯片表面边角温度和框105得到的热源芯片表面第二边角温度和第二表面壳温值(即外壳表面中心温度)的差值，得到热仿真模型中热源芯片功耗的校正系数K_i，对芯片功耗进行校正后重新进行热仿真，实现对热仿真模型的校正。在该实施例中，热仿真模型中的热源芯片功耗Q_i进行校正具体流程可以如下：

假设域控制器电路板热源芯片共计N个，其中框101中仿真得到的第i个热源芯片的热仿真表面壳温值表示为Tsi，相对环境的温升为ΔTsi；框103得到的热源芯片表面边角温度值表示为Ttci，温升为ΔTtci，并且框105得到的热源芯片表面中心壳温值表示为Trmi，温升为ΔTrmi，表面边角温度值表示为Trci，则温升为ΔTrci。

首先可以校核智驾域控制器整机系统热测试时芯片表面中心温升ΔTtmi。在框105中获得K1i＝(ΔTrmi-ΔTrci)/ΔTrci，则得到：

ΔTtmi＝(1+k1i)ΔTtci(1)

其中Kli为域控制器整机系统热测试时芯片表面中心温升校核系数。

然后校核热仿真模型中热源芯片功耗Qi：

ΔT仿真＝ΔTsi；

ΔT实测＝ΔTtmi；

ΔT实测＝KiΔT仿真(2)

结合等式(1)和等式(2)得到第i个热源芯片的校核系数Ki＝(1+k1i)ΔTtci/ΔTsi。

进一步，对热源芯片i的功耗Qi按照校核系数Ki进行比例放大或缩小，具体方法是在当前功耗Qi乘以校核系数Ki，得到校正后的功耗Qi校正，直至ΔT仿真(ΔTsi)与ΔT实测(ΔTtmi)的误差小于2％为止，即得到第i个芯片热耗的最终校核系数。可以看出，在实际在校正过程中的测试仅需一次，仅需要重复迭代更新热仿真和校核系数即可得到最终校核系数。

在将热源芯片简化为芯片实际尺寸大小的体积热源或者面热源的实施例中，可以通过计算出的壳温仿真值(或迭代为校正计算后的值)与测试值误差对热源功耗进行一定比例放大或者缩小使得计算后的仿真值与测试值误差小于2％，得出简化热模型对应热耗转化计算校正方式。

在将热源芯片简化为散热焊盘实际尺寸大小的体积热源或者面热源的实施例中，可以通过计算出的壳温仿真值(或迭代为校正计算后的值)与测试值误差对热源功耗进行一定比例放大或者缩小使得计算后的仿真值与测试值误差小于2％，得出简化热模型对应热耗转化计算校正方式。

综上，在上述具体实施例中，首先建立了智驾域控制器整机系统热仿真模型，然后对模型进行了网格细化并进行仿真参数设置。接着，进行了仿真计算，并导出了电路板热源芯片表面温度云图；在测试平台上按照相同的条件建立了测试平台，上电测试得到每个热源芯片一角的表面壳温值。为了更准确地测试芯片的热耗，去掉域控制器的外壳，对电路板上电测试，并使用高倍红外热成像仪测试出热源芯片温度场分布；根据芯片表面测试温度场分布云图和芯片表面结温值，对芯片热耗进行了校正；通过校正计算对仿真模型进行更新，重新计算并输出了芯片表面温度，由此完成域控制器热性能测试和仿真模型校正的过程。通过这种不同级别的热测试和校正，充分考虑了电路板设计、散热方式以及附近芯片发热等因素对热源芯片散热性能的影响，避免单一电路板或者芯片级别的模拟带来的误差，能准确评估域控制器电路板热源芯片实际工况的壳温情况，保证域控制器散热系统设计的热可靠性。

本公开的实施例还提供了域控制器电路板热源芯片的结温校正系统。该系统用于执行根据前文所提及的域控制器电路板热源芯片的结温校正方法。

此外，虽然采用特定次序描绘了各操作，但是这应当理解为要求这样操作以所示出的特定次序或以顺序次序执行，或者要求所有图示的操作应被执行以取得期望的结果。在一定环境下，多任务和并行处理可能是有利的。同样地，虽然在上面论述中包含了若干具体实现细节，但是这些不应当被解释为对本公开的范围的限制。在单独的实施例的上下文中描述的某些特征还可以组合地实现在单个实现中。相反地，在单个实现的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何合适的子组合的方式实现在多个实现中。

尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。

虽然在上面论述中包含了若干具体实现细节，但是这些不应当被解释为对本公开的范围的限制。在单独的实施例的上下文中描述的某些特征还可以组合地实现在单个实现中。相反地，在单个实现的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何合适的子组合的方式实现在多个实现中。

以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (10)

1.一种域控制器电路板热源芯片的结温校正方法，其特征在于，包括：

在预设测试参数下基于热仿真模型对所述域控制器进行第一级别热性能测试，以得到所述电路板的第一温度云图，所述第一温度云图指示所述热源芯片的第一表面壳温值；

在所述预设测试参数下基于测试平台对所述域控制器进行所述第一级别热性能测试，以得到所述电路板上所述热源芯片的第一边角温度值；

响应于确定到所述第一表面壳温值与所述第一边角温度值误差大于预定阈值，基于所述测试平台对所述域控制器进行第二级别热性能测试，以得到所述电路板的第二温度云图；以及

基于所述第一边角温度值和所述第二温度云图对所述热仿真模型进行校正，以得到所述热源芯片的经校正结温。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二温度云图指示所述热源芯片的第二表面壳温值和第二边角温度值，并且基于所述第一边角温度值和所述第二温度云图对所述热仿真模型进行校正，以得到所述热源芯片的经校正结温包括：

基于所述第二表面壳温值与所述第二边角温度值的差值、以及所述第一边角温度值，得到所述热源芯片的功耗校正系数；

利用所述功耗校正系数对所述热源芯片的功耗进行校正，以得到校正后的所述热仿真模型；以及

基于校正后的所述热仿真模型对所述域控制器进行热性能测试，以得到所述热源芯片的经校正结温。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述热仿真模型的建立方法包括：

建立针对所述域控制器的所述热仿真模型；

响应于确定到所述热源芯片设置有散热焊盘，将所述热源芯片简化为所述散热焊盘实际尺寸大小的体积热源或面热源；以及

响应于确定到所述热源芯片未设置有散热焊盘，将所述热源芯片简化为所述热源芯片实际尺寸大小的体积热源或面热源。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，利用所述功耗校正系数对所述热源芯片的功耗进行校正，以得到校正后的所述热仿真模型包括：

对与所述体积热源或所述面热源相对应的各个所述热源芯片的功耗进行比例放大或缩小，使得所述误差小于或等于所述预定阈值，以得到校正后的所述热仿真模型。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，响应于确定到所述第一表面壳温值与所述第一边角温度值误差大于预定阈值，基于所述测试平台对所述域控制器进行第二级别热性能测试，以得到所述电路板的第二温度云图包括：

对所述电路板表面温度场进行实时观测；以及

响应于观测到所述第一边角温度值与所述第一表面壳温值偏差满足预设条件，拍摄并且输出所述第二温度云图。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预设测试参数下基于测试平台对所述域控制器进行所述第一级别热性能测试，以得到所述电路板上所述热源芯片的第一边角温度值包括：

响应于确定到所述热源芯片与散热凸台接触，将热电偶贴附至所述热源芯片一角的表面；以及

将所述散热凸台与所述热电偶的对应位置设置预定形状的缺口。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预定形状为扇形，并且所述扇形的面积不超过所述热源芯片面积的预设比例。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述电路板表面温度场进行实时观测包括：

利用红外成像仪对所述电路板表面温度场进行实时观测，以得到所述热源芯片温度场分布。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一级别热性能测试包括针对所述域控制器整机的热性能测试，所述第二级别热性能测试包括针对被去除外壳的所述域控制器的热性能测试。

10.一种域控制器电路板热源芯片的结温校正系统，其特征在于，所述系统用于执行根据权利要求1至权利要求9中任一项所述的方法。